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WO2005101352A1 - 表示装置 - Google Patents

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Publication number
WO2005101352A1
WO2005101352A1 PCT/JP2004/004670 JP2004004670W WO2005101352A1 WO 2005101352 A1 WO2005101352 A1 WO 2005101352A1 JP 2004004670 W JP2004004670 W JP 2004004670W WO 2005101352 A1 WO2005101352 A1 WO 2005101352A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
display device
length
pattern
electrode pattern
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/004670
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Atsuo Ishizuka
Yoshiaki Sakamoto
Hisashi Yamaguchi
Original Assignee
Fuji Photo Film Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to TW093108673A priority Critical patent/TWI232707B/zh
Application filed by Fuji Photo Film Co., Ltd. filed Critical Fuji Photo Film Co., Ltd.
Priority to PCT/JP2004/004670 priority patent/WO2005101352A1/ja
Priority to JP2006511940A priority patent/JP4382089B2/ja
Priority to US10/594,737 priority patent/US20070290603A1/en
Priority to KR1020067022668A priority patent/KR20060130265A/ko
Priority to CNB2005800176351A priority patent/CN100541562C/zh
Priority to PCT/JP2005/004471 priority patent/WO2005098801A1/ja
Priority to TW094108038A priority patent/TWI280544B/zh
Publication of WO2005101352A1 publication Critical patent/WO2005101352A1/ja

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
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    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
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    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20Constructional details
    • H01J2211/22Electrodes
    • H01J2211/24Sustain electrodes or scan electrodes
    • H01J2211/245Shape, e.g. cross section or pattern
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20Constructional details
    • H01J2211/46Connecting or feeding means, e.g. leading-in conductors

Definitions

  • the present invention generally relates to a display device, and more particularly to a display device using a current-driven light-emitting element.
  • Conventional display devices are mainly composed of liquid crystal display devices. Recently, display devices composed of plasma display devices have begun to be used. Further, a display device is also configured by an organic EL display device.
  • a passive matrix drive structure In order to provide such a display device at low cost, it is preferable to use a passive matrix drive structure.
  • a passive matrix driving configuration By using the passive matrix driving configuration, a thin film transistor required in the active matrix driving configuration can be omitted.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a display device 10 having such a passive matrix driving configuration.
  • a display device 10 includes a display substrate 11 having a display area 11A formed thereon. On the substrate 11, a large number of scanning lines 11a and 11a are provided in X and Y directions. ⁇ The data lines 1 1 b extend respectively.
  • the substrate 11 has a driving circuit 12A for selectively driving one of the driving lines 11a and a driving circuit 1 for selectively driving one or more of the data lines 11b. 2 B is connected.
  • one driving line 11a is selected by the driving circuit 12A, and one or a plurality of data lines 11b are selected by the driving circuit 12B.
  • One or more pixels corresponding to the intersection of the line 11a and the data line 11b emit light simultaneously.
  • the drive circuits 12A and 12B are formed in the form of an integrated circuit chip, and between the display substrate 11 and the flexible substrate on which a pattern is printed to reduce the size of the display device. Is generally connected by Such an implementation Also known as chip 'on' film (COF.).
  • COF chip 'on' film
  • ITO In 2 Os-S ⁇ - 2
  • Patent Document 1 U.S. Patent Publication No. 2001-050799
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-221536
  • Patent Document 4 JP-A-62-124529 DISCLOSURE OF THE INVENTION
  • the inventor of the present invention has found that when driving a current drive type display device such as an organic EL device or a plasma display device, the length of a wiring pattern connecting a drive circuit to a scan line or a data line is particularly large. It was found that if the values were different for each case, there would be a problem of uneven driving.
  • connection portion 11C between the drive circuit 12a of the display device 10 of FIG. 1 and the running line 11a.
  • the connecting portion 11C is composed of an IT wiring pattern 11c connected to a scanning line 11a made of A1, and the ITO wiring pattern 11c is formed.
  • the pitch is reduced corresponding to the electrode pitch of the drive circuit as compared with the display area 11A.
  • the ITO wiring pattern 11c extends linearly at the connection portion 11C, and as a result, the pattern interval of the ITO wiring pattern 11c is set to the side connected to the drive circuit 12A. In contrast, in FIG. 3, the pattern interval is kept constant.
  • the length of the ITO wiring pattern 11c at the connection portion 11C differs between the central portion of the substrate and the peripheral portion of the substrate. Is unavoidable to be too long. Accordingly, at the connection portion 11C, the resistance of the ITO wiring pattern 11c is different between the central portion of the substrate and the peripheral portion of the substrate, and accordingly, the emission intensity is also different between the central portion of the substrate and the peripheral portion of the substrate. there is a possibility.
  • II TO Robo fiber pattern 11c that constitutes the scanning line drawing section 11a
  • the sheet resistance of the ITO wiring pattern 11c is 10 ⁇ / port
  • the rooster B / wire resistance of the ITO wiring pattern 11c is lk Q when the rooster B / ⁇ length is 5 mm and the rooster fiber width is 50 ⁇ . It can be seen that a voltage drop reaching 10 V occurs along the ITO wiring pattern 11c due to the driving current of 1 OmA.
  • the pitch of the scanning line 11a is changed at the connection portion 11C as shown in FIG. 2 or 3, so that the scanning is performed between the central portion and the peripheral portion of the substrate.
  • the wiring resistance becomes minimum at the scanning line 11a at the center of the substrate, and the scanning lines 11a at the upper and lower ends are formed.
  • the wiring resistance of the ITO wiring pattern 11c is maximized. Therefore, for example, if a sheet resistance of 10 ⁇ / port and a wiring width of 10 m is used as the ITO wiring pattern 11 c, the difference in length of the ITO wiring pattern 11 c is 10 mm.
  • a difference between the driving line 11a in the central portion of the substrate and the scanning line 11a in the peripheral portion of the substrate may reach a drive ⁇ value of about 20V.
  • the pattern width corresponding to the length of the ITO wiring pattern.
  • the connection part 11 of the center scanning line 11a among the 100 scanning lines 11a.
  • the pattern length of the ITO roster ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ pattern 11c was 5 mm
  • the pattern width was 20 ⁇
  • the rooster length at the top or bottom of the board was 1 Omm ⁇
  • the width of the ITO pattern 11c is set to 0.4 ⁇ steps. If it is increased to / zm, it is possible to compensate for the change in the resistance value caused by the difference in the rooster B / ⁇ length at the connection portion 11C.
  • the pattern width accuracy of the actual ITO pattern is about 1 ⁇ , and the variation in the resistance value is small.
  • the turn width is 20 ⁇ m, the soil is 5%, and when the turn width is 40 ⁇ m, the soil is 2.5%. It is difficult to actually perform such a process. Also, such a method of adjusting the pattern width requires enormous design man-hours.
  • a first electrode group including a plurality of electrode patterns arranged adjacent to each other on the substrate and extending in a first direction;
  • a second electrode group consisting of a plurality of electrode patterns arranged adjacent to the substrate and extending in a second direction different from the first direction;
  • Each of the display devices includes a plurality of display elements formed corresponding to intersections of one electrode pattern in the first electrode group and one electrode pattern in the second electrode group.
  • At least the first electrode group includes a plurality of electrode patterns each connected to a drive circuit at one end and having different lengths from the one end to the other end.
  • Each of the plurality of electrode patterns has a stacked structure including a first conductor having a first sheet resistance and a second conductor having a second sheet resistance smaller than the first sheet resistance.
  • Each of the plurality of electrode patterns is provided with a high-resistance region from which the second conductor has been removed,
  • a display device is provided in which the length of the high resistance region differs for each of the plurality of electrode patterns according to the length of the electrode pattern.
  • the section length differs for each of the electrode patterns constituting the first electrode group, and as a result, the resistance value over the entire length of the electrode pattern constituting the first electrode group Even if the resistance varies for each electrode pattern, it is possible to compensate for such a change in resistance by changing the length of the second conductor according to the section length. Thus, a more uniform display can be realized.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional passive matrix drive type display device
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams showing problems to be solved by the present invention
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a passive matrix drive type organic EL display device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a part of the organic EL display device of FIG. 4,
  • FIG. 6 is a diagram showing a detailed configuration of a connection portion of the organic EL display device of FIG. 4;
  • FIG. 7A and 7B are views showing a cross-sectional structure of a connection portion of the organic EL display device of FIG. 4;
  • FIG. 8 is a schematic configuration of a passive matrix drive type organic EL display device according to a second embodiment of the present invention. Figure showing
  • FIG. 9 is a diagram showing a detailed configuration of a connection portion of the organic EL display device of FIG. 8;
  • FIGS. 10A and 10B are diagrams showing a cross-sectional structure of a connection portion of the organic EL display device of FIG. 8;
  • FIG. 11 is a diagram showing characteristics of the organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram showing a modification of the organic EL display device of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 4 shows a configuration of a passive drive type organic EL display device 20 according to a first embodiment of the present invention.
  • the display device 20 has the same configuration as the display device 10 of FIG. 1 as a whole, includes a display substrate 21 having a display area 21A formed thereon, A large number of scan lines 21 a and data lines 21 b extend in the X and Y directions on 21.
  • a driving circuit 22 A for selectively driving one of the scanning lines 21 a and a driving circuit 2 for selectively driving one or more of the data lines 21 b are provided on the substrate 21, a driving circuit 22 A for selectively driving one of the scanning lines 21 a and a driving circuit 2 for selectively driving one or more of the data lines 21 b are provided. 2 B is connected. Therefore, one scanning line 21a is selected by the driving circuit 22A, and one or a plurality of data lines 21b are selected by the driving circuit 22B. One or more pixels corresponding to the intersection of a and the data line 21b emit light simultaneously.
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view along the data line 21 b of the display device 20 of FIG.
  • the data line 21b is patterned in parallel on a glass substrate 21 to form an anode.
  • an organic EL device 20E having a hole transport layer 20A, a light-emitting layer 20B, and an electron transport layer 20C was laminated.
  • a mask was used.
  • the organic EL elements 20E formed repeatedly by the vapor deposition method are arranged in a matrix on the glass substrate 21.
  • the space between the organic EL elements 20E arranged in a matrix as described above is filled with an insulating film (not shown), and a group of organic EL elements 20E arranged in the X direction among the organic EL elements 20E.
  • a cathode 2 OD made of A1 or the like is formed so as to connect the elements.
  • the cathode 2 OD constitutes the scanning line 21 a in the configuration of FIG.
  • FIG. 6 shows in detail the configuration of a connection 21C between the scanning line 21a and the drive circuit 22A corresponding to the connection 11C in FIGS.
  • the repetition interval of the scanning line 21a extending the display area 21A is determined by the terminal of the integrated circuit chip constituting the drive circuit 22A.
  • the wiring pattern 21c extending from the end of the scanning line 21a extending in parallel in the display area 21A is reduced in accordance with the distance. Bent at 1 C.
  • the wiring pattern 2 1 c has a ITO pattern 2 1 ai, by lamination with the low resistance formed on the ITO pattern 2 1 a 1 C r pattern 2 1 a 2 It is configured.
  • connection part 21 C is formed in such a manner that the wiring pattern 21 c extending from the end of the scanning line 21 a extends in the display area 21 A in the extending direction (X direction).
  • a section A extending obliquely with respect to the wiring section 2 1 c extends in the X direction again beyond the section A, and a terminal section 2 1 for connection to the drive circuit 22 A.
  • It is composed of a section B that is continuous with T. In both sections A and B, the bird's-eye patterns 21 c corresponding to different scanning lines 21 a extend in parallel with each other.
  • the section A is the center of the plurality of wiring patterns 2 1 c, which has the longest rooster B; the length of the shortest pattern is zero, and the outermost longest pattern is the longest Is defined so as to be the maximum (L a max ), and the section B is defined as a pattern in the center of the plurality of ITO wiring patterns 21 c having the shortest line length.
  • the length is defined as the maximum (Lbmax), and the length in the outermost and longest wiring pattern is defined as zero.
  • the wiring length in the section A decreases linearly from the outermost ITO wiring pattern 21 c to the shortest wiring pattern 21 c in the center, and the wiring length in the section B The length increases linearly from the outermost wiring pattern 21c to the shortest wiring pattern 21c at the center.
  • This embodiment Nio Te is the section B is divided into the first section B 1 and the second further in section B 2, in FIG. 7 A, 7 second interval B 2 as shown in B
  • the length of the Cr pattern 2 1 a 2 in the wiring pattern 2 1 c in the section Bi is trimmed, and the resistance value of the wiring pattern 2 1 c Is adjusted to a certain value.
  • 7A shows a cross section of the wiring pattern 21c in the section B i
  • FIG. 7B shows a cross section of the wiring pattern 21c in the section B2.
  • the resistance value of the resistive element is Te per cent Rere to this embodiment, instead of adjusting the width W a of the pattern 2 1 a, as shown in FIG. 7 A, 7 B, of the section B 2 By adjusting the length, it can be set with high accuracy.
  • the length La (mm) of the section A is zero at the center of the electrode group constituting the scanning line 21a. Therefore, assuming that the length La of the tfif-IH / line pattern at the outermost side of the wiring group is La max (mm), Between the central part of the wiring group and the outermost part, the length L a (La k ) of the rooster pattern changes ⁇ £ / ⁇ , and the k-th wiring length Lak is
  • the length Lb (mm) of section B also changes in a similar manner, with the maximum at the center of the group of fibers and zero at the outermost end of the wiring group. Therefore, assuming that Lb at the center of the wiring group is Lb max , the k-th L-line length L is
  • the portion where the Cr film 21b is provided is defined as the section in order to avoid a decrease in mechanical strength caused by providing a low resistance auxiliary wiring such as a Cr film in the terminal portion 21T.
  • the Cr film 21b is formed so as to extend continuously from the section A.
  • the section B is a section in which the ITO film 21 ai and the Cr film 21 a 2 corresponding to FIG. 7A are stacked and a section in which only the ITO film 21 ai corresponding to FIG. It consists Ri B 2 yo, the length of extension of the scanning lines 21 a, respectively, Lbik (mm) Te the section smell, and L b 2 k (mm) in the section B 2.
  • the sheet resistance of the ITO film 21 ai is Rito ( ⁇ / D). ]: Assuming that the sheet resistance of the films 21 & 2 is Raux ( ⁇ / D), the line width in the section A is W a (mm), and the line width in the section B is Wb (mm), The wiring resistance of Rak, Rbk is facileRitoRaux La
  • Rb k —- (Lbl k + Lb2 k )
  • C r layer 21 a 2 uniform I spoon (trimming) of the wiring resistance was used as the auxiliary wiring pattern Ru the test t.
  • Rb k Cl (C2 Lbl k + Lb2 k ),
  • L b 2k of the wiring group outermost end i.e. L b 2 Fei
  • L b 2 k varies linearly from 0 to L b 2 (n / 3 ⁇ 4 Therefore, the k-th wire length L b 2 k after trimming is
  • the resistance value can be easily determined by obtaining the wiring length of the bird B / ⁇ pattern at the center of the wiring group extending from the scanning line 21a at the connection part 21C. Can be trimmed.
  • the wiring pattern in the section B2 is used.
  • the photomask of the turn only needs to be created based on the Rooster B / ⁇ ⁇ ⁇ pattern data obtained from the above formula, and no special man-hour is required.
  • the change in resistance value is + 0.05%
  • by adjusting the wiring width it is possible to achieve a two-digit improvement in accuracy as compared with reversal.
  • FIG. 8 is a schematic configuration of an organic EL display device 40 according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the display device 40 taken along a scanning electrode.
  • parts corresponding to the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the display device 40 is also a passive drive type display device similar to the display device 20 of FIG. 4, except that the self-drive circuit 22A and the scan line 21a are connected.
  • the connection 41C shown in FIG. 9 is used instead of the connection 21C shown in FIG.
  • the connecting portion 41C is abbreviated as a connecting portion 21C in FIG. 6 in a plan view. It has the same configuration, but is connected to the end of the tilt self-scanning line 21a instead of the wiring pattern 21c formed by the extension of the tin self-scanning line 21c, and The rooster pattern 41c converges to the terminal portion 41T formed corresponding to the terminal of the circuit 22A.
  • the rooster 5; ⁇ pattern 4 1 c is divided into sections A and B along its extending direction, similarly to the rooster ⁇ pattern 21 c, and the section length L ak of section A is the outermost scan. It becomes maximum at the wiring pattern 41c corresponding to the line 41a, and becomes zero at the wiring pattern 41c corresponding to the central running line 41a.
  • section B is divided into the sections B and B 2
  • section B in the wiring pattern 4 1 c is similar I TO film 4 1 ai silver alloy film and scanning lines 4 1 a as shown in FIG. 1 2 A 4 to 1 has a laminated structure of a 2
  • the section B 2 in the wiring pattern 4 1 c is constituted of only the ITO film 4 1 a as shown in FIG. 1 2 B. Extends ITO pattern 4 1 a 1 of the section B 2 further constitutes said terminal portion 4 1 T to be crimped to the electrode of the driving circuit 2 2 A.
  • the silver alloy an alloy of silver and palladium or copper is used, so that a sheet resistance lower than Cr can be realized.
  • silver alloys Me others susceptible to deterioration of C r O remote electromigration clay Chillon or characteristics due to oxidation, the silver alloy film 4 1 a 2 at the section B 1 as shown in FIG. 1 2 A is the ITO It is formed under the film 41 ai so as to be protected by the glass substrate 21 and the ITO film 41 ai.
  • the trimming at the connection portion 11C in FIG. 11 will be described in detail.
  • the length Lb (mm) of the pattern 4 1c in the section B also changes linearly from the center of the substrate to the outside, corresponding to the center scanning line 41a.
  • Wiring pattern 4 1c is maximum at 1c and zero at the outermost end. So if your Keru section length L b in the central portion and L b max, k-th wiring length L b k from the central portion,
  • the width of the wiring pattern 41 c is Wa
  • the width of the silver alloy film 41 a 2 in section A is Wa ′
  • the width of the ITO film 41 ai in section B and therefore the width of the wiring pattern 41 c.
  • the wiring resistances R ak Rbk in sections A and B are respectively
  • Lblk and Lb2k represent the wiring length of the wiring pattern 41c in the sections Bi and B2.
  • the resistance Rk is set to the same value in all patterns. In the following, the case of 0 ⁇ k ⁇ nZ2 is handled for simplicity.
  • FIG. 11 shows the wiring resistance of the entire scanning line 21a or 41a and the resulting voltage drop when the trimming according to the first and second embodiments was performed, and the maximum and minimum values of the wiring resistance.
  • the difference ⁇ R and the mj £ drop associated with the ⁇ R The difference ⁇ V between the maximum value and the minimum value is shown together with Comparative Examples 1 and 2.
  • Comparative Example 1 no auxiliary wire such as a Cr film or a silver alloy was provided, and the resistance value was trimmed by adjusting the width of the wiring pattern 11c.
  • the Cr film is provided as the auxiliary wiring, but the trimming of the resistance value is performed by adjusting the width of the horizontal line pattern 21c.
  • Example 1 corresponds to the actual Example 1 described above, auxiliary wiring capturing trimming in section of FIG. 6, that is performed by adjusting the wiring lengths of C r pattern 2 1 a 2.
  • the experimental example 2 corresponds to Example 2 described above, the auxiliary wiring trimming in the section B 1 in FIG. 1 1, carried out by adjusting the Rooster ⁇ of Sunawa Chi A g alloy pattern 4 1 a 2 I have.
  • the variation ⁇ R of the resistance value reaches 7500 ⁇ or 12.5 ⁇ , and the difference A Vdrop of the voltage drop also corresponds to 1 O mA.
  • the drive current flows, it reaches 7.5 V or 1.25 V.
  • the variation ⁇ of the resistance value of the wiring pattern 21 c or 41 c due to the wiring length difference at the connection part 21 C or 41 C is 8 3 To 4 ⁇ , and in Experimental Example 2 to 15.1 ⁇ , the voltage drop difference ⁇ Vdrop is also reduced to 0.83 V in Experimental Example 1 and to 0.83 V in Experimental Example 2. It can be seen that it has decreased to 0.15 V.
  • the wiring length in the section Bi and B 2 although the Rooster length L b lk wiring length L b 2k has discussed the case in which linearly changes with number k, the wiring length as in the present invention In the case of trimming, as shown in Fig. 11, even if a slight patterning error occurs, it does not affect the change in the resistance value much.
  • the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • connection portion 11 C or 21 C in FIG. 6 or 11 can be provided also at the connection portion between the data electrode 21 b and the drive circuit 22 B as necessary.
  • the present invention is applicable not only to organic EL display devices but also to other current-driven display devices driven by passive matrix, such as plasma display devices (PDP), LED array display devices, and light sources. Further, the present invention is applicable not only to a current drive type display device but also to a passive matrix drive type or an active matrix drive type liquid crystal display device. Industrial applicability
  • the length of the auxiliary electrode depends on the length of the wiring pattern in the connection portion. In this way, it is possible to set the resistance difference between the different rooster B-patterns at the connection, and thus the difference in the voltage drop, constant irrespective of the position of the wiring pattern. Driving becomes possible.

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Abstract

表示装置は、基板と、前記基板上に隣接して配列され、第1の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第1の電極群と、前記基板上に隣接して配列され、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第2の電極群と、各々、前記第1の電極群中の一つの電極パターンと前記第2の電極群中の一つの電極パターンの交点に対応して形成された、複数の表示要素とよりなり、少なくとも前記第1の電極群は、各々一端において駆動回路に接続され前記一端から他端までの長さが互いに異なる複数の電極パターンを含み、前記複数の電極パターンの各々は、第1のシート抵抗を有する第1の導電体と、前記第1のシート抵抗よりも小さい第2のシート抵抗を有する第2の導電体とを含む積層構造を有し、前記複数の電極パターンの各々には、前記第2の導電体を除去した高抵抗領域が設けられており、前記高抵抗領域の長さは、前記複数の電極パターン毎に、前記電極パターンの長さに応じて異なる。

Description

明細書
表示装置 技術分野
本発明は一般に表示装置に係り、 特に電流駆動型の発光素子を用いた表示装置 に関する。 背景技術
従来の表示装置は、 主に液晶表示装置により構成されている力 最近ではブラ ズマ表示装置により構成された表示装置が使われ始めている。 さらに、 有機 E L 表示装置により表示装置を構成することも行われている。
このような表示装置を安価に提供するには、 パッシブマトリクス型の駆動構成 を使うのが好ましい。 パッシブマトリクス駆動構成を使うことにより、 ァクティ ブマトリクス駆動構成で必要な薄膜トランジスタを省略することができる。
図 1は、 このようなパッシブマトリクス駆動構成の表示装置 1 0の概略的構成 を示す。
図 1を参照するに、 表示装置 1 0は表示領域 1 1 Aを形成された表示基板 1 1 を含み、 前記基板 1 1上には X方向および Y方向に多数の走査ライン 1 1 aおよ ぴデータライン 1 1 bがそれぞれ延在している。
さらに前記基板 1 1には前記走查ライン 1 1 aの一つを選択的に駆動する駆動 回路 1 2 Aと前記データライン 1 1 bの一つあるいは複数を選択的に駆動する駆 動回路 1 2 Bとが接続されている。
そこで前記駆動回路 1 2 Aにより一つの走查ライン 1 1 aを選択し、 駆動回路 1 2 Bにより一^ ^あるいは複数のデータライン 1 1 bを選択することにより、 前 記選択された走查ライン 1 1 aとデータライン 1 1 bとの交点に対応する一また は複数の画素が同時に発光する。
一般に前記駆動回路 1 2 A, 1 2 Bは集積回路チップの形に形成されており、 前記表示基板 1 1との間は、 表示装置の小型化のため、 酉镍パターンが印刷され たフレキシブル基板により接続されるのが一般的である。このような実装形態は、 チップ'オン 'フィルム (COF。) として知られている。 特に COF実装技術に より駆動回路を実装する には、 フレキシブル基板の圧着に適した I T O (I n2Os - S ηΟ2) パターンが使われることが多い。
[特許文献 1] 米国特許公開第 2001-050799号公報
[特許文献 2] 特開 2002— 162647号公報
[特許文献 3] 特開 2002— 221536号公報
[特許文献 4] 特開昭 62-124529号公報 発明の開示
本発明の発明者は、 特に有機 EL素子やプラズマ表示装置など、 電流駆動型の 表示装置を駆動する際に、 駆動回路を走査ラインあるいはデータラインに接続す る配線バタ一ンの長さがラインごとに異なると、 駆動が不均一になる問題が生じ るのを発見した。
図 2, 3は、 図 1の表示装置 10の駆動回路 12Αと走查ライン 11 aとの接 続部 11 Cの構成を示す。
図 2, 3を参照するに、 前記接続部 11 Cは A 1よりなる走査ライン 11 aに 接続される I T〇配,镍パターン 11 cより構成されているが、 前記 I TO配線パ ターン 11 cのピッチが前記駆動回路 12Aと接続される側では、 前記表示領域 11 Aに比べ、 駆動回路の電極ピッチに対応して縮小されているのがわかる。 な お図 2では前記接続部 11 Cにおいて前記 I TO配線パターン 1 1 cは直線的に 延在し、 その結果、 前記 I TO配線パターン 11 cのパターン間隔が駆動回路 1 2Aと接続される側と表示領域の側とで変化するのに対し、 図 3では前記パター ン間隔が一定に維持される。
図 2および図 3のいずれの場合であっても、 前記 I TO配線パターン 11 cの 前記接続部 11 Cにおける長さは基板中央部と基板周辺部とで異なり、 基板周辺 部では基板中央部よりも長くなるのが避けられない。 これに伴レ、、 前記接続部 1 1 Cでは基板中央部と基板周辺部とで , I T O配線パターン 11 cの抵抗が異なり、 これに伴い、 発光強度も基板中央部と基板周辺部とで異なる可能性がある。
例えば、 ΙίίΙΒ走査ライン引出し部 11 aを構成する I TO酉纖パターン 11 c のシート抵抗を 1 0 Ω /口とした^、 前記 I TO配線パターン 1 1 cの酉 B /線抵 抗は、 酉 B/镍長を 5 mm、 酉纖幅を 50 μπιとすると l k Qとなり、 上記 1 OmA の駆動電流により、 I TO配線パターン 1 1 cに沿って 1 0 Vに達する電圧降下 が生じることがわかる。
このような電圧降下に加え、 図 2あるいは 3に示すような、 接続部 1 1 Cにお いて走査ライン 1 1 aのピッチが変ィ匕し、 このため基板中央部と周辺部とで走查 ライン 1 1 aを構成する I TO配線パターン 1 1 cの長さが異なるような構成に おいては、 基板中央の走査ライン 1 1 aにおいて配線抵抗が最小となり、 上下端 の走査ライン 1 1 aにおいて I TO配線パターン 1 1 cの配線抵抗が最大となる のが避けられない。 そこで例えば前記 I TO配線パターン 1 1 cとしてシート抵 抗が 1 0 Ω/口、 配線幅 1 0 mのものを使った場合、 前記 I TO配線パターン 1 1 cの長さの差が 1 0mmだと、 基板中央部の走查ライン 1 1 aと基板周辺部 の走査ライン 1 1 aとの間において駆動 βΙ こ 20Vに達する差が生じることが ゎカゝる。
すなわち、本発明の発明者による調査の結果、このような構成の表示装置では、
20Vの駆動電圧を印加しても点灯しない画素が、 ディスプレイ基板 1 1の周辺 部に生じることになるのが明らかとなった。
一般に、 I TOパターンの抵抗値を、 I TOパターン上に C rなどの低抵抗材 料を積層することで低減する技術は公知である。 しかしこのような方法では、 図 2, 3の接続部 1 1 Cにおけるような、 ディスプレイ基板上における I TO酉 パターンの長さの差に起因する抵抗変化を、 個々の I TO配線パターンに対応し て補償することはできない。
このような個々の I TO配線パターンの長さに起因する抵抗変化を捕償する方 法として、 I TO配線パターンの長さに対応してパターン幅を変化させることも 考えられる。 例えば 1 00本の走査ライン 1 1 aのうち、 中央の走查ライン 1 1 aの前記接続部 1 1。における I TO酉 ¾ ^パターン 1 1 cの配線長が 5 mm、 パ ターン幅が 20 μΐηで、基板上端あるいは下端における酉 Β 長が 1 Ommであつ た ^を考えると、 tin己中央の走查ライン 1 1 aから上端あるいは下端の走査ラ イン 1 1 aに向かって I TO酉碟パターン 1 1 cの幅を 0. 4 μπιきざみで 40 /z mまで増加させれば、前記接続部 1 1 Cにおける酉 B /镍長の差に起因する抵抗値 の変ィヒは補償することができる。
しかし、 実際の I T Oパターンのパターン幅精度は士 1 πι程度もあり、 抵抗 値のばらつきがノヽ。ターン幅 2 0 μ mの場合土 5 %、 4 0 μ mの場合で土 2 . 5 % となり、 このような工程を実際に行うのは困難である。 またこのようなパターン 幅を調整する方法は、 莫大な設計工数を必要とする。
本発明の一観点によれば、
基板と、
前記基板上に隣接して配列され、 第 1の方向に延在する複数の電極パターンよ りなる第 1の電極群と、
前記基板上に隣接して配列され、 前記第 1の方向とは異なる第 2の方向に延在 する複数の電極パターンよりなる第 2の電極群と、
各々、 前記第 1の電極群中の一つの電極パターンと前記第 2の電極群中の一つ の電極パターンの交点に対応して形成された、 複数の表示要素とよりなる表示装 置であって、
少なくとも前記第 1の電極群は、 各々一端において駆動回路に接続され前記一 端から他端までの長さが互 ヽに異なる複数の電極パターンを含み、
前記複数の電極パターンの各々は、第 1のシート抵抗を有する第 1の導電体と、 前記第 1のシート抵抗よりも小さい第 2のシート抵抗を有する第 2の導電体とを 含む積層構造を有し、
前記複数の電極パターンの各々には、 前記第 2の導電体を除去した高抵抗領域 が設けられており、
前記高抵抗領域の長さは、 前記複数の電極パターン毎に、 前記電極パターンの 長さに応じて異なる表示装置が提供される。
本発明によれば、 前記区間長が、 前記第 1の電極群を構成する個々の電極バタ ーンで異なり、 その結果、 前記第 1の電極群を構成する電極パターンの全長にわ たる抵抗値が電極パターン毎に変化するような場合でも、 前記第 2の導電体の長 さを前記区間長に応じて変化させることで、 このような抵抗値の変化を補償する ことが可能で、 表示装置にぉレ、て、 より一様な表示を実現することができる。 本発明のその他の課題および特徴は、 以下に図面を参照しながら行う本発明の 詳細な説明より明らかとなろう。 図面の簡単な説明
図 1は、 従来のパッシプマトリクス駆動型表示装置の概略的構成を示す図; 図 2および 3は、 本発明が解決する課題を示す図;
図 4は、 本発明の第 1実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 E L表示装 置の概略的構成を示す図、
図 5は、 図 4の有機 E L表示装置の一部を示す断面図、
図 6は、 図 4の有機 E L表示装置の接続部の詳細な構成を示す図;
図 7 A, 7 Bは、 図 4の有機 E L表示装置の接続部の断面構造を示す図; 図 8は、 本発明の第 2実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 E L表示装 置の概略的構成を示す図;
図 9は、 図 8の有機 E L表示装置の接続部の詳細な構成を示す図;
図 1 0 A, 1 0 Bは、 図 8の有機 E L表示装置の接続部の断面構造を示す図; 図 1 1は、 本発明による有機 E L表示装置の特性を示す図;
図 1 2は、 図 6の有機 E L表示装置の一変形例を示す図である。 発明を実施するための最良の態様
[第 1実施例]
図 4は、 本発明の第 1実施例によるパッシブ駆動型有機 E L表示装置 2 0の構 成を示す。
図 4を参照するに、 表示装置 2 0は全体としては図 1の表示装置 1 0と同様な 構成を有しており、 表示領域 2 1 Aを形成された表示基板 2 1を含み、 前記基板 2 1上には X方向および Y方向に多数の走査ライン 2 1 aおよびデータライン 2 1 bが延在している。
さらに前記基板 2 1上には前記走査ライン 2 1 aの一つを選択的に駆動する駆 動回路 2 2 Aと前記データライン 2 1 bの一つあるいは複数を選択的に駆動する 駆動回路 2 2 Bとが接続されている。 そこで前記駆動回路 2 2 Aにより一つの走査ライン 2 1 aを選択し、 駆動回路 2 2 Bにより一つあるいは複数のデータライン 2 1 bを選択することにより、 前 記選択された走査ライン 2 1 aとデータライン 2 1 bとの交点に対応する一また は複数の画素が同時に発光する。
図 5は、 図 4表示装置 2 0のデータライン 2 1 bに沿った断面図を示す。 図 5を参照するに、 前記データライン 2 1 bはガラス基板 2 1上に平行にパタ 一ユングされており、 陽極を構成する。 各々のデータライン 2 1 b上には正孔輸 送層 2 0 Aと発光層 2 0 Bと電子輸送層 2 0 Cとを積層した有機 E L素子 2 0 E 力 典型的にはマスクを使った蒸着法により、 繰り返し形成されており、 このよ うにして形成された有機 E L素子 2 0 Eは前記ガラス基板 2 1上においてマトリ タス状に配列される。
このようにマトリクス状に配列した有機 E L素子 2 0 Eの間の空間は絶縁膜 (図示せず) により充填され、 さらに前記有機 E L素子 2 0 Eのうち、 X方向に 整列した一群の有機 E L素子を結ぶように、 A 1などよりなる陰極 2 O Dが形成 される。 前記陰極 2 O Dは、 図 4の構成における走查ライン 2 1 aを構成する。 図 6は、 図 1, 2の接続部 1 1 Cに対応する、 前記走査ライン 2 1 aと駆動回 路 2 2 Aとの接続部 2 1 Cの構成を詳細に示す。
図 6を参照するに、 前記接続部 2 1 Cにおいては前記表示領域 2 1 Aを延在す る走査ライン 2 1 aの繰り返し間隔が、 前記駆動回路 2 2 Aを構成する集積回路 チップの端子間隔に合わせて縮小されており、 これに伴って前記表示領域 2 1 A 中を平行に延在していた走查ライン 2 1 aの端部から延在する配線パターン 2 1 cが前記接 2 1 Cにおいて屈曲されている。 なお、 以下に説明するように、 前記配線パターン 2 1 cは、 I T Oパターン 2 1 a iと、 前記 I T Oパターン 2 1 a 1上に形成された低抵抗の C rパターン 2 1 a 2との積層により構成されてい る。
より具体的に説明すると、 前記接続部 2 1 Cは、 前記走査ライン 2 1 aの端部 力 ら延在する配線パターン 2 1 cが前記表示領域 2 1 Aにおける延在方向 (X方 向) に対して斜めに延在する区間 Aと、 前記配線パターン 2 1 cが前記区間 Aの 先で再び前記 X方向に延在し、 前記駆動回路 2 2 Aとの接続のための端子部 2 1 Tに連続する区間 Bとより構成されており、 区間 A, Bのいずれにおいても、 異 なった走査ライン 2 1 aに対応する酉锒パターン 2 1 cは、 互いに平行に延在し ている。
図 6において、 前記区間 Aは、 tiff己複数の配線パターン 2 1 cのうち、 中央部 の最も酉 B;镍長の短いパターンにおける長さがゼロとなり、 最も外側で最も ¾镍長 の長いパターンにおける長さが最大(L a max) となるように定義されており、 ま た前記区間 Bは、前記複数の I T O配線パターン 2 1 cのうち、 中央部の最も酉己 線長の短いパターンにおける長さが最大 (L b max) となり、 最も外側で最も配 線長の長い配線パターンにおける長さがゼロになるように定義されている。
力かる構成の結果、 前記区間 Aにおける配線長は、 最も外側の I T O配線パタ ーン 2 1 cから中央部の最も短い配線パターン 2 1 cに向かって直線的に減少し、 また区間 Bにおける配線長は、 最も外側の配線パターン 2 1 cから中央部の最も 短い配線パターン 2 1 cに向かって直線的に増加する。
本実施例にぉ 、ては、前記区間 Bを第 1の区間 B 1および第 2の区間 B 2にさら に分割し、 図 7 A, 7 Bに示すように前記第 2の区間 B2において前記低抵抗 C r膜 2 1 a 2を選択的に除去することで区間 Biにおける配線パターン 2 1 c中の C rパターン 2 1 a 2の長さをトリミングし、 配線パターン 2 1 cの抵抗値を一 定値に合わせている。 ただし図 7 Aは前記区間 B iにおける配線パターン 2 1 c の断面を、 図 7 Bは前記区間 B 2における酉锒パターン 2 1 cの断面を示してい る。
このように、本発明では前記区間 B2において低抵抗 C r膜 2 1 a 2を選択的に 除去することにより、前記区間 B2に等価的な抵抗要素を挿入している。その際、 本実施例にぉレヽては前記抵抗要素の抵抗値を、 図 7 A, 7 Bに示すようにパター ン 2 1 aの幅 W aを調整するのではなく、 前記区間 B2の長さを調整することに より、 精度よく設定することができる。
以下、 このようなトリミングの具体的な手順を説明する。
図 6を再び参照するに、 先にも述べたように前記走査ライン 2 1 aを構成する 電極群の中央部では、 区間 Aの長さ L a (mm) はゼロである。 そこで、 前記配 線群の最も外側での tfif己 IH/線パターンの長さ L aを L a max (mm) とすると、 配線群の中央部と最外部との間で、酉镍パターンの長さ L a (Lak) は ϊ£/镍的に 変化し、 k番目の配線長 Lakは
Figure imgf000010_0001
および
Figure imgf000010_0002
で与えられる。
—方、区間 Bの長さ Lb (mm)も同様に歸的に変ィ匕し、酉纖群中央で最大、 配線群の最外端部でゼロとなる。 そこで配線群中央での Lb を Lbmaxとすると、 k番目の酉己線長 L は
2L
Lh = -k,
n 2,
および
T 2 max, τ n
Lbk = k-La, ― <k≤n で与えられる。
なお、 図 6の構成において、 前記 C r膜 21 bを設ける部分は、 端子部 21 T に C r膜などの低抵抗補助配線を設けることによって生じる機械的強度の低下を 避けるため、前記区間 とし、前記 C r膜 21 bは前記区間 Aから連続して延在 するように形成するのが好ましい。
先にも説明したように、区間 Bは図 7 Aに対応した I TO膜 21 aiと C r膜 2 1 a2が積層した区間 と、 図 7 Bに対応した I TO膜 21 aiのみの区間 B2よ り構成され、 前記走査ライン 21 a各々の延在部の長さを、 前記区間 におい て Lbik (mm) 、 前記区間 B 2において L b 2k (mm) とする。
前記 I TO膜 21 aiのシート抵抗を Rito (Ω/D) 、 。]:膜21 &2のシート 抵抗を Raux (Ω/D) とし、 前記区間 Aにおける線幅を W a (mm) 、 区間 Bの 線幅を Wb (mm) とすると、前記区間 Aおよび Bでの配線抵抗 Rak、 Rbkは、 „ Rito · Raux La
Ra
Rito + Raux Wa
„, Rito , Raux r71 m ヽ
Rbk =—-( Lblk +Lb2k)
Wo Rito + Raux
で与えられる。
そこで、 k番目の走査ライン 21 aに対応した接続部 21 Cの酉 3 /糠抵抗 Rkは Rk=R ak+Rbk
で与えられる。
次に、上記をもとに、 C r膜 21 a2を補助配線パターンとして使った配線抵抗 の均一ィ匕 (トリミング) を検 t る。
このような配線の抵抗均一ィヒは、上式で Rkが、 kにかかわらず常に一定となる Lb lk, Lb 2kを求める問題に帰着する。
ここで簡単のため 0≤k^n/2の範囲で考えると、 k = nZ2の、 すなわち 配線群中央部のパターンの Lb 2k、 すなわち L b2 (n/2) は、
L b lk+Lb 2k=Lb max
の関係より、 '
T L Raux - Rauxヽ T Raux TJ
Lbム nl、二 1 + · Z max · Lba
Rito + Raux Rito J Rito
と表される。 ただし、 ここでは以下の導出を行っている。
k = n/2のとき、 関係
Rito [ Raux
R ' = \Lb +Lb2h
Rito + Raux )
が成立する。 ここで、 ^,c2= Rawc とおく
Wb Rito + Raux
関係式
Rbk =Cl(C2 Lblk +Lb2k),
Lb2k Lblk = Lb - Lblk
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000012_0001
が得られる。
全てのパターンで抵抗が等しい条件が課せられるため、 トリミング後において は 0番目の Rak, すなわち Ra(0)と n/2番目の Rbkすなわち Rb(n/2)は等しく なければならない。 すなわち、 関係式
Figure imgf000012_0002
が成立し、 このことから、 関係式
01· Rito La max C2 C2*Rito La,
Lblk
CI Wa C2-1 CI Wa
Ra x Wb Raux Raux
1+ La Lbma
Rito + Raux Wa V Rito Rito が得られる。
ところで、 k = 0の場合、配線群最外端部の L b 2k、 すなわち L b 2ひ)は 0と なり、 L b 2 kは 0から L b 2(n/¾まで直線的に変化する。 したがって、 トリミン グ後における k番目の配線長 L b 2 kは、
2Lb2 (n/2)
Lb2 k, 0≤k≤
n 2
および
Lb2k = <k≤n)
Figure imgf000012_0003
と求められる。
このように、 本実施例においては前記接続部 21 Cにおいて走査ライン 2 1 a から延在する配線群のうち、 中央部に酉 B/镍パターンの配線長を求めることで、 容 易に抵抗値のトリミングを行うことができる。
このような抵抗値のトリミングを行う場合、 前記区間 B 2における前記配線パ ターンのフォトマスクを、 上式より求められた酉 B /锒パターンデータに則って作成 すればよく、 特別な工数は必要としない。
例えば、 上記ハ0ラメータが L amax= 1 Omm, L bmax= 5mm, Wa = 20 m、 Wb = 20 /im, Rito- 10 Ω/D,
Figure imgf000013_0001
2 Ω/Π, n= 100である 場合、 上式より、 区間 Bにおける中央部 (nZ2番目) の配線長 Lb l(n/2), Lb 2 (n/2)は、 Lb l(n/2) = 4 mm、 L b 2 (n/2) = 1 mm、 また Ritoと Rau の合成シ 一ト抵抗は、 1. 6 7 Ω /口となるので、 前記区間 Bの酉 fl /線抵抗は、 R b 1 (n/2) =1. 67 X 4 000/20 = 3 3 4 Ω、 Rb 2(n¾= 10 X 1000/20 = 5 00Ωとなる。
次に、 本実施例において土 1 μπαのパターニング誤差が生じた時の抵抗のばら つきを評価する。
上で求めた L b 1 (n/2), L b 2 (n/2)の値に対し、前記区間 B iにおいて C r膜 21 a 2が 1 im短くパターニングされていて、 Lb l(n/2) = 3. 999 mm, Lb 2 (n/2)= 1. 001 mmである場合 R b 1 (n/2)= 1. 67 X 3999/20 = 333. 9 2 Q,Rb
Figure imgf000013_0002
5 0 0. 5 Ωとなり、 抵抗値の変ィ匕 は、 一0. 05%となる。 同様に、 前記区間 において前記 C r膜 21 a 2より なる補助配線が 1 μ m長くパターエングされ、 L b 1 (n/¾ =4001 mm、 L b 2 (n/2) = 0. 999 mmである場合、 抵抗値の変化は + 0. 05 %となる。 このように、 本発明によれば、 配線幅を調整することで抵翻整に比べ、 2桁 の精度向上が達成できる。
[第 2実施例]
図 8は、 本発明の第 2実施例による有機 EL表示装置 40の概略的構成を、 図 9は前記表示装置 40の走査電極に沿った断面図を示す。 ただし図中、 先に説明 した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、 説明を省略する。
図 8を参照するに、 表示装置 40も図 4の表示装置 20と同様なパッシブ駆動 型の表示装置であるが、 l己駆動回路 22 Aと前記走査ライン 21 aとを接続す るのに、 図 6の接続部 21 Cの代わりに図 9に示す接続部 41 Cを使う。
図 9を参照するに、 前記接続部 41 Cは平面図上では図 6の接続部 21 Cと略 同様な構成を有するが、 tin己走查ライン 2 1 cの延在部より構成される配線パタ ーン 2 1 cの代わりに、 tilf己走査ライン 2 1 aの端部に接続され、 前記駆動回路 2 2 Aの端子に対応して形成された端子部 4 1 Tに収斂する酉 パターン 4 1 c を含んでいる。
前記酉 5;镍パターン 4 1 cは前記酉镍パターン 2 1 cと同様に、 その延在方向に 沿って区間 Aと区間 Bに分けられ、 区間 Aの区間長 L a kは、 最外部の走査ライ ン 4 1 aに対応する配線パターン 4 1 cで最大となり、 中央部の走查ライン 4 1 aに対応する配線パターン 4 1 cでゼロとなる。
また前記区間 Bは区間 B と B 2とに分けられ、 区間 B では配線パターン 4 1 cは図 1 2 Aに示すように走査ライン 4 1 aと同様な I TO膜 4 1 a iと銀合金 膜 4 1 a 2の積層構造を有するのに対し、前記区間 B 2では配線パターン 4 1 cは 図 1 2 Bに示すように I T O膜 4 1 a のみより構成されている。 この区間 B 2の I T Oパターン 4 1 a 1がさらに延在して、 駆動回路 2 2 Aの電極と圧着される 前記端子部 4 1 Tを構成している。
本実施例でも、 先の実施例と同様に、 前記配線パターン 4 1 cの前記区間 B 1 における区間長 L bkをトリミングすることにより、 前記接続部 4 1 C において 走查ライン 4 1 a相互に生じる抵抗値の差を除去している。
前記銀合金としては銀とパラジウムあるいは銅の合金が使われ、 これにより C rよりもさらに低いシート抵抗を実現することができる。 一方、 銀合金は C rよ りもエレクトロマイクレーシヨンあるいは酸化による特性の劣化を生じやすいた め、図 1 2 Aに示すように前記区間 B 1において前記銀合金膜 4 1 a 2は前記 I T O膜 4 1 a iの下層に、前記ガラス基板 2 1と I TO膜 4 1 a iとにより保護され るように形成されている。
以下、 図 1 1の接続部 1 1 Cにおけるトリミングについて詳細に説明する。 先にも述べたように中央部の走査ライン 4 1 aに対応する酉繊パターン 4 1 c では、 前記区間 Aにおける配線長 L aはゼロとなるのに対し、 この配線長 L aは 外側の走査ライン 4 1 aでは前記中央部からの距離に比例して直線的に増大する。 そこで最外端の配線パターン 4 1 cの長さを L a max (mm)とすると、中央(k = 0 ) から k番目の酉職パターン 4 1 cの嫌己区間 Aにおける配線長 L a kは、 0≤k≤ -
2 および
Figure imgf000015_0001
と表される。
—方、 前記区間 Bにおける前記酉 3;镍パターン 4 1 cの長さ Lb (mm) も同様 に基板中央部から外側に向かって 線的に変化し、 中央の走査ライン 4 1 aに対 応する配線パターン 4 1 cで最大、 最外端でゼロになる。 そこで前記中央部にお ける区間長 L bを L b maxとすると、 中央部から k番目の配線長 L b kは、
Figure imgf000015_0002
および
Lbk = ^^≡L]c + 2Lbrr <k≤n
2 と表される。
ここで前記 I TO膜 4 1 aiのシート抵抗を Rito (Q/Π), 銀合金膜 4 1 a2 のシート抵抗を Raux(Q /口)とし、区間 Aにおける前記 I TO膜 4 1 aiの幅、 従って配線パターン 4 1 cの幅を Wa, また区間 Aにおける銀合金膜 4 1 a2の 幅を Wa '、 区間 Bにおける前記 I TO膜 4 1 aiの幅、 従って配線パターン 4 1 cの幅を Wb, また区間 Bにおける銀合金膜 4 1 a2の幅を Wb 'とすると、 区間 Aおよび Bの配線抵抗 R a k Rbkは、 それぞれ
O Rito Lak
Wa' „ Wa
R ito
Wa
Figure imgf000015_0003
と表され、前記接続部 4 I Tにおける k番目の B/镍パターン 41 cの抵抗 Rkは、 Rk=R ak+Rbk
と表される。 ここで Lblk, Lb2kは、 前記配線パターン 41 cの前記区間 Bi および B2における配線長を表す。
次に、 前記配線長 Lb lk, L b 2kのトリミングについて説明する。
先の実施例の場合と同様、 トリミングの目的は。 前記抵抗 Rkを全てのパター ンで同一値に設定することである。 以下では簡単のため、 0≤k≤nZ2の場合 を取り扱う。
k = n/2の場合、 すなわち中央部の配線パターン 41 cを考えると、 その長 さ L b 2k、 すなわち L b 2(n/2)は、 関係 L lk+ L b2k= L maxより、
Figure imgf000016_0001
と表される。
k = n 2の場合、 上記関係
Figure imgf000016_0002
において
Figure imgf000016_0003
Raux
C2'.
Wb とおくと、 以下の表現が得られる。
R b = CI ( 62 · L Mk+ L 2k) = Lb -Lblk
Figure imgf000016_0004
Rb, (nil) Rb, («/2) C2 (Rb, (n/2)
Lb2k = ■C2»Lbh =■ 一 Lb„
CI CI C2-1 CI
.で
C3 = -
Wd
R ■ito
Wa とおくと、 抵抗 Rakは、 -2 S
Figure imgf000017_0001
と表されるが、 トリミング後においては全ての配線パターン 41 cで抵抗が等し いとの条件から、 0番目の Rak, すなわち R a(o)と n/2番目の Rbk、 すなわ ち R b (n/2)は等しくなければならなレ、。
すなわち、
La„
Rb(n/2) =Ram =C3- 、R"
Wa
が成立することになるが、 これから
Lb2^C3.Rit^Laa C2 fC3»R ■ito La„
■Lb„
CI Wa C2-1 CI Wa
Wb Wb Wb
1+ ' max
Wa' 一 、Lb„
Wa Rit0 wv
Wa となり、 上記関係が得られる。
一方、 k = 0の場合、 すなわち最外端の酉 B/镍パターン 41 cを考えると、 長さ Lb2k (= L b 2(0)) はゼロとなり、 Lb 2kは、 ゼロから L b 2(n/2)まで 镍的に変 化する。
従って、 トリミング後における k番目の酉 Βϋ長は、
Figure imgf000017_0002
および Lb2k = ^Lk + 2Lb2n y く k≤n
n 2
と求められる。
ここで上式のノ ラメータを、 L a max= 10 mm, L max= 5 mm, Wa = 20 μπι、 Wb = 20 tm、 Wa '= 1 5 μπι、 Wb'= 1 5 μπι、 Rito= 10 Ω /口、 Rmax= 0. 2 Ω/Π, n = 100として、 前記酉 B/镍長は、
L b 1
Figure imgf000018_0001
1 33 (mm) と求められる。 さらに Ritoと Rauxの合成シート抵抗は、 0. 196 Ω Z口となるので、 前記区 間 Bにおける配線パターン 41 cの配線抵抗は、
R b 0. 260 X4897/20 = 63. 21 Ω、
R 2(n/2)= 10 X 133/20 = 66. 5 Ω、
と求められる。
次に、 本実施例におけるトリミングに対するパターニング誤差の影響を評価す る。
上記最適配線.長 L b 1/2), L b l(n/2)において一 1 μ mのパターユング誤差が生 じた場合を考えると、 L b
Figure imgf000018_0002
1. 001 (m m) となるが、 この場合、
R b 0. 260 X4866/20 = 63. 26 Ω、
R b
Figure imgf000018_0003
1 0 X 134/20 = 67 Ω、
となり、 一 0. 5%の抵抗変化が生じると予想される。
同様に上記最適配線長 L b l(n/2), L b l(n/2)において + 1 μ mのパターニング誤 差が生じた場合を考えると、 L b
Figure imgf000018_0004
0. 99
9 (mm) となるが、この場合には +0. 5%の抵抗変化が生じると予想される。 このように本実施例によるトリミングにおいても、 パターン幅を調節してトリ ミングを行った に比べ、 10倍以上のトリミング精度を確保することが可能 になる。
図 1 1は、 前記実施例 1および 2によるトリミングを行った場合の、 走査ライ ン 21 aあるいは 41 a全体の配線抵抗およびこれに伴う電圧降下、 さらに Ιίίϊ己 配線抵抗の最大値と最小値の差 Δ R、 および前記 Δ Rに伴って生じる mj£降下の 最大値と最小値の差 Δ Vを、比較例 1および 2と共に示す。ただし比較例 1では、 C r膜あるいは銀合金などの補助 線は設けておらず、 抵抗値のトリミングは配 線パターン 1 1 cの幅を調整することにより行っている。 また比較例 2では C r 膜を補助配線として設けているが、 抵抗値のトリミングは、 酉線パターン 2 1 c の幅を調整することにより行っている。 これに対し、 実験例 1は先に説明した実 施例 1に対応し、 トリミングを図 6の区間 における捕助配線、 すなわち C r パターン 2 1 a 2の配線長の調整により行っている。 また実験例 2は先に説明し た実施例 2に対応し、 トリミングを図 1 1の区間 B 1における補助配線、 すなわ ち A g合金パターン 4 1 a 2の酉锒長の調整により行っている。
図 1 1を参照するに、 比較例の場合、 抵抗値の変動 Δ Rは 7 5 0 Ωあるいは 1 2 5 . 1 Ωに達し、これに対応して電圧降下の差 A Vdropも 1 O mAの駆動電流 が流れた場合、 7 . 5 Vあるいは 1 . 2 5 Vに達する。 これに対し、本発明では、 接続部 2 1 Cあるいは 4 1 Cにおける配線長差に起因する配線パターン 2 1 cあ るいは 4 1 cの抵抗値の変動 Δ が、 実験例 1の場合 8 3 . 4 Ωまで、 また実験 例 2の場合には 1 5 . 1 Ωまで低減され、 これに伴い、電圧降下の差 Δ Vdropも 実験例 1の場合 0. 8 3 Vまで、 実験例 2の場合には 0. 1 5 Vまで減少してい るのがわかる。
なお、 以上の説明では、前記区間 Biと B2とで、 酉 長 L b lkと配線長 L b 2k とが番号 kと共に直線的に変化する場合を考察したが、 本発明のように配線長で トリミングする場合には、 図 1 1からもわかるように多少のパターニング誤差が 生じても抵抗値の変動には余り影響しないため、 例えば図 1 2に示すように、 区 間 B 1での配線長 L b lkおよび区間 B 2での酉 B /線長 L b 2kを、 階段状に、 あるい は円弧状に変ィ匕させることも可能である。 ただし図 1 2中、 先に説明した部分に は同一の参照符号を付し、 説明を省略する。
なお、 図 6あるいは 1 1の接続部 1 1 Cあるいは 2 1 Cは、 必要に応じてデー タ電極 2 1 bと駆動回路 2 2 Bの接続部にも設けることができる。
さらに本発明は、 有機 E L表示装置のみならず、 パッシブマトリクス駆動され る他の電流駆動型表示装置、例えばプラズマ表示装置(P D P)、 L E Dアレイ表 示装置、 あるいは光源などにも適用可能である。 さらに、 本発明は電流駆動型表示装置のみならず、 パッシブマトリクス駆動型 あるいはアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置にも適用可能である。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 表示装置の表示領域を延在する駆動電極を収斂させて駆動回 路に接続する接続部において、 補助電極の長さをかかる接続部における配線バタ ーンの長さに応じて変化させることにより、 接続部において異なった酉 B¾パター ン間で生じる抵抗差、 従って電圧降下量の差を、 配線パターンの位置にかかわら ず一定に設定することが可能で、 表示装置の均一な駆動が可能になる。

Claims

請求の範囲
1. 基板と、
t!na基板上に隣接して配列され、 第 1の方向に延在する複数の電極パターンよ りなる第 1の電極群と、
前記基板上に隣接して配列され、 前記第 1の方向とは異なる第 2の方向に延在 する複数の電極パターンよりなる第 2の電極群と、
各々、 前記第 1の電極群中の一つの電極パターンと前記第 2の電極群中の一つ の電極パターンの交点に対応して形成された、 複数の表示要素とよりなる表示装 置であって、
少なくとも前記第 1の電極群は、 各々一端において駆動回路に接続され tfft己一 端から他端までの長さが互いに異なる複数の電極パターンを含み、
廳己複数の電極パターンの各々は、第 1のシート抵抗を有する第 1の導電体と、 前記第 1のシート抵抗よりも小さい第 2のシート抵抗を有する第 2の導電体とを 含む積層構造を有し、
前記複数の電極パターンの各々には、 前記第 2の導電体を除去した高抵抗領域 が設けられており、
前記高抵抗領域の長さは、 前記複数の電極パターン毎に、 前記電極パターンの 長さに応じて異なることを特徴とする表示装置。
2. 前記複数の電極パターンにおいて、 前記高抵抗領域の長さは、 電極パタ ーンの長さと共に減少することを特徴とする請求項 1記載の表示装置。
3. 前記複数の電極パターンは、 前記一端から他端まで、 実質的に同一の抵 抗値を有することを特徴とする請求項 1記載の表示装置。
4. 前記基板上には、 前記複数の電極パターンが第 1の間隔で平行に延在す る表示領域と、 前記第 1の端部が、 前記表示領域中の前記複数の電極パターンに それぞれ対応して、 第 2の、 より小さな間隔で配列する端子領域と、 前記表示領 域中の前記複数の電極パターンの各々が、 対応する第 1の端部に接続される接続 部とが含まれており、 前記端子領域においては ΙΐίΐΞ第 2の導電体が除去されてお り、 前記高抵抗領域は、 前記接続領域中に、 前記端子領域に連続するように形成 されていることを特徴とする請求項 1記載の表示装置。
5. 前記表示領域において前記第 1の電極群を構成する前記複数の電極パタ ーンは前記第 2の方向に繰り返し形成されており、 前記複数の電極パターンのう ち、 中央の電極パターンの長さが最短であり、 前記電極パターンの長さは、 ia 中央の電極パターンから両外側方向に、 対称的に増大することを特徴とする請求 項 4記載の表示装置。
6. 前記接続領域において、 前記複数の電極パターンは平行関係を維持しな がら延在することを特徴とする請求項 5記載の表示装置。
7. 前記高抵抗領域は、前記中央の電極パターンにおいて最大の長さを有し、 前記高抵抗領域の長さは、 前記中央の電極パターンから両外側方向に、 対称的に 減少することを特徴とする請求項 5記載の表示装置。
8. 前記高抵抗領域の長さは、 前記中央の電極パターンから両外側方向に、 前記中央の電極パターンからの距離に応じて直線的に減少することを特徴とする 請求項 7記載の表示装置。
9. 前記高抵抗領域の長さは、 前記中央の電極パターンから両外側方向に、 前記中央の電極パターンからの距離に応じて階段状に減少することを特徴とする 請求項 7記載の表示装置。
1 0 . 前記第 1の導電体は透明酸化物電極材料よりなり、 前記第 2の導電体 は金属材料よりなることを特徴とする請求項 1記載の表示装置。
1 1 . 觸己第 2の導電体は、 前記第 1の導電体上に積層されていることを特 徴とする請求項 1記載の表示装置。
1 2. 前記第 2の導電体は、 前記第 1の導電体中に埋設されていることを特 徴とする請求項 1記載の表示装置。
1 3 . 前記第 2の電極群中の電極パターンは、 別の駆動回路に接続され、 前 記第 1の電極群中の電極パターンは、前記第 2の電極群中の電極パターンと共に、 前記交点に形成された表示要素中を流れる駆動電流の電流路を形成することを特 徴とする請求項 1記載の表示装置。
1 4. ttlf己表示要素は有機 E L表示装置であることを特徴とする請求項 1記 載の表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017072943A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 配線基板及び表示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287842A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Ricoh Co Ltd 半導体装置
JP5471317B2 (ja) * 2009-11-05 2014-04-16 日本精機株式会社 有機elパネル
JP2011204528A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Canon Inc 発光装置
JP5384464B2 (ja) * 2010-11-01 2014-01-08 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN102881834A (zh) * 2011-07-14 2013-01-16 昆山维信诺显示技术有限公司 一种显示装置的显示面板
JP5723007B2 (ja) * 2011-07-20 2015-05-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
CN104809976B (zh) * 2015-05-21 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN105047152A (zh) * 2015-08-05 2015-11-11 昆山龙腾光电有限公司 显示模组
KR102409060B1 (ko) * 2015-09-11 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102427303B1 (ko) * 2018-09-10 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN109686712B (zh) * 2018-12-26 2020-10-16 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113282973B (zh) * 2020-02-19 2024-06-18 中强光电股份有限公司 显示装置与屏幕防窥装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0267522A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Jeco Co Ltd 電子装置
JPH02281237A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Fujitsu Ltd 表示装置の電極構造
JPH04184318A (ja) * 1990-11-19 1992-07-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル
JPH07152043A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル及び該パネルへの実装方法
JPH08160444A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Nippon Soken Inc 液晶表示装置
JPH09102395A (ja) * 1995-10-06 1997-04-15 Sony Corp 光学的素子
JPH10339880A (ja) * 1997-06-09 1998-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2001118847A (ja) * 1999-08-06 2001-04-27 Sharp Corp 配線構造および基板の製造方法ならびに液晶表示装置およびその製造方法
JP2003077685A (ja) * 2001-08-21 2003-03-14 Lg Electronics Inc 有機el素子のパネルとその製造方法
JP2003222899A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP2003295782A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Rohm Co Ltd フラットパネルディスプレイ、およびこれを備えた携帯型端末機

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172732B1 (en) * 1995-06-16 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device suited to narrow frame
US6184962B1 (en) * 1997-03-05 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with visible peripheral non-display region having masking sub-electrodes
JP2000082588A (ja) * 1997-09-22 2000-03-21 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
JP2002040486A (ja) * 2000-05-19 2002-02-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法および電子機器
JP2002080828A (ja) * 2000-09-11 2002-03-22 Toshiba Corp 帯電防止用分散液と帯電防止膜および画像表示装置
US7088323B2 (en) * 2000-12-21 2006-08-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US20030197475A1 (en) * 2002-04-04 2003-10-23 Makoto Takamura Flat-panel display, manufacturing method thereof, and portable terminal
KR100504472B1 (ko) * 2002-09-05 2005-08-04 엘지전자 주식회사 유기 el 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0267522A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Jeco Co Ltd 電子装置
JPH02281237A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Fujitsu Ltd 表示装置の電極構造
JPH04184318A (ja) * 1990-11-19 1992-07-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル
JPH07152043A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル及び該パネルへの実装方法
JPH08160444A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Nippon Soken Inc 液晶表示装置
JPH09102395A (ja) * 1995-10-06 1997-04-15 Sony Corp 光学的素子
JPH10339880A (ja) * 1997-06-09 1998-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2001118847A (ja) * 1999-08-06 2001-04-27 Sharp Corp 配線構造および基板の製造方法ならびに液晶表示装置およびその製造方法
JP2003077685A (ja) * 2001-08-21 2003-03-14 Lg Electronics Inc 有機el素子のパネルとその製造方法
JP2003222899A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP2003295782A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Rohm Co Ltd フラットパネルディスプレイ、およびこれを備えた携帯型端末機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017072943A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 配線基板及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100541562C (zh) 2009-09-16
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CN1973312A (zh) 2007-05-30
JPWO2005098801A1 (ja) 2008-02-28
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