WO2005098801A1

WO2005098801A1 - 表示装置

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Publication number: WO2005098801A1
Application number: PCT/JP2005/004471
Authority: WO
Inventors: Atsuo Ishizuka; Yoshiaki Sakamoto; Hisashi Yamaguchi
Original assignee: Fuji Photo Film Co., Ltd.
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2005-03-14
Publication date: 2005-10-20
Also published as: CN100541562C; WO2005101352A1; KR20060130265A; CN1973312A; JPWO2005098801A1; TW200533249A; TWI232707B; JP4382089B2; US20070290603A1

Abstract

　表示装置は、基板と、前記基板上に隣接して配列され、第１の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第１の電極群と、前記基板上に隣接して配列され、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第２の電極群と、各々、前記第１の電極群中の一つの電極パターンと前記第２の電極群中の一つの電極パターンの交点に対応して形成された、複数の表示要素とよりなり、少なくとも前記第１の電極群は、各々一端において駆動回路に接続され前記一端から他端までの長さが互いに異なる複数の電極パターンを含み、前記複数の電極パターンの各々は、第１のシート抵抗を有する第１の導電体と、前記第１のシート抵抗よりも小さい第２のシート抵抗を有する第２の導電体とを含む積層構造を有し、前記複数の電極パターンの各々には、前記第２の導電体を除去した高抵抗領域が設けられており、前記高抵抗領域の長さは、前記複数の電極パターン毎に、前記電極パターンの長さに応じて異なる。

Description

明細書

表示装置

技術分野

[0001] 本発明は一般に表示装置に係り、特に電流駆動型の発光素子を用いた表示装置に関する。

背景技術

[0002] 従来の表示装置は、主に液晶表示装置により構成されているが、最近ではプラズマ表示装置により構成された表示装置が使われ始めている。さらに、有機 EL表示装置により表示装置を構成することも行われて、る。

[0003] このような表示装置を安価に提供するには、ノッシブマトリクス型の駆動構成を使うのが好ましい。ノッシブマトリクス駆動構成を使うことにより、アクティブマトリクス駆動構成で必要な薄膜トランジスタを省略することができる。

[0004] 図 1は、このようなパッシブマトリクス駆動構成の表示装置 10の概略的構成を示す。

[0005] 図 1を参照するに、表示装置 10は表示領域 11Aを形成された表示基板 11を含み

、前記基板 11上には X方向および Y方向に多数の走査ライン 1 laおよびデータライン 1 lbがそれぞれ延在して、る。

[0006] さらに前記基板 11には前記走査ライン 11aの一つを選択的に駆動する駆動回路 1

2Aと前記データライン l ibの一つあるいは複数を選択的に駆動する駆動回路 12Bとが接続されている。

[0007] そこで前記駆動回路 12Aにより一つの走査ライン 11aを選択し、駆動回路 12Bにより一つあるいは複数のデータライン l ibを選択することにより、前記選択された走査ライン 11aとデータライン l ibとの交点に対応する一または複数の画素が同時に発光する。

[0008] 一般に前記駆動回路 12A, 12Bは集積回路チップの形に形成されており、前記表示基板 11との間は、表示装置の小型化のため、配線パターンが印刷されたフレキシブル基板により接続されるのが一般的である。このような実装形態は、チップ 'オン'フイルム (COF)として知られている。特に COF実装技術により駆動回路を実装する場合には、フレキシブル基板の圧着に適した ITO (In O - SnO )パターンが使われるこ

2 3 2

とが多い。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0009] 本発明の発明者は、特に有機 EL素子やプラズマ表示装置など、電流駆動型の表示装置を駆動する際に、駆動回路を走査ラインあるいはデータラインに接続する配線パターンの長さがラインごとに異なると、駆動が不均一になる問題が生じるのを発した。

[0010] 図 2, 3は、図 1の表示装置 10の駆動回路 12Aと走査ライン 11aとの接続部 11Cの構成を示す。

[0011] 図 2, 3を参照するに、前記接続部 11Cは AUりなる走査ライン 11aに接続される IT O配線パターン 1 lcより構成されて、るが、前記 ITO配線パターン 1 lcのピッチが前記駆動回路 12Aと接続される側では、前記表示領域 11Aに比べ、駆動回路の電極ピッチに対応して縮小されているのがわかる。なお図 2では前記接続部 11Cにおいて前記 ITO配線パターン 11cは直線的に延在し、その結果、前記 ITO配線パターン 11cのノターン間隔が駆動回路 12Aと接続される側と表示領域の側とで変化するのに対し、図 3では前記パターン間隔が一定に維持される。

[0012] 図 2および図 3のいずれの場合であっても、前記 ITO配線パターン 11cの前記接続部 11Cにおける長さは基板中央部と基板周辺部とで異なり、基板周辺部では基板中央部よりも長くなるのが避けられない。これに伴い、前記接続部 11Cでは基板中央部と基板周辺部とで ITO配線パターン 11cの抵抗が異なり、これに伴い、発光強度も基板中央部と基板周辺部とで異なる可能性がある。

[0013] 例えば、前記走査ライン引出し部 11aを構成する ITO配線パターン 11cのシート抵抗を 10 Ω /口とした場合、前記 ITO配線パターン 11cの配線抵抗は、配線長を 5m m、配線幅を 50 mとすると lk Ωとなり、上記 10mAの駆動電流により、 ITO配線パターン 11cに沿って 10Vに達する電圧降下が生じることがわかる。

[0014] このような電圧降下に加え、図 2あるいは 3に示すような、接続部 11Cにおいて ITO 配線パターン 11cのピッチが変化し、このため基板中央部と周辺部とで走査ライン 11 aを構成する ITO配線パターン l ieの長さが異なるような構成においては、基板中央の走査ライン 1 laにお、て配線抵抗が最小となり、上下端の走査ライン 1 laにお、て ITO配線パターン 11cの配線抵抗が最大となるのが避けられない。そこで例えば前記 ITO配線パターン 11cとしてシート抵抗が 10 Ω /口、配線幅 10 μ mのものを使つた場合、前記 ITO配線パターン 11cの長さの差が 10mmだと、基板中央部の走査ライン 11aと基板周辺部の走査ライン 11aとの間において駆動電圧に 20Vに達する差が生じることがわかる。

[0015] すなわち、本発明の発明者による調査の結果、このような構成の表示装置では、 20 Vの駆動電圧を印加しても点灯しな、画素が、ディスプレイ基板 11の周辺部に生じることになるのが明ら力となった。

[0016] 一般に、 ITOパターンの抵抗値を、 ITOパターン上に Crなどの低抵抗材料を積層することで低減する技術は公知である。しカゝしこのような方法では、図 2, 3の接続部 1 1Cにおけるような、ディスプレイ基板上における ITO配線パターンの長さの差に起因する抵抗変化を、個々の ITO配線パターンに対応して補償することはできない。

[0017] このような個々の ITO配線パターンの長さに起因する抵抗変化を補償する方法として、 ITO配線パターンの長さに対応してパターン幅を変化させることも考えられる。例えば 100本の走査ライン 11aのうち、中央の走査ライン 11aの前記接続部 11Cにおける ITO配線パターン 11cの配線長が 5mm、パターン幅が 20 μ mで、基板上端あるいは下端における配線長が 10mmであった場合を考えると、前記中央の走査ライン 1 laから上端あるいは下端の走査ライン 1 laに向かって ITO配線パターン 1 lcの幅を 0. 4 mきざみで 40 mまで増加させれば、前記接続部 11Cにおける配線長の差に起因する抵抗値の変化は補償することができる。

[0018] しかし、実際の ITOパターンのパターン幅精度は ± 1 μ m程度もあり、抵抗値のばらつきがパターン幅 20 mの場合 ± 5%、 40 mの場合で ± 2. 5%となり、このような工程を実際に行うのは困難である。またこのようなパターン幅を調整する方法は、莫大な設計工数を必要とする。

特許文献 1：米国特許公開第 2001— 050799号公報

特許文献 2：特開 2002-162647号公報特許文献 3 :特開 2002-221536号公報

特許文献 4:特開昭 62— 124529号公報

課題を解決するための手段

[0019] 本発明の一観点によれば、

基板と、

前記基板上に隣接して配列され、第 1の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第 1の電極群と、

前記基板上に隣接して配列され、前記第 1の方向とは異なる第 2の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第 2の電極群と、

各々、前記第 1の電極群中の一つの電極パターンと前記第 2の電極群中の一つの電極パターンの交点に対応して形成された、複数の表示要素とよりなる表示装置であって、

少なくとも前記第 1の電極群は、各々一端において駆動回路に接続され前記一端力も他端までの長さが互いに異なる複数の電極パターンを含み、

前記複数の電極パターンの各々は、第 1のシート抵抗を有する第 1の導電体と、前記第 1のシート抵抗よりも小さい第 2のシート抵抗を有する第 2の導電体とを含む積層構造を有し、

前記複数の電極パターンの各々には、前記第 2の導電体を除去した高抵抗領域が設けられており、

前記高抵抗領域の長さは、前記複数の電極パターン毎に、前記電極パターンの長さに応じて異なる表示装置が提供される。

発明の効果

[0020] 本発明によれば、前記区間長が、前記第 1の電極群を構成する個々の電極パターンで異なり、その結果、前記第 1の電極群を構成する電極パターンの全長にわたる抵抗値が電極パターン毎に変化するような場合でも、前記第 2の導電体の長さを前記区間長に応じて変化させることで、このような抵抗値の変化を補償することが可能で、表示装置において、より一様な表示を実現することができる。

[0021] 本発明のその他の課題および特徴は、以下に図面を参照しながら行う本発明の詳細な説明より明らかとなろう。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1]従来のパッシブマトリクス駆動型表示装置の概略的構成を示す図である。

[図 2]本発明が解決する課題を示す図である。

[図 3]本発明が解決する課題を示す図である。

[図 4]本発明の第 1実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の概略的構成を示す図である。

[図 5]図 4の有機 EL表示装置の一部を示す断面図である。

[図 6]図 4の有機 EL表示装置の接続部の詳細な構成を示す図である。

[図 7A]図 4の有機 EL表示装置の接続部の断面構造を示す図である。

[図 7B]図 4の有機 EL表示装置の接続部の断面構造を示す図である。

[図 8]本発明の第 2実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の概略的構成を示す図である。

[図 9]図 8の有機 EL表示装置の接続部の詳細な構成を示す図である。

[図 10A]図 8の有機 EL表示装置の接続部の断面構造を示す図である。

[図 10B]図 8の有機 EL表示装置の接続部の断面構造を示す図である。

[図 11]本発明による有機 EL表示装置の特性を示す図である。

[図 12]図 6の有機 EL表示装置の一変形例を示す図である。

[図 13]本発明の第 3実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の一部を示す図である。

[図 14]本発明の第 4実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の一部を示す図である。

[図 15]本発明の第 4実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の一部を示す図である。

[図 16]本発明の第 5実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の一部を示す図である。

符号の説明

[0023] 10, 20, 40 有機 EL表示装置 11, 21 基板

11 A, 21 A 表示領域

11C, 21C, 41C 接続部

11a, 21a 走査ライン

l ib, 21b データライン

11c 配線パターン

12A, 12B, 22A, 22B 駆動回路

20A 正孔輸送層

20B 発光層

20C 電子輸送層

20D 陰極

20E 有機 EL素子

21T, 41T 端子部

21a , 41a ITOパターン

1 1

21a , 41a Crパターン

2 2

21c 配線パターン

発明を実施するための最良の形態

[0024] [第 1実施例]

図 4は、本発明の第 1実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置 20の構成を示す。

[0025] 図 4を参照するに、表示装置 20は全体としては図 1の表示装置 10と同様な構成を有しており、表示領域 21 Aを形成された表示基板 21を含み、前記基板 21上には X 方向および Y方向に多数の走査ライン 21aおよびデータライン 21bが延在している。

[0026] さらに前記基板 21上には前記走査ライン 21 aの一つを選択的に駆動する駆動回路 22Aと前記データライン 21bの一つあるいは複数を選択的に駆動する駆動回路 2 2Bとが接続されている。

[0027] そこで前記駆動回路 22Aにより一つの走査ライン 21aを選択し、駆動回路 22Bにより一つあるいは複数のデータライン 21bを選択することにより、前記選択された走査ライン 21aとデータライン 21bとの交点に対応する一または複数の画素が同時に発光する。

[0028] 図 5は、図 4表示装置 20のデータライン 21bに沿った断面図を示す。

[0029] 図 5を参照するに、前記データライン 21bはガラス基板 21上に平行にパターユングされており、陽極を構成する。各々のデータライン 21b上には正孔輸送層 20Aと発光層 20Bと電子輸送層 20Cとを積層した有機 EL素子 20E力典型的にはマスクを使つた蒸着法により、繰り返し形成されており、このようにして形成された有機 EL素子 2 OEは前記ガラス基板 21上においてマトリクス状に配列される。

[0030] このようにマトリクス状に配列した有機 EL素子 20Eの間の空間は絶縁膜（図示せず )により充填され、さらに前記有機 EL素子 20Eのうち、 X方向に整列した一群の有機 EL素子を結ぶように、 A1などよりなる陰極 20Dが形成される。前記陰極 20Dは、図 4 の構成における走査ライン 21aを構成する。

[0031] 図 6は、図 1, 2の接続部 11Cに対応する、前記走査ライン 21aと駆動回路 22Aとの接続部 21Cの構成を詳細に示す。

[0032] 図 6を参照するに、前記接続部 21Cにおいては前記表示領域 21Aを延在する走查ライン 21aの繰り返し間隔が、前記駆動回路 22Aを構成する集積回路チップの端子間隔に合わせて縮小されており、これに伴つて前記表示領域 21 A中を平行に延在していた走査ライン 21aの端部力延在する配線パターン 21cが前記接続部 21C において屈曲されている。なお、以下に説明するように、前記配線パターン 21cは、 I TOパターン 21aと、前記 ITOパターン 21a上に形成された低抵抗の Crパターン 21

1 1

aとの積層により構成されている。

2

[0033] より具体的に説明すると、前記接続部 21Cは、前記走査ライン 21aの端部力延在する配線パターン 21cが前記表示領域 21Aにおける延在方向（X方向）に対して斜めに延在する区間 Aと、前記配線パターン 21cが前記区間 Aの先で再び前記 X方向に延在し、前記駆動回路 22Aとの接続のための端子部 21Tに連続する区間 Bとより構成されており、区間 A, Bのいずれにおいても、異なった走査ライン 21aに対応する配線パターン 21cは、互いに平行に延在して!/、る。

[0034] 図 6において、前記区間 Aは、前記複数の配線パターン 21cのうち、中央部の最も配線長の短いパターンにおける長さがゼロとなり、最も外側で最も配線長の長いパターンにおける長さが最大 (La )となるように定義されており、また前記区間 Bは、前 max

記複数の ITO配線パターン 21cのうち、中央部の最も配線長の短いパターンにおける長さが最大 (Lbmax)となり、最も外側で最も配線長の長い配線パターンにおける長さがゼロになるように定義されて、る。

[0035] かかる構成の結果、前記区間 Aにおける配線長は、最も外側の ITO配線パターン 2 lcから中央部の最も短い配線パターン 21cに向力つて直線的に減少し、また区間 B における配線長は、最も外側の配線パターン 21cから中央部の最も短い配線パターン 21cに向力つて直線的に増加する。

[0036] 本実施例においては、前記区間 Bを第 1の区間 Bおよび第 2の区間 Bにさらに分

1 2

割し、図 7A, 7Bに示すように前記第 2の区間 Bにおいて前記低抵抗 Cr膜 2 laを選

2 2 択的に除去することで区間 Bにおける配線パターン 21c中の Crパターン 21aの長さ

1 2 をトリミングし、配線パターン 21cの抵抗値を一定値に合わせている。ただし図 7Aは前記区間 Bにおける配線パターン 21cの断面を、図 7Bは前記区間 B2における配線

1

パターン 21cの断面を示して!/、る。

[0037] このように、本発明では前記区間 Bにおいて低抵抗 Cr膜 21aを選択的に除去する

2 2

ことにより、前記区間 Bに等価的な抵抗要素を挿入している。その際、本実施例にお

2

いては前記抵抗要素の抵抗値を、図 7A, 7Bに示すようにパターン 21aの幅 Waを調整するのではなぐ前記区間 Bの長さを調整することにより、精度よく設定することが

2

できる。

[0038] 以下、このようなトリミングの具体的な手順を説明する。

[0039] 図 6を再び参照するに、先にも述べたように前記走査ライン 21aを構成する電極群の中央部では、区間 Aの長さ La (mm)はゼロである。そこで、前記配線群の最も外側での前記配線パターンの長さ Laを Lamax (mm)とすると、配線群の中央部と最外部との間で、配線パターンの長さ La (La )は直線的に変化し、 k番目の配線長 Laは k k

[0040] [数 1] ≤k≤ - n 、 2

および

[0041] [数 2]

で与えられる。

[0042] 一方、区間 Bの長さ Lb (mm)も同様に直線的に変化し、配線群中央で最大、配線群の最外端部でゼロとなる。そこで配線群中央での Lbを Lb とすると、 k番目の配 max

線長 Lbは

k

[0043] [数 3]

および

[0044] [数 4] _τ， 2La max , ( n ，、

Lb_k = k - La A - < k≤n

n 1 ノ

で与えられる。

[0045] なお、図 6の構成において、前記 Cr膜 21bを設ける部分は、端子部 21Tに Cr膜などの低抵抗補助配線を設けることによって生じる機械的強度の低下を避けるため、前記区間 Bとし、前記 Cr膜 21bは前記区間 Aから連続して延在するように形成するの

1

が好ましい。

[0046] 先にも説明したように、区間 Bは図 7Aに対応した ITO膜 21aと Cr膜 21aが積層し

1 2 た区間 Bと、図 7Bに対応した ITO膜 21aのみの区間 Bより構成され、前記走査ライ

1 1 2

ン 21a各々の延在部の長さを、前記区間 Bにおいて Lb (mm)、前記区間 Bにお

1 lk 2 いて Lb (mm)とする。

2k

[0047] 前記 ITO膜 21aのシート抵抗を Rito ( Ω /D)、 Cr膜 21aのシート抵抗を R ( Ω

1 2 aux

Z口）とし、前記区間 Aにおける線幅を Wa (mm)、区間 Bの線幅を Wb (mm)とすると、前記区間 Aおよび Bでの配線抵抗 Ra、 Rbは、

k k

[0048] [数 5]

Rito · Raux Lひ _k

Rひ

Rito + Raux Wa

Rito , Raux _{r L1} , つ、

( Lbl_k + Lb2_k )

Wb Rito + Raux

で与えられる。

[0049] そこで、 k番目の走査ライン 21aに対応した接続部 21Cの配線抵抗 Rは

k

R =Ra +Rb で与えられる。

[0050] 次に、上記をもとに、 Cr膜 21aを補助配線パターンとして使った配線抵抗の均一

2

化（トリミング)を検討する。

[0051] このような配線の抵抗均一化は、上式で R 1S kにかかわらず常に一定となる Lbl k k

, Lb 2を求める問題に帰着する。

k

[0052] ここで簡単のため 0≤k≤nZ2の範囲で考えると、 k=nZ2の、すなわち配線群中央部のパターンの Lb2、すなわち Lb (n/2)は、

k 2

Lbl +Lb2 =Lb

k k max

の関係より、

[0053] [数 6]

と表される。ただし、ここでは以下の導出を行って!/、る。

[0054] k=nZ2のとき、関係

[0055] [数 7]

が成立する

[0056] ここで、

[0057] [数 8] Raux

C = , C2 =

Rito + Raux

とお <と、

関係式

[0058] [数 9]

Cl(C2*Lbl_k+Lb2_k) 、

が得られる。

[0059] 全てのパターンで抵抗が等しい条件が課せられるため、トリミング後においては 0番目の Ra ,すなわち Ra と nZ2番目の Rbすなわち Rb は等しくなければならな!/、 k (0) k (n/2)

oすなわち、関係式

[0060] [数 10]

La

• Rito

Wa が成立し、このことから、関係式

[0061] [数 11]

L 一 L

が得られる。

[0062] ところで、 k=0の場合、配線群最外端部の Lb2、すなわち Lb2 は 0となり、 Lb2

k (1) k は 0力 Lb2 まで直線的に変化する。したがって、トリミング後における k番目の配

(n/2)

線長 Lb 2 ίま、

k

[0063] [数 12]

および

[0064] [数 13]

2Lb2 (n/ 2)

Lb2_k = - k + 2Lb2 < k < n)

n と求められる。

[0065] このように、本実施例にぉ、ては前記接続部 21Cにお、て走査ライン 21aから延在する配線群のうち、中央部に配線パターンの配線長を求めることで、容易に抵抗値のトリミングを行うことができる。

[0066] このような抵抗値のトリミングを行う場合、前記区間 Bにおける前記配線パターンの

2

フォトマスクを、上式より求められた配線パターンデータに則って作成すればよぐ特別な工数は必要としない。

[0067] 例えば、上記パラメータが La =10mm, Lb =5mm, Wa = 20_ium、 Wb = 20 max max

^m, Rito=10Q/D, R =2Q/D, n= 100である場合、上式より、区間 Bにお aux

ける中央咅 (n/2番目）の酉己線長 Lbl , Lb2 は、： Lbl =4mm, Lb 2 =1

(n/2) (n/2) (n/2) (n/2) mm、また Ritoと Rauxの合成シート抵抗は、 1.67 ΩΖ口となるので、前記区間 Bの配線抵抗は、 Rbl =1.67 X 4000/20 = 334 Ω, Rb2 =10X1000/20 =

(n/2) (n/2)

500 Ωとなる。

[0068] 次に、本実施例において ± 1 μ mのパターユング誤差が生じた時の抵抗のばらつきを評価する。

[0069] 上で求めた Lbl , Lb2 の値に対し、前記区間 Bにおいて Cr膜 21a力^ μ m

(n/2) (n/2) 1 2 短くパターユングされていて、 Lbl =3.999mm, Lb2 =1.00 lmmである場

(n/2) (n/2)

合 Rbl =1.67X3999/20 = 333.92Q,Rb2 =10X1001/20 = 500.5

(n/2) (n/2)

Ωとなり、抵抗値の変化は、 0.05%となる。同様に、前記区間において前記 Cr 膜 21aよりなる補助配線が 1 μ m長くパターユングされ、 Lbl =4001mm、 Lb 2

2 (n/2)

=0.999mmである場合、抵抗値の変化は + 0.05%となる。

(n/2)

[0070] このように、本発明によれば、配線幅を調整することで抵抗調整に比べ、 2桁の精度向上が達成できる。

[第 2実施例]

図 8は、本発明の第 2実施例による有機 EL表示装置 40の概略的構成を、図 9は前記表示装置 40の走査電極に沿った断面図を示す。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

[0071] 図 8を参照するに、表示装置 40も図 4の表示装置 20と同様なパッシブマトリクス駆動型の表示装置であるが、前記駆動回路 22Aと前記走査ライン 21aとを接続するのに、図 6の接続部 21Cの代わりに図 9に示す接続部 41Cを使う。

[0072] 図 9を参照するに、前記接続部 41Cは平面図上では図 6の接続部 21Cと略同様な構成を有するが、前記走査ライン 21cの延在部より構成される配線パターン 21cの代わりに、前記走査ライン 21aの端部に接続され、前記駆動回路 22Aの端子に対応して形成された端子部 41Tに収斂する配線パターン 41cを含んでいる。

[0073] 前記配線パターン 41cは前記配線パターン 21cと同様に、その延在方向に沿って区間 Aと区間 Bに分けられ、区間 Aの区間長 Laは、最外部の走査ライン 41aに対応 k

する配線パターン 41cで最大となり、中央部の走査ライン 41aに対応する配線パターン 41cでゼロとなる。

[0074] また前記区間 Bは区間 Bと Bとに分けられ、区間 Bでは配線パターン 41cは図 10

1 2 1

Aに示すように走査ライン 41aと同様な ITO膜 41aと銀合金膜 41aの積層構造を有

1 2

するのに対し、前記区間 Bでは配線パターン 41cは図 10Bに示すように ITO膜 41a

2 1 のみより構成されている。この区間 Bの ITOパターン 41aがさらに延在して、駆動回

2 1

路 22Aの電極と圧着される前記端子部 41Tを構成している。

[0075] 本実施例でも、先の実施例と同様に、前記配線パターン 41cの前記区間 Bにおける区間長 Lbをトリミングすることにより、前記接続部 41Cにおいて走査ライン 41a相互 k

に生じる抵抗値の差を除去して、る。

[0076] 前記銀合金としては銀とパラジウムあるいは銅の合金が使われ、これによりよりもさらに低いシート抵抗を実現することができる。一方、銀合金は Crよりもエレクト口マイクレーシヨンあるいは酸ィ匕による特性の劣化を生じやす、ため、図 10Aに示すように前記区間 B1において前記銀合金膜 41aは前記 ITO膜 41aの下層に、前記ガラス

2 1

基板 21と ITO膜 41aとにより保護されるように形成されている。

1

[0077] 以下、図 11の接続部 11Cにおけるトリミングについて詳細に説明する。

[0078] 先にも述べたように中央部の走査ライン 41aに対応する配線パターン 41cでは、前記区間 Aにおける配線長 Laはゼロとなるのに対し、この配線長 Laは外側の走査ライン 41aでは前記中央部力の距離に比例して直線的に増大する。

[0079] そこで最外端の配線パターン 41cの長さを La (mm)とすると、中央 (k=0)力も k 番目の配線パターン 41cの前記区間 Aにおける配線長 Laは、

[0080] [数 14]

、

および

[0081] [数 15]

く k n

と表される。

[0082] 一方、前記区間 Bにおける前記配線パターン 41cの長さ Lb (mm)も同様に基板中央部から外側に向カゝつて直線的に変化し、中央の走査ライン 41aに対応する配線パターン 41cで最大、最外端でゼロになる。そこで前記中央部における区間長 Lbを Lb とすると、中央部力も k番目の配線長 Lbは、

max k

[0083] [数 16]

および

[0084] [数 17] Lbk = -

と表される。

[0085] ここで前記 ITO膜 4 laのシート抵抗を Rito ( Ω /D) ,銀合金膜 4 laのシート抵抗

1 2

を Raux( QZ口）とし、区間 Aにおける前記 ITO膜 41aの幅、従って配線パターン 41

1

cの幅を Wa，また区間 Aにおける銀合金膜 41aの幅を Wa'、区間 Bにおける前記 IT

2

O膜 41aの幅、従って配線パターン 41cの幅を Wb,また区間 Bにおける銀合金膜 4

1

laの幅を Wb'とすると、区間 Aおよび Bの配線抵抗 Ra , Rbは、それぞれ

2 k k

[0086] [数 18]

Ra =

と表され、前記接続部 41Tにおける k番目の配線パターン 41cの抵抗 Rは、

k

R =Ra +Rb

k k k

と表される。ここで Lbl , Lb2は、前記配線パターン 41cの前記区間 Bおよび Bにお k k 1 2 ける配線長を表す。

[0087] 次に、前記配線長 Lbl , Lb2のトリミングについて説明する。

k k

[0088] 先の実施例の場合と同様、トリミングの目的は。前記抵抗 R

kを全てのパターンで同一値に設定することである。以下では簡単のため、 0≤k≤nZ2の場合を取り扱う。 [0089] k=nZ2の場合、すなわち中央部の配線パターン 41cを考えると、その長さ Lb2 すなわち Lb2 は、関係 Lbl +Lb2 =Lb より、

(n/2) k k max

[0090] [数 19]

Lbl (n il)

と表される。

[0091] k=nZ2の場合、上記関係

[0092] [数 20]

において

[0093] [数 21]

R ito

C2 =

とおくと、以下の表現が得られる。

Rb =C1(C2-Lbl +Lb2 )

k k k

[数 22]

-C2*Lb\ Lb - Lb\_k

CI i (R — _Lb

Lb\_t =

C2-1 I

ここで

[数 23]

R

C3 = aux

Wd

R ito

Wa とおくと、抵抗 Raは、

[0096] [数 24]

Ra_k =C3>*R_ito*

Wa

と表されるが、トリミング後においては全ての配線パターン 41cで抵抗が等しいとの条件から、 0番目の Ra ,すなわち Ra と nZ2番目の Rb、すなわち Rb は等しくなければならない,

[0097] すなわち、

[0098] [数 25]

Rb (",/つ2、) = Ra₍ (_n0ヽ) = C —_α

が成立することになる力これから

[0099] [数 26]

C3*R_itn La C2 3«R₍„ La

-Lb,

CI Wa C2-1 CI Wa

となり、上記関係が得られる [0100] 一方、 k=0の場合、すなわち最外端の配線パターン 41cを考えると、長さ Lb2 (： k

Lb2 )はゼロとなり、 Lb2は、ゼロ力ら Lb2 まで直線的に変化する。

(0) k (n/2)

[0101] 従って、トリミング後における k番目の配線長は、

[0102] [数 27]

Lb2_k

および

[0103] [数 28]

2Lb2, つ、 in 、

Lb2_k '-^-k + 2Lb2_(n/2) — <km

n 2 ノ

と求められる。

[0104] ここで上式のパラメータを、 Lamax= 10mm, Lbmax=5mm, Wa = 20 μ m、 Wb

= 20 πι、 Wa' = 15_ium、 Wb' = 15_ium、： Rito=10Q/O、： Rmax=0.2Q/U, n= 100として、前記配線長は、

Lbl =4.867(mm), Lb2 ) = 0.133 (mm)と求められる。

(n/2) (n/2

[0105] さらに R と R の合成シート抵抗は、 0.196 ΩΖ口となるので、前記区間 Bにおけ

ito aux

る配線パターン 41cの配線抵抗は、

Rbl =0.260X4897/20 = 63.21Ω,

(n/2)

Rb2 =10X133/20 = 66.5Ω,

(n/2)

と求められる。

[0106] 次に、本実施例におけるトリミングに対するパターユング誤差の影響を評価する。

[0107] 上記最適配線長 Lbl , Lbl において 1 mのパターユング誤差が生じた場

(n/2) (n/2) 合を考えると、: Lbl = 3. 999 (mm) , Lbl = 1. 001 (mm)となる力この場合、

(n/2) (n/2)

Rbl =0. 260 X 4866/20 = 63. 26 Ω、

(n/2)

Rb2 = 10 Χ 134Ζ20 = 67 Ω、

(n/2)

となり、 0. 5%の抵抗変化が生じると予想される。

[0108] 同様に上記最適配線長 Lbl , Lbl において + 1 /ζ πιのパターユング誤差が生

(n/2) (n/2)

じた場合を考えると、 Lbl =4. 001 (mm) , Lbl =0. 999 (mm)となるが、この

(n/2) (n/2)

場合には + 0. 5%の抵抗変化が生じると予想される。

[0109] このように本実施例によるトリミングにおいても、パターン幅を調節してトリミングを行つた場合に比べ、 10倍以上のトリミング精度を確保することが可能になる。

[0110] 図 11は、前記実施例 1および 2によるトリミングを行った場合の、走査ライン 21aあるいは 41a全体の配線抵抗およびこれに伴う電圧降下、さらに前記配線抵抗の最大値と最小値の差 Δ R、および前記 Δ Rに伴って生じる電圧降下の最大値と最小値の差 Δνを、比較例 1および 2と共に示す。ただし比較例 1では、 Cr膜あるいは銀合金などの補助配線は設けておらず、抵抗値のトリミングは配線パターン 1 lcの幅を調整することにより行っている。また比較例 2では Cr膜を補助配線として設けているが、抵抗値のトリミングは、配線パターン 21cの幅を調整することにより行っている。これに対し、実験例 1は先に説明した実施例 1に対応し、トリミングを図 6の区間 Bにおける補助配線、すなわち Crパターン 21aの配線長の調整により行っている。また実験例 2は

2

先に説明した実施例 2に対応し、トリミングを図 11の区間 B1における補助配線、すなわち Ag合金パターン 41aの配線長の調整により行っている。

2

[0111] 図 11を参照するに、比較例の場合、抵抗値の変動 ARは 750 Ωあるいは 125. 1

Ωに達し、これに対応して電圧降下の差 AVdropも 10mAの駆動電流が流れた場合、 7. 5Vあるいは 1. 25Vに達する。これに対し、本発明では、接続部 21Cあるいは 4 1Cにおける配線長差に起因する配線パターン 21cあるいは 41cの抵抗値の変動 Δ R力実験例 1の場合 83. 4 Ωまで、また実験例 2の場合には 15. 1 Ωまで低減され、これに伴い、電圧降下の差 AVdropも実験例 1の場合 0. 83Vまで、実験例 2の場合には 0. 15Vまで減少しているのがわかる。

[0112] なお、以上の説明では、前記区間 Bと Bとで、配線長 Lblと配線長 Lb2とが番号 k

1 2 k k と共に直線的に変化する場合を考察したが、本発明のように配線長でトリミングする場合には、図 11からもわ力るように多少のパターユング誤差が生じても抵抗値の変動には余り影響しないため、例えば図 12に示すように、区間 B1での配線長 Lblおよ k び区間 B2での配線長 Lb2を、階段状に、あるいは円弧状に変化させることも可能で k

ある。ただし図 12中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

[0113] なお、図 6あるいは 11の接続部 11Cあるいは 21Cは、必要に応じてデータ電極 21 bと駆動回路 22Bの接続部にも設けることができる。

[第 3実施例]

図 13は、本発明の第 3実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の構成の一部を示す。ただし図 13中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。

[0114] 図 13は、先に説明した図 7Aと同様な、区間 B1における断面図である力本実施例によるパッシブマトリクス駆動有機 EL表示装置は、先に図 6で説明した有機 EL表示装置 20の一変形例であり、これらとほぼ同様な構成を有するが、前記 ITOパターン 21aと低抵抗パターン 21aの位置が相対的にずれている点で相違している。

1 2

[0115] このような場合でも、前記端子部 21Tにおいては、前記低抵抗 Cr膜 21aを除去す

2 ることにより、 ITOパターン 21aのみが露出され、図 7Bと同一の断面構造が得られる

1

。したがって、本実施例においても、フレキシブル基板に対して ITOパターンを介した良好な圧着が実現される。

[第 4実施例]

図 14は、本発明の第 4実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の構成の一部を示す。ただし図 14中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。

[0116] 図 14は、先に説明した図 7Aと同様な、区間 B1における断面図である力本実施例によるパッシブマトリクス駆動有機 EL表示装置は、先に図 6で説明した有機 EL表示装置 20の一変形例であり、これらとほぼ同様な構成を有するが、前記 ITOパターン 21aと低抵抗パターン 21aの位置が上下で入れ替わつている点で相違している。すなわち、前記 Crパターン 21aが下側パターンとなり、 ITOパターン 21aが下側パ

2 1 ターンとなっている。

[0117] このような場合でも、前記端子部 21Tにおいては、前記低抵抗 Cr膜 21aを除去す

1

[0118] 図 15は、図 14のさらなる変形例であり、図 14における上側 ITOパターン 21aと下

1 側 Crパターン 21aの関係が相対的にずれている場合を示す。

2

[0119] このような場合であっても、前記前記端子部 21Tにおいては、前記低抵抗 Cr膜 21 aを除去することにより、 ITOパターン 21aのみが露出され、図 7Bと同一の断面構造

2 1

が得られる。したがって、本実施例においても、フレキシブル基板に対して ITOパターンを介した良好な圧着が実現される。

[第 5実施例]

図 16は、本発明の第 5実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機 EL表示装置の構成の一部を示す。ただし図 16中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

[0120] 図 16を参照するに、本実施例においては、前記区間 B1において前記 ITOパターン 21a上に形成された低抵抗 Crパターン 21aを一または複数箇所において除去し

1 2

、これにより、この部分に抵抗を発生させている。

[0121] そこで、このような抵抗形成箇所を、各々の配線パターン 21cに、対応する走査ライン 21aの位置に応じて設けることにより、すなわちその個数あるいは長さを調整することにより、前記配線パターン 21cの抵抗値を、対応する走査ライン 21aに応じて調整することが可能になる。

[0122] さらに本発明は、有機 EL表示装置のみならず、ノ¾ /シブマトリクス駆動される他の電流駆動型表示装置、例えばプラズマ表示装置 (PDP)、 LEDアレイ表示装置、あるいは光源などにも適用可能である。

[0123] さらに、本発明は電流駆動型表示装置のみならず、パッシブマトリクス駆動型あるいはアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置にも適用可能である。産業上の利用可能性

本発明によれば、表示装置の表示領域を延在する駆動電極を収斂させて駆動回路に接続する接続部において、補助電極の長さをカゝかる接続部における配線パターンの長さに応じて変化させることにより、接続部において異なった配線パターン間で生じる抵抗差、従って電圧降下量の差を、配線パターンの位置にかかわらず一定に設定することが可能で、表示装置の均一な駆動が可能になる。

Claims

請求の範囲

[1] 基板と、

前記高抵抗領域の長さは、前記複数の電極パターン毎に、前記電極パターンの長さに応じて異なる表示装置。

[2] 前記複数の電極パターンにおいて、前記高抵抗領域の長さは、電極パターンの長さと共に減少する請求項 1記載の表示装置。

[3] 前記複数の電極パターンは、前記一端から他端まで、実質的に同一の抵抗値を有する請求項 1記載の表示装置。

[4] 前記基板上には、前記複数の電極パターンが第 1の間隔で平行に延在する表示領域と、前記表示領域中の前記複数の電極パターンの前記一端が、第 2の、より小さな間隔で配列する端子領域と、前記表示領域中の前記複数の電極パターンが、前記端子領域中の対応する前記一端にそれぞれ接続される接続部とが含まれており、前記端子領域にぉ、ては前記電極パターンの各々にお、て前記第 2の導電体が除去されており、前記高抵抗領域は、前記接続領域中に、前記端子領域に連続するように形成されて、る請求項 1記載の表示装置。

[5] 前記表示領域において前記第 1の電極群を構成する前記複数の電極パターンは前記第 2の方向に繰り返し形成されており、前記複数の電極パターンのうち、中央の電極パターンの長さが最短であり、前記電極パターンの長さは、前記中央の電極パターン力両外側方向に、対称的に増大する請求項 4記載の表示装置。

[6] 前記接続領域にぉ、て、前記複数の電極パターンは平行関係を維持しながら延在する請求項 5記載の表示装置。

[7] 前記高抵抗領域は、前記中央の電極パターンにおいて最大の長さを有し、前記高抵抗領域の長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、対称的に減少する請求項 5記載の表示装置。

[8] 前記高抵抗領域の長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、前記中央の電極パターンからの距離に応じて直線的に減少する請求項 7記載の表示装置。

[9] 前記高抵抗領域の長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、前記中央の電極パターン力の距離に応じて階段状に減少する請求項 7記載の表示装置。

[10] 前記第 1の導電体は透明酸化物電極材料よりなり、前記第 2の導電体は金属材料よりなる請求項 1記載の表示装置。

[11] 前記第 2の導電体は、前記第 1の導電体上に積層されている請求項 1記載の表示装置。

[12] 前記第 2の導電体は、前記第 1の導電体中に埋設されている請求項 1記載の表示装置。

[13] 前記第 2の電極群中の電極パターンは、別の駆動回路に接続され、前記第 1の電極群中の電極パターンは、前記第 2の電極群中の電極パターンと共に、前記交点に形成された表示要素中を流れる駆動電流の電流路を形成する請求項 1記載の表示装置。

[14] 前記表示要素は有機 EL表示装置である請求項 1記載の表示装置。

[15] 前記第 2の導電体は前記第 1の導電体に対し、前記電極パターンの幅方向に部分的に重なるように形成されてヽる請求項 11記載の表示装置。

[16] 前記第 1の導電体は、前記第 2の導電体上に積層されている請求項 1記載の表示装置。

[17] 前記第 2の導電体は前記第 1の導電体に対し、前記電極パターンの幅方向に部分的に重なるように形成されてヽる請求項 16記載の表示装置。

[18] 前記基板上には、前記複数の電極パターンが第 1の間隔で平行に延在する表示領域と、前記表示領域中の前記複数の電極パターンの前記一端が、第 2の、より小さな間隔で配列する端子領域と、前記表示領域中の前記複数の電極パターンが、前記端子領域中の対応する前記一端にそれぞれ接続される接続部とが含まれており、前記接続領域にぉ、ては前記電極パターンの各々にお!、て前記第 2の導電体が複数箇所にお、て除去されて、る請求項 1記載の表示装置。