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TWI843190B - 聚醯亞胺膜、其製造方法、包括其的多層膜及電子部件 - Google Patents

聚醯亞胺膜、其製造方法、包括其的多層膜及電子部件 Download PDF

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TWI843190B
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南韓商聚酰亞胺先端材料有限公司
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Abstract

本發明係關於一種聚醯亞胺膜及其製造方法，前述聚醯亞胺膜使聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化而製造，前述聚醯胺酸溶液包含：包括聯苯四甲酸二酐（BPDA）、均苯四甲酸二酐（PMDA）和二苯酮四羧酸二酐（BTDA）的二酐成分；及包括二胺基二苯醚（ODA）、對苯二胺（PPD）和4,4'-二胺苯甲醯苯胺（DABA）的二胺成分。

Description

聚醯亞胺膜、其製造方法、包括其的多層膜及電子部件
本發明係關於一種機械強度和耐熱性優異的聚醯亞胺膜及其製造方法。
聚醯亞胺（polyimide；PI）以剛性芳族主鏈和化學穩定性非常優秀的醯亞胺環為基礎，係在有機材料中也具有最高位準的耐熱性、耐藥品性、電氣絕緣性、耐化學性和耐氣候性的高分子材料。
特別是由於卓越的絕緣特性，即諸如低介電常數的優異的電氣特性，甚至在電氣、電子及光學領域等作為高功能性高分子材料而倍受矚目。
最近，隨著電子製品的輕量化、小型化，正在活躍地開發高整合度、柔軟的薄型電路基板。
這種薄型電路基板的趨勢是大量使用在具有優異耐熱性、耐低溫性及絕緣特性且容易彎曲的聚醯亞胺膜上形成有包括金屬箔在內的電路的結構。
作為這種薄型電路基板，主要使用可撓性覆金屬箔積層板，作為一個示例，包括使用薄銅板作為金屬箔的可撓性覆銅積層板（Flexible Copper Clad Laminate；FCCL）。此外，亦可將聚醯亞胺用作薄型電路基板的保護膜、絕緣膜等。
特別是最近隨著在電子設備中內置多樣功能，前述電子設備要求快速的運算速度和通訊速度，為了滿足這種要求，正在開發能夠以高頻進行高速通訊的薄型電路基板。
但是，以往的聚醯亞胺膜在用於最新電路基板方面存在耐熱性比較低的缺點，雖然進行了旨在提高耐熱性的多種在先研究，但提高耐熱性均伴隨著機械強度或諸如玻璃轉移溫度的熱特性下降。
因此，依然迫切需要開發一種在提高耐熱性的同時保持聚醯亞胺原本的機械強度或諸如玻璃轉移溫度的熱特性的聚醯亞胺膜。
[先前技術文獻] [專利文獻] （專利文獻1）韓國授權專利第10-1004429號。
[技術問題]
本發明目的在於提供一種兼具優異高耐熱特性和機械特性的聚醯亞胺膜及其製造方法。
特別是本發明目的在於提供一種高溫熱穩定性高、彈性模數、拉伸強度和伸長率特性優異的聚醯亞胺膜及其製造方法。
因此，本發明的實質目的在於提供其具體實施例。 [技術方案]
為了達成如上所述目的，本發明一種實施形態提供聚醯亞胺膜，前述聚醯亞胺膜使聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化而製造，前述聚醯胺酸溶液包含： 包括聯苯四甲酸二酐（3,3′,4,4′-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，BPDA）、均苯四甲酸二酐（Pyromellitic dianhydride，PMDA）和二苯酮四羧酸二酐（3,3',4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride，BTDA）的二酐成分；及 包括二胺基二苯醚（4,4′-Oxydianiline，ODA）、對苯二胺（p-Phenylenediamine，PPD）和4,4'-二胺苯甲醯苯胺（4,4'-Diaminobenzanilide，DABA）的二胺成分。
在一實施形態中，以前述二胺成分的總含量100莫耳%為基準，前述二胺基二苯醚的含量可為23莫耳%以上、43莫耳%以下，前述對苯二胺的含量可為50莫耳%以上、60莫耳%以下，前述4,4-二胺苯甲醯苯胺的含量可為10莫耳%以上、30莫耳%以下。
另外，以前述二酐成分的總含量100莫耳%為基準，前述聯苯四甲酸二酐的含量可為15莫耳%以上、30莫耳%以下，前述均苯四甲酸二酐的含量可為50莫耳%以上、65莫耳%以下，前述二苯酮四羧酸二酐的含量可為10莫耳%以上、35莫耳%以下。
另一方面，前述聚醯亞胺膜可包含由2個以上的嵌段構成的嵌段共聚物。
在一種實施形態中，前述聚醯亞胺膜的彈性模數可為5GPa以上，強度可為340MPa以上，玻璃轉移溫度（Tg）可為360℃以上，伸長率可為60%以上。
本發明另一實施形態提供一種聚醯亞胺膜的製造方法，包括： （a）步驟，將包括聯苯四甲酸二酐（BPDA）、均苯四甲酸二酐（PMDA）和二苯酮四羧酸二酐（BTDA）的二酐成分與由二胺基二苯醚（ODA）、對苯二胺（PPD）和4,4'-二胺苯甲醯苯胺（DABA）構成的二胺成分在有機溶劑中聚合以製造聚醯胺酸；及 （b）步驟，使前述聚醯胺酸進行醯亞胺化。
本發明又一實施形態提供一種包括前述聚醯亞胺膜的多層膜或包括前述聚醯亞胺膜和熱可塑性樹脂層的多層膜。
本發明又一實施形態提供一種包括前述聚醯亞胺膜和導電性金屬箔的可撓性金屬箔積層板以及包括前述可撓性金屬箔積層板的電子部件。 [發明效果]
本發明實現例的聚醯亞胺膜透過將特定二酐成分和特定二胺成分按特定的莫耳比組合使用，從而可同時具有優異的高耐熱特性和機械特性。另外，可提高黏著力。
另一方面，本發明包括如上所述的聚醯亞胺膜，因而可有用地應用於可撓性金屬箔積層板等電子部件等。
下文按照本發明的「聚醯亞胺膜」及「聚醯亞胺膜的製造方法」的順序，更詳細地描述發明的實施形態。
在此之前，本說明書和申請專利範圍中使用的術語或詞語，不得限定為通常的或詞典的意義進行解釋，只應立足於「發明人為了以最佳方法說明其自身的發明而可適當地定義術語的概念」的原則，解釋為符合本發明的技術思想的意義和概念。
因此，本說明書中記載的實施例的構成只不過是本發明最佳的一個實施例，並非全部代表本發明的技術思想，因此應理解為在本發明時間點會存在可替代其的多樣均等物和變形例。
只要上下文未明確表示不同，本說明書中單數的表述包括複數的表述。在本說明書中，「包括」、「具備」或「具有」等術語是要指定實施的特徵、數字、步驟、構成要素或其組合的存在，應理解為不預先排除一個或其以上的其他特徵或數字、步驟、構成要素或其組合的存在或附加可能性。
在本說明書中，當透過列舉範圍、較佳範圍或較佳上限值和較佳下限值而給出量、濃度或其他值或參數時，無論範圍是否另行公開，應理解為具體公開了由任意一對的任意範圍上限值或較佳值和任意範圍下限值或較佳值形成的所有範圍。
在本說明書中提及數值的範圍時，只要未不同地敘述，其範圍意指包括其端點及其範圍內的所有整數和分數。意指本發明的範疇不限定於定義範圍時提及的特定值。
在本說明書中，「二酐」意指包括其前驅物或衍生物，其在技術上可不為二酐，但儘管如此，仍將與二胺反應而形成聚醯胺酸，該聚醯胺酸可再次變換成聚醯亞胺。
在本說明書中，「二胺」意指包括其前驅物或衍生物，其在技術上可不為二胺，但儘管如此，仍將與二酐反應而形成聚醯胺酸，該聚醯胺酸可再次變換成聚醯亞胺。
根據本發明的聚醯亞胺膜將包括二酐成分和二胺成分的聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化而製造，其中，前述二酐成分包括聯苯四甲酸二酐（3,3′,4,4′-Biphenyltetracarboxylic dianhydride；BPDA）、均苯四甲酸二酐（Pyromellitic dianhydride；PMDA）和二苯酮四羧酸二酐（3,3',4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride；BTDA），前述二胺成分包括二胺基二苯醚（4,4′-Oxydianiline；ODA）, 對苯二胺（p-Phenylenediamine；PPD）和4,4'-二胺苯甲醯苯胺（4,4'- diaminobenzanilide；DABA）。
在一實現例中，以前述二胺成分的總含量100莫耳%為基準，前述二胺基二苯醚的含量可為23莫耳%以上、43莫耳%以下，前述對苯二胺的含量可為50莫耳%以上、60莫耳%以下，前述4,4-二胺苯甲醯苯胺的含量可為10莫耳%以上、30莫耳%以下。
前述4,4'-二胺苯甲醯苯胺包含醯胺基，因而在本發明的含量範圍內，極大有助於提高本案的聚醯亞胺膜的優異耐熱性和機械物性。
在一實現例中，以前述二酐成分總含量100莫耳%為基準，前述聯苯四甲酸二酐的含量可為15莫耳%以上、30莫耳%以下，前述均苯四甲酸二酐的含量可為50莫耳%以上、65莫耳%以下，前述二苯酮四羧酸二酐的含量可為10莫耳%以上、35莫耳%以下。
源自聯苯四甲酸二酐的聚醯亞胺鏈具有被稱為電荷轉移複合物（Charge transfer complex；CTC）的結構，即，電子供體（electron donnor）與電子受體（electron acceptor）彼此接近配置的規則性直線結構，加強了分子間相互作用（intermolecular interaction）。
另外，具有羰基的二苯酮四羧酸二酐也與聯苯四甲酸二酐一樣，有助於CTC的表達。
特別是可追加包含均苯四甲酸二酐作為前述二酐成分。均苯四甲酸二酐是具有相對剛性結構的二酐成分，在能夠對聚醯亞胺膜賦予適宜彈性方面值得推薦。
另外，聯苯四甲酸二酐和二苯酮四羧酸二酐包含與芳族部分相應的2個苯環，相反，均苯四甲酸二酐包含與芳族部分相應的1個苯環。
在二酐成分中，均苯四甲酸二酐含量的增加，在以相同分子量為基準時，可理解為分子內的醯亞胺基增加，這可理解為在聚醯亞胺高分子鏈上，來源於前述均苯四甲酸二酐的醯亞胺基的比率比來源於聯苯四甲酸二酐和二苯酮四羧酸二酐的醯亞胺基相對增加。
若均苯四甲酸二酐的含量比過度減少，則相對剛性結構的成分減少，因而聚醯亞胺膜的機械特性會低下，無法達到希望的位準。
由於這種理由，前述聯苯四甲酸二酐和二苯酮四羧酸二酐的含量超過前述範圍時，聚醯亞胺膜的機械物性低下。
在一實現例中，前述聚醯亞胺膜可包括由2個以上的嵌段構成的嵌段共聚物。
前述嵌段共聚物的至少一個嵌段可包括均苯四甲酸二酐與4,4'-二胺苯甲醯苯胺的結合。
透過這種嵌段共聚物的嵌段調整，可提高聚醯亞胺膜的玻璃轉移溫度，確保聚醯亞胺膜的高溫熱穩定性。
在一實現例中，前述聚醯亞胺膜的彈性模數可為5GPa以上，強度可為340MPa以上。
另外，前述聚醯亞胺膜的玻璃轉移溫度（Tg）可為360℃以上，伸長率可為60%以上。
特別是諸如伸長率的物性，一般會難以與強度同時達到較佳位準，但本發明的包括含有醯胺基的4,4'-二胺苯甲醯苯胺的組分和配比可在表達較佳位準的強度的同時在抑制延伸率下降中發揮主要作用。
在本發明中，聚醯胺酸的製造例如可有以下方法等。
（1）方法，將二胺成分全量加入溶劑中，然後添加二酐成分以使得與二胺成分實質上達到等莫耳並進行聚合。
（2）方法，將二酐成分全量加入溶劑中，然後添加二胺成分以使得與二酐成分實質上達到等莫耳並進行聚合。
（3）方法，將二胺成分中一部分成分加入溶劑中後，相對於反應成分，將二酐成分中一部分成分按約95~105莫耳%的比率混合後，添加剩餘二胺成分，接著添加剩餘二酐成分，使二胺成分和二酐成分實質上達到等莫耳並進行聚合。
（4）方法，將二酐成分加入溶劑中後，相對於反應成分，將二胺化合物中一部分成分按95~105莫耳%比率混合後，添加其他二酐成分，接著繼續添加剩餘二胺成分，使二胺成分和二酐成分實質上達到等莫耳並進行聚合。
（5）方法，在溶劑中使一部分二胺成分與一部分二酐成分反應以使某一者過量，形成第一組合物，在又一溶劑中，使一部分二胺成分與一部分二酐成分反應以使某一者過量，形成第二組合物，然後混合第一、第二組合物而完成聚合，此時，在形成第一組合物時，二胺成分過剩時，在第二組合物中使二酐成分過量，第一組合物中二酐成分過剩時，在第二組合物中使二胺成分過量，混合第一、第二組合物，使得其反應所使用的全體二胺成分和二酐成分實質上達到等莫耳並進行聚合。
不過，並非前述聚合方法只限定於以上示例，聚醯胺酸的製造當然可使用公知的任意方法。
在一個具體示例中，本發明的聚醯亞胺膜的製造方法可包括： （a）將包括聯苯四甲酸二酐（BPDA）、均苯四甲酸二酐（PMDA）和二苯酮四羧酸二酐 （BTDA）的二酐成分與由二胺基二苯醚（ODA）、對苯二胺（PPD）和4,4'-二胺苯甲醯苯胺（DABA）構成的二胺成分在有機溶劑中聚合以製造聚醯胺酸的步驟；及（b）使前述聚醯胺酸進行醯亞胺化的步驟。
在一實現例中，以前述二胺成分總含量100莫耳%為基準，前述二胺基二苯醚的含量可為23莫耳%以上、43莫耳%以下，前述對苯二胺的含量可為50莫耳%以上、60莫耳%以下，前述4,4'-二胺苯甲醯苯胺的含量可為10莫耳%以上、30莫耳%以下，以前述二酐成分總含量100莫耳%為基準，前述聯苯四甲酸二酐的含量可為15莫耳%以上、30莫耳%以下，前述均苯四甲酸二酐的含量可為50莫耳%以上、65莫耳%以下，前述二苯酮四羧酸二酐的含量可為10莫耳%以上、35莫耳%以下。
前述聚醯亞胺膜的彈性模數可為5GPa以上，強度可為340MPa以上，玻璃轉移溫度（Tg）可為360℃以上，伸長率可為60%以上。
在本發明中，可將如上所述的聚醯胺酸的聚合方法定義為任意（random）聚合方式，透過如上所述的製程製造的本發明的由聚醯胺酸製造的聚醯亞胺膜，由於本發明的改善機械特性和耐熱性的效果，因而較佳可適用。
另一方面，用於合成聚醯胺酸的溶劑不特別限定，只要是使聚醯胺酸溶解的溶劑，則任何溶劑均可使用，但較佳為醯胺類溶劑。
具體地，前述溶劑可為有機極性溶劑，詳細地，可為非質子極性溶劑（aprotic polar solvent），例如，可為選自由N,N-二甲基甲醯胺（DMF）、N,N-二甲基乙醯胺（DMAc）、N-甲基吡咯啶酮（NMP）、對氯苯酚、鄰氯苯酚、N-甲基吡咯啶酮 （NMP）、γ 丁內酯 （GBL）和二甘醇二甲醚（Diglyme）構成的組的一種以上，但並非限定於此，可根據需要而單獨使用或組合兩種以上使用。
在一個示例中，前述溶劑尤其較佳可使用N,N-二甲基甲醯胺和N,N-二甲基乙醯胺。
另外，在聚醯胺酸製造製程中，亦可添加除奈米二氧化矽以外的填料以改善滑動性、導熱性、耐電暈性、環硬度等膜的多種特性。添加的填充材料不特別限定，作為較佳示例，可例如氧化鈦、氧化鋁、氮化矽、氮化硼、磷酸氫鈣、磷酸鈣、雲母等。
填充材料的粒徑不特別限定，可根據需改性的薄膜特性和添加的填充材料種類決定。一般地，平均粒徑為0.05 μm至100 μm，較佳為0.1 μm至75 μm，更佳為0.1 μm至50 μm，尤其較佳為0.1 μm至25 μm。
若粒徑低於該範圍，則難以表現出改性效果，若超過該範圍，則存在極大損傷表面性或機械特性大幅下降的情形。
另外，對於填充材料的添加量也不特別限定，可根據需改性的薄膜特性或填充材料粒徑等決定。一般地，填充材料的添加量相對於聚醯亞胺100重量份，為0.01至100重量份，較佳為0.01至90重量份，更佳為0.02至80重量份。
若填充材料添加量低於該範圍，則難以表現出填充材料的改性效果，若超過該範圍，則存在薄膜機械特性受到極大損傷的可能性。填充材料的添加方法不特別限定，亦可使用公知的任何方法。
在本發明的製造方法中，聚醯亞胺膜可透過熱醯亞胺化法和化學醯亞胺化法製造。
另外，亦可透過熱醯亞胺化法和化學醯亞胺化法並用的複合醯亞胺化法製造。
所謂前述熱醯亞胺化法，是不使用化學催化劑而利用熱風或紅外線乾燥器等熱源來誘導醯亞胺化反應的方法。
前述熱醯亞胺化法可將前述凝膠薄膜在100℃至600℃範圍的可變溫度下進行熱處理，以使凝膠薄膜中存在的醯胺基進行醯亞胺化，詳細地，可在200℃至500℃下，更詳細地，可在300℃至500℃下進行熱處理，以使凝膠薄膜中存在的醯胺基進行醯亞胺化。
不過，在形成凝膠薄膜的過程中，醯胺酸中一部分（約0.1莫耳%至10莫耳%）也會被醯亞胺化，為此，可在50℃至200℃範圍的可變溫度下乾燥聚醯胺酸組合物，這亦可包括於前述熱醯亞胺化法的範疇。
就化學醯亞胺化法而言，可根據本行業公知的方法，利用脫水劑和醯亞胺化劑來製造聚醯亞胺膜。其中，所謂「脫水劑」，意指透過對聚醯胺酸的脫水作用來促進閉環反應的物質，作為關於此的非限制性示例，可例如脂族酸酐、芳族酸酐、N,N'-二烷基碳二亞胺、鹵化低級脂族酸酐、鹵化低級帕特酸酐、芳基膦酸二鹵化物和亞硫醯鹵化物等。其中，從易得性和費用的角度，較佳可為脂族酸酐，作為其非限制性示例，可例如乙酸酐（或無水醋酸，AA）、丙酸酐和乳酸酐等，其可單獨使用或混合兩種以上使用。
另外，所謂「醯亞胺化劑」，意指對聚醯胺酸具有促進閉環反應的效果的物質，例如可為脂族三級胺、芳族三級胺和雜環三級胺等亞胺系成分。其中，從作為催化劑的反應性角度，較佳可為雜環三級胺。作為雜環三級胺的非限制性示例，可例如喹啉、異喹啉、β-甲基吡啶（BP）和吡啶等，其可單獨使用或兩種以上混合使用。
脫水劑的添加量相對於聚醯胺酸中1莫耳醯胺酸基團，較佳為0.5莫耳至5莫耳的範圍內，尤其較佳1.0莫耳至4莫耳的範圍內。另外，醯亞胺化劑的添加量相對於聚醯胺酸中1莫耳醯胺酸基團較佳為0.05莫耳至2莫耳的範圍內，尤其較佳可為0.2莫耳至1莫耳的範圍內。
若前述脫水劑和醯亞胺化劑低於前述範圍，則化學醯亞胺化會不充分，製造的聚醯亞胺膜會發生裂隙，膜的機械強度也會低下。另外，若其的添加量超過前述範圍，則醯亞胺化會過快進行，此時，難以流延成膜形態或所製造的聚醯亞胺膜會表現出脆性（brittle），因而不推薦。
作為複合醯亞胺化法的一個示例，可在聚醯胺酸溶液中投入脫水劑和醯亞胺化劑後，在80℃至200℃下，較佳在100℃至180℃下加熱，在部分固化並乾燥後，在200℃至400℃下加熱5至400秒時間，從而可製造聚醯亞胺膜。
本發明提供一種包括上述聚醯亞胺膜和熱可塑性樹脂層的多層膜及包括上述聚醯亞胺膜和導電性金屬箔的可撓性覆金屬箔積層板。
作為前述熱可塑性樹脂層，例如可應用熱可塑性聚醯亞胺樹脂層等。
作為使用的金屬箔，不特別限定，但在將本發明的可撓性覆金屬箔積層板用於電子設備或電氣設備用途的情況下，例如可為包括銅或銅合金、不鏽鋼或其合金、鎳或鎳合金（也包括42合金）、鋁或鋁合金的金屬箔。
在普通的可撓性覆金屬箔積層板中，多使用被稱為軋製銅箔、電解銅箔的銅箔，在本發明中亦可較佳使用。另外，在這些金屬箔表面亦可塗覆有防鏽層、耐熱性或黏合層。
在本發明中，對於前述金屬箔的厚度不特別限定，根據其用途，只要是能夠充分發揮功能的厚度即可。
本發明的可撓性覆金屬箔積層板可為在前述聚醯亞胺膜的一面層壓有金屬箔或在前述聚醯亞胺膜的一面附加含有熱可塑性聚醯亞胺的黏合層，並在前述金屬箔附著於黏合層的狀態下進行層壓的結構。
本發明還提供一種包括前述可撓性覆金屬箔積層板作為電信號傳輸電路的電子部件。
下文透過發明的具體實施例，更詳細描述發明的作用和效果。不過，這種實施例只是作為發明示例而提出的，發明的申請專利範圍不由此限定。
＜製造例＞
向具有攪拌器和氮氣注入管、排出管的500ml反應器中注入氮氣，同時投入DMF，將反應器溫度設置為30℃後，投入作為二胺成分的二胺基二苯醚（ODA）、對苯二胺（PPD）和4,4'-二胺苯甲醯苯胺（DABA），以及作為二酐成分的聯苯四甲酸二酐（BPDA）、均苯四甲酸二酐（PMDA）和二苯酮四羧酸二酐（BTDA），確認完全溶解。
然後，在氮氣氣氛下，將反應器溫度加熱升溫至40℃，並持續攪拌120分鐘，製造了聚醯胺酸。
在如此製造的聚醯胺酸中添加催化劑和脫水劑，透過1500rpm以上高速旋轉去除氣泡後，利用旋塗機塗覆於玻璃基板上。
然後，在氮氣氣氛下，在120℃溫度下乾燥30分鐘而製造了膠膜，將其以2℃/min速度升溫至450℃，在450℃下熱處理60分鐘後，以2℃/min速度重新冷卻至30℃，從而獲得了最終的聚醯亞胺膜，並浸漬（dipping）於蒸餾水以從玻璃基板剝離。
製造的聚醯亞胺膜的厚度為15 μm。製造的聚醯亞胺膜的厚度使用安立（Anritsu）公司的膜厚度測量儀（Electric Film thickness tester）進行了測量。
＜實施例1至實施例4及比較例1至比較例3＞
根據前述製造例進行製造，但如表1所示調節了二胺單體和二酐單體的含量。
[表1]
二胺單體（莫耳%） 二酐單體（莫耳%）
PPD ODA 4,4-DABA PMDA BTDA BPDA
實施例1 55 25 20 55 27 18
實施例2 55 30 15 55 27 18
實施例3 55 35 10 55 27 18
實施例4 55 35 10 63 10 27
比較例1 55 45 0 63 10 27
比較例2 55 45 0 58 20 22
比較例3 67.5 22.5 10 40 35 25
＜實驗例＞ 彈性模數、強度、伸長率和玻璃轉移溫度評價
如上述表1所示，針對實施例1至實施例4和比較例1至比較例3分別製造的聚醯亞胺膜，測量了彈性模數、強度、伸長率和玻璃轉移溫度並示出於表2中。
（1）彈性模數、強度和伸長率
根據ASTM D 882測量方法，利用英斯特（Instron 3365SER）裝備測量了彈性模數、強度和伸長率。
（2）玻璃轉移溫度測量
玻璃轉移溫度（T g）是利用DMA求出各薄膜的損耗彈性率和存儲彈性率後，在其的切線圖中，將拐點測量為玻璃轉移溫度。
[表2]
彈性模數（GPa） 強度（MPa） 伸長率 （%） Tg（℃）
實施例1 5.1 370 85 364
實施例2 5.4 370 80 377
實施例3 5.7 375 77 369
實施例4 5.3 350 65 369
比較例1 6.2 330 40 371
比較例2 6.0 325 45 346
比較例3 6.1 330 56 357
如表2所確認，根據本發明實施例製造的聚醯亞胺膜，彈性模數為5GPa以上，強度為340MPa以上，不僅機械強度優異，而且玻璃轉移溫度（Tg）為360℃以上，與此相應，熱穩定性也優異。
另外，與60%以上的伸長率對應，可同時進行優異的機械強度和優異的伸長率。
這種結果是透過本發明的特定成分和配比而達成的，可知各成分的含量發揮決定性作用。
相反，比較例1至比較例3的聚醯亞胺膜相比實施例1至實施例4的聚醯亞胺膜，彈性模數測量得更高。
但是，確認了比較例1至比較例3的聚醯亞胺膜的強度、伸長率比實施例1至實施例4的聚醯亞胺膜低，特別是相比實施例1和實施例4的聚醯亞胺膜，比較例2和比較例3的聚醯亞胺膜的玻璃轉移溫度也更低。
由此可預計比較例的聚醯亞胺膜難以實際應用於電子部件。
以上參照本發明實施例進行了描述，但只要是本發明所屬領域的一般技藝人士，便可以前述內容為基礎，在本發明的範疇內進行多樣應用和變形。
無
無。
無。

Claims (10)

  1. 一種聚醯亞胺膜，前述聚醯亞胺膜使聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化而製造，前述聚醯胺酸溶液包含：包括聯苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)和二苯酮四羧酸二酐(BTDA)的二酐成分；及包括二胺基二苯醚(ODA)、對苯二胺(PPD)和4,4'-二胺苯甲醯苯胺(DABA)的二胺成分，其中，以前述二酐成分的總含量100莫耳%為基準，前述聯苯四甲酸二酐的含量為15莫耳%以上、30莫耳%以下，前述均苯四甲酸二酐的含量為50莫耳%以上、65莫耳%以下，前述二苯酮四羧酸二酐的含量為10莫耳%以上、35莫耳%以下，其中，以前述二胺成分的總含量100莫耳%為基準，前述二胺基二苯醚的含量為23莫耳%以上、43莫耳%以下，前述對苯二胺的含量為50莫耳%以上、60莫耳%以下，前述4,4-二胺苯甲醯苯胺的含量為10莫耳%以上、30莫耳%以下，其中，前述聚醯亞胺膜的伸長率為60%以上。
  2. 如請求項1所述之聚醯亞胺膜，其中，前述聚醯亞胺膜包含由2個以上的嵌段構成的嵌段共聚物。
  3. 如請求項1所述之聚醯亞胺膜，其中，前述聚醯亞胺膜的彈性模數為5GPa以上，強度為340MPa以上。
  4. 如請求項1所述之聚醯亞胺膜，其中，前述聚醯亞胺膜的玻璃轉移溫度(Tg)為360℃以上。
  5. 一種聚醯亞胺膜的製造方法，包括以下步驟：(a)步驟，將包括聯苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)和二苯酮四羧酸二酐(BTDA)的二酐成分與由二胺基二苯醚(ODA)、對苯二胺(PPD)和4,4'-二胺苯甲醯苯胺(DABA)構成的二胺成分在有機溶劑中聚合 以製造聚醯胺酸；及(b)步驟，使前述聚醯胺酸進行醯亞胺化，其中，以前述二酐成分的總含量100莫耳%為基準，前述聯苯四甲酸二酐的含量為15莫耳%以上、30莫耳%以下，前述均苯四甲酸二酐的含量為50莫耳%以上、65莫耳%以下，前述二苯酮四羧酸二酐的含量為10莫耳%以上、35莫耳%以下，其中，以前述二胺成分的總含量100莫耳%為基準，前述二胺基二苯醚的含量為23莫耳%以上、43莫耳%以下，前述對苯二胺的含量為50莫耳%以上、60莫耳%以下，前述4,4-二胺苯甲醯苯胺的含量為10莫耳%以上、30莫耳%以下，其中，前述聚醯亞胺膜的伸長率為60%以上。
  6. 如請求項5所述之聚醯亞胺膜的製造方法，其中，前述聚醯亞胺膜的彈性模數為5GPa以上，強度為340MPa以上，玻璃轉移溫度(Tg)為360℃以上。
  7. 一種包括如請求項1至4中任一項所述之聚醯亞胺膜的多層膜。
  8. 一種多層膜，包括：如請求項1至4中任一項所述之聚醯亞胺膜；及熱可塑性樹脂層。
  9. 一種可撓性金屬箔積層板，包括：如請求項1至4中任一項所述之聚醯亞胺膜；及導電性金屬箔。
  10. 一種包括如請求項9所述之可撓性金屬箔積層板的電子部件。
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