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TWI782373B - 透明顯示裝置 - Google Patents

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Publication number
TWI782373B
TWI782373B TW109145560A TW109145560A TWI782373B TW I782373 B TWI782373 B TW I782373B TW 109145560 A TW109145560 A TW 109145560A TW 109145560 A TW109145560 A TW 109145560A TW I782373 B TWI782373 B TW I782373B
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TW
Taiwan
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electrode
area
power line
disposed
capacitor
Prior art date
Application number
TW109145560A
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TW202135352A (zh
Inventor
申起燮
金昌秀
金義泰
李昭易
Original Assignee
南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Publication date
Application filed by 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Publication of TW202135352A publication Critical patent/TW202135352A/zh
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Abstract

揭露一種透明顯示裝置，其可以防止在電容器的第一電容器電極與第二電容器電極之間發生短路。該透明顯示裝置包括：基板，設置有包含透射區域和非透射區域的顯示區域，在該顯示區域中設置有複數個子像素、以及圍繞該顯示區域的非顯示區域；驅動電晶體，設置在基板上方的非透射區域中，包含主動層、閘極電極、源極電極和汲極電極；以及電容器，設置在基板上方的非透射區域中，包含第一電容器電極和第二電容器電極。第二電容器電極不與驅動電晶體的主動層重疊。

Description

透明顯示裝置
本發明涉及一種透明顯示裝置。
隨著資訊導向型社會的進步，對顯示影像的顯示裝置的需求也以各種形式增加。近來，如液晶顯示器(LCD)裝置、電漿顯示面板(PDP)裝置、有機發光顯示(OLED)裝置以及量子點發光顯示器(QLED)裝置之各種類型的顯示裝置已經廣泛地運用。
最近，關於透明顯示裝置的研究正在積極地進行，以便使用者在顯示裝置發送之後，能看到佈置在顯示裝置對面上的目標或影像。
透明顯示裝置包括顯示影像的顯示區域和非顯示區域，其中顯示區域可以包含可透射外部光的透射區域和非透射區域。由於在透明顯示裝置的顯示區域中設置了透射區域，所以減少了包含發光區域的非透射區域的面積。由於複數個電路元件應設置在透明顯示裝置之狹小的非透射區域內，因此電路元件別無選擇只能藉由彼此重疊來形成。此時，在重疊區域中可能會發生電路元件之間的短路。
鑒於上述問題，本發明的目的是提供一種可防止驅動電晶體與電容器之間發生短路的透明顯示裝置。
本發明的另一個目的是提供一種透明顯示裝置，其中陽極電極可以穩定地與驅動電晶體接觸。
本發明的另一個目的是提供一種透明的顯示裝置，其可以防止最大化非透射區域中的發光區域。
除了如上所述的本發明的目的外，所屬技術領域中具有通常知識者將從本發明的以下描述中清楚地了解本發明的其他目的和技術特徵。
根據本發明的一個態樣，可以藉由提供一種透明顯示裝置來實現上述和其他目標，該透明顯示裝置包括一基板，設置有一顯示區域和一非顯示區域，該顯示區域包含一透射區域和一非透射區域，其中設置複數個子像素，且該非顯示區域圍繞該顯示區域；一驅動電晶體，設置該基板上方的該非透射區域中，包含一主動層、一閘極電極、一源極電極和一汲極電極；以及一電容器，置在該基板上方的該非透射區域中，包含一第一電容器電極和一第二電容器電極。該第二電容器電極不與該驅動電晶體的該主動層重疊。
根據本發明的另一個態樣，可以藉由提供一種透明顯示裝置來實現上述和其他目標，該透明顯示裝置包括：一基板，設置有包含一透射區域和一非透射區域的一顯示區域；一發光二極體，設置在該基板上方的該非透射區域中，包含一陽極電極、一發光層和一陰極電極；一驅動電晶體，設置在該發光二極體與該基板之間，並設置在該非透射區域的一第一區域中；以及一電容器，設置在該發光二極體與該基板之間，並設置在該非透射區域的一第二區域中。該電容器所設置處之該第二區域不與該驅動電晶體所設置處之該第一區域不重疊。
根據本發明，驅動電晶體和電容器設置為彼此不重疊，從而可以防止電容器的第一電容器電極與第二電容器電極之間發生短路。
另外，根據本發明，陽極輔助電極和第二平坦層可以另外形成在驅動電晶體和電容器上方，由此可以增加電路設計的自由程度。
另外，根據本發明，由於一接觸孔形成在電容器的第二電容器電極上方，其中陽極電極和陽極輔助電極通過該接觸孔彼此接觸，因此可以獲得接觸孔的平坦度，並可以準確地形成接觸孔，而不會損壞陽極輔助電極。因此，陽極電極和陽極輔助電極可以穩定地彼此接觸。
除了如上所述的本發明的效益外，所屬技術領域中具有通常知識者將從本發明的以下描述中清楚地了解本發明的其他效益和技術特徵。
100:透明顯示裝置
110:透明顯示面板
111:第一基板
112:第二基板
115:陽極輔助電極
120:陽極電極
121:第一陽極電極
121a,122a,123a:第一部分
121b,123b:第二部分
121c,123c:第三部分
122:第二陽極電極
123:第三陽極電極
125:堤部
130:有機發光層
131:綠光發射層
132:紅光發射層
133:藍光發射層
140:陰極電極
150:封裝層
160:黏著層
170:濾色層
180,181,182,183:第一共同電力連接電極
185:第二共同電力連接電極
195:第二參考連接電極
205:閘極驅動器
210:源極驅動積體電路
220:撓性薄膜
230:電路板
240:時序控制器
ACT:主動層
BM:黑色矩陣
C1:第一電容器電極
C2:第二電容器電極
CCT:陰極接觸部分
CF1:第一濾色片、濾色片
CF2:第二濾色片、濾色片
CF3:第三濾色片、濾色片
CH1:第一接觸孔
CH2:第二接觸孔
CH3:第三接觸孔
CH4:第四接觸孔
CH5:第五接觸孔
CH6:第六接觸孔
CH7:第七接觸孔
CH8:第八接觸孔
CH9:第九接觸孔
CH10:第十接觸孔
CH11:第十一接觸孔
CH12:第十二接觸孔
CH13:第十三接觸孔
CH14:第十四接觸孔
CH15:第十五接觸孔
CST:電容器
CSTA:第二區域
CT1:第一接觸部分
CT2:第二接觸部分
CT3:第三接觸部分
CT4:第四接觸部分
CT5:第五接觸部分
CV1:第一彎曲部分
d1,d2:距離
DA:顯示區域
DE:汲極電極
DP:第四焊墊
DT:驅動電晶體
DTA:第一區域
EA:發射區域
EA1:第一發射區域
EA2:第二發射區域
EA3:第三發射區域
GE:閘極電極
GI:閘極絕緣層
GL:閘極線
IA1:第一交叉區域
IA2:第二交叉區域
ILD1:第一層間絕緣層
ILD2:第二層間絕緣層
NDA:非顯示區域
NDA1:第一非顯示區域
NDA2:第二非顯示區域
NDA3:第三非顯示區域
NDA4:第四非顯示區域
NEA:非發射區域
NTA:非透射區域
NTA1:第一非透射區域
NTA2:第二非透射區域
P:像素
P1:第一子像素
P2:第二子像素
P3:第三子像素
PA:焊墊區域
PAD:焊墊
PC:焊墊連接電極
PLN1:第一平坦層
PLN2:第二平坦層
SE:源極電極
S1-1:一側
S1-2:另一側
S2-1,S3-1:第一側面
S2-2,S3-2:第二側面
S2-3,S3-3:第三側面
TA:透射區域
TA1:第一透射區域
TA2:第二透射區域
VDD:像素電力線
VDD1:第一像素電力線
VDD1-1:第一金屬層
VDD1-2:第二金屬層
VDD2:第二像素電力線
VDD21:第二像素電力線
VDD2-1:第一金屬層
VDD2-2:第二金屬層
VDD22:第二像素電力線
VDDL:像素電力線、第三像素電力線
VDDCL:像素電力連接線
VDDL-1:第一金屬層
VDDL-2:第二金屬層
VDDL-3:第三金屬層
VDDP:第一焊墊
VREF:參考線
VREF1:第一參考線
VREFL:第二參考線
VREFP:第三焊墊
VSS:共同電力線
VSS1:第一共同電力線
VSS1-1:第一金屬層
VSS1-2:第二金屬層
VSS2:第二共同電力線
VSS21:第二共同電力線
VSS2-1:第一金屬層
VSS2-2:第二金屬層
VSS2-3:第三金屬層
VSS22:第二共同電力線
VSSL:共同電力線、第三共同電力線
VSSL-1:第一金屬層
VSSL-2:第二金屬層
VSSP:第二焊墊
WA1,WA2,WA3,WA4,W1,W2,W3,W4,W5,W6,W7:寬度
A,B,C,D:區域
從以下結合圖示所採取的詳細描述中，將更清楚地理解本發明 的上述和其他目的、技術特徵和其他優點，其中：
圖1是示出根據本發明一個實施例之透明顯示裝置的立體圖；
圖2是示出透明顯示面板的平面示意圖；
圖3是圖2中之A區域的放大圖；
圖4是沿圖3之I-I'線所截取的剖面圖；
圖5A和圖5B是示出第一陽極電極、第二陽極電極狀和第三陽極電極的形狀的視圖；
圖6是示出陽極電極、第一層間絕緣層、第二層間絕緣層和堤部的平面圖；
圖7是示出設置在圖6之區域D中的驅動電晶體和電容器的視圖。
圖8是沿圖6之II-II'線所截取的剖面圖；
圖9是沿圖7之III-III'線所截取的剖面圖；
圖10是沿圖7之IV-IV'線所截取的剖面圖；
圖11是圖2中之B區域的放大圖；
圖12是沿圖11之V-V'線所截取的剖面圖；
圖13是沿圖11之VI-VI'線所截取的剖面圖；
圖14是圖2中之C區域的放大圖；
圖15是沿圖14之VII-VII'線所截取的剖面圖；以及
圖16是沿圖14之VIII-VIII'線所截取的剖面圖。
藉由以下參照圖示描述的實施例，將闡明本發明的優點和技術特徵及實施例的實施方法。然而，本發明可以不同的形式體現，並且不應理解為僅限於本文所述的實施例。相反地，提供這些實施例是為了使本發明周密和完整，並將本發明的範圍充分傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。此外，本發明僅由請求項的範圍界定。
圖中所揭露用於描述本發明的實施例的形狀、尺寸、比例、角度和數字只是一個示例，因此，本發明不限於圖式的細節。元件符號指的是整個發明說明書中的同類元件。在下面的描述中，當確定對相關已知功能或配置的詳細描述會不必要地模糊本發明的重要觀點時，將省略詳細描述。在使用本發明說明書所述的「包括」、「有」的情況下，除非使用「僅~」，否則可以添 加另一部分。單數形式的詞語可以包括複數形式，除非有提出相反的說法。
儘管沒有明確的描述，但是在建構元件時，該元件包括誤差範圍。
在描述位置關係時，例如，當將位置關係描述為「在……上」、「在……之上」、「在……之下」和「在……旁邊」時，一個或多個部分可以佈置在其他兩個部分之間，除非使用「只」或「直接」。
可以理解的是，雖然使可以用「第一」、「第二」等詞語來描述各種元件，但這些元件不應受到這些詞語的限制。這些詞語僅用於區分一個元件和另一個元件。例如，在不脫離本發明的範圍的情況下，第一元件可以稱為第二元件，而且同樣地，第二元件可以稱為第一元件。
在描述本發明的元件時，可以使用詞語「第一」、「第二」等。這些詞語旨在從其他元件中識別出相應的元件，並且相應元件的基礎、順序或數量不受這些詞語的限制。元件「連接」或「耦接」到另一元件的表達應理解為該元件可以直接連接或耦接到另一元件，但是除非特別提及可以直接地連接或耦接到另一元件，第三元件可以插入介於相應的元件之間。
本發明的各種實施例的技術特徵可以部分地或整體地耦接到一起或相互組合，並且以所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解的方式，在技術上廣泛地相互運作和驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地執行，或者以相互依賴的關係一起執行。
以下，將參考圖示詳細描述根據本發明的透明顯示裝置的示例。在所有圖示中，將盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部件。
圖1是示出根據本發明一個實施例之透明顯示裝置的立體圖。
以下，X軸表示與閘極線平行的線，Y軸表示與資料線平行的線，Z軸表示透明顯示裝置100的高度方向。
儘管已基於根據本發明一個實施例之透明顯示裝置100的描述體現為有機發光顯示裝置裝置，但是透明顯示裝置100可以體現為液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、量子點發光顯示裝置(QLED)或電泳顯示裝置。
參考圖1，根據本發明一個實施例的透明顯示裝置100包括：透明顯示面板110、源極驅動積體電路(source drive integrated circuit,IC)210、撓 性薄膜220、電路板230、以及時序控制器240。
透明顯示面板110包括彼此面對的第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封裝基板。第一基板111可以是塑膠薄膜、玻璃基板或使用半導體製程形成的矽晶圓基板。第二基板112可以是塑膠薄膜、玻璃基板或封裝薄膜。第一基板111和第二基板112可以由透明材料製成。
閘極驅動器根據從時序控制器240提供的閘極控制訊號向閘極線供應閘極訊號。閘極驅動器可以藉由面板中的閘極驅動(gate driver in panel,GIP)方法設置在透明顯示面板110的顯示區域的一側，或設置在透明顯示面板110的兩側周邊的非顯示區域。在另一種方式中，閘極驅動器可以製造在驅動晶片中、可以安裝在撓性薄膜220上、並可以藉由帶式自動接合(tape automated bonding,TAB)方法附接到透明顯示面板110的顯示區域的一側，或者附接到透明顯示面板110的周邊兩側的非顯示區域。
源極驅動積體電路210從時序控制器240接收數位影音資料和源極控制訊號。源極驅動積體電路210根據源極控制訊號將數位影音資料轉換為類比資料電壓，並將類比資料電壓供應給資料線。如果源極驅動積體電路210製造在驅動晶片中，則源極驅動積體電路210可以藉由薄膜覆晶封裝(chip on film,COF)方法或塑膠基板接合製程(chip on plastic,COP)方法安裝在撓性薄膜220上。
焊墊，例如電源焊墊和資料焊墊，可以形成在透明顯示面板110的非顯示區域中。可以在撓性薄膜220中形成將焊墊與源極驅動積體電路210連接的線以及將焊墊與電路板230的線連接的線。撓性薄膜220可以使用異向性導電薄膜附接到焊墊上，由此，焊墊可以與撓性薄膜220的線連接。
圖2是示出透明顯示面板的平面示意圖；圖3是圖2中之A區域的放大圖；圖4是沿圖3之I-I'線所截取的剖面圖；以及圖5A和圖5B是示出第一陽極電極、第二陽極電極和第三陽極電極的形狀的視圖。
第一基板111可以包括形成像素P以顯示影像的顯示區域DA；以及不顯示影像的非顯示區域NDA。
如圖3所示，顯示區域DA包括透射區域TA和非透射區域NTA。透射區域TA是指大部分外部入射光通過的區域，而非透射區NTA是指大部分外部入射光未能透射的區域。例如，透射區域TA可以是透光率大於α%的區域，例 如90%，而非透射區域NTA可以是透光率小於β%的區域，例如50%。此時，α大於β。由於透射區域TA，使用者可以觀看佈置在透明顯示面板110的後表面上的物體或背景。
非透射區NTA可以設置有像素電力線VDD(VDDL)、共同電力線VSS(VSSL)、參考線、資料線、閘極線GL、以及像素P。
閘極線GL可以沿第一方向(X軸方向)延伸，並且在顯示區域DA中交叉於像素電力線VDD(VDDL)、共同電力線VSS(VSSL)和資料線。
像素電力線VDD(VDDL)、共同電力線VSS(VSSL)、參考線和資料線可以沿第二方向(Y軸方向)延伸。此時，像素電力線VDD(VDDL)和共同電力線VSS(VSSL)可以交錯地設置在顯示區域DA中。透射區域TA可以設置在像素電力線VDD(VDDL)與共同電力線VSS(VSSL)之間。
像素P發出預設光以顯示影像。發射區域EA可以對應於像素P中的一個發光區域。
每一個像素P可以包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。第一子像素P1可以設置以包含發射綠光的第一發射區EA1，第二子像素P2可以設置以包含發射紅光的第二發射區EA2，第三子像素P3可以設置以包含發射藍光的第三發射區EA3，但這些子像素不限於此。每一個像素P可以進一步包含一個發射白光的子像素。子像素P1、P2和P3的排列順序可以以各種方式改變。
以下，為了描述的方便，將基於第一子像素P1為發出綠光的綠色子像素、第二子像素P2為發出紅光的紅色子像素、第三子像素P3為發出藍光的藍色子像素進行描述。
在第一交叉區域IA1中，共同電力線VSS(VSSL)和閘級線GL彼此交叉，而在第二交叉區域IA2中，像素電力線VDD(VDDL)和閘級線GL彼此交叉。
例如，如圖3所示，第一子像素P1的至少一部分可以設置以重疊於第一交叉區域IA1，其中共同電力線VSS(VSSL)和閘極線GL彼此交叉，但不限於此。第三子像素P3的至少一部分可以設置以重疊於第二交叉區域IA2，其中像素電力線VDD(VDDL)和閘極線GL彼此交叉，但不限於此。第一子像素P1可以設置以重疊於第二交叉區域IA2，而第三子像素P3可以設置以重疊於第一交叉區域IA1。另外，第一子像素P1和第三子像素P3可以沿共同電力線VSS(VSSL) 交錯設置，或可以沿像素電力線VDD(VDDL)交錯設置。
第二子像素P2可以設置在第一交叉區域IA1與第二交叉區域IA2之間。例如，第二子像素P2可以設置在第一子像素P1與第三子像素P3之間。此時，第二子像素P2的至少一部分可以與閘極線GL重疊。
第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的每一個可以包括電路元件，其包含電容器、薄膜電晶體和發光二極體等。薄膜電晶體可以包括開關電晶體、感測電晶體和驅動電晶體DT。
開關電晶體根據供應給閘極線GL的閘極訊號進行切換，並作用以將從資料線提供的資料電壓供應給驅動電晶體DT。
感測電晶體作用以感測驅動電晶體DT的臨界電壓差異，這是造成影像品質下降的原因。
驅動電晶體DT根據從開關電晶體供應的資料電壓進行切換，以從像素電力線VDD(VDDL)供應的電源來產生資料電流，並作用以將所產生的資料電流供應給像素的陽極電極120。
驅動電晶體DT包括：主動層ACT、閘極電極GE、源極電極SE、以及汲極電極DE。
電容器將供應給驅動電晶體DT的資料電壓維持一個訊框。電容器包括第一電容器電極和第二電容器電極。
詳細來說，主動層ACT可以設置在第一基板111上方。主動層ACT可以由矽半導體材料或氧化物半導體材料形成。可以在主動層ACT與第一基板111之間設置緩衝層(圖未示出)。
閘極絕緣層GI可以設置在主動層ACT上方。閘極絕緣層GI可以形成無機薄膜，例如，氧化矽(SiOx)薄膜、氮化矽(SiNx)薄膜或由SiOx和SiNx組成的多層薄膜。
閘極電極GE和第一電容器電極可以設置在閘極絕緣層GI上方。閘極電極GE和第一電容器電極可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一種或它們的合金製成的單層或多層來形成。
第一層間絕緣層ILD1可以設置在閘極電極GE和第一電容器電極上方。第一層間絕緣層ILD1可以形成無機層，例如，氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或由SiOx和SiNx組成的多層。
第二電容器電極可以設置在第一層間絕緣層ILD1上方。第二電容器電極可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一種或它們的合金製成的單層或多層來形成。
第二層間絕緣層ILD2可以設置在第二電容器電極上方。第二層間絕緣層ILD2可以形成無機層，例如，氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或由SiOx和SiNx組成的多層。
源極電極SE和汲極電極DE可以設置在第二層間絕緣層ILD2上方。源極電極SE和汲極電極DE可以通過穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第一接觸孔CH1連接到主動層ACT。
源極電極SE和汲極電極DE可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu之中的任何一種或它們的合金製成的單層或多層來形成。
第一平坦層PLN1可以設置在源極電極SE和汲極電極DE上方，以將由驅動電晶體DT引起的階差平坦化。第一平坦層PLN1可以由有機層形成，例如，丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等。
陽極輔助電極115可以設置在第一平坦層PLN1上方。陽極輔助電極115可以通過穿過第一平坦層PLN1的第二接觸孔CH2連接到源極電極SE和汲極電極DE的其中之一。例如，陽極輔助電極115可以通過穿過第一平坦層PLN1的第二接觸孔CH2連接到汲極電極DE。
陽極輔助電極115可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一種或它們的合金製成的單層或多層來形成。
第二平坦層PLN2可以形成在陽極輔助電極115上方。第二平坦層PLN2可以由有機層形成，例如，丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等。
由陽極電極120、有機發光層130以及陰極140和堤部125形成的發光二極體設置在第二平坦層PLN2上方。
陽極電極120可以設置在第二平坦層PLN2上方並因此與驅動電晶體DT連接。詳細地，陽極電極120可以通過穿過第二平坦層PLN2的第三接觸孔CH3連接到陽極輔助電極115。由於陽極輔助電極115通過第二接觸孔CH2連接到驅動電晶體DT的源極電極SE或汲極電極DE，因此陽極電極120可以與驅動電晶體DT電性連接。
可以為每一個子像素P1、P2和P3設置陽極電極120。詳細地，一個陽極電極120可以形成在第一子像素P1中，另一個陽極電極120可以形成在第二子像素P2中，且再另一個陽極電極120可以形成在第三子像素P3中。
根據本發明一個實施例的陽極電極120可以包括第一陽極電極121、第二陽極電極122、以及第三陽極電極123。
第一陽極電極121可以設置在共同電力線VSS上方。詳細地，第一陽極電極121的至少一部分可以設置以重疊於共同電力線VSS(VSSL)和閘極線GL彼此交叉處的第一交叉區域IA1。
第一陽極電極121可以沿共同電力線VSS(VSSL)以複數個設置在共同電力線VSS(VSSL)上方。設置有複數個第一陽極電極121的複數個子像素可以是第一子像素P1和第三子像素P3中的至少一個。例如，設置有複數個第一陽極電極121的子像素可以是第一子像素P1。又例如，設置有複數個第一陽極電極121的子像素可以是第三子像素P3。再例如，設置有複數個第一陽極電極121的子像素可以是第一子像素P1和第三子像素P3。此時，第一子像素P1和第三子像素P3可以交替地設置在共同電力線VSS(VSSL)上方。
第三陽極電極123可以設置在像素電力線VDD(VDDL)上方。詳細地，第三陽極電極123的至少一部分可以設置以重疊於像素電力線VDD(VDDL)和閘極線GL彼此交叉處的第一交叉區域IA2。
第三陽極電極123可以沿像素電力線VDD(VDDL)以複數個設置在像素電力線VDDL上方。設置有複數個第三陽極電極123的子像素可以是第一子像素P1和第三子像素P3中的至少一個。例如，設置有複數個第三陽極電極123的子像素可以是第一子像素P1。又例如，設置有複數個第三陽極電極123的子像素可以是第三子像素P3。再例如，設置有複數個第三陽極電極123的子像素複數個可以是第一子像素P1和第三子像素P3。此時，第一子像素P1和第三子像素P3可以交錯地設置在像素電力線VDD(VDDL)上方。
第二陽極電極122可以設置在第一陽極電極121與第三陽極電極123之間。詳細地，第二陽極電極122可以設置在置於第一交叉區域IA1與第二交叉區域IA2之間的閘極線GL上方。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的形狀可以不同於第二陽極電極122的形狀。
詳細地，如圖5A所示，第一陽極電極121和第三陽極電極123中的每一個可以包括第一部分121a和123a以及第二部分121b和123b。在一個實施例中，第一陽極電極121和第三陽極電極123可以進一步包括第三部分121c和123c。第一陽極電極121、第三陽極電極123的第一部分121a和123a可以設置以重疊於共同電力線VSS和閘極線GL彼此交叉處的第一交叉區域IA1。例如，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第一部分121a和123a可以具有矩形形狀，但不限於此。第一陽極121和第三陽極123的第一部分121a和123a可以形成為各種形狀，例如圓形、半圓形和多邊形。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第一部分121a和123a可以在其下方設置有諸如開關電晶體、感測電晶體和驅動電晶體DT的薄膜電晶體以及電容器。第一陽極電極121和第三陽極電極123的第一部分121a和123a可以具有預定寬度WA1，以部分地重疊於設置在其下方的薄膜電晶體和電容器。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以從第一部分121a和123a的一側S1-1突出。此時，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以設置在共同電力線VSS(VSSL)上方。第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以朝共同電力線VSS(VSSL)所延伸的方向即第二方向(Y軸方向)突出。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和23b可以包括：第一側面S2-1，面向第一部分121a和123a；以及第二側面S2-2和第三側面S2-3，將第一側面S2-1與第一部分121a和123a連接。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以在第一側面S2-1具有比第一部分121a和123a的寬度WA1窄的寬度WA2。第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以在其下方設置有複數條金屬線，例如共同電力線VSS(VSSL)或像素電力線VDD(VDDL)的電力線、資料線和參考線。此時，共同電力線VSS(VSSL)、資料線和參考線可以在相同方向上、即第二方向(Y軸方向)上、平行設置。因此，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b以寬度WA2重疊於複數條金屬線，該寬度WA2比第一部分121a和123a的寬度WA1窄。
同時，如圖5A所示，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以在第一側面S2-1與第一部分121a和123a之間設置有第一 彎曲部分CV1。詳細地，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以包括將第一側面S2-1與第一部分121a和123a連接的第二側面S2-2和第三側面S2-3。第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b的第二側面S2-2可以包括一個第一彎曲部分CV1，其以曲線從一個點連接到第一部分121a和123a。而且，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b的第三側面S2-3可以包括另一個第一彎曲部分CV1，其以曲線從一個點連接到第一部分121a和123a。此時，第一彎曲部分CV1可以朝向內方向凹陷。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以從第一部分121a和123a的另一側S1-2突出。此時，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以設置在共同電力線VSS上方。第一陽極電極12和、第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以朝共同電力線VSS(VSSL)所延伸的方向即第二方向(Y軸方向)突出。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以包括面向第一部分121a和123a的第一側面S3-1；以及將第一側面S3-1與第一部分121a和123a連接的第二側面S3-2和第三側面S3-3。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以在第一側面S3-1具有比第一部分121a和123a的寬度WA1窄的寬度WA3。第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以在其下方設置有複數條金屬線，例如共同電力線VSS(VSSL)或像素電力線VDD(VDDL)之類的電力線、資料線和參考線。此時，共同電力線VSS(VSSL)、資料線和參考線可以在相同方向上、即第二方向(Y軸方向)上、平行設置。因此，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c以寬度WA3重疊於複數條金屬線，其中該寬度WA3比第一部分121a和123a的寬度WA1窄。
第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c以及第一陽極電極121和第三陽極電極123的第二部分121b和123b可以藉由插入第一部分121a和123a而具有對稱的形狀。
同時，如圖5A所示，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以在第一側面S3-1與第一部分121a和123a之間設置第一彎曲部分CV1。詳細地，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c可以包括第二側面S3-2和第三側面S3-3，將第一側面S3-1與第一部分121a和 123a連接。第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c的第二側面S3-2可以包括一個第一彎曲部分CV1，其以曲線從一點連接到第一部分121a和123a。而且，第一陽極電極121和第三陽極電極123的第三部分121c和123c的第三側面S3-3可以包括另一個第一彎曲部分CV1，其以曲線從一個點連接到第一部分121a和123a。此時，第一彎曲部分CV1可以朝向內方向凹陷。
同時，如圖5B所示，第二陽極電極122可以僅設置第一部分122a。如圖5B所示，第二陽極電極122的第一部分122a可以具有矩形形狀，但不限於此。第二陽極電極122的第一部分122a可以形成為各種形狀，諸如圓形、半圓形和多邊形。
第二陽極電極122的第一部分122a可以在其下方設置有諸如開關電晶體、感測電晶體和驅動電晶體DT之類的薄膜電晶體以及電容器。第二陽極電極122的第一部分122a可以具有寬度WA4，其可以重疊於設置在其下方的薄膜電晶體和電容器。第二陽極電極122的第一部分122a的寬度WA4可以窄於第一陽極電極121和第三陽極電極123的第一部分121a和123a的寬度WA1，但不限於此。第二陽極電極122的第一部分122a的寬度WA4可以等於第一陽極電極121和第三陽極電極123的第一部分121a和123a的寬度WA1。
第二陽極電極122的面積可以小於第一陽極電極121的面積和第三陽極電極123的面積。因此，設置有第二陽極電極122的第二子像素P2的發光區域可以小於設置有第一陽極電極121或第三陽極電極123第一子像素P1和第三子像素P3的發光區域。在一個實施例中，第二子像素P2可以是發射紅光的紅色子像素。通常，由於紅色子像素具有比綠色子像素和藍色子像素更優異的壽命，因此即使紅色子像素形成為小的區域，透明顯示面板110的壽命也不會降低。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第一陽極電極121和第三陽極電極123可以包括第一部分121a和123a；第二部分121b、123b；以及第三部分121c、123c，其中第二部分121b和123b及第三部分121c和123c在第二方向(Y軸方向)上從第一部121a和123a突出。
此時，第二部分121b和123b及第三部分121c和123c可以重疊於設置在其下方並在第二方向(Y軸方向)上延伸的複數條金屬線。此時，複數條金屬線可以設置為在同一層上彼此間隔開。例如，資料線和參考線可以在與驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE相同的層上彼此間隔開。共同電力線VSS (VSSL)或像素電力線VDD(VDDL)可以設置在與陽極輔助電極115相同的層上。
如果這些金屬線平行地設置為彼此間隔開，則在金屬線之間可以形成狹縫，特別是長的線狀或矩形形狀。如果外部光線穿過該狹縫，可能會發生繞射。
繞射可以意味著當光穿過狹縫時，從平面波變成球面波後，在球面波中會發生干涉。因此，當在球面波中發生內插干涉和破壞性干涉時，穿過狹縫的外部光可能具有不規則的光強度。結果，可能會減低佈置在透明顯示面板110的相對側的標的物或影像的解晰度。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，在第二方向(Y軸方向)上從第一部分121a和123a突出的第二部分121和123b、第三部分121c和123c可以形成在第一陽極電極121和第三陽極電極123中，以在可能的情況下重疊於設置在第一陽極電極121和第三陽極電極123下方的複數條金屬線。因此，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以防止由於複數條金屬線所造成的繞射。
此外，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由在第一陽極電極121和第三陽極電極123中形成第二部分121b和123b及第三部分121c和123c來增加發射區域EA的面積。
第一陽極電極121和第三陽極電極123中的每一個可以由高反射率的金屬材料形成，例如鋁和鈦的沉積結構(Ti/Al/Ti)、鋁和ITO的沉積結構(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉積結構(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是銀(Ag)、鈀(Pb)和銅(Cu)的合金。
堤部125可以設置在第二平坦層PLN2上方。另外，堤部125可以設置在陽極電極120之間。詳細地，堤部125可以設置在第一陽極電極121、第二陽極電極122和第三陽極電極123之間，其中第一陽極電極121、第二陽極電極122和第三陽極電極123設置以在第一方向(X軸方向)上彼此鄰接。另外，堤部125可以沿第二方向(Y軸方向)設置在置於共同電力線VSS上方的複數個第一陽極電極121之間。另外，堤部125可以沿第二方向(Y軸方向)設置在置於共同電力線VDD上方的複數個第三陽極電極123之間。
堤部125可以形成以重疊於第一陽極電極121、第二陽極電極122 和第三陽極電極123中的每一個邊緣，並部分地曝露第一陽極電極121、第二陽極電極122和第三陽極電極123中的每一個。因此，堤部125可以防止由於電流集中在第一陽極電極121、第二陽極電極122和第三陽極電極123的端部上而導致的發光效率劣化。
堤部125可以分別界定子像素P1、P2和P3的發射區域EA1、EA2和EA3。在這種情況下，不形成堤部125而曝露陽極電極120的區域可以是發射區域EA，而其他區域可以是非發射區域NEA。
堤部125可以由有機薄膜形成，例如，丙烯酸材料、環氧材料、酚材料、聚酰胺材料、聚酰亞胺材料等。
有機發光層130可以設置在陽極電極120上方。有機發光層130可以包括：電洞傳輸層、發光層和電子傳輸層。在這種情況下，如果電壓施加至陽極電極120和陰極電極140，則電洞和電子會分別透過電洞傳輸層和電子傳輸層移動到發光層，並在發光層中彼此結合以發光。
如圖4所示，有機發光層130可以包括多個發光層，每一個發光層皆針對每一個子像素P1、P2和P3來形成。例如，發射綠光的綠光發射層131可以形成在第一子像素P1中，發射紅光的紅光發射層132可以形成在第二子像素P2中，而發射藍光的藍光發射層133可以形成在第三子像素P3中。在這種情況下，有機發光層130的發光層不形成在透射區域TA中。
陰極電極140可以設置在有機發光層130和堤部125上方。陰極電極140可以設置在透射區域TA以及包含發射區域EA的非透射區域NTA中，但不限於此。陰極電極140可以僅設置在包含發射區域EA的非透射區域NTA中，並可以不設置在透射區域TA中以提高透光率。
陰極電極140可以是共同為子像素P1、P2和P3所形成的共同層，以對子像素P1、P2和P3施加相同的電壓。陰極電極140可以由透明的導電材料(TCO)如ITO和IZO形成，其可以透光，或可以由半透射的導電材料如Mg、Ag或Mg和Ag的合金形成。如果陰極電極140由半透射的材料形成，則可以藉由微共振腔提高發光效率。
封裝層150可以設置在發光二極體上方。封裝層150可以形成在陰極電極140上方以重疊於陰極電極140。封裝層150作用以防止氧氣或水滲透到有機發光層130和陰極電極140中。為此，封裝層150可以包括至少一個無機薄膜 和至少一個有機薄膜。
同時，雖然在圖4中未示出，但在陰極電極140與封裝層150之間可以形成另外一個覆蓋層。
濾色層170可以設置在封裝層150上方。濾色層170可以設置在面對第一基板111的第二基板112的一個表面上方。在這種情況下，設置有封裝層150的第一基板111和設置有濾色層170的第二基板112可以藉由黏著層160彼此接合。此時，黏著層160可以是液態透明光學膠(OCR)層或固態透明光學膠(OCA)薄膜。
濾色層170可以針對每一個子像素P1、P2和P3形成為圖案化。詳細來說，濾色層170可以包括第一濾色片CF1、第二濾色片CF2和第三濾色片CF3。第一濾色片CF1可以設置以對應於第一子像素P1的第一發射區域EA1，並可以是透射綠光的綠色濾色片。第二濾色片CF2可以設置以對應於第二子像素P2的第二發射區域EA2，並可以是透射紅光的紅色濾色片。第三濾色片CF3可以設置以對應於第三子像素P3的第三發射區域EA3，並可以是透射藍光的藍色濾色片。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110，其特徵在於不使用偏光片，且濾色層170形成在第二基板112中。如果將偏光片附接到透明顯示面板110，則透明顯示面板110的透光率會降低。同時，如果偏光片沒有附接到透明顯示面板110，則會出現外部入射光朝電極反射的問題。
根據本發明的一個實施例，由於沒有將偏光片附接到透明顯示面板110，因此可以防止透光率降低。另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，濾色層170可以形成在第二基板112中，以部分地吸收外部入射光，從而防止入射光朝電極反射。也就是說，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以在不降低透光率的情況下降低外部光反射率。
同時，黑色矩陣BM可以設置在濾色片CF1、CF2和CF3之間。黑色矩陣BM可以設置在子像素P1、P2和P3之間，以防止相鄰的子像素P1、P2和P3之間發生顏色混合。另外，黑色矩陣BM可以防止外部入射光線朝設置在子像素P1、P2和P3之間的複數條線路反射，例如：閘極線、資料線、像素電力線、共同電力線和參考線等。
黑色矩陣BM可以包括吸收光的材料，例如，吸收可見光波長範 圍的光的黑色染料。
濾色層170可以在顯示區域DA中界定非透射區域NTA。詳細來說，濾色片CF1、CF2和CF3以及黑色矩陣BM所在的區域可以是非透射區域NTA，而另一個區域可以是透射區域TA。
在此，將參照圖6至圖7更詳細地描述設置在非透射區域NTA中的電容器CST、驅動電晶體DT、第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2、陽極電極120和堤部125。
圖6是示出陽極電極、第一層間絕緣層、第二層間絕緣層和堤部的平面圖；圖7是示出設置在圖6之D區域中的驅動電晶體和電容器的視圖；圖8是沿圖6之II-II線所截取的剖面圖；圖9是沿圖7之III-III線所截取的剖面圖；以及圖10是沿圖7之IV-IV線所截取的剖面圖。
電容器CST、驅動電晶體DT、第一層間絕緣層ILD1、第二層間絕緣層ILD2、陽極電極120以及堤部125可以設置在非透射區域NTA中。
參照圖2、圖6和圖7，電容器CST和驅動電晶體DT可以設置在像素電力線VDD(VDDL)與共同電力線VSS(VSSL)之間。更詳細地，電容器CST和驅動電晶體DT可以設置在共同電力線VSS(VSSL)和閘極線GL彼此交叉處的第一交叉區域IA1與像素電力線VDD(VDDL)和閘極線GL彼此交叉處的第二交叉區域IA2之間。
非透射區域NTA可以包含設置有驅動晶體DT的第一區域DTA和設置有電容器CST的第二區域CSTA。
如圖7、圖9和圖10所示，驅動電晶體DT可以設置在第一區域DTA中，並可以包括主動層ACT、閘極電極GE、源極電極SE、以及汲極電極DE。
驅動電晶體DT的主動層ACT可以設置在第一基板111上方。可以設置驅動電晶體DT的閘極電極GE以部分地重疊於閘極絕緣層GI上方的主動層ACT。
驅動電晶體DT的源極電極SE可以設置在第二層間絕緣層ILD2上方，並通過穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第四接觸孔CH4連接到主動層ACT。驅動電晶體DT的汲極電極DE可以通過穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第一接觸孔CH1連接到主動層ACT。
此外，驅動電晶體DT的汲極電極DE可以連接到從像素電力線VDD(VDDL)分支的像素電力連接線VDDCL。像素電力連接線VDDCL可以設置在第一平坦層PLN1上方，並可以通過穿過第一平坦層PLN1的第五接觸孔CH5連接到源極電極SE。
驅動電晶體DT的汲極電極DE可以設置在第二層間絕緣層ILD2上方。驅動電晶體DT的汲極電極DE可以通過穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第一接觸孔CH1連接到主動層ACT。
而且，驅動電晶體DT的汲極電極DE可以連接到陽極輔助電極115。陽極輔助電極115可以設置在第一平坦層PLN1上方，並可以具有連接到汲極電極DE的一端和連接到陽極電極120的另一端。陽極輔助電極115可以通過穿過第一平坦層PLN1的第二接觸孔CH2連接到汲極電極DE。還有，陽極輔助電極115可以通過穿過第二平坦層PLN2的第三接觸孔CH3連接到陽極電極120。
如圖7、圖9和圖10所示，電容器CST可以設置在第二區域CSTA中，並可以包含第一電容器電極C1和第二電容器電極C2。
第一電容器電極C1可以設置在閘極絕緣層GI上方。此時，第一電容器電極C1可以從驅動電晶體DT的閘極電極GE延伸。
第二電容器電極C2可以設置在第二層間絕緣層ILD2上方以重疊於第一電容器電極C1。根據本發明一個實施例的第二電容器電極C2不與驅動電晶體DT重疊。特別地，第二電容器電極C2可以形成為不重疊於驅動電晶體DT的主動層ACT。
可以藉由透過晶體的生長使矽基半導體材料結晶或氧化物基半導體材料結晶來形成主動層ACT。因為結晶的主動層ACT形成有粗糙表面，所以可以沿該粗糙表面形成設置在主動層ACT與第一平坦層PLN1之間的層。
詳細地，可以沿主動層ACT的粗糙表面形成設置在主動層ACT上方的閘極絕緣層GI。設置在閘極絕緣層GI上方的閘極電極GE、第一電容器電極C1、第一層間絕緣層ILD1和第二電容器電極C2可以形成有粗糙表面。
絕緣層和以高粗糙度沉積的電極可以不以一定厚度沉積。
例如，閘極絕緣層GI可以不以一定厚度沉積在粗糙表面上，並且主動層ACT可以部分地曝露。在這種情況下，沉積在閘極絕緣層GI上的閘極電極GE或第一電容器電極C1可以與曝露的主動層ACT的其中一部分連接，從而 可能發生短路。
對於另一示例，第一層間絕緣層ILD1可以不以一定厚度沉積在粗糙表面上，並且閘極電極GE或第一電容器電極C1可以部分地曝露。在這種情況下，沉積在第一層間絕緣層ILD1上的第二電容器電極C2可以與曝露的閘極電極GE的其中一部分或曝露的第一電容器電極C1的其中一部分連接，從而可能發生短路。
可以形成厚的閘極絕緣層GI，以防止在主動層ACT與閘極電極GE之間發生短路。亦即，可以以足夠的厚度形成閘極絕緣層GI，以便不部分地曝露主動層ACT。
同時，可以像閘極絕緣層GI一樣以足夠的厚度形成第一層間絕緣層ILD1。然而，如果第一層間絕緣層ILD1變厚，則第一電容器電極C1與第二電容器電極C2之間的距離會增加，從而電容器CST的電容減小。為了確保電容器CST的電容量，應該增加第一電容器電極C1和第二電容器電極C2的面積。然而，由於透明顯示面板110的非透射區域NTA小於普通顯示面板，所以在增加第一電容器電極C1和第二電容器電極C2的面積存在限制。
因此，由於根據本發明一個實施例的透明顯示面板110的非透射區域NTA面積小，因此較佳的是使設置有電容器CST的第二區域CSTA最小化。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以形成厚的第一層間絕緣層ILD1以確保電容器CST的電容量，同時最小化第一電容器電極C1和第二電容器電極C2的面積。亦即，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第一層間絕緣層ILD1的厚度可以形成為比閘極絕緣層GI薄。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置有驅動電晶體DT的第一區域DTA可以不與設置有電容器CST的第二區域CSTA重疊。
詳細地，電容器CST的第一電容器電極C1和第二電容器電極C2可以設置為不重疊於驅動電晶體DT的主動層ACT，如圖9所示。特別地，主動層ACT可以不形成在電容器CST的第二電容器電極C2與第一基板111之間。
在沒有設置主動層ACT的第二區域CSTA中，閘極絕緣層GI、第一電容器電極C1、第一層間絕緣層ILD1和第二電容器電極C2可以沉積在平坦表面上。因此，閘極絕緣層GI、第一電容電極C1和第一層間絕緣層ILD1可以沉積一定的厚度，並且第二電容器電極C2也可以沉積在第一層間絕緣層ILD1的平坦 上表面上。
因此，由於第一層間絕緣層ILD1在第一電容器電極C1與二電容器電極C2之間具有一定的厚度，因此在第一電容器電極C1與第二電容器電極C2之間可以不發生短路。
儘管圖7和圖9示出電容器CST不與驅動電晶體DT的主動層ACT重疊，但是本發明不限於圖7和圖9的示例。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，複數個開關電晶體可以進一步設置在非透射區域NTA中。複數個開關電晶體可以包括位於與驅動電晶體DT的主動層ACT相同的層上的訊號線，該些訊號線由與主動層ACT的材料相同的材料製成。在這種情況下，電容器CST可以被設置以便不重疊於位於與主動層ACT相同的層上的訊號線，該些訊號線由與驅動電晶體DT的主動層ACT的材料相同的材料製成。類似地，在一些實施例中，複數個開關電晶體可以包括含有與主動層ACT的材料相同的材料的訊號線。這裡，該些訊號線可以位於與驅動電晶體DT的主動層ACT相同的層上。另外，在這種情況下，電容器CST可以不與訊號線重疊，該些訊號線包含與驅動電晶體DT的主動層ACT的材料相同的材料。
同時，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，陽極輔助電極115可以進一步設置在汲極電極DE與極電極120之間。如圖10所示，汲極電極DE可以透過陽極輔助電極115與陽極電極120電性連接。陽極電極120可以通過穿過第二平坦層PLN2的第三接觸孔CH3連接到陽極輔助電極115，而陽極輔助電極115可以通過穿過第一平坦層PLN1的第二接觸孔CH2連接到汲極電極DE。汲極電極DE通過穿過閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1和第二平坦層PLN2的接觸孔CH1連接到主動層ACT。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，還設置了陽極輔助電極115和第二平坦層PLN2，由此可以提高用於將陽極電極120與汲極電極DE連接的電路設計自由度。在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，用於將陽極輔助電極115與陽極電極120連接的第三接觸孔CH3可以設計在不同於第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2的位置，其中，第一接觸孔CH1用於將主動層ACT與汲極電極DE連接，而第二接觸孔CH2用於將汲極電極DE與陽極輔助電極115連接。
詳細地，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2可以設置為與第二區域CSTA間隔開。結果，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，主動層ACT可以不與電容器CST重疊。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以將穿過第二平面層PLN2的第三接觸孔CH3設置在第二區域CSTA中。第一電容器電極C1和第二電容器電極C2設置在第二區域CSTA中。此時，如上所述，第二電容器電極C2可以以一定厚度沉積在平坦表面上。因此，第二電容器電極C2可以提供平坦表面。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置在第二電容器電極C2上方的陽極輔助電極115可以具有平坦上表面。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以在第二電容器電極C2的平坦上表面上形成第三接觸孔CH3，從而可以獲得第三接觸孔CH3的平坦度。另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以在不損壞陽極輔助電極115的情況下精確地形成第三接觸孔CH3。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，陽極電極120和汲極電極DE可以穩定地彼此接觸。
第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2可以僅設置在非透射區域NTA中，並可以不設置在透射區域TA中。第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2中的每一個可以由諸如折射率為1.8至1.9的氮化矽(SiNx)膜的無機薄膜製成。如果在透射區域TA中形成高折射薄膜，諸如SiNx，則可以從高折射薄膜反射外部入射光，從而可能發生光損耗。結果，可能減少透明顯示面板110在透射區域TA中的透射率。在一些實施例中，第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2包括折射率為1.8至1.9的無機薄膜。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以從透射區域TA去除高折射薄膜以提高透射區域TA中的透射率。
例如，第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2可以由氮化矽(SiNx)薄膜形成。在這種情況下，第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2可以僅設置在非透射區域NTA中，並可以不設置在透射區域TA中。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以防止外部光在透射區域TA中損失，從而可以提高透射區域TA中的透射率。
堤部125可以僅設置在非透射區域NTA中，並可以不設置在透射區域TA中。由於材料特性，堤部125可以具有淡黃色。在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於堤部125沒有形成在透射區域TA中，因此可以防止在透射區域TA中發生黃化現象(yellowish phenomenon)。
同時，堤部125的端部可以不同於設置在陽極電極120與第一基板111之間的第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2兩者的端部。
透射區域TA與堤部125的端部之間的距離d2可以比透射區域TA與第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2兩者的端部之間的距離d1長。亦即，第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2兩者的端部可以形成為比堤部125的端部更靠近透射區域TA。
由於製程誤差，堤部125可能與透射區域TA部分地重疊。由於堤部125具有淡黃色，因此透明顯示面板110可能在設置有堤部125的透射區域TA中具有淡黃色，並且使用者可能會看出此黃色。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，即使發生製程誤差，透射區域TA與堤部125的端部之間的距離d2也可以充分地形成，使得堤部125可以不與透射區域TA重疊。
同時，設置在陽極電極120與第一基板111之間的至少一個絕緣膜可以具有足夠的面積以保護設置在非透射區域NTA中的電路元件，例如驅動電晶體DT。第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2可以形成以覆蓋電路元件所形成的區域。此外，第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2可以形成在它們的端部與形成驅動電晶體DT的區域間隔足夠距離的位置，以提高電路元件的可靠性。因此，透射區域TA與第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的端部之間的距離d1可以短於透射區域TA與堤部125的端部之間的距離d2。
再次參考圖2，非顯示區域NDA可以設置有焊墊區域PA，焊墊PAD置於其中；以及至少一個閘極驅動器205。
詳細來說，非顯示區域NDA可以包括：第一非顯示區域NDA1，其中設置有焊墊PAD；第二非顯示區域NDA2，其藉由插入顯示區域DA而與第一非顯示區域NDA1平行設置；以及第三非顯示區域NDA3和第四非顯示區域NDA4，將第一非顯示區域NDA1與第二非顯示區域NDA2連接。
閘極驅動器205連接至閘極線GL，並供應閘極信號給閘極線 GL。閘極驅動器205以在面板中(Gate drive In Panel,GIP)閘極驅動的方式設置在第四非顯示區域NDA4和第三非顯示區域NDA3的至少一個中。例如，如圖2所示，閘極驅動器205可以形成在第四非顯示區域NDA4中，而另一閘極驅動器205可以形成在第三非顯示區域NDA3中，但不限於此。閘極驅動器205可以形成在第四非顯示區域NDA4和第三非顯示區域NDA3的任何一個中。
焊墊PAD可以包括：第一焊墊VDDP、第二焊墊VSSP、第三焊墊VREFP、以及第四焊墊DP，並可以設置在第一非顯示區域NDA1中。也就是說，第一非顯示區NDA1可以包括焊墊區域PA。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以包括將設置在顯示區域DA中的子像素P1、P2和P3連接的複數條訊號線。例如，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以包括：像素電力線VDD、共同電力線VSS、以及參考線VREF。
像素電力線VDD可以將第一電源供應給設置在顯示區域DA中的各子像素P1、P2和P3的驅動電晶體DT。
為此，像素電力線VDD可以包括：第一像素電力線VDD1，設置在第一非顯示區域NDA1中；第二像素電力線VDD2，設置在第二非顯示區域NDA2中；以及複數條第三像素電力線VDDL，將第一像素電力線VDD1與第二像素電力線VDD2連接。
共同電力線VSS可以將第二電源供應給設置在顯示區域DA中的子像素P1、P2和P3的陰極電極140。此時，第二電源可以是供應給子像素P1、P2和P3的常用共同電源。
為此，共同電力線VSS可以包括：第一共同電力線VSS1，設置在第一非顯示區域NDA1中；第二共同電力線VSS2，設置在第二非顯示區域NDA2中；以及複數條第三共同電力線VSSL，將第一共同電力線VSS1與第二共同電力線VSS2連接。
參考線VREF可以將初始電壓(或感測電壓，sensing voltage)供應給設置在顯示區域DA中的每一個子像素P1、P2和P3的驅動電晶體DT。
為此，參考線VREF可以包括：第一參考線VREF1，設置在第一非顯示區域NDA1中；以及複數條第二參考線VREFL，設置在顯示區域DA中。
以下，將參照圖11至圖13更詳細地描述設置在第一非顯示區域 NDA1中的第一像素電力線VDD1、第一共同電力線VSS1和第一參考線VREF1。
圖11是圖2中之B區域的放大圖；圖12是沿圖11之V-V'線所截取的剖面圖；以及圖13是沿圖11之VI-VI'線所截取的剖面圖。
焊墊PAD、第一像素電力線VDD1、第一共同電力線VSS1、第一參考線VREF1、第三像素電力線VDDL和第三共同電力線VSSL設置在第一非顯示區域NDA1中。
參照圖2、圖11和圖12，第一像素電力線VDD1可以設置為在第一非顯示區域NDA1中延伸，特別是在焊墊區域PA與顯示區域DA之間沿第一方向(X軸方向)延伸。第一像素電力線VDD1可以與第一非顯示區域NDA1中的第一焊墊VDDP連接，並可以從第一焊墊VDDP供應有第一電源。第一焊墊VDDP可以沿第二方向(Y軸方向)延伸，並可以與第一像素電力線VDD1連接。例如，如圖12所示，第一像素電力線VDD1和第一焊墊VDDP可以設置在相同層上，並可以彼此連接而不相互間隔開。
另外，第一像素電力線VDD1可以與設置在顯示區域DA中的複數條第三像素電力線VDDL連接，並可以透過複數條第三像素電力線VDDL將第一電源供應給各子像素P1、P2和P3的驅動電晶體DT。
第一像素電力線VDD1可以由複數個金屬層構成。例如，如圖12所示，第一像素電力線VDD1可以包括第一金屬層VDD1-1和設置在第一金屬層VDD1-1上方的第二金屬層VDD1-2。第一金屬層VDD1-1和第二金屬層VDD1-2可以部分地彼此重疊，並可以通過第六接觸孔CH6彼此連接。
此時，第一像素電力線VDD1的第一金屬層VDD1-1可以與設置顯示區域DA中的驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE設置在相同層上。第一金屬層VDD1-1可以由與驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE的材料相同的材料製成，並可以與源極電極SE和汲極電極DE同時形成。
第一像素電力線VDD1的第二金屬層VDD1-2可以與設置在顯示區域DA中的陽極輔助電極115設置在相同層上。第二金屬層VDD1-2可以由與陽極輔助電極115的材料相同的材料製成，並可以與陽極輔助電極115同時形成。在這種情況下，第一像素電力線VDD1的第二金屬層VDD1-2可以通過穿過第一平坦層PLN1的複數個第六接觸孔CH6連接到第一金屬層VDD1-1。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於設置在非 顯示區域NDA中的第一像素電力線VDD1設置為雙層，因此可以增加第一像素電力線VDD1的總面積，從而降低第一像素電力線VDD1的電阻。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於第一像素電力線VDD1的第二金屬層VDD1-2可以通過複數個第六接觸孔CH6連接到第一金屬層VDD1-1，因此第一金屬層VDD1-1和第二金屬層VDD1-2可以彼此穩定地連接。
第三像素電力線VDDL可以設置在顯示區域DA中的透射區域TA之間，因此可以與每一個子像素P1、P2和P3的驅動電晶體DT連接。第三像素電力線VDDL可以在顯示區域DA中沿第二方向(Y軸方向)延伸，因此，其一端可以與第一像素電力線VDD1連接。
此時，如圖12所示，第三像素電力線VDDL可以與第一像素電力線VDD1連接為一層，但可以與第一像素電力線VDD1連接為複數層。
例如，第三像素電力線VDDL可以包括第二金屬層VDDL-2和設置在第二金屬層VDDL-2下方的第三金屬層VDDL-3。第三像素電力線VDDL的第二金屬層VDDL-2可以在顯示區域DA中沿第二方向(Y軸方向)延伸到第一非顯示區域NDA1。第二金屬層VDDL-2可以與設置在顯示區域DA中的陽極輔助電極115設置在相同層上。第二金屬層VDDL-2可以由與陽極輔助電極115的材料相同的材料製成，並可以與陽極輔助電極115同時形成。
第三像素電力線VDDL的第三金屬層VDDL-3的一端可以連接到第一非顯示區域NDA1中的第三像素電力線VDDL的第二金屬層VDDL-2，而其另一端可以連接到第一像素電力線VDD1。第三金屬層VDDL-3可以與設置在顯示區域DA中的驅動電晶體DT的閘極電極GE設置在相同層上。第三金屬層VDDL-3可以由與驅動電晶體DT的閘極電極GE的材料相同的材料製成，並可以與閘極電極GE同時形成。
第三像素電力線VDDL的第三金屬層VDDL-3可以在一端透過第一金屬層VDDL-1連接到第三像素電力線VDDL的第二金屬層VDDL-2。在這種情況下，第三像素電力線VDDL的第三金屬層VDDL-3可以通過穿過第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第七接觸孔CH7連接到第一金屬層VDDL-1。第一金屬層VDDL-1可以通過穿過第一平坦層PLN1的第八接觸孔CH8連接到第三像素電力線VDDL的第二金屬層VDDL-2。因此，第三像素電力線 VDDL的第三金屬層VDDL-3可以與第三像素電力線VDDL的第二金屬層VDDL-2電性連接。
另外，第三像素電力線VDDL的第三金屬層VDDL-3可以在另一端通過穿過第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第九接觸孔CH9連接到第一像素電力線VDD1的第一金屬層VDD1-1。
參照圖2、圖11和圖13，第一共同電力線VSS1可以設置為在第一非顯示區域NDA1中延伸，更具體地，在第一像素電力線VDD1與顯示區域DA之間沿第一方向(X軸方向)延伸。第一共同電力線VSS1可以在第一非顯示區域NDA1中與第二焊墊VSSP連接，並可以從第二焊墊VSSP供應第二電源。另外，第一共同電力線VSS1可以與設置在顯示區域DA中的複數條第三共同電力線VSSL連接，並且可以透過複數條第三共同電力線VSSL將第二電源供應給子像素P1、P2和P3的陰極電極140。
第一共同電力線VSS1可以由複數個金屬層構成。例如，如圖13所示，第一共同電力線VSS1可以包括第一金屬層VSS1-1和設置在第一金屬層VSS1-1上方的第二金屬層VSS1-2。第一金屬層VSS1-1和第二金屬層VSS1-2可以部分地彼此重疊，並可以通過第五接觸部分CT5彼此連接。
此時，第一共同電力線VSS1的第一金屬層VSS1-1可以與設置在顯示區域DA中的驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE設置在相同層上。第一金屬層VSS1-1可以由與驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE的材料相同的材料製成，並可以與源極電極SE和汲極電極DE同時形成。
第一共同電力線VSS1的第二金屬層VSS1-2可以與設置在顯示區域DA中的陽極輔助電極115設置在相同層上。第二金屬層VSS1-2可以由與陽極輔助電極115的材料相同的材料製成，並可以與陽極輔助電極115同時形成。
在這種情況下，第一共同電力線VSS1的第二金屬層VSS1-2可以透過穿過第一平坦層PLN1的第五接觸部分CT5連接到第一金屬層VSS1-1。第五接觸部分CT5可以部分地去除第一平坦層PLN1，並部分地露出第一共同電力線VSS1的第一金屬層VSS1-1的上表面。此時，第五接觸部分CT5可以沿第一方向(X軸方向)曝露第一共同電力線VSS1的第一金屬層VSS1-1的上表面。第一共同電力線VSS1的第二金屬層VSS1-2可以直接與第一共同電力線VSS1的第一金屬層VSS1-1的外露上表面接觸。因此，第一共同電力線VSS1的第二金屬層 VSS1-2可以具有與第一共同電力線VSS1的第一金屬層VSS1-1接觸的寬廣接觸區域，從而穩定地連接到第一金屬層VSS1-1。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於設置在第一非顯示區域NDA1中的第一共同電力線VSS1設置為雙層，因此可以增加第一共同電力線VSS1的總面積，從而可以降低第一共同電力線VSS1的電阻。
同時，第一共同電力線VSS1可以與設置在焊墊區域PA中的第二焊墊VSSP電性連接。此時，可以在第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP之間設置第一像素電力線VDD1和第一參考線VREF1。如果第一共同電力線VSS1與第一像素電力線VDD1和第一參考線VREF1形成在相同層上，則第一共同電力線VSS1和第二焊墊VSSP不能形成在單一主體中的相同層上。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用複數個設置在不同層上的連接電極，將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP電性連接。
詳細來說，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由設置在各自不同層上的第一共同電力連接電極180和第二共同電力連接電極185，將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP電性連接。
第一共同電力連接電極180設置在第一非顯示區NDA1中。第一共同電力連接電極180設置在第一共同電力線VSS1與第一基板111之間，並將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP電性連接。
例如，第一共同電力連接電極180可以與設置在顯示區域DA中的驅動電晶體DT的閘極電極GE設置在相同層上。另外，第一共同電力連接電極180可以由與驅動電晶體DT的閘極電極GE的材料相同的材料製成，並可以閘極電極GE同時形成。
第一共同電力連接電極180的一端可以連接到第一共同電力線VSS1，而第一共同電力連接電極180的另一端可以連接到第二焊墊VSSP。詳細來說，第一共同電力連接電極180可以在一端通過穿過第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第十接觸孔CH10連接到第一共同電力線VSS1的第一金屬層VSS1-1。另外，第一共同電力連接電極180可以在另一端通過穿過第一層間絕緣層ILD1和第二層間絕緣層ILD2的第十一接觸孔CH11連接到第二焊墊VSSP。
同時，第一共同電力連接電極180可以形成在第二焊墊VSSP與第 一共同電力線VSS1之間作為一個電極，但不限於此。第一共同電力連接電極180可以包括複數個電極。
例如，圖13所示，第一共同電力連接電極180可以包括：一個第一共同電力連接電極181、另一個第一共同電力連接電極182和剩下的一個第一共同電力連接電極183。
一個第一共同電力連接電極181可以通過第十接觸孔CH10連接到第一共同電力線VSS1，而另一個第一共同電力連接電極182可以通過第十一接觸孔CH11連接到第二焊墊VSSP。一個第一共同電力連接電極181和另一個第一共同電力連接電極182可以設置在與驅動電晶體DT的閘極電極GE相同的層上。
設置在與一個第一共同電力連接電極181和另一個第一共同電力連接電極182不同層上之剩下的一個第一共同電力連接電極183的一端可以通過第十二接觸孔CH12連接到第一共同電力連接電極181，而其另一端可以通過第十三接觸孔CH13連接到另一個第一共同電力連接電極182。此時，剩下的一個第一共同電力連接電極183可以設置在與驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE相同的層上。
第二共同電力連接電極185可以設置在第一非顯示區域NDA1中，並可以部分地與第一共同電力連接電極180重疊。另外，第二共同電力連接電極185設置在第一共同電力線VSS1上方，並將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP電性連接。
例如，第二共同電力連接電極185可以與設置在顯示區域DA中的發光二極體的陽極電極120設置在相同層上。另外，第二共同電力連接電極185可以由與發光二極體的陽極電極120的材料相同的材料製成，並可以與陽極電極120同時形成。
第二共同電力連接電極185的一端可以連接到第一共同電力線VSS1，而第二共同電力連接電極185的另一端可以連接到第二焊墊VSSP。詳細來說，第二共同電力連接電極185可以在一端透過第一接觸部分CT1連接到第一共同電力線VSS1的第二金屬層VSS1-2。第一接觸部分CT1可以部分地去除第二平坦層PLN2，並部分地曝露第一共同電力線VSS1的第二金屬層VSS1-2的上表面。此時，第一接觸部分CT1可以沿第一方向(X軸方向)曝露第一共同電力線VSS1的第二金屬層VSS1-2的上表面。第二共同電力連接電極185可以直接與第 一共同電力線VSS1的外露上表面接觸。因此，第二共同電力連接電極185可以具有與第一共同電力線VSS1接觸的寬廣接觸區域，從而穩定地連接到第一共同電力線VSS1。同時，第一接觸部分CT1的至少一部分可以形成以重疊於第五接觸部分CT5。
第二共同電力連接電極185可以在另一端透過第二接觸部分CT2連接到第二焊墊VSSP。第二接觸部分CT2可以部分地去除第一平坦層PLN1，並部分地曝露第二焊墊VSSP的上表面。如圖2所示，第二焊墊VSSP可以包含複數個焊墊部分。此時，兩個彼此相鄰設置的焊墊部分可以透過焊墊連接電極PC而彼此連接。第二接觸部分CT2可以沿第一方向(X軸方向)曝露被焊墊連接電極PC連接的第二焊墊VSSP的上表面。第二共同電力連接電極185可以直接與第二焊墊VSSP的外露上表面接觸。因此，第二共同電力連接電極185可以具有與第二焊墊VSSP接觸的寬廣接觸區域，從而穩定地連接到第二焊墊VSSP。
另外，第二共同電力連接電極185可以透過第一非顯示區NDA1中的陰極接觸部分CCT與陰極電極140電性連接。陰極接觸部分CCT可以部分地移除堤部125，並部分地曝露第二共同電力連接電極185的上表面。陰極接觸部分CCT可以沿第一方向(X軸方向)曝露第二共同電力連接電極185的上表面。因此，第二共同電力連接電極185可以具有與陰極電極140接觸的寬廣接觸區域，從而穩定地連接到陰極電極140。
因此，第一共同電力線VSS1可以透過第二共同電力連接電極185與陰極電極140電性連接。因此，第一共同電力線VSS1可以將從第二焊墊VSSP轉發的第二電源供應給陰極電極140。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用彼此設置在各自不同層上的第一共同電力連接電極180和第二共同電力連接電極185，將設置在第一非顯示區域NDA1中的第一共同電力線VSS1和第二焊墊VSSP彼此電性連接。此時，第一共同電力連接電極180可以設置在第一共同電力線VSS1和第二焊墊VSSP的下方，並且第二共同電力連接電極185可以設置在第一共同電力線VSS1和第二焊墊VSSP的上方。
因此，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以增加共同電力線VSS的總面積，從而可以降低共同電力線VSS的電阻。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，即使第 一共同電力連接電極180和第二共同電力連接電極185兩者中的任何一個發生缺陷，第一共同電力線VSS1和第二焊墊VSSP也可以藉由另一個彼此連接。因此，由於根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以穩定地將第一電源供應給子像素P1、P2和P3，因此可以提高面板良率。
第三共同電力線VSSL設置在顯示區域DA中的透射區域TA之間。此時，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由在透射區域TA之間交錯地設置第三共同電力線VSSL和第三像素電力線VDDL來最小化顯示區域DA中的非透射區域NTA。因此，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由增加透射區域TA來提高透光率。
同時，第三共同電力線VSSL可以在顯示區域DA中沿第二方向(Y軸方向)延伸，因此其一端可以與第一共同電力線VSS1連接，而另一端連可以與第二共同電力線VSS2連接。例如，如圖13所示，第三共同電力線VSSL和第一共同電力線VSS1可以設置在相同層上，並可以彼此連接而不相互間隔開。
參照圖2和圖11，第一參考線VREF1可以設置以在第一非顯示區域NDA1中延伸，特別是在第一像素電力線VDD1與第一共同電力線VSS1之間沿第一方向(X軸方向)延伸。第一參考線VREF1可以與第一非顯示區域NDA1中的第三焊墊VREFP連接，並可以從第三焊墊VREFP供應初始電壓(或感測電壓，sensing voltage)。另外，第一參考線VREF1可以與設置在顯示區域DA中的複數條第二參考線VREFL連接，並可以透過複數條第二參考線VREFL將初始電壓(或感測電壓，sensing voltage)供應給各子像素P1、P2和P3的驅動電晶體DT。
第一參考線VREF1可以與設置在焊墊區域PA中的第三焊墊VREFP電性連接。此時，第一像素電力線VDD1可以設置在第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP之間。如果第一參考線VREF1與第一像素電力線VDD1形成在相同層上，則第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP不能形成在單一主體中的相同層上。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用複數個設置在不同層上方的連接電極，將第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP電性連接。
詳細來說，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用彼此各自設置在不同層上的第一參考連接電極(圖未示出)和第二參考連 接電極195，將第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP電性連接。
第一參考連接電極(圖未示出)設置在第一非顯示區NDA1中。第一參考連接電極(圖未示出)設置在第一參考線VREF1與第一基板111之間，並將第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP電性連接。
例如，第一參考連接電極(圖未示出)與設置在顯示區域DA中的驅動電晶體DT的閘極電極GE設置在相同層上。另外，第一共同電力連接電極(圖未示出)可以由與驅動電晶體DT的閘極電極GE的材料相同的材料製成，並可以與閘極電極GE同時形成。
第二參考連接電極195可以設置在第一非顯示區域NDA1中。第二參考連接電極195的至少一部分可以與第一參考連接電極(圖未示出)重疊。第二參考連接電極195設置在第一參考線VREF1上方，並將第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP電性連接。
例如，第二參考連接電極195可以與設置在顯示區域DA中的發光二極體的陽極電極120設置在相同層上。另外，第二參考連接電極195可以由與發光二極體的陽極電極120的材料相同的材料製成，並可以與陽極電極120同時形成。
第二參考連接電極195的一端可以連接到第一參考線VREF1，而其另一端可以連接到第三焊墊VREFP。詳細來說，第二參考連接電極195可以在一端透過第三接觸部分CT3連接到第一參考線VREF1。第二參考連接電極195可以在另一端透過第四接觸部分CT4連接到第三焊墊VREFP。
第二參考連接電極195與第二共同電力連接電極185形成在相同層上，但與第二共同電力連接電極185間隔開。因此，第二參考連接電極195沒有與第二共同電力連接電極185電性連接。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用彼此設置在各自不同層上的第一參考連接電極(圖未示出)和第二參考連接電極195，將設置在第一非顯示區域NDA1中的第一參考線VREF1和第三焊墊VREFP彼此連接。此時，第一參考連接電極(圖未示出)可以設置在第一參考線VREF1和第三焊墊VREFP的下方，而第二參考連接電極195可以設置在第一參考線VREF1和第三焊墊VREFP的上方。
因此，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以增加第一 參考線VREF1的總面積，從而可以降低第一參考線VREF1的電阻。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，即使第一參考連接電極(圖未示出)和第二參考連接電極195中的任何一個發生缺陷，第一參考線VREF1和第三焊墊VREFP也可以藉由另一個彼此連接。因此，由於根據本發明一個實施例的透明顯示面板110穩定地將初始電壓(或感測電壓)供應給子像素P1、P2和P3，因此可以提高面板良率。
另外，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以在陽極電極120沉積之前測試驅動電晶體DT的缺陷。
透明顯示面板110可以僅使用與陽極電極120設置在相同層上的第二共同電力連接電極185，將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP連接。另外，透明顯示面板110可以僅使用與陽極電極120設置在相同層上的第二參考連接電極195，將第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP連接。
在這種情況下，檢測驅動電晶體DT的缺陷的過程別無選擇，只能在陽極電極120沉積後進行。如果在驅動電晶體DT中產生缺陷，則可以進行修復處理，以修復產生缺陷的部分。此時，應去除沉積在產生缺陷的層上的層，以進行修復處理。例如，如果缺陷產生在設置有陽極輔助電極115的層上，則應去除第二平坦層PLN2和陽極電極120以進行修復處理。此時，對應區域中可能無法發光。
這樣，如果在陽極電極120形成後再進行修復處理，則由於設置在陽極輔助電極115上方的陽極電極120和第二平坦層PLN2，致使修復良率降低，增加了製造節拍時間(tact time)。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用第一共同電力連接電極180和第二共同電力連接電極185，將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP連接。另外，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110即使沒有形成第二共同電力連接電極185，也可以透過第一共同電力連接電極180將第一共同電力線VSS1與第二焊墊VSSP連接。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以藉由使用第一參考連接電極(圖未示出)和第二參考連接電極195，將第一參考線VREF1與第三焊墊VREFP連接。另外，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110即使沒有形成第二參考連接電極195，也可以透過第一參考連接電極(圖未示出)將第一 參考線VREF1與第三焊墊VREFP連接。
因此，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以在陽極電極120沉積之前測試驅動電晶體DT的缺陷。也就是說，由於修復處理是在第二平坦層PLN2和陽極電極120沉積之前進行，因此根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以防止由於已形成的第二平坦層PLN2和陽極電極120而降低修復良率。此外，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以減少製造節拍時間。
以下，將參照圖14至圖16對設置在第二非顯示區域NDA2中的第二像素電力線VDD2和第二共同電力線VSS2進行更詳細的描述。
圖14是圖2中之C區域的放大圖；圖15是沿圖14之VII-VII'線所截取的剖面圖；以及圖16是沿圖14之VIII-VIII'線所截取的剖面圖。
如圖14所示，顯示區域DA可以包括第一非透射區域NTA1；以及設置在第一非透射區域NTA1之間的第一透射區域TA1。第一透射區TA1是大部分外部入射光通過的區域，而第一非透射區NTA1是大部分外部入射光未能透射的區域。
第一非透射區NTA1可以設置有第三像素電力線VDDL、第三共同電力線VSSL、參考線、資料線、閘極線GL、以及像素P1、P2和P3。
閘極線GL可以沿第一方向(X軸方向)延伸，並可以交叉於顯示區域DA中的第三像素電力線VDDL、第三共同電力線VSSL和資料線。
第三像素電力線VDDL、第三共同電力線VSSL和資料線可以沿第二方向(Y軸方向)延伸。此時，第三像素電力線VDDL和第三共同電力線VSSL可以交錯地設置在顯示區域DA中。第一透射區域TA1可以設置在第三像素電力線VDDL與第三共同電力線VSSL之間。
第二非顯示區域NDA2可以包括第二非透射區域NTA2；以及設置在第二非透射區域NTA2之間的第二透射區域TA2。第二透射區域TA2是大部分外部入射光通過的區域，而第二非透射區域NTA2是大部分外部入射光未能透射的區域。
第二非透射區NTA2可以設置有第二像素電力線VDD2、第二共同電力線VSS2、第三像素電力線VDDL和第三共同電力線VSSL。
第二像素電力線VDD2可以從第二非顯示區域NDA2沿第一方向(X軸方向)延伸。複數條第二像素電力線VDD2可以設置在第二非顯示區域 NDA2中。第二像素電力線VDD2的數量可以是如圖14所示，但不限於此。第二像素電力線VDD2的數量是三條或以上。
一條第二像素電力線VDD21與另一條第二像素電力線VDD22交錯地設置。此時，第二透射區域TA2可以設置在一條第二像素電力線VDD21與另一條第二像素電力線VDD22之間。
設置在一條第二像素電力線VDD21與另一條第二像素電力線VDD22之間的第二透射區域TA2可以具有與設置在顯示區域DA中的第一透射區域TA1基本相同的形狀。在這種情況下，形狀基本相同是指平面上的形狀具有相同的屬性。形狀的大小或比例可以相等或不同。
例如，設置在顯示區域DA中的第一透射區域TA1可以為矩形，且也可以為圓角，但不限於此。在這種情況下，第二透射區域TA2也可以具有矩形，且可以具有圓角。
在設置有一條第二像素電力線VDD21和另一條第二像素電力線VDD22的第二非透射區域NTA2中，垂直於第一方向的第二方向的寬度W2可以等於設置在顯示區域DA中的第一非透射區域NTA1的第二方向的寬度W1。
一條第二像素電力線VDD21和另一條第二像素電力線VDD22中的每一條都可以設置在第二非透射區域NTA2中。因此，一條第二像素電力線VDD21和另一條第二像素電力線VDD22中的每一條都可以具有與第二非透射區域NTA2的寬度W2相等的寬度W3，或者具有比第二非透射區域NTA2的寬度W2更窄的寬度W3。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置在第二非顯示區域NDA2中的第二像素電力線VDD2的寬度不寬。在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第二像素電力線VDD2的寬度W3可以形成為等於或窄於設置在顯示區域DA中的第一非透射區域NTA1的寬度W1，從而可以在第二非顯示區域NDA2中獲得寬闊的第二透射區域TA2。
同時，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以形成複數條第二像素電力線VDD2，從而可以增加第二像素電力線VDD2的總面積。
此外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第二像素電力線VDD2可以由複數個金屬層形成，以增加其總面積。
詳細來說，第二像素電力線VDD2可以設置有複數個金屬層。例 如，如圖15所示，第二像素電力線VDD2可以包括第一金屬層VDD2-1和設置在第一金屬層VDD2-1上方的第二金屬層VDD2-2。第一金屬層VDD2-1和第二金屬層VDD2-2可以彼此部分地重疊，並可以通過第十四接觸孔CH14彼此連接。
此時，第二像素電力線VDD2的第一金屬層VDD2-1可以由低電阻的不透明金屬材料製成。例如，第二像素電力線VDD2的第一金屬層VDD2-1可以與設置顯示區域DA中的驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE設置在相同層上。第一金屬層VDD2-1可以由與驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE的材料相同的材料製成，並可以與源極電極SE和汲極電極DE同時形成。
第二像素電力線VDD2的第二金屬層VDD2-2可以由低電阻的不透明金屬材料製成。例如，第二像素電力線VDD2的第二金屬層VDD2-2可以與設置在顯示區域DA中的陽極輔助電極115設置在相同層上。第二金屬層VDD2-2可以由與陽極輔助電極115的材料相同的材料製成，並可以與陽極輔助電極115同時形成。在這種情況下，第二像素電力線VDD2的第二金屬層VDD2-2可以通過穿過第一平坦層PLN1的複數個第十四接觸孔CH14與第一金屬層VDD2-1連接。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於設置在第二非顯示區域NDA2中的複數條第二像素電力線VDD2中的每一條都設置有雙層，因此可以增加第二像素電力線VDD2的總面積。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，即使第二像素電力線VDD2的寬度W3形成為狹窄，藉此仍可以防止第二像素電力線VDD2的電阻增加。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於第二像素電力線VDD2的第二金屬層VDD2-2可以通過複數個第十四接觸孔CH14連接到第二像素電力線VDD2的第一金屬層VDD2-1，因此第一金屬層VDD2-1和第二金屬層VDD2-2可以穩定地彼此連接。
每一條第三像素電力線VDDL可以從顯示區域DA沿第二方向(Y軸方向)延伸，並與第二像素電力線VDD2連接。第三像素電力線VDDL可以連接到一條第二像素電力線VDD21和另一條第二像素電力線VDD22。詳細地說，第三像素電力線VDDL中的每一條都可以從顯示區域DA沿第二方向(Y軸方向)延伸，因此可以與一條第二像素電力線VDD21的一端連接。另外，第三像素電力線VDDL中的每一條都可以從一條第二像素電力線VDD21的另一端沿 第二方向(Y軸方向)延伸，因此可以與另一條第二像素電力線VDD22的一端連接。因此，一條第二像素電力線VDD21、另一條第二像素電力線VDD22和第三像素電力線VDDL可以彼此電性連接。
第三像素電力線VDDL可以在第二非顯示區域NDA2中與第二像素電力線VDD2形成在相同層上。詳細來說，第三像素電力線VDDL可以包括第二非顯示區域NDA2中的第一金屬層VDDL-1和第二金屬層VDDL-2。第三像素電力線VDDL的第一金屬層VDDL-1可以從第二像素電力線VDD2的第一金屬層VDD2-1延伸，而第三像素電力線VDDL的第二金屬層VDDL-2可以從第二像素電力線VDD2的第二金屬層VDD2-2延伸。
第二共同電力線VSS2可以從第二非顯示區域NDA2沿第一方向(X軸方向)延伸。複數條第二共同電力線VSS2可以設置在第二非顯示區NDA2中。第二共同電力線VSS2的數量可以與圖14所示的一樣，但不限於此。第二共同電力線VSS2的數量可以是3條或更多。
一條第二共同電力線VSS21設置為與另一條第二共同電力線VSS22間隔開。此時，第二透射區域TA2可以設置在一條第二共同電力線VSS21與另一條第二共同電力線VSS22之間。
設置在一條第二共同電力線VSS21與另一條第二共同電力線VSS22之間的第二透射區域TA2的形狀基本上與設置在顯示區域DA中的第一透射區域TA1的形狀相同。在這種情況下，形狀基本相同是指平面上的形狀具有相同的屬性。形狀的大小或比例可以相等或不同。
例如，設置在顯示區域DA中的第一透射區域TA1可以為矩形，且也可以為圓角，但不限於此。在這種情況下，第二透射區域TA2也可以具有矩形，且可以具有圓角。
一條第二共同電力線VSS21和另一條第二共同電力線VSS22中的每一條都設置在第二非透射區域NTA2中。因此，如圖14所示，一條第二共同電力線VSS21和另一條第二共同電力線VSS22中的每一條的寬度W5可以小於等於第二非透射區域NTA2的寬度W4。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置在第二非顯示區域NDA2中的第二共同電力線VSS2的寬度並不寬。在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第二共同電力線VSS2的寬度W5可以形成為窄於或 等於設置在顯示區域DA中的第一非透射區域NTA1的寬度W1，從而可以在第二非顯示區域NDA2中獲得寬闊的第二透射區域TA2。
同時，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以形成複數條第二共同電力線VSS2，從而可以增加第二共同電力線VSS2的總面積。
此外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第二共同電力線VSS2可以由複數條金屬層形成，以增加其總面積。
詳細來說，第二共同電力線VSS2可以設置有複數個金屬層。例如，如圖16所示，第二共同電力線VSS2可以包括第一金屬層VSS2-1和設置在第一金屬層VSS2-1上方的第二金屬層VSS2-2。第二共同電力線VSS2還包括設置在第二金屬層VSS2-2上方的第三金屬層VSS2-3。第一金屬層VDD2-1和第二金屬層VDD2-2可以彼此部分地重疊，並可以通過第十五接觸孔CH15彼此連接。第三金屬層VSS2-3的至少一部分可以與第二金屬層VSS2-2重疊，並可以直接鄰接到第二金屬層VSS2-2上。
此時，第二共同電力線VSS2的第一金屬層VSS2-1可以由低電阻的不透明金屬材料製成。例如，第二共同電力線VSS2的第一金屬層VSS2-1可以與設置在顯示區域DA中的驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE設置在相同層上。第一金屬層VDD2-1可以由與驅動電晶體DT的源極電極SE和汲極電極DE的材料相同的材料製成，並可以與源極電極SE和汲極電極DE同時形成。
第二共同電力線VSS2的第二金屬層VSS2-2可以由低電阻的不透明金屬材料製成。例如，第二共同電力線VSS2的第二金屬層VSS2-2可以與設置在顯示區域DA中的陽極輔助電極115設置在相同層上。第二金屬層VSS2-2可以由與陽極輔助電極115的材料相同的材料製成，並可以與陽極輔助電極115同時形成。在這種情況下，第二共同電力線VSS2的第二金屬層VSS2-2可以通過複數個穿過第一平坦層PLN1的第十五接觸孔CH15與第一金屬層VSS2-1連接。
第二共同電力線VSS2的第三金屬層VSS2-3可以由低電阻的不透明金屬材料製成。例如，第二共同電力線VSS2的第三金屬層VSS2-3可以與設置在顯示區域DA中的陽極電極120設置在相同層上。第三金屬層VSS2-3可以由與陽極電極120的材料相同的材料製成，並可以與陽極電極120同時形成。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於設置在第二非顯示區域NDA2中的複數條第二共同電力線VSS2中的每一條都設置有複數 個層，因此增加第二共同電力線VSS2的總面積。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，即使第二共同電力線VSS2的寬度W5形成為狹窄，藉此仍可以防止第二共同電力線VSS2的電阻增加。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於第二共同電力線VSS2的第二金屬層VSS2-2通過複數個第十五接觸孔CH15連接到第二共同電力線VSS2的第一金屬層VSS2-1，因此第一金屬層VSS2-1和第二金屬層VSS2-2可以穩定地彼此連接。
同時，每一條第二共同電力線VSS2可以透過陰極接觸部分CCT與陰極電極140電性連接。陰極接觸部分CCT可以部分地移除堤部125，並部分地曝露第二共同電力線VSS2的第三金屬層VSS2-3的上表面。陰極接觸部CCT沿第一方向(X軸方向)縱向地曝露第二共同電力線VSS2的第三金屬層VSS2-3的上表面。因此，第二共同電力線VSS2可以具有與陰極電極140接觸的寬廣接觸區域，從而穩定地連接到陰極電極140。
每一條第三共同電力線VSSL可以從顯示區域DA沿第二方向(Y軸方向)延伸，並與第二共同電力線VSS2連接。第三共同電力線VSSL可以連接到一條第二共同電力線VSS21和另一條第二共同電力線VSS22。詳細地說，第三共同電力線VSSL中的每一條都可以從顯示區域DA沿第二方向(Y軸方向)延伸，因此可以與一條第二共同電力線VSS21的一端連接。另外，第三共同電力線VSSL中的每一條都可以從一條第二共同電力線VSS21的另一端沿第二方向(Y軸方向)延伸，因此可以與另一條第二共同電力線VSS22的一端連接。因此，一條第二共同電力線VSS21、另一條第二共同電力線VSS22和第三共同電力線VSSL可以彼此電性連接。
第三共同電力線VSSL可以在第二非顯示區域NDA2與第二共同電力線VSS2形成在相同層上。詳細來說，第三共同電力線VSSL可以包括第一金屬層VSSL-1和在第二非顯示區域NDA2中的第二金屬層VSSL-2。第三共同電力線VSSL的第一金屬層VSSL-1可以從第二共同電力線VSS2的第一金屬層VSS2-1延伸，而第三共同電力線VSSL的第二金屬層VSSL-2可以從第二共同電力線VSS2的第二金屬層VSSL-2延伸。
如圖14所示，第二像素電力線VDD2可以設置在第二共同電力線VSS2與顯示區域DA之間。在這種情況下，第三共同電力線VSSL在與第二像素 電力線VDD2重疊的區域中可以包括第一金屬層VSSL-1和第二金屬層VSSL-2的其中之一。
例如，如圖16所示，第三共同電力線VSSL在與第二像素電力線VDD2重疊的區域中可以僅包括第一金屬層VSSL-1和第二金屬層VSSL-2中的第一金屬層VSSL-1。此時，第二像素電力線VDD2在與第三共同電力線VSSL重疊的區域中可以僅包括第一金屬層VDD2-1和第二金屬層VDD2-2中的第二金屬層VDD2-2，並可以不與第三共同電力線VSSL電性連接。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以形成複數條第二共同電力線VSS2，並且該複數條第二共同電力線VSS2可以彼此間隔開，以形成第二透射區域TA2。另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，可以形成複數條第二像素電力線VDD2，並且該複數條第二像素電力線VDD2可以彼此間隔開，以形成第二透射區域TA2。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於在非顯示區域NDA2中也設置有與顯示區域DA一樣的第二透射區域TA2，因此可以提高第二非顯示區域NDA2的透光率。
根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以在第二非顯示區域NDA2和顯示區域DA中具有類似的透光率。為此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置在單位面積內的第一透射區域TA1的面積和設置在單位面積內的第二透射區域TA2的面積可以設計為彼此相等。
詳細來說，在一個實施例中，設置在第二非顯示區域NDA2中的第二透射區域TA2的形狀可以與設置在顯示區域DA中的第一透射區域TA1的形狀相同。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置在第二非顯示區域NDA2中的第二透射區域TA2的第一方向(X軸方向)的寬度W7可以等於第一透射區域TA1的第一方向(X軸方向)的寬度W6。這是因為在第二非顯示區域NDA2中，第三像素電力線VDDL與第三共同電力線VSSL之間的間隔距離等於另一第三像素電力線VDDL與第三共同電力線VSSL之間的間隔距離。第一透射區域TA1和第二透射區域TA2在第一方向上(X軸方向)的寬度由第三像素電力線VDDL與第三共同電力線VSSL之間的間隔距離決定。
另外，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，設置在 第二非顯示區域NDA2中的第二非透射區域NDA2的第二方向(Y軸方向)的寬度W2等於第一非透射區域NDA1的第二方向(Y軸方向)的寬度W1。
因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，類似於顯示區域DA的透光率體現在第二非顯示區域NDA2中。
此外，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110還包括在第二非顯示區域NDA2的第二非透射區域NTA2中的濾色層170和黑色矩陣BM。
更詳細地說，形成在第二像素電力線VDD2、第二共同電力線VSS2、第三像素電力線VDDL和第三共同電力線VSSL上方的濾色片CF1、CF2和CF3以及形成在濾色片CF1、CF2和CF3之間的黑色矩陣BM可以設置在第二非顯示區域NDA2的第二非透射區域NTA2中。此時，濾色片CF1、CF2和CF3可以以與設置在顯示區域DA中的濾色片CF1、CF2和CF3的形狀相同的形狀在第二非顯示區域NDA2中形成為圖案化。
濾色層170和黑色矩陣BM可以不設置在第二非顯示區域NDA2的第二透射區域TA2中，以提高透光率。因此，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，第二非顯示區域NDA2中的透光率與顯示區域DA中的透光率之間的差距可以最小化。
同時，在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，像素電力線VDD、共同電力線VSS和參考線VREF可以僅設置在非顯示區域NDA的第一非顯示區域NDA1和第二非顯示區域NDA2中。在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，每一條像素電力線VDD、共同電力線VSS和參考線VREF可以形成雙層結構，並且設置在第一非顯示區域NDA1中的每一條共同電力線VSS和參考線VREF可以與複數個連接電極連接。因此，即使像素電力線VDD、共同電力線VSS和參考線VREF僅設置在第一非顯示區域NDA1和第二非顯示區域NDA2中，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110可以確保像素電力線VDD、共同電力線VSS和參考線VREF中的每一條都有足夠的面積，並使電阻最小化。
在根據本發明一個實施例的透明顯示面板110中，由於在第三非顯示區域NDA3和第四非顯示區域NDA4中沒有設置像素電力線VDD、共同電力線VSS和參考線VREF，因此可以提高第三非顯示區域NDA3和第四非顯示區域NDA4的透光率。也就是說，根據本發明一個實施例的透明顯示面板110即使在 第三非顯示區域NDA3和第四非顯示區域NDA4中也可以具有與顯示區域DA類似的透光率。
對於所屬領域中具有通常知識者來說，顯而易見的是，本發明不受上述實施例和圖式的限制，在不脫離發明的精神或範圍的情況下，可以在本發明中進行各種替換、修改和變化。因此，本發明的範圍是由所附的請求項界定，並且旨在從請求項的含義、範圍和均等概念衍生的所有變化或修改都屬於本發明的範圍。
可以結合上述各種實施例以提供更進一步的實施例。在本發明說明書或申請資料表中所列出的所有美國專利、美國專利申請公開、美國專利申請、外國專利、外國專利申請和非專利出版物均以引用的方式全部納入本文。如有必要，可對實施例的各個方面進行修改，以採用各種專利、申請和出版物的概念來提供更進一步的實施例。
根據上述詳細的描述，可以對實施例進行包含這些以及其它的改變。一般來說，在以下請求項中，所使用的詞語不應解釋為將請求項限制在說明書和請求項中所公開的具體實施例中，而應解釋為包括所有可能的實施例以及這些請求項所享有的全部均等範圍。因此，請求項不受本發明限制。
110:透明顯示面板
205:閘極驅動器
DA:顯示區域
DP:第四焊墊
GL:閘極線
NDA:非顯示區域
NDA1:第一非顯示區域
NDA2:第二非顯示區域
NDA3:第三非顯示區域
NDA4:第四非顯示區域
PA:焊墊區域
PAD:焊墊
VDD:像素電力線
VDD1:第一像素電力線
VDD2:第二像素電力線
VDDL:像素電力線、第三像素電力線
VDDP:第一焊墊
VREF:參考線
VREF1:第一參考線
VREFP:第三焊墊
VSS:共同電力線
VSS1:第一共同電力線
VSS2:第二共同電力線
VSSL:共同電力線、第三共同電力線
VSSP:第二焊墊
A,B,C:區域

Claims (18)

  1. 一種透明顯示裝置，包括：一基板，設置有一顯示區域和一非顯示區域，該顯示區域包含一透射區域和一非透射區域，其中設置複數個子像素，並且該非顯示區域與該顯示區域相鄰；一驅動電晶體，設置在該基板上方的該非透射區域中，該驅動電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極和一汲極電極；一電容器，設置在該基板上方的該非透射區域中，該電容器包含一第一電容器電極和一第二電容器電極；以及一陽極輔助電極，設置在該驅動電晶體與一發光二極體之間，將該驅動電晶體與該發光二極體的一陽極電極電性連接，其中，該第二電容器電極不與該驅動電晶體的該主動層重疊，以及其中，該陽極輔助電極通過一第一接觸孔連接至該驅動電晶體，並且該第一接觸孔與該電容器所設置處的一區域間隔開。
  2. 如請求項1所述的透明顯示裝置，進一步包括一訊號線，位於與該主動層相同的層上，由與該驅動電晶體的該主動層的材料相同的材料製成，其中該電容器不與該訊號線重疊。
  3. 如請求項1所述的透明顯示裝置，其中該第一電容器電極從該驅動電晶體的該閘極電極延伸，並且該第二電容器電極設置在該閘極電極與該汲極電極之間。
  4. 如請求項1所述的透明顯示裝置，進一步包括：一閘極絕緣層，設置在該主動層與該閘極電極之間；以及一第一層間絕緣層，設置在該第一電容器電極與該第二電容器電極之間，其中，該第一層間絕緣層比該閘極絕緣層更薄。
  5. 如請求項1所述的透明顯示裝置，進一步包括一第二層間絕緣層，設置在該第二電容電極上方，其中該源極電極和該汲極電極設置在該第二層間絕緣層上方。
  6. 如請求項1所述的透明顯示裝置，進一步包括：一第一平坦層，設置在該驅動電晶體和該電容器上方；該陽極輔助電極，設置在該第一平坦層上方，並通過穿過該第一平坦層的該第一接觸孔與該驅動電晶體電性連接；以及一第二平坦層，設置在該陽極輔助電極上方，其中，該陽極電極設置在該第二平坦層上方，並通過穿過該第二平坦層的一第二接觸孔與該陽極輔助電極電性連接。
  7. 如請求項6所述的透明顯示裝置，其中，該第一接觸孔和該第二接觸孔設置為彼此間隔開。
  8. 如請求項6所述的透明顯示裝置，其中，該第二接觸孔設置在設有該電容器的區域中。
  9. 如請求項6所述的透明顯示裝置，其中，該第二接觸孔設置在該電容器的該第二電容器電極上方。
  10. 如請求項1所述的透明顯示裝置，進一步包括：複數條共同電力線，設置在該基板上方，並從該顯示區域沿第一方向延伸；以及複數條像素電力線，設置在該基板上方，並從該顯示區域沿該第一方向延伸，其中，該複數條共同電力線和該複數條像素電力線交替地設置，以及其中，該透射區域設置在該共同電力線與該像素電力線之間。
  11. 如請求項10所述的透明顯示裝置，進一步包括：一閘極線，沿第二方向延伸並與該共同電力線和該像素電力線交叉；一第一交叉區域，該共同電力線和該閘極線在該第一交叉區域中彼此交叉；以及 一第二交叉區域，該像素電力線和該閘極線在該二交叉區域中彼此交叉，其中，該驅動電晶體和該電容器設置在該第一交叉區域與該第二交叉區域之間。
  12. 如請求項11所述的透明顯示裝置，其中對應於該第一交叉區域和該第二交叉區域的該複數個子像素中的一子像素的一陽極電極包含一第一部分以及從該第一部分的相對側突出的一第二部分和一第三部分，以及其中，該驅動電晶體和該電容器設置在該第一部分下方，該共同電力線和該像素電力線設置在該第二部分和該第三部分下方。
  13. 如請求項11所述的透明顯示裝置，其中不對應於該第一交叉區域和該第二交叉區域的該複數個子像素中的一子像素的一陽極電極的面積小於對應於該第一交叉區域和該第二交叉區域的該複數個子像素中的一子像素的一陽極電極的面積。
  14. 如請求項11所述的透明顯示裝置，其中該電容器和該驅動電晶體設置在該第一交叉區域與該第二交叉區域之間。
  15. 如請求項1所述的透明顯示裝置，進一步包括：一第一層間絕緣層，設置在該閘極電極和該第一電容器電極上方；以及一第二層間絕緣層，設置在該第二電容器電極上方，其中，該第一層間絕緣層和該第二層間絕緣層中的每一個由折射率為1.8~1.9的一無機薄膜製成。
  16. 如請求項15所述的透明顯示裝置，進一步包括：一堤部，設置在該非透射區域中，其中，該透射區域與該第一層間絕緣層和該第二層間絕緣層的一端部之間的距離短於該透射區域與該堤部的一端部之間的距離。
  17. 一種透明顯示裝置，包括： 一基板，設置有一顯示區域和一非顯示區域，該顯示區域包含一透射區域和一非透射區域，其中設置複數個子像素，並且該非顯示區域與該顯示區域相鄰；一發光二極體，設置在該基板上方的該非透射區域中，包含一陽極電極、一發光層和一陰極電極；一驅動電晶體，設置在該發光二極體與該基板之間，並設置在該非透射區域的一第一區域中；一電容器，設置在該發光二極體與該基板之間，並設置在該非透射區域的一第二區域中；以及一陽極輔助電極，設置在該驅動電晶體與該發光二極體之間，將該驅動電晶體與該發光二極體的該陽極電極電性連接，其中，該電容器所設置處之該第二區域不與該驅動電晶體所設置處之該第一區域重疊，以及其中，該陽極輔助電極通過一第一接觸孔連接至該驅動電晶體，並且該第一接觸孔與該電容器所設置處的該第二區域間隔開。
  18. 如請求項17所述的透明顯示裝置，其中該發光二極體的該陽極電極通過一第二接觸孔連接至該陽極輔助電極，並且該第二接觸孔設置在該電容器所設置處的該第二區域中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI859007B (zh) * 2023-11-24 2024-10-11 力晶積成電子製造股份有限公司 影像感測器結構

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3240373A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Michael HELANDER Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20220100146A (ko) * 2021-01-07 2022-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230022333A (ko) * 2021-08-05 2023-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기
TWI796932B (zh) * 2021-09-16 2023-03-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
KR20230096541A (ko) * 2021-12-23 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR20230100153A (ko) * 2021-12-28 2023-07-05 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN114823829B (zh) * 2022-04-13 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN115132948B (zh) * 2022-06-30 2024-02-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置
CN115207248B (zh) * 2022-07-15 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN116381990B (zh) * 2023-04-14 2024-08-16 厦门天马微电子有限公司 显示模组和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110156995A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Jun Ho Choi Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and fabricating methods thereof
TW201704779A (zh) * 2015-07-31 2017-02-01 三星Ｓｄｉ股份有限公司 窗膜和包含所述窗膜的可撓性顯示器
US20170193876A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Lg Display Co., Ltd. Display Device
US20180033847A1 (en) * 2016-07-29 2018-02-01 Lg Display Co., Ltd. Transparent display device and method for manufacturing the same
TW201826521A (zh) * 2016-11-22 2018-07-16 日商半導體能源硏究所股份有限公司 顯示裝置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5771365B2 (ja) * 2009-11-23 2015-08-26 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 中小型液晶表示装置
KR102089309B1 (ko) * 2013-01-24 2020-03-16 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR102215622B1 (ko) * 2013-11-18 2021-02-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102236381B1 (ko) 2014-07-18 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2016225814A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 セイコーエプソン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法
KR102449405B1 (ko) 2015-12-04 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치, 및 그의 제조방법
KR102618593B1 (ko) * 2015-12-29 2023-12-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102572763B1 (ko) * 2016-06-29 2023-08-29 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치와 그의 제조방법
KR102387179B1 (ko) 2017-04-27 2022-04-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102577603B1 (ko) * 2018-02-07 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널, 표시패널의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110156995A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Jun Ho Choi Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and fabricating methods thereof
TW201704779A (zh) * 2015-07-31 2017-02-01 三星Ｓｄｉ股份有限公司 窗膜和包含所述窗膜的可撓性顯示器
US20170193876A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Lg Display Co., Ltd. Display Device
US20180033847A1 (en) * 2016-07-29 2018-02-01 Lg Display Co., Ltd. Transparent display device and method for manufacturing the same
TW201826521A (zh) * 2016-11-22 2018-07-16 日商半導體能源硏究所股份有限公司 顯示裝置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI859007B (zh) * 2023-11-24 2024-10-11 力晶積成電子製造股份有限公司 影像感測器結構

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Publication number Publication date
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