[go: up one dir, main page]

TWI757260B - 參（二矽烷基）胺 - Google Patents

參（二矽烷基）胺 Download PDF

Info

Publication number
TWI757260B
TWI757260B TW105141901A TW105141901A TWI757260B TW I757260 B TWI757260 B TW I757260B TW 105141901 A TW105141901 A TW 105141901A TW 105141901 A TW105141901 A TW 105141901A TW I757260 B TWI757260 B TW I757260B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
amine
disilyl
silicon
vapor deposition
film
Prior art date
Application number
TW105141901A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201739752A (zh
Inventor
布萊恩Ｄ 雷肯
孝賓 周
黃秉槿
巴里Ｍ 卡托拉
Original Assignee
中國大陸商南大光電半導體材料有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司 filed Critical 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司
Publication of TW201739752A publication Critical patent/TW201739752A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI757260B publication Critical patent/TWI757260B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C01B21/092—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms containing also one or more metal atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/42—Introducing metal atoms or metal-containing groups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/12—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing organo-metallic compounds or metal hydrides
    • B01J31/14—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing organo-metallic compounds or metal hydrides of aluminium or boron
    • B01J31/146—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing organo-metallic compounds or metal hydrides of aluminium or boron of boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/025—Silicon compounds without C-silicon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/20—Purification, separation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/62—Nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G85/00—General processes for preparing compounds provided for in this subclass
    • C08G85/004—Modification of polymers by chemical after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00162—Controlling or regulating processes controlling the pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00718—Type of compounds synthesised
    • B01J2219/0072—Organic compounds
    • B01J2219/00736—Non-biologic macromolecules, e.g. polymeric compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2231/00—Catalytic reactions performed with catalysts classified in B01J31/00
    • B01J2231/005—General concepts, e.g. reviews, relating to methods of using catalyst systems, the concept being defined by a common method or theory, e.g. microwave heating or multiple stereoselectivity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
    • B01J2531/001—General concepts, e.g. reviews, relating to catalyst systems and methods of making them, the concept being defined by a common material or method/theory
    • B01J2531/002—Materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

一種用於製備參(二矽烷基)胺之方法。該方法包含下列步驟：(a)將二矽烷基(烷基)胺與氨接觸以製備雙(二矽烷基)胺；以及(b)使雙(二矽烷基)胺生成參(二矽烷基)胺和氨。

Description

參(二矽烷基)胺
本發明涉及一種製備參(二矽烷基)胺的方法。
參(二矽烷基)胺是一已知化合物，首次報導於L.G.LWard & A.G.MacDiarmid,J.Inorg.Nucl.Chem.,1961(21)287-293。然而，經由此參考文獻獲得的該產物元素分析檢驗結果顯示其可能獲得之最大純度為97.32%。
該問題需要藉由本發明生成參(二矽烷基)胺的額外方法來解決。
本發明提供一種製備參(二矽烷基)胺的方法。該方法包含下列步驟：(a)將二矽烷基(烷基)胺與氨接觸以製備雙(二矽烷基)胺；以及(b)使雙(二矽烷基)胺生成參(二矽烷基)胺和氨。
除非特別註明，否則百分比為重量百分比(wt%)且溫度使用℃。除非特別註明，否則操作是在室溫(20至25℃)下進行。烷基是飽和的直鏈或分支鏈的C1至C20烴基。
二矽烷基(烷基)胺是一種具有式(Si2H5)NR1R2的任何化合物，其中R1和R2分別為氫或烷基，條件為至少一個R1及R2是烷基，較佳的是C1至C8烷基，較佳的是C2至C6烷基，較佳的是C2至C4烷基。尤佳的是異丙基。較佳的是R1和R2皆為烷基。較佳的是R1和R2是相同的。雙(二矽烷基)胺具有式(Si2H5)2NH。
本發明更進一步指出一種製備參(二矽烷基)胺的方法，該方法包含使雙(二矽烷基)胺生成參(二矽烷基)胺和氨。
本發明更進一步指出參(二矽烷基)胺之純度至少有97.5%，較佳的是有至少98%的純度。純度是由使用TCD偵測器的氣相層析法測定。
較佳的是將雙(二矽烷基)胺於20至280℃之間的溫度下加熱；較佳的是至少40℃，較佳的是至少70℃，較佳的是至少90℃；較佳的是不高於200℃，較佳的是不高於170℃，較佳的是不高於150℃。較佳的加熱時間介於8到48小時，較佳的是12至36小時。適當的加熱時間容易取決於裝置或其他參數等。較佳的是由蒸餾來純化參(二矽烷基)胺。
較佳的是將二矽烷基(烷基)胺與氨在高於大氣壓力下接觸，較佳的是至少1.5atm(152kPa)，較佳的是至少2atm(202kPa)；較佳的是不大於10atm(1,010kPa)，較佳的是不大於6atm(606kPa)。較佳的是將氨加入二矽烷基(烷基)胺中。較佳的是二矽烷基(烷基)胺：氨的莫耳比為100：1至1：1000，較佳的是介於3：1至 1：3之間，較佳的是2：1至1：1之間。較佳的是由蒸餾來移除至少一部分的二異丙胺。
本發明更進一步指出一種用於形成膜的組成物，該組成物包含參(二矽烷基)胺，以及下列中之至少一者：惰性氣體、分子氫、碳前驅物、氮前驅物、以及氧前驅物。
本發明更進一步指出一種於基材上形成含矽膜的方法，該方法包含在基材存在下，使包含參(二矽烷基)胺的矽前驅物之蒸氣經歷沉積條件，以在該基材上形成含矽膜。本發明更進一步指出一種根據本方法形成之膜。
於本文中，分子氫、碳前驅物、氮前驅物、或氧前驅物的蒸氣或氣體狀態通常稱作額外反應物氣體。
碳前驅物可和參(二矽烷基)胺用來形成矽碳膜，其包含Si原子、C原子、以及可能包含碳化矽。當包含C、H、及可選地Si原子的碳前驅物係在用於形成碳氮化矽膜或氧碳化矽膜之方法中使用時，該碳前驅物可進一步分別包含N或O原子，或當該碳前驅物係在用於形成氧碳氮化矽膜之方法中使用時，該碳前驅物可進一步包含N及O原子。基本上由C、H、及可選地Si原子所組成之碳前驅物缺乏N及O原子，但可選地可具有一或多個鹵素原子(例如，Cl)。由C及H原子所組成之碳前驅物的實例係烴，諸如烷。由C、H、及Si原子所組成之碳前驅物的實例係烴基矽烷，諸如丁基二矽烷或四甲基矽烷。
氮前驅物可與參(二矽烷基)胺一起使用於組成物中，以用於根據本方法的實施例形成矽氮膜。氮前驅物和參(二矽烷基)胺不同。矽氮膜含有Si及N原子以及可選地C及/或O原子，且可包含氮化矽、氧氮化矽、或氧碳氮化矽。氮化矽可以是SixNy，其中x係1、2、或3，且y係自1至5之整數。當包含N以及可選地H原子的氮前驅物係在用於形成碳氮化矽膜或氧氮化矽膜之方法中使用時，該氮前驅物可進一步分別包含C或O原子，或當該氮前驅物係在用於形成氧碳氮化矽膜之方法中使用時，該氮前驅物可進一步包含C及O原子。基本上由N原子以及可選地H原子所組成之氮前驅物缺乏C及O原子，但可選地可具有一或多個鹵素原子(例如，Cl)；分子氮即為一實例。由N及H原子所組成之氮前驅物的實例係氨及肼。由O及N原子所組成之氮前驅物的一實例係一氧化氮及二氧化氮。
氧前驅物可與參(二矽烷基)胺一起使用於組成物中，以用於根據本方法的實施例形成矽氧膜。矽氧膜含有Si及O原子以及可選地C及/或N原子，且可包含氧化矽、氧碳化矽、氧氮化矽、或氧碳氮化矽。氧化矽可以是SiO或SiO2。當包含O原子以及可選地H原子的氧前驅物係在用於形成氧碳化矽膜或氧氮化矽膜之方法中使用時，該氧前驅物可進一步分別包含C或N原子，或當該氧前驅物係在用於形成氧碳氮化矽膜之方法中使用時，該氧前驅物可進一步包含C及N原子。由O原子所組成之氧前驅物的實例係分子氧及臭氧。由O及H原子所組成之氧前驅物的實例係 水及過氧化氫。由O及N原子所組成之氧前驅物的一實例係一氧化氮及二氧化氮。
惰性氣體可與前述前驅物之任一者組合使用。惰性氣體的實例係氦、氬、及其混合物。例如，在其中所形成之含矽膜係元素矽膜之方法的實施例中，氦可與參(二矽烷基)胺及分子氫組合使用。或者，氦可與矽前驅物化合物及碳前驅物、氮前驅物、及氧前驅物中之任一者一起使用於其中所形成之含矽膜分別係矽碳膜、矽氮膜、或矽氧膜之方法的實施例中。
本形成膜之方法使用沉積裝置。本方法中所利用之沉積裝置通常係基於所欲之形成膜之方法而選擇，且可以是所屬技術領域中具有通常知識者已知之任何沉積裝置。
在較佳的實施例中，沉積裝置包含物理氣相沉積裝置。該沉積裝置一般係選自濺鍍裝置、原子層沉積裝置、以及直流電(DC)磁控濺鍍裝置。這些物理氣相沉積裝置之各者的最佳操作參數係基於本方法中所利用之化合物以及經由該沉積裝置所形成之膜的所欲應用而定。在較佳的實施例中，沉積裝置包含濺鍍裝置，例如，離子束濺鍍裝置、反應性濺鍍裝置、或離子輔助濺鍍裝置。
較佳的是沉積裝置包含原子層沉積裝置或化學氣相沉積裝置。這些生成膜的方法可分別稱作原子層沉積法或化學氣相沉積法。該裝置和方法係所屬技術領域中眾所周知的。化學氣相沉積裝置可能是，例如可流動化學氣相裝置、熱化學氣相沉積裝置、電漿增強化學氣相沉積裝置、光化學氣相沉積裝置、電子迴旋共振 裝置、感應耦合電漿裝置、磁約束電漿裝置、低壓化學氣相沉積裝置、以及噴射氣相沉積裝置。這些化學氣相沉積裝置之各者的最佳操作參數係基於本方法中所利用之化合物以及經由該沉積裝置所形成之膜的所欲應用而定。較佳的是沉積裝置包含電漿增強化學氣相沉積裝置或低壓化學氣相沉積裝置。
在化學氣相沉積中，用於形成膜之氣體一般係在沉積艙中混合與反應。該反應形成蒸氣狀態之適當膜元素或分子。然後元素或分子沉積在基材(或晶圓)上且積累以形成膜。化學氣相沉積通常需要對系統添加能量，諸如加熱沉積艙及基材。
氣體物種之反應通常係所屬技術領域中眾所周知的，且可經由本發明之方法實行任何習知化學氣相沉積(CVD)技術。例如，可使用諸如以下方法：簡單熱氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、電子迴旋共振(ECRCVD)、大氣壓化學氣相沉積(APCVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(UHVCVD)、氣溶膠輔助化學氣相沉積(AACVD)、直接液體注入化學氣相沉積(DLICVD)、微波電漿輔助化學氣相沉積(MPCVD)、遠端電漿增強化學氣相沉積(RPECVD)、原子層化學氣相沉積(ALCVD)、熱絲化學氣相沉積(HWCVD)、混合物理化學氣相沉積(HPCVD)、快速熱化學氣相沉積(RTCVD)、及氣相磊晶化學氣相沉積(vapor-phase epitaxy chemical vapor,VPECVD)、光輔助化學氣相沉積(photo-assisted chemical vapor disposition,PACVD)、火焰輔助化學氣相沉積(FACVD)、或任何相似的技術。
可利用化學氣相沉積來形成具有多種厚度之膜，該等厚度將視膜的所欲最終用途而定。舉例來說，膜可具有數奈米之厚度或數微米之厚度、或更大或更小之厚度(或落在這些值之間的厚度)。這些膜可以可選地被塗層覆蓋，諸如SiO2塗層、SiO2/改質陶瓷氧化物層、含矽塗層、含矽碳塗層、含碳化矽塗層、含矽氮塗層、含氮化矽塗層、含矽氮碳塗層、含矽氧氮塗層、及/或類鑽石碳塗層。此等塗層及其沉積方法通常係所屬技術領域中已知。
本方法中所利用之基材不受限制。在某些實施例中，基材僅受限於在沉積艙的溫度以及環境中之熱及化學安定性的需求。因此，基材可以是，例如玻璃、金屬、塑膠、陶瓷、以及矽(如單晶矽、多晶矽、非晶矽等)。
本發明之方法的實施例可包括包含一氧化氮之反應性環境。此等反應性環境通常係所屬技術領域中已知的。在這些實施例中，該方法通常涉及在一氧化氮存在下分解矽化合物。該方法的一實例描述於美國專利5,310,583.利用一氧化氮可修飾在化學氣相沉積方法中形成之所得膜之組成。
化學氣相沉積裝置以及因此所利用之化學氣相沉積方法通常係藉由平衡若干因子而選擇，該等因子包括但不限於參(二矽烷基)胺、所欲的膜純度、基材的幾何組態、以及經濟考量。化學氣相沉積中所控制之主要操作變數包括但不限於溫度、基材溫度、壓力、在參(二矽烷基)胺之氣相中的濃度、任何額外的反應物氣體濃度(例如，任何碳前驅物、氮前驅物、及/或氧前驅物之氣 體的濃度)、以及總氣體流。化學氣相沉積自包括但不限於熱解、氧化、還原、水解、及其組合之化學反應而產生。選擇化學氣相沉積之最佳溫度需要有對化合物以及所選化學反應之動力學與熱力學之了解。
傳統的氣相沉積法通常需要顯著的高溫，例如600°至1000℃。然而，人們認為參(二矽烷基)胺可以在更低溫下操作。舉例來說，該方法可在100°至700°下進行，較佳的是至少200°；較佳的是不高於600°，較佳的是不高於500°。該方法進行下的溫度可以是恆溫的或是動態的。
化學氣相沉積製程通常涉及產生前驅物、運輸前驅物至反應艙中、以及將前驅物吸收至經加熱基材上，或使前驅物進行化學反應且後續吸收至基材上。以下列舉化學氣相沉積方法的概略調查以說明大量可用選項中的一些。
在熱CVD中，膜係藉由使參(二矽烷基)胺之蒸氣形式氣流通過經加熱基材上而沉積。當化合物之蒸氣形式接觸經加熱基材時，該化合物通常會反應以形成膜。
在PECVD中，參(二矽烷基)胺之蒸氣形式係藉由通過電漿域而反應以形成反應性物種。然後反應性物種會集中並沉積在基材上以形成膜。PECVD中所利用之電漿包含衍生自各種來源之能量，諸如放電、在射頻或微波範圍的電磁場、雷射、或粒子束。大致上，PECVD利用於中等功率密度(每平方公分0.1至5瓦特(W/cm2))之射頻(10千赫茲(kHz)至102百萬赫茲(MHz))或 微波能量(0.1至10千兆赫茲(GHz))，但這些變數的任一者皆可修改。
在AACVD中，化合物被溶在化學介質中來生成混合物，其裝入傳統的氣溶膠中。該氣溶膠霧化並且將該化合物導入加熱的艙中，在其中進行化學反應。AACVD的一個優點係無需真空就能形成膜之能力。
也可在沉積艙中使用促進所欲沉積之環境。舉例來說，於本文中，諸如空氣、氧、氧電漿、氨、胺、肼等之反應性環境或惰性環境皆可使用。
然而，較佳的是沉積設備包含原子層沉積設備。在使用原子層沉積設備之實施例中，形成膜之方法可稱作原子層沉積方法，且包括電漿增強原子層沉積(PEALD)、空間原子層沉積(SALD)、以及熱原子層沉積(TALD)。一般而言，原子層沉積方法係所屬技術領域中眾所周知的。
因為參(二矽烷基)胺含有至少一個Si-N鍵，其可能不使用氮前驅物來形成氮化矽膜。沉積條件可經最佳化以控制本發明之方法形成的是元素Si膜或SiN膜。若有需要，氮前驅物可用於第二蒸氣中以富集膜的氮含量。
替代地，參(二矽烷基)胺可與傳統上用來形成包含結晶矽或氮化矽之矽膜的其他基於矽之前驅物化合物一起使用。該膜可以是例如結晶的或磊晶的。視在本方法期間之反應性環境的存在而定，除了包含矽及氮外，膜可進一步包含氧及/或碳。
實例 由二異丙基(二矽烷基)胺(DPDS)到雙(二矽烷基)胺(BDSA)的胺基轉移作用：
在1.5公升的高壓巴氏(Parr)反應器中裝入375g DPDS(~99%)。
在470rpm下攪拌DPDS的同時，藉由加壓至40psig和減壓至20psig循環，經由浸漬管口於60分鐘內半連續地蒸氣供給28g無水NH3至巴氏反應器。
在添加期間溫度逐漸由20℃增加到27℃(冷卻設定在20℃)。
壓力在最後一循環的NH3加入後開始增加。冷卻至0℃且開始N2吹掃。
持續冷卻和吹掃1小時。
壓力停止增加。
轉移~311g材料(~38% BDSA)到不鏽鋼圓筒。轉移圓筒到低氧氣和低濕度手套箱。
轉移材料到手套箱裡的500ml反應器。
材料放置在0℃整晚。
在~150mm Hg真空(20kPa)和~60℃下使用5段管柱前餾除去二異丙基(二矽烷基)胺(DIPA)後，完全蒸餾粗產物。
由DPDS到BDSA的胺基轉移作用：
在1.5公升的高壓巴氏(Parr)反應器中裝入374g DPDS(~99%)。
在470rpm下攪拌DPDS的同時，藉由加壓至40psig和減壓至20psig循環，經由浸漬管口於60分鐘內半連續地蒸氣供給26.5g的NH3至巴氏反應器。
在添加期間溫度逐漸由20℃增加到25℃(冷卻設定在20℃)。
壓力在最後一循環的NH3加入後開始增加。冷卻至0℃且開始N2吹掃。
持續冷卻和吹掃~20分鐘。
壓力停止增加。
轉移~376g材料(~30% BDSA)到圓筒。轉移圓筒到低氧氣和低濕度手套箱。
轉移376g材料到500ml夾套反應器。
材料放置在0℃整晚。
在~150mm Hg真空(20kPa)和60℃下使用5段管柱前餾除去DIPA後，完全蒸餾粗產物。
熱降解和純化：
將上述兩批純化過的BDSA混合。
藉由10段管柱在66℃和100mmHg下蒸餾出過量的DIPA。
在100至110℃的錐形瓶中將BDSA加熱27小時來轉換成參(二矽烷基)胺(TDSA)。
在<10mm Hg真空(<1.3kPa)和100至110℃下使用10段管柱前餾除去DIPA和BDSA並得到產物TDSA。
將66g之純度98%的TDSA產物裝入不鏽鋼起泡機。
比較例(C1至C3)：用六氯二矽烷(HCDS)和氨(NH3)/氮以及PEALD生成氮化矽膜。使用PEALD反應器和含有HCDS且以流體和PEALD反應器相連的小圓筒，使該圓筒維持在室溫下增加其蒸氣壓。用氮(N2)吹掃PEALD反應器，其中PEALD反應器含有複數個加熱到400至500℃之以水平方向放置和間隔的矽晶圓。然後PEALD SiN膜隨著下列順序和HCDS一同成長：HCDS之劑量，1sec/N2吹掃，30sec/電漿伴隨著NH3+N2，15sec/N2吹掃，30sec。重複上述順序的步驟直到在晶圓上形成有所欲厚度之共形氮化矽膜。
實例(T1至T6)：用參(二矽烷基)胺(TDSA)和氮或氨/氮以及PEALD生成氮化矽膜。使用PEALD反應器和含有TDSA且以流體和PEALD反應器相連的小圓筒，加熱該含有TDSA之圓筒到50℃。用氮(N2)吹掃PEALD反應器，其中PEALD反應器將含有複數個加熱到300至500℃之以水平方向放置和間隔的矽晶圓。然後PEALD SiN膜隨著下列順序和TDSA一同成長：TDSA之劑量，1sec/N2吹掃，30sec/電漿伴隨著N2或NH3+N2， 15sec/N2吹掃，30sec。重複上述順序的步驟直到在晶圓上形成有所欲厚度之共形氮化矽膜。
Figure 105141901-A0202-12-0013-1
判定濕式蝕刻速率(WER)之程序：
1.PEALD SiN薄膜在矽晶圓基材上成長。
2.測量沉積之膜厚。
3.穿上PPE並在酸液通風櫥裡準備所欲HF濃度之稀釋HF溶液。
4.浸泡晶圓到稀釋HF溶液裡2至4分鐘用以蝕刻該SiN薄膜。(蝕刻時間取決於起始的膜厚)。
5.使用DI水潤洗並吹N2氣體來使樣品乾燥。
6.再次重新測量其厚度並計算蝕刻速率。[(平均沉積之膜厚-平均蝕刻後之膜厚)/(蝕刻時間)]。

Claims (6)

  1. 一種用於製備參(二矽烷基)胺之方法，該方法包含下列步驟：(a)將二矽烷基(烷基)胺與氨接觸以製備雙(二矽烷基)胺，其中該二矽烷基(烷基)胺具有式(Si2H5)NR1R2，其中R1和R2分別為氫或C1至C8烷基，且該二矽烷基(烷基)胺與氨係在高於大氣壓力之壓力下接觸；以及(b)使該雙(二矽烷基)胺生成參(二矽烷基)胺和氨，其中該雙(二矽烷基)胺於70至280℃之間的溫度下加熱。
  2. 如請求項1之方法，其中R1及R2的至少一者是C1至C8烷基。
  3. 如請求項2之方法，其中R1和R2分別為C1至C8烷基。
  4. 如請求項1之方法，其中R1和R2相同並且是C2至C6烷基。
  5. 一種用於製備參(二矽烷基)胺之方法，該方法包含使雙(二矽烷基)胺生成參(二矽烷基)胺和氨，其中將該雙(二矽烷基)胺於70至280℃之間的溫度下加熱。
  6. 一種在基材上形成含矽膜的方法，該方法包含實施如請求項1至5中任一項之用於製備參(二矽烷基)胺之方法；及在該基材存在下，使包含該參(二矽烷基)胺之蒸氣經歷沉積條件，以在該基材上形成該含矽膜。
TW105141901A 2015-12-18 2016-12-16 參（二矽烷基）胺 TWI757260B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562269286P 2015-12-18 2015-12-18
US62/269,286 2015-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201739752A TW201739752A (zh) 2017-11-16
TWI757260B true TWI757260B (zh) 2022-03-11

Family

ID=57714710

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105141894A TWI752929B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 合成二矽烷基胺與聚矽烷基胺
TW105141895A TWI754626B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 高純度三矽烷胺、製造方法、及用途
TW105141901A TWI757260B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 參（二矽烷基）胺
TW105141899A TWI722077B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 製造有機胺基矽烷之方法；自該有機胺基矽烷製造矽烷胺之方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105141894A TWI752929B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 合成二矽烷基胺與聚矽烷基胺
TW105141895A TWI754626B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 高純度三矽烷胺、製造方法、及用途

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105141899A TWI722077B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 製造有機胺基矽烷之方法；自該有機胺基矽烷製造矽烷胺之方法

Country Status (7)

Country Link
US (4) US11040989B2 (zh)
EP (3) EP3390410B1 (zh)
JP (4) JP6917995B2 (zh)
KR (4) KR102752515B1 (zh)
CN (4) CN108431012B (zh)
TW (4) TWI752929B (zh)
WO (4) WO2017106587A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752929B (zh) * 2015-12-18 2022-01-21 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司 合成二矽烷基胺與聚矽烷基胺
TWI784022B (zh) * 2017-07-31 2022-11-21 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司 1,1,1-參(二甲胺基)二矽烷及其製備方法
JP7023445B2 (ja) * 2017-10-07 2022-02-22 株式会社Flosfia 成膜方法
JP7391296B2 (ja) * 2017-10-07 2023-12-05 株式会社Flosfia 成膜方法
KR20210015823A (ko) * 2018-05-23 2021-02-10 다우 실리콘즈 코포레이션 유기아미노실란의 제조 방법
WO2020101437A1 (ko) 2018-11-15 2020-05-22 주식회사 유피케미칼 실리콘 전구체 화합물, 제조 방법, 및 이를 이용하는 실리콘-함유 막 형성 방법
CN109761776B (zh) * 2018-12-29 2022-01-21 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 一种六氯丙酮的提纯方法
JP7065805B2 (ja) * 2019-05-13 2022-05-12 大陽日酸株式会社 ハロゲン化アミノシラン化合物、薄膜形成用組成物およびシリコン含有薄膜
CN111978346A (zh) 2019-05-23 2020-11-24 中国石油天然气股份有限公司 芳胺基硅烷化合物、丙烯聚合催化剂及其制备与应用
CN116457310A (zh) * 2020-10-23 2023-07-18 恩特格里斯公司 制备碘硅烷的方法
CN115260223B (zh) * 2022-09-26 2022-12-23 江苏南大光电材料股份有限公司 无氯催化剂于制备二异丙胺硅烷中的用途
CN115591259B (zh) * 2022-12-12 2023-04-07 天津绿菱气体有限公司 一种利用副产物再生三甲硅烷基胺的反应装置及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201341570A (zh) * 2012-03-05 2013-10-16 Applied Materials Inc 使用替代性矽前驅物之可流動薄膜

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4675424A (en) * 1986-03-19 1987-06-23 Union Carbide Corporation Method for making polysilazanes
JPH0363284A (ja) 1989-08-01 1991-03-19 Mitsui Petrochem Ind Ltd シラザン類の製造方法
US6391803B1 (en) * 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US7098150B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-29 Air Liquide America L.P. Method for novel deposition of high-k MSiON dielectric films
US20060051975A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Ashutosh Misra Novel deposition of SiON dielectric films
US7875312B2 (en) * 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
JP5547418B2 (ja) * 2009-03-19 2014-07-16 株式会社Ａｄｅｋａ 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法
US20110136347A1 (en) * 2009-10-21 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Point-of-use silylamine generation
JP5623296B2 (ja) 2010-01-15 2014-11-12 信越化学工業株式会社 トリシリルアミンの製造方法
KR20110090711A (ko) 2010-02-04 2011-08-10 녹십자수의약품(주) 신규한 돼지 써코바이러스 타입 2 및 그의 용도
US8912353B2 (en) * 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8771807B2 (en) * 2011-05-24 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for making and using same
BR112014001066A2 (pt) 2011-07-20 2017-02-21 Allergan Inc toxinas botulínicas para uso em um método para tratamento de depósitos adiposos
KR101970850B1 (ko) * 2011-10-07 2019-04-19 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 트리실릴아민의 응축상 제조 장치 및 방법
KR101367190B1 (ko) 2011-12-27 2014-02-26 제이에스아이실리콘주식회사 트리스(알콕시실릴)아민의 제조 방법 및 트리실릴아민의 제조 방법
US9337018B2 (en) * 2012-06-01 2016-05-10 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors
DE102013207442A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silanen
US9796739B2 (en) * 2013-06-26 2017-10-24 Versum Materials Us, Llc AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9284198B2 (en) 2013-06-28 2016-03-15 Air Products And Chemicals, Inc. Process for making trisilylamine
US9382269B2 (en) * 2013-09-27 2016-07-05 Voltaix, Llc Halogen free syntheses of aminosilanes by catalytic dehydrogenative coupling
US9233990B2 (en) * 2014-02-28 2016-01-12 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilanes and methods for making same
WO2015184201A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Dow Corning Corporation Monoaminosilane compounds
US9777025B2 (en) * 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
TWI752929B (zh) * 2015-12-18 2022-01-21 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司 合成二矽烷基胺與聚矽烷基胺
US10703915B2 (en) * 2016-09-19 2020-07-07 Versum Materials Us, Llc Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films
US10647578B2 (en) * 2016-12-11 2020-05-12 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude N—H free and SI-rich per-hydridopolysilzane compositions, their synthesis, and applications
US11078569B2 (en) * 2017-09-19 2021-08-03 Versum Materials Us, Llc Trisilylamine derivatives as precursors for high growth rate silicon-containing films

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201341570A (zh) * 2012-03-05 2013-10-16 Applied Materials Inc 使用替代性矽前驅物之可流動薄膜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
期刊韕L.G.L.Ward et al.,"The preparation and properties of bis-disilanyl sulphide and tris-disilanylamin", J. Inorg. Nucl. Chem., Vol. 21, 1961, page 287-293.韕 韕J. Inorg. Nucl. Chem.韕Vol. 21韕.韕1961韕第289頁韕 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3390410B1 (en) 2022-02-02
US20200262849A1 (en) 2020-08-20
EP3390409B1 (en) 2019-10-23
CN108431012A (zh) 2018-08-21
TWI752929B (zh) 2022-01-21
KR102746409B1 (ko) 2024-12-26
US10858378B2 (en) 2020-12-08
US20180334469A1 (en) 2018-11-22
WO2017106587A1 (en) 2017-06-22
CN108431013B (zh) 2021-03-16
JP6917995B2 (ja) 2021-08-11
JP7010825B2 (ja) 2022-01-26
CN108602840A (zh) 2018-09-28
KR102752515B1 (ko) 2025-01-10
CN108602839B (zh) 2021-06-29
KR20180095552A (ko) 2018-08-27
TWI722077B (zh) 2021-03-21
JP2019501159A (ja) 2019-01-17
JP2019500309A (ja) 2019-01-10
KR20180095563A (ko) 2018-08-27
EP3390411A1 (en) 2018-10-24
TWI754626B (zh) 2022-02-11
WO2017106625A1 (en) 2017-06-22
CN108431012B (zh) 2021-01-26
CN108602840B (zh) 2021-05-28
TW201722849A (zh) 2017-07-01
TW201733908A (zh) 2017-10-01
JP2019500361A (ja) 2019-01-10
JP7082571B2 (ja) 2022-06-08
KR20180095561A (ko) 2018-08-27
WO2017106632A1 (en) 2017-06-22
KR102670873B1 (ko) 2024-05-31
US10875877B2 (en) 2020-12-29
US11111256B2 (en) 2021-09-07
EP3390409A1 (en) 2018-10-24
WO2017106615A1 (en) 2017-06-22
KR102746891B1 (ko) 2024-12-27
KR20180095553A (ko) 2018-08-27
EP3390411B1 (en) 2020-09-30
CN108602839A (zh) 2018-09-28
CN108431013A (zh) 2018-08-21
US11040989B2 (en) 2021-06-22
JP2019501884A (ja) 2019-01-24
US20190352315A1 (en) 2019-11-21
EP3390410A1 (en) 2018-10-24
TW201739752A (zh) 2017-11-16
US20180258107A1 (en) 2018-09-13
JP6917991B2 (ja) 2021-08-11
TW201734024A (zh) 2017-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757260B (zh) 參（二矽烷基）胺
US11142462B2 (en) Trichlorodisilane
US10157735B2 (en) Pentachlorodisilane
WO2016191199A1 (en) Diisopropylaminopentachlorodisilane
JP7143514B2 (ja) 異性体エンリッチド高級シランを製造するためのプロセス
TWI746554B (zh) 胺基氯氫二矽烷
KR102228807B1 (ko) SiH-무함유 비닐다이실란
WO2004092441A2 (en) Methods for producing silicon nitride films by vapor-phase growth
US20060198958A1 (en) Methods for producing silicon nitride films by vapor-phase growth