TWI593470B - Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate manufacturing apparatus, and substrate manufacturing method - Google Patents

Description

基板處理裝置、基板處理方法、基板製造裝置及基板製造方法

本發明的實施形態是有關基板處理裝置、基板處理方法、基板製造裝置及基板製造方法。

例如，在液晶顯示裝置的製造工程等中，有由噴嘴來對於基板表面供給處理液(例如純水)，洗淨基板表面之工程。在此工程中，為了將基板更清淨地洗淨，而有提高純水的供給壓力，或增加噴嘴本身的數量等的方法。

可是，一旦提高純水的供給壓力，或增加噴嘴本身的數量，則每基板的單位面積所被供給的液量會增加，因此相應地厚的液膜容易被形成。一旦此厚的液膜存在，則儘管進行藉由提高來自噴嘴的純水供給壓力來對基板表面賦予衝撃的洗淨，還是會因為液膜妨礙，而未能充分地對基板表面賦予原本預定的衝撃，其結果，會有洗淨效果降低的情形。

本發明的目的是在於提供一種可良好地進行利用處理液對基板的處理之基板處理裝置及基板處理方法、基板製造裝置及基板製造方法。

實施形態的基板處理裝置係具備：第1噴嘴，其係對於被搬送的基板的表面供給處理液；及一對的第2噴嘴，其係以能夠夾著前述第1噴嘴的方式排列於前述基板的搬送方向，分別對於與前述基板的表面垂直的面傾斜而吐出流體，在前述基板的搬送方向，前述一對的第2噴嘴之中比前述第1噴嘴更位於下游側的一方的第2噴嘴係朝前述基板的搬送方向下游側吐出前述流體，另一方的第2噴嘴係朝前述基板的搬送方向上游側吐出前述流體。

實施形態的基板處理裝置係具備：第1噴嘴，其係對於被搬送的基板的表面供給處理液；及第2噴嘴，其係於前述基板的搬送方向配置在比前述第1噴嘴更上游側或下游側，對於與前述基板的表面垂直的面傾斜而吐出流體，前述第2噴嘴係以能夠控制被形成於前述基板的背面上的液膜的厚度之方式吐出前述流體。

實施形態的基板處理方法係具有：由第1噴嘴來對於被搬送的基板的表面供給處理液之工程；及 由一對的第2噴嘴來吐出流體之工程，該一對的第2噴嘴係以能夠夾著前述第1噴嘴的方式排列於前述基板的搬送方向，分別對於與前述基板的表面垂直的面傾斜，由前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體之工程，係於前述基板的搬送方向由前述一對的第2噴嘴之中比前述第1噴嘴更位於下游側的一方的第2噴嘴來朝前述基板的搬送方向下游側吐出前述流體，由另一方的第2噴嘴來朝前述基板的搬送方向上游側吐出前述流體。

實施形態的基板處理方法係具有：由第1噴嘴來對於被搬送的基板的表面供給處理液之工程；及由第2噴嘴來吐出流體之工程，該第2噴嘴係於前述基板的搬送方向配置於比前述第1噴嘴更上游側或下游側，對於與前述基板的表面垂直的面傾斜，由前述第2噴嘴來吐出前述流體之工程，係以能夠控制被形成於前述基板的表面上的液膜的厚度之方式，由前述第2噴嘴吐出前述流體。

實施形態的基板製造裝置係具備：搬送部，其係搬送基板；藥液處理部，其係藉由藥液來處理前述基板；基板處理裝置，其係對藉由前述藥液處理部所處理的前述基板的表面供給處理液而進行處理；及乾燥部，其係使藉由前述基板處理裝置所處理的前述基板乾燥， 前述基板處理裝置係具備：第1噴嘴，其係對於藉由前述搬送部所搬送的前述基板供給處理液；及一對的第2噴嘴，其係以能夠夾著前述第1噴嘴的方式配置，分別對於與前述基板的表面垂直的面傾斜而吐出流體，在前述基板的搬送方向，前述一對的第2噴嘴之中比前述第1噴嘴更位於下游側的一方的第2噴嘴係朝前述基板的搬送方向下游側吐出前述流體，另一方的第2噴嘴係朝前述基板的搬送方向上游側吐出前述流體。

實施形態的基板製造方法係具備：藉由藥液來處理被搬送的基板的表面之工程；對藉由前述藥液所處理的前述基板的表面供給處理液而進行處理之工程；使藉由前述處理液所處理的基板乾燥之工程，進行前述處理之工程係具有：由第1噴嘴來對於被搬送的前述基板的表面供給處理液之工程；及由一對的第2噴嘴來吐出流體之工程，該一對的第2噴嘴係以能夠夾著前述第1噴嘴的方式排列於前述基板的搬送方向，分別對於與前述基板的表面垂直的面傾斜，由前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體之工程，係於前述基板的搬送方向由前述一對的第2噴嘴之中比前述第1噴嘴更位於下游側的一方的第2噴嘴來朝前述基板的搬 送方向下游側吐出前述流體，由另一方的第2噴嘴來朝前述基板的搬送方向上游側吐出前述流體。

若根據上述實施形態的基板處理裝置、基板處理方法、基板製造裝置或基板製造方法，則可良好地進行利用處理液對基板的處理。

1‧‧‧搬送部

1a‧‧‧搬送滾輪

10‧‧‧藥液處理部

11‧‧‧噴嘴

20‧‧‧洗淨部

21‧‧‧噴嘴

22a‧‧‧吐出口

22A‧‧‧噴嘴

22B‧‧‧噴嘴

23‧‧‧水刀

30‧‧‧乾燥部

31‧‧‧氣刀

40‧‧‧控制部

100‧‧‧基板製造裝置

W‧‧‧基板

L‧‧‧洗淨液

圖1是表示包含本發明的第1實施形態的基板處理裝置之基板製造裝置的全體的概略圖。

圖2是擴大本發明的第1實施形態的基板處理裝置的一部分來顯示的圖。

圖3是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置所具備的噴嘴(第2噴嘴)的圖。

圖4是表示包含本發明的第2實施形態的基板處理裝置的基板製造裝置的全體的概略圖。

圖5是擴大本發明的第2實施形態的基板處理裝置的一部分來顯示的圖。

圖6是表示本發明的第3實施形態的基板處理裝置所具備的噴嘴(第2噴嘴)的吐出口配列的圖。

圖7是表示本發明的第3實施形態的變形例的基板處理裝置所具備的複數的噴嘴(第2噴嘴)的圖。

圖8是表示本發明的第4實施形態的基板處理裝置所具備的噴嘴(第2噴嘴)及水刀的平面圖。

以下，參照圖面來說明有關發明的實施形態。

(第1實施形態)

利用圖1乃至圖3來說明有關第1實施形態。

如圖1所示般，包含第1實施形態的基板處理裝置之基板製造裝置100是具備：搬送部1；藥液處理部10，其係藉由藥液來處理利用搬送部1所搬送的基板W；洗淨部20(基板處理裝置)，其係洗淨利用搬送部1所搬送的基板W；乾燥部30，其係使利用搬送部1所搬送的基板W乾燥；及控制部40，其係控制各部。

搬送部1是具備複數的搬送滾輪1a，該複數的搬送滾輪1a是具有可藉由未圖示的驅動源來旋轉的旋轉軸，將基板W搬送於A方向。

藥液處理部10是從噴嘴11供給藥液至基板W的表面，藉由藥液來處理基板W的表面。洗淨部20是由噴嘴21來對於在藥液處理部10中附著了藥液或微粒的基板W的背面供給洗淨液，藉此洗淨基板W的表面。乾燥部30是由氣刀31來對於在洗淨部20所被洗淨的基板W供給氣體，而使基板W的表面乾燥。

洗淨部20是如圖2所示般，具有作為第1噴嘴的噴嘴21、及作為一對的第2噴嘴的噴嘴22A及噴嘴22B、及水刀23。

噴嘴21是形成有例如遍及基板W的寬度方向(在搬送方向A於水平面內正交的方向)全域的縫隙之縫隙噴嘴，由此縫隙來以高壓吐出洗淨液L(例如純水)而對基板W賦予衝撃，藉此洗淨基板W的表面。此噴嘴21是對於基板W的表面，由其垂線方向來供給洗淨液L。

噴嘴22A是例如圖3所示般，形成有排列於基板W的寬度方向(在搬送方向A於水平面內正交的方向)的複數的吐出口22a之淋浴噴嘴。另外，圖3是由搬送方向A的上游側來看噴嘴22A的圖。各吐出口22a是以從吐出口22a吐出的洗淨液L所衝擊的基板W上的液衝突領域能夠在基板W的寬度方向全域連接成直線狀的方式，例如以能夠重疊的方式配置。噴嘴22B也與噴嘴22A同樣的構造，因此省略其說明。

回到圖2，一對的噴嘴22A及22B是以能夠夾著噴嘴21的方式排列於搬送方向A。具體而言，相對於噴嘴21，在搬送方向A的上游側設有噴嘴22A，相對於噴嘴21，在搬送方向A的下游側設有噴嘴22B。而且，在本實施形態中，噴嘴22A是對於與基板W的表面垂直的面呈預定角度θ(例如20度)，往搬送方向A的下游側傾斜配置，由下面的各吐出口22a朝搬送方向A的上游方向的斜下方吐出洗淨液L。噴嘴22B是對於與基板W的表面垂 直的面呈與噴嘴22A同角度θ(例如20度)，往搬送方向A的上游側傾斜配置，由下面的各吐出口22a朝搬送方向A的下游方向的斜下方吐出洗淨液L。噴嘴22A及噴嘴22B的各個的吐出壓力是設定成相同，噴嘴22A及22B的各個的吐出液是設為與從噴嘴21吐出的處理液相同的洗淨液L。另外，所謂吐出壓力是用以從各吐出口22a吐出液的壓力。

噴嘴22A及噴嘴22B的各個的傾斜角度(預定角度θ)是被定於不妨礙基板W的搬送的範圍，且洗淨液L的流動容易形成。基板W是藉由搬送部1的各搬送滾輪1a及位於該等的搬送滾輪1a上方的上置滾輪(未圖示)所挾持而搬送。當噴嘴22A及噴嘴22B的各個的傾斜角度大而上置滾輪的數量時，基板W會有因液體的衝擊而移動的情形。因此，噴嘴22A及噴嘴22B的各個的傾斜角度是連上置滾輪的數量或空間也加以考慮而來決定。並且，越擴大噴嘴22A或噴嘴22B的各個的傾斜角度，越可極力減少從噴嘴22A或噴嘴22B噴射來流至噴嘴21側的液。另外，傾斜角度的調整以外，亦可在不妨礙基板W的搬送的範圍，且以洗淨液L的流動容易形成的方式，調整噴嘴22A或噴嘴22B與基板W的鉛直方向的間距或吐出壓力。

水刀23是用以將殘留於被搬入至乾燥部30之前的基板W的表面的洗淨液L排除者。此水刀23是由形成有遍及基板W的寬度方向全域的縫隙之噴嘴來朝搬送方向A 的上游側的斜下方吐出純水等的液體，供給至基板W的表面。

其次，利用圖1來說明有關基板製造裝置100的處理的程序。另外，動作控制是藉由控制部40(控制裝置)來進行。

首先，一旦基板W被搬入至藥液處理部10，則由控制部40傳送訊號至噴嘴11，從噴嘴11供給藥液(例如剝離液)至基板W。基板W是藉由藥液來處理，往洗淨部20搬送。其次，一旦基板W被搬入至洗淨部20，則依據來自控制部40的訊號，開始來自噴嘴21、噴嘴22A及噴嘴22B的洗淨液L的供給。

以下，利用圖2來說明有關洗淨部20的洗淨工程。

一旦基板W被搬入至洗淨部20，則首先從噴嘴22A供給洗淨液L至基板W。在基板W的表面上是存在藉由藥液所形成的液膜，該藥液是以前工程的藥液處理部10所供給。由於來自噴嘴22A的洗淨液L會被朝搬送方向A的上游側供給，因此存在於基板W上的藥液會被推往搬送方向A的上游側，藥液的液膜會被薄化。對於此液膜被薄化的狀態的基板W，從噴嘴21供給洗淨液L，進行洗淨處理。

從噴嘴21吐出的洗淨液L是以高的供給壓力來多量吐出。因此，多量的洗淨液L會被供給至基板W的表面，容易形成厚的液膜。但，在噴嘴21的搬送方向A的上游側是設有噴嘴22A，在噴嘴21的搬送方向A的下游 側是設有噴嘴22B。藉此，從噴嘴21供給至基板W上的洗淨液L是被從噴嘴22A朝搬送方向A的上游側的斜下方吐出的洗淨液L所牽引，而往搬送方向A的上游側流動，又，被從噴嘴22B朝搬送方向A的下游側的斜下方吐出的洗淨液L所牽引，而往搬送方向A的下游側流動。藉由在基板W的表面製作如此的洗淨液L的流動，可抑制因藉由從噴嘴21吐出的洗淨液L所形成的液膜，或藉由在藥液處理部10被供給的剝離液所形成的液膜，而妨礙從噴嘴21吐出的洗淨液L之洗淨處理。因此，可控制被形成於基板W的表面上之液膜的厚度，所以可良好地進行洗淨處理。又，由於噴嘴22A及噴嘴22B的雙方吐出洗淨液，因此相較於該等噴嘴22A及噴嘴22B吐出洗淨液以外的液體時，可使洗淨能力提升。

另外，雖不問噴嘴21的吐出壓力、噴嘴22A及噴嘴22B的各個的吐出壓力的大小，但為了進行良好的處理，最好噴嘴22A及噴嘴22B的各個的吐出壓力是與噴嘴21的吐出壓力同等或以上。如此一來，可在基板W的表面確實地製作前述的洗淨液L的流動，因此可確實地抑制從噴嘴21吐出的洗淨液L之洗淨處理被妨礙的情形，可良好地進行洗淨處理。

而且，在噴嘴22B的搬送方向A的下游側設有水刀23。水刀23的吐出方向是朝搬送方向A的上游側的斜下方，因此藉由從水刀23供給的純水，存在於基板W的表面的洗淨液L會被堵住。藉此，在基板W被搬入至下個 工程的乾燥部30之前，基板W上的多餘的洗淨液L會從基板W的寬度方向兩端落下而被排除，被回收至未圖示的接水盤。並且，從水刀23吐出而往洗淨部20的內部(搬送方向A的上游側)的純水是藉由從噴嘴22B吐出而往洗淨部20的外部(搬送方向A的下游側)的洗淨液L所阻擋，因此可防止妨礙從噴嘴21吐出的洗淨液L之洗淨處理。

另外，水刀23是亦可以和噴嘴22B同樣的角度往搬送方向A的下游側傾斜而設，或亦可以比噴嘴22B更小的角度(例如15度)往搬送方向A的下游側傾斜而設。在噴嘴22B的搬送方向A的下游側是未設有以高壓來吐出洗淨液至基板W而給予衝撃，藉此進行洗淨處理的噴嘴21。因此，即使妨礙洗淨處理的液膜存在於噴嘴22B的搬送方向A的下游側，也不會有問題。亦即，水刀23是只要不影響在其次的乾燥部30的處理工程的程度除去液膜即可。但，當水刀23以比噴嘴22B更大的角度傾斜而設時，藉由水刀23而被供給至基板W上的純水有可能不被藉由噴嘴22B而供給至基板W上的洗淨液L所阻擋，從搬送方向A的下游側到達噴嘴21之基板W上的洗淨領域。因此，水刀23以比噴嘴22B更大的角度來傾斜而設不理想。因此，最好水刀23是以比噴嘴22B更小的角度來傾斜。

回到圖1，一旦基板W被搬入乾燥部30，則來自氣刀31的氣體(例如空氣)噴射會依據來自控制部40的訊號 而被開始。由此氣刀31噴射的氣體是除了常溫的氣體以外，還可使用加熱氣體。氣刀31是一般使用在基板的乾燥工程之周知的氣刀。藉由來自氣刀31的空氣，在洗淨部20被供給至基板W的洗淨液L會被吹跑，基板W會被乾燥。從乾燥部30搬出的基板W是往其次的工程搬送。

如以上般，若根據第1實施形態，則存在於基板W的表面的藥液是在洗淨部20內被薄膜化，因此可提高從噴嘴21吐出的洗淨液L到達基板W的表面時的衝撃。並且，即使以高的供給壓力，藉由多量的洗淨液L來洗淨，還是可抑制洗淨處理受此洗淨液L的液膜所妨礙，因此可良好地進行洗淨處理。

(第2實施形態)

利用圖4及圖5來說明有關第2實施形態。第2實施形態是基本上與第1實施形態同樣。因此，第2實施形態是針對與第1實施形態的不同點來進行說明，其他的說明則省略。以後的實施形態也同樣。

如圖4及圖5所示般，含第2實施形態的基板處理裝置之基板製造裝置200與上述第1實施形態不同的點是沿著基板W的搬送方向A在洗淨部20A設有複數個噴嘴21(例如噴嘴21A及噴嘴21B的2個)的點，且相對於各噴嘴21A及21B，在搬送方向A的上游側設有噴嘴22A，在搬送方向A的下游側設有噴嘴22B的點。

如圖5所示般，一旦基板W被搬入至洗淨部20A，則與第1實施形態同樣，洗淨液L會從位於噴嘴21A的搬送方向A的上游側之噴嘴22A供給至基板W的表面，其次，來自噴嘴21A的洗淨液L之基板W的洗淨會被進行，然後，從位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22B供給洗淨液L至基板W的表面。其次，來自位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22A的洗淨液L會被供給至基板W的表面。藉此，從位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22A朝搬送方向A的上游側的斜下方吐出的洗淨液L是不使從位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22B吐出的洗淨液L及藉由此洗淨液L的流動而被牽引成往搬送方向A的下游側流動之來自噴嘴21A的洗淨液L不會朝搬送方向A的下游側流入。

如此位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22B的吐出方向是朝向搬送方向A的下游側的斜下方，位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22A的吐出方向是朝向搬送方向A的上游側的斜下方。因此，基板W上的多餘的洗淨液L會形成被阻擋的狀態，多餘的洗淨液L會從基板W的寬度方向兩端迅速地落下，被回收至未圖示的接水盤。來自噴嘴21B的洗淨液L是藉由位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22A來被供給至基板W上的多餘的洗淨液L會被除去的狀態的基板W，因此可抑止來自噴嘴21B的洗淨液L之洗淨處理被厚的液膜所妨礙。

並且，在位於噴嘴21B的下游側之噴嘴22B的下游 側設有水刀23，與前述的第1實施形態同樣，在基板W被搬入至下個工程的乾燥部30之前，可藉由從位於噴嘴21B的下游側之噴嘴22B所供給的洗淨液L及從水刀23所供給的純水來使基板W上的多餘的洗淨液L從基板W的寬度方向兩端迅速地落下而排除。

如以上般，若根據第2實施形態，則可取得與上述第1實施形態同樣的效果，且可藉由複數的噴嘴21A及噴嘴21B來效率佳地進行洗淨處理。加上，位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22B的吐出方向為朝向搬送方向A的下游側的斜下方，位於噴嘴21A與噴嘴21B之間的噴嘴22A的吐出方向為朝向搬送方向A的上游側的斜下方，因此可有效率地排除多餘的洗淨液L。而且，位於噴嘴21B的下游側之噴嘴22B的吐出方向為朝向搬送方向A的下游側的斜下方，水刀23的吐出方向為朝向搬送方向A的上游側的斜下方，因此可有效率地排除多餘的洗淨液L。因此，基板W可一面藉由高壓的洗淨液L來洗淨，一面抑止藥液或被多量供給的洗淨液L所產生的液膜妨礙洗淨處理，因此可良好地進行洗淨處理。

(第3實施形態)

利用圖6及圖7來說明有關第3實施形態。

如圖6所示般，第3實施形態的噴嘴22A是淋浴噴嘴，該噴嘴22A的各吐出口22a是被配置成在基板W的寬度方向(在搬送方向A於水平面內正交的方向)排成兩 列。而且，排成兩列的各吐出口22a是兩列的哪一方的列的各吐出口22a相對於另一方的列的各吐出口22a錯開於基板W的寬度方向，彼此不同(例如Z字形狀或鋸齒狀)地配置。此情況，即使加工上，在基板W的寬度方向鄰接的吐出口22a彼此間的間距變寬，比起吐出口22a為一列時，還是能以一半的間距來供給洗淨液L，可對於基板W的寬度方向均一地供給液，因此可使基板W上的液膜的厚度形成均一。所以，可均一地效率佳進行利用噴嘴21的洗淨。

而且，如圖7所示般，亦可在比噴嘴21還靠搬送方向A的上游側，沿著搬送方向A來排列兩個各具有一列吐出口22a的噴嘴22A。兩個的噴嘴22A的吐出口22a是被設成一方的噴嘴22A的吐出口22a與另一方的噴嘴22A的吐出口22a在基板W的寬度方向錯開。而且，兩個的噴嘴22A之中，搬送方向A的上游側的噴嘴22A是對於與基板W的表面垂直的面，以預定角度θ1(例如10度)往搬送方向A的下游側傾斜。又，搬送方向A的下游側的噴嘴22A是對於與基板W的表面垂直的面，以預定角度θ2(例如40度)往搬送方向A的下游側傾斜。該等的噴嘴22A之中，搬送方向A的下游側的噴嘴22A所傾斜的預定角度θ2是比搬送方向A的上游側的噴嘴22A所傾斜的預定角度θ1更大。兩個的噴嘴22A是以每個噴嘴22A之基板W上的直線狀的液衝突領域能夠連接的方式，例如以能夠重疊的方式設置。

使用如此的二個噴嘴22A時，與前述同樣，可對於基板W的寬度方向均一地供給液體，因此可使基板W上的液膜的厚度形成均一。所以，可均一地效率佳地進行利用噴嘴21的洗淨。又，由於亦可按每個噴嘴22A來改變從二個噴嘴22A吐出的洗淨液L的量，因此可更確實地使液膜的厚度形成均一。

如以上般，若根據第3實施形態，則可取得與上述的第1實施形態同樣的效果，且對於基板W的寬度方向可均一地供給液，可使基板W上的液膜的厚度形成均一，因此可均一地效率佳地進行利用噴嘴21的洗淨。

另外，噴嘴22A的個數並無特別加以限定，亦可沿著搬送方向A來設置三個以上噴嘴22A。又，噴嘴22B亦如前述的噴嘴22A般，可在比噴嘴21還靠搬送方向A的下游側，複數個對於與基板W的表面垂直的面，以預定角度θ1或θ2往搬送方向A的上游側傾斜而設。

又，亦可按吐出口22a的每列來改變吐出方向，並亦可將預定數的吐出口22a設為一組，按每組改變吐出方向，且亦可按每個吐出口22a來改變吐出方向。在如此適當變更吐出方向之下，無論在什麼各種條件下皆可對於基板W的寬度方向均一地供給液體，可使基板W上的液膜的厚度形成均一。

(第4實施形態)

利用圖8來說明有關第4實施形態。

如圖8所示般，第4實施形態的噴嘴22B及水刀23是以平面視形成非平行的方式在水平面內傾斜。噴嘴22B是以圖8的平面視長度方向的下端比長度方向的上端還要位於搬送方向A的上游側之方式傾斜角度θ3(例如30度)。相反的，水刀23是以圖8的平面視長度方向的下端比長度方向的上端還要位於搬送方向A的下游側之方式傾斜角度θ4(例如30度)。

藉由採用如此的噴嘴22B及水刀23的配置，會產生基板W上的洗淨液L迅速地被排出至基板W外那樣的流動(參照圖8的箭號)，因此可更順利地除去噴嘴21周圍的液膜。另外，在水平面內的噴嘴22B的傾斜角度及水刀23的傾斜角度是可相同或相異，對應於各種條件來適當變更。而且，噴嘴22B及水刀23的任一方亦可為平面視未傾斜。

如以上般，若根據第4實施形態，則可取得與上述第1實施形態同樣的效果，且會產生基板W上的洗淨液L迅速地被排出至基板W外那樣的流動，因此可更順利地除去噴嘴21周圍的液膜。

而且，在位於第2實施形態的噴嘴21A與噴嘴21B(皆為第1噴嘴)之間的噴嘴22A及噴嘴22B(皆為第2噴嘴)中也與上述第4實施形態的噴嘴22B及水刀23同樣，亦可傾斜配置成平面視非平行。藉由如此配置，可更順利除去噴嘴21A、21B的周圍的液膜。

又，如圖8所示般，將水刀23及噴嘴22B(或噴嘴 22A及噴嘴22B)配置成非平行時，刀23及噴嘴22B(或噴嘴22A及噴嘴22B)的長度方向長度是亦可比基板W的寬度方向的長度更短。但，例如將水刀23及噴嘴22B配置成(日語的片假名)的字型時(參照圖8)，最好水刀23與噴嘴22B的間距窄方的水刀23及噴嘴22B的端部是配置在比基板W的寬度方向端部更外側。

另一方面，即使水刀23與噴嘴22B的間距寬方的水刀23及噴嘴22B的端部是被設在比基板W的寬度方向端部更內側，如前述般基板W上的洗淨液L會以能夠被迅速地排出至基板W外的方式流動，所以洗淨液L會被供給至基板W上的寬度方向全體。因此，水刀23與噴嘴22B的間距寬方的水刀23及噴嘴22B的端部是亦可設在比基板W的寬度方向端部還內側。

(其他的實施形態)

其次，說明有關本發明的其他的實施形態。

與上述的各實施形態不同的點是分別從噴嘴22A及噴嘴22B吐出的洗淨液L的供給量不同的點。形成於基板W的表面上的液膜，因為基板W被搬送於搬送方向A，所以搬送方向A的上游側較容易變厚，搬送方向A的下游側較容易變薄。此時，積存於噴嘴22A與噴嘴22B之間的洗淨液L會有往噴嘴21側流動的情形。因此，將從噴嘴22B吐出的洗淨液L設定成比噴嘴22A更多。藉此，可將在搬送方向A的上游側形成厚的液膜推往搬送方 向A的下游側，因此利用噴嘴21的洗淨會良好地進行。

又，亦可使上述基板W上的液膜的偏倚，藉由使噴嘴22A及噴嘴22B的傾斜角度具有差異來改善。例如，在上述第1、第2實施形態中，噴嘴22A、噴嘴22B的傾斜角度皆為20度，相對於此，只使噴嘴22B更傾斜(例如35度)。藉此，沿著基板W的搬送方向A流動之從噴嘴22B吐出的洗淨液L變得容易往搬送方向A的下游側流動。所以，可將在搬送方向A的上游側形成厚的液膜推往下游側，因此利用噴嘴21的洗淨會良好地進行。

另外，在上述的各實施形態中是例如使用淋浴噴嘴作為噴嘴22A及噴嘴22B，但並非限於此，亦可使用具有縫隙的縫隙噴嘴。在使用此縫隙噴嘴時，可容易對基板W的寬度方向均一地供給液，因此可使基板W上的液膜的厚度確實地形成均一。又，亦可使噴嘴22A與噴嘴22B的種類不同，例如使用淋浴噴嘴作為噴嘴22A，使用縫隙噴嘴作為噴嘴22B。

並且，在上述的各實施形態中是從噴嘴22A及噴嘴22B吐出洗淨液L等的液體，但並非限於此，亦可為其他的流體。例如亦可吐出空氣等的氣體，或吐出氣體與液體的混合體。或，亦可吐出在液體中含氣泡的液。吐出氣體時是一面防止基板W上的液膜消失，亦即留下基板W上的液膜，一面控制液膜的厚度。若有基板W上的液膜全無之處，則液會成為斑斑存在的狀態，有可能成為在乾燥工程終了後產生浮水印的原因。另外，為了控制液膜的厚 度，除了噴嘴22A、噴嘴22B以外，例如亦可使用遮蔽板。又，亦可使在噴嘴22A及噴嘴22B吐出的物體不同，使能從噴嘴22A吐出液體，從噴嘴22B吐出氣體。

又，上述的各實施形態中，是設置一對的噴嘴22A及噴嘴22B，但並非限於此，例如亦可只設置一對的噴嘴22A及噴嘴22B的任一方。在設置噴嘴22A時，存在於基板W的表面之藥液是在洗淨部20內被薄膜化，所以可提高洗淨液L到達基板W的表面時的衝撃。並且，在設置噴嘴22A或噴嘴22B時，即使以高的供給壓力藉由多量的洗淨液L來洗淨，還是可抑制洗淨處理受此洗淨液L的液膜所妨礙，因此可良好地進行洗淨處理。

又，上述的各實施形態中，從噴嘴21供給液體至基板W的供給期間中，連續進行來自噴嘴21的液體供給，但並非限於此，亦可斷續地進行來自噴嘴21的液體供給，亦即液體吐出。此情況，可按每液體吐出，藉由液體來每次給予基板W衝撃，因此可良好地洗淨基板W的表面。

又，上述的各實施形態中，是舉本發明的基板處理裝置適用於洗淨工程的例子進行說明，但並非限於此，亦可適用於顯像工程或剝離工程等利用處理液來處理基板W的工程。

又，上述的各實施形態中，是基板W以液晶基板為例進行說明，但對象物並非限於此，只要是藉由液體來處理的基板即可。

又，上述的各實施形態中，雖無特別言及有關被搬送的基板W所被保持的角度，但實際是可水平搬送，或在基板W的寬度方向(在搬送方向A於水平面內正交的方向)傾斜的狀態下被搬送。

又，上述的實施形態中，是說明只處理基板W的上面之例，但並不限於此，亦可處理上下面、或只處理下面。另外，上面及下面是皆為基板W的表面。

又，上述第1實施形態中，是說明第1噴嘴為1個的例子，在上述第2實施形態中，是說明第1噴嘴為2個的例子，但第1噴嘴是亦可設置3個以上。又，可依據此第1噴嘴所設的數量、或第1噴嘴彼此間的配置間隔、從第1噴嘴供給的處理液的量等，調整來自第2噴嘴的處理液的量或來自第2噴嘴的處理液的吐出角度，具體而言，當第1噴嘴多設，或該等的配置間隔窄、或被供給的處理液為多量時，使來自第2噴嘴的處理液的量增加，或將吐出角度變更成接近平行於基板W表面的角度。

以上說明了本發明的幾個實施形態，但該等的實施形態是舉例提示者，非意圖限定發明的範圍。該等新穎的實施形態是可在其他各種的形態下被實施，可在不脫離發明的要旨的範圍內進行各種的省略、置換、變更。該等實施形態或其變形是為發明的範圍或要旨所包含，且為申請專利範圍記載的發明及其均等的範圍所包含。

20‧‧‧洗淨部

21‧‧‧噴嘴

22a‧‧‧吐出口

22A‧‧‧噴嘴

22B‧‧‧噴嘴

23‧‧‧水刀

W‧‧‧基板

L‧‧‧洗淨液

Claims (10)

1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：第1噴嘴，其係對於被搬送的基板的表面供給處理液；及一對的第2噴嘴，其係以能夠夾著前述第1噴嘴的方式排列於前述基板的搬送方向，分別對於與前述基板的表面垂直的面傾斜而吐出流體，在前述基板的搬送方向，前述一對的第2噴嘴之中比前述第1噴嘴更位於下游側的一方的第2噴嘴，係朝前述基板的搬送方向下游側吐出前述流體，並牽引從前述第1噴嘴向前述基板上供給的前述處理液，使其往前述基板的搬送方向下游側流動，另一方的第2噴嘴，係朝前述基板的搬送方向上游側吐出前述流體，並牽引從前述第1噴嘴向前述基板上供給的前述處理液，使其往前述基板的搬送方向上游側流動。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述第1噴嘴係設置複數個，前述一對的第2噴嘴係配置在前述複數的第1噴嘴各個的前述基板的搬送方向上游側及下游側。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，由前述一方的第2噴嘴吐出的流體的量係比由前述另一方的第2噴嘴吐出的流體的量更多。
4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，由前述一方的第2噴嘴吐出的流體的吐出方向的傾斜 角度係比由前述另一方的第2噴嘴吐出的流體的吐出方向的傾斜角度更接近與前述基板平行的角度。
5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，前述一對的第2噴嘴，係以控制形成於前述基板的表面上之液膜的厚度的方式，吐出前述流體。
6. 一種基板處理方法，其特徵係具有：由第1噴嘴來對於被搬送的基板的表面供給處理液之工程；及由一對的第2噴嘴來吐出流體之工程，該一對的第2噴嘴係以能夠夾著前述第1噴嘴的方式排列於前述基板的搬送方向，分別對於與前述基板的表面垂直的面傾斜，由前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體之工程，係於前述基板的搬送方向由前述一對的第2噴嘴之中比前述第1噴嘴更位於下游側的一方的第2噴嘴來朝前述基板的搬送方向下游側吐出前述流體，並牽引從前述第1噴嘴向前述基板上供給的前述處理液，使其往前述基板的搬送方向下游側流動，由另一方的第2噴嘴來朝前述基板的搬送方向上游側吐出前述流體，並牽引從前述第1噴嘴向前述基板上供給的前述處理液，使其往前述基板的搬送方向上游側流動。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，由前述第1噴嘴來供給處理液之工程，係由複數的前述第1噴嘴來供給前述處理液，由前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體之工程，係由 配置於前述複數的第1噴嘴各個的前述基板的搬送方向上游側及下游側的前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體。
8. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理方法，其中，由前述一方的第2噴嘴吐出的流體的量係比由前述另一方的第2噴嘴吐出的流體的量更多。
9. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理方法，其中，由前述一方的第2噴嘴吐出的流體的吐出方向的傾斜角度係比由前述另一方的第2噴嘴吐出的流體的吐出方向的傾斜角度更接近與前述基板平行的角度。
10. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理方法，其中，由前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體之工程，係以控制形成於前述基板的表面上之液膜的厚度的方式，從前述一對的第2噴嘴來吐出前述流體。