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TWI507502B - Semiconductor wafer processing adhesive sheet - Google Patents

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TWI507502B
TWI507502B TW100110953A TW100110953A TWI507502B TW I507502 B TWI507502 B TW I507502B TW 100110953 A TW100110953 A TW 100110953A TW 100110953 A TW100110953 A TW 100110953A TW I507502 B TWI507502 B TW I507502B
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TW
Taiwan
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adhesive layer
semiconductor wafer
adhesive
wafer processing
group
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TW100110953A
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Inventor
Akira Yabuki
Shozo Yano
Yuri Tamagawa
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Priority claimed from JP2010084447A external-priority patent/JP2011216734A/ja
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of TW201204800A publication Critical patent/TW201204800A/zh
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Description

半導體晶圓加工用黏著片
本發明係關於一種加工薄型半導體晶圓時所使用之具有放射線硬化型之黏著劑層的半導體晶圓加工用黏著片。
先前以來，藉由以接著劑將在晶片座(Die pad)上形成有特定之電路圖案之半導體晶片加以固定，來製造半導體積體電路。此時使用之半導體晶片例如可藉由以下方法而製造。
(1)將高純度矽單晶切片而製成半導體晶圓後，於該晶圓表面形成IC等特定之電路圖案。
(2)貼合保護半導體晶圓電路面之表面保護膠帶，而保護所形成之電路面後，藉由研磨機研磨該晶圓背面，使晶圓之厚度變薄至100～600μm左右，其後將表面保護膠帶自電路面剝離。
(3)將切割片貼合於具有稍大於半導體晶圓之直徑之中空部分的環狀之切割框，再將上述以研磨機研磨之晶圓背面貼合於露出於該框之中空部分之黏著劑層。
(4)自貼合有切割片之面的相反側(即，形成有電路之側)進行切割而製成半導體晶片，照射紫外線等放射線使切割片之黏著劑層之黏著力下降，再以針將該晶片自切割片之基材膜側向上頂起而進行拾取。
關於該步驟中使用之切割片，必需有於切割加工中不會剝離之程度之黏著力，另一方面，於切割後之拾取時，必需能夠以可容易剝離之程度之較低黏著力將半導體晶片自切割片剝離，並於晶片背面不附著以黏著劑為代表之污染物質。
另一方面，近年來，由直徑300mm之大口徑之晶圓獲得厚度100μm以下之薄型半導體晶片漸成為主流。因此，如何由該薄型晶圓順利地獲得半導體晶片已成為重要課題。
針對此問題之解決方法之一，揭示有在連續裝置內進行上述(1)～(3)之步驟的所謂線內製造裝置、或迅速進行(2)及(3)之步驟之製造方法等(例如參考專利文獻1、2)。例如於線內製造裝置中，連續地進行(2)之晶圓背面之研磨步驟及(3)之於晶圓背面貼合切割片之步驟。因此，於線內製造裝置內，可減少半導體晶圓或半導體晶片之破損。於該裝置中，在生成晶圓背面之氧化被膜之前貼合切割片。
然而，具有先前之黏著劑層之切割片係於晶圓背面生成氧化被膜後進行貼合，故而產生以下問題：即便於該情形時可順利剝離，但同樣地用於線內製造裝置時亦無法順利地剝離。
又，於先前之製造步驟中，由於在晶圓背面生成氧化被膜後貼合切割片，故而產生以下問題：即便將於該情形時可順利剝離之具有先前之黏著劑層之切割片同樣地用於線內製造裝置中亦無法順利剝離。
又，其他解決方法之一，提出有將成形為膜狀之下述接著劑預先積層於切割膠帶之黏著劑層而成的所謂切割黏晶片(dicing die bond sheet)，該接著劑係於將半導體晶片固定於晶片座上時使用。使用該切割黏晶片時，與一般之切割片同樣地貼合於晶圓背面，但亦與黏著劑層一併切割接著劑層。由於該片材貼合有接著劑層，故而膠帶整體之強度增加，片材本身具有加強薄型晶圓之強度之效果。因此可順利進行薄型晶圓之切割。然而，於切割結束後接著劑層會殘留於半導體晶片背面，必須將接著劑層與黏著劑層剝離。因此，採用使用特定之放射線硬化型者作為黏著劑層的片材。最近，正提高切割步驟後之放射線照射量來加快半導體晶片之製造步驟。然而，若放射線照射量增多，則發熱量增多，從而產生因切割步驟後之放射線照射步驟中所產生之熱而難以剝離接著劑層與黏著劑層之問題。
[專利文獻1]日本特開2002-343756號公報
[專利文獻2]日本特開2004-40114號公報
本發明之課題在於提供一種半導體晶圓加工用黏著片，其於使切割片緊密貼合於晶圓背面之裝置中，亦可於切割步驟結束後容易地剝離，且可減少污染物質之附著。
又，本發明之課題在於提供一種半導體晶圓加工用黏著片，其藉由在黏著劑層上進一步設置有接著劑層之半導體晶圓加工用黏著片，可於拾取步驟中容易將接著劑層與黏著劑層剝離，而獲得附有接著劑層之半導體晶片。
本發明人等針對上述課題進行潛心研究，結果發現：若使用以下任一種半導體晶圓加工用黏著片，則可分別解決上述課題：
(I)使用含有以特定之放射線硬化性之丙烯酸系聚合物作為主成分之基底樹脂、及特定分子量之光聚合起始劑的放射線硬化性樹脂組成物，於基材樹脂膜上形成黏著劑層之半導體晶圓加工用黏著片；或
(II)形成有於丙烯酸系聚合物中含有放射線聚合性化合物及特定分子量之光聚合起始劑之樹脂組成物的放射線聚合性黏著劑層之半導體晶圓加工用黏著片。本發明係基於該見解而完成者。
即，本發明係提供以下半導體晶圓加工用黏著片：
＜1＞一種半導體晶圓加工用黏著片，係由放射線穿透性之基材樹脂膜與該基材樹脂膜上之黏著劑層所形成，該黏著劑層係由使用相對於(i-1)基底樹脂100質量份含有(iii)光聚合起始劑(b)0.1～10質量份之放射線硬化性樹脂組成物之層所構成，該(i-1)基底樹脂，其係以對於主鏈之重複單位鍵結有具有(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之丙烯酸系聚合物(a)作為主成分，該(甲基)丙烯酸系單體部具有放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基、該(iii)光聚合起始劑(b)，其藉由凝膠滲透層析(以下稱為「GPC」)法，以聚苯乙烯作為標準物質換算之重量平均分子量未達1000；
＜2＞一種半導體晶圓加工用黏著片，係由放射線穿透性之基材樹脂膜與該基材樹脂膜上之黏著劑層所形成，該黏著劑層係由使用相對於(i-2)丙烯酸系聚合物100質量份含有(ii)化合物(c)1～300質量份、及(iii)光聚合起始劑(b)0.1～10質量份之放射線硬化性樹脂組成物之層所構成，該(ii)化合物(c)，其於分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下該(iii)光聚合起始劑(b)，其藉由凝膠滲透層析(以下稱為「GPC」)法，以聚苯乙烯作為標準物質換算之重量平均分子量未達1000；
＜3＞如＜1＞或＜2＞之半導體晶圓加工用黏著片，其中，上述光聚合起始劑(b)係選自由1-羥基-環己基苯基-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮、及下述通式(1)所表示之寡聚物
(式中，R表示烷基，n為整數)所組成之群中之至少1種；
＜4＞如＜3＞之半導體晶圓加工用黏著片，其中，上述通式(1)所表示之寡聚物之聚合度為n=2～4；
＜5＞如＜1＞、＜3＞或＜4＞之半導體晶圓加工用黏著片，其中，上述相對於主鏈之重複單位含有具有放射線聚合性碳-碳雙鍵含有基之丙烯酸系單體作為構成單位的聚合物(a)之碘值為1～50；及
＜6＞一種半導體晶圓加工用黏著片，其係在＜1＞至＜5＞中任一項之半導體晶圓加工用黏著片之黏著劑層上進一步設置接著劑層。
藉由本發明之半導體晶圓加工用黏著片，在用於使切割片緊密貼合於晶圓背面之裝置時，可於切割步驟結束後容易地剝離，且可明顯減少污染物質之附著。
又，藉由在本發明之黏著劑層上進一步設置有接著劑層之半導體晶圓加工用黏著片，可於拾取步驟中容易將接著劑層與黏著劑層剝離，而獲得附有接著劑層之半導體晶片。
本發明之上述及其他特徵及優點可適當參照隨附之圖式，根據下述記載而更為明確。
以下，參照圖式，對本發明之較佳之半導體晶圓加工用黏著片加以說明。
圖1係表示本發明之半導體晶圓加工用黏著片之較佳之一實施形態的概略剖面圖，其形成有基材樹脂膜1，且於基材樹脂膜1上形成有黏著劑層2。又，圖2係表示本發明之半導體晶圓加工用黏著片之較佳之另一實施形態的概略剖面圖。於圖2中，其形成有基材樹脂膜1，且於基材樹脂膜1上形成有黏著劑層2，進而形成接著劑層3。
本發明中之黏著劑層係由下述放射線硬化性樹脂組成物所構成，該放射線硬化性樹脂組成物係：在基底樹脂中含有特定摻合量之放射線聚合性化合物，且以特定之摻合量含有特定之光聚合起始劑者。使用本發明之半導體晶圓加工用黏著片，於切割加工結束後，自下述放射線穿透性之基材樹脂膜側照射放射線，而降低黏著劑層之黏著力。藉此，可順利地拾取半導體晶片。對於如圖2所示在黏著劑層上形成有接著劑層之半導體晶圓加工用黏著片，亦同樣地自下述放射線穿透性之基材樹脂膜側照射放射線，而降低黏著劑層之黏著力。於該情形時，藉由在接著劑層與黏著劑層之界面進行剝離，可獲得附有接著劑層之半導體晶片，而可直接固定於晶片座上。
圖1所示之本發明之半導體晶圓加工用黏著片即便於半導體晶圓之背面研磨結束後迅速貼合於該背面時，亦可於放射線照射後之拾取步驟中順利地剝離。研磨剛結束後之半導體晶圓表面未全面地形成自然氧化膜，成為存在未氧化狀態之活性原子之活性面。即便於該情形時，本發明之半導體晶圓加工用黏著片於放射線照射後，亦可順利地剝離，且可明顯減少由黏著劑成分引起之污染物之附著。
又，圖2所示之於黏著劑層上進一步設置有接著劑層之本發明之半導體晶圓加工用黏著片不會因於切割步驟結束後之照射放射線中所產生之熱，而於黏著劑層與接著劑層之剝離上產生問題。
於本發明之半導體晶圓加工用片材中，黏著劑層係於下述基材樹脂膜上形成使用放射線硬化性之樹脂組成物之層。本發明之半導體晶圓加工用片材係包括第1態樣及第2態樣。於各態樣中，包括圖1所示之態樣、及圖2所示之態樣之半導體晶圓加工用片材。第1態樣之半導體晶圓加工用片材之黏著劑層之基底樹脂為(i-1)，其係以對於主鏈之重複單位而鍵結有包含具有放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基之(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之丙烯酸系聚合物(a)作為主成分者。
(第1態樣之半導體晶圓加工用片材之黏著劑層之基底樹脂)
第1態樣之半導體晶圓加工用片材之黏著劑層中所使用的放射線硬化性樹脂組成物之基底樹脂係以對於主鏈之重複單位而鍵結有包含具有放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基之(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之丙烯酸系聚合物(a)作為主成分者。於本發明中，所謂以聚合物(a)作為主成分，係指基底樹脂中之含有比例為50～100質量%。又，於本發明中，(甲基)丙烯酸系單體係指包括丙烯酸系單體及甲基丙烯酸系單體之兩者。
上述聚合物(a)為可以任意方式而製造者。例如，上述聚合物(a)，可列舉使下述丙烯酸系共聚物及/或甲基丙烯酸系共聚物(a1)與化合物(a2)進行反應而獲得，丙烯酸系共聚物及/或甲基丙烯酸系共聚物(a1)係：對於主鏈之重複單位具有放射線硬化性碳-碳雙鍵，且具有官能基者；化合物(a2)係：具有可與該官能基反應之官能基者。又，亦可以具有官能基之丙烯酸系共聚物及/或甲基丙烯酸系共聚物為(a1')，以具有放射線硬化性碳-碳雙鍵且具有可與(a1')之官能基反應之官能基的化合物為(a2')，使該等進行反應而形成聚合物(a)。
上述對於主鏈之重複單位具有放射線硬化性碳-碳雙鍵，且具有官能基之丙烯酸系共聚物及/或甲基丙烯酸系共聚物(a1)例如可使下述(a1-1)與(a1-2)進行共聚而獲得，(a1-1)係：具有放射線硬化性碳-碳雙鍵之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯等單體(a1-1)，(a1-2)係：具有官能基之單體(a1-2)。
單體(a1-1)例如可列舉：烷基酯之烷基碳數為6～12之(甲基)丙烯酸烷基酯(例如丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯)。又，可列舉：烷基酯之烷基碳數為5以下之(甲基)丙烯酸烷基酯(例如丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或與該等相同之甲基丙烯酸酯等)。
單體(a1-1)，存在使用烷基酯之烷基碳數越大之(甲基)丙烯酸烷基酯，則玻璃轉移點越低之傾向。因此，藉由適當選擇單體(a1-1)之烷基酯之烷基碳數，可獲得具有所需之玻璃轉移點之聚合物(a)。
又，除玻璃轉移點以外，亦可為提高與其他成分之相溶性或各種性能，而於(a1-1)添加乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳雙鍵之低分子化合物而獲得聚合物(a)。該等低分子化合物之摻合量較佳為設為單體(a1-1)之5質量%以下。
單體(a1-2)所具有之官能基，可列舉：羧基、羥基、胺基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等。單體(a1-2)之具體例，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、桂皮酸、衣康酸、反丁烯二酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、甲基丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸環氧丙基酯、甲基丙烯酸環氧丙基酯、烯丙基環氧丙基醚、及將聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分以具有羥基或羧基及放射線硬化性碳-碳雙鍵之單體進行胺酯化而成者等。
於上述(a2)之官能基為羧基或環狀酸酐基之情形時，(a1)所具有之官能基，例如可列舉羥基、環氧基、異氰酸酯基等。又，於(a2)之官能基為羥基之情形時，(a1)所具有之官能基，例如可列舉環狀酸酐基、異氰酸酯基等。於(a2)之官能基為胺基之情形時，(a1)所具有之官能基，可列舉環氧基、異氰酸酯基等。於(a2)之官能基為環氧基之情形時，(a1)所具有之官能基，例如可列舉羧基、環狀酸酐基、胺基等。
具體例可列舉與單體(a1-2)之具體例中所列舉者相同者。
於(a1)與(a2)之反應中，藉由殘留未反應之官能基，可將酸值或羥基值等適當設定於較佳為如下所述之範圍內。
對於主鏈之重複單位含有具有放射線聚合性碳-碳雙鍵含有基之丙烯酸系單體作為構成單位的聚合物(a)可藉由在各種溶劑中進行溶液聚合而獲得。進行溶液聚合之時之有機溶劑，可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者。通常較佳為使用為丙烯酸系聚合物之較佳溶劑，且沸點為60～120℃之溶劑。例如，可使用甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯、甲賽路蘇、乙賽路蘇、丙酮、甲基乙基酮等。聚合起始劑，可使用α,α'-偶氮雙異丁腈等偶氮雙系、過氧化苯甲醯等有機過氧化物系等自由基產生劑。此時，視需要可併用觸媒、聚合抑制劑，藉由調整聚合溫度及聚合時間，可獲得所需分子量之聚合物(a)。又，關於調整分子量，較佳為使用硫醇、四氯化碳系溶劑。再者，聚合物(a)之合成並非限定於溶液聚合，亦可使用整體聚合、懸浮聚合等其他方法。
於本發明中，對於主鏈之重複單位而鍵結有包含具有放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基之(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之丙烯酸系聚合物(a)之重量平均分子量較佳為30萬～100萬左右。當分子量未達30萬時，存在由放射線照射引起之凝聚力減小，於切割晶圓時，容易產生元件之偏移，圖像識別變得困難之情形。為極力防止該元件之偏移，較佳為分子量為40萬以上。又，若分子量超過100萬，則有可能於合成時及塗敷時進行凝膠化。本發明中之聚合物(a)之重量平均分子量例如可利用以下方法，作為以聚苯乙烯換算之重量平均分子量而求出。
(重量平均分子量之測定條件)
GPC裝置：HLC-8120GPC(商品名，Tosoh公司製造)
管柱：TSK gel Super HM-H/H4000/H3000/H2000(商品名，Tosoh公司製造)
流量：0.6ml/min
濃度：0.3質量%
注入量：20μl
管柱溫度：40℃
展開溶劑：氯仿
於本發明中，相對於主鏈之重複單位含有具有放射線聚合性碳-碳雙鍵含有基之丙烯酸系單體作為構成單位的聚合物(a)之碘值較佳為1~55。進而較佳為2~30，若碘值未達1，則放射線照射後之交聯度較少，剝離力不會完全降低，因此無法充分地拾取晶片。若碘值超過50，則放射線照射後之交聯度較多，產生硬化收縮，而使晶片之拾取性下降。
於上述聚合物(a)之羥基值為5~100之情形時，可藉由減少放射線照射後之黏著力而進一步降低拾取失敗之危 險性，故而較佳。又，聚合物(a)之酸值較佳為成為0.5~30。
此處，羥基值及酸值係指藉由JIS K 0070而測定之值。藉由將聚合物(a)之羥基值設於適當之範圍內，可使放射線照射後之黏著劑層之流動性處於適當之範圍內，從而可充分降低放射線照射後之黏著力。藉由將聚合物(a)之酸值設於適當之範圍內，可使放射線照射後之黏著劑層之流動性處於適當之範圍內，從而可滿足膠帶恢復性。
使用於構成本發明之黏著劑層之放射線硬化性樹脂組成物的基底樹脂，亦可於不違背本發明之宗旨之範圍內摻合先前之材料。例如可使用天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物；或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、及(甲基)丙烯酸烷基酯與可與其共聚之其他不飽和單體之共聚物等丙烯酸系共聚物。
(第2態樣之半導體晶圓加工用片材之黏著劑層之基底樹脂)
第2態樣之半導體晶圓加工用片材之黏著劑層中所使用的放射線硬化性樹脂組成物之基底樹脂為丙烯酸系聚合物。
丙烯酸系聚合物，可列舉以(甲基)丙烯酸酯成分作為單體主成分(聚合物中之質量%超過50%)，使該(甲基)丙烯酸酯成分與可共聚之單體成分進行共聚而成者。
於丙烯酸系聚合物中，單體主成分之(甲基)丙烯酸酯成分例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯等(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸環己酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等。(甲基)丙烯酸酯可單獨使用，或組合2種以上而使用。
(硬化劑)
於構成上述第1態樣及第2態樣之半導體晶圓加工用黏著片之黏著劑層的放射線硬化性樹脂組成物中，可含有聚異氰酸酯化合物、烷基醚化三聚氰胺化合物、環氧系化合物、矽烷偶合劑等先前以來所使用之硬化劑。藉由製成摻合有硬化劑之樹脂組成物，可將初始黏著力設定為任意值。於硬化劑中，較佳為使用異氰酸酯系硬化劑。
異氰酸酯系硬化劑，具體可使用多元異氰酸酯化合物，例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯二異氰酸酯(xylylenediisocyanate)、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯等。
(分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下之化合物)
第2態樣之半導體晶圓加工用片材之黏著劑層中所使用的放射線硬化性樹脂組成物含有分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下之化合物(c)。該化合物(c)，只要為藉由放射線之照射進行硬化而進行三維網狀化者，則可無特別限制地使用。該化合物包括重量平均分子量為10,000以下之寡聚物，而不包括重量平均分子量超過10,0000之高分子聚合物。為高效地進行由放射線之照射所致之黏著劑層之三維網狀化，較佳為分子量為5,000以下且分子內之放射線聚合性之碳-碳雙鍵之數量為2～6個者。
再者，所謂本發明中之於分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物之重量平均分子量，係指利用下述條件之GPC(凝膠滲透層析法)所測定之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
(重量平均分子量之測定條件)
GPC裝置：HLC-8120 GPC(商品名，Tosoh公司製造)
管柱：TSK-GEL G2500 HHR(商品名，Tosoh公司製造)
流量：1ml/min
濃度：0.2mg/ml
注入量：100μl
恆溫槽溫度：40℃
流動相：氯仿
放射線聚合性化合物(c)，例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、有機聚矽氧組成物、市售之寡酯丙烯酸酯、丙烯酸胺酯等。
分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下之化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。摻合量係相對於基底樹脂100質量份，為1～300質量份。較佳為相對於基底樹脂100質量份，為30～200質量份，進而較佳為50～150質量份。若該量過少，則有黏著劑層之由放射線之照射所致之三維網狀化變得不充分，難以將半導體晶圓加工用黏著片自晶圓剝離，而污染晶圓之虞。若該量過多，則過度進行利用放射線之聚合反應，產生由放射線之照射引起之硬化收縮。其結果，黏著劑層隨著被黏著體之表面而陷入其中，於拾取切割後之半導體晶片時變得難以拾取。又，若放射線聚合性化合物之量過多，則存在難以保持黏著劑層之形狀，厚度精度變差等問題。
(光聚合起始劑)
於構成第1態樣及第2態樣之半導體晶圓加工用黏著片之黏著劑層的放射線硬化性樹脂組成物中，使用藉由凝膠滲透層析(以下稱為「GPC」)法，以聚苯乙烯作為標準物質換算之重量平均分子量未達1000之光聚合起始劑。於本發明中，光聚合起始劑之重量平均分子量係指利用下述條件之GPC所測定之值。
(重量平均分子量之測定條件)
GPC裝置：島津製作所製造LCVP系列
管柱：OligoPore 300×7.5(商品名)(商品名，PolymerLaboratories製造)
流量：1ml/min
濃度：1mg/ml
注入量：50μl
管柱溫度：40℃
展開溶劑：氯仿
光聚合起始劑藉由照射光或紫外線等放射線而產生自由基。藉此，可促進黏著劑層中所含之對於主鏈之重複單位含有具有放射線聚合性碳-碳雙鍵含有基之丙烯酸系單體作為構成單位的聚合物(a)之硬化反應，或者促進黏著劑層中所含之於分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下的化合物之硬化反應。若光聚合起始劑之以聚苯乙烯換算之利用GPC所得之重量平均分子量過大，則於黏著劑層中之光聚合起始劑之分散產生問題，所產生之自由基之移動難以迅速進行，從而無法高效地進行硬化反應。於該情形時，必需照射超過需要之高照度之放射線，由於發熱而難以有效地降低黏著劑層與被黏著體之密著性。
關於該情形時之現象，若參照圖式加以說明，則如圖1所示，於基材樹脂膜1上形成有黏著劑層2之半導體晶圓加工用黏著片10之情形時，於半導體晶片之拾取方面存在障礙。又，如圖2所示，於基材樹脂膜1上設置有黏著劑層2，進而形成有接著劑層3之半導體晶圓加工用黏著片20之情形時，難以順利地將接著劑層3與黏著劑層2剝離。
光聚合起始劑之以聚苯乙烯換算之利用GPC所得的重量平均分子量之上限較佳為800，進而較佳為600。
關於光聚合起始劑之以聚苯乙烯換算之利用GPC所得的重量平均分子量之下限，並無特別限制，較佳為200以上。若分子量較小，則變得容易昇華，自黏著劑層向非黏著體層之移動變得顯著而容易污染晶圓。又，黏著劑層之耐熱性變差，於製造時之基材塗敷後之乾燥步驟中變得容易分解。因此，未表現出穩定之硬化反應。
光聚合起始劑，例如可列舉：二苯甲酮、4,4-雙(二乙基胺基)二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、第三丁基蒽醌、2-乙基蒽醌、二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基環己基-苯基酮、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮-1、二乙基-9-氧硫、異丙基-9-氧硫、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-啉基)苯基]-1-丁酮、及下述通式(1)所表示之寡聚物。
(式中，R表示烷基，n為整數)
上述光聚合起始劑中，難以昇華且難以產生污染之殘存物之優異的光聚合起始劑，可列舉：2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(分子量260)、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮(分子量280)、1-羥基-環己基苯基-酮(分子量205)。
上述通式(1)之寡聚物較佳為聚合度n=2～4(分子量400～700)者，進而較佳為聚合度n=2～3(分子量400～500)者。
2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮
2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮
關於光聚合起始劑，相對於構成第1態樣之半導體晶圓加工用黏著片之黏著劑層的放射線硬化性樹脂組成物中之基底樹脂100質量份，而摻合0.1～10質量份。較佳為相對於基底樹脂100質量份，而較佳為摻合1～10質量份，進而較佳為2～7質量份。於構成第2態樣之半導體晶圓加工用黏著片之黏著劑層的放射線硬化性樹脂組成物中，相對於丙烯酸系聚合物100質量份而摻合0.1～10質量份。較佳為相對於丙烯酸系聚合物100質量份，而較佳為摻合1～10質量份，進而較佳為2～7質量份。
若光聚合起始劑過少，則導致黏著劑層之因放射線之照射所致之三維網狀化變得不充分，而無法順利地與接著劑層剝離，或污染半導體晶片。又，若光聚合起始劑過多，則不僅無法獲得與此相應之效果，而且有於晶圓上殘留該光聚合起始劑之虞。
根據需要，可併用2種以上之上述光聚合起始劑。只要所使用之光聚合起始劑各自之利用GPC所得之重量平均分子量未達1000即可。又，亦可將三乙胺、四乙五胺、二甲基胺基乙醇等胺化合物或9-氧硫系光聚合起始劑作為光聚合促進劑而加以併用。
於放射線硬化性樹脂組成物中，視需要亦可為了調整對半導體晶圓之黏著力含有黏著賦予劑、黏著調整劑、界面活性劑、其他改質劑或慣用成分。其中，界面活性劑或表現出界面活性之化合物等會污染半導體晶圓，故較佳為儘量減少使用其之情形。
於本發明中，將含有上述基底樹脂、分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下之化合物、特定之光聚合起始劑、以及視需要之交聯劑及其他摻合劑成分的放射線聚合性樹脂組成物直接塗佈於基材樹脂膜上並加熱乾燥，或者暫時塗佈於剝離紙上並加以乾燥後再轉印至基材樹脂膜上，藉此可製造黏著劑層係由使用放射線聚合性樹脂組成物之層所構成之半導體晶圓加工用黏著片。
黏著劑層之厚度並無特別限制。通常，以將黏著劑層之厚度通常設為5～100μm之方式，形成黏著劑層，而製成片狀、帶狀等之半導體晶圓加工用黏著片。
放射線可使用α射線、γ射線、電子束、紫外線等，只要為藉由使黏著劑層硬化可降低黏著力者，則並無特別限制。較佳為電子束、紫外線，於使用光聚合起始劑時，進而較佳為紫外線。
本發明之半導體晶圓加工用黏著片如圖2所示，亦可於基材樹脂膜1上設置黏著劑層2，進而於其上形成接著劑層3。於基材樹脂膜上形成黏著劑層，繼而形成接著劑層之方法並無特別限制，只要根據先前之方法，於基材樹脂膜上積層黏著劑層，進而於黏著劑層上積層接著劑層即可。
於該情形時，將半導體晶圓加工用黏著片貼合於研磨後之半導體晶圓背面，其後自半導體晶圓之電路形成面側，以切割加工同時切入黏著劑及接著劑。於是可獲得附有接著劑層之半導體晶片。接著劑層3中所使用之接著劑，可使用以往之接著劑。
接著劑層可使用將接著劑預先膜化而成者。例如可使用使用於接著劑之以往之聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或該等之混合物。
其中，就硬化後之耐熱性優良之方面而言，尤佳為使用環氧樹脂。環氧樹脂只要為進行硬化而表現接著作用者即可。為提高玻璃轉移溫度(Tg)而確保接著劑層之耐熱性，亦可添加多官能環氧樹脂。多官能環氧樹脂可例示：苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等。環氧樹脂之硬化劑只要為通常用作硬化劑者，則並無特別限制，可列舉胺系化合物、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、1分子中具有2個以上酚性羥基之化合物即雙酚A、雙酚F、及雙酚S等。
由於吸濕時之耐電腐蝕性特別優異，故較佳為使用作為酚樹脂之苯酚酚醛清漆樹脂或雙酚酚醛清漆樹脂等。又，就可縮短用以硬化之熱處理之時間而言，較佳為與硬化劑一併使用硬化促進劑。硬化促進劑，可使用2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽(1-cyanoethyl-2-phenyl imidazolium trimellitate)等各種咪唑類等鹼。
又，為強化對半導體晶片或導線架之接著力，較理想為將矽烷偶合劑或鈦偶合劑作為添加劑而添加至上述樹脂或其混合物中。又，亦可為提高耐熱性或調節流動性而添加填料。作為該種填料，例如可使用二氧化矽、氧化鋁、及銻之氧化物等。該等填料只要為最大粒徑小於接著劑層之厚度者，則可以任意之比例進行摻合而使用。
接著劑層之厚度並無特別限制，通常較佳為5～100μm左右。又，接著劑層可積層於黏著膜之整個黏著劑層。又，亦可將預先切割(precut)成與所貼合之半導體晶圓對應之形狀的接著劑層積層於黏著劑層之一部分。於該情形時，形成下述形狀：貼合有半導體晶圓之部分存在接著劑層，貼合有切割用環狀框(ring frame)之部分不存在接著劑層而僅存在黏著膜之黏著劑層。藉由形成該形狀，於環狀框上貼合有黏著劑層，而未貼合通常難以與被黏著體剝離之接著劑層，因此本發明之半導體晶圓加工用黏著片於使用後可容易地自環狀框剝離。
關於本發明之半導體晶圓加工用黏著片，為了於剝離時自基材樹脂膜側照射放射線而使黏著劑層硬化，必需使基材樹脂膜具有放射線穿透性。又，於晶圓加工時會因切削刀等而受到衝擊，並受到清洗水等之壓力。因此，基材樹脂膜係選擇具有可耐受該等之強度且適合該等之材料及厚度。為使黏著劑層難以自基材樹脂膜剝離，較佳為預先對基材樹脂膜之黏著劑層形成面實施以電暈處理為代表之各種表面處理。
使用於基材樹脂膜之材料，可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚胺酯、聚甲基戊烯、聚丁二烯等之膜。
基材樹脂膜之厚度為30～500μm，較佳為40～300μm，進而較佳為50～200μm。若該厚度過薄，則強度減弱，因此有時會產生由半導體晶圓加工中之斷裂等引起之不良情形。
另一方面，若基材樹脂膜過厚，則於切割步驟結束後之半導體晶片之拾取步驟中，半導體晶圓加工用黏著片過硬，藉由針向上頂起時發生故障。又，於切割步驟結束後且於拾取步驟前之延伸(expand)步驟中，難以充分延伸半導體晶圓加工用黏著片。因此，半導體晶片之間隙較小，圖像之晶片識別性變得不充分，產生半導體晶片之拾取不良。
[實施例]
以下，基於實施例，對本發明進行更加詳細之說明，但本發明並不限定於該等實施例。
A.放射線硬化性
1.第1態樣之半導體晶圓加工用黏著膠帶之黏著劑層中所使用的放射線硬化性樹脂組成物之製備
(1)對於主鏈之重複單位而鍵結有具有具放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基之(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之聚合物之製備
使用丙烯酸丁酯(59mol%)、丙烯酸2-羥基乙酯(25mol%)及丙烯酸(16mol%)製造丙烯酸系共聚物。使該丙烯酸系共聚物之丙烯酸2-羥基乙酯側鏈末端之OH基、與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯之NCO基進行反應，獲得對於主鏈之重複單位而鍵結有包含具有放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基之(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之聚合物。此時，適當變更甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯之滴加量，獲得雙鍵量不同之聚合物((a1)～(a4))。所得聚合物((a1)～(a4))之任一者均係重量平均分子量為70萬、玻璃轉移溫度為-60℃者。於表1-1～1-4中，實施例1-1～1-9、1-11、及比較例1-1～1-4、1-7中所使用之聚合物(a1)之碘值為20。又，實施例1-10中所使用之聚合物(a2)之碘值為50，實施例1-12中所使用之聚合物(a3)之碘值為0.5，實施例1-13中所使用之聚合物(a4)之碘值為55。
於以下說明中，以聚合物((a1)～(a4))作為聚合物(a)加以說明。
(i)重量平均分子量
利用下述條件之GPC，對聚合物(a)測定重量平均分子量。
GPC裝置：HLC-8120GPC(商品名，Tosoh公司製造)
管柱：TSK gel Super HM-H/H4000/H3000/H2000(商品名，Tosoh公司製造)
流量：0.6ml/min
濃度：0.3質量%
注入量：20μl
管柱溫度：40℃
展開溶劑：氯仿
(ii)玻璃轉移溫度
使用熱示差掃描分析儀(DSC)(DSC7020(商品名)，Seiko Instruments股份有限公司公司製造)，以升溫速度5℃/min進行測定。
(iii)雙鍵量
根據JIS K 0070求出碘值。
(2)放射線硬化性樹脂組成物之製備
於(1)中所得之聚合物(a)100質量份中，以表1-1～表1-4所記載之份數摻合光起始劑，進而摻合聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司製造，商品名Coronate L)3質量份作為硬化劑，從而製備表1-1～表1-4之實施例及比較例中記載之放射線硬化性樹脂組成物。使用VPE-0201(商品名，和光純藥工業公司製造)作為比較例1-1、1-7中所使用之光起始劑之含聚乙二醇單位之高分子偶氮聚合起始劑-。
光起始劑之重量平均分子量係藉由GPC法進行測定，以聚苯乙烯作為標準物質而算出重量平均分子量。將其結果一併示於表1-1～1-4中。使用Polymer Laboratories製造之Oligo Pore 300×7.5(商品名)作為凝膠滲透層析儀。展開溶劑係使用氯仿，於40℃進行測定。
2.第2態樣之半導體晶圓加工用黏著膠帶之放射線硬化性樹脂組成物之製備
(1)構成黏著劑層之丙烯酸系聚合物
使用丙烯酸正丁酯85質量份、丙烯酸乙酯10質量份及丙烯酸5質量份，製備丙烯酸系共聚物作為構成黏著劑層之基底樹脂。其重量平均分子量為60萬。
(2)分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下之化合物
使用UN-3320HA(商品名，根上工業製造)、UN-9000PEP(商品名，根上工業製造)、UN-6050PTM(商品名，根上工業製造)、UN-901T(商品名，根上工業製造)、UN-9200A(商品名，根上工業製造)。
藉由以下方法測定所使用之化合物之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量及雙鍵量。其結果如下。
UN-3320HA(商品名，根上工業製造)：1500(雙鍵量：6)
UN-3320HC(商品名，根上工業製造)：1500(雙鍵量：6)
UN-9000PEP(商品名，根上工業製造)：5000(雙鍵量：2)
UN-6050PTM(商品名，根上工業製造)：6000(雙鍵量：2)
UN-901T(商品名，根上工業製造)：4000(雙鍵量：9)
UN-9200A(商品名，根上工業製造)：11500(雙鍵量：2)
(重量平均分子量之測定條件)
GPC裝置：HLC-8120GPC(商品名，Tosoh公司製造)
管柱：TSK-GEL G2500HHR(商品名，Tosoh公司製造)
流量：1ml/min
濃度：0.2mg/ml
注入量：100μl
恆溫槽溫度：40℃
流動相：氯仿
(雙鍵量之測定方法)
雙鍵量
根據JIS K 0070求出碘值，並根據該值算出雙鍵量。
(3)放射線硬化性樹脂組成物之製備
於(1)之基底樹脂100質量份中，以表2-1～表2-4所記載之份數，摻合(2)所記載之於分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下之化合物及光起始劑，進而摻合聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司製造，商品名Coronate L)3質量份作為硬化劑，從而製備表2-1～表2-4之實施例及比較例中所記載之放射線硬化性樹脂組成物。使用VPE-0201(商品名，和光純藥工業公司製造)作為比較例2-1、2-6中所使用之光起始劑之含聚乙二醇單位之高分子偶氮聚合起始劑-。
光起始劑之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法而進行測定，以聚苯乙烯作為標準物質，算出重量平均分子量。將其結果一併示於表2-1～2-4中。使用PolymerLaboratories製造之OligoPore 300×7.5(商品名)作為凝膠滲透層析儀。展開溶劑係使用氯仿，並於40℃進行測定。
B.半導體晶圓加工用黏著片之製作(I)
使用EMMA樹脂(住友化學公司製造，商品名：ACRYFT WD201)，藉由T模法製作厚度100μm之基材樹脂膜。於該基材樹脂膜塗敷實施例1-1～1-10、1-12～1-13、2-1～2-10、比較例1-1～1-4、2-1～2-5中所示之放射線硬化性樹脂組成物並適當加以固化。藉此，獲得具有乾燥後之膜厚為10μm之黏著劑層的圖1所示之構成之半導體晶圓加工用黏著片。
3.半導體晶圓加工用黏著片之製作(II)
(1)構成接著層之接著劑組成物之製備
於相對於作為環氧樹脂之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂50質量份、酚樹脂50重量份而由作為矽烷偶合劑之γ-巰丙基三甲氧基矽烷3質量份及γ-脲基丙基三乙氧基矽烷5質量份、及作為填料之球狀二氧化矽30重量份所構成的組成物中，添加環己酮並攪拌混合，進而使用珠磨機混練90分鐘。
於上述組成物中添加丙烯酸系橡膠(重量平均分子量15萬)300質量份、及作為硬化促進劑之1-氰乙基-2-苯基咪唑1質量份，並攪拌混合，進行真空脫氣，從而獲得接著劑組成物。
(2)半導體晶圓加工用黏著片之製作
將(1)中所得之接著劑組成物塗佈於厚度35μm之經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜(脫模膜)上，以140℃加熱乾燥5分鐘，獲得於膜厚為20μm之B階段(B stage)狀態之脫模膜上形成有接著劑層之接著劑片材。
繼而，以與上述2.半導體晶圓加工用黏著片之製作(I)中所記載之方法相同之方法，獲得圖1所示之結構之半導體晶圓加工用黏著片，該結構係：使用表1-4之實施例1-11及比較例1-7中所記載之放射線聚合性樹脂組成物於基材樹脂膜上形成黏著劑層。將該黏著劑層與以上述方法製作之接著劑片材之接著劑層對接而積層，獲得圖2所示之構成：於半導體晶圓加工用黏著片上積層有脫模膜之黏著片(實施例1-11及比較例1-7)。
另外，以與上述2.半導體晶圓加工用黏著片之製作(I)中所記載之方法相同之方法，獲得圖1所示之結構之半導體晶圓加工用黏著片，該結構係：使用表2-4之實施例2-11～2-15、比較例2-6、2-7中所記載之放射線聚合性樹脂組成物於基材樹脂膜上形成黏著劑層。將該黏著劑層與以上述方法製作之接著劑片材之接著劑層對接而積層，獲得圖2所示之構成之於半導體晶圓加工用黏著片上積層有脫模膜之黏著片(實施例2-11～2-15、比較例2-6、2-7)。
於以下試驗中，將脫模膜剝離而貼合於半導體晶圓，並進行評價。
4.性能試驗
按照以下條件進行切割，其後對拾取性及晶片污染性進行評價。
(切割條件)
(1)圖1之構成之半導體晶圓加工用黏著片
關於實施例1-1～1-10、1-12、1-13、2-1～2-10，比較例1-1～1-4、2-1～2-5，使用DISCO公司製造之「DFD-840」，以雙軸將矽晶圓之背面研磨掉30μm後，以矽晶圓之最終厚度成為100μm之方式進行研磨。此時之研磨條件如下所述。
單軸：350磨石(轉速：4800rpm，下降速度：P1為3.0μm/sec、P2為2.0μm/sec)
雙軸：#2000磨石(轉速：5500rpm，下降速度：P1為0.8μm/sec、P2為0.6μm/sec)
於背面研磨後5分鐘以內，將圖1之構成之半導體晶圓加工用黏著片貼合於8英吋用環狀框上，於該貼合固定之狀態下，將100μm厚之8英吋矽晶圓貼合於半導體晶圓加工用黏著片，並使用DISCO公司製造之切割裝置DAD340(商品名)，全切切割(fullcut dicing)成5mm×5mm之晶片尺寸。關於此時之自半導體晶圓加工用黏著片面起之刀片之切削深度，於圖1所示之構成之黏著片之情形時設為30μm。
(2)圖2之構成之半導體晶圓加工用黏著片
關於實施例1-11、2-11～2-15及比較例1-7、2-6、2-7，於70℃下，將圖2之構成之半導體晶圓加工用黏著片貼合於100μm厚之8英吋矽晶圓20秒後，使用Disco公司製造之DFD6340，按照以下條件進行切割。
切割刀片(薄型旋轉磨石)：第1次使用Disco公司製造之27HEEE，第2次使用Disco公司製造之27HEDD
刀片轉速：35000rpm
刀片進給速度：50mm/s
晶片尺寸：5mm×5mm
切削深度：
第1次　向矽晶圓切進50μm
第2次　向半導體晶圓加工用黏著片切進40μm(基材樹脂膜之厚度為100μm、黏著劑層之厚度為10μm、接著劑層之厚度為20μm)
4-1.拾取試驗
關於實施例1-1～1-10、1-12、1-13、2-1～2-10、比較例1-1～1-4、2-1～2-5、及實施例1-11、2-11～2-15、比較例1-7、2-6、2-7之半導體晶圓加工用黏著片，於上述4.(1)及(2)中所示之條件下分別進行切割後，使用高壓水銀燈之紫外線照射機，自半導體晶圓加工用黏著片之基材樹脂膜面側，以照射量成為200mJ/cm2 之方式進行紫外線照射，其後使用CANON MACHINERY製造之CPS-6820(商品名)，以5mm之延伸行程(expand stroke)進行延伸，並於該狀態下進行拾取。拾取係使用頂端徑為R250之頂出銷而進行。評價項目係針對以下項目實施。
(1)拾取性
實際拾取晶片，評價a.順利頂出晶片、b.以圓形桶夾吸附晶片、及c.將晶片設置於導線架上之任一者是否均可順利進行。評價係根據自8英吋晶圓中拾取200個晶片，其中可拾取多少晶片數而評價。將200個晶片中可拾取180個晶片以上之情形設為合格，將拾取成功之晶片數示於表1-1～2-4中。
(2)晶片污染性
晶片污染性係針對圖1之構成之半導體晶圓加工用黏著片(實施例1-1～1-10、1-12、1-13、2-1～2-10、比較例1-1～1-4、2-1～2-5)，利用以下方法加以評價。
(2)-1目視試驗
評價上述晶片污染性時，剝離晶片以目視加以確認。將晶圓背面不存在因黏著劑之貼合或污染物之附著而引起之彩虹色光澤之情形設為合格，將合格之情形表示為○，將產生少許光澤但實際應用上不成問題之水平表示為△，將貼合有黏著劑之情形設為不合格，表示為×。
(2)-2異物試驗
於表面經洗淨之鏡面拋光之矽晶圓(6英吋)貼合半導體晶圓加工用黏著片，放置24小時後，剝離該片材。藉由雷射表面檢測裝置(Surfscan6420(商品名，KLA-‧Tencor(股份有限公司)製造)測定貼合過該片材之晶圓表面所殘留之異物數。根據以下所示之評價基準對所得之結果進行判定。其中，◎及○表示合格，△表示實際應用上不成問題之水平，×表示不合格。將該結果示於表中。
◎：未達20個、○：20個以上且未達90個、△：90個以上且未達200個、×：200個以上
(3)黏著劑層與接著劑層之剝離性
於加熱至80℃之加熱板上載置直徑5英吋之矽晶圓，確認該矽晶圓之表面溫度達到80℃後，於大約10秒鐘內貼合圖2之構成之半導體晶圓加工用黏著片(實施例1-11、2-11～2-15及比較例1-7、2-6、2-7)。此後，除去加熱板，將貼合有半導體晶圓加工用黏著片之矽晶圓之表面溫度降至室溫。
其後，使用高壓水銀燈之紫外線照射機，自半導體晶圓加工用黏著片之基材樹脂膜面側，以照射量成為200mJ/cm2 之方式進行紫外線照射。此後，依據JIS-0237，測定紫外線照射後之半導體晶圓加工用黏著片對矽晶圓之剝離力。測定條件係以90°剝離，剝離速度為50mm/min。將該剝離力為0.5N/25mm以下之情形設為合格，記作○。
5.第1態樣之半導體晶圓加工用黏著膠帶
根據表1-1～1-3可知，於對圖1所示之構成之半導體晶圓加工用黏著片進行評價之實施例中，200個晶片中可拾取180個晶片以上之半導體晶片，晶片污染或異物殘留較少，且可順利地拾取。實施例1-6中見到少許晶片污染或殘留異物，但為實際應用上不成問題之水平。
又，於由使用碘值0.5之聚合物(a)作為基底樹脂之黏著劑層所構成的半導體晶圓加工用黏著片之情形時，200個晶片中可拾取180個半導體晶片，表現出合格水平之特性。
相對於此，使用含聚乙二醇單位之高分子偶氮聚合起始劑作為光聚合起始劑(比較例1-1)，結果光起始劑無法充分均勻地溶解，所產生之自由基之移動無法充分順利地進行，結果200個晶片中僅可拾取一半。
又，於使光聚合起始劑之量少於0.1質量份之情形時(比較例1-2、1-3)，由於起始劑所致之自由基供給不足，而於拾取性上產生問題，於光聚合起始劑之量多於10質量份之情形時(比較例1-4)，由於未反應物所致之昇華而產生晶片污染。
又，根據表1-4可知，於對圖2所示之構成之半導體晶圓加工用黏著片進行評價的實施例1-11中，可於黏著劑層與接著劑層之間順利地進行界面剝離，200個晶片中可拾取所有之半導體晶片。
相對於此，於比較例1-7中，無法於黏著劑層與接著劑層之間順利地進行界面剝離，200個晶片中僅可拾取100個半導體晶片。
5.第2態樣之半導體晶圓加工用黏著膠帶
根據表2-1～2-3可知，於對圖1所示之構成之半導體晶圓加工用黏著片進行評價的實施例中，200個晶片中可拾取所有之半導體晶片，晶片污染或異物殘留較少，且可順利地拾取。實施例2-6中可見到少許晶片污染或殘留異物，但為實際應用上不成問題之水平。
相對於此，使用含聚乙二醇單位之高分子偶氮聚合起始劑作為光聚合起始劑(比較例2-1)，結果光起始劑無法充分均勻地溶解，所產生之自由基之移動無法充分順利地進行，結果200個晶片中僅可拾取一半。
又，於使光聚合起始劑之量少於0.1質量份之情形時(比較例2-2)，由於起始劑所致之自由基供給不足，而於拾取性上產生問題，於光聚合起始劑之量多於10質量份之情形時(比較例2-3)，由於未反應物所致之昇華而產生晶片污染。
若使分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之化合物之摻合份數少於1質量份(比較例2-4)，則拾取性下降。反之，於放射線聚合性化合物之摻合份數多於300質量份之情形時(比較例2-5)，由於黏著劑層產生硬化收縮，黏著劑密著於晶片背面，從而可見到拾取性下降。
又，根據表2-4可知，於對圖2所示之構成之半導體晶圓加工用黏著片進行評價的實施例2-11～2-15中，可於黏著劑層與接著劑層之間順利地進行界面剝離，200個晶片中可拾取所有之半導體晶片。
相對於此，於使用重量平均分子量較大之光聚合起始劑之比較例2-6中，無法於黏著劑層與接著劑層之間順利地進行界面剝離，200個晶片中僅可拾取100個半導體晶片。
又，於使用分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之化合物之重量平均分子量為11,500者的比較例2-7中，與比較例2-6同樣地，200個晶片中僅可拾取100個半導體晶片。
以上，對本發明及其實施態樣一併進行了說明，但本發明人等認為，只要無特別指定，則於說明之任一細微處均未限定本發明人等之發明，而應於不違背隨附之申請專利範圍所示之發明精神及範圍的情況下作廣義地解釋。
本申請案係主張基於2010年3月31日於日本提出專利申請之日本特願2010-84447及2010年3月31日於日本提出專利申請之日本特願2010-84531之優先權，該等係以參照方式將其內容作為本說明書之記載之一部分而併入至本說明書中。
1‧‧‧基材樹脂膜
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧接著劑層
10、20‧‧‧半導體晶圓加工用黏著片
圖1係表示本發明之晶圓加工用黏著片之一實施形態的剖面圖。
圖2係表示本發明之晶圓加工用黏著片之另一實施形態的剖面圖。

Claims (6)

  1. 一種半導體晶圓加工用黏著片，係由放射線穿透性之基材樹脂膜、設置於該基材樹脂膜上之黏著劑層、及設置於該黏著劑層上之接著劑層所形成，該黏著劑層係由使用相對於(i-1)基底樹脂100質量份含有(iii)光聚合起始劑(b)0.1~10質量份之放射線硬化性樹脂組成物之層所構成，該(i-1)基底樹脂，其係以對於主鏈之重複單位鍵結有具有(甲基)丙烯酸系單體部的殘基之丙烯酸系聚合物(a)作為主成分，該(甲基)丙烯酸系單體部具有放射線硬化性碳-碳雙鍵含有基，該丙烯酸系聚合物(a)之碘值為20~55、該(iii)光聚合起始劑(b)，其藉由凝膠滲透層析(以下稱為「GPC」)法，以聚苯乙烯作為標準物質換算之重量平均分子量未達1000；該接著劑至少由含有環氧樹脂及咪唑化合物來構成；該光聚合起始劑(b)係選自由1-羥基-環己基苯基-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、寡{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮}(重複數=2~3)，及下述通式(1)所表示之寡聚物通式(1) (式中，R表示烷基，n為2~4之整數)所組成之群中之至少1種。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工用黏著片，其中，該咪唑化合物係選自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽(1-cyanoethyl-2-phenyl imidazolium trimellitate)之化合物。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓加工用黏著片，其中，該黏著劑層之丙烯酸系聚合物(a)係使下述丙烯酸系共聚物與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯反應而成之聚合物，該丙烯酸系共聚物係由丙烯酸丁酯、丙烯酸2-羥基乙酯及丙烯酸所構成者。
  4. 一種半導體晶圓加工用黏著片，係由放射線穿透性之基材樹脂膜、設置於該基材樹脂膜上之黏著劑層、及設置於該黏著劑層上之接著劑層所形成，該黏著劑層係由使用相對於(i-2)丙烯酸系聚合物100質量份含有(ii)化合物(c)1~300質量份、及(iii)光聚合起始劑(b)0.1~10質量份之放射線硬化性樹脂組成物之層所構成，構成該黏著劑層之放射線硬化性樹脂組 成物所含有之丙烯酸系聚合物至少含有丙烯酸正丁酯作為單體成分，該(ii)化合物(c)，其於分子內具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之重量平均分子量為10,000以下、該(iii)光聚合起始劑(b)，其藉由凝膠滲透層析(以下稱為「GPC」)法，以聚苯乙烯作為標準物質換算之重量平均分子量未達1000；該接著劑至少由含有環氧樹脂及咪唑化合物來構成；該光聚合起始劑(b)係選自由1-羥基-環己基苯基-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、寡{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮}(重複數=2~3)，及下述通式(1)所表示之寡聚物 (式中，R表示烷基，n為2~4之整數)所組成之群中之至少1種。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓加工用黏著 片，其中，該咪唑化合物係選自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽之化合物。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之半導體晶圓加工用黏著片，其中，該黏著劑層之基底樹脂係由選自丙烯酸正丁酯、丙烯酸乙酯及丙烯酸中之至少一種單體構成的丙烯酸系共聚物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI749111B (zh) * 2016-11-29 2021-12-11 日商琳得科股份有限公司 兩面黏著片及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5242830B1 (ja) * 2012-07-06 2013-07-24 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法
JP5718515B1 (ja) * 2014-01-23 2015-05-13 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
TWI621684B (zh) * 2015-09-01 2018-04-21 Lintec Corp Adhesive sheet
JP7221479B2 (ja) * 2018-08-31 2023-02-14 日化精工株式会社 ダイシング加工用製剤及び加工処理液
KR102627907B1 (ko) * 2019-07-30 2024-01-19 주식회사 엘지화학 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2021095450A (ja) * 2019-12-13 2021-06-24 日東電工株式会社 半導体加工用粘着シートおよびその利用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201000585A (en) * 2008-02-18 2010-01-01 Nitto Denko Corp Dicing die-bonding film

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4066394B2 (ja) * 1998-04-10 2008-03-26 日本合成化学工業株式会社 再剥離型粘着剤
JP4803778B2 (ja) * 2001-07-03 2011-10-26 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤および再剥離型粘着シート
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
ITVA20050049A1 (it) * 2005-08-05 2007-02-06 Lamberti Spa Sistemi fotopolimerizzabili contenenti coiniziatori a bassa estraibilita' e volatilita'
JP4927393B2 (ja) * 2005-11-30 2012-05-09 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ
JP4799205B2 (ja) * 2006-02-16 2011-10-26 日東電工株式会社 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法
JP5656379B2 (ja) * 2009-03-03 2015-01-21 日立マクセル株式会社 ダイシング用粘着フィルム、及び半導体素子の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201000585A (en) * 2008-02-18 2010-01-01 Nitto Denko Corp Dicing die-bonding film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI749111B (zh) * 2016-11-29 2021-12-11 日商琳得科股份有限公司 兩面黏著片及半導體裝置的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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