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KR20120092694A - 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트 - Google Patents

반도체 웨이퍼 가공용 점착시트 Download PDF

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KR20120092694A
KR20120092694A KR1020127017546A KR20127017546A KR20120092694A KR 20120092694 A KR20120092694 A KR 20120092694A KR 1020127017546 A KR1020127017546 A KR 1020127017546A KR 20127017546 A KR20127017546 A KR 20127017546A KR 20120092694 A KR20120092694 A KR 20120092694A
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KR
South Korea
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semiconductor wafer
wafer processing
adhesive sheet
radiation
adhesive layer
Prior art date
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Application number
KR1020127017546A
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Inventor
아키라 야부키
쇼조 야노
유리 다마가와
Original Assignee
후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Publication date
Priority claimed from JP2010084531A external-priority patent/JP2011213922A/ja
Priority claimed from JP2010084447A external-priority patent/JP2011216734A/ja
Application filed by 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 filed Critical 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼이면 바로 뒤에 다이싱 시트를 맞붙이는 장치에 있어서도, 다이싱 공정 종료후 용이하게 박리할 수 있고, 오염물질의 부착을 현저하게 적게 할 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
방사선 투과성의 기재 수지 필름과, 상기 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로서, 상기 점착제층이 (I) 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 중합체(a)를 주성분으로 하는 베이스 수지 100질량부에 대하여, 겔 투과 크로마토그래피법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제(b) 0.1?10질량부를 함유하는 방사선 경화성 수지 조성물, 또는, (II) 베이스 수지 100질량부에 대하여, 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물 1?300질량부, 겔 투과 크로마토그래피법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제 0.1?10질량부를 함유하는 방사선 경화성 수지조성물 중 어느 하나를 이용한 층으로 구성되는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 점착시트{ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING}
본 발명은, 박형(薄形) 반도체 웨이퍼를 가공할 때에 사용되는, 방사선 경화형의 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 관한 것이다.
종래부터, 다이패드(die pad)상에 소정의 회로 패턴이 형성된 반도체 칩을 접착제로 고정하는 것에 의해, 반도체 집적회로는 제조되고 있다. 이때 사용되는 반도체 칩은, 예를 들면 이하의 방법에 따라 제조되고 있다.
(1) 고순도 실리콘 단결정을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼로 한 후, 상기 웨이퍼 표면에 IC 등의 소정의 회로 패턴을 형성한다.
(2) 반도체 웨이퍼 회로면을 보호하는 표면 보호 테이프를 맞붙이고, 형성된 회로면을 보호한 후에, 상기 웨이퍼 이면을 연삭기에 의해 연삭하고, 웨이퍼의 두께를 100?600㎛ 정도까지 얇게 하고, 그 후 표면 보호 테이프를 회로면으로부터 박리한다.
(3) 반도체 웨이퍼의 직경 보다 약간 큰 중공 부분을 가지는 바퀴형상의 다이싱 프레임에 다이싱 시트를 맞붙이고, 상기 프레임의 중공 부분에 노출한 점착제층에 상기 연삭기로 연삭된 웨이퍼 이면을 맞붙인다.
(4) 다이싱 시트가 맞붙여진 면과는 반대측(즉, 회로가 형성된 측)으로부터 다이싱하여 반도체 칩으로 하고, 자외선 등의 방사선을 조사하여 다이싱 시트의 점착제층의 점착력을 저하시키고, 상기 칩을 다이싱 시트의 기재 필름측으로부터 니들(needle)로 밀어 올려서 픽업을 행한다.
이 공정에 사용되는 다이싱 시트는, 다이싱 가공중에 박리하지 않는 정도의 점착력이 필요한 한편으로, 다이싱 후의 픽업시에는, 반도체 칩을 용이하게 박리할 수 있는 정도의 낮은 점착력으로 다이싱 시트로부터 박리할 수 있고, 칩 이면에 점착제를 비롯한 오염물질이 부착되지 않는 것이 필요하게 된다.
한편, 최근, 직경 300㎜인 대구경(大口徑)의 웨이퍼로부터 두께 100㎛ 이하의 박형의 반도체 칩을 얻는 것이 주류로 되고 있다. 따라서 이 박형 웨이퍼로부터 아무런 문제 없이 반도체 칩을 얻는 것이 중요한 과제이다.
이에 대한 해결 방법의 하나로서, 상기의 (1)?(3)까지를 연속 장치내에서 행하는, 이른바 인라인 제조장치나 (2)와 (3)의 공정을 신속하게 행하는 제조방법 등이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조). 예를 들면 인라인 제조장치에서는, (2)의 웨이퍼 이면의 연삭 공정과 (3)의 웨이퍼 이면으로의 다이싱 시트의 맞붙임 공정이 연속으로 행해진다. 이 때문에, 인라인 제조장치 내에서는 반도체 웨이퍼나 반도체 칩의 파손을 줄일 수 있다. 이 장치에서는, 웨이퍼 이면의 산화 피막이 생성하기 전에, 다이싱 시트를 맞붙인다.
그러나, 종래의 점착제층을 가지는 다이싱 시트에서는, 웨이퍼 이면에 산화 피막이 생성된 후에 맞붙여져 있었기 때문에, 이 경우에는 잘 박리할 수 있던 것이어도, 동일하게 인라인 제조장치에서 사용해도 잘 박리할 수 없다고 하는 문제가 발생하게 되었다.
또, 종래의 제조 공정에서는, 다이싱 시트를 웨이퍼 이면에 산화 피막이 생성된 후에 맞붙여져 있었기 때문에, 이 경우에는 잘 박리된 종래의 점착제층을 가지는 다이싱 시트를 인라인 제조장치에서 동일하게 사용해도 잘 박리할 수 없다고 하는 문제가 발생하게 되었다.
또 다른 해결 방법의 하나로서, 다이패드상에 반도체 칩을 고정할 때에 사용되는 접착제를 필름형상으로 성형한 것을, 미리 다이싱 테이프의 점착제층에 적층한, 이른바 다이싱 다이본드 시트가 제안되고 있다. 이 다이싱 다이본드 시트를 사용할 때에는, 통상의 다이싱 시트와 동일하게 웨이퍼 이면에 맞붙여지지만, 점착제층과 함께 접착제층도 다이싱된다. 이 시트에는 접착제층이 맞붙여져 있기 때문에, 테이프 전체의 강도가 증가되고, 시트 자체가 박형 웨이퍼의 강도를 보강하는 효과를 가진다. 이 때문에 박형 웨이퍼의 다이싱을 잘 행할 수 있다. 그러나, 다이싱 종료후에 접착제층은 반도체 칩 이면에 남기고, 접착제층과 점착제층간에서 벗기지 않으면 안된다. 따라서 점착제층으로서 특정한 방사선 경화형의 것을 이용한 시트가 사용되고 있다. 최근, 다이싱 공정 후의 방사선 조사량을 올려서, 반도체 칩의 제조 공정의 스피드업이 행해지고 있다. 그러나 방사선 조사량이 많으면 발열량이 많고, 다이싱 공정 후의 방사선 조사 공정에서 발생한 열에 의해 접착제층과 점착제층과의 박리가 곤란하게 된다고 하는 문제가 발생하고 있다.
: 일본 공개특허공보 2002-343756호 : 일본 공개특허공보 2004-40114호
본 발명은, 웨이퍼 이면 바로 뒤에 다이싱 시트를 맞붙이는 장치에 있어서도, 다이싱 공정 종료후 용이하게 박리할 수 있고, 오염물질의 부착을 저감할 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
또 본 발명은, 점착제층상에 더 접착제층이 마련된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 의해, 접착제층과 점착제층을 픽업 공정으로 용이하게 박리하고, 접착제층 부착의 반도체 칩을 얻을 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대해서 열심히 검토한 결과, (I) 기재 수지 필름상에, 특정한 방사선 경화성의 아크릴계 중합체를 주성분으로 하는 베이스 수지와 특정한 분자량의 광중합 개시제를 함유하는 방사선 경화성 수지 조성물을 이용하여, 점착제층을 형성한 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트, 또는 (II) 아크릴계 중합체에 방사선 중합성 화합물과 특정한 분자량의 광중합 개시제를 함유하는 수지 조성물의 방사선 중합성의 점착제층을 형성한 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트, 중 어느 하나를 이용하면, 각각 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명은 그 지견에 기초하여 이루어진 것이다.
즉, 본 발명은,
＜1＞ 방사선 투과성의 기재 수지 필름과, 상기 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로서, 상기 점착제층이
(i-1) 주쇄(主鎖)의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기(殘基)를 결합한 아크릴계 중합체(a)를 주성분으로 하는 베이스 수지 100질량부에 대하여,
(iii) 겔 투과 크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 한다)법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제(b) 0.1?10질량부
를 함유하는 방사선 경화성 수지 조성물을 이용한 층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트,
＜2＞ 방사선 투과성의 기재 수지 필름과, 상기 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로서, 상기 점착제층이
(i-2) 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여,
(ii) 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물(c) 1?300질량부,
(iii) 겔 투과 크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 한다)법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제(b) 0.1?10질량부
를 함유하는 방사선 경화성 수지 조성물을 이용한 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트,
＜3＞ 상기 광중합 개시제(b)가, 1-히드록시-시클로헥실페닐-케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 및 하기 일반식(1)로 표시되는 올리고머
[화학식 1]
Figure pct00001
일반식(1)
(식중, R은 알킬기를 나타낸다. n은 정수이다.)
로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 ＜1＞ 또는 ＜2＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트,
＜4＞ 상기 일반식(1)로 표시되는 올리고머의 중합도가 n＝2?4인 것을 특징으로 하는 ＜3＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트,
＜5＞ 상기 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체(a)의 요오드값이 1?50인 것을 특징으로 하는 ＜1＞, ＜3＞ 또는 ＜4＞에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트, 및
＜6＞ ＜1＞?＜5＞ 중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 점착제층상에, 더 접착제층이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트,
를 제공하는 것이다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 의해, 웨이퍼 이면 바로 뒤에 다이싱 시트를 맞붙이는 장치에 사용할 때에, 다이싱 공정 종료후 용이하게 박리할 수 있고, 오염물질의 부착을 현저하게 줄일 수 있다.
또 본 발명의 점착제층상에 더 접착제층이 마련된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 의해, 접착제층과 점착제층을 픽업 공정으로 용이하게 박리하여, 접착제층 부착의 반도체 칩을 얻을 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절하게 첨부의 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 명백하게 될 것이다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착시트의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 웨이퍼 가공용 점착시트의 다른 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 바람직한 일 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이며, 기재 수지 필름(1)과, 기재 수지 필름(1)상에 점착제층(2)이 형성되어 있다. 또 도 2는 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 바람직한 다른 일 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2에 있어서는, 기재 수지 필름(1)과, 기재 수지 필름(1)상에 점착제층(2)이 형성되고, 게다가 접착제층(3)이 형성되어 있다.
본 발명에 있어서의 점착제층은, 베이스 수지에 특정한 배합량의 방사선 중합성 화합물과 함께 특정한 광중합 개시제가 특정한 배합량으로 함유된 방사선 경화성 수지 조성물로 구성되어 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 이용하여, 다이싱 가공 종료후, 후술하는 방사선 투과성의 기재 수지 필름측으로부터 방사선을 조사하고, 점착제층의 점착력을 저감시킨다. 이것에 의해, 문제없이 반도체 칩의 픽업을 가능하게 한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 점착제층상에 접착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에서도 동일하게, 후술하는 방사선 투과성의 기재 수지 필름측으로부터 방사선을 조사하고, 점착제층의 점착력을 저감시킨다. 이 경우는 접착제층과 점착제층과의 계면에서 박리하는 것에 의해, 접착제층 부착의 반도체 칩을 얻고, 그대로 다이패드상에 고정할 수 있다.
도 1에 도시하는, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트는, 반도체 웨이퍼의 이면연삭 종료후 신속하게 상기 이면에 맞붙인 경우에서도, 방사선 조사후의 픽업 공정으로 문제없이 박리할 수 있다. 연삭 종료 직후의 반도체 웨이퍼 표면은, 자연 산화막이 전체면적으로 형성되어 있지 않고, 미산화 상태의 활성인 원자가 존재하는 활성면으로 되어 있다. 이 경우에서도 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트는, 방사선 조사후, 문제없이 박리할 수 있고, 점착제 성분에 기인하는 오염물의 부착을 현저하게 줄일 수 있다.
또 도 2에 도시하는, 점착제층상에 더 접착제층이 마련된 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트는, 다이싱 공정 종료후의 방사선 조사로 발생한 열에 의해, 점착제층과 접착제층과의 박리에 문제가 생기는 일이 없다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트에서는, 점착제층은, 후술하는 기재 수지 필름상에, 방사선 경화성의 수지 조성물을 이용한 층이 형성되어 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트는, 제1의 형태와 제2의 형태를 포함하는 것이다. 각각의 형태에는, 도 1에 도시하는 형태와, 도 2에 도시하는 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 시트가 포함된다. 제1의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 점착제층의 베이스 수지는, (i-1) 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 아크릴계 중합체(a)를 주성분으로 하는 것이다.
(제1의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 점착제층의 베이스 수지)
제1의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 점착제층에 이용되는 방사선 경화성 수지 조성물의 베이스 수지는, 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 중합체(a)를 주성분으로 하는 것이다. 본 발명에 있어서, 중합체(a)를 주성분으로 한다는 것은, 베이스 수지중의 함유 비율이 50?100 질량％인 것을 말한다. 또 본 발명에 있어서는, (메타)아크릴계 단량체는, 아크릴계 단량체와 메타크릴계 단량체의 양자(兩者)를 포함하는 것으로 한다.
상기 중합체(a)는 어떻게 해서 제조된 것이어도 좋다. 예를 들면, 상기 중합체(a)로서는, 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지고, 또한 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체 및/또는 메타크릴계 공중합체(a1)와, 상기 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 화합물(a2)을 반응시켜서 얻는 것을 들 수 있다. 또, 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체 및/또는 메타크릴계 공중합체를 (a1＇)로 하고, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 동시에 (a1＇)의 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 화합물을 (a2＇)로 하고, 이들을 반응시켜서, 중합체(a)로 할 수도 있다.
상기의 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지고, 또한 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체 및/또는 메타크릴계 공중합체(a1)는, 예를 들면, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 아크릴산 알킬에스테르 및/또는 메타크릴산 알킬에스테르 등의 단량체(a1-1)와, 관능기를 가지는 단량체(a1-2)를 공중합시켜서 얻을 수 있다.
단량체(a1-1)로서는, 예를 들면, 알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 6?12인 (메타)아크릴산 알킬에스테르(예를 들면, 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트)를 들 수 있다. 또, 알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 5 이하인 (메타)아크릴산 알킬에스테르(예를 들면, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 또는 이들과 동일한 메타크릴레이트 등)를 들 수 있다.
단량체(a1-1)로서, 알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 큰 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 사용할수록 유리 전이점은 낮아지는 경향이다. 따라서, 단량체(a1-1)의 알킬에스테르의 알킬기의 탄소수를 적절히 선택하는 것에 의해, 소망하는 유리 전이점을 가지는 중합체(a)를 얻을 수 있다.
또, 유리 전이점의 외, 다른 성분과의 상용성이나 각종 성능을 올리는 목적으로 아세트산 비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 저분자 화합물을 (a1-1)에 더해서 중합체(a)를 얻을 수 있다. 이들 저분자 화합물의 배합량은, 단량체(a1-1)의 5 질량％ 이하로 하는 것이 바람직하다.
단량체(a1-2)가 가지는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상(環狀) 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 단량체(a1-2)의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 이타콘산, 푸말산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메티롤아크릴아미드, N-메티롤메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수(無水) 말레인산, 무수 이타콘산, 무수 푸말산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 단량체로 우레탄화한 것 등을 열거할 수 있다.
상기 (a2)의 관능기가 카르복실기나 환상 산무수기인 경우는, (a1)가 가지는 관능기로서는, 예를 들면, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 또 (a2)의 관능기가 수산기인 경우는, (a1)가 가지는 관능기로서는, 예를 들면, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. (a2)의 관능기가 아미노기인 경우는, (a1)가 가지는 관능기로서는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. (a2)의 관능기가 에폭시기인 경우에는, (a1)가 가지는 관능기로서는, 예를 들면, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있다.
구체적인 예로서는, 단량체(a1-2)의 구체적인 예로 열거한 것과 동일한 것을 열거할 수 있다.
(a1)과 (a2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남기는 것에 의해, 산가(酸價) 또는 수산기값 등을 바람직하게는, 후술하는 바와 같은 범위로 적절히 설정할 수 있다.
주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체(a)는, 각종 용제중에서 용액 중합하는 것에 의해 얻을 수 있다. 용액 중합으로 행하는 경우의 유기용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있다. 일반적으로 아크릴계 중합체의 양용매(良溶媒)로, 비점(沸點) 60?120℃의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 톨루엔, 아세트산 에틸, 이소프로필알코올, 벤젠, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등을 사용할 수 있다. 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 래디컬 발생제를 이용할 수 있다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절하는 것에 의해, 소망하는 분자량의 중합체(a)를 얻을 수 있다. 또, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 메르캅탄, 4염화탄소계의 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 한편, 중합체(a)의 합성은, 용액 중합으로 한정되는 것이 아니고, 괴상(塊狀)중합, 현탁중합 등 다른 방법이어도 지장 없다.
본 발명에 있어서, 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 중합체(a)의 중량 평균 분자량은, 30만?100만 정도가 바람직하다. 30만 미만에서는, 방사선 조사에 의한 응집력이 작아져서, 웨이퍼를 다이싱할 때에, 소자의 어긋남이 생기기 쉬워지고, 화상 인식이 곤란하게 되는 일이 있다. 이 소자의 어긋남을, 극력 방지하기 위해서는, 분자량이, 40만 이상인 편이 바람직하다. 또, 분자량이 100만을 넘으면, 합성시 및 도공시에 겔화할 가능성이 있다. 본 발명에 있어서의 중합체(a)의 중량 평균 분자량은, 예를 들면 이하의 방법으로, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량으로서 구할 수 있다.
(중량 평균 분자량의 측정 조건)
GPC 장치 : HLC-8120GPC(상품명, 토소사 제품)
컬럼 : TSK gel SuperHM-H/H4000/H3000/H2000, (상품명, 토소사 제품)
유량 : 0.6ml/min,
농도 : 0.3 질량％,
주입량 : 20μl,
컬럼 온도 : 40℃
전개 용매 : 클로로포름
본 발명에 있어서, 주쇄에 대해서 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체(a)의 요오드값이 1?50인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 2?30인, 1 미만이라면 방사선 조사후의 가교도(架橋度)가 적고 박리력이 내려가지 않기 때문에, 칩의 픽업을 충분히 할 수 없다. 50을 넘으면 방사선 조사후의 가교도가 많고 경화 수축이 발생하여, 칩의 픽업성이 저하한다.
상기 중합체(a)의 수산기값이 5?100인 경우는, 방사선 조사후의 점착력을 감소하는 것에 의해 픽업 미스의 위험성을 더 저감할 수 있으므로 바람직하다. 또, 중합체(a)의 산가는 0.5?30으로 하는 것이 바람직하다.
여기서 수산기값은 및 산가는 JIS K 0070에 의해 측정된 값을 말하는 것으로 한다. 중합체(a)의 수산기값을 적절한 범위내로 하는 것에 의해, 방사선 조사후의 점착제층의 유동성을 적절한 범위내로 할 수 있고, 방사선 조사후의 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다. 중합체(a)의 산가를 적절한 범위내로 하는 것에 의해, 방사선 조사후의 점착제층의 유동성을 적절한 범위내로 할 수 있고, 테이프 복원성을 만족시킬 수 있다.
본 발명의 점착제층을 구성하는 방사선 경화성 수지 조성물에 사용되는 베이스 수지에는, 본 발명의 취지를 손상시키지 않는 범위내에서, 종래의 것을 배합해도 좋다. 예를 들면, 천연 고무, 각종의 합성고무 등의 고무계 폴리머, 혹은 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르와 이것과 공중합 가능한 다른 불포화 단량체와의 공중합물 등의 아크릴계 공중합체를 사용할 수 있다.
(제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 점착제층의 베이스 수지)
제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 점착제층에 이용되는 방사선 경화성 수지 조성물의 베이스 수지는, 아크릴계 중합체이다.
아크릴계 중합체로서는, (메타)아크릴산 에스테르 성분을 모노머 주성분(중합체 중의 질량％가 50％를 넘는다)으로 하고, 상기 (메타)아크릴산 에스테르 성분에 대해서, 공중합이 가능한 모노머 성분을 공중합한 것 등을 들 수 있다.
아크릴계 중합체에 있어서, 모노머 주성분으로서의 (메타)아크릴산 에스테르 성분으로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 s-부틸, (메타)아크릴산 t-부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 헵틸, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 이소옥틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 노닐, (메타)아크릴산 이소노닐, (메타)아크릴산 데실, (메타)아크릴산 이소데실, (메타)아크릴산 운데실, (메타)아크릴산 도데실, (메타)아크릴산 트리데실, (메타)아크릴산 테트라데실, (메타)아크릴산 펜타데실, (메타)아크릴산 헥사데실, (메타)아크릴산 헵타데실, (메타)아크릴산 옥타데실 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르；(메타)아크릴산 시클로헥실 등의 (메타)아크릴산 시클로알킬에스테르；(메타)아크릴산 페닐 등의 (메타)아크릴산 아릴에스테르 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산 에스테르는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
(경화제)
상기의 제1의 형태 및 제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 점착제층을 구성하는 방사선 경화성 수지 조성물중에, 폴리이소시아네이트 화합물, 알킬에테르화 멜라민 화합물, 에폭시계 화합물, 실란커플링제 등의 종래부터 사용되고 있는 경화제를 포함시킬 수 있다. 경화제를 배합한 수지 조성물로 하는 것에 의해, 초기의 점착력을 임의의 값으로 설정할 수 있다. 경화제 중에서도 이소시아네이트계 경화제를 사용하는 것이 바람직하다.
이소시아네이트계 경화제로서는, 구체적으로는 다가(多價) 이소시아네이트 화합물, 예를 들면, 2,4-토릴렌디이소시아네이트, 2,6-토릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실렌디이소시아네이트, 1,4-크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4＇-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4＇-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4＇-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4＇-디이소시아네이트, 라이신이소시아네이트 등이 이용된다.
(분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물)
제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 점착제층에 이용되는 방사선 경화성 수지 조성물은, 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물(c)을 함유한다. 상기 화합물(c)은, 방사선의 조사에 의해 경화하고 3차원 망상화(網狀化)하는 것이라면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이 화합물에는, 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 올리고머를 포함하고, 중량 평균 분자량이 10,0000을 넘는 고분자 중합체를 포함하지 않는 것으로 한다. 방사선의 조사에 의한 점착제층의 3차원 망상화가 효율적으로 되도록, 분자량이 5,000 이하이고 또한 분자내의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중결합의 수가 2?6개인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 있어서의 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 저분자량 화합물의 중량 평균 분자량이란, 하기 조건의 GPC(겔 투과 크로마토그래프)로 측정된 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 말한다.
(중량 평균 분자량의 측정 조건)
GPC 장치 : HLC-8120GPC(상품명, 토소사 제품)
컬럼 : TSK-GEL G2500HHR(상품명, 토소사 제품)
유량 : 1ml/min
농도 : 0.2mg/ml
주입량 : 100μl,
항온조 온도 : 40℃
이동상(移動相) : 클로로포름
방사선 중합성 화합물(c)로서는, 예를 들어, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크리레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 오르가노폴리실록산 조성물, 시판의 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다.
분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물은, 1종을 단독으로 이용하여도, 2종 이상을 병용해도 좋다. 배합량은, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 1?300질량부이다. 바람직하게는, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 30?200질량부, 더 바람직하게는, 50?150질량부이다. 이 양이 너무 적으면, 점착제층의 방사선의 조사에 의한 3차원 망상화가 불충분으로 되고, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 웨이퍼로부터 박리하기 어렵게 되고, 웨이퍼를 오염할 우려가 있다. 이 양이 너무 많으면, 방사선에 의한 중합 반응이 과도하게 진행되고, 방사선의 조사에 의한 경화 수축이 발생한다. 그 결과, 점착제층이 피착체의 표면에 추종해서 파고들고, 다이싱 후의 반도체 칩을 픽업할 때에, 픽업하기 어렵게 된다. 또, 방사선 중합성 화합물의 양이 너무 많으면, 점착제층의 형상을 유지하기 어렵게 되고, 두께 정밀도가 나빠지는 등의 문제가 있다.
(광중합 개시제)
제1의 형태 및 제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 점착제층을 구성하는 방사선 경화성 수지 조성물중에는, 겔 투과 크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 한다)법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제를 이용한다. 본 발명에 있어서는, 광중합 개시제의 중량 평균 분자량은, 하기 조건의 GPC로 측정된 값을 말하는 것으로 한다.
(중량 평균 분자량의 측정 조건)
GPC 장치 : 시마즈세이사쿠쇼 제품 LCVP 시리즈
컬럼 : OligoPore 300×7.5(상품명) (상품명, PolymerLaboratories제)
유량 : 1 ml/min,
농도 : 1mg/ml,
주입량 : 50μl,
컬럼 온도 : 40℃
전개 용매 : 클로로포름
광중합 개시제는, 광이나 자외선 등의 방사선을 조사하는 것에 의해, 래디컬을 발생한다. 이것에 의해, 점착제층 중에 포함되는 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체(a)의 경화 반응을 재촉하는지, 또는, 점착제층 중에 포함되는 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물의 경화 반응을 재촉한다. 광중합 개시제의 폴리스티렌 환산에서의 GPC에 의한 중량 평균 분자량이 너무 크면 점착제층 중에서의 광중합 개시제의 분산에 문제가 생기고, 발생한 래디컬의 이동이 신속하게 행해지기 어렵게 되어, 효율이 좋은 경화 반응을 진행시킬 수 없게 된다. 이 경우, 필요 이상으로 고조도(高照度)의 방사선을 조사할 필요가 생기고, 발열에 의해, 점착제층과 피착체와의 밀착성을 효과적으로 저하시키는 것이 곤란하게 된다.
그 경우의 현상에 대해서, 도면을 참조하여 설명하면, 도 1에 도시하는 바와 같이, 기재 수지 필름(1)에 점착제층(2)이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트 (10)의 경우에는, 반도체 칩의 픽업에 지장이 생긴다. 또 도 2에 도시하는 바와 같이, 기재 수지 필름(1)에 점착제층(2)이 마련되고, 게다가 접착제층(3)이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트(20)의 경우에는, 접착제층(3)과 점착제층(2)과의 박리를 원활하게 행하는 것이 곤란하게 된다.
광중합 개시제의 폴리스티렌 환산에서의 GPC에 의한 중량 평균 분자량의 상한은 바람직하게는 800, 더 바람직하게는 600이다.
광중합 개시제의 폴리스티렌 환산에서의 GPC에 의한 중량 평균 분자량의 하한에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 200 이상인 것이 바람직하다. 분자량이 작으면 승화(昇華)하기 쉬워지고, 점착제층으로부터 비(非)착체층으로의 이행이 현저하게 되는 것으로 웨이퍼를 오염하기 쉽게 된다. 또 점착제층의 내열성이 나빠지고, 제조시의 기재 도공후의 건조 공정에 있어서 분해하기 쉬워지게 된다. 그 때문에 안정된 경화 반응을 나타내지 않게 되는 일이 있다.
광중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조펜, 4-페닐벤조페논, t-부틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부타논-1, 디에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질]페닐}-2-메틸프로판-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모폴리닐)페닐]-1-부타논,
하기 일반식(1)로 표시되는 올리고머를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
일반식(1)
(식중, R은 알킬기를 나타낸다. n은 정수이다.)
상기의 광중합 개시제 중에서도 승화하기 어렵고, 오염의 잔존물이 발생되기 어려운 우수한 광중합 개시제로서, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(분자량 260), 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모폴리노프로판-1-온(분자량 280), 1-히드록시-시클로헥실페닐-케톤(분자량 205)을 들 수 있다.
상기 일반식(1)의 올리고머는, 중합도 n＝2?4(분자량 400?700)의 것이 바람직하고, 중합도 n＝2?3의 (분자량 400?500) 것이 더 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온
[화학식 4]
Figure pct00004
2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모폴리노프로판-1-온
광중합 개시제는, 제1의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 점착제층을 구성하는 방사선 경화성 수지 조성물중의 베이스 수지 100질량부에 대하여, 0.1?10질량부 배합한다. 바람직하게는 베이스 수지 100질량부에 대해서, 1?10질량부 배합하는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는, 2?7질량부이다. 제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 점착제층을 구성하는 방사선 경화성 수지 조성물에서는, 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여, 0.1?10질량부 배합한다. 바람직하게는 아크릴계 중합체 100질량부에 대해서, 1?10질량부 배합하는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는, 2?7질량부이다.
광중합 개시제가 너무 적으면 점착제층의 방사선의 조사에 의한 3차원 망상화가 불충분으로 되고, 잘 접착제층과 박리할 수 없거나, 반도체 칩을 오염하는 원인으로 된다. 또, 광중합 개시제가 너무 많으면, 거기에 알맞은 효과를 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 웨이퍼에 이 광중합 개시제가 잔류할 우려가 있다.
필요에 따라, 상기의 광중합 개시제를 2종 이상 병용해도 좋다. 사용되는 광중합 개시제의 각각의 GPC에 의한 중량 평균 분자량이 1000 미만이면 좋다. 또 트리에틸아민, 테트라에틸펜타아민, 디메틸아미노에탄올 등의 아민 화합물이나 티옥산톤계의 광중합 개시제를 광중합 촉진제로서 병용할 수도 있다.
방사선 경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 반도체 웨이퍼에 대한 점착력을 조정하기 위해, 점착 부여제, 점착 조정제, 계면활성제, 그 외의 개질제나 관용 성분을 포함시킬 수도 있다. 단, 계면활성제나 계면활성을 나타내는 화합물 등은, 반도체 웨이퍼를 오염하는 경우도 있기 때문에, 사용하는 경우는 가능한 한 적은 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 기재 수지 필름상에, 상기의 베이스 수지, 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물, 특정한 광중합 개시제, 필요에 따라 가교제 및 그 외의 배합제 성분을 함유하는 방사선 중합성 수지 조성물을, 직접 도포하고 가열 건조하거나, 또는 박리지 상에 일단 도포하고 건조시킨 후에 기재 수지 필름상에 전사하는 것에 의해, 점착제층이 방사선 중합성 수지 조성물을 이용한 층으로 구성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 제조할 수 있다.
점착제층의 두께에 특별히 제한은 없다. 통상, 점착제층의 두께가 통상 5?100㎛로 되도록, 점착제층을 형성하고, 시트형상, 테이프형상 등의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로 한다.
방사선으로서는, 알파선, 감마선, 전자선, 자외선 등을 사용할 수 있고, 점착제층을 경화시키는 것에 의해, 점착력을 저하시킬 수 있는 것이면 특별히 한정하는 것은 아니다. 전자선, 자외선이 바람직하고, 광중합 개시제를 사용했을 때는 자외선이 더 바람직하다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기재 수지 필름(1)에 점착제층(2)을 마련하고, 게다가 그 위에 접착제층(3)을 형성해도 좋다. 기재 수지 필름상에 점착제층, 이어서 접착제층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래의 방법에 따라서, 기재 수지 필름상에 점착제층을 적층하고, 게다가 점착제층상에 접착제층을 적층하면 좋다.
이 경우는, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 연삭 후의 반도체 웨이퍼 이면에 맞붙이고, 그 후 반도체 웨이퍼의 회로 형성면측으로부터, 점착제와 접착제가 동시에 다이싱 가공으로 들어가진다. 그리고 접착제층 부착의 반도체 칩을 얻을 수 있다. 접착제층(3)에 사용되는 접착제로서는, 종래의 것을 사용할 수 있다.
접착제층으로서는, 접착제를 미리 필름화한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 접착제에 사용되는 종래의 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 멜라민 수지 등이나 이들 혼합물을 사용할 수 있다.
이 중에서도, 경화 후의 내열성이 좋은 점에서 특히 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지는 경화하여 접착 작용을 나타내는 것이면 좋다. 유리 전이 온도(Tg)를 높게 하여 접착제층의 내열성을 확보하기 위해서, 다관능 에폭시 수지를 더해도 좋다. 다관능 에폭시 수지로서는 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등을 예시할 수 있다. 에폭시 수지의 경화제는, 통상, 경화제로서 이용되고 있는 것이면 특별히 한정하는 것이 아니고, 아민계 화합물, 폴리아미드, 산무수물, 폴리술피드, 3불화 붕소, 페놀성 수산기를 1 분자중에 2개 이상 가지는 화합물인 비스페놀 A, 비스페놀 F, 및 비스페놀 S 등을 들 수 있다.
특히 흡습시의 내전식성(耐電食性)이 우수하기 때문에 페놀 수지인 페놀노볼락 수지나 비스페놀노볼락 수지 등을 이용하는 것이 바람직하다. 또, 경화제와 함께 경화촉진제를 이용하는 것이, 경화를 위한 열처리의 시간을 단축할 수 있는 점에서 바람직하다. 경화촉진제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리메리테이트라는 각종 이미다졸류 등의 염기를 사용할 수 있다.
또, 반도체 칩이나 리드 프레임에 대한 접착력을 강화하기 위해서, 실란커플링제나 티타늄커플링제를 첨가제로서 상기 수지나 그 혼합물에 더하는 것이 바람직하다. 또, 내열성의 향상이나 유동성의 조절을 목적으로 필러를 첨가하여도 좋다. 이와 같은 필러로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 및 안티몬의 산화물 등을 사용할 수 있다. 이러한 필러는, 최대 입자 지름이 접착제층의 두께보다 작은 것이면 임의의 비율로 배합해서 사용할 수 있다.
접착제층의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상, 5?100㎛ 정도가 바람직하다. 또, 접착제층은 점착 필름의 점착제층의 전체면에 적층해도 좋다. 또 미리 맞붙여지는 반도체 웨이퍼에 따른 형상으로 절단된(프리커트된) 접착제층을 점착제층의 일부에 적층해도 좋다. 이 경우, 반도체 웨이퍼가 맞붙여지는 부분에는 접착제층이 있고, 다이싱용의 링프레임이 맞붙여지는 부분에는 접착제층이 없고 점착 필름의 점착제층만이 존재하는 형상으로 된다. 이 형상으로 하는 것으로, 링프레임에는 점착제층이 맞붙여지고, 통상, 피착체와 박리하기 어려운 접착제층은 맞붙여지지 않기 때문에, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트는, 사용후, 링프레임으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트는, 박리시에 기재 수지 필름측으로부터 방사선을 조사하고, 점착제층을 경화시키기 위해, 기재 수지 필름이 방사선 투과성인 것이 필요하다. 또 웨이퍼 가공시에는 절삭 칼날 등에 의해 충격을 받고, 세정수 등에 의한 압력을 받는다. 이 때문에, 기재 수지 필름은 이들에 견딜 수 있는 강도를 가지고, 이들에 적절한 재료와 두께가 선택된다. 기재 수지 필름의 점착제층 형성면에는, 점착제층이 기재 수지 필름으로부터 박리하기 어렵게 하기 위해, 코로나(corona) 처리를 비롯한 각종의 표면 처리를 실시해 두는 것이 바람직하다.
기재 수지 필름에 사용되는 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 폴리우레탄, 포리메틸펜텐, 폴리부타디엔 등의 필름을 들 수 있다.
기재 수지 필름의 두께는, 30?500㎛, 바람직하게는 40?300㎛, 더 바람직하게는 50?200㎛이다. 이 두께가 너무 얇으면 강도가 약해지게 되기 때문에, 반도체 웨이퍼 가공중의 파단(破斷) 등에 의한 불량이 생기는 일이 있다.
한편, 기재 수지 필름이 너무 두꺼우면, 다이싱 공정 종료후의 반도체 칩의 픽업 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트가 너무 딱딱해서, 니들에 의한 압력에 지장이 생긴다. 또, 다이싱 공정이 종료되고, 픽업 공정 전의 익스팬드 (expand) 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 충분히 늘리는 것이 곤란하게 된다. 그 때문에, 반도체 칩의 간극이 작고, 화상에 의한 칩 인식성이 불충분하게 되어, 반도체 칩의 픽업 불량이 생긴다.
[ 실시예 ]
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
A. 방사선 경화성
1. 제1의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 점착제층에 이용되는 방사선 경화성 수지 조성물의 조제
(1) 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 중합체의 조제
부틸아크릴레이트(59mol％), 2-히드록시에틸아크릴레이트(25mol％) 및 아크릴산(16mol％)을 이용하여 아크릴계 공중합체를 제조하였다. 이 아크릴계 공중합체의 2-히드록시에틸아크릴레이트 측쇄 말단 OH기(基)와, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 NCO기를 반응시켜서, 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 중합체를 얻었다. 이때, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 적하량을 적절히 변경하고, 이중결합량이 다른 중합체((a1)?(a4))를 얻었다. 얻어진 중합체 ((a1)?(a4))는, 모두, 중량 평균 분자량이 70만, 유리 전이 온도가 ?60℃였다. 표 1-1?1-4에 있어서, 실시예 1-1?1-9, 1-11, 및 비교예 1-1?1-4, 1-7에서 사용한 중합체(a1)의 요오드값은 20이었다. 또 실시예 1-10에서 사용한 중합체(a2)의 요오드값은 50, 실시예 1-12에서 사용한 중합체(a3)의 요오드값은 0.5, 실시예 1-13에서 사용한 중합체(a4)의 요오드값은 55였다.
이하의 설명에 있어서, 중합체((a1)?(a4))를 중합체(a)로서 설명한다.
(i) 중량 평균 분자량
중합체(a)에 대해서, 하기 조건의 GPC로 중량 평균 분자량을 측정하였다.
GPC 장치 : HLC-8120GPC(상품명, 토소사 제품)
컬럼 : TSK gel SuperHM-H/H4000/H3000/H2000, (상품명, 토소사 제품)
유량 : 0.6ml/min,
농도 : 0.3 질량％,
주입량 : 20μl,
컬럼 온도 : 40℃
전개 용매 : 클로로포름
(ii) 유리 전이 온도
시차주사 열량 분석계(DSC)(DSC7020(상품명), 세이코 인스트루먼트(주)사 제품의 시차주사 열량 분석계(DSC)를 이용하여, 승온속도 5℃／분으로 측정하였다.
(iii) 이중결합량
JIS K 0070에 의해, 요오드값을 구하였다.
(2) 방사선 경화성 수지 조성물의 조제
(1)에서 얻은 중합체(a) 100질량부에, 표 1-1?표 1-4에 기재된 부수로, 광개시제를 배합하고, 게다가 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물(일본 폴리우레탄사 제품, 상품명 코로네이트 L) 3질량부를 배합하고, 표 1-1?표 1-4의 실시예 및 비교예에 기재된 방사선 경화성 수지 조성물을 조제하였다. 비교예 1-1, 1-7에서 사용한 광개시제인, 폴리에틸렌글리콜 유닛 함유 고분자 아조 중합 개시제로서는, VPE-0201(상품명, 와코쥰야쿠고교사 제품)을 이용하였다.
광개시제의 중량 평균 분자량은, GPC법에 따라 측정을 행하고, 폴리스티렌을 표준 물질로서, 중량 평균 분자량을 산출하였다. 그 결과를 표 1-1?1-4에 아울러서 나타냈다. 겔 투과 크로마토그래피로서는, PolymerLaboratories제의 OligoPore 300×7.5(상품명)를 사용하였다. 전개 용매는 클로로포름을 이용하여, 40℃에서 측정을 행하였다.
2. 제2의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 방사선 경화성 수지 조성물의 조제
(1) 점착제층을 구성하는 아크릴계 중합체
아크릴산 n-부틸 85질량부, 아크릴산 에틸 10질량부 및 아크릴산 5질량부를 이용하여, 점착제층을 구성하는 베이스 수지로서, 아크릴계 공중합체를 조제하였다. 그 중량 평균 분자량은 60만이었다.
(2) 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물
UN-3320HA(상품명, 네가미고교 제품), UN-9000PEP(상품명, 네가미고교 제품), UN-6050PTM(상품명, 네가미고교 제품), UN-901T(상품명, 네가미고교 제품), UN-9200A(상품명, 네가미고교 제품)를 이용하였다.
사용한 화합물의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량과 이중결합량을, 이하의 방법에 따라서 측정하였다. 그 결과는 이하와 같았다.
UN-3320HA(상품명, 네가미고교 제품) : 1500(이중결합량 : 6)
UN-3320HC(상품명, 네가미고교 제품) : 1500(이중결합량 : 6)
UN-9000PEP(상품명, 네가미고교 제품) : 5000(이중결합량 : 2)
UN-6050PTM(상품명, 네가미고교 제품) : 6000(이중결합량 : 2)
UN-901T(상품명, 네가미고교 제품) : 4000(이중결합량 : 9)
UN-9200A(상품명, 네가미고교 제품) : 11500(이중결합량 : 2)
(중량 평균 분자량의 측정 조건)
GPC 장치 : HLC-8120GPC(상품명, 토소사 제품)
컬럼 : TSK-GEL G2500HHR(상품명, 토소사 제품)
유량 : 1ml/min
농도 : 0.2mg/ml
주입량 : 100μl,
항온조 온도 : 40℃
이동상 : 클로로포름
(이중결합량의 측정 방법)
이중결합량
JIS K 0070에 의해, 요오드값을 구하고, 그 값으로부터 이중결합량을 산출하였다.
(3) 방사선 경화성 수지 조성물의 조제
(1)의 베이스 수지 100질량부에, 표 2-1?표 2-4에 기재된 부수로, (2)에 기재된, 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물 및 광개시제를 배합하고, 게다가 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물(일본 폴리우레탄사 제품, 상품명 코로네이트 L) 3질량부를 배합하고, 표 2-1?표 2-4의 실시예 및 비교예에 기재된 방사선 경화성 수지 조성물을 조제하였다. 비교예 2-1, 2-6에서 사용한 광개시제인, 폴리에틸렌글리콜 유닛 함유 고분자 아조 중합 개시제로서는, VPE-0201(상품명, 와코쥰야쿠고교사 제품)을 이용하였다.
광개시제의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 따라 측정을 행하고, 폴리스티렌을 표준 물질로서, 중량 평균 분자량을 산출하였다. 그 결과를 표 2-1?2-4에 아울러 나타냈다. 겔 투과 크로마토그래피로서는, PolymerLaboratories제의 OligoPore 300×7.5(상품명)를 사용하였다. 전개 용매는 클로로포름을 이용하여, 40℃에서 측정을 행하였다.
B. 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 제작(I)
EMMA 수지(스미토모가가쿠사 제품 상품명, 상품명 : 아크리프트 WD201)를 이용하여, T다이법에 따라, 두께 100㎛의 기재 수지 필름을 제작하였다. 이 기재 수지 필름에, 실시예 1-1?1-10, 1-12?1-13, 2-1?2-10, 비교예 1-1?1-4, 2-1?2-5에 나타낸 방사선 경화성 수지 조성물을 도공하여 적절히 양생(養生)하였다. 이것에 의해, 건조 후의 막두께가 10㎛인 점착제층을 가지는, 도 1에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 얻었다.
3. 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 제작(II)
(1) 접착층을 구성하는 접착제 조성물의 조정
에폭시 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 50질량부, 페놀 수지 50중량부에 대해, 실란커플링제로서 γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 3질량부 및 γ-우레이드프로필트리에톡시실란 5질량부, 및 필러로서 구상(球狀) 실리카 30중량부로 이루어지는 조성물에, 시클로헥사논을 더하여 교반 혼합하고, 게다가 비드밀(beads mill)을 이용하여 90분 혼련하였다.
상기의 조성물에 아크릴고무(중량 평균 분자량 15만)를 300량부, 및 경화촉진제로서 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸 1질량부를 더하여, 교반 혼합하고, 진공탈기하여, 접착제 조성물을 얻었다.
(2) 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 제작
(1)에서 얻어진 접착제 조성물을 두께 35㎛의 이형(離型) 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이형 필름)상에 도포하고, 140℃에서 5분간 가열 건조하여, 막두께가 20㎛인 B스테이지 상태의 이형 필름상에 접착제층이 형성된 접착제 시트를 얻었다.
다음에, 상기 2. 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 제작(I)에 기재된 방법과 동일한 방법으로, 기재 수지 필름상에, 표 1-4의 실시예 1-11 및 비교예 1-7에 기재된 방사선 중합성 수지 조성물을 이용하여 점착제층이 형성된 도 1에 도시하는 구조의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 얻었다. 이 점착제층과, 상기의 방법으로 제작한 접착제 시트의 접착제층을 맞대어 적층하고, 도 2에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 이형 필름이 적층된 점착시트(실시예 1-11 및 비교예 1-7)를 얻었다.
별도로, 상기 2. 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 제작(I)에 기재된 방법과 동일한 방법으로, 기재 수지 필름상에, 표 2-4의 실시예 2-11?2-15, 비교예 2-6, 2-7에 기재된 방사선 중합성 수지 조성물을 이용하여 점착제층이 형성된 도 1에 도시하는 구조의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 얻었다. 이 점착제층과, 상기의 방법으로 제작한 접착제 시트의 접착제층을 맞대어 적층하고, 도 2에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 이형 필름이 적층된 점착시트(실시예 2-11?2-15, 비교예 2-6, 2-7)를 얻었다.
이하의 시험에서는, 이형 필름을 벗겨서 반도체 웨이퍼에 맞붙여서, 평가를 행하였다.
4. 성능 시험
이하의 조건으로 다이싱을 행하고, 그 후, 픽업성과 칩 오염성의 평가를 행하였다.
(다이싱 조건)
(1) 도 1의 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트
실시예 1-1?1-10, 1-12, 1-13, 2-1?2-10, 비교예 1-1?1-4, 2-1?2-5에 관해서는, DISCO사 제품인 「DFD-840」을 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 이면을 2축으로 30㎛ 연삭 후, 실리콘 웨이퍼의 최종 두께가 100㎛로 되도록 연삭하였다. 그때의 연삭조건은 이하대로 하였다.
1축 : 350 숫돌(회전수 : 4800rpm, 다운 스피드 : P1 : 3.0㎛/sec, P2 : 2.0㎛/sec)
2축 : ＃2000 숫돌(회전수 : 5500rpm, 다운 스피드 : P1 : 0.8㎛/sec, P2 : 0.6㎛/sec)
이면연삭 후 5분 이내에, 도 1의 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 8인치용 링프레임에 접착 고정하고, 그 접착 고정된 상태로 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 100㎛두께의 8인치 실리콘 웨이퍼를 맞붙이고, DISCO사 제품 다이싱 장치 DAD340(상품명)을 이용하여, 5㎜×5㎜의 칩 사이즈로 풀컷(full-cut) 다이싱하였다. 이때의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트면으로부터의 브레이드의 절삭 깊이는, 도 1에 도시하는 구성의 점착시트의 경우는 30㎛로 하였다.
(2) 도 2의 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트
실시예 1-11, 2-11?2-15와 비교예 1-7, 2-6, 2-7에 관해서는, 100㎛두께의 8인치 실리콘 웨이퍼에, 도 2의 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 70℃, 20초에서 맞붙인 후, DISCO사 제품 DFD6340을 이용하여 이하의 조건으로 다이싱하였다.
다이싱브레이드(박형 회전 숫돌) : 1회째 DISCO사 제품 27HEEE, 2번째 DISCO사 제품 27HEDD
브레이드 회전수 : 35000rpm
브레이드 전송 속도 : 50㎜/s
칩 사이즈 : 5㎜×5㎜
절삭 깊이 :
1회째 실리콘 웨이퍼로 50㎛
2번째 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로 40㎛(기재 수지 필름의 두께 100㎛, 점착제층의 두께 10㎛, 접착제층의 두께 20㎛)
4-1. 픽업 시험
실시예 1-1?1-10, 1-12, 1-13, 2-1?2-10, 비교예 1-1?1-4, 2-1?2-5, 및 실시예 1-11, 2-11?2-15, 비교예 1-7, 2-6, 2-7의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 대해서, 상기의 4. (1) 및 (2)에 나타낸 조건으로 각각 다이싱을 행한 후, 고압 수은등 램프의 자외선 조사기를 이용하여, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 기재 수지 필름면측으로부터 조사량이 200mJ/㎠가 되도록 자외선 조사를 행하고, 그 후, CANON머시너리 제품 CPS-6820(상품명)을 이용하여 익스팬드 스트로크 5㎜로 익스팬드하여, 그 상태로 픽업을 행하였다. 픽업은 선단 지름으로 R250의 픽업 핀을 이용하여 행하였다. 평가항목은 이하의 항목에 대해 실시하였다.
(1) 픽업성
칩을 실제로 픽업하고, a. 칩이 문제없이 밀어 올려지고, b. 원형 콜릿(collet)으로 흡착, 및 c. 리드 프레임상에 설치가 모두 문제없이 가능한지 평가하였다. 평가는, 8인치 웨이퍼중에서 200칩을 픽업하고, 그 중 어떤 정도의 칩 수를 픽업할 수 있었는지에 의해 평가하였다. 200칩 중 180칩 이상 픽업된 것을 합격으로 하고, 표 1-1?2-4에 픽업 성공 칩 수를 나타냈다.
(2) 칩 오염성
칩 오염성은 도 1의 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트(실시예 1-1?1-10, 1-12, 1-13, 2-1?2-10, 비교예 1-1?1-4, 2-1?2-5)에 대해서는, 이하의 방법으로 평가하였다.
(2)-1 육안 시험
상기 치핑(chipping)성을 평가했을 때, 칩을 벗겨서, 육안으로 확인하였다.웨이퍼 이면에 점착제의 접착 혹은 오염물의 부착에 의한 무지개색 광택이 없는 경우를 합격으로 하고, 합격의 경우는 ○, 약간 광택이 발생하지만 실용상 문제없는 레벨을 △, 점착제가 접착되는 경우를 불합격으로 하고, ×로 표시하였다.
(2)-2 이물 시험
표면을 세정한 경면 마무리의 실리콘 웨이퍼(6인치)에, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트를 맞붙이고, 24시간 방치 후, 상기 시트를 박리하였다. 상기 시트가 맞붙여져 있던 웨이퍼 표면에 잔류하고 있는 이물의 수를 레이저 표면 검사 장치(서프 스캔 6420(상품명, KLA?Tencor(주) 제품)에 의해서 측정하였다. 얻어진 결과를, 다음에 나타내는 평가 기준으로 판정하였다. 이 중, ◎ 및 ○를 합격으로 하고, △를 실용상 문제없는 레벨이라고 하고, ×를 불합격으로 하였다. 이 결과를 표에 표시하였다.
◎ : 20개 미만, ○ : 20개 이상 90개 미만, △ : 90개 이상 200개 미만, × : 200개 이상
(3) 점착제층과 접착제층과의 박리성
80℃로 가열된 핫 플레이트상에 직경 5인치의 실리콘 웨이퍼를 싣고, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면 온도가 80℃가 된 것을 확인한 후에, 대략 10초간에서, 도 2의 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트(실시예 1-11, 2-11?2-15와 비교예 1-7, 2-6, 2-7)를 맞붙였다. 그 후, 핫 플레이트를 제거하고, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트가 맞붙여진 실리콘 웨이퍼의 표면 온도를 실온까지 내렸다.
그 후, 고압 수은등 램프의 자외선 조사기를 이용하여, 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 기재 수지 필름면측으로부터 조사량이 200mJ/㎠로 되도록 자외선 조사를 행하였다. 그 후 JIS-0237에 준거하여, 자외선 조사후의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 실리콘 웨이퍼에 대한 박리력을 측정하였다. 측정 조건은, 90°박리로, 박리 속도 50㎜/분)로 하였다. 그 박리력이 0.5N/25㎜ 이하인 경우를 합격으로 하고, ○로 하였다.
[표 1-1]
Figure pct00005
[표 1-2]
Figure pct00006
[표 1-3]
Figure pct00007
[표 1-4]
Figure pct00008
[표 2-1]
Figure pct00009
[표 2-2]
Figure pct00010
[표 2-3]
Figure pct00011
[표 2-4]
Figure pct00012
5. 제1의 형태인 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프
표 1-1?1-3으로부터 알 수 있듯이, 도 1에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 대해 평가한 실시예에서는, 200칩 중, 180칩 이상의 반도체 칩을 픽업할 수 있고, 칩 오염이나 이물 잔여가 적고, 잘 픽업할 수 있었다. 실시예 1-6은 칩 오염성이나 잔류 이례(異例)를 약간 볼 수 있었지만, 실용상 문제는 없는 레벨이었다.
또 베이스 수지로서 요오드값이 0.5의 중합체(a)를 이용한 점착제층으로 구성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 경우는, 200칩 중, 180의 반도체 칩을 픽업할 수 있고, 합격 레벨의 특성을 나타냈다.
이것에 대해, 광중합 개시제로서 폴리에틸렌글리콜 유닛 함유 고분자 아조 중합 개시제를 이용한바(비교예 1-1), 광개시제가 충분히 균일하게 용해되지 않고, 발생한 래디컬의 이동을 충분히 원활하게 실시할 수 없는 결과, 200칩 중 반정도 밖에 픽업할 수 없었다.
또, 광중합 개시제의 양을 0.1질량부 보다 적게 한 경우(비교예 1-2, 1-3), 개시제에 의한 래디컬 공급 부족에 의해 , 픽업성에 문제가 생기고, 10질량부 보다 많게 한 경우(비교예 1-4), 미반응물에 의한 승화에 의해 칩 오염을 일으켰다.
또 표 1-4로부터 알 수 있듯이, 도 2에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 대해서 평가한 실시예 1-11에서는, 점착제층과 접착제층과의 사이에서 잘 계면 박리할 수 있고, 200칩 중, 모든 반도체 칩을 픽업할 수 있었다.
이것에 대해서, 비교예 1-7에서는, 점착제층과 접착제층과의 사이에서 잘 계면 박리할 수 없고, 200칩 중, 100의 반도체 칩 밖에 픽업할 수 없었다.
5. 제 2의 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프
표 2-1?2-3으로부터 알 수 있듯이, 도 1에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 대해 평가한 실시예에서는, 200칩 중, 모든 반도체 칩을 픽업할 수 있고, 칩 오염이나 이물 잔여가 적고, 잘 픽업할 수 있었다. 실시예 2-6은 칩 오염성이나 잔류 이례를 약간 볼 수 있었지만, 실용상 문제는 없는 레벨이었다.
이것에 대해, 광중합 개시제로서 폴리에틸렌글리콜 유닛 함유 고분자 아조 중합 개시제를 이용한바(비교예 2-1), 광개시제가 충분히 균일하게 용해하지 못하고, 발생한 래디컬의 이동이 충분히 원활하게 행할 수 없는 결과, 200칩 반정도 밖에 픽업할 수 없었다.
또, 광중합 개시제의 양을 0.1질량부 보다 적게 한 경우(비교예 2-2), 개시제에 의한 래디컬 공급 부족에 의해 , 픽업성에 문제가 생기고, 10질량부 보다 많게 한 경우(비교예 2-3), 미반응물에 의한 승화에 의해 칩 오염을 일으켰다.
분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 화합물의 배합 부수를 1질량부 보다 적게 하면(비교예 2-4), 픽업성이 저하되었다. 반대로, 방사선 중합성 화합물의 배합 부수가 300질량부 보다 많은 경우(비교예 2-5), 점착제층에 경화 수축이 발생하고, 칩 이면에 점착제가 밀착하는 것에 의해, 픽업성의 저하를 볼 수 있었다.
또 표 2-4로부터 알 수 있듯이, 도 2에 도시하는 구성의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 대해서 평가한 실시예 2-11?2-15에서는, 점착제층과 접착제층과의 사이에서 잘 계면 박리할 수 있고, 200칩 중, 모든 반도체 칩을 픽업할 수 있었다.
이것에 대해, 중량 평균 분자량이 큰 광중합 개시제를 이용한 비교예 2-6에서는, 점착제층과 접착제층과의 사이에서 잘 계면 박리하지 못하고, 200칩 중, 100의 반도체 칩 밖에 픽업할 수 없었다.
또, 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 화합물의 중량 평균 분자량이 11,500인 것을 이용한 비교예 2-7에서도, 비교예 2-6과 동일하게, 200칩 중, 100의 반도체 칩 밖에 픽업할 수 없었다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부 사항에 있어서도 한정하려고 하는 것이 아니고, 첨부하는 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.
본원은, 2010년 3월 31일에 일본에서 특허 출원된 특원 2010-84447 및 2010년 3월 31일에 일본에서 특허 출원된 특원 2010-84531에 기초하는 우선권을 주장하는 것이고, 이것들은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재된 일부로서 편입한다.
1 : 기재 수지 필름
2 : 점착제층
3 : 접착제층
10, 20 : 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트

Claims (6)

  1. 방사선 투과성의 기재 수지 필름과, 상기 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로서, 상기 점착제층이
    (i-1) 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 (메타)아크릴계 단량체부를 가지는 잔기를 결합한 아크릴계 중합체(a)를 주성분으로 하는 베이스 수지 100질량부에 대하여,
    (iii) 겔 투과 크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 한다)법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제(b) 0.1?10질량부
    를 함유하는 방사선 경화성 수지 조성물을 이용한 층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.
  2. 방사선 투과성의 기재 수지 필름과, 상기 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트로서, 상기 점착제층이
    (i-2) 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여,
    (ii) 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 가지는 중량 평균 분자량이 10,000 이하인 화합물(c) 1?300질량부,
    (iii) 겔 투과 크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 한다)법에 따라서, 폴리스티렌을 표준 물질로서 환산된 중량 평균 분자량이 1000 미만인 광중합 개시제(b) 0.1?10질량부
    를 함유하는 방사선 경화성 수지 조성물을 이용한 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 광중합 개시제(b)가, 1-히드록시-시클로헥실페닐-케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 및 하기 일반식(1)로 표시되는 올리고머
    [화학식 1]
    Figure pct00013

    일반식(1)
    (식중, R은 알킬기를 나타낸다. n은 정수이다.)
    로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 일반식(1)로 표시되는 올리고머의 중합도가 n＝2?4인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.
  5. 제 1 항, 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 주쇄의 반복 단위에 대해서 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합 함유기를 가지는 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체(a)의 요오드값이 1?50인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트의 점착제층상에, 더 접착제층이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트.
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