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TWI442387B - 光學記錄媒體 - Google Patents

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TWI442387B
TWI442387B TW100124068A TW100124068A TWI442387B TW I442387 B TWI442387 B TW I442387B TW 100124068 A TW100124068 A TW 100124068A TW 100124068 A TW100124068 A TW 100124068A TW I442387 B TWI442387 B TW I442387B
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optical recording
recording medium
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TW100124068A
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Inventor
Hiroshi Tabata
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Description

光學記錄媒體
本發明有關光學記錄媒體。更特別地，本發明有關包含無機記錄層之光學記錄媒體。
迄今，小型光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)、及其類似物已引導光學記錄媒體的市場。然而，最近，透過高畫質電視的實現及藉由個人電腦(PC)所操縱之資料量的迅速增加，已企望光學記錄媒體之容量的進一步增加。為了要符合此企望，已出現諸如藍光光碟(BD)(註冊商標)之用於藍色雷射的大容量光學記錄媒體，且已建立起大容量光學記錄媒體的新興市場。
可記錄式光學記錄媒體包含以數位多功能光碟-可記錄式(DVD-R)及數位多功能光碟±可重複寫入式(DVD±RW)為代表之可重複寫入式光學記錄媒體，以及以小型光碟-可記錄式(CD-R)及數位多功能光碟-可記錄式(DVD-R)為代表之寫入一次式光學記錄媒體。特別地，後者之寫入一次式光學記錄媒體已如低價格媒體一樣地對於市場拓展作成大的貢獻。從而，為了要同樣地擴展市場於藍色雷射之大容量光學記錄媒體的市場，降低寫入一次式光學記錄媒體的價格係必要的。而且，概括地，當與硬碟驅動器(HDD)及快閃記憶體相較時，由其記錄及再生原理之觀點而言，相信光學記錄媒體具有高的儲存可靠度。例如，光學記錄媒體己開始被使用以儲存重要資訊，且因此，對於當作檔案媒體之光學記錄媒體的需求已在最近逐漸增加。
在寫入一次式光學記錄媒體中，無機材料和有機染料材料二者均獲准做為記錄材料。包含有機材料的寫入一次式光學記錄媒體由於可藉由旋塗法而低成本地生產係有利的。另一方面，包含無機材料的寫入一次式光學記錄媒體則由於就再生持久性及多重記錄層的形成之觀點而言，其係優秀的而有利，但其不利點為需要大的濺鍍設備。因而，為了要使包含無機材料的該等寫入一次式光學記錄媒體可自成本之觀點而與包含有機材料的寫入一次式光學記錄媒體競爭，抑制生產設備的初期投資、改善每一碟片的產出間距、及有效率地生產該等記錄媒體係必要的。
用以解決上述問題之最有效方法的實例在於降低建構記錄膜之層數目以減少沈積室的數目，而藉以降低用於濺鍍設備的初期投資以及減少產出間距。然而，即使當單純地降低層的數目時，若具有大厚度的膜係使用沈積速率低的材料來予以沈積時，產出間距會增大，而可實際導致成本增加。
迄今，諸如SiN及ZnS-SiO2 之透明電介質材料已被主要地使用做為包含無機材料的寫入一次式光學記錄媒體之保護層的材料(例如，請參閱日本未審查專利申請案公告第2003-59106號)。雖然SiN及ZnS-SiO2 之有利點為其沈積速率高，因而就生產率之觀點而言，該等材料係優秀的，但該等材料具有不良的所記錄資料之儲存特徵(儲存可靠度)之問題。除了上述材料之外的某些電介質材料具有高的儲存可靠度。然而，必須藉由射頻(RF)濺鍍以沈積該等電介質材料，因而，其沈積速率很低。所以，該等電介質材料具有低生產率之問題。因此，要滿足高的儲存可靠度和生產率二者係十分困難的。
為了要解決此問題，例如，日本未審查專利申請案公告第2009-129526號已提出使用可藉由直流(DC)濺鍍而沈積之氧化銦和氧化錫(下文中稱作“ITO”)做為保護層之材料的技術。在此技術中，可在寫入一次式光學記錄媒體中實現高的儲存可靠度，且可減少沈積室的數目而獲得高的生產率。具體而言，因為高的沈積速率可藉由使用ITO做為保護層之材料而達成，所以即使在單一室之中，亦可使保護層之厚度增加。因而，可減少室之數目，且同時維持光學記錄媒體之設計的自由度。
在日本未審查專利申請案公告第2009-129526號中所敘述之技術中，可在日常使用中實現足夠位準的儲存可靠度。惟，近來已企望更高位準的儲存可靠度。上述技術難以符合此企望。
所欲的是，提供一種寫入一次式光學記錄媒體，其可獲得比在其中使用包含氧化銦之單一保護層的情況中之儲存可靠度更高的儲存可靠度，且同時維持高的生產率。
由於密集研究的結果，本發明之發明人發現的是，更高的儲存可靠度可藉由使用包含氧化銦之材料做為第一保護層的材料，以及使用包含氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫之材料做為鄰接於第一保護層之第二保護層的材料而實現，且同時維持高的生產率，並以實驗而證明此發現。本發明係以該等發現及證明為基礎而構思。
依據本發明之實施例，提供有一種光學記錄媒體，包含：無機記錄層；第一保護層，係設置於該無機記錄層的至少一表面上，且包含氧化銦；以及第二保護層，係設置以便鄰接於該第一保護層，且包含氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫。
依據本發明之此實施例，因為包含沈積速率高之氧化銦之第一保護層係設置於無機記錄層的至少一表面上，所以可獲得高的儲存可靠度且同時維持高的生產率。此外，因為包含氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫之第二保護層被進一步地設置以便鄰接於第一保護層，所以可獲得更高的儲存可靠度。
如上述，依據本發明之實施例，當與其中提供包含氧化銦之單一保護層的情況相較時，可獲得高的儲存可靠度，且同時維持高的生產率。
現將參照圖式來說明本發明之實施例。
1.第一實施例(單層寫入一次式光學記錄媒體的實例) [寫入一次式光學記錄媒體的組態]
第1圖係概略橫剖面視圖，其描繪依據本發明第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體的組態實例。如第1圖中所描繪地，寫入一次式光學記錄媒體10具有其中反射層2、第三保護層3、無機記錄層4、第一保護層5、第二保護層6、及透光層7係順序堆疊於基板1之上的組態。
在依據此第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體10中，資訊信號係藉由自透光層7側來施加雷射光束至無機記錄層4，而予以記錄或再生。例如，資訊信號係藉由以物鏡來聚焦雷射光束，且自透光層7側來施加該雷射光束至無機記錄層4而被記錄或再生，該雷射光束具有在400奈米至410奈米之範圍中的波長，且該物鏡具有在0.84至0.86之範圍中的數值孔徑。該寫入一次式光學記錄媒體10的實例係藍光光碟-可記錄式(BD-R)。
現將順序地敘述建構該寫入一次式光學記錄媒體10之基板1，反射層2，第三保護層3，無機記錄層4，第一保護層5，第二保護層6，及透光層7的所有者。
(基板)
例如，基板1具有具備開孔(在下文中稱作“中心孔”)於其中心處之環狀。此基板1之一係不平坦表面11，且無機記錄層4係沈積於此不平坦表面11之上。在下文中，該不平坦表面11之凹陷部分係稱作凹槽Gin，且該不平坦表面11之突出部分係稱作凸槽Gon。
該凹槽Gin及該凸槽Gon之形狀的實例包含諸如螺旋狀及同心圓之各式各樣的形狀。例如，為了要加入位址資訊，該凹槽Gin及/或該凸槽Gon係擺動的(wobble)。
基板1之直徑係選擇成為例如，120毫米。基板1之厚度係考慮剛性而選擇，且較佳地，係選擇成為在0.3毫米至1.3毫米的範圍中，更佳地，在0.6毫米至1.3毫米的範圍中，且例如，1.1毫米。中心孔的直徑係選擇成為例如，15毫米。
例如，可使用塑膠材料或玻璃做為基板1之材料。自成本之觀點而言，較佳地使用塑膠材料。該塑膠材料的實例包含聚碳酸酯樹脂，聚烯烴樹脂，及丙烯酸樹脂。
(反射層)
做為反射層2之材料，可依據用於該反射層2之所欲的特徵，而選擇及使用例如，Ag合金、Al合金、或其類似物之可典型地使用於相關技藝中的光碟中之金屬、半金屬、或其類似物。而且，有關反射層2之材料，較佳地使用具有除了反光能力外之散熱器(熱散逸)功能的材料。在該情況中，亦可提供散熱層之功能至反射層2。
(第一保護層及第三保護層)
第一保護層5及第三保護層3係用以保護無機記錄層4且控制記錄/再生期間之光學特徵及熱特徵的層。該第一保護層5及該第三保護層3的其中至少一者包含包括氧化銦之化合物氧化物，做為主要成分。較佳地，該第一保護層5及該第三保護層3的其中至少一者包含氧化銦和氧化錫的化合物氧化物(銦錫氧化物，在下文中亦稱作“ITO”)、氧化銦和氧化鈰的化合物氧化物(銦鈰氧化物，在下文中亦稱作“ICO”)、或氧化銦和氧化鎵的化合物氧化物(銦鎵氧化物，在下文中亦稱作“IGO”)作為主要成分。透過此組態，可達成儲存可靠度和高生產率二者。尤其，第一保護層5及第三保護層3二者較佳地包含ITO、ICO、或IGO做為主要成分。做為除了ITO、ICO、及IGO之外的材料，亦可使用諸如SiN、ZnS-SiO2 、及Ta2 O5 之可典型地使用於相關技藝中的光碟中之電介質材料。為了要獲得適當的反射率，較佳地，第三保護層3的平均厚度係10至40奈米，且更佳地，係20至30奈米。從改善記錄功率邊際的觀點而言，較佳地，第一保護層5與第二保護層6所結合的平均厚度係11至34奈米，且更佳地，係16至30奈米。
較佳地，包含氧化銦之化合物氧化物具有以下列化學式(1)表示的組成：
[(In2 O3 )1-X (A)X ]…(1)
在化學式(1)中，較佳地，A係氧化錫、氧化鈰、或氧化鎵。從獲得良好的儲存可靠度之觀點而言，X較佳地滿足0.05X0.75，更佳地滿足0.05X0.65，且再更佳地滿足0.10X0.40。
從依照例如，突出物電阻而獲得良好的儲存可靠度且增進生產率之觀點而言，較佳地，A係氧化鈰或氧化鎵。在此情況中，X較佳地滿足0.15X0.75，更佳地滿足0.15X0.65，且再更佳地滿足0.15X0.40。
(第二保護層)
第二保護層6係可進一步增進儲存可靠度的層。從防止會變成減少儲存可靠度之原因的水分和氧通過第二保護層6的觀點而言，第二保護層6較佳地係不具有晶粒邊界於其中之薄膜。該材料的較佳實例包含包括氧化鈦，氧化鋯，或氧化錫之材料。具體而言，其實例較佳地包含包括氧化鈦；氧化鋯、氧化矽、及氧化銦之化合物氧化物(在下文中，亦稱為SIZ)；以及氧化錫和氧化鉭之化合物氧化物(在下文中，亦稱為TTO)，做為主要成分之材料。該第二保護層6較佳地具有在2奈米或更大且10奈米或更小之範圍中的平均厚度。當第二保護層6的平均厚度超過10奈米時，生產率易於減少，因為上述材料的濺鍍速率低於ITO、ICO、及IGO的濺鍍速率。另一方面，當第二保護層6的平均厚度小於2奈米時，則增進儲存可靠度的功效易於減低。
當第二保護層6包含氧化鈦時，則在第二保護層6中之氧化鈦的含量較佳地係40莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少，且更佳係70莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少。在此情況中，可獲得良好的儲存可靠度。當第二保護層6包含氧化鈦和氧化矽的化合物氧化物做為主要成分時，則該第二保護層6較佳地具有滿足化學式(2)的組成：
(TiO2 )x (SiO2 )1-x …(2)
其中x較佳地滿足0.4x1.0，且更佳地滿足0.7x1.0。
當第二保護層6包含氧化鋯時，則在第二保護層6中之氧化鋯的含量較佳地係20莫耳百分比或更多及70莫耳百分比或更少，且更佳地係20莫耳百分比或更多及50莫耳百分比或更少。在此情況中，可獲得良好的儲存可靠度。當第二保護層6包含氧化鋯、氧化矽、及氧化銦的化合物氧化物做為主要成分時，則該第二保護層6較佳地具有滿足化學式(3)的組成：
(SiO2 )x (In2 O3 )y (ZrO2 )z …(3)
其中x+y+z=1.0，x較佳地滿足0.1x0.6且更佳地滿足0.2x0.5，y較佳地滿足0.2y0.7且更佳地滿足0.3y0.6，以及z較佳地滿足0.2z0.7且更佳地滿足0.2z0.5。
當第二保護層6包含氧化錫時，則在第二保護層6中之氧化錫的含量較佳地係20莫耳百分比或更多.及100莫耳百分比或更少，且更佳地係40莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少。在此情況中，可獲得良好的儲存可靠度，當第二保護層6包含氧化錫和氧化鉭的化合物氧化物做為主要成分時，則該第二保護層6較佳地具有滿足化學式(4)的組成：
(Sn2 O3 )x (Ta2 O5 )1-x …(4)
其中x較佳地滿足0.2x1.0，且更佳地滿足0.4x1.0。
(無機記錄層)
無機記錄層4係寫入一次式無機記錄層。此無機記錄層4包含例如，ZnS、SiO2 、及Sb做為主要成分，以及進一步視需要地包含選自由Zn、Ga、Te、V、Si、Ta、Ge、In、Cr、Sn、及Tb所構成之群組的至少一元素，且較佳地具有由化學式(5)所表示的組成：
[(ZnS)x (SiO2 )1-x ]y (Sbz X1-z )1-y …(5)
其中0x1.0、0.3y0.7、及0.8z1.0，且X係選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、及Tb所構成之群組的至少一元素。
從獲得良好的記錄及再生特徵之觀點而言，該無機記錄層4較佳地具有3奈米或更大及40奈米或更小的平均厚度。在包含ZnS、SiO2 、及Sb作為主要成分之無機記錄層層4中，ZnS、SiO2 、及Sb在記錄之前係在非晶狀態中。當以雷射光束照射在此非晶狀態中之無機記錄層4時，Sb的晶體係形成於無機記錄層4的中心部分中，且其他原子則集中在介面之附近。因而，光學常數(n：折射率，k：消光係數)改變，且資訊信號被記錄。惟，要使其中Sb之晶體己因此形成於中心部分中的無機記錄層4返回至記錄前之非晶狀態係困難的。因此，上述之無機記錄層4係使用做為寫入一次式無機記錄層。
如上述，當無機記錄層4包含ZnS、SiO2 、及Sb做為主要成分且較佳地具有由上述之化學式(5)所表示的組成時，則所記錄之資訊係以最初狀態而被穩定地儲存達一長的週期時間，信號並不會在信號再生期間由於雷射光束而受到損害，該無機記錄層4的品質不會在普通的長期儲存中改變；且因此，可維持寫入特徵以及可針對用於記錄及/或再生之雷射光束而獲得足夠的靈敏度及反應速率。因而，可獲得良好的記錄及再生特徵於寬廣範圍的線性速度及記錄功率上。
無機記錄層4的材料並未受限於上述之材料。可典型地使用於相關技藝中之寫入一次式光學記錄媒體中的其他無機記錄材料亦可加以使用。
做為無機記錄層4，例如，可使用包含Te(碲)、Pd(鈀)、及O(氧)做為主要成分之相改變型無機記錄層。例如，此無機記錄層具有由化學式(6)所表示的組成：
(Tex Pd1-x )y O1-y ‧‧‧(6)
其中0.7x0.9且0.3y0.7。
選擇性地，例如，該無機記錄層4可係其中堆疊矽(Si)層及銅(Cu)合金層之合金型無機記錄層，或包含鍺(Ge)、鉍(Bi)、及氮(N)做為主要成分之無機記錄層。
(透光層)
透光層7包含例如，具有環狀之透光片及用以接合該透光片至基板1之黏著劑。較佳地，該透光片係由具有低吸收率於記錄及/或再生中所使用之雷射光束的材料所組成，且更明確地，較佳地由具有90%或更大之透射比的材料所組成。該透光片之材料的實例包含聚碳酸酯樹脂材料，及聚烯烴樹脂(例如，ZEONEX((註冊商標))。較佳地，該透光片的厚度係選擇成為0.3毫米或更小，且更佳地，係選自3至177微米的範圍。黏著層係由例如，紫外線硬化樹脂或壓敏式黏著劑(PSA)所構成。選擇性地，該透光層7可係藉由使諸如UV樹脂之光敏樹脂硬化所形成的樹脂覆蓋物。該樹脂覆蓋物之材料的實例包含紫外線硬化丙烯酸樹脂及胺甲酸乙酯樹脂。
較佳地，透光層7的厚度係選自10至177微米之範圍，且係選擇成為例如，100微米。如此薄的透光層7與具有例如，約0.85之高的NA(數值孔徑)之物鏡的結合可達成高密度的記錄。
[寫入一次式光學記錄媒體的生產方法]
其次，將敘述依據本發明第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體的生產方法之實例。
(形成基板的步驟)
首先，形成基板1，而其主表面具有不平坦表面11。用以形成該基板1之方法的實例包含射出成形(射出)法及光聚合物法(2P方法：光-聚合作用)。
(沈積反射層的步驟)
接著，將基板1轉移至配備有靶極之真空室，而該靶極包含例如，Ag合金或Al合金做為主要成分，且該真空室係抽空到直至在該真空室中之壓力到達一定值時為止。然後，當引入諸如Ar氣體之處理氣體於真空室中的同時，濺射該靶極以沈積反射層2於基板1之上。
(沈積第三保護層的步驟)
其次，將基板1轉移至配備有包含例如，ITO、ICO、或IGO做為主要成分之靶極的真空室，且將該真空室抽空到直至在該真空室中之壓力到達一定值時為止。然後，當引入諸如Ar氣體或O2 氣體之處理氣體於真空室中的同時，濺射該靶極以沈積第三保護層3於該反射層2之上。做為濺鍍方法，例如，可使用射頻(RF)濺鍍法或直流(DC)濺鍍法；惟，直流濺鍍法係特別較佳的。此係因為直流濺鍍法中之沈積速率係高於射頻濺鍍法中的沈積速率之故，且因此，可藉以增進生產率。
(沈積無機記錄層的步驟)
接著，將基板1轉移至配備包含例如，ZnS、SiO2 、及Sb做為主要成分之靶極的真空室，且將該真空室抽空到直至在該真空室中之壓力到達一定值時為止。然後，當引入諸如Ar氣體之處理氣體於真空室中的同時，濺射該靶極以沈積無機記錄層4於第三保護層3之上。
(沈積第一保護層的步驟)
其次，將基板1轉移至配備有包含例如，ITO、ICO、或IGO做為主要成分之靶極的真空室，且將該真空室抽空到直至在該真空室中之壓力到達一定值時為止。然後，當引入諸如Ar氣體或O2 氣體之處理氣體於真空室中時的同時，濺射該靶極以沈積第一保護層5於該無機記錄層4之上。做為濺鍍方法，例如，可使用射頻(RF)濺鍍法或直流(DC)濺鍍法；惟，直流濺鍍法係特別較佳的。此係因為直流濺鍍法中之沈積速率係高於射頻濺鍍法中的沈積速率之故，且因此，可藉以增進生產率。
(沈積第二保護層的步驟)
接著，將基板1轉移至配備有包含例如，氧化鈦、SIZ、或TTO做為主要成分之靶極的真空室，且將該真空室抽空到直至在該真空室中之壓力到達一定值時為止。當引入諸如Ar氣體或O2 氣體之處理氣體於真空室中的同時，濺射該靶極以沈積第二保護層6於該第一保護層5之上。做為濺鍍方法，例如，可使用射頻(RF)濺鍍法或直流(DC)濺鍍法；惟，直流濺鍍法係特別較佳的。此係因為直流濺鍍法中之沈積速率係高於射頻濺鍍法中的沈積速率之故，且因此，可藉以增進生產率。
(形成透光層的步驟)
其次，形成透光層7於第二保護層6之上。用以形成透光層7之方法的實例包含：樹脂塗佈法，其中諸如紫外線硬化樹脂(UV樹脂)之光敏樹脂係旋塗於第二保護層6上，且然後，該光敏樹脂係以諸如UV光的光來予以照射，而形成透光層7；以及片接合法，其中透光片係以黏著劑而接合於基板1的不平坦表面11側之上，以形成透光層7。此片接合法的實例包含：片-樹脂接合法，其中透光層7係藉由以施加在第二保護層6上之諸如UV樹脂的光敏樹脂來接合透光片於基板1的不平坦表面11側之上，而予以形成；以及片-PSA接合法，其中透光層7係藉由使用事先已均勻施加在透光片的主表面上之壓敏黏著劑(PSA)來接合透光片於基板1的不平坦表面11側之上，而予以形成。第1圖中所示的寫入一次式光學記錄媒體10係透過上述步驟而獲得。
修正
熱儲存層可進一步設置於第三保護層3與無機記錄層4之間。在此情況中，用於記錄及/或再生之雷射光束係自相反於該熱儲存層之側而施加至無機記錄層4。該熱儲存層具有低於第三保護層3之熱傳導率的熱傳導率，且包含諸如ZnS-SiO2 之電介質材料做為主要成分。該熱儲存層作用成為可保持記錄期間所產生的熱量於無機記錄層4中之熱儲存層。因而，藉由形成該熱儲存層於第三保護層3與無機記錄層4之間，可有效率地使用熱量且提供寫入一次式光學記錄媒體10有高的記錄靈敏度。而且，藉由暫時保持熱量於無機記錄層4之中，且然後，自無機記錄層4的內部而散逸該熱量至具有高的熱傳導率之第三保護層3及反射層2，則可形成更清楚的標示邊緣而獲得低的抖動及寬的功率邊際。然而，若熱儲存層的厚度太厚，且dh/(d1+dh)>0.95時(其中d1表示第三保護層的厚度，以及dh表示熱儲存層的厚度)，則熱會過量地儲存於無機記錄層4中，且因此，標示邊緣並不會對齊且功率邊際易於變窄。為此理由，要滿足dh/(d1+dh)0.95係較佳的。例如，可使用濺鍍法做為用以沈積熱儲存層的方法。
熱儲存層的位置並未受限於在第三保護層3與無機記錄層4之間。選擇性地，例如，可將熱儲存層設置在無機記錄層4與第一保護層5之間。在此情況中，用於記錄及/或再生之雷射光束係自熱儲存層側而施加至無機記錄層4。選擇性地，可將熱儲存層設置在第三保護層3與無機記錄層4之間，以及在無機記錄層4與第一保護層5之間。
2.第二實施例(不具有反射層之單層寫入一次式光學記錄媒體的實例)
第2圖係概略橫剖面視圖，其描繪依據本發明第二實施例之寫入一次式光學記錄媒體的組態實例。與依據第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體之該等組件相同的組件係指定以相同的參考符號，且該等組件的說明將予以省略。如第2圖中所描繪地，依據第二實施例之寫入一次式光學記錄媒體10係與依據第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體10不同，其不同處在於省略反射層2的形成，使得即使在低反射率亦可獲得高透射比。具有非常大的消光係數及大的厚度之反射層2的缺乏，可增進用於記錄及/或再生之雷射光束波長的透射比。從而，依據第二實施例之寫入一次式光學記錄媒體10係適用於需要高透射比的情況。為了要獲得更高的透射比，通常具有大的消光係數之無機記錄層4較佳地具有小的厚度，例如，7至14奈米的厚度。而且，當進一步降低反射率係必要時，較佳地，第一保護層5及第二保護層6的總厚度係20至35奈米。
3.第三實施例(雙層寫入一次式光學記錄媒體的實例)
第3圖係概略橫剖面視圖，其描繪依據本發明第三實施例之寫入一次式光學記錄媒體的組態實例。與依據第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體之該等組件相同的組件係指定以相同的參考符號，且該等組件的說明將予以省略。如第3圖中所描繪地，依據第三實施例之寫入一次式光學記錄媒體10具有其中第一記錄層L0、中間層8、第二記錄層L1、及透光層7係順序堆疊於基板1上的組態。
第一記錄層L0具有與第一實施例之資訊信號層相同的組態。具體而言，第一記錄層L0係堆疊膜，其中反射層2、第三保護層3、無機記錄層4、第一保護層5、及第二保護層6係以該順序而堆疊。第二記錄層L1具有與第二實施例之資訊信號層相同的組態。具體而言，第二記錄層L1係堆疊膜，其中第三保護層3、無機記錄層4、第一保護層5、及第二保護層6係以該順序而堆疊。
如上述，因為第一記錄層L0及第二記錄層L1分別具有與第一實施例的資訊信號層及第二實施例的資訊信號層之該等記錄層相同的組態，所以將省略該等記錄層之說明，且現將敘述中間層8。
(中間層)
中間層8具有以物理上及光學上足夠的距離於其間而分離第一記錄層L0及第二記錄層L1的功能。不平坦表面11係形成於中間層8的表面上。第二記錄層L1係沈積在此不平坦表面11之上。在下文中，該不平坦表面11之凹陷部分係稱作凹槽Gin，且不平坦表面11之突出部分係稱作凸槽Gon。
該凹槽Gin及該凸槽Gon之形狀的實例包含諸如螺旋狀及同心圓之各式各樣的形狀。例如，為了要加入位址資訊，該凹槽Gin及/或該凸槽Gon係擺動的。
較佳地，將中間層8之厚度決定為在5至50微米，且更佳地，在10至40微米的範圍中。較佳地，該中間層8的材料係紫外線硬化丙烯酸樹脂，但並未特別受限於此。因為中間層8作用成為用以記錄及再生第一記錄層L0上的資料之雷射光束的光學路徑，所以該中間層8較佳地具有足夠高的光學透明度。
修正
在第一記錄層L0中，可將熱儲存層設置在第三保護層3與無機記錄層4之間，或在無機記錄層4與第一保護層5之間。選擇性地，可將熱儲存層設置在第三保護層3與無機記錄層4之間，以及在無機記錄層4與第一保護層5之間。該熱儲存層的材料、厚度、及其他性質係與上述第一實施例之該等材料、厚度、及其他性質相同。
實例
現將藉由實例而特別地說明本發明，但本發明並未受限於該等實例。
(用以分析層組成之方法)
在實例、比較實例、及測試實例中，每一層的組成係決定如下。
首先，其組成將被決定的層(例如，第一保護層或第二保護層)係在與實例、比較實例、及測試實例之每一者的沈積情形相同的沈積情形下，被沈積在扁平基板之上。因而，製備出取樣。接著，該等取樣之每一者的層組成係藉由電感耦合電漿(ICP)質譜測定法，而以ICP質譜儀來加以檢查。
(平均厚度的決定)
在實例、比較實例、及測試實例中，每一層的平均厚度係決定如下。
首先，其厚度將被決定的層係在與實例、比較實例、及測試實例之每一者的沈積情形相同的情形下，被沈積在扁平基板之上。因而，製備出取樣。接著，該等取樣之每一者係藉由聚焦式離子束(FIB)而以垂直於基板主表面的方法來予以切割，而形成橫剖面。其次，層之厚度係透過透射式電子顯微鏡(TEM)而測量自該橫剖面。此測量係針對10個取樣而重複地執行。所測量出之值係簡單地平均(算術平均)，而決定平均厚度。
現將敘述實例、比較實例、及測試實例。
1.第一保護層及第三保護層之組成的檢查 測試實例1
首先，具有1.1毫米之厚度的聚碳酸酯基板係藉由射出成形法而形成。具有凹槽Gin及凸槽Gon之不平坦表面係形成於該聚碳酸酯基板之上。
其次，反射層、第三反射層、熱儲存層、無機記錄層、及第一保護層係藉由濺鍍法而順序堆疊於該聚碳酸酯基板之上。該等層的具體組態係如下。
反射層：Ag合金，80奈米(平均厚度)
第三保護層：In2 O3 ，14奈米(平均厚度)
熱儲存層：ZnS-SiO2 ，7奈米
無機記錄層：[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 ，18奈米(平均厚度)
第一保護層：In2 O3 ，17奈米(平均厚度)
接著，紫外線硬化樹脂係藉由旋塗法而均勻施加至第一保護層上，且此紫外線硬化樹脂係藉由透過紫外光來加以照射而形成，藉以形成具有0.1毫米之厚度的透光層。因此，可製備出寫入一次式光學記錄媒體。
測試實例2
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例1中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )90 (Ga2 O3 )10 所形成之外。該第一保護層及該第三保護層係使用由In2 O3 及Ga2 O3 所製成之二類型的靶極做為該等保護層之材料，而藉由共濺鍍法以予以形成。
測試實例3
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例2中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )80 (Ga2 O3 )20 所形成之外。
測試實例4
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例2中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )60 (Ga2 O3 )40 所形成之外。
測試實例5
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例2中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )35 (Ga2 O3 )65 所形成之外。
測試實例6
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例2中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )20 (Ga2 O3 )80 所形成之外。
測試實例7
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例1中似地被製備。
測試實例8
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例1中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )90 (CeO2 )10 所形成之外。該第一保護層及該第三保護層係使用由In2 O3 及CeO2 所製成之二類型的靶極做為該等保護層之材料，而藉由共濺鍍法以予以形成。
測試實例9
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例8中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )85 (CeO2 )15 所形成之外。
測試實例10
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例8中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )60 (CeO2 )40 所形成之外。
測試實例11
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例8中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )40 (CeO2 )60 所形成之外。
測試實例12
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例8中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )20 (CeO2 )80 所形成之外。
測試實例13
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例1中似地被製備。
測試實例14
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例1中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )90 (Sn2 O3 )10 所形成之外。該第一保護層及第三保護層係使用In2 O3 及Sn2 O3 所製成之二類型的靶極做為該等保護層之材料，而藉由共濺鍍法以予以形成。
測試實例15
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例14中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )80 (Sn2 O3 )20 所形成之外。
測試實例16
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例14中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )60 (Sn2 O3 )40 所形成之外。
測試實例17
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例14中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )40 (Sn2 O3 )60 所形成之外。
測試實例18
寫入一次式光學記錄媒體係如測試實例14中似地被製備，除了第一保護層及第三保護層係各自地藉由(In2 O3 )20 (Sn2 O3 )80 所形成之外。
(信號特徵的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的信號特徵係使用由Pulstec Industrial Co.,Ltd.所製造之ODU-1000做為評估裝置，而予以評估如下。
在此評估裝置中，雷射光束的波長係設定為405奈米，且數值孔徑NA係設定為0.85。記錄係以19.68米/秒(m/s)之線性速度來執行於該等寫入一次式光學記錄媒體的每一者之上，而該線性速度係依據藍光光碟25GB密度之線性速度的4倍速度，以及再生係執行於1倍速度之4.92米/秒處。抖動率(jitter)係透過由Pulstec Industrial Co.,Ltd.所製造之等化器板，而使用由Yokogawa Electric Corporation所製造之時隔分析儀TA720來加以測量。因而，執行信號評估。結果係顯示於第1表及第4圖中。
較佳地，抖動率係在7.5%或更小，且更佳地，在7.0%或更小的範圍中。此係因為熟知的是，在7.5%或更小的抖動率與足夠低的誤差率之間存在有相關性。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的信號特徵之儲存可靠度係評估如下。
將已記錄資訊信號於其上之寫入一次式光學記錄媒體儲存於80℃及85%RH的環境中600小時，然後，觀察符號誤差率(SER)。由Pioneer Corporation所製造之藍光光碟驅動器(BDR-101A)係使用於該資訊信號的記錄/再生評估。結果係顯示於第1表及第5圖中。
較佳地，該SER係2.0×10-3 或更小，更佳地係1.0×10-3 或更小，且再更佳地係3.0×10-4 或更小。此係因為在實際使用中之足夠的儲存可靠度通常可藉由達成2.0×10-3 或更小之SER而獲得，其中在該處，誤差率並不會在儲存測試之後掉落。
第1表顯示測試實例1至18之寫入一次式光學記錄媒體之抖動率特徵及儲存可靠度。
第4圖係圖形，顯示測試實例1至18之寫入一次式光學記錄媒體的抖動率特徵。第5圖係圖形，顯示測試實例1至18之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度。在第4及5圖中，(In2 O3 )x (Ga2 O3 )y 材料係藉由IGO而表示，(In2 O3 )x (CeO2 )y 材料係藉由ICO而表示，以及(In2 O3 )x (Sn2 O3 )y 係藉由ITO而表示。
上述之評估結果顯示以下。
資訊信號特徵及儲存可靠度係根據所添加之Ga2 O3 ，CeO2 ，或Sn2 O3 的數量而改變。
為了要滿足2.0×10-3 或更小之SER的特徵，所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量係較佳地在5莫耳百分比至75莫耳百分比的範圍中。為了要滿足7.5%或更小之抖動率及2.0×10-3 或更小之SER的特徵，所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量係較佳地在5莫耳百分比至75莫耳百分比的範圍中。注意的是，如上述地，就光學記錄媒體之特徵的觀點，7.5%之抖動率及2.0×10-3 的SER係較佳的上限。
為了要滿足1.0×10-3 或更小之SER的特徵，所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量係較佳地在5莫耳百分比至65莫耳百分比的範圍中。為了要滿足7.0%或更小之抖動率及1.0×10-3 或更小之SER的特徵，所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量係較佳地在5莫耳百分比至65莫耳百分比的範圍中。
為了要滿足3.0×10-4 或更小之SER的特徵，所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量係較佳地在10莫耳百分比至40莫耳百分比的範圍中。為了要滿足7.0%或更小之抖動率及3.0×10-4 或更小之SER的特徵，所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量係較佳地在10莫耳百分比至405莫耳百分比的範圍中。
儲存可靠度為何會在當所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量小於5莫耳百分比時降級的理由被認為係In2 O3 成分的數量太大，因此，氧和水分會自In2 O3 膜之晶粒邊界進入至記錄膜內的緣故。另一方面，令人滿意的資訊信號特徵為何會在當所添加之Ga2 O3 、CeO2 、或Sn2 O3 的數量超過75莫耳百分比時難以取得的理由被認為係所添加之材料的特徵會被增加於保護膜之中，因此，難以取得藉由In2 O3 所獲得之令人滿意的資訊特徵。
依據上述結果，從增進儲存可靠度或增進資訊信號特徵和儲存可靠度的觀點而言，在第一保護層及第三保護層中之氧化錫、氧化鈰、或氧化鎵的含量係較佳地在5莫耳百分比至75莫耳百分比、更佳地在5莫耳百分比至65莫耳百分比、且再更佳地在10莫耳百分比至40莫耳百分比的範圍中。此可由以下之組成式表示：
[(In2 O3 )1-x (A)x ]
其中A表示氧化錫、氧化鈰、或氧化鎵，以及X較佳地滿足0.05X0.75、更佳地滿足0.05X0.65、且再更佳地滿足0.10X0.40。
2.第二保護層之材料的檢查 實例1
首先，具有1.1毫米之厚度的聚碳酸酯基板係藉由射出成形法而形成。具有刻槽之不平坦表面係形成於該聚碳酸酯基板之上。其次，第三保護層、無機記錄層、第一保護層、及第二保護層係藉由濺鍍法而順序堆疊於該聚碳酸酯基板之上。該等層之具體組態係如下。
第三保護層：ITO，8奈米(平均厚度)
無機記錄層：[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 ，11奈米(平均厚度)
第一保護層：ITO，19奈米(平均厚度)
第二保護層：TiO2 ，10奈米(平均厚度)
該等層係各自地使用具有200毫米之直徑的靶極而形成。用作第一保護層及第三保護層的ITO層係在包含Ar及O2 的氛圍中藉由ITO靶極之DC濺鍍而沈積。用作無機記錄層的[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 層係在Ar氛圍中藉由[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 靶極之RF濺鍍而沈積。同作第二保護層的TiO2 層則在包含Ar及O2 的氛圍中藉由TiO2 靶極之DC濺鍍而沈積。
接著，紫外線硬化樹脂係藉由旋塗法而均勻施加至第二保護層上，且此紫外線硬化樹脂係藉由透過紫外光來加以照射而形成，藉以形成具有0.1毫米之厚度的透光層。因此，可製備出寫入一次式光學記錄媒體。
實例2
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由氧化鋯、氧化銦、及氧化矽之化合物氧化物(SIZ)所形成之外。
實例3
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由氧化錫和氧化鉭之化合物氧化物(TTO)所形成之外。
實例4
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第一保護層係藉由氧化銦和氧化鈰之化合物氧化物(ICO)所形成之外。
實例5
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第一保護層係藉由氧化銦和氧化鎵之化合物氧化物(IGO)所形成之外。
比較實例1
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的形成被省略之外。
比較實例2
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由氮化矽(SiN)所形成之外。
比較實例3
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由氧化鉻、氧化銦、及氧化鋅之化合物氧化物(下文中稱作“CIZ”)所形成之外。
比較實例4
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由氧化鋁和氧化鋅之化合物氧化物(下文中稱作“AZO”)所形成之外。
比較實例5
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第一保護層係藉由氮化矽(SiN)所形成之外。
比較實例6
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第一保護層係藉由氧化鋁(Al2 O3 )所形成之外。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度係藉由使用由Pulstec Industrial Co.,Ltd.所製造之ODU-1000做為評估裝置，而予以評估如下。
首先，在此評估裝置中，雷射光束的波長係設定為405奈米，且數值孔徑NA係設定為0.85。記錄係以9.84米/秒之線性速度來執行於該等寫入一次式光學記錄媒體的每一者之上，而該線性速度係依據藍光光碟25GB密度之線性速度的2倍速度，以及再生係執行於1倍速度之4.92米/秒處。因此，評估誤差率(下文中稱作“初始誤差率”)。其次，將該等寫入一次式光學記錄媒體各自儲存於80℃及85%RH的環境中400小時，且評估誤差率(下文中稱作“儲存後之誤差率”)。接著，計算儲存測試之前後的誤差率比((儲存後之誤差率)/(初始誤差率))，且將其使用做為評估工具。結果係顯示於第2表中。
在該儲存測試之後，較佳地，誤差率係2.0×10-3 或更小，更佳地係1.0×10-3 或更小，且再更佳地係3.0×10-4 或更小。此係因為在實際使用中之足夠的儲存可靠度通常可藉由達成2.0×10-3 或更小之誤差率而獲得，其中在該處，誤差率並不會在儲存測試之後掉落。
為了要獲得所欲的產品特徵，在儲存測試之前後的誤差率比係較佳地在1.80或更小、更佳地在1.30或更小，且再更佳地在1.10或更小的範圍中。在此評估中，為了要決定比該儲存測試後之誤差率(2×10-3 或更小)更高的儲存可靠度，可進一步使用儲存測試之前後的誤差率比，且可考慮測量誤差而將誤差率比設定為1.30或更小。
第2表顯示實例1至5及比較實例1至6之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度之評估結果。
第2表顯示以下敘述。
雖然，不管第一保護層及第二保護層之材料的類型為何，初始誤差率係令人滿意的，但儲存測試後的誤差率會根據第一保護層及第二保護層之材料的類型而大大地變化。具體地，在第二保護層並未被形成且第一保護層係由ITO所構成的比較實例1中，以及在第二保護層係分別由SiN、CIZ、及AZO所構成的比較實例2至4中，誤差率會在儲存測試之後大大地降級。對照地，在第一保護層係由ITO所構成，且第二保護層係分別由TiO2 、SIZ、及TTO所構成的實例1至3中，在儲存測試後之誤差率的增加會被明顯地抑制。在第二保護層係由TiO2 所構成，且第一保護層係分別由SiN及Al2 O3 所構成的比較實例5及6中，誤差率會在儲存測試之後大大地降級。對照地，在第二保護層係由TiO2 所構成，且第一保護層係分別由ITO、ICO、及IGO所構成的實例1以及實例4和5中，在儲存測試後之誤差率的增加會被明顯地抑制。
從而，當使用ITO、IGO、及ICO做為第一保護層時，可就實際使用的觀點而獲得高的儲存可靠度。而且，當使用TiO2 、SIZ、及TTO做為鄰接於第一保護層之第二保護層時，可獲得更高的儲存可靠度。關於使用做為實例2之第二保護層的SIZ，通常認為藉由SIZ所構成的薄膜係非晶的，且具有很少的晶粒邊界。因而，相信因為SIZ薄膜具有很少的晶粒邊界，所以氧和水分並不容易自外部進入。同樣地，在良好的儲存可靠度中有效之TiO2 及TTO亦被認為具有以下之性質，亦即，藉由該等材料所製成的薄膜具備很少晶粒邊界之性質。對照地，在分別使用各自包含氧化鋅之CIZ及AZO的比較實例3及4中，誤差率會在儲存測試之後大大地降級。針對此之理由被認為係如下所述。因為晶粒邊界係非常容易形成於氧化鋅之中，所以自晶粒邊界之氧和水分的侵入會有效地發生，導致儲存可靠度之大大降級。
依據上述之結果，高的儲存可靠度可藉由形成包含氧化銦之第一保護層於無機記錄層的至少一表面上，且形成包含氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫之第二保護層，以便鄰接於該第一保護層，而予以達成。
3.第二保護層之平均厚度的檢查 實例6
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的平均厚度係改變成為2奈米之外。
實例7
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的平均厚度係改變成為4奈米之外。
實例8
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的平均厚度係改變成為7奈米之外。
實例9
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的平均厚度係改變成為10奈米之外。
實例10
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的平均厚度係改變成為15奈米之外。
比較實例7
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層的平均厚度係改變成為0奈米之外。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度係如實例1至5及比較實例1至6中似地被評估。結果係顯示於第3表及第6圖之中。
第6圖係圖形，其顯示實例6及10及比較實例7之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度。
第3表顯示實例6至10及比較實例7的寫入一次式光學記錄媒體之在儲存測試之前後的誤差率，及在儲存測試後之誤差率對初始誤差率的比例之評估結果。
第3表及第6圖顯示以下敘述。
透過第二保護層之平均厚度的增加，誤差率比傾向於減少，亦即，儲存可靠度傾向於增進。從儲存可靠度之觀點而言，第二保護層較佳地具有大的厚度。更明確地，當第二保護層之平均厚度係2奈米或更大時，誤差率比可降低至1.30或更小。當第二保護層之平均厚度係7奈米或更大時，誤差率比可降低至1.10或更小。
另一方面，從生產率之觀點而言，第二保護層較佳地具有小的平均厚度，因為從儲存可靠度的觀點之第二保護層的較佳材料之TiO2 、SIZ、及TTO的濺鍍速率係低於第一保護層的較佳材料之ITO、ICO、及IGO的該等濺鍍速率。
依照儲存可靠度與生產率之間的平衡，第二保護層之平均厚度係較佳地在2至10奈米，且更佳地在7至10奈米的範圍中。
4.第二保護層之組成的檢查 4-1第二保護層之組成(TiO2 )x (SiO2 )y 的檢查 實例11
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(TiO2 )30 (SiO2 )70 所形成之外。
實例12
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(TiO2 )50 (SiO2 )50 所形成之外。
實例13
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(TiO2 )70 (SiO2 )30 所形成之外。
實例14
包含由TiO2 所構成之第二保護層的寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備。
比較實例8
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由SiO2 所形成之外。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度係如實例1至5及比較實例1至6中似地被評估。結果係顯示於第4表及第7圖之中。
第7圖係圖形，其顯示實例11至14及比較實例8之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度。
第4表顯示實例11至14及比較實例8的寫入一次式光學記錄媒體之在儲存測試之前後的誤差率，及在儲存測試後之誤差率對初始誤差率的比例之評估結果。第4表示顯示包含包括ITO之單一保護層的比較實例1之評估結果，以便比較該等評估結果與實例11至14及比較實例8的評估結果。
第4表及第7圖顯示以下。
誤差率比可藉由結合氧化鈦於第二保護層中而降低。而且，誤差率比易於透過第二保護層中之氧化鈦含量的增加而減低。
當氧化鈦的含量係40莫耳百分比或更多時，則誤差率比可降低至1.30或更小。當氧化鈦的含量係進一步增加至70莫耳百分比或更多時，則誤差率比可降低至1.10或更小。
依據上述結果，從增進儲存可靠度的觀點而言，較佳的是結合氧化鈦於第二保護層之中。該氧化鈦的含量較佳地係40莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少，且更佳地係70莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少。
4-2第二保護層之組成(SiO2 )x (In2 O3 )y (ZrO2 )z 的檢查 實例15
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )60 (In2 O3 )20 (ZrO2 )20 所形成之外。
實例16
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )10 (In2 O3 )70 (ZrO2 )20 所形成之外。
實例17
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )10 (In2 O3 )20 (ZrO2 )70 所形成之外。
實例18
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )50 (In2 O3 )30 (ZrO2 )20 所形成之外。
實例19
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )20 (In2 O3 )60 (ZrO2 )20 所形成之外。
實例20
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )20 (In2 O3 )30 (ZrO2 )50 所形成之外。
實例21
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )35 (In2 O3 )30 (ZrO2 )35 所形成之外。
實例22
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )25 (In2 O3 )50 (ZrO2 )25 所形成之外。
實例23
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )30 (In2 O3 )20 (ZrO2 )50 所形成之外。
實例24
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )10 (In2 O3 )50 (ZrO2 )40 所形成之外。
實例25
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )80 (In2 O3 )10 (ZrO2 )10 所形成之外。
實例26
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )40 (In2 O3 )50 (ZrO2 )10 所形成之外。
實例27
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )10 (In2 O3 )80 (ZrO2 )10 所形成之外。
實例28
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(In2 O3 )50 (ZrO2 )50 所形成之外。
實例29
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )10 (In2 O3 )10 (ZrO2 )80 所形成之外。
實例30
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(SiO2 )40 (In2 O3 )10 (ZrO2 )50 所形成之外。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度係如實例1至5及比較實例1至6中似地被評估。結果係顯示於第5表及第8圖之中。
第8圖係包含於實例15至30之寫入一次式光學記錄媒體的第二保護層中之SIZ的組成圖。在第8圖中，對應於實例15至30之組成係藉由“黑色圓形”、“白色圓形”、“白色方形”之符號所表示。
第5表顯示實例15至30的寫入一次式光學記錄媒體之在儲存測試之前後的誤差率，及在儲存測試後之誤差率對初始誤差率的比例之評估結果。
第5表及第8圖顯示以下敘述。
當第二保護層之SIZ的組成係位於由A、B、及C之黑色圓形所形成的三角形之中時，則誤差率比可降低至1.30或更小。在此，由A、B、及C之黑色圓形所形成的三角形的區域係由(SiO2 )x (In2 O3 )y (ZrO2 )z 所表示，其中10x60、20y70、及20z70，且x+y+z=100。
當第二保護層之SIZ的組成係位於由D、E、及F之黑色圓形所形成的三角形之中時，則誤差率比可降低至1.10或更小。在此，由D、E、及F之黑色圓形所形成的三角形的區域係由(SiO2 )x (In2 O3 )y (ZrO2 )z 所表示，其中20x50、30y60、及20z50，且x+y+z=100。
依據上述結果，從增進儲存可靠度的觀點而言，第二保護層較佳地包含(SiO2 )x (In2 O3 )y (ZrO2 )z 做為主要成分，其中x較佳地滿足10x60、更佳地滿足20x50、y較佳地滿足20y70、更佳地滿足30y60，z較佳地滿足20z70、更佳地滿足20z50，且x+y+z=100。
4-3第二保護層之組成(Sn2 O3 )x (Ta2 O5 )y 的檢查 實例31
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(Sn2 O3 )20 (Ta2 O5 )80 所形成之外。
實例32
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(Sn2 O3 )30 (Ta2 O5 )70 所形成之外。
實例33
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(Sn2 O3 )50 (Ta2 O5 )50 所形成之外。
實例34
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由(Sn2 O3 )70 (Ta2 O5 )30 所形成之外。
實例35
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由Sn2 O3 所形成之外。
比較實例9
寫入一次式光學記錄媒體係如實例1中似地被製備，除了第二保護層係藉由Ta2 O5 所形成之外。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度係如實例1至5及比較實例1至6中似地被評估。結果係顯示於第6表及第9圖之中。
第9圖係圖形，其顯示實例31至35及比較實例9之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度。
第6表顯示實例31至35及比較實例9的寫入一次式光學記錄媒體之在儲存測試之前後的誤差率，及在儲存測試後之誤差率對初始誤差率的比例之評估結果。
第6表及第9圖顯示以下敘述。
誤差率可藉由結合氧化錫於第二保護層中而降低。而且，誤差率比易於透過第二保護層中之氧化錫含量的增加而降低。
當氧化錫的含量係20莫耳百分比或更多時，則誤差率比可降低至1.30或更小。當氧化錫的含量係進一步增加至40莫耳百分比或更多時，則誤差率比可降低至1.10或更小。
依據上述結果，從增進儲存可靠度的觀點而言，較佳的是結合氧化錫第二保護層之中。該氧化錫的含量較佳地係20莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少，且更佳地係40莫耳百分比或更多及100莫耳百分比或更少。
5.雙層寫入一次式光學記錄媒體的檢查 實例36
具有1.1毫米之厚度的聚碳酸酯基板係藉由射出成形法而形成。具有刻槽之不平坦表面係形成於該聚碳酸酯基板之上。其次，反射層、第三保護層、熱儲存層、無機記錄層、第一保護層、及第二保護層係藉由濺鍍法而順序堆疊於該聚碳酸酯基板之上，以形成第一記錄層(L0層)。該等層之具體組態係如下。
反射層：Ag合金，80奈米(平均厚度)
第三保護層：ITO，15奈米(平均厚度)
熱儲存層：ZnS-SiO2 ，12奈米
無機記錄層：[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 ，19奈米(平均厚度)
第一保護層：ITO，13奈米(平均厚度)
第二保護層：TiO2 ，5奈米(平均厚度)
該等層係各自地使用具有200毫米之直徑的靶極而形成。用作反射層的Ag合金層係在Ar氛圍中藉由包含Ag(做為主要成分)及NdCu之靶極的DC濺鍍而沈積。用作第一保護層及第二保護層的ITO層係在包含Ar及O2 的氛圍中藉由ITO靶極之DC濺鍍而沈積。用作熱儲存層之ZnS-SiO2 層係在Ar氛圍中藉由ZnS-SiO2 靶極之RF濺鍍而沈積。用作無機記錄層的[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 層係在Ar氛圍中藉由[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 靶極之RF濺鍍而沈積。用作第二保護層的TiO2 層則在包含Ar及O2 的氛圍中藉由TiO2 靶極之DC濺鍍而沈積。
其次，將具有第一記錄層於其上之聚碳酸酯基板設定在旋塗器之上。當旋轉該聚碳酸酯基板時之同時，將紫外線硬化丙烯酸樹脂滴在第一記錄層上，並予以旋塗，需形成樹脂層。接著，將具有刻槽(groove)及平面(land)之壓印器設置在藉由旋塗而形成於第一記錄層上的樹脂層之上。該樹脂層係以紫外光穿過壓印器而被照射，藉以使樹脂層硬化。然後，自該樹脂層而卸除壓印器。因而，形成具有25微米厚度且具有刻槽之中間層，而形成用於第二記錄層之不平坦表面。
其次，另一第三保護層、另一無機記錄層、另一第一保護層、及另一第二保護層係藉由濺鍍法而順序形成於該中間層之上，以形成第二記錄層(L1層)。該等層之具體組態係如下。
第三保護層：ITO，8奈米(平均厚度)
無機記錄層：[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 ，11奈米(平均厚度)
第一保護層：ITO，9奈米(平均厚度)
第二保護層：TiO2 ，10奈米(平均厚度)
該等層係各自地使用具有200毫米之直徑的靶極而形成。用作第一保護層及第三保護層的ITO層係在包含Ar及O2 的氛圍中藉由ITO靶極之DC濺鍍而沈積。用作無機記錄層的[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 層係在Ar氛圍中藉由[(ZnS)80 (SiO2 )20 ]40 Sb60 靶極之RF濺鍍而沈積。用作第二保護層的TiO2 層則在包含Ar及O2 的氛圍中藉由TiO2 靶極之DC濺鍍而沈積。
接著，紫外線硬化樹脂係藉由旋塗法而均勻施加在第二記錄層的第二保護層上，且此紫外線硬化樹脂係藉由以紫外光照射而硬化，藉以形成具有75微米之厚度的透光層。因而，可製備出雙層寫入一次式光學記錄媒體。
(儲存可靠度的評估)
如上述所製備之雙層寫入一次式光學記錄媒體係如實例1至5及比較實例1至6中似地被評估。在第一記錄層中，初始誤差率係4.67×10-5 ，且在儲存測試後之誤差率係5.14×10-5 ，而在儲存測試後之誤差率對初始誤差率的比例係1.10，其係令人滿意的結果。在第二記錄層中，初始誤差率係4.11×10-5 ，且在儲存測試後之誤差率係4.36×10-5 ，而在儲存測試後之誤差率對初始誤差率的比例係1.06，其係令人滿意的結果。
依據上述結果，可確定的是，包含二個記錄層且中間層介於其間之雙層寫入一次式光學記錄媒體亦可藉由結合包含ITO做為主要成分之第一保護層與包含TiO2 做為主要成分之第二保護層，而獲得很高的儲存可靠度。同樣地，亦認為很高的儲存可靠度可藉由結合包含ICO或IGO做為主要成分之第一保護層與包含SIZ或STO做為主要成分之第二保護層而達成。
6.第一保護層及第三保護層之生產率的檢查
在第一保護層及第三保護層的材料之生產率的檢查中，係檢查直流(DC)濺鍍的可能性以及突出物產生的程度。保護層是否可藉由DC濺鍍而形成係根據保護層之靶極材料的導電率。具有高導電率的材料可接受DC濺鍍。然而，在不具備導電率的情況中，可選擇射頻(RF)濺鍍。具體而言，可不管材料的導電率而使用RF濺鍍。然而，RF濺鍍的濺鍍速率通常係比DC濺鍍的濺鍍速率更低。因而，當例如，保護層之具有數十奈米厚度的膜係藉由RF濺鍍而沈積時，則該沈積係使用複數個分離的陰極而執行。在該情況中，不僅複數個分離的陰極係必要的，而且RF濺鍍的設施亦係昂貴的，此係因為RF濺鍍設備具有複雜的結構，所以會導致生產率減少的問題，而該問題係由於成本之大量增加所造成。從而，自生產率之觀點而言，DC濺鍍係較佳的。“突出物”之用語意指形成於靶極之表面上的很小凸起。相信突出物係不被濺射的部分，而該部分係源自高電阻物質。當該突出物進一步成長時，電介質崩潰會發生在該突出物周圍，且該突出物會以粒子的形式黏著至屏蔽或碟片。在已黏著此粒子之碟片的部分中，用以導引再生雷射之刻槽覆蓋有該粒子，因而，該部分被視為尋軌伺服失敗(tracking servo failure)之碟片缺陷。當該等碟片缺陷的數目增加時，則停止生產且去除靶極表面上的突出物係必要的，其將變成操作速度減低，亦即，生產率降級的原因。針對此理由，使用其中可抑制突出物之形成的靶材係較佳的。
測試實例19
將添加20莫耳百分比之氧化鎵的氧化銦靶極((In2 O3 )80 (Ga2 O3 )20 ，在下文中稱作IGO20 )附著至由Oerlikon所製造之DVD-Sprinter沈積設備。該沈積設備的真空室係抽空至5×10-7 托(Torr)之壓力。將30sccm之Ar氣體及2sccm之O2 氣體的混合氣體引入至該真空室，以致使沈積壓力被控制成為0.5毫托。隨後，該IGO20 靶極係藉由在2kW之直流(DC)濺鍍而予以濺鍍。使用由Advanced Energy Industries Inc.所製造之Pinnacle plus做為DC電源供應器，且使用具有200毫米之直徑及6毫米之厚度的靶極。此IGO20 靶極可使用於DC濺鍍，且大約7奈米/秒之符合要求的濺鍍速率係如在ITO靶極的情況中似地獲得。在使用30kWh的靶極之後，檢查突出物之產生。在使用30kWh之後的靶極上的非侵蝕部分中所產生之每1平方公分之突出的面積占有比係界定為突出物產生的程度。當突出物產生的程度係0.2或更小時，則該靶極被評估為“A”。當突出產生的程度係超過0.2時，則該靶極被評估為“B”。當突出物產生的程度係0.2或更小時，則可穩定地執行生產直至靶極壽命結束時為止，而無需任何操作。當突出物產生的程度係0.7或更大時，則必須在靶極壽命結束前停止生產並清潔靶極的表面，此導致生產率的減低。此IGO20 之突出產生的程度係0.1，且被評估為“A”，如第7表中所示。此靶極可使用於DC濺鍍，且突出物產生的程度被評估為“A”。因此，所發現到的是，此IGO20 靶極係可提供很高生產率的靶材。
測試實例20
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為添加50莫耳百分比之氧化鎵的氧化銦((In2 O3 )50 (Ga2 O3 )50 ，在下文中稱作IGO50 )之外。如第7表中所示地，DC濺鍍可以使用該IGO50 靶極而執行，且突出物產生的程度係0.2。因此，獲得非常良好的結果。
測試實例21
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為添加15莫耳百分比之氧化鈰的氧化銦((In2 O3 )85 (CeO2 )15 ，在下文中稱作ICO15 )之外。如第7表中所示地，DC濺鍍可以使用該ICO15 靶極而執行，且突出物產生的程度係0.0。因此，獲得非常良好的結果。
測試實例22
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為添加50莫耳百分比之氧化鈰的氧化銦((In2 O3 )50 (CeO2 )50 ，在下文中稱作ICO50 )之外。如第7表中所示地，DC濺鍍可以使用該ICO50 靶極而執行，且突出物產生的程度係0.1。因此，獲得非常良好的結果。
測試實例23
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為添加10莫耳百分比之氧化錫的氧化銦(ITO)之外。如第7表中所示地，雖然DC濺鍍可以使用該ITO靶極而執行，但突出物產生的程度係不良的；0.5。該突出物產生的程度被評估為“B”。當使用此ITO靶極於此生產中，則必須執行若干次去除突出物的操作，直至靶極壽命結束時為止。因此，操作速率減低，亦即，生產率變低。
測試實例24
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為添加10莫耳百分比之氧化鎵的氧化銦((In2 O3 )90 (Ga2 O3 )10 ，在下文中稱作IGO10 )之外。如第7表中所示地，雖然DC濺鍍可以使用該IGO10 靶極而執行，但突出物產生的程度係不良的；0.5。
測試實例25
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為添加5莫耳百分比之氧化鈰的氧化銦((In2 O3 )95 (CeO2 )5 ，在下文中稱作ICO5 )之外。如第7表中所示地，雖然DC濺鍍可以使用該ICO5 靶極而執行，但突出物產生的程度係不良的；0.4。
測試實例26
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為氧化銦((In2 O3 )之外。如第7表中所示地，DC濺鍍無法使用該In2 O3 靶極而執行，且突出物產生的程度係不良的；0.8。
測試實例27
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為氧化鎵(Ga2 O3 )之外。如第7表中所示地，DC濺鍍無法使用該Ga2 O3 靶極而執行。
測試實例28
測試係如測試實例19中似地執行，除了靶材改變為氧化鈰(CeO2 )之外。如第7表中所示地，DC濺鍍無法使用該CeO2 靶極而執行。
第7表顯示測試實例19至28之DC濺鍍的可能性及突出物產生之程度的評估之結果。
如測試實例19至28之結果中所示地，在ITO靶極、氧化鎵含量小的IGO靶極、及氧化鈰含量小的ICO靶極中，突出物易於產生。另一方面，在氧化銦靶極、氧化鎵靶極、及氧化鈰靶極(其均未藉由化合物氧化物所構成)中，DC濺鍍無法執行，因此，濺鍍速率低。因而，生產率易於減低。所以較佳地，第一保護層及第三保護層的材料係化合物氧化物，且較佳地，所添加至該等化合物氧化物之氧化鎵或氧化鈰的數量係15莫耳百分比或更多。然而，太過大量之所添加的氧化鎵或氧化鈰會減低濺鍍速率，因此，減少氧化鎵或氧化鈰的數量至不易產生突出物之程度係較佳的。依照此點，所添加之氧化鎵或氧化鈰的數量較佳地係75莫耳百分比或更小。
請參閱測試實例1至18及測試實例19至28的全部結果，從諸如突出物電阻之儲存可靠度及生產率的觀點而言，在第一保護層及/或第三保護層中之氧化鎵或氧化鈰的含量較佳地係15莫耳百分比或更大及75莫耳百分比或更小、更佳地係15莫耳百分比或更大及65莫耳百分比或更小、且再更佳地係15莫耳百分比或更大及40莫耳百分比或更小。此可由以下之組成化學式表示：
[(In2 O3 )1-x (A)x ]
其中A表示氧化鈰或氧化鎵，以及X較佳地滿足0.15X0.75、更佳地滿足0.15X0.65、且再更佳地滿足0.15X0.40。
本發明之實施例已在上文明確地敘述，但本發明並未受限於以上之實施例，且各式各樣的修正可根據本發明之技術理念而作成。
例如，在上述實施例中所敘述之該等數值、該等材料、該等結構、該等形狀、及其類似物僅係描繪性，且與該等者不同的數值、材料、結構、及形狀亦可依據需要而被使用。
上述之實施例及實例的組態可彼此互相結合，而不會背離本發明之要旨。
在上述該等實施例及實例中，已藉由其中施加本發明至包含單一無機記錄層之寫入一次式光學記錄媒體而予以說明。然而，本發明亦可被施加至具有二或更多個無機記錄層之寫入一次式光學記錄媒體。
在上述該等實施例及實例中，已將本發明係施加至包含無機記錄層及透光層之寫入一次式光學記錄媒體，而該透光層係設置於無機記錄層上，且其中資訊信號的記錄或再生係藉由以雷射光束自透光層側來照射無機記錄層而予以執行的情況描述做為實例，但本發明並未受限於此。例如，可將本發明施加至包含基板及無機記錄層，而該無機記錄層係設置於基板上，且其中資訊信號的記錄或再生係藉由以雷射光束自基板側來照射無機記錄膜而予以執行之寫入一次式光學記錄媒體；或施加至包含彼此互相接合之二基板而無機記錄層介於其間，且其中資訊信號的記錄或再生係藉由以雷射光束自該等基板之其中一者的表面側來照射無機記錄層而予以執行之寫入一次式光學記錄媒體。
在上述該等實施例及實例中，已將寫入一次式光學記錄媒體的每一層係藉由濺鍍法所形成之情況敘述做為實例。然而，本發明並未受限於此，且其他的膜沈積方法亦可予以使用。該等其他的膜沈積方法之實例包含：諸如熱CVD、電漿CVD、及光CVD之CVD法(化學氣相沈積法：用以使用化學反應而由氣體來沈積薄膜的技術)；以及諸如真空蒸鍍、電漿輔助蒸鍍、濺鍍、及離子電鍍之PVD法(物理氣相沈積法：用以聚集在真空中所物理氣化之材料於基板上而形成薄膜之技術)。
在上述該等實施例及實例中，已將本發明係施加至寫入一次式光學記錄媒體之情況敘述做為實例，但本發明亦可被施加至可重寫入式光學記錄媒體。
本發明包含與2010年7月15日在日本專利局中所申請之日本優先權專利申請案JP 2010-161092中所揭示的標的物相關之標的物，該優先權專利申請案的全部內容係結合於本文中，以供參考。
熟習於本項技藝之該等人士應瞭解的是，各式各樣的修正、結合、子結合、及改變可根據設計需求及其他因素而產生，只要它們係在附錄申請專利範圍或其等效範圍的範疇中即可。
1．．．基板
2．．．反射層
3．．．第三保護層
4．．．無機記錄層
5．．．第一保護層
6．．．第二保護層
7．．．透光層
10．．．寫入一次式光學記錄媒體
11．．．不平坦表面
Gin．．．凹槽
Gon．．．凸槽
8．．．中間層
L0．．．第一記錄層
L1．．．第二記錄層
第1圖係概略橫剖面視圖，描繪依據本發明第一實施例之寫入一次式光學記錄媒體的組態實例；
第2圖係概略橫剖面視圖，描繪依據本發明第二實施例之寫入一次式光學記錄媒體的組態實例；
第3圖係概略橫剖面視圖，描繪依據本發明第三實施例之寫入一次式光學記錄媒體的組態實例；
第4圖係圖形，顯示測試實例1至18之寫入一次式光學記錄媒體的抖動率特徵；
第5圖係圖形，顯示測試實例1至18之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度；
第6圖係圖形，顯示實例6至10及比較實例7之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度；
第7圖係圖形，顯示實例11至14及比較實例8之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度；
第8圖係包含於實例15至30之寫入一次式光學記錄媒體的第二保護層中之氧化鋯，氧化矽，及氧化銦(SIZ)之化合氧化物的組成圖；以及
第9圖係圖形，顯示實例31至35及比較實例9之寫入一次式光學記錄媒體的儲存可靠度；
1．．．基板
2．．．反射層
3．．．第三保護層
4．．．無機記錄層
5．．．第一保護層
6．．．第二保護層
7．．．透光層
10．．．寫入一次式光學記錄媒體
11．．．不平坦表面

Claims (12)

  1. 一種光學記錄媒體，包含：無機記錄層；第一保護層，係設置於該無機記錄層的至少一表面上，且包含氧化銦；以及第二保護層，係設置以便鄰接於該第一保護層，且包含氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫，其中在該第二保護層中之氧化鈦的含量係40莫耳百分比或更多且100莫耳百分比或更少。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該第一保護層包含氧化銦和氧化錫的化合物氧化物、氧化銦和氧化鈰的化合物氧化物、或氧化銦和氧化鎵的化合物氧化物做為主要成分。
  3. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中在該第二保護層中之氧化鋯的含量係20莫耳百分比或更多且70莫耳百分比或更少。
  4. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中在該第二保護層中之氧化錫的含量係20莫耳百分比或更多且100莫耳百分比或更少。
  5. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該第二保護層包含氧化鈦；氧化鋯，氧化矽，及氧化銦的化合物氧化物；或氧化錫和氧化鉭的化合物氧化物做為主要成分。
  6. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該第 二保護層具有2奈米或更大且10奈米或更小的平均厚度。
  7. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該第一保護層包含化合物氧化物做為主要成分，而該化合物氧化物包含氧化銦，且該化合物氧化物係由[(In2 O3 )1-X (A)X ]表示，其中A代表氧化錫、氧化鈰、或氧化鎵，且X滿足0.05X0.75。
  8. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該第一保護層包含化合物氧化物做為主要成分，而該化合物氧化物包含氧化銦，且該化合物氧化物係藉由[(In2 O3 )1-X (A)X ]表示，其中A代表氧化鈰或氧化鎵，且X滿足0.15X0.75。
  9. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該無機記錄層包含ZnS、SiO2 、及Sb做為主要成分。
  10. 如申請專利範圍第9項之光學記錄媒體，其中該無機記錄層進一步包含選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、及Tb所構成之群組的至少一元素。
  11. 如申請專利範圍第10項之光學記錄媒體，其中該無機記錄層具有滿足化學式(1)的組成：[(ZnS)x (SiO2 )1-x ]y (Sbz X1-z )1-y ．．．(1)其中0<x1.0，0.3y0.7，及0.8<z1.0，且X係選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、及Tb所構成之群組的至少一元素。
  12. 如申請專利範圍第11項之光學記錄媒體，其中該無機記錄層具有3奈米或更大且40奈米或更小的平均厚度。
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