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TWI292678B - Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht - Google Patents

Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht Download PDF

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TWI292678B
TWI292678B TW094123978A TW94123978A TWI292678B TW I292678 B TWI292678 B TW I292678B TW 094123978 A TW094123978 A TW 094123978A TW 94123978 A TW94123978 A TW 94123978A TW I292678 B TWI292678 B TW I292678B
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TW
Taiwan
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electrode
light
additional layer
organic
Prior art date
Application number
TW094123978A
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English (en)
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TW200607388A (en
Inventor
Birnstock Jan
Vehse Martin
Romainczyk Tilmann
Original Assignee
Novaled Ag
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Filing date
Publication date
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Publication of TW200607388A publication Critical patent/TW200607388A/zh
Application granted granted Critical
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Description

1292678 九、發明說明: 發明所屬之技術領域 發光具有申請專利範圍第1項之特徵的頂部 mm牛’以及一種按照申請專利範圍第20項之 式製心種71部發光f激發級件的方法。 先前技術 ,對於此夠快速將數據以可視方式顯示 且體積更小、更不佔办pq、舌3击土一 抑 間重1更輕、以及成本更低的發光 而且這種顯示器不僅造價很低,同時還具祕《相對較低 的優點。由於有機發光二極體(qLed)的具有工作電壓較 低、能源使服輪高、以及_婦造成可赠射出任何 权、、且及顯Μ的需求持續上升。目前筆記型電腦、行動電 及數位1機所使用的平面顯示器仍以液晶顯示器 ’、、、主可讀晶顯示器具有若干缺點,例如其顯示的 對比度及顏色受視角的影響很大、圖像及對比度更換時的動 作缓慢、以朗鍵衫㈣波It及極化n造成·能低落 等缺點’因此為了達到所f要的亮度就必須投人相對而言較 多的電能。因此各界對於顯示效果更佳、小型、高解析度、 而且省電的彩色顯示11的需求是十分大的。使用以有機發光 二極體(OLED)為基礎的顯示器是液晶顯示器(lcd)之外的 另外種4擇’这疋因為有機發光二極體(〇LED)本身是由 發光像素所構成’因此不會有任何f景照明。例如可以用有 機發光二極體(OLED)製成厚度很薄且具有彈㈣顯示器, 1292678 顏色的平面發光組件等優點,因此有機發光二極體(0LED) 也適於用來製造照明元件。 有機發光一極體(OLED)的發光原理為電激發光,所謂 電激發光是指因為電子空穴對(也就是所謂的激子)復合而 發出光線。為達到發光的目的,有機發光二極體(〇LED)的 結構被設計成一種三明治結構,這種三明治結構至少有一層 被設置在兩個電極之間作為激化材料的有機薄膜,當正電荷 及負電荷會被注入激化材料,電荷就會從空穴及/或電極移 • 轉到有機層中的一個復合區,電荷會在這個復合區復合成單 譜線激子及/或三重譜線激子,並放出光線的。接下來激子 發出光線的復合會導致可見的有效光的發出,也就是從發光 二極體被發射出去的可見的有效光。會了使這個光線能^離 開發光組件,至少有一個電極必須是透明的。這個透明的電 極通常是由可導電的氧化物構成,這種氧化物稱為透明導電 氧化物(TCO : transparent conductive oxides)。基片的製造是 製造有機發光二極體(OLED)的出發點,因為構成有機發= _ —極體(OLED)的每一個構造層都是依序設置在這個基片 上。如果靠近基片的電極是透明的,則這種發光組件稱為,, 底部發光有機發光二極體(bottom-emission-OLED),,,如果另 外一片電極(離基片較遠的電極)才是透明的,則這種發光組 件稱為”頂部發光有機發光二極體(top_emission_〇LED),,。如 果介於基片及至少一層有機材料層之間的電極(就是靠近^ 片的電極)及離基片較遠的電極都是透明的,則這種發光^ 件稱為,,全透明有機發光二極體”。 & '、、 6 1292678 如前麻’在發光_的區或發射光線是 由電子及空穴的發光重合的激子狀態*產生的。有機發光二 極體的不同的構造層(例如透明電極及至少一個有機層)通 常具有不同的折射率,由於材料特性的關係,這些構造層的 折射率都大於1。由於在有機發光二極體内各構造層之間的 臨界面及/或在有機發光二極體及空氣之間_界面上可能 會出現全反射的情況’因此所產生的光子並不是全部都能夠 離開有機發光二極體而成為光線。此外,所產生的一部分光 馨 線會在有機發光二極體内被吸收。前句提及的全反射除了會 造成外部模式的傳播外,有機發光二極_構造方式也可能 導致光學基片模式及/或光學有機模式的傳播(也就是說光 線在基片、透明電極及/或至少一個有機層中傳播如果靠 近基片的電極是不透明的(頂部發光有機發光二極體),則除 了外部模式外,只可能在至少一個有機層及/或離基片較遠 的,極内產生合稱為總有機波的傳播^只有外部光學模式會 被觀察者視為光線,雖然外部光學模式佔有機發光二極體内 鲁產生的總發光量的比例會隨著有機發光二極體的構造方式 所不同’但是均小於2G%。因此有必要設法提高内部光 予榼式(也就是有機模式及基片模式)從有機發光二極體輸 出耦合的比例,以盡可能提高有機發光二極體的發光效率。 古截至目前為止已經有許多方法和設計方式被提出,以提 :輸,輪㈣合的效率’這些方法和設計方式大都是針對底 刹天光有機發光二極體而提出,目的是提高光學基片模式的 矜出麵 s。例如 I· Schnitzer 在 Appl. Phys. Lett.,Bd. 63, 2174 I292678 ' ^作用’會使光子在錢層㈣缝導損失而㈣獲的數 里^於在均質有機層内被擄獲的數量。 Λ 、除了上述利用有機激化層内材料本身的不均勻性的方 • &外’還有一種方法是在有機電激材料中加入異物(小至納 米級的微粒)’以避免在有機層⑽生波導效應,例如S.A. Carter et al·在 Appl. Phys Lett, Bd 7ι(ΐ997 年)一篇名 ^ "Enhanced luminance in polymer composite light emitting φ 的論文中提出的方法。例如可以用Ti02、Si02、或 是A1203來製作這種小至納米級的微粒,再加入聚合物發 光材料(例如MEH-PPV)中。 除了底部發光有機發光二極體外,由於頂部發光有機發 光二極體在特殊應用上也具有本文開頭提及的優點,因此^ 重要性也與日倶增。如果兩個電極和基片都是透明的,就可 以製造出整個都㈣發光的電激發光組件,也就是說可以製 造出向上及向下都可以發光的有機發光二極體。如果基片: 須和頂部發光有機發光二極體的基片-樣不能是透明的,則 除了玻璃外,有許多材料也都可以作為製作基片的材料,其 中有些材料可以使發光組件具有彈性,也就是說成為可以彎 曲的發光組件。此外’在這―類的頂部發光電激發光發光組 件中’也可以用金屬薄膜、石夕晶圓、或是其他具有石夕製電子 元件的基片及印刷電路板作為基片。 發明内容 本發明的目的是提高在前面提及之頂部發光電激發光 1292678 組件的至少-财機層缝生的紐的輸出_合效率。
具有本發明之申請專糖圍第1項之特徵的發光組件就处 夠以-種極為簡單的方式達到上賴目的。本發明提出= 部發光電激發光組件(尤其是製作成有機發光二極體袭置的 發細件)具有—個基片、—個#近基片的第—個電極… 讎基Ji較遠的第二個電極、以及至少—個位於兩個電極之 間的發光有機層’從個發林機層發$的光線是穿透第二個 黾極叙射出去。本發明的這種發光組件的特徵是,在第二個 電極f至少—個有機層較遠的那—面上另外設置-個附加 層,這個附加層含有具光散㈣㈣異質(尤其是製作成散 射中。之形式的異質),且這個附加層的透光率大於〇6 加層的透光率r是以r = e-㈣的公式計算而得,其中表 吸收係數,d代表附加層的厚度。 乂 、本發明提出的頂部發光電激發光組件可以達到很好的 改善效果’最高可以將光線的輸出_效率提高4倍(實際數 料見所採㈣實施方式而定)。此外,除了前面提及的功能 外,附加層還可以具有其他的功能。 一本發明的基本構想是在第二個電極離有機層較遠的那 :面上設置—個輸㈣合層,這個輸㈣合層的作用是影響 教生在有機層及透明電極⑽光學駐的散射,以提高輸出 I馬合效率。這铺出_合層之所以具有這個效果是因為含有 具光散射仙的異質,崎麵―解致光贿意方式被 偏轉這些異質能夠造成光線的散射及/或繞射,而且這種 光子作用不只會發生在輸㈣合相,也會發生在輸出搞合 Ϊ292678 層的δ?σ界面上,尤盆e雜带 這些異質的,丈射及Μ结/極較遠的那個臨界面上。此外, 固有特性或非固“性"產以經由輸出輕合層本身的 以防止在有機層及/或接觸層:形殊結構可 的先線就會_合人外部模式。輪必=大部分 防止過多的光線在附加層内被吸收 ^和透明的,以
需使用透光率大於0.6的輸出 2明人發現只 件能夠發出更多的光線。胃口層即了使本發明的發光組 中的的實施方式均記載於申請專利範圍 合層)可《緊靠在第二: ί第也與第二個電極至少間隔-定的距離。如果= 構成一個共同的臨界面及/或彼此連結^ =,就曹使有機模式能夠以很好的效率輸入柄合到附加声 二:應用場合中,也可以使附加層設置與“ 出的光線的距離’不如個距離應略小於發光組件發 约㈣達顺別高的輸㈣合效率的實施方式是以 句勾刀佈的方式將具有光學散射作用的料設置在附加層 内’且廷些作為散射微粒用的異f的尺寸介於G脚m至 ,100/ζΊ。_尺寸的肺絲可叫料會發生散射 月/ €隨光線波長變化的Rayleigh散射(散射強度與"又々 成正比)。如果使用尺寸大於⑽,的散射微粒,則光線沿 1292678 著散射方向前進的被吸收率會大幅提高,這種現象的 隨光線波長變化的散射現象—樣都是。林發: 所谓的”散射微粒”是指位於附加層内尺寸介於〇 〇 $ ^ ㈣之間且所造成散射係米氏散射(也就衫會隨= 的波長而變化的散射)的所有微粒或區域。 、良 此外,也可以將财光學騎作 罐較遠的表面上,且這些作為散:中 的尺寸介於〇.〇5"m至100/zm之間。 h、貝 另外-财利的實施方式是將上面提及的異 =附加層内及附加層的表面上,以產生效果更好的輪出: 極的厚度以弱’第二個電 =,加層的的輸二光 施方式是使附加層的折 間且取#_加層的 X録電極之 實施方式則是將第二個電極的另牛外;'種特別有利的 度。 幻与度進一步降到40nm的程 於第二個電二: =的貫施方式是,附加層的折射率大 在第二個電極和附加居二ϋ線攸電極進入附加層時, 是介於1.6 =之Γ介於U至2.3之間為佳,且最好 被輸入輕合到輸出樣有機模式就可以全部或大部分 ☆ 12 1292678 原則上也可以將本發明的輪出耦合層設置在具有多個 有機層的頂部發光電激發光組件上。如德國專利DE 1〇2 15 21〇 A1提出-的-種有利的方式是除了設置在兩個電極之 間的發光有漏外,糾再設置其他的有機層。在非反相結 構的情況下,這種發光組件的構造通式如下: L基片; 2·第一個電極,空穴注入陽極; 3·Ρ型摻雜的空穴注入及轉移層;
4.报薄的空穴财間層,這辦間層是由—種最高佔用分子 軌道(HOMO . highest oeeupied moleeule Grbital)的能級能 夠與周圍其他構造層之構成材料的最高侧分子執道的 能級配合的材料製成; 5·發光層; .很缚的電子侧中間層,這個中間層是由一種最低未佔 子軌道(LUMO: l0west un_pied __ __ ⑽ 能夠與周圍其他構造層之構成材料的最低未用分軌道 的能級配合的材料製成; 1返 7· η型摻雜的電子注入及轉移層; 8·第二個電極,電子注入陰極。 在反相結構的情況下,這種發光組件的構造通式如下: 1. 基片 · 2. a) 3. a) 4. a) 第一個電極,電子注入陰極; η型摻雜的電子注入及轉移層; 很薄的電子側中間層,這個中間層是由一種最低未佔 13 1292678 用刀子軌道(LUMO : lowest unoccupied molecule orbital)的能級能夠與周圍其他構造層之構成材料的最 低未用分子執道的能級配合的材料製成; 5· a)發光層; 6.a)很薄的空穴側中間層,這個中間層是由一種最高分子 執道(HOMO : highest occupied molecule orbital)的能級 旎夠與周圍其他構造層之構成材料的最高佔用分子軌 道的能級配合的材料製成; _ 7.a) p型摻雜的空穴注入及轉移層; 8· a)第二個電極,空穴注入陽極。 一 ^德國專利DE 102 15 210 A1所述,空穴轉移層可以和 種5:主型有機材料形成P型摻雜,電子轉移層則可以和一 ^施主型有機材料形成η型摻雜。此種摻雜可以提高轉移層 (工八轉移層及電子轉移層)的導電度,因此經過摻雜的轉移 層的厚度可以大於未經摻雜的轉移的厚度(通常是2〇啲至 4〇nm之間)’而且不會導致卫作電壓大幅提高。因此,在發 • 練件為非反相結構的情況下…種有利的實施方式是在附 加層及激化有機層之間要另外設置—個有機層,這個另外設 置的有機層是一個與一種施主型有機材料形成η型摻雜的 電子轉移層,厚度介於5G腿至2/zm之間,尤其是介於 lOOrnn至i_nm之間;在發光組件為反相結構的情況下, ^種有#】的—方式是在附加層及激化有機層之間要另外 。又置個有機層’這個另外設置的有機層是一個與一為 型有機材料形成P型摻雜的電子轉移層,且厚度介於^咖 1292678 至2//m之間,尤其是介於lOOnm至l〇〇〇nm之間。當然, 除此之外’依據前面提及的本發明的發光組件的結構通式, 在附加層及激化有機層之間還有設置一個電極及在必^時 還可以設置一個閉鎖層。 為了說明的完整性,此處必須指出,依據不同的實施方 式(反相結構的情況及/或非反相結構的情況)本發明的發光 組件並不是一定必須具備前面提及的所有的構造層,此外, 也可以另外設置其他的構造層,例如另外設置—個很薄的 (厚度小於IGnm)位於電子轉移層及陰極之間的接觸改良 層’及/或另外設置-個很薄的(厚度小於1〇nm)位於陽極及 空穴轉移層之間的接觸改良層。對於接下來的製造步驟而 吕、’尤其是賴置緊靠在第二健極上或是位於第二個電極 11層的步驟而言’一件报重要的事是在發光有 ^層及輸_合層之間設置—錄厚的經摻_電荷轉移 ^護ϋ錢作喊輸峰合層時為發光錢層提供足夠的 作為輸出輕合層用的附加層的厚度應介於〇至 1000/ΖΠ1之間,尤其是介 另外一種有刹3 _至100_之間。 的輸出耦人^ 貫施方式是’附加層不僅能夠提高光線 護為設置她之間的構造層提供保 如口/錄子輻射)二!_機械荷载、電磁輻射、粒子輻射(例 了原有的功能外,附氣 '及/或化學藥品的影響。除 或保護的魏,這^=能触由這種方式提高—種封裝 ;在顯示器上的應用尤其重要。 15 1292678 將附加層設置在第二個電極上的工作可以經由一種或 =已知的技術來完成。例如,可以利用濺射技術、以結晶 生長技術、或是非晶形生長技術將附加層設置 土。不^使用何種技術,唯—的先決條件是,附㈣須5 釗面提及能夠提高光線輸出耦合效率的的異質。 1為了將附加層設置在第二個電極上,一種有利的實施方 式是使附加層具有一種能夠溶解並在其中加入非固有光學 激化異質的基材。這種基材可以具有一種内含非固有光學激 參化異質的光刻膠。另外一種可行的方式是將光刻膠的表面打 毛,這樣就可以將具有光學作用的異質設置在表面上。 也可以視應用場合的需要選擇使用内含固有光學激化 異質的附加層,例如内含彼此分開的不同相位的附加層,或 是有空穴的附加層。為了使這些異質能夠使光線形成米氏散 射,其尺寸應介於之間。 為了達到本發明的目的,本發明還提出一種製造頂部發 光電激發光組件的方法,尤其是一種用於製造有機發光二極 • 體裝置的方法,這種方法是設置一個靠近基片的第一個電 極、一個離基片較遠的第二個電極、以及至少一個位於兩個 電極之間的發光有機層,而且為了使光線能夠透射出去,第 二個電極必須是透明的。這種方法的特徵是··在第二個電極 離至少一個有機層較遠的那一面上設置一個含有可以使光 線發生散射的異質。這個附加層可以利用一種或數種已知的 技術被設置在第二個電極上,尤其是可以利用濕式化學法將 附加層設置在第二個電極上。可以用一種以濕式化學法混合 16 1292678 特定尺寸之散射微粒的基材來製作附加層。為了製作 便,遥可以在這種基材中加人適當的溶劑 有助於以濕式化學法形成附加層的作 方此外,加八1分散 基材料喊生_為散射微粒
二重很簡單且有利的方法是將構成附加層 層法或疋粘貼法將附加層設置在第_、、宜 加層的薄膜含有作為散射中心的=㈣極上,這種構成附 此外,也可以利用濺射法、結晶生 或是電漿加強式化學氣相沉積_咖;pi繼=»法、 吐⑽cal vapor desp〇siti〇n)將 anced 經由這種方法可以用結晶、非晶形、或是::=。 加層。-種特別有利的方式是,如 ^二〜成附 附加層,則應選擇有利 ^ :目—方式形成 :,成嶋峨組二:::及:以 *為了製作出成密度較高的光學作用 ::可以將具有不同栅流常數的不同的材料基/上 的目的是強化聚晶生長及/或位_ 此又去。讀做 以同時被驗上去,也ml個材料可 種方式製作的附加居是由I二上去’因此以這 另外一種有成㈣膜所構成。 上去或蒸鐘上1=方;是:,加層的材料機射 ^成附加層,而且在此程中,構成光學異 S ) 17 1292678 質的材料是以冷喷霧法被注入附加層。 另外一種有利的實施方式是將一種自尹曰 ΐί曰的有=蒸鑛上去以形成附加層。這個二‘會^ 結晶化的聚晶及因此而產生的光學異質,以及在第二; 的不同_峨《,非晶形),這些不_她;^ 或f成前面提及_射^蒸财機相方式形成附 ==:容易就可以將這些有機層設置在有機發光 極體社構上,而且不會對有機發光二極體的結構造成任 崎㈣合層的卿枝致和有機發光二極體的 斤射率相r ’不過這對於頂部發光组件而言是可以接受的。 如别面所述,—種有利的方式是先設置—個厚度介於 的3 ί^°°Γ之間且具有有機物摻雜的轉移層,這樣做 置利用熱蒸鐘或轉的方式將附加層設 對irr方且很薄的接觸層(翻電極)上,而且不會 ^先有機層造成任何損害。另外—種有利的方式是應用内 層因為與繼生編=層,鳴光組件的有機 成附利的實施方歧以濺射或蒸㈣方式將構 附加:日如」4十及構成散射中心的材料輪流加上去,以形成 月r依據材料的性質個別選擇最理想的蒸 所有這種實施方式可以用相同的蒸鑛或錢鑛 處種材料’也可以用不同的蒸鍵職方式來 如前面說明過的,也可以在附加層離第 •個電極較遠的 ^92678 =表面上形成光學異質。例如以刷子刷、研磨、 =影等方法射以在_層的表面上形絲㈣質: 谢法讎刪咖轉科= 且有=過長茶數。揣用此種實施方式時,輸出輕人^ 的磨附…—要求。I::::方== :的刷子刷等,都是以不均勻的方式去除從輪出耦人 在』的ΐ:Τ;^Γ固微結構的印章按厂堅 耦合層的材料材久變形,就是導致輸出 -種有利的方:輸出輕合效率的目的。 層上的作用力主要是沿著 4中’經由印章作用在附加 合層之下的有機發光二_^層分佈,以免損及位於輸出麵 就可以達到這個目的。I /、要印章具有適當的構造方式
另外* ^種有利的方A、H 形成結構化表面的印章使這個用來按壓附加層表面以 可製作出這種印章。、波浪狀的圖案’例如以微影法即 另外一種有利的實施 附加層上形成一個結構化表式是以微影法或篩網印刷法在 一種能夠對有機發二7。 〜11體提高很好的保護效果的作 19 1292678 _ 業方式是先將附加層製作成薄膜,然後再以疊層法或粘貼法 將薄膜設置在發光組件上。 實施方式 第1圖顯示一種傳統型頂部發光組件(100)的基本構造 ,作用原理。在這個例子中,較靠近基片(11〇)的電極(12〇) 疋作為一個反射光線用的金屬層。在以下的說明中將稱讚電 # 極(120)為第一個電極。在第一個電極上設有數個有機層, 在第1圖中將這些有機層統稱為有機層結構(13〇)。這個有 機層結構(no)至少含有一個有機電激發光層。在有機層結 構(130)之上設有一個以透明材料(例如一種可導電的氧化物) 製成的第二個電極(14〇)。 如果在這兩個電極之間加上一個電壓,則電荷就會被注 入位於兩個之_有機層,也就是說電子會從—個電極 自接點流出及空穴會從另外—個電極流出並共同注入位於 _ 兩個電極之間的有機層,因而在激化區復合成電子空穴對, 亚發出光線。第1圖中的數字(131)代表—個發光點。如第! 圖的箭頭所示,光線會從這個發光點傳播出去。從第】圖中 可看出’光線在兩個層之_臨界面上會發生反射或是進入 下-個層。停留在發緣件,也就本例中停 留在有機層結構(130)及/或電極(14〇)内的光線稱為有機模 式’離開發光組件的光線(EM1 ’ EM2刪與為外部模式。由 於有機層對於在有機層内產生的光線的吸收係數並不等於 〇,因此這些光線在傳播的過程巾會在朝有機層的縱向方向 20 1292678 上被吸收 為了達到這個目的,本發明提出的方法是=出=;。 =置一個附加層(亦稱為輸出 cm,異料是設置在輸㈣合㈣就是設二 =52 第2圖顯示本發明之頂部發光組件的 夷===基本構造及作用原理。由於有機層的數量多 發脑SiE不重要,因此第2 _仙有機層 的的f機層。如圖2所示’在作為背板(backpl㈣ (120),有機層結構_設置在電極 戶Λ内^ (通常是在可見光範圍内的光線)就是在有機 二二ω 。位於有機層結構(13〇)之上的是第二個電 _,則是設 出的附加層⑽),也歧輸出搞合層 內妙古H ¥ —個電極(140)之上。在這個附加層(150) 本二ϋ、:於I11"至1(K)"m之間的散射微粒(151)。在 ’所有微_尺寸都大約是綱咖。 ^以料同的方式(視實施方式而定)製造㈣2圖顯示 、毛明的發光組件。例如以印刷(油墨射流印刷法、筛網 ^刷^車人1·生印刷法、塞子印刷法、高壓印刷法、低壓印刷 /、’版印刷去、壓通印刷法)、刮墨、自旋塗層、浸潰塗 曰旋轉k層嗔灑等濕式化學法將輸㈣合層^置在第二 @電極上以上逃方法製作的輪出耦合層有些本身内部就含 1292678 質因此不需另外加入任何添加物,有此 要添加散射微 n J以先將政射微溶解在溶劑中。 =製!?會用到不列材料中的一種或數種(視 以方式^),在製作過針,這些材料是作為溶劑、乳 劑、、及/或分散劑之用,並在被塗在有機發光二極體上之後 構成輸_合層材,例她由將溶継發的方式(硬化 被鑛在有機發光二極體上:
-?《合溶解,例如溶解在有機溶液中的聚氟化物溶液或聚苯 乙烯溶液,例如二曱苯(Xylol)、甲苯(T〇lu〇1)、苯甲輕 (Anisol)、三甲基苯(Trimethylbenz〇i)等芳香類的溶劑。 -以有機非聚合的塗層構成材料製成的溶液,例如有機玻 璃溶液,例如溶解在芳香類溶劑(例如曱苯)中的鄰_聯三苯 (Ortho-Terphenyl)或 1,3,5-三-α -萘基 _ 苯(1, 3,5-Tri-alpha-Naphtyl-Benzol); -在被塗上去後聚合化的單體或是單體的混合物(例如甲基 丙烯酸甲酯(Me thy 1 me thacry 1 ate)或烯丙基二乙二醇碳酸 鹽(Allyldiglycolcarbonat)),或是在被塗上去後經加熱、化 學處理、或是光激發被聚合的單體的衍生物; --在被塗上去後經加成聚合而連結在一起的單體或單體的 混合物,例如聚合碳酸鹽; —光學粘劑; ―光刻膠; -透明或半透明的粘著劑,例如化學硬化粘著劑(例如雙成 22 !292678 ,的jfe著劑)、熱硬化粘著劑(例如丙烯酸鹽或環氧樹脂)、或 疋务、外線硬化粘著劑(例如丙烯酸鹽或環氧樹脂); 一透明的熱塑性塑膠,例如底密度聚乙烯、聚合碳酸鹽、 以及氨基甲酸酯(P〇lyUrethane); -熱固性塑膠,例如酚醛樹脂(phen〇lharze)或三聚氰胺樹脂 (Melaminharze); —以聚丙烯酸醋、聚乙烯醇、或是聚醋酸乙烯酯配製成的 含水乳劑、有機乳劑、或是氟化有機乳劑; _ ~,漆’例如醇酸樹脂漆、梢化纖維素漆、雙成份漆(例如 聚氨基甲醋漆)、可加水稀釋的漆、人造樹脂漆、以及丙烯 酸漆; -膠原蛋白,例如明膠、赛璐玢(Zell〇phan)、或是赛璐珞 (Zelluloid); -聚合物分散劑,例如溶在水中的二氧化鈦微粒及聚醋酸 乙烯酯; -以無機材料配製的溶液或分散劑,例如鹽溶液 φ 視所應用的基質材料,可以從許多可能的組合中選擇散 射微粒’例如: —無機微結晶(例如鹽結晶)、金屬氧化物(例如矽酸鹽)、藍 寶石微結晶、Mg〇、或是si〇2 ; -無機微結晶(例如碳氫化合物)、結晶化的聚合微粒(例如 殿粉)、纖維素或合成聚合物(例如聚醯胺(Polyamide)、聚 _3,4_乙烯二經噻吩(pED〇T):聚(苯乙烯磺酸鹽(pss)結 晶)); 23 1292678 —氣相一氧化梦(Aerosile); -無機非晶形材料,例如石英)(si〇2); -納米級的微粒; -聚合物的粉末,例如聚合碳酸鹽、聚醯亞胺、聚酯、聚 乙婦(PE)、聚丙烯(pp)、聚醚、榮光聚合物、聚醯胺、以及 聚醋酸乙烯酯; -非聚合物的粉末,例如有機材料(例如芳香族物質)、脂肪 族物質、以及雜環物質; • 二,泡,例如以惰性碳氫化合物(戊烷)、惰性氣體(氬氣)、 氮氣、二氧化碳、基材溶液的FCKW等氣體產生的氣泡; -氣泡,例如經由在基材溶液内發生的化學反應產生氣態 的反應產物(例如二氧化碳或氮氣)。 此外,在一種圖式中繪出的實施方式中也可以利用乾式 法以堆疊方式成附加層。在這種實施方式中,在製作堆疊用 的薄膜雜要將前φ提及的光學異質加到薄動,前面提及 的^有基質材料及其與前面提及的各種散射微粒的組合只 _ 要是雜進行堆疊作業就可以被加人薄助作為光學異 質。例如將氣相二氧化石夕(Aerosile)微粒加到聚醋酸乙稀醋^ 成的薄膜内’然後再將這種薄膜堆疊在頂部發光的有機發光 二極體上。另外一種可行的方式是將薄膜粘貼在頂部發光的 有機發光二極體上。-種有利的方式是讀轉來進行枯貼 由薄膜構成的附加層的玉作,其中雙师的—個面是和附加 層薄膜接觸,另外-個賴是與發光元件接觸,尤其是與一 個電極接觸。 ’、^ 24 1292678 本發明之頂部發光電激發光組件的另外一種等級的附 加層是可以下列方法中的任一種方法製成:濺射、物理氣相 沉積法(PVD ·· physical vapor deposition)、化學氣相沉積法 (CVD : chemical vapor deposition)、電漿加強式化學氣相沉 積法(PECVD : plasma enhanced chemical vapor desposition)、 分子光外延法(MBE ·· molecular beam epitaxy)、金屬有機蒸 汽壓力外延法(MOVPE ·· metal organic vapor pressure epitaxy)、或是有機氣相沉積法(ovpd : organic vapor phase deposition)。在應用這些方法時通常會使用以下的材料: -金屬氧化物,例如二氧化矽(Si〇2)、氧化矽(ZnO)、二氧 化锆(Zr02)、氧化鋁(A1203)、氧化銦錫(ΓΓΟ)、氧化銦辞 (IZO)、二氧化鈦(Ti〇2)、氧化鎵(Ga203); -能帶間隙較大的二元半導體化合物,例如Π4ν族及ΙΠ 族氮化物化合物及其化合物半導體; -有機層(例如經蒸鍍再聚合化的單體),例如曱基丙烯酸甲 酯(ΜΜΑ)或丙烯酸; -由小分子構成的有機層,例如芳香族物質、脂肪族物質、 雜環、酮類物質(例如四二苯胺螺二芴(螺_tad)、三咔唑基 二本胺(TCTA)、鄰菲羅林(Bphen))。 除了可以讓屬於可見光波長範圍的光線透過之外,以上 用於製作附加層的大多數材料的另外—個特徵是其折射率 大於或等於有機層的折射率。這有助於在激化有機層内產生 的光線輸人耦合到本㈣之發光組_加相,並穿過 中心離開發光組件。由於這些用於製作附加層的大多數材料 25 1292678 都可以讓屬於可見光波長範圍的光線透過,但是對屬於紫外 線波長範圍的光線卻具有很高的吸收率,因此以這些材料製 成的附加層不僅可以保護有機層免於濕氣及空氣的影響,也 可以使有機層免於受到紫外線的破壞。 在濺射金屬氧化物時,例如在利用濺射方法以IT〇製 作透明電極或是濺射二氧化矽製作附加層時,發光組件的有 機層都可能會因為與電㈣用或是受到外力衝擊而受損。因 ,在利用此類方法製作附加層時應使用一種不反應的惰性 氣體,例如氬氣,此外還可以將二極體最上—層的^機^製 作%•特別厚’續對二極體的發光有機層提供保護作用 3:‘Τ=Γ210Α1提出的方法利用摻雜 挺间-極體取上-層的有機層的導電性,以防止 個有機層時發生過大的電壓降。二極體最上 (也稱為轉移層)的厚錢常在觸η ^層 度視實際的實施方式而定)。在後面的加 在機射透明電極及域濺_加層時 二疋
層都可以為錄其下方驗財機層提餘護^度的轉移 在本發明的另外—種有利的實施方式中 ,(例如znSe或GaN)是從氣相中被沉積出來乍由二層的 讀方法不需用到氣體魏因此對二極體^ ^於這種 外,會比前面提及的製作方法小很多。這種=成的 t真空熱蒸發的方式將製作附加層的㈣㉞^方法是 上。以ZnSe作為製作附加層的材料時, =明電極 _至_之間。在熱蒸發過程中發;組 26
1292678 隔一段足夠的距離,以刼 成不良影響。當然,在對有機層結射的有機層造 且經過摻雜哺卵# ^㈣造方树,具奴夠厚度 影響。胁層亦有助於減少熱輕射對有機層的不良 發光組件的表面不夠會被自動執行。由於 :單:顧膜,但由於熱力工會 長晶芽就會長成—個封t 段時間後,這些生 /、 &些⑽界限尤其會大量έΗ現在生長方向 上’而且會對進入附加層的光線造成很好的散射作用。另外 -種有助於將附加層(輸_合層)分解成單—的微晶區域 的方法是雛蒸料關IWV騎料(例如ZnSe及⑽) 或πι族氮化物(例如GaN及A1N)。由於這些材料具有不同 的栅流結構,因此適於在分離的結晶區域結成塊狀,而且這 些材料的折射率也各不相同,因此可以形成散射率特別好的 光學異質。 以濺射金屬氡化物產生輸出耦合光線的實施方式會形 成一種完全非晶形的薄膜。另外一種實施方式是以輪流濺射 附加層材料及利用喷霧法塗上金屬微粒的方式使散射微粒 進入附加層。這種冷喷霧法是將一種作為散射中心的金屬粉 27 1292678 末(例如銅粉)喷入附加層内。另外一種實施方式是以輪流將 附加層材料及一種金屬(例如銅)濺射在發光組件上的方式 形成附加層及其所含的光學異質。使用這種方法時,濺射金 屬的時間要設定的很短,以便只能形成金屬團,而不會形成 會過度吸收光線的金屬膜。 在以蒸鍍方式形成輸出耦合光線用的有機層的實施方 式中,可以利用濺鍍法或冷喷霧法將散射中心加入附加層, 也就是將微金屬粒或金屬氧化物争作為光學異質加入附加 • 層。本發明的另外一種實施方式是以蒸鍍方式將半導體化合 物串蒸鍍到有機層之間。在本發明的另外一種實施方式中, 為了在輸出耦合層内形成散射中心,故選用本身會以結晶方 式被析出的有機材料。視實施方式的不同,可以用樹脂質瀝 青(Antracen)、酞菁配位基(Phthalocyanine)、聯三苯二胺 (TPD)、花四羧-二酐(PTCDA)、或是鄰菲羅林(Bphen)為 材料來製作本發明之發光組件的附加層。 此外,本發明還有另外一種實施方式是先以蒸鍍方式設 φ 置有機層,然後再照射紫外線產生聚合作用以形成附加層。 同樣的,這種實施方式也可以利用冷噴霧法或金屬賤射法將 被金屬粒或金屬氧化物串加入附加層内作為散射中心。本發 明的另外一種實施方式的附加層是以曱基丙烯酸曱^ (MMA)製成,這種材料在加入散射微粒後經紫外線照射會 聚合成普蔡克西玻璃(PMMA : —種有介電性質的有機玻 璃)。這種將附加層進行聚合化的作法的好處是附加層不會 因為加入散射微粒而受損。 28 1292678 在第 :輪:合加·含有光學異質=發::: 除了以上描述的實施方式外,也可 在發光組件的附加層的表面上,此種方式使㈡= 尺寸介於50nm至l〇〇nm之間。原 予彳、質的 均可作為製作此種構造方式之發光組件:附 面提及的所有製作薄膜的材料亦均可 ^、材科,刚 式之發光組件㈣蹄料,以轉=種構造方 沉積、以及蒸鍍的材料亦均可作為此、用於濺射、 的濺射、沉積、_的材料。附力件 =:=方法來完成,視不==經 =包來:成本發明之發光組件的輪出輕合層的表面 _-用帶有微結構的印章蓋印 -對以有機玻璃製成的附加層進行噴砂處理 —用刷子刷 -研磨 第3圖a/b)顯示本發明之頂部發光電激發光組件的一 種貫=方式,其輸_合層距第二個電極㈣的表面被結構 化。苐3圖a/b)中的基片⑽)、第一個電極(12〇)、有機層 結構_、以及第二個電極⑽)均與$2_示完全相同。 從第3圖a顯示的側視圖可以看出,在這種實施方式中 29 1292678 層(152)表面的結構化是由依序均句排列的對稱溝槽 (152)所形成。在第3圖a _的實施方式中,這種表面社 構是以刷子在附加層上沿著垂直於圖_方向刷動而產 :。在-種未在圖式中繪出的實施方式中,可以將附加層的 ,面結構製作成凸起或凹陷的形狀,*且這種表面結構可以 是一維的(也就是線性的),也可以是二維的。 ,第3 ® b顯_實施方式中,附加層⑽)的表面結 構則=不均勻的。從第3圖b可看出,附加層⑽)的表面 結構帶有以研磨法產生的不規則分佈的凹陷(153)。 第4圖顯示利用印章⑽)在附加層(1 結構。印章⑽)具有許多個彼此相隔—定間距的= (171)。每—個刀鋒_都具有兩個朝刀尖方向聚撤的面 (Π2’173)。此種實施方式的第—個步驟是在第二個電極⑽ 上設置附加層(15G),然後再按照第4 _示的方式對附加 層(150)的表面進行結構化處理,其過程是將印章(17〇)放在 附加層(15G)的表面上’並以—定按壓力⑻將印章(17〇)壓入 附加層(150)的表面。此時由於刀鋒(171)的形狀在附加芦 (15〇)會形成如第4圖中的箭頭(:n,F2)所示的力的變化: 線。從第4圖巾可以看出,由於印章形狀的關,印章產生 的大部分按壓力在輸出糕合層(150)内會往側向方向作用, 因此不會作用在位於輸出耦合層(15〇)下方的有機層(13〇) 上。移去印章(Π0)後’輸出輕合層⑽)的表面就會θ出現許 多彼此間隔一定間距的溝槽。這些溝槽及/或溝槽之間的接 觸面構成這種實施方式的光學激化異質。 1292678 第5圖顯示的實施方式是在發光組件内另外加入一種 間隔塊(180),例如一種由光刻膠或二氧化矽製成的間隔塊 (180) ’其作用是防止作為模具用的印章(I%)被按壓過深而 造成有機層結構變形或受損。這種結構方式尤其適用於主動 式矩陣顯示器及/或被動式矩陣顯示器的陰極分離或像素定 義。在本發明的發光組件中,這歡置在顯示器内的間隔塊 (⑽)應具備足夠的尺寸及穩定性,以保財機層不會因為 作為模具用印章(170)的按壓作用而受損。
乐〇圓顯不 ^ …一不一罔货啊之照明用發光組 的式。在第6圖的實施方式中,設置間隔片(190) 項且借^護有機層⑽)。同樣的,這些間隔片(190)也必 對有機層造成的機最=合層硬化之前進行觀步驟 從篩網印刷技術相^ 行結構化處理的—種彳、—種方法是騎加層表面進 將以濕式化學方法。使料種方_步驟是先 個電極上,㈣合層設置在發光崎的第二 壓。以織物_輪_=置於輪_合層的表面並進行按 用的刮板(例如—的表面的作業是_ _印刷常 外-種實施方式是以:酸酿刮板)來進行。本發明的另 、二甶織物以濕化學法多刮到另外一個結 31 1292678 ϊί以位於這個結構層之下的結構層被溶解,复優點 ^可从使雜㈣合相表錢行結構化的 得= 石1二論=了種人實施方式,最重要的—點是在輸== 灸輸出耦合層的表面變形都必須維持不變。
合声在本發明的其他的實施方式中,使輸出輕 成打毛)的作#是以_械性的方法來完 為位;μ下合層特別軟或是厚度特別薄,而無法 ί二==下=學保護時,尤_此 面變形的非機械=為可細的使附加層的表 -活性乾蝕刻 -非活性乾蝕刻 -濕式化學蝕刻,例如用酸液進行蝕刻 ••照相石板變形法 如果有機層結構制敏感或是脆弱,在將輪㈣合層設 在有機層結構之前應先錄㈣合層的表面打毛,以大幅 降低發光組件絲受的機械負荷、熱負荷、幅射負荷、及/ 或化學負荷。例如將—片已預先經過結構化處理的薄膜設置 在發^組件上即可拥到這種有利的方法。這種作業方式是 先然前面提及的-種溶劑材料巾析出—片全透明或半透明 的薄膜。然後以前面提及的一種機械性或非機械性方法將薄 膜的-個表面(正面)打毛,以防止在薄膜内產生全反射,達 到防止或财在發光崎㈣财制模式/電姉式的目 的。在將薄膜設置在發光組件上時應將薄膜光滑的那一面 32 1292678 且通常疋連接在發光組件的第二 (背面)連接在發光組件上, 個電極上。 本發明之這種實施方式的發光組件的這種薄膜是由^ 乙酸乙烯樹脂(P〇lyvinylacetat)製成,在處理時應先將薄^ 的一個表面以研磨方式打毛,然後將光滑的那一面設置或粘 貼在透明電極上,也就是設置或粘貼在頂部電極上。以這種 方式製作的發光組件的發級率最高可以提高3〇〇%。 卜在本發明的一種未在圖式中繪出但卻是十分有利的實 • 施方式以一種預先經過結構化處理的薄膜作為附加層,且在 $作時是以_將薄膜的光滑面㈣在發光組件的透明頂 邛電極上此處所使用的枯膠必須是透明度很高,而且能夠 將有機層很好的封住的枯膠。由於這種枯膠能約為有機層提 供很好的保護作用,因此不必為有機發光二極體(Ο·)另 外叹置-個封裝保護層。視實施方式而定,薄膜表面的結構 化方式可財錄可能,其巾—種特前綱結構化方式是 ^薄膜表面形成高度介於Ι/m至iGG//m之間的屋脊狀條 # τ此外,也可以採用較平坦的結構化方式,例如金字塔狀 的結構。 曰在本發明的另外一種特別有利的實施方式中,輸出耦合 層疋作為由_料構成的有機層被蒸鍍到透明的彬電極 上。由於鄰菲轉本身會被部分結日日日析出,@此可以構成輸 出耦合層内的散射中心。為了保護有機層 ,應另外以一片很 的玻璃將發光組件封裝起來。為了避免這個玻賴裝層對發 光組件的光線輪&造成不彡響,這個玻璃封裝層應與輸出 33 1292678 耦合層相隔一段足夠的距離,以便使這個玻璃封裝層只是作 為一個平面平行的玻璃片。
34 1292678 圖式簡單說明 以下配合圖式及若干實際的實施方式對本發明 作進一步的說明。 各 第1圖:傳統型頂部發光有機二極體的基本構造及作用 示意圖。 ’、里 =用圖原卿發光組種實财摘基本構造 =造 継件㈣卜-織方式的 ί=頂部發光組件的製作方法的原理示意圖。 構上:、Θ㈣作方法應用在—個有機發光二極體結 ϋ二上將第4圖的製作方法應用在另外—個有機發光二極 元件符號說明 100 有機發光二極^ 110 基片 120 第一個電極 130 有機層/層結構 140 第二個電極 150 輸出孝馬合層 35 1292678 151 散射微粒 152 槽,溝 153 凹陷 160 絕緣材料 170 印章 171 刀具 172, 173 切割面。蓋印面 • 180 間隔塊 190 間隔片 EMI ,EM2 外部模式 OM1 有機模式 S 按壓力 FI, F2 在附加層内的作用力方向
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Claims (1)

  1. 1292678 十、申請專利範圍: 么-種頂部發光電激發光組件,尤其是—種 體裝置’具有-個基片、—轉近基料第 ς先-極 離基片較遠的第二個電極、以及至少—個位於一個 =先有機層,發光組件發出的光線是穿透第二 = 出去,在第二個電極⑽)離至少一個有機層 =射 附加層⑽),這個附力 士政射作用的異質(⑸,152,153),且這個附加二:: 光組件產生之光線波長範_透光率大於Μ 科广 具光散射作用的異質係形成於附加層内的固有異質错為. ^申請專利顧第1項的發光組件,其特徵為:附;^ 緊罪在第二個電極⑽)上,並與第二個電極⑽)連二 3·=申請專利範圍第i項的發光組件,其特徵為:附加芦 ,、第一個電極相距一定的間隔,且這個間隔小於卯如瓜。" 4. 如申請專利範圍®卜2、或是3項的發光組件,其特徵 為:異質的尺寸介於0.05#m至lOOvm之間。 " 5. 如前述申請專利範圍第1或2項的發光組件,其特徵為: 將異質设置在附加層内及附加層的表面上。 6·如申請專利範圍第1項的發光組件,其特徵為:第二個 電極(140)的厚度小於200nm,尤其是小於8〇nm,而且附加 層的折射率大於設置在電極之間且最靠近附加層的有機層 的折射率。 尽 37
    1292678 7·如申請專鄕圍第丨項的 的折射率大於第二個電極_的折射牛率:特敌為·附加層 8. 如申請專鄉圍第丨項光, . :折射率介㈣至2.3之間,尤其是=6= 9. 如申請專利朗第丨項的發光, . ,=靠近附力撕機層是-個空=層IS 轉移層與—種受主财機材料形成p型摻雜,且厚度介 1 〇 Π i2 _之間,尤其是介於lo〇nm至1〇〇〇腿之間。 士巾請專利範圍第丨項的發光組件,其特徵為:設置在 間且最靠近附加層的有機層是一個電子轉移層,這個 工八轉移層與_觀主财齡卿成 於之間,尤其是介於刚nm至麵nm=丨。 U.如申請專利範圍第i項的發光組件,其特徵為:附加居 的厚度介於5〇nm至丨__之間,尤其是介於G 5 _ ^ 100/zm 之間。 以如申請專利範圍第i項的發光組件,其特徵為:附加層 為,置在電極之間的構造層提供保護作用,使其免於受到& 械荷載、電磁輻射、粒子輻射(例如α/万粒子輻射)、濕氣、 空氣、及/或化學藥品的影響。 13.、如申請專利範圍帛!項的發光組件,其特縣:利用賤 =法、結晶生長法、離析沉積法、或是電漿加強式化學氣相 匕積法(PECVD. plasma enhanced chemical vapor desposition) 將附加層設置在第二個電極上。 38 1292678 14. 如申請專利範圍第!項的發光組件,其特徵為:利用濕 式化學法、疊層法、歧減法_加層設置在第二個電極 上。 15. 如申請專利制第丨項的發光組件,其特徵為:附加層 含有多個彼此分開且折射率不同的子層。 K如申請專利顧第丨項的發光組件,其特徵為:利用氣 相蒸鍍法、濺射法、或是電漿加強式化學氣相沉積法 (PECVD ·· plasma enh繼d chemical,〇γ desp〇siti〇n)㈣ 層=在第二個電極上’且顧擇有觀形成聚晶微結構及 位錯的過程參數。 ^一t申請專利範圍第1項的發光組件,其特徵為:附加層 疋一種自結晶或自部分結晶的有機層。 18. -種製造頂部發光電激發光組件的方 2造有機發光二極體裝置的方法,這種方歧設Ϊ-3 :基二的第一個電極、一個離基片較遠的第二個電極、以及 / 2位於兩個電極之間的發光有機層,而且光線是穿過 去’在第二個_4()難少—個有機 特徵為:具光散射作⑽異質係形成於 利範圍第18項的方法,其特徵為:以濕式化 予去將附加層設置在第二個電極(140)上。 圍第18項的方法,其特徵為顧^ 、,生長法、離析沉積法、或是_加強式化學氣相沉 39
    25·如申請專利範圍第18項的方法,其特徵為:應用内部 形成的氣泡以濺射方式或電聚加強式化學氣^ (PECVD)製作附加層。 26 1292678 積法(PECVD : plasma enhanced chemical vapor desposition) 將附加層設置在第二個電極上。 21·如申請專利範圍第π項的方法,其特徵為:利用氣相 蒸鍍法、濺射法、或是電漿加強式化學氣相沉積法(PECVD : plasma enhanced chemical vapor desposition)將附力α層設置在 第二個電極上,且應選擇有利於形成聚晶微結構及位錯的過 程參數。 22·如申請專利範圍第21項的方法,其特徵為:在製作附 加層時’以蒸鍍、濺射、或是電漿加強式化學氣相沉積法 (PECVD)將具有不同栅流常數的不同的材料蒸鍍上去,以達 到強化附加層内聚晶生長及/或位錯界限的目的。 23·如申請專利範圍第μ項的方法,其特徵為:將至少一 種自結晶及/或自部分結晶的有機層蒸鑛上去以形成附加 24·如申請專利範圍第18項的方法,其特徵為:在至少一 個有機發光層及第二個電極之間設置一個厚度介於1〇〇nm 至lOOOnm之間且有具有有機物摻雜的轉移層。 一種製造頂部發光電激發光組件的方法,尤其是一種 於製造有機發光二極體裝㈣方法,這齡法纽置一個= 近基片的第-個電極一個離基片較遠的第二個電極、以= 至少-個位於兩個電極之_發光有機層,而域線是穿過 Ϊ292678 第二個電極發射出去,在第二個電極⑽)離至少—個 層(no)較遠的那-面上設置—個含有可以使光線發生散射 的異質(152 ’ 153)的附加層⑽),其特徵為:將—個微社構 的印章_按壓在附加層(150)離第二個電極_較遠的表 面上’以便在附加層(15_這個表面上形成具光 的異質(152, 153)。 27. 如申請專職圍第26 _方法,其特徵為:在按壓過 程中’印章對附加層施加的作用力主要是沿著附加層⑽) 分佈。 的異質⑽’ H3)的附加層⑽)’其特徵為:利用微影方法 將附加層(150)離第二個電極(140)較遠的表面結構化,以便 在附加層(150)的這個表面上形成具光散射作用的異質 (152,153)。 28. —種製造頂部發光電激發光組件的方法,尤其是一種用 於製ie有機發光一極體裝置的方法,這種方法是設置一個靠 近基片的第一個電極、一個離基片較遠的第二個電極、以及 至少一個位於兩個電極之間的發光有機層,而且光線是穿過 第二個電極發射出去,在第二個電極(140)離至少一個有機 層(130)較遠的那一面上設置一個含有可以使光線發生散射 29.如申請專利範圍第28項的方法,其特徵為:將經過表 面結構化的附加層製作成薄膜狀’然後以疊層法或是粘貼法 設置在發光組件上。
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