TWI290515B - Liquid ejection apparatus - Google Patents

Description

!29〇515 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液滴喷出裝置。 【先前技術】

先前’液晶顯示裝置或有機電激發光顯示裝置（有機EL 顯不裴置）等之光電裝置，具有用以顯示圖像之透明玻璃基 板（以下稱作基板）。於該種基板上，基於品質管理或製造管 理之目的，形成有將製造廠商及製品編號等資訊編碼化之 4別碼（例如2次元碼）。識別碼係於多個資料胞内具有選擇 性配置之構造體（例如有色之薄膜或凹部）。 識別碼之形成方法，例如在曰本專利特開平11-7734〇號 △報、特開2003-127537號公報中，揭示一種使用濺鍍法將 記號成膜之雷射濺鍍法，以及一種將包含研磨材的水噴射 於基板以刻印記號之噴水法等。 但是，以雷射濺錄法而t，為製得所需尺寸之記號， 須將金屬㈣與基板之間隙調整至數㈣〜數十μιηβ因此，^ 板與金屬落之表面要求非常高的平坦性，且必須以_㈣ 之精度來調整基板與金屬叙間隙。其結果使得能夠形4 識別碼之基板受到限制’故有損及識別碼之通用性的段 題。再者’以喷水法而言，於刻印記號時，由於水、塵与 或研磨劑等會飛散，故有基板受污染的問題。 近年來，為解決此種生產上之問題，識別碼之形成^ 以喷墨法受到矚目。噴墨法係從液滴噴出裝置噴出包含与 能材料（金屬微粒子）之微小液滴，藉由使該微小液滴乾_ 109387.doc 1290515 形成點。藉此，能夠擴大基板之對象範圍，此外亦可避免 污染基板而形成識別碼。 然而，在喷墨法中，將著落到基板之液滴乾燥後，燒結 該液滴中所含之功能材料而使其密著於基板。亦即，在乾 知步驟中，係固定由液滴形成之點，在燒結步驟中，係燒 -液滴中所含之功能材料。如此，乾燥步冑、燒結步驟皆 為用以獲得適當形狀的圖案之重要步驟。因此，使用喷墨 法形成識別碼時’㈣能有效進行乾職理及燒結處理了 【發明内容】 本^明之目的在於提供一種液滴噴出裝置，其能夠對從 喷出口噴出之液滴精度良好地照射雷射光，且有效進行液 滴之乾燥及燒結。 =達成上述目的，本發明之—態樣在於提供—種液滴喷 、置’其係將包含功能性材料之液狀體作為液滴，將該 液滴從喷出口向基板噴出者。 貝有裒置具有·第1雷射照射 和〆、係照射使著落到前述基板之液滴乾燥之雷射光者. 雷射照射部，其係照射燒結乾燥後之前述液滴之雷射 光者。 本發明之另一態樣在於提供一種液滴 包含功能性材料之液狀體作為 ^ 〃糸將 昭 4 昭 出口向基板噴出者。該裝置:有第=液數個喷 射述基板之液滴乾燥之雷射光者;及第2雷射照 第1及第;：、'射燒結乾燦後之前述液滴之雷射光者。前述 弟及弟2雷射照射部各自具有對應於前述各喷出口而設之 109387.doc 1290515 複數個第1及第2半導體雷射。 本發明之又1樣在於提供—種圖案形成方法，其係將 包含功能性材料之液狀體作為液滴，將該液滴從喷出口向 基板上噴出’藉此於前述基板上形成特定圖案。該方法具 有乂下步驟.照射第1波長之雷射光，以乾燥著落到前述基 板之液滴’·及照射與前述第!波長相異之第2波長之雷射 光’以燒結乾燥後之前述液滴。 【實施方式】 (第1實施形態） +以下根據圖1〜圖13 ’說明將本發明具體化為以下之液體 喷出裝置之第1實施形態，該液體喷出裝置係形成附於液晶 顯示裝置之顯示模組之識別碼者。在說明本方法時，如圖5 所示定義X箭頭方向、γ箭頭方向。 如圖1所示，液晶顯示模組丨具有作為光透過性之顯示用 基板之透明玻璃基板（以下稱作基板2)。於基板2之表面h 大中央形成已封入液晶分子之四角形之顯示部3，於顯 示部3之外侧形成掃描線驅動電路4及資料線驅動電路5。在 液日日顯不拉組1中，根據由掃描線驅動電路4供應之掃描訊 號及由資料線驅動電路5供應之資料訊號，控制液晶分子之 配向狀態。然後，對應液晶分子之配向狀態而調變從照明 哀置（未圖示）照射之平面光，藉此於基板2之顯示部3顯示 像0 於基板2之背面2b之右角形成液晶顯示模組1之識別碼 10。如圖2所示，識別碼1 〇包含複數個點D，依特定之圖案 109387.doc 1290515 配置於圖案形成區域zi内。 於基板2之背面2b，沿著圖案形成區域Z1之外周形成四角 框狀之空白區域Z2。在本實施形態中，圖案形成區域z i内 之識別碼1 〇係2次元碼，能夠以2次元碼讀取器讀取。空白 區域Z2係未形成點D之區域’裨為防止圖案形成區域z 1内 之識別碼10錯誤檢測而設。 如圖4所示，圖案形成區域以係丨〜]mm方角之正方形之 C域’將其假疋分割成16行X 16列之2 5 6個之胞c。藉由選擇 性的在16行X 16列之各胞C中形成點D，構成液晶顯示模組i 之識別碼1 0。 在本實施形態中，將形成點D的胞C設為黑胞^(點區 域），將未形成點D的胞C設為白胞C0(非形成區域）。此外， 於圖4中從上算起，依序為第1列之胞C、第2列之胞c、…、 第16列之胞C，於圖4中從左算起，依序為第丨行之胞c、第 2行之胞C、…、第16行之胞c。 如圖2及圖3所示，點D係密著於基板2，且呈半球狀。點 D係使用噴墨法予以形成。詳細說明之，即從如圖8所示之 液滴噴出裝置20之喷嘴N，向胞C喷出包含點形成材料（例如 錳微粒子等）之液滴Fb。然後，藉由乾燥著落到胞c之液滴 几、燒結液滴Fb中之錳微粒子而形成點D。該情況下，液 滴F之乾燥及燒結係藉由對著落到基板2之液滴扑照射雷射 光之方式進行。 如圖5所示，液滴噴出裝置2〇具有立方體形狀之基台。 於基台21之上面21a，形成沿著Y方向延伸之一對之導溝 109387.doc 1290515 22。於基台21之上部，裝附有基板載置台23，基板載置台 23具有直動機構（未圖示）。直動機構包括沿著導溝^延伸之 累4軸（驅動軸）’及螺合於螺絲軸之螺帽。螺絲軸連結於例 如步進馬達等之Y軸馬達ΜΥ(參照圖1〇)。當對應於特定步 進數之驅動訊號輸入到γ軸馬達Μγ時，γ軸馬達Μγ會正轉 或反轉，使基板載置台23以特定之速度沿著γ方向往返移 動。在本實施形態中，將圖5所示之基板載置台23之位置設 為初始位置。 基板載置台23之上面係載置面24，於載置面24上設有吸 引式之基板吸盤機構（未圖示）。當將基板2背面㉛朝上載置 於載置面24時，基板2會藉由基板吸盤機構而固定於載置面 24上之特定位置。具體言之，基板2係使圖案形成區域u 之各胞C之行方向沿著γ方向，且第〗列之胞c朝向γ方向配 置。 於基台21之兩側部，設有延伸於上方之一對支持台25&、 25b。於兩支持台25a、25b之上端部，裝附有沿著χ方向延 伸之導引構件26。導引構件26之長度方向之尺寸較基板載 置台23之寬度為長。導引構件26之一端從支持台25a向外側 伸出。 於導引構件26之上側，配設有收容槽27。於收容槽27内 收容有液狀體Fa(參照圖8)。液狀體Fa係使作為功能性粒子 之短微粒子分散於分散媒中並予以調整。另一方面，於導 引構件26之下部，形成沿著X方向延伸之一對導引軌28。於 導引軌28上裝附有托架29，托架29具有直動機構。直動機 109387.doc 1290515 構包括沿著導引軌28延伸之螺絲軸（驅動軸），及與該螺絲軸 螺合之螺帽。驅動軸連結於X軸馬達MX(參照圖1〇)。χ轴馬 達MX係接收特定之脈衝訊號以步進為單位進行正反轉。备 相當於特定步進數之驅動訊號輸入到χ軸馬達Μχ時， 馬達MX會正轉或反轉’使托架29沿著χ方向往返移動。 於托架29之下部，一體化設有作為液滴噴出機構之液滴 噴出頭30。如圖6所示，於液滴噴出頭3〇之下面（圖6所示之 上面）裝附有喷嘴板3丨，於噴嘴板31上設有作為“個噴出口 之喷嘴N，各喷嘴N沿著X方向依等間隔配置成一行。 如圖8所示，於液滴喷出頭3〇内形成有作為壓力室之模穴 32，模穴32連通於收容槽27(參照圖5)。將收容槽27内之液 狀體Fa導入至各模穴32後，藉由對應之噴嘴n噴出。於模穴 32之上部配設有振動板33及壓電元件34，當使屢電元件^ 驅動之喷嘴驅動訊號被輸人到液滴喷出頭料，壓電元件 3诗於垂直方向伸縮’藉由該伸縮，振動㈣會於垂直方 向振動冑模八32内之容積擴大或縮小。然後從對應之各 噴嘴N中，將相當於縮小的模穴32之容積量之液狀體^喷出 成液滴Fb。 ' 如圖6所示，於液滴喷出頭3〇之下部，與喷嘴板η相鱗設 2乾燥用田射照射裝置38，與乾燥用雷射照射裝置Μ相隣 叹有k結用雷射照射裝置39。亦即，乾燥用雷射照射裝置 :配置為比燒結用雷射照射裝置”更接近各喷嘴χ。細 1照射裝置38對應於各喷嘴N，具有個作為第】雷射昭 射部之第1半導體雷射Lb。各第】半導體雷射Lb沿著又方： J 09387.doc 1290515 依等間隔配置成一行。當液滴Fb從各噴嘴N喷出並著落到基 板2時，即從對應之各第！半導體雷射Lb予以照射雷射光。 各第1半導體雷射Lb之行與各噴嘴n之行平行，各第i + 導體雷射Lb與對應於該等之各噴嘴n之間的距離各自相 從各第1半導體雷射Lb照射之雷射光之波長係依據液狀 體Fa之分散媒之吸收係數而設定。液狀體以之分散媒具有 φ 如圖11所示之吸收波長，因此，從各第1半導體雷射Lb係照 射出圖11之箭頭所示之第1波長（1000〜1200 nm)之雷射光。 如圖7所示，於乾燥用雷射照射裝置38之下方配置有反射 鏡38b。藉由反射鏡38b將從第！半導體雷射Lb照射之雷射光 導引至喷嘴N之正下方，亦即對應於基板2上之喷之位 置。藉此，藉由從乾燥用雷射照射裝置38照射之雷射光， 使著落到基板2之液滴Fb迅速乾燥。 燒結用雷射照射裝置39具有16個作為第2雷射照射部之 • 第2半導體雷射Lc。各第2半導體雷射Lc設於對應於各喷嘴 N之位置，沿著X方向依等間隔配置成一行。當液滴几從各 喷嗔N喷出並著落到基板2時，即從對應之各第2半導體雷射 Lc照射雷射光，以燒結液滴扑中之錳微粒子。 各第2半導體雷射Lc之行亦與各喷行平行，各第2 半導體雷射Lc與對應於該等之各噴嘴N之間的距離各自相 同。 從各第2半導體雷射Lc照射之雷射光之波長係依據錳微 粒子之吸收係數而設定。液狀體Fa中之猛微粒子具有如圖 109387.doc 1290515 12所示之吸收波長。因此，從各第2半導體雷射Lc係照射出 圖12之箭頭所示之第2波長（400〜500 nm)之雷射光。 接著參照圖9及圖1 〇，說明液滴喷出裝置20之電子電路。 如圖9所示，控制裝置4〇具有：第π/p部42，其係接收來 自外部電腦等之輸入裝置41之各種資料；包含CPU之控制 部43 ;收納各種資料之RAM44 ;及收納各種控制程式之 ROM45。再者，控制裝置4〇具有驅動波形產生電路仏、振

盪電路47、電源電路48，及第2I/F部49。振盪電路47係產生 時脈汛號CLK，用以將各種驅動訊號同步。電源電路48係 刀別產生雷射驅動電壓VDLb、VDLc，用以驅動第1半導體 雷射Lb及第2半導體雷射Lc。在控制裝置40中，第1I/F部 42、控制部43、RAM44、R〇M45、驅動波形產生電路、 振盪電路47、電源電路48及第21/]?部49係藉由匯流排5〇而相 互連接。 第1I/F部42係接收從輸入裝置w傳來之表示識別碼_ 圖像之描繪資料la。識別碼1〇係以周知的方法將基板）之產 品編號或批號等之識別資料編碼化為2次元碼者。 控制W43係根據第11/17部42所接收之描緣資料執行識 別碼建立處理動作。料’控制部43係將键44作為處理 區域，執行刪45中收納之控制程式（例如識別碼建立程 式）。控制和依據該控制程式，使基板載置⑽移動以進 仃基板2之搬運處理動作，並同時驅動液滴噴出頭30之各遂 ^=34以執行液滴噴出處理動作。再者，控制部μ依據 別媽建立㈣，㈣各第1半導體雷射咖執行乾燥液滴 109387.doc 1290515

Fb之乾燥處理動作。 控制部43對第1I/F部42所接收之描繪資料Ia實施特定之 展開處理，產生表不是否對2次元描繪平面（圖案形成區域 zi)上之各胞c喷出液滴扑之位元映像資料bmd並收納於 RAM44。該位元映像資料BMD係對應於壓電元件34且具有 16x16位元之位元長度之序列資料，依據各位元之値〇或 1) ’規定壓電元件34之通路或斷路。 再者控制部43對描繪資料la實施與位元映像資料bmd 之展開處理相異之其他展開處理，產生施加於壓電元件34 之壓電元件驅動電壓VDP之波形資料，並輸出到驅動波形 產生電路46。驅動波形產生電路46具有··收納波形資料之 波形記憶體46a ;將該波形資料轉換成類比訊號之D/A轉換 口P 46b，及放大類比訊號之訊號放大部。驅動波形產生 電路46將收納於波形記憶體46a之波形資料經由d/a轉換部 46b轉換成類比訊號，並將該類比訊號經由訊號放大部4化 放大，藉此產生壓電元件驅動電壓VDP。 如圖10所示，控制部43藉由第2I/F部49，將喷出控制訊 號si依序串列轉送到喷出頭驅動電路51(移位暫存器56)。噴 出控制訊號SI係使位元映像資料BMD與振盪電路47所產生 之時脈訊號CLK同步者。再者，控制部43將用以閂鎖喷出 控制號SI之閂鎖訊號LAT輸出到噴出頭驅動電路5 1。此 外，控制部43與時脈訊號CLK同步，將壓電元件驅動電壓 VDP輸出到喷出頭驅動電路51(開關元件Sal〜Sal6)。 控制裝置40藉由第2I/F部49而連接喷出頭驅動電路51、 109387.doc -13 - 1290515 驅動第1半導體雷射Lb之雷射驅動電路52b、驅動第2半導體 雷射Lc之雷射驅動電路52c、基板檢測裝置53、χ抽馬達驅 動電路54 ’及γ軸馬達驅動電路μ。 喷出頭驅動電路51具有移位暫存器56、問鎖電路57，位 準移位器58及開關電路59。移位暫存器56使從控制裝置 4〇(控制部43)轉送而來之噴出控制訊號S][對應於丨6個之壓 電元件34並進行串列/並列轉換。閂鎖電路57將並列轉換之 16位tl之喷出控制訊號81與閂鎖訊號乙八丁同步閂鎖，並將 被問鎖之噴出控制訊號SI輸出到位準移位器58及雷射驅動 電路52b、52c。位準移位器58使被閂鎖之喷出控制訊號以 升壓至開關電路59之驅動電壓，產生對應於各壓電元件％ 之開關訊號GS1。開關電路59具有對應於各壓電元件34之開 關το件Sal〜Sal6。針對各開關元件“卜““之輸入側輸入 共用之壓電元件驅動電壓VDp。再者，於各開關元件 Sal〜Sal6之輸出側連接對應之壓電元件34。針對各開關元 件Sal〜Sal6，輸入來自位準移位器58之對應之開關訊號 GS1。依據該開關訊號GS1，控制是否供應壓電元件驅動電 壓VDP至壓電元件34。

在本實施形態之液滴噴出裝置2〇中，係將壓電元件驅動 電壓VDP藉由各開關元件以卜“^而共同施加於對應之各 壓電兀件34，同時根據噴出控制訊號SI(開關訊號GS1)進行 各開關元件Sal〜Sal6之開關控制。當各開關元件以丨〜以“ 關閉時’向對應於各開關元件“丨〜“^之壓電元件34供應 壓電兀件驅動電壓VDP，並從對應於各壓電元件34之噴嘴N 109387.doc 1290515 喷出液滴Fb。 圖13係表示閂鎖訊號LAT、噴出控制訊號SI及開關訊號 G S1之脈衝波形，及回應開關訊號G S1而施加於壓電元件3 4 之壓電元件驅動電壓VDP之波形。 如圖13所示，當閂鎖訊號LAT下降時，根據16位元量之 噴出控制訊號SI產生開關訊號GS 1。而當開關訊號GS 1上升 時，向對應於該開關訊號GS 1之壓電元件34供應壓電元件驅 動電壓VDP。壓電元件34在壓電元件驅動電壓VDP之電壓 _ 値上升之同時收縮，藉此將液狀體Fa吸入模穴32内。其後， 壓電元件34在壓電元件驅動電壓VDP之電壓値下降之同時 伸張，藉此從模穴32内壓出液狀體Fa而喷出液滴Fb。噴出 液滴Fb後，壓電元件驅動電壓VDp之電壓値會回到初始電 壓’結束液滴Fb之噴出動作。 如圖10所示，雷射驅動電路52b具有延遲脈衝產生電路 611)及開關電路6213。延遲脈衝產生電路6113如圖13所示，係 φ 產生使被閂鎖之喷出控制訊號SI延遲特定時間（待機時間 Tb)之脈衝訊號（開關訊號GS2)，並輸出到開關電路。此 處，待機時間Tb係以壓電元件34之驅動開始時（閂鎖訊號 LAT下降時）為基準時間几，規定從該基準時間丁& 一直到液 扃Fb通過對應之第}半導體雷射^^之雷射照射位置為止之 才門亦即，待機時間Tb係根據測試等而預先設定，其係 規疋仗壓電兀件34之噴出動作開始時（壓電元件驅動電壓 上升時）液滴Fb著落起，一直到著落之液滴外到達雷 照射位置為止之時間。 、 109387.doc 1290515 開關電路62b具有對應於各第1半導體雷射Lb之開關元件 Sbl〜Sbl6。對各開關元件Sbl〜Sbl6之輸入側輸入共用之雷 射驅動電壓VDLb。再者，於各開關元件Sbl〜Sbl6之輸出側 連接對應之各第1半導體雷射Lb。對各開關元件Sbl〜Sbl6 輸入從延遲脈衝產生電路61b傳來之對應之開關訊號GS2。 依據該開關訊號GS2，控制是否將雷射驅動電壓VDLb供應 到第1半導體雷射Lb。 如此，在液滴噴出裝置20中，由電源電路48所產生之雷 射驅動電壓VDLb會藉由各開關元件Sbl〜Sbl6,共同施加於 對應之各第1半導體雷射Lb。與此同時，各開關元件 Sbl〜Sbl6根據由控制裝置4〇(控制部43)供應之喷出控制訊 號SI(開關訊號GS2)進行開關控制。當各開關元件Sbl〜Sbl6 關閉時，向對應之第1半導體雷射Lb供應雷射驅動電壓 VDLb ’並從對應之第1半導體雷射Lb射出雷射光。 亦即，如圖13所示，從閂鎖訊號LAT輸入到喷出頭驅動 電路51起經過待機時間几後，產生開關訊號GS2。於開關 訊號GS2上升時，向對應之第！半導體雷射Lb施加雷射驅動 電壓VDLb，並從該第1半導體雷射Lb射出雷射光。藉此， 於著落到基板2之液滴Fb通過第1半導體雷射Lb之照射位置 時，從第1半導體雷射Lb依適當時序針對著落之液滴扑照射 雷射光。接著開關訊號GS2下降，截斷雷射驅動電壓VDLb 之供應，結束第1半導體雷射Lb之乾燥處理動作。 雷射驅動電路52c具備延遲訊號產生電路61c及開關電路 62c。延遲訊號產生電路61c係產生使被閃鎖之噴出控制訊 109387.doc -16- 1290515 #bSI延遲特定時間（待機時間Tc)之訊號（開關訊號GS3)，並 輸出到開關電路62c。此處，待機時間Tc係以壓電元件34 之驅動開始時（閂鎖訊號LAT下降時）為基準（基準時間 丁k)，規定從該基準一直到液滴Fb通過對應之第2半導體雷 射Lc之正下方（雷射照射位置）為止之時間。待機時間η係 根據測試等預先設定，其係規定從壓電元件34之噴出動作 開始時（壓電元件驅動電壓VDP上升時）起，一直到著落之 φ 液滴Fb到達第2半導體雷射Lc之雷射照射位置為止之時間。 開關電路62c具有對應於各第2半導體雷射Lc之開關元件 Scl Scl6。對各開關元件sci〜sci6之輸入側輸入共用之雷 射驅動電壓VDLc。再者，於各開關元件以卜以^之輸出側 連接對應之各第2半導體雷射Lc。對各開關元件Scl〜SM6 輸入從延遲訊號產生電路61c傳來之對應之開關訊號。 然後依據該開關訊號GS3，控制是否將雷射驅動電壓VDLc 供應到第2半導體雷射Lc。 馨如此，在液滴喷出裝置20中，由電源電路48所產生之雷 射驅動電壓VDLc會藉由各開關元件Sc丨〜Sc丨6，共同施加於 對應之各第2半導體雷射Lc。與此同時，各開關元件 Sc 1〜Scl6根據由控制裝置4〇(控制部43)供應之喷出控制訊 號SI(開關訊號GS3)進行開關控制。當各開關元 關閉時’向對應之第2半導體雷射Lc供應雷射驅動電麼 VDLc ’而從對應之第2半導體雷射Lc射出雷射光。 亦即，如圖13所示，從閂鎖訊號LAT輸入到喷出頭驅動 電路5 1起經過待機時間Tc後，產生開關訊號GS3。於開關 109387.doc -17- l29〇515 訊號GS3上升時，向對應之第2半導體雷射Lc施加雷射驅動 電壓VDLc，並從該第2半導體雷射Lc射出雷射光。藉此， 於著落到基板2之液滴Fb通過第2半導體雷射Lc之照射位置 時’從第2半導體雷射Lc依適當時序針對液滴Fb照射雷射 光。接著開關訊號GS3下降，截斷雷射驅動電壓VDLc之供 應’結束第2半導體雷射Lc之燒結處理動作。 控制裝置40藉由第2I/F部49而連接到基板檢測裝置53。 控制裝置40係透過基板檢測裝置53檢測基板2之丫方向側之 端緣，根據其檢測結果，計算出通過液滴噴出頭3〇(噴嘴N) 正下方之基板2之位置。 控制裝置40藉由第2I/F部49而連接到X軸馬達驅動電路 54。控制裝置40係對X軸馬達驅動電路54輸出χ軸馬達驅動 L制sfL號。X軸馬達驅動電路54係回應來自控制裝置之X 軸馬達驅動控制訊號，輸出使χ軸馬達Μχ正轉或反轉之訊 號。藉由X軸馬達MX之正轉或反轉，使托架29以特定速度 者X方向往返移動。 L制4置4 0藉由X軸馬達驅動電路$ 4而連接到χ轴馬達 旋轉檢測器54a。控制裝置40係根據自χ軸馬達旋轉檢測器 54a輸入之檢測訊號，檢測χ軸馬達Μχ之旋轉方向及旋轉 里，以運算托架29之移動方向及移動量等。 控制裝置40藉由第2I/F部49而連接到γ軸馬達驅動電路 控制裝置40係對Υ軸馬達動電路55輸出γ軸馬達驅動 控制訊號。Υ軸馬達驅動電路55係回應來自控制裝置4〇之丫 軸馬達驅動控制訊號，輸出使Υ軸馬達ΜΥ正轉或反轉之訊 109387.doc 1290515 號。藉由Y軸馬達MY之正轉或反轉，使基板載置台23以預 定之速度沿著Y方向往返移動。 控制裝置40藉由γ軸馬達驅動電路55而連接到γ轴馬達 旋轉檢測器55a。控制裝置4〇係根據自γ軸馬達旋轉檢測器 5 5 a輸入之檢測訊號，檢測γ軸馬達Μγ之旋轉方向及旋轉 篁’以運算基板2之移動方向及移動量等。 接著針對識別碼1 〇之形成方法說明如下。

首先，如圖5所示，將基板2背面2b朝上，配置並固定於 初始位置之基板載置台23上。此時，基板2之¥方向前側之 端緣配置在較導引構件26更為前側。再者，當基板2沿著γ 方向移動時，托架29係以使識別碼1〇(圖案形成區域幻通過 喷出頭30的正下方之方式予以裝設。 於該狀態下，由控制裝置4〇驅動控制¥軸馬達Μγ，以特 =速度一併搬運基板2與基板載置台23。當基板檢測裝置Μ 檢測基板2之Υ方向前側之端緣時，控制裝置4〇會根據來自 γ軸馬達旋轉檢測器55a之檢測訊號，判斷第1列之胞c(黑胞 C1)是否被搬運到喷嘴N之正下方。 時，控制裝置40依據識別碼建立程式，將噴出控制訊 號SI及壓電元件驅動電壓VDp分別輸出到噴出頭㈣電路 5 1。再者，控制裝置40將雷射驅動電壓VDLb、VDLc八別 :出到雷射驅動電路52b、52c。然後，控制裝置4〇會二寺 輪出閂鎖訊號LAT之時序。 當第 置）時， 1列之胞C(黑胞C1)被搬運到喷嘴N之正 Γ乃（者洛位 控制裝置40便將閂鎖訊號LA丁輸出到 山'1贾出碩驅動電 】〇9387.doc -19- 1290515 路5 1。喷出頭驅動電路5 1在從控制裝置40輸入閂鎖訊號 LAT時，根據噴出控制訊號SI產生開關訊號gs 1，並將開關 訊號GS 1輸出到開關電路59。再者，噴出頭驅動電路5 1會向 對應於關閉狀態之開關元件Sal〜Sal6之壓電元件34供應壓 電元件驅動電壓VDP。其結果便從對應之喷嘴n —齊喷出液 滴Fb。 另 方面 當閂鎖訊號LAT輸入到喷出頭驅動電路5 1 籲 時’雷射驅動電路52b(延遲脈衝產生電路61b)會從閂鎖電路 57接收被閂鎖之喷出控制訊號SI，開始產生開關訊號GS2。 然後’雷射驅動電路52b於待機時間Tb經過時，將開關訊號 GS2輸出到開關電路62b。再者，雷射驅動電路52b會向對應 於關閉狀態之開關元件讥卜讣“之第j半導體雷射Lb供應 雷射驅動電壓VDLb。其結果，即針對著落到第1列之黑胞 C1内之液滴Fb，從各第！半導體雷射Lb一齊照射雷射光。 藉此蒸發液滴Fb中之分散媒，而將液滴Fb乾燥。 • 另一方面，當閂鎖訊號LAT輸入到喷出頭驅動電路51 時，雷射驅動電路52c(延遲訊號產生電路61c)會從閂鎖電路 、收被門鎖之噴出控制訊號SI，開始產生開關訊號3。 -後f射驅動電路52c於待機時間Tc經過時，將開關訊號 輸出到開關電路62c。再者，雷射驅動電路52c會向對應 於關閉狀態之開關元件Scl〜Scl6之第2半導體雷射Lc供應 雷射1區動電壓VDLC。其結果，即針對著落到第！列之黑胞 ci内之液滴Fb’從各第2半導體雷射Lc—齊照射雷射光。藉 此L結液祕中所含之_粒子，使液滴崎著於基板2。 109387.doc -20- !29〇515 藉由以上方式’形成包含猛之半球狀之點D。 之後’同樣的’從各噴嘴N喷出之液滴Fb每當著落到基 板2時，會藉由從對應之第i半導體雷射以照射之雷射光予 以乾燥。再者’該液祕每當被搬運到對應之第2半導體雷 射Lc之正下方時，會藉由從對應之第2半導體雷射^照射之 雷射光予以燒結。藉由以上方式，於沿著又方向之每一行形 成構成識別碼1 〇之點D。 當構成識別碼10之所有的點D均形成時，控制裝置40會控 制Y軸馬達MY，使基板2退出喷出頭3〇之下方位置。θ 其次，將以上豸方式構成之本實施形態之效果揭示如下·· ⑴如圖11及圖12所示，液滴Fb之分散媒所吸收之雷射吸 收波長:、液滴Fb中所含之|孟微粒子所吸收之雷射吸收波長 相異。對此’在本實施形態中，乾燥用雷射照射裝置3认 燒結用雷射照射裝置39乃獨立設置。具體言之，用以使液 滴Fb之分散媒蒸發之第！半導體雷射Lb，及用以燒結液滴几 中之錳微粒子之第2半導體雷射Lc，乃分開設於液滴喷出頭 3〇上。藉此，能夠使用各自適合於分散媒及錳微粒子之吸 收波長之雷射，因此能夠有效進行液滴几之乾燥及燒結。 ，者，藉由從第i半導體雷射Lb將雷射光照射到液滴pb之著 落位置之附近，能夠更加有效進行液滴Fb之乾燥。 (2)在本實施形態中，僅驅動16個第！半導體雷射Lb及第2 半導體雷射Lc之中有必要照射雷射光之第i半導體雷射Lb 及第2半導體雷射Lc。因此，對於無需進行液滴扑乾燥或燒 、、、。之區域，能夠抑止從第i半導體雷射Lb或第2半導體雷射 109387.doc 1290515

Lc進行雷射光照射，藉此能夠抑減電力消耗。 (第2實施形態） 接著根據圖14〜圖17，說明本發明之第2實施形態。對於 與第1實施形態相同之部分附註相同之符號，省略其詳細說 明0 如圖14所示，托架29於噴出頭之端部具有作為機構之 載置台35。載置台35具有沿著巧向延伸之滑桿仏，及受 • 支持於滑桿仏上而能夠移動之滑件35b，於滑件35b之下部 裳附有燒結用雷射照射裝置39。燒結用雷射照射裝置”藉 由"亥载置口 35，文支持為能夠相對於托架沿$ γ方向移 動。 乾燥用雷射照射裝置38裝附於喷出頭3〇之下面。在本實 施形態中’藉由滑件3外沿著滑桿35a移動，變更燒結用雷 射照射裝置39與乾燥帛雷射照射裝置38之相對位置，亦即 燒結用雷射照射裝置39(第2半導體雷射Lc)與乾燥用雷射 籲 …、射裝置38(第1半導體雷射Lb)之間的距離LY。藉此裨便於 土板2上，老更由乾燥用雷射照射裝置3 8照射之雷射光之照 射位置與由燒結用雷射照射裝置39照射之雷射光之照射位 置之間的距離。 如圖16所示，控制裝置4〇藉由第21/17部49而連接到載置 台驅動電路65。載置台驅動電路65連接於驅動馬達66。控 制裝置40藉由第2I/F部49,對載置台驅動電路65輸出载置台 驅動控制訊號。當载置台驅動控制訊號被輸入到驅動馬達 66時，驅動馬達66會正轉或反轉，藉由驅動馬達μ之正轉 109387.doc -22- 1290515 或反轉，使滑件35b沿著轉35a往返㈣，而使燒結用雷 射照射裝置39沿著γ方向往返移動。 >再者，控制裝置40藉由載置台驅動電路65而連接到馬達 疋轉私測益65a。控制裝置40根據從馬達旋轉檢測器65&輸 之松測Λ號，檢測驅動馬達66之旋轉方向及旋轉量，以 運异滑件35b(燒結用雷射照射裝置39)之移動方向及移動量 等。 接著針對載置台35之動作，參照圖15及圖17進行說明。 如圖15所示，在從第2半導體雷射。照射雷射光之前，燒 結用雷射照射裝置39係配置於第！半導體雷射Lb與第2半導 體雷射Lc之間的距離LY為最小之初始位置。當基板2於丫方 向移動，使著落到第1列的胞中之液滴Fb到達第2半導體雷 射Lc之正下方時（圖17所示之時刻Ts)，驅動馬達“開始正 轉。於是，滑件35b便沿著滑桿3兄於丫方向開始移動，由此， 使燒結用雷射照射裝置39於Y方向開始移動。 藉由滑件35b向Y方向移動，燒結用雷射照射裝置外會遠 離乾燥用雷射照射裝置38，其結果便使得第i半導體雷射Lb 與第2半導體雷射Lc之間的距離LY逐漸拉開。此時，滑件 35b係以較基板2之移動速度為慢之速度沿著γ方向移動。而 當最後之胞C之行通過第2半導體雷射Lc之照射位置時（圖 17所示之時刻Te)，驅動馬達66開始反轉。於是，滑件35b 便沿著滑桿35a於與Y方向相反之方向開始移動，由此，使 燒結用雷射照射裝置39於反箭頭方向移動，返回初始位置。 根據第2實施形態’能夠獲得如下之效果： 109387.doc -23 - 1290515

(3)燒結用雷射照射裝置39藉由載置台35，受支持為能夠 相對於托架29移動。再者，隨著基板2向γ方向移動，燒結 用雷射照射裝置3 9亦移動。該情況下，燒結用雷射照射裝 置3 9之移動速度設定為慢於基板2之移動速度。藉此，基板 2與燒結用雷射照射裝置39之相對速度差變小，因而能夠增 長對液滴Fb照射第2半導體雷射Lc之雷射照射時間。通常， 由於燒結比乾燥需要更多的能源，故藉由增長第2半導體雷 射Lc之雷射照射時間，可促進燒結液滴扑中所含之錳，因 此，能夠提升基板載置台23之移動速度以加快描繪速度， 即使縮短第1半導體雷射Lb2雷射照射時間，仍可充分確保 第2半導體雷射Lc之雷射光之照射時間。 又上述各實施形態亦可進行如下變更： •於第2實施形態中，係將燒結用雷射照射裝置39藉由載 置台35而裝附於托架29，但不限於此，亦可將燒結用雷射 照射裝置39裝附於托架29以外之零件。 •再者，亦可將燒結用雷射照射裝置39固定於托_29， 並於燒結用雷射照射裝置39之下方裝附能夠轉動之反射 鏡。根據此構成，只要在變更基板2㈣之同時變更反射鏡 之轉動角纟，以調整燒結用雷射照射裝置外之雷射光之照 射位置，即可增長其照射時間。 •於上述各實施形態中 結之雷射變更為半導體雷射以外之其 乾燥或燒結液滴Fb之各雷射之波長， ’亦可將進行液滴扑之乾燥或燒 他雷射。再者，用來 亦可以是上述各實施 形態所示者以外之波長 惟宜設定為容易吸收液滴Fb之分 W9387.doc -24- 1290515 散媒或金屬微粒子之波長。 •於上述各實施形態中，係使來自第i半導體雷射Lb之雷 射光之照射位置與液滴Fb之著落位置大略一致，但亦可將 該照射位置設定在與液滴之著落位置遠離之位置。 •於上述各實施形態中，點D具有半球形狀，但亦可以是 其以外之形狀，例如亦可將點〇之平面形狀變更為橢圓形狀 或構成條碼之線形狀。 •於上述各實施形態、巾，亦可將識別碼_更為例如條碼 或文字、數字、記號等。 •於上述各實施形態中，亦可將作為顯示用基板之基板2 變更為矽晶圓、樹脂薄膜、金屬板。 •於上述各實施形態中，亦可使用壓電元件34以外之構 成加壓模穴32内部以喷出液滴扑。例如，亦使於模穴^内 產生氣泡並使其破裂。 •於上述各實施形態中，係由雷射驅動電路52b之延遲脈 衝產生電路6ib，於待機時間Tb經過時輪出開關訊號Gs2。 再者，由雷射驅動電路52c之延遲訊號產生電路61c，於待 機時間Tc經過時輸出開關訊號咖。但亦可改為，於控制 裝置40中分別計算待機時間Tb、Tc，於待機時間几、“經 過時分別向各雷射驅動電路52b、52c輸出控制訊號。然後， 各雷射驅動電路52b、52c回應控制訊號，根據從閂鎖電路 57輸入之噴出控制訊號SI產生開關訊號Gs2、〇§3並將其輸 出。 〃 •於上述各實施形態中，液滴喷出裝置2〇亦可改為例如 109387.doc -25- 1290515 將b 3布線材料之液滴噴出到基板上，而於基板上形成絶 緣膜或金屬布線者。對於該情況，亦能夠有效進行絶緣膜 或金屬布線之乾燥或燒結等。 •在上述各實施形態中，亦可將液晶顯示模組丨變更為例 如·藉由從有機電激發光顯示裝置或平面狀之電子發射元 件所毛射之電子使螢光物質發光之場效型裝置（FED或 # )之-員示模組。再者，形成有識別碼丨〇之基板2亦可使用 於該等顯示装置以外之其他電子機器。 【圖式簡單說明】 圖1係液晶顯示模組之正面圖。 圖2係表示識別碼之正面圖。 圖3係識別碼之側面圖。 圖4係表示構成識別碼之胞及點之平面圖。 圖5係液滴噴出裝置之立體圖。 圖6係液滴噴出頭之立體圖。 • 圖7係模式化表示第1實施形態之液滴噴出頭之側面圖。 圖8係表示液滴喷出頭之内部構造之部分剖面圖。 圖9係表示液滴噴出裝置之電子電路之方塊圖。 圖丨〇係表示液滴噴出裝置之電子電路之方塊圖。 圖11係表示分散媒之吸收率及波長之關係之圖表。 圖12係表示錳微粒子之吸收率及波長之關係之圖表。 圖13係表示壓電元件與半導體雷射之驅動時序之時序 圖。 ' 圖14係杈式化表示第2實施形態之液滴噴出頭之側面圖。 109387.doc -26- 1290515 圖15係模式化表示液滴喷出頭之動作態樣之側面圖。 圖1 6係表示液滴噴出裝置之電子電路之方塊圖。 圖17係表示滑件之位置與驅動馬達之驅動時序之時序 圖。 【主要元件符號說明】

1 液晶顯不模組 2 基板 3 顯示部 4 掃描線驅動電路 5 資料線驅動電路 10 識別碼 20 液滴喷出裝置 21 基台 22 導溝 23 基板載置台 24 載置面 25a ^ 25b 支持台 26 導引構件 27 收容槽 28 導引執 29 托架 30 液滴喷出頭 31 喷嘴板 32 模穴 109387.doc -27- 1290515 33 振動板 34 壓電元件 38 乾燥用雷射照射裝置 39 燒結用雷射照射裝置 40 控制裝置 41 輸入裝置 42 第1I/F部 43 控制部 44 RAM 45 ROM 46 驅動波形產生電路 46a 波形記憶體 46b D/A轉換部 46c 訊號放大部 47 振盛電路 48 電源電路 49 第2I/F部 50 匯流排 51 喷出頭驅動電路 52b 、 52c 雷射驅動電路 53 基板檢測裝置 54 X軸馬達驅動電路 55 Y軸馬達驅動電路 56 移位暫存器 109387.doc -28- 1290515

57 閂鎖電路 58 位準移位器 59 開關電路 61b 延遲脈衝產生電路 61c 延遲訊號產生電路 62b 、 62c 開關電路 65 載置台驅動電路 65a 馬達旋轉檢測器 66 檢測驅動馬達 C 胞 D 點 Fa 液狀體 Fb 液滴 Lb 第1半導體雷射 Lc 第2半導體雷射 MX X軸馬達 MY Y軸馬達 N 喷嘴 Sal〜Sal6 開關元件 109387.doc -29-

Claims (1)

1290515 十、申請專利範圍·· 商噴出政置’其係將包含功能性材料之液狀體作 ’將該液滴從噴出口向基板噴出者，且包括： |二雷：照射部，其係照射使著落到前述基板之液滴 草C知之雷射朵姜· 2 & ’苐2雷射照射部，其係照射燒結乾 知後之別述液滴之雷射光者。 2’ 之:滴噴出襄置’其中進-步包括··基台，· 可彩、口之液滴噴出頭；及托架，其係對於前述 照射部皆裝在前述托架上。 M 雷射 3·如請求項〗之液滴 構，〜▲… 其中進一步包括：移動機 m ，、係變更來自前 位置盥來自帛#射照射部之雷射光之照射 且，、水自刖述第2雷射阳仏如 n ^ ^ 田射J、射邛之雷射光之照射位置之 間的距離；及控制裝 < 访、+、咖… 置’其係控制該移動機構之運作； 刖述控制裝置係根據 疋作 前述基板之相對位置，土 射照射部之照射位置與 4如&卡s 控制前述移動機構之動作。 .如：求項3之液滴嘴出裝置，其中 剛述移動機構係變f 射照射部之間的距離。弟1雷射照射部與前述第2雷 5·如^求項1之液滴嘴出裝置，其中 前述第1雷射照射部 射照射部係照射第1波長之雷射光，第2雷 光。 弟1波長相異之第2波長之雷射 109387.doc