JP4311364B2 - 液滴吐出装置 - Google Patents

Description

本発明は、液滴吐出装置に関する。

従来、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）等の電気光学装置には、画像を表示するための透明ガラス基板（以下単に、基板という。）が備えられている。この種の基板には、品質管理や製造管理を目的として、その製造元や製品番号等の製造情報をコード化した識別コード（例えば、２次元コード）が形成されている。こうした識別コードは、配列された多数のパターン形成領域（データセル）の一部に、コードパターン（例えば、有色の薄膜や凹部）を備え、そのコードパターンの有無によって製造情報をコード化している。

この識別コードの形成方法には、金属箔にレーザ光を照射してコードパターンをスパッタ成膜するレーザスパッタ法や、研磨材を含んだ水を基板等に噴射してコードパターンを刻印するウォータージェット法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。

しかし、レーザスパッタ法では、所望するサイズのコードパターンを得るために、金属箔と基板の間隙を、数〜数十μｍに調整しなければならない。つまり、基板と金属箔の表面に対して非常に高い平坦性が要求され、しかも、これらの間隙をμｍオーダの精度で調整しなければならない。その結果、識別コードを形成できる対象基板が制限されて、その汎用性を損なう問題を招いていた。また、ウォータージェット法では、基板の刻印時に、水や塵埃、研磨剤等が飛散するため、同基板を汚染する問題があった。

近年、こうした生産上の問題を解消する識別コードの形成方法として、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、金属微粒子を含む微小液滴を液滴吐出装置から吐出し、その液滴を乾燥させることによってコードパターンを形成する。このため、対象基板の範囲を拡大することができ、同基板の汚染等を回避しながら識別コードを形成することができる。
特開平１１−７７３４０号公報 特開２００３−１２７５３７号公報

ところで、インクジェット法は、基板に着弾させた液滴を乾燥させ、機能材料を焼成させて基板に密着させる。すなわち、乾燥工程により液滴の形状を固定し、焼成工程により機能材料を固める。このような乾燥・焼成工程は、適切な形状を形成するために必要な工程であるため、インクジェット法においては効率のよい乾燥・焼成が望まれていた。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、レーザ光を吐出口から吐出した機能材料を含む液滴に精度よく照射し、効率のよい乾燥・焼成を行なうことができる液滴吐出装置を提供することである。

本発明の液滴吐出装置は、機能性材料を含む液状体を、吐出口から液滴として吐出する液滴吐出装置において、前記吐出口から吐出され、基板に着弾した前記液滴にレーザ光を照射して乾燥させる第１レーザ照射手段と、前記乾燥させた液滴を焼成するための第２レーザ照射手段と、前記第１のレーザ照射手段のレーザ光の照射位置と、前記第２レーザ照射手段のレーザ光の照射位置との距離を変更する相対移動手段とを設け、該相対移動手段は、前記第１のレーザ照射手段の前記照射位置と前記基板との位置関係に基づいて、前記第２のレーザ照射手段を移動させる。

この液滴吐出装置によれば、第１レーザ照射手段から乾燥に適したレーザ光を照射して液滴を乾燥させ、第２レーザ照射手段から焼成に適したレーザ光を照射して液滴の焼成を行なう。従って、液滴の乾燥と焼成のそれぞれ適した状態でレーザ光を照射することができるので、効率よく乾燥及び焼成を行なうことができる。また、第１のレーザ照射手段が基板に対して相対移動するときに、相対移動手段により第１レーザ照射手段と第２レーザ照射手段との距離を変更させて、第１レーザ照射手段からのレーザ光の基板に対する照射時間と、第２レーザ照射手段からのレーザ光の基板に対する照射時間とを相違させることができる。従って、第１レーザ照射手段のレーザ光は吐出に同期させて照射する一方で、第２レーザ照射手段のレーザ光の照射時間を長くすることにより、十分に焼成を行なうことができる。

この液滴吐出装置において、前記第１及び第２レーザ照射手段は、液滴吐出手段を搭載したキャリッジ上に配置されてもよい。
この液滴装置によれば、第１及び第２レーザ照射手段は、液滴吐出手段が搭載されたキャリッジ上に配置されているため、液滴吐出手段により吐出された液滴に応じて適宜レーザ光を照射して液滴を乾燥させ機能材料を焼成させることができる。

この液滴吐出装置において、前記相対移動手段は、キャリッジ上において、前記第１レーザ照射手段と前記第２レーザ照射手段との距離を変更する手段でもよい。
この液滴吐出装置によれば、相対移動手段を用いて、キャリッジ上で、第１レーザ照射手段と第２レーザ照射手段との距離を変更する。このため、キャリッジが、対向する基板に対して相対移動するときに、相対移動手段により第１レーザ照射手段と第２レーザ照射手段との距離を変更させて、第１レーザ照射手段からのレーザ光の基板に対する照射時間と、第２レーザ照射手段からのレーザ光の基板に対する照射時間とを相違させることができる。従って、第１レーザ照射手段のレーザ光は吐出に同期させて照射する一方で、第２レーザ照射手段のレーザ光の照射時間を長くすることにより、十分に焼成を行なうことができる。

この液滴吐出装置において、前記第１レーザ照射手段は、第１波長のレーザ光を照射し、第２レーザ照射手段は、前記第１波長とは異なる第２波長のレーザ光を照射してもよい。

この液滴吐出装置によれば、液滴を乾燥させるために適した第１波長のレーザ光を第１レーザ照射手段から照射し、液滴を焼成させるために適した第２波長のレーザ光を第２照射手段から照射することができる。従って、乾燥や焼成にあった波長を、それぞれ利用することにより、より効率よく液滴の乾燥・焼成を行なうことができる。

（本発明の前提となる発明の一形態）
以下、本発明の前提となる発明の一形態を図１〜図１３に従って説明する。
まず、本発明の液滴吐出装置を使って形成された識別コードを有する液晶表示装置の表示モジュールについて説明する。図１は液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図、図２は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの正面図、図３は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの側面図である。

図１において、液晶表示モジュール１は、光透過性の表示用基板としての透明ガラス基板（以下、単に基板２という。）を備えている。その基板２の表面２ａの略中央位置には、液晶分子を封入した四角形状の表示部３が形成され、その表示部３の外側には走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。そして、液晶表示モジュール１は、走査線駆動回路４の供給する走査信号とデータ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づいて液晶分子の配向状態を制御し、図示しない照明装置から照射された平面光を、液晶分子の配向状態で変調することによって、表示部３に、所望の画像を表示するようになっている。

基板２の裏面２ｂの右隅には、パターンとしてドットＤで構成された液晶表示モジュール１の識別コード１０が形成されている。識別コード１０は、図２に示すように、パターン形成領域Ｚ１内に形成される複数のドットＤにて構成されている。

このパターン形成領域Ｚ１の外周には予め定めた余白領域Ｚ２が形成されている。そして、パターン形成領域Ｚ１に形成された識別コード１０は、本形態では２次元コードであって、２次元コードリーダで読み取ることができる。また、余白領域Ｚ２は、ドットＤが形成されない領域であって、２次元コードリーダがパターン形成領域Ｚ１を特定し同パターン形成領域Ｚ１内の識別コード１０の誤検出を防止するための領域である。

パターン形成領域Ｚ１は、１〜２ｍｍ角の正方形の領域であって、図４に示すように、１６行×１６列の２５６個のセルＣに仮想分割されている。そして、１６行×１６列の各セルＣに対して選択的にドットＤが形成され、その各ドットＤで構成する液晶表示モジュール１の製品番号やロット番号を識別するための識別コード１０が形成される。

本形態では、この分割されたセルＣであって、セルＣ内にドットＤが形成されるセルＣを黒セルＣ１とし、セルＣ内にドットＤが形成されないセルＣを白セルＣ０（非形成領域）とする。また、図４において上側から順に、１行目のセルＣ、２行目のセルＣ、・・・、１６行目のセルＣとし、図４において左側から順に、一列目のセルＣ、２列目のセルＣ、・・・、１６列目のセルＣという。

黒セルＣ１（ドット領域）に形成されるドットＤは、図２及び図３に示すように、半球状に基板２に密着して形成されている。このドットＤは、本形態ではインクジェット法によって形成されている。詳述すると、ドットＤは、後記する液滴吐出装置２０のノズルＮからパターン形成材料（例えば、マンガン微粒子等）を含む液状体Ｆａ（図８参照）の液滴ＦｂをセルＣ（黒セルＣ１）に吐出させる。次に、その黒セルＣ１に着弾した液滴Ｆｂを乾燥させ、液滴Ｆｂに含まれるマンガン微粒子を焼成させることによって、基板２に密着したマンガンよりなる半球状のドットＤが形成される。この乾燥・焼成はレーザ光を、基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに照射することによって行われる。

次に、基板２の裏面２ｂに識別コード１０を形成するために使用される液滴吐出装置２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図である。
図５に示すように、液滴吐出装置２０には、直方体形状に形成される基台２１が備えられている。本形態では、この基台２１の長手方向をＹ矢印方向とし、同Ｙ矢印方向と直交する方向をＸ矢印方向とする。

基台２１の上面２１ａには、Ｙ矢印方向に延びる一対の案内凹溝２２が同Ｙ矢印方向全幅にわたり形成されている。その基台２１の上側には、一対の案内凹溝２２に対応する図示しない直動機構を備えた基板ステージ２３が取り付けられている。基板ステージ２３の
直動機構は、例えば案内凹溝２２に沿って延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸がステップモータよりなるＹ軸モータＭＹ（図１０参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相対する駆動信号がＹ軸モータＭＹに入力されると、Ｙ軸モータＭＹが正転又は逆転して、基板ステージ２３が同ステップ数に相当する分だけ、Ｙ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動する（Ｙ方向に移動する）ようになっている。

本形態では、この基板ステージ２３の配置位置であって、図５に示すように、基台２１の最も手前側に配置する位置を往動位置とする。
基板ステージ２３の上面には、載置面２４が形成され、その載置面２４には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、基板２が裏面２ｂを上側にして載置面２４に載置されると、その基板チャックによって、基板２が載置面２４の所定位置に位置決め固定されるようになっている。この際、パターン形成領域Ｚ１は、各セルＣの列方向がＹ矢印方向に沿うように設定され、かつ１行目のセルＣが最もＹ矢印方向側となるように配置される。

基台２１のＸ矢印方向両側には、一対の支持台２５ａ、２５ｂが立設され、その一対の支持台２５ａ、２５ｂには、Ｘ矢印方向に延びる案内部材２６が架設されている。案内部材２６は、その長手方向の幅が基板ステージ２３のＸ矢印方向よりも長く形成され、その一端が支持台２５ａ側に張り出すように配置されている。

案内部材２６の上側には、収容タンク２７が配設されている。その収容タンク２７には、分散媒にマンガン微粒子を分散させた液状体Ｆａが、導出可能に収容されている。一方、その案内部材２６の下側には、Ｘ矢印方向に延びる上下一対の案内レール２８がＸ矢印方向全幅にわたり凸設されている。この案内レール２８には、同案内レール２８に対応する図示しない直動機構を備えたキャリッジ２９が取り付けられている。キャリッジ２９の直動機構は、例えば案内レール２８に沿ってＸ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、所定のパルス信号を受けてステップ単位で正逆転するＸ軸モータＭＸ（図１０参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号をＸ軸モータＭＸに入力すると、Ｘ軸モータが正転又は逆転して、キャリッジ２９が同ステップ数に相当する分だけＸ矢印方向に沿って往動又は復動する。

また、キャリッジ２９には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド３０が一体に設けられている。図６は、液滴吐出ヘッド３０の下面（基板ステージ２３側の面）を上方に向けた場合の斜視図を示す。図７は、液滴吐出ヘッド３０の側面図を示す。液滴吐出ヘッド３０は、その下面にノズルプレート３１を備え、ノズルプレート３１には、本形態では識別コード１０を形成するための１６個の吐出口としてのノズルＮがＸ矢印方向に一列となって等間隔に貫通形成されている。

図８は、液滴吐出ヘッド３０の構造を説明するための要部断面図である。図８に示すように、ノズルプレート３１の上側であってノズルＮと相対する位置には、圧力室としてのキャビティ３２が形成されている。キャビティ３２は収容タンク２７に連通し、収容タンク２７内の液状体Ｆａを、それぞれ対応する各キャビティ３２内に供給可能にする。キャビティ３２の上側には、上下方向に振動して、キャビティ３２内の容積を拡大縮小する振動板３３と、上下方向に伸縮して振動板３３を振動させるピエゾ素子等からなる圧電素子３４が配設されている。

そして、液滴吐出ヘッド３０が圧電素子３４を駆動制御するためのノズル駆動信号を受けると、圧電素子３４が伸縮して、キャビティ３２内の容積を拡大縮小させ、対応する各
ノズルＮから縮小した容積分のマンガン微粒子を含む液状体Ｆａが液滴Ｆｂとなって基板２に吐出される。

液滴吐出ヘッド３０の下面であってノズルプレート３１の一側には、図６に示すように、乾燥用レーザ照射装置３８及び焼成用レーザ照射装置３９が併設されている。乾燥用レーザ照射装置３８は、焼成用レーザ照射装置３９よりノズルＮに近接して設けられている。この乾燥用レーザ照射装置３８は、１６個のノズルＮに対応して設けられた１６個の第１レーザ照射手段としての第１半導体レーザＬｂがＸ矢印方向に一列となって等間隔に並設されている。各第１半導体レーザＬｂは、対応するノズルＮから吐出されて基板２に着弾した液滴Ｆｂにレーザ光を照射して、液滴Ｆｂを乾燥させる。

なお、１６個の第１半導体レーザＬｂからなるレーザ列は、１６個のノズルＮからなるノズル列と併設されていて、対応する各第１半導体レーザＬｂとノズルＮの間隔はそれぞれ共に同じになるように形成されている。

更に、乾燥に用いる第１半導体レーザＬｂは、液状体Ｆａの分散媒の吸収係数に対応させた波長のレーザ光のレーザ光源を用いる。本形態の液状体Ｆａの分散媒においては、図１１に示す吸収波長を有しているため、図１１の矢印で示す波長（１０００ｎｍを超えた程度の波長）のレーザ光を第１半導体レーザＬｂから照射させる。

また、本形態では、乾燥用レーザ照射装置３８の下方には、反射鏡３８ｂが配置されている。この反射鏡３８ｂは、第１半導体レーザＬｂのレーザ光をノズルＮの直下に照射させるためのものである。そして、乾燥用レーザ照射装置３８からのレーザ光を用いて、液滴Ｆｂが基板２に着弾後、速やかに照射して、液滴Ｆｂを乾燥させる。

焼成用レーザ照射装置３９は、１６個のノズルＮに対応して設けられた１６個の第２レーザ照射手段としての第２半導体レーザＬｃがＸ矢印方向に一列となって等間隔に並設されている。各第２半導体レーザＬｃは、対応するノズルＮから液滴Ｆｂが吐出されることによって基板２に着弾した液滴Ｆｂにレーザ光を照射して、マンガン微粒子を焼成させる。

なお、本形態では、１６個の第２半導体レーザＬｃからなるレーザ列は、１６個のノズルＮからなるノズル列と併設されていて、対応する各第２半導体レーザＬｃとノズルＮの間隔は、本形態ではそれぞれ共に同じになるように形成されている。

更に、焼成に用いる第２半導体レーザＬｃは、マンガン微粒子の吸収係数を対応させた波長のレーザ光のレーザ光源を用いる。本形態の液状体Ｆａのマンガン微粒子においては、図１２に示す吸収波長を有しているため、図１２の矢印で示す波長（４００〜５００ｎｍ程度の波長）のレーザ光を第２半導体レーザＬｃから照射させる。

次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図９及び図１０に従って説明する。
図９において、制御装置４０には、外部コンピュータ等の入力装置４１から各種データを受信するＩ／Ｆ部４２と、ＣＰＵ等からなる制御部４３、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種データを格納するＲＡＭ４４、各種制御プログラムを格納するＲＯＭ４５が備えられている。また、制御装置４０には、駆動波形生成回路４６、各種駆動信号を同期するためのクロック信号ＣＬＫを生成する発振回路４７、第１半導体レーザＬｂ及び第２半導体レーザＬｃを駆動するためのレーザ駆動電圧ＶＤＬｂ，ＶＤＬｃを生成する電源回路４８、各種駆動信号を送信するＩ／Ｆ部４９が備えられている。そして、制御装置４０では、これらＩ／Ｆ部４２、制御部４３、ＲＡＭ４４、ＲＯＭ４５、駆動波形生成回路４６、発
振回路４７、電源回路４８及びＩ／Ｆ部４９が、バス５０を介して接続されている。

詳述すると、Ｉ／Ｆ部４２は、入力装置４１から、基板２の製品番号やロット番号等の識別データを公知の方法で２次元コード化した識別コード１０の画像を、既定形式の描画データＩａとして受信する。制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４２の受信した描画データＩａに基づいて、識別コード作成処理動作を実行する。すなわち、制御部４３は、ＲＡＭ４４等を処理領域として、ＲＯＭ４５等に格納された制御プログラム（例えば、識別コード作成プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させて基板２の搬送処理動作を行い、液滴吐出ヘッド３０の各圧電素子３４を駆動させて液滴吐出処理動作を行なう。また、制御部４３は、識別コード作成プログラムに従って、各第１半導体レーザＬｂを駆動させて液滴Ｆｂを乾燥させる乾燥処理動作を行なう。

詳述すると、制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４２の受信した描画データＩａに所定の展開処理を施し、２次元描画平面（パターン形成領域Ｚ１）上における各セルＣに、液滴Ｆｂを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成してＲＡＭ４４に格納する。このビットマップデータＢＭＤは、圧電素子３４に対応して１６×１６ビットのビット長を有したシリアルデータであり、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、圧電素子３４のオンあるいはオフを規定するものである。

また、制御部４３は、描画データＩａにビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、圧電素子３４に印加する圧電素子駆動電圧ＶＤＰの波形データを生成して、駆動波形生成回路４６に出力するようになっている。駆動波形生成回路４６は、制御部４３において生成された波形データを格納する波形メモリ４６ａと、同波形データをデジタル／アナログ変換してアナログ信号として出力するＤ／Ａ変換部４６ｂと、Ｄ／Ａ変換部から出力されるアナログの波形信号を増幅する信号増幅部４６ｃとを備えている。そして、駆動波形生成回路４６は、波形メモリ４６ａに格納した波形データをＤ／Ａ変換部４６ｂによりデジタル／アナログ変換し、アナログ信号の波形信号を信号増幅部４６ｃにより増幅して圧電素子駆動電圧ＶＤＰを生成する。

そして、制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４９を介して、ビットマップデータＢＭＤを、発振回路４７の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させた吐出制御信号ＳＩ（図１０参照）として、後述するヘッド駆動回路５１（シフトレジスタ５６）に順次シリアル転送する。また、制御部４３は、転送した吐出制御信号ＳＩをラッチするためのラッチ信号ＬＡＴをヘッド駆動回路５１に出力する。更に、制御部４３は、発振回路４７の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させて、圧電素子駆動電圧ＶＤＰをヘッド駆動回路５１（スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６）に出力する。

この制御装置４０には、図１０に示すように、Ｉ／Ｆ部４９を介して、ヘッド駆動回路５１、第１半導体レーザＬｂを駆動するためのレーザ駆動回路５２ｂ、第２半導体レーザＬｃを駆動するためのレーザ駆動回路５２ｃ、基板検出装置５３、Ｘ軸モータ駆動回路５４及びＹ軸モータ駆動回路５５が接続されている。

ヘッド駆動回路５１には、シフトレジスタ５６、ラッチ回路５７、レベルシフタ５８及びスイッチ回路５９が備えられている。シフトレジスタ５６は、クロック信号ＣＬＫに同期して制御装置４０（制御部４３）から転送された吐出制御信号ＳＩを、１６個の圧電素子３４に対応させてシリアル／パラレル変換する。ラッチ回路５７は、シフトレジスタ５６のパラレル変換した１６ビットの吐出制御信号ＳＩを、制御装置４０（制御部４３）から入力されるラッチ信号ＬＡＴに同期してラッチし、ラッチした吐出制御信号ＳＩをレベルシフタ５８及びレーザ駆動回路５２ｂ，５２ｃに出力する。レベルシフタ５８は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを、スイッチ回路５９が駆動する電圧まで昇圧
して、１６個の各圧電素子３４に対応する開閉信号ＧＳ１をそれぞれ生成する。スイッチ回路５９には、各圧電素子３４に対応するスイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６がそれぞれ備えられ、各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６の入力側には、共通する圧電素子駆動電圧ＶＤＰが入力され、出力側には、それぞれ対応する圧電素子３４が接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６には、レベルシフタ５８から、対応する開閉信号ＧＳ１が入力され、同開閉信号ＧＳ１に応じて圧電素子駆動電圧ＶＤＰを圧電素子３４に供給するか否かを制御するようになっている。

すなわち、本形態の液滴吐出装置２０は、駆動波形生成回路４６の生成した圧電素子駆動電圧ＶＤＰを、各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６を介して対応する各圧電素子３４に共通に印加する。また、同液滴吐出装置２０は、その各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６の開閉を、制御装置４０（制御部４３）から出力する吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ１）で制御するようにしている。そして、スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６が閉じると、同スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６に対応する圧電素子３４に、圧電素子駆動電圧ＶＤＰが供給され、同圧電素子３４に対応するノズルＮから液滴Ｆｂが吐出される。

図１３のラッチ信号ＬＡＴ、吐出制御信号ＳＩ及び開閉信号ＧＳ１のパルス波形と、開閉信号ＧＳ１に応答して圧電素子３４に印加される圧電素子駆動電圧ＶＤＰの波形を示す。

図１３に示すように、制御部４３からヘッド駆動回路５１に出力されたラッチ信号ＬＡＴが立ち下がると、１６ビット分の吐出制御信号ＳＩに基づいて開閉信号ＧＳ１が生成される。そして、１６個の開閉信号ＧＳ１のうち立ち上がった開閉信号ＧＳ１に対応する圧電素子３４に圧電素子駆動電圧ＶＤＰが供給される。圧電素子駆動電圧ＶＤＰの電圧の上昇とともに圧電素子３４が収縮してキャビティ３２内に液状体Ｆａが引き込まれ、圧電素子駆動電圧ＶＤＰの電圧値の下降とともに圧電素子３４が伸張してキャビティ３２内の液状体Ｆａが押し出され、液滴Ｆｂが吐出される。液滴Ｆｂを吐出すると、圧電素子駆動電圧ＶＤＰの電圧値は初期電圧まで戻り、圧電素子３４の駆動による液滴Ｆｂの吐出動作が終了する。

図１０に示すように、レーザ駆動回路５２ｂには、遅延パルス生成回路６１ｂとスイッチ回路６２ｂが備えられている。遅延パルス生成回路６１ｂは、図１３に示すようにラッチ回路５７がラッチ信号ＬＡＴの立下りに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、所定の時間（待機時間Ｔｂ）だけ遅延させたパルス信号（開閉信号ＧＳ２）を生成し、この開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２ｂに出力する。ここで、待機時間Ｔｂとは、圧電素子３４の駆動タイミング（ラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりタイミング）を基準（基準時間Ｔｋ）とし、その圧電素子３４（ノズルＮ）に対応する第１半導体レーザＬｂのレーザ照射位置を液滴Ｆｂが通過するに要する時間である。詳述すると、本形態における待機時間Ｔｂは、予め試験等に基づいて設定した時間であり、圧電素子３４の吐出動作の開始時（圧電素子駆動電圧ＶＤＰの立ち上がる時）から液滴Ｆｂが着弾し、その着弾した液滴Ｆｂがレーザ照射位置まで到達するまでの時間である。従って、遅延パルス生成回路６１ｂは、ラッチ回路５７がラッチ信号ＬＡＴの立下りに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、待機時間Ｔｂ経過すると、すなわち着弾した液滴Ｆｂが第１半導体レーザＬｂの照射位置に来たとき、開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２ｂに出力する。

スイッチ回路６２ｂには、各第１半導体レーザＬｂに対応するスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６が備えられている。各スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６の入力側には、電源回路４８の生成した共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬｂが入力され、出力側には対応する各第１半導体レーザＬｂが接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６には、遅延パルス生成回路６１ｂから対応する開閉信号ＧＳ２が入力され、同開閉信号ＧＳ２に応じてレ
ーザ駆動電圧ＶＤＬｂを第１半導体レーザＬｂに供給するか否かを制御するようになっている。

すなわち、本形態の液滴吐出装置２０は、電源回路４８の生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬｂを、各スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６を介して対応する各第１半導体レーザＬｂに共通に印加する。液滴吐出装置２０は、そのスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６の開閉を、制御装置４０（制御部４３）の供給する吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ２）によって制御するようにしている。そして、スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６が閉じると、同スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６に対応する第１半導体レーザＬｂにレーザ駆動電圧ＶＤＬｂが供給され、対応する第１半導体レーザＬｂからレーザ光が出射される。

つまり、図１３に示すように、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、待機時間Ｔｂ後に、開閉信号ＧＳ２が生成される。そして、開閉信号ＧＳ２が立ち上がった時に、対応する第１半導体レーザＬｂにレーザ駆動電圧ＶＤＬｂが印加され、丁度、第１半導体レーザＬｂの照射位置を通過する基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに、同第１半導体レーザＬｂからレーザ光が出射される。そして、開閉信号ＧＳ２が立ち下がり、レーザ駆動電圧ＶＤＬｂの供給が遮断されて第１半導体レーザＬｂによる乾燥処理動作が終了する。

レーザ駆動回路５２ｃには、遅延信号生成回路６１ｃとスイッチ回路６２ｃが備えられている。遅延信号生成回路６１ｃは、ラッチ回路５７がラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、所定の時間（待機時間Ｔｃ）だけ遅延させた信号（開閉信号ＧＳ３）を生成し、同開閉信号ＧＳ３をスイッチ回路６２ｃに出力する。ここで、待機時間Ｔｃとは、圧電素子３４の駆動タイミング（ラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりタイミング）を基準（基準時間Ｔｋ）とし、その圧電素子３４（ノズルＮ）に対応する第２半導体レーザＬｃの直下（レーザ照射位置）を液滴Ｆｂが通過するに要する時間をいう。

詳述すると、本形態における待機時間Ｔｃは、予め試験等に基づいて設定した時間であり、圧電素子３４の吐出動作の開始時（圧電素子駆動電圧ＶＤＰの立ち上がる時）から液滴Ｆｂが着弾し、その着弾した液滴Ｆｂが第２半導体レーザＬｃのレーザ照射位置まで到達するまでの時間である。従って、遅延信号生成回路６１ｃは、ラッチ回路５７がラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、待機時間Ｔｃ経過すると、即ち、着弾した液滴Ｆｂが第２半導体レーザＬｃの直下（レーザ照射位置）に来たとき、開閉信号ＧＳ３をスイッチ回路６２ｃに出力する。

スイッチ回路６２ｃには、１６個の各第２半導体レーザＬｃに対応するスイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６が備えられている。各スイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６の入力側には、電源回路４８の生成した共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬｃが入力され、出力側には対応する各第２半導体レーザＬｃが接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６には、遅延信号生成回路６１ｃから対応する開閉信号ＧＳ３が入力され、同開閉信号ＧＳ３に応じてレーザ駆動電圧ＶＤＬｃを第２半導体レーザＬｃに供給するか否かを制御するようになっている。

すなわち、本形態の液滴吐出装置２０は、電源回路４８の生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬｃを、各スイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６を介して対応する各第２半導体レーザＬｃに共通に印加する。同液滴吐出装置２０は、そのスイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６の開閉を、制御装置４０（制御部４３）の供給する吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ３）によって制御するようにしている。そして、スイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６が閉じると、同スイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６に対応する第２半導体レーザＬｃにレーザ駆動電圧ＶＤＬｃが供給され、対応する第２半導体レーザＬｃからレーザ光が出射される。

つまり、図１３に示すように、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、待機時間Ｔｃ後に、開閉信号ＧＳ３が生成される。そして、開閉信号ＧＳ３が立ち上がった時に、対応する第２半導体レーザＬｃにレーザ駆動電圧ＶＤＬｃが印加され、丁度、第２半導体レーザＬｃの照射位置を通過する基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに、同第２半導体レーザＬｃからレーザ光が出射される。そして、開閉信号ＧＳ３が立ち下がり、レーザ駆動電圧ＶＤＬｃの供給が遮断されて第２半導体レーザＬｃによる焼成処理動作が終了する。

制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介して基板検出装置５３が接続されている。基板検出装置５３は、基板２の端縁を検出し、制御装置４０によって液滴吐出ヘッド３０（ノズルＮ）の直下を通過する基板２の位置を算出する際に利用される。

制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介してＸ軸モータ駆動回路５４が接続され、Ｘ軸モータ駆動回路５４にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路５４は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、キャリッジ２９を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ２９はＸ矢印方向に移動し、逆転させるとキャリッジ２９は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。

制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路５４を介してＸ軸モータ回転検出器５４ａが接続され、Ｘ軸モータ回転検出器５４ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、この検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０（キャリッジ２９）のＸ矢印方向の移動量と、移動方向とを演算するようになっている。

制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介してＹ軸モータ駆動回路５５が接続され、Ｙ軸モータ駆動回路５５にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５５は、制御装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、基板ステージ２３を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させ、同基板ステージ２３を予め定めた速度で移動させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、基板ステージ２３（基板２）は予め定めた速度でＹ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ２３（基板２）は予め定めた速度で反Ｙ矢印方向に移動する。

制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路５５を介してＹ軸モータ回転検出器５５ａが接続され、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０に対する基板２のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。

次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を基板２の裏面２ｂに形成する方法について説明する。
まず、図５に示すように、往動位置に位置する基板ステージ２３上に、基板２を、裏面２ｂが上側になるように配置固定する。このとき、基板２のＹ矢印方向側の辺は、案内部材２６より反Ｙ矢印方向側に配置されている。また、キャリッジ２９（液滴吐出ヘッド３０）は、基板２がＹ矢印方向に移動したとき、その直下を、識別コード１０を形成する位置（パターン形成領域Ｚ１）が通過する位置にセットされている。

この状態から、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御し、基板ステージ２３を介
して基板２を所定の速度でＹ矢印方向に搬送させる。やがて、基板検出装置５３が基板２のＹ矢印側の端縁を検出すると、制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号に基づいて、横一列のセルＣ（黒セルＣ１）がノズルＮの直下まで搬送されたかどうか演算する。

この間、制御装置４０は、識別コード作成プログラムに従って、ＲＡＭ４４に格納したビットマップデータＢＭＤに基づく吐出制御信号ＳＩと、駆動波形生成回路４６で生成した圧電素子駆動電圧ＶＤＰをヘッド駆動回路５１に出力する。また、制御装置４０は、電源回路４８で生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬｂ，ＶＤＬｃをレーザ駆動回路５２ｂ，５２ｃに出力する。そして、制御装置４０はラッチ信号ＬＡＴを出力するタイミングを待つ。

そして、１行目のセルＣ（黒セルＣ１）がノズルＮの直下（着弾位置）まで搬送されると、制御装置４０は、ラッチ信号ＬＡＴをヘッド駆動回路５１に出力する。ヘッド駆動回路５１は、制御装置４０からのラッチ信号ＬＡＴを受けると、吐出制御信号ＳＩに基づく開閉信号ＧＳ１を生成し、同開閉信号ＧＳ１をスイッチ回路５９に出力する。そして、閉じた状態のスイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６に対応する圧電素子３４に、圧電素子駆動電圧ＶＤＰを供給し、対応するノズルＮから、圧電素子駆動電圧ＶＤＰに相対する液滴Ｆｂを、一斉に吐出する。

一方、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、レーザ駆動回路５２ｂ（遅延パルス生成回路６１ｂ）は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを受けて開閉信号ＧＳ２の生成を開始し、待機時間Ｔｂを経過するときに、生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２ｂに出力する。そして、レーザ駆動回路５２ｂは、遅延パルス生成回路６１ｂの生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２ｂに出力し、閉じた状態のスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６に対応する第１半導体レーザＬｂに、レーザ駆動電圧ＶＤＬｂを供給する。従って、横一列の黒セルＣ１内に着弾した液滴Ｆｂに、一斉に各第１半導体レーザＬｂからレーザ光が照射される。このレーザ光のエネルギによって、液滴Ｆｂの分散媒が着弾時に蒸発し、同液滴Ｆｂが裏面２ｂにて乾燥する。

一方、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、レーザ駆動回路５２ｃ（遅延パルス生成回路６１ｃ）は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを受けて開閉信号ＧＳ３の生成を開始し、待機時間Ｔｃを経過するときに、生成した開閉信号ＧＳ３をスイッチ回路６２ｃに出力する。そして、レーザ駆動回路５２ｃは、遅延信号生成回路６１ｃの生成した開閉信号ＧＳ３をスイッチ回路６２ｃに出力し、閉じた状態のスイッチ素子Ｓｃ１〜Ｓｃ１６に対応する第２半導体レーザＬｃに、レーザ駆動電圧ＶＤＬｃを供給する。従って、横一列の黒セルＣ１内に着弾した液滴Ｆｂに、一斉に各第２半導体レーザＬｃからレーザ光が照射される。このレーザ光のエネルギによって、液滴Ｆｂに含まれていたマンガン微粒子が焼成され、基板２に密着される。これにより、基板２にマンガンよりなる半球状のドットＤが形成される。

以後、同様に、各ノズルＮから吐出された液滴Ｆｂが基板２に着弾する度に対応する第１半導体レーザＬｂのレーザ光の照射を受けて乾燥され、更に、対応する第２半導体レーザＬｃの直下に搬送される毎に第２半導体レーザＬｃのレーザ光の照射を受けて焼成される。そして、識別コード１０を構成する半球状のドットＤが横一列毎に形成されてくる。

その後、パターン形成領域Ｚ１に形成される識別コード１０の全てドットＤを形成されると、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを制御して、基板２を液滴吐出ヘッド３０の下方位置から退出させる。

次に、上記のように構成した本形態の効果を以下に記載する。
（１）本形態によれば、乾燥用レーザ照射装置３８と焼成用レーザ照射装置３９とを独立して設ける。このため、乾燥又は焼成に適したレーザ照射手段を用いることができる。具体的には、図１１及び図１２に示すように、液滴Ｆｂの分散媒が吸収するレーザ吸収波長と、液滴Ｆｂに含まれるマンガン微粒子が吸収するレーザ吸収波長とは異なる。そして、ノズルＮから吐出された液滴Ｆｂの分散媒を蒸発させて液滴Ｆｂの乾燥を行なうための第１半導体レーザＬｂと、液滴Ｆｂに含まれるマンガン微粒子を焼成するための第２半導体レーザＬｃとを、液滴吐出ヘッド３０（キャリッジ２９）において別々に設ける。このため、分散媒又はマンガン微粒子のそれぞれに適する吸収波長のレーザを用いてエネルギを与えることができる。従って、より効率よく液滴Ｆｂの乾燥及び焼成を行なうことができる。また、第１半導体レーザＬｂからのレーザ光を、液滴Ｆｂが着弾する近傍に照射させることができるので、いっそう効率よく液滴Ｆｂの乾燥を行なうことができる。

（２）本形態によれば、１６個の第１半導体レーザＬｂ及び第２半導体レーザＬｃは、駆動した圧電素子３４に対応する第１半導体レーザＬｂ及び第２半導体レーザＬｃしか駆動させないようにした。このため、乾燥や焼成の必要にない領域においては、第１半導体レーザＬｂや第２半導体レーザＬｃによるレーザ照射を抑制し、消費電力を抑えることができる。

（本発明の実施形態）
次に、本発明を具体化した実施形態を、図１４〜図１７に基づいて説明する。なお、本発明の前提となる上記発明の一形態と同様な部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

本実施形態は、上記一形態の焼成用レーザ照射装置３９が、微小移動ステージ３５を介してキャリッジ２９に取り付けられている。
詳述すると、図１４に示すように、本実施形態の微小移動ステージ３５は、焼成用レーザ照射装置３９をキャリッジ２９に対してＹ方向に移動可能に支持されている。

また、本実施形態の制御装置４０には、図１６に示すように、Ｉ／Ｆ部４９を介して微小移動駆動回路６５が接続され、この微小移動駆動回路６５にステージ駆動制御信号を出力するようになっている。微小移動駆動回路６５は、制御装置４０からのステージ駆動制御信号に応答して、微小移動ステージ３５を往復移動させる駆動モータ６６を正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、駆動モータ６６を正転させると、微小移動ステージ３５はＹ矢印方向（図５参照）に移動し、逆転させると微小移動ステージ３５は反対方向に移動するようになっている。

制御装置４０には、微小移動駆動回路６５を介してモータ回転検出器６５ａが接続され、モータ回転検出器６５ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、この検出信号に基づいて、駆動モータ６６の回転方向及び回転量を検出し、微小移動ステージ３５のＹ矢印方向の移動量と移動方向とを演算するようになっている。

本実施形態の微小移動駆動回路６５は、図１５に示すように、第２半導体レーザＬｃからのレーザ光の照射前には、第２半導体レーザＬｃとノズルＮとの距離ＬＹが最小となる位置に、微小移動ステージ３５を設置させる。そして、微小移動駆動回路６５は、横一列で最初に着弾した液滴Ｆｂが第２半導体レーザＬｃの直下に至ったとき（図１７における時刻Ｔｓ）から駆動モータ６６を正転させる。ここで、基板２のＹ矢印方向への移動に伴い、第２半導体レーザＬｃの移動速度は、基板２の搬送速度より遅い速度で、第２半導体レーザＬｃも移動させる。横一列における最後のセルＣが通過すると（図１７における時刻Ｔｅ）、駆動モータ６６を逆転させて、距離ＬＹが最小となる位置に微小移動ステージ３５を移動させる。

本実施形態によれば、上記一形態と同様の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
（３）本実施形態によれば、微小移動ステージ３５は、焼成用レーザ照射装置３９をキャリッジ２９に対してＹ方向に移動可能に支持している。そして、基板２のＹ矢印方向への移動に伴い、第２半導体レーザＬｃも移動させる。この場合、第２半導体レーザＬｃの移動速度は、基板２の搬送速度より遅くしておく。これにより、基板２と第２半導体レーザＬｃとの相対速度差を小さくし、微小移動ステージ３５の移動可能範囲において、長時間、第２半導体レーザＬｃによるレーザ照射を行なうことができる。通常、乾燥に比べて、焼成にはより多くにエネルギが必要である。従って、基板２に着弾した液滴Ｆｂに対して、第２半導体レーザＬｃの照射時間を長くすることができ、焼成を促進することができる。よって、描画速度を上げるために基板ステージ２３の移動を早くし、それに応じて乾燥を行なう第１半導体レーザＬｂのレーザ光の照射時間を短くしても、焼成のための第２半導体レーザＬｃのレーザ光の照射時間を長くして、焼成を行なうことができる。

なお、上記実施形態は、以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、焼成用レーザ照射装置３９が、微小移動ステージ３５を介してキャリッジ２９に取り付けた。これに限らず、焼成用レーザ照射装置３９をキャリッジ２９とは別に移動させる機能に取り付けてもよい。

○上記実施形態では、液滴Ｆｂの乾燥を行なうために第１半導体レーザＬｂを用い、液滴Ｆｂの焼成を行なうために第２半導体レーザＬｃを用いた。これに限らず、液滴Ｆｂの乾燥を行なうレーザ又は液滴Ｆｂの焼成を行なうレーザは、他のレーザを用いてもよい。また、それぞれに用いるレーザの波長は、上記実施形態で示した以外の波長であってもよい。ただし、液滴Ｆｂの分散媒や液滴Ｆｂに含まれる金属微粒子が吸収しやすい波長であれば、効率よく乾燥・焼成を行なうことができる。

○上記実施形態では、第１半導体レーザＬｂから出射したレーザ光のレーザ照射位置を液滴Ｆｂの着弾位置とほぼ一致させたが、レーザ照射位置を液滴の着弾位置から相違させて照射してもよい。

○上記実施形態では、半球状のドットＤで具体化したが、その形状は限定されるものではなく、例えば、その平面形状が楕円形のドットであったり、バーコードを構成するバーのように線状であったりしてもよい。

○上記実施形態では、パターンは２次元コードの識別コードであったが、これに限定されるものではなく、例えばバーコードであってもよい。更に、パターンは、文字、数字、記号等であってもよい。

○上記実施形態では、識別コード１０を表示用基板として基板２に形成したが、これをシリコンウェハ、樹脂フィルム、金属板等でもよい。
○上記実施形態では、圧電素子３４の伸縮動によって液滴Ｆｂを吐出する構成にしたが、圧電素子３４以外の方法（例えば、キャビティ３２内に気泡を生成して破裂させる方法）によってキャビティ３２内を加圧し、液滴Ｆｂを吐出するようにしてもよい。

○上記実施形態では、レーザ駆動回路５２ｂの遅延パルス生成回路６１ｂにて、待機時間Ｔｂが経過した時、開閉信号ＧＳ２を出力するようにした。また、レーザ駆動回路５２ｃの遅延信号生成回路６１ｃにて、待機時間Ｔｃが経過した時、開閉信号ＧＳ３を出力するようにした。これを、制御装置４０で、待機時間Ｔｂ，Ｔｃをそれぞれ計時して、待機時間Ｔｂ，Ｔｃが経過した時、レーザ駆動回路５２ｂ，５２ｃに制御信号を出力する。そして、レーザ駆動回路５２ｂ，５２ｃは、制御信号に応答して、ヘッド駆動回路５１のラッチ回路５７から入力した吐出制御信号ＳＩに基づいて生成した開閉信号ＧＳ２，ＧＳ３を出力するようにしてもよい。

○上記実施形態では、識別コード１０を構成するドットＤを形成するための液滴吐出装置２０に具体化した。これに限らず、例えば、機能性材料として配線材料を含む液滴を基板に吐出させて基板上に金属配線を形成したり、絶縁膜を形成したりする液滴吐出装置に応用してもよい。この場合にも、効率よく乾燥・焼成を液滴吐出装置で行なうことができる。

○上記実施形態では、液晶表示モジュール１に具体化した。これに限らず、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。また、識別コード１０が形成された基板２等は、これらの表示装置のみでなく、他の電子機器に使用してもよい。

液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図。 液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの正面図。 液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの側面図。 ドットパターンの構成を説明するための説明図。 液滴吐出装置の要部斜視図。 液滴吐出ヘッドを説明するための斜視図。 液滴吐出ヘッドを説明するための側面図。 液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。 液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。 液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。 分散媒における吸収率と波長との関係を示すグラフ。 マンガン微粒子における吸収率と波長との関係を示すグラフ。 圧電素子と半導体レーザの駆動タイミングを説明するためのタイミングチャート。 実施形態の液滴吐出ヘッドを説明するための側面図。 実施形態の液滴吐出ヘッドの動きを説明するための説明図。 液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。 微小移動ステージの位置と駆動モータの駆動タイミングを説明するためのタイミングチャート。

符号の説明

Ｆａ…液状体、Ｆｂ…液滴、Ｌｂ…第１レーザ照射手段としての半導体レーザ、Ｌｃ…第２レーザ照射手段としての第２半導体レーザ、ＬＹ…距離、Ｎ…吐出口としてのノズル、２…基板としてのガラス基板、２０…液滴吐出装置、２９…キャリッジ、３０…液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド、３５…相対移動手段としての微小移動ステージ。

Claims (4)

1. 機能性材料を含む液状体を、吐出口から液滴として吐出する液滴吐出装置において、
   前記吐出口から吐出され、基板に着弾した前記液滴にレーザ光を照射して乾燥させる第１レーザ照射手段と、
   前記乾燥させた液滴を焼成するための第２レーザ照射手段と、
   前記第１のレーザ照射手段のレーザ光の照射位置と、前記第２レーザ照射手段のレーザ光の照射位置との距離を変更する相対移動手段とを設け、
   該相対移動手段は、前記第１のレーザ照射手段の前記照射位置と前記基板との位置関係に基づいて、前記第２のレーザ照射手段を移動させることを特徴とする液滴吐出装置。
2. 請求項１に記載の液滴吐出装置において、
   前記第１及び第２レーザ照射手段は、液滴吐出手段を搭載したキャリッジ上に配置されていることを特徴とする液滴吐出装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液滴吐出装置において、
   前記相対移動手段は、キャリッジ上において、前記第１レーザ照射手段と前記第２レーザ照射手段との距離を変更する手段であることを特徴とする液滴吐出装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
   前記第１レーザ照射手段は、第１波長のレーザ光を照射し、
   第２レーザ照射手段は、前記第１波長とは異なる第２波長のレーザ光を照射することを特徴とする液滴吐出装置。

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