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TWI288958B - A miniaturized contact spring - Google Patents

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Publication number
TWI288958B
TWI288958B TW092105837A TW92105837A TWI288958B TW I288958 B TWI288958 B TW I288958B TW 092105837 A TW092105837 A TW 092105837A TW 92105837 A TW92105837 A TW 92105837A TW I288958 B TWI288958 B TW I288958B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
film
substrate
core
elastic sheet
elastic
Prior art date
Application number
TW092105837A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200305956A (en
Inventor
Syamal Kumar Lahiri
Frank Swiatowiec
Fu-Chiung Chong
Sammy Mok
Erh-Kong Chieh
Original Assignee
Nanonexus Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanonexus Inc filed Critical Nanonexus Inc
Publication of TW200305956A publication Critical patent/TW200305956A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI288958B publication Critical patent/TWI288958B/zh

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
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    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
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Description

1288958 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係大致關於高度迷你彈性件。特笑言之，本發 明係關於迷你接觸彈性件之族群與增加該些彈性件之屈服 強度與疲勞強度之各式方法。 【先前技術】 由於迷你彈性件之陣列間距可所小至低於1 〇 μιη之尺 寸’故迷你彈性件已廣泛作為電性接觸件，以與用於測試、 熱把與封裝等不同目的之積體電路、印刷電珞板、内插板、 空間變壓器與探針晶片之墊或輸入/輸出終端接觸。迷你應 力金屬膜至少包含一固定部分，常藉由微影成像加以圖案 化，該固定部分也稱為錨件部分，貼附於一基板與一舉升 邛刀該固定部分也稱為自由部分，最初貼附於該基板而 後逐漸鬆動遠離基板延伸，進而於該彈性件内形成導致内 部應力梯度之一立體結構。薄膜内之應力梯度一般係由複 數個薄膜層以濺鍍或電鍍方法在不同製程條件下接續沉積 而產生。應力金屬彈性件典型之實施例係示於第la圖，其 至V包含與貼附至一基板或電性元件1 0 3聯繫之電性接觸 件或終端1 02之一錨件部分10 1，及包含具有一彈性件尖 端1 0 5之一自由部分。該結構之實施例係揭露於美國專利 第 5,613,861 號及國際申請案 PCT/US00/21012(Chong， Mok)。 其他形式之彈性件係包含分離彈性件，該分離彈性件 係個別地或群組地製造並接續架設於一基板上，以用於諸 6 1288958 如晶圓測試或熱乾組件’或包含如半導體裝置之積體固態 裝置。彈性件仍有懸樑臂之形式，如國際申請案〇ι/488 ΐ8、 國際申請案W097/44676、美國專利第6，184,〇53號與國際 申請案〇1Μ8818中所述，懸樑臂彈性件係使用微影成像一 體製造於基板上。部分彈性件係個別地或群組地製作於一 犧牲基板上，而後被架設至用於晶圓測試或熱靶組件之基 板上’或架設至該些包含半導體裝置之基板上。第。圖^ 為典塑微影成像圖案化之獨立式懸樑臂彈性件之橫截面， 該彈性件係置於犧牲層上’並至少包含一端貼附於基板 203之電性接觸墊202之底部區域2〇1、位於彈性件另1山 之接觸央端區域204、及連接彈性件接觸底部2〇1與接$ 尖端區域204之中央主體205。該彈性件之問題點係為其 過長之長度。部分現存與下世代積體電路之測試與熱靶，、 係希望使用較短且較小之彈性件，如包含具有2〇_5&m知 間距之接觸終端墊。 專利文獻中係已界定使用曝光微影成像製程製作較杂一 彈性件，以增加較薄金屬覆蓋膜之方法。申，案乂丑 01/48870係描述以已電鑛光阻電鑛金屬於自由固定彈丄〇 之頂部之方法。然而，在具有墊間距低於ι5〇μιη之探
之尺寸需求下，獨立式彈性片；^ θ ^ + f IC 片不具備有效握持背側光 強度，而無法有效地縮減探斜 的 休針所需之高度。曝光製程 任何非均一的性質會移轉至非 _ ., μ ^ ^ ’ 那均一弹性片尚度，進而盔 滿足停留於1C墊座上進行測試時各項均-性之需求/ 申請案（WO 01/48870)戶斤、+、 斤迷之方法係也具有電鍍後控 7
1288958 制舉升高度之一額外問題。獨立式彈性片之目的之一係 供用以支撐較薄電鍍金屬之一骨架或結構。若僅電鍍彈 片之一側，彈性片係以鍍膜内之應力為基礎，彎曲為一 同之舉升高度。若該膜為拉伸狀態，則其向上彎曲，若 縮該膜，則其向下彎曲。兩種應力條件均難以控制至滿 測試1C所需之公差與彈性片舉升之均一性。此外，壓縮 性片之強度係大於拉伸彈性片之強度，而具有一壓縮鍍 之彈性片無法舉升至定點高度，以致不足以成為實用的 針。獨立式彈性片尚有一個限制，即為其在電鍍補償壓 效應前，需舉升多少高度，以補償此壓縮效應。探針需 低於90度之角度下與1C電性墊接觸。增加之舉升高度 傾向於造成彈性片對基板建立一 360度環形之自身環繞 因此，該發明所揭示之製程係無法滿足1C測試時，控制 性片陣列舉升高度均一性之需求。 申請案WO 0 1 /48 870所揭示建立探針之方法，係組 一尖端於電鍍彈性片上，並組裝犧牲基板上之彈性片於 第二互連基板。該組裝製程係加入位置定位錯誤，相較 ' · " * * • - ' ' 本發明在此所述之全部一體連接按鈕尖端，其之製造成 較為昂貴。 美國專利案第6，5 2 8，3 5 0號所述之另一方法係避開 阻覆蓋（如光罩）彈性片，而使用釋放層島以電鍍彈性片 獨立式部分。此情形中，釋放光罩係鄰近於彈性片之底 (錨件部分）終止，且不沿著彈性片之底部延伸，鄰近底 之彈性片自由部分之厚度與寬度與底部區域相較，因受 提 性 不 壓 足 彈 膜 探 縮 在 彈 裝 於 本 光 之 部 部 電 8 1288958 鏡影響而增加。因此’彈性片獨立式部分之底部區域周圍 具有較弱的機械強度。因為’此區域内具有最高之彎曲動 量，故1C測試期間，因著各應用施於彈性片尖端之力量， 使彈性片較早產生裂縫’因此無法滿足1C製糎線探針使用 壽命之需求。美國專利第6,528,350號所述之另一方法，
其中光阻光罩於電鍍期間係無覆蓋彈性片之獨立式部分與 錨件部分之部分區域，故仍有傾向產生裂缝之不連續寬 度。彈性片釋放製程之光罩校準與控制係也導致電鍍不均 一且舉升均一度變動之嚴重問題。此製程另—主要問題係 導因於電鑛電流流經時，相對薄釋放層與應力金屬膜之高 電阻。基板邊緣之電流密度，在遠離電源連接點時係大幅 地變化。因此，電鑛膜之特徵，諸如微結構、厚度、壓力 等，在彈性片不同區域上係大幅地變化。因此該製程無法 製造具有合理均一性且可控制性質（如實質用於1C測試之 舉升高度）之彈性片之陣列。
本發明係至少包含數種方法以解決上述兩方法所產生 之問題’並提供滿足晶圓級I c測试嚴厲需求、製作淨性片 之陣列之方法。其他方面，本發明係製作具有合理均一度 舉升高度、性質與耐久性之彈性片陣列。舉例而言’本發 明係教示以具平均壓力之電沉殿膜包住全部彈性片芯材 (包括獨立式部分與錨件部分）之實施方式’該平均壓力係 於電沉積後，維持彈性片適當均一度之高度。另一方面’ 本發明係提供一方法用以選擇性電鍍彈性片而不需使用任 何光阻光罩。 9 1288958
迷你接觸彈性片於測試期間係受多項接_操作步驟支 配，並使彈性片符合各式應力程度包含週期應力。同樣地， 在使用接觸彈性片以連接兩元件（諸如晶片與晶片載體）之 封裝中，彈性片於測試與操作期間係受應力支配。彈性片 需能抵抗該些應力而不產生失敗。然而’本發明人係已獲 致尺寸如約為之迷你彈性片，其典型 於1 0，0 0 0次觸地、接觸力超過約1 s f後’開產生失敗’ 即為塑性變形與/或產生裂缝。產生失敗之主因係為操作期 間所產生之替換應力超過彈性片材料之疲勞途度。疲勞強 度係指一材料可抵抗一特定週期數目之替換應力程度。材 料屈服強度之部分，典型係對應於塑膠變形之起始點，即 為瞬間永久變形。如我們的實驗所獲致之結果’超過約1 g f 之力量，因常需與低接觸電阻之銘形成良好再現接觸，故 需有效地增加彈性片之抗失敗性’以改良彈性片之效能與 品質。具有較大截面之彈性片，因產生較低應力，故可抵 抗相似或較大力量而不產生失敗’但它們係限制彈性片於 間距處之建立。 諸如熱靶裝置之部分操作’接觸彈性片需與裝置終端 於一上升溫度如約100°C下形成接觸。此接觸係也需使一 相對高電流如2 5 0 - 5 0 0 m A於操作期間流經。在此條件下’ 接觸電阻應相當低’如〇 · 1 m丨11丨-0 ^ m ’以使彈性片之接觸 尖端區域不因過熱而受損。提供低接觸電阻之一方法係為 藉由增加彈性片厚度以增加接觸力。然而’較高接觸力係 增加彈性件主體内之應力’特別在接近底部區域’藉此於 10 1288958 重複觸地期間增加彈 此外，電性接觸 向黏附於彈性片尖瑞 接觸電阻，或墊材料 性成分之情形下，此 減彈性片之使用壽命 或終端不具強黏附性 性片提早失敗之可能性。 墊或終端之材料於重複接觸期間係傾 。在墊材料黏附於彈性片尖端係增加 於暴露至大氣條件下立刻形成具黏著 電性接觸於重複觸地後降低。此也縮 該接觸乂、結構係較佳以與接觸塾 之材料加以形成。
因此在迷你化需 之屈服強度與疲勞5自 求下，亟需 度最大化。 一機構用於將迷你彈性片 ’使接觸塾材料與彈性片尖端之黏 至最小，並不會實質地影響彈性片 . I造具有高抗變形應力之彈姓片之方 ; 的彈性片高度，並提供耐久的尖端社構。 【發明内容】 次細、、、。稱
進一步需要一機構 附性在重複接觸期間$ 之可靠度與傳導電性。 产盥疲^Γ M W超細間距陣列内，製造増加屈服強 迷你接觸彈性件之-解決方案。其係也提供 Τ在不；5V響迷你彈性片土 尖端重痛垃雜 罪’f下，將接觸墊材料與彈性片 :複接觸點之黏著力降至最小之-解決方案。此外，本 發明係也提供製#骚 卜本 流通過卻無實f降低1使^=，該彈性片係允許相對高電 以製造用於連接”接t 。本發明係也提供—方案， 對應於-茂板：二：終端之財用彈性片’其中該終端係 之m 出塾’該基板包含用於可靠封敦製、生 …機或有機材料。連接步驟係如使用焊錫或使用包含非 11 1288958 等向性傳導黏著薄联之傳導黏劑。 本發明之應力金 薄膜與相對應之塊椅力 #片至少包含一多層薄膜結構。 強度，因此本發明目比’實f具有較大之屈服強度與疲乏 無任何有效塑膠形變產：片在測試或燒靶期間可重複觸地而 使用壽命。此也可制=於芯材膜上係有助於増加彈性片之
大力量之能力之庫二電性接觸塾或終端處，具有施以較 馬力金屬彈性片。 薄膜係以遠靖丰_U、 ...,^ ^ 、·、、V驟或微分離步驟，遍及兩不同材料間 之界面，在組合物Φ 弟形過渡段加以沉積，以致於彈性模 數大致正比於彈性片表面$碟 衣面至舞性片芯材之深度增加。此係有
效地增加彈性片在會連链I 人 月在重複觸地期間之使用壽命。 口適之材料和/或製程係有助於增加多層結構之界面 強度。相似晶袼參數之材料係較佳用於相鄰之薄膜，而非結 晶或奈米級結晶薄膜係作為界面用途。藉由逐漸形成於兩相 鄰層之材料或藉由使用兩相鄰層之一合金材料而形成一界 面0
薄膜自由部分之厚度較佳為4-35μιη，以使彈性片尖端 與不同材料形成之接觸墊或電性終端間，具有可靠且低電性 接觸之電阻。 多層薄獏結構中，至少一高熱傳導膜，於測試或熱輕 期間之一相對高電流下，較佳被用於逸散熱。 在薄膜沉積建立彈性片結構期間，製程參敦之替換係 有助於增進彈性片之品質與可靠度。舉例而言，包含覆蓋彈 12 1288958 性片芯材之覆蓋膜係以合適之微結構 200謂之超小晶粒尺寸，以增加彈性片/ 口以詋積，如低於 於彈性片與接觸塾間形成良 輿破裂強度。 地縮減。接觸銘之合適力量範圍係為二觸之力量係實賀 金' 銅或錫製成之接觸墊，形成良好電性接：二：對於以 低力量微影成像圖案化之縮小接里更小。 細杜夕法* 片，更有助於探針卡 組件之建立’該探針卡組件係包含 ^ , 日日尽即為貼附於一
基板之探針彈性片，其用於與1C終端接觸 、 ± ^ ^ ~接觸之基板、測試與
k靶之内插板與固定組件形成接觸 六旦® k M . j兀封裝。該組件藉由此低 力里弹性片之使用係大大地簡化，而如弯曲 題均降至最小。 仅+同 改良彈性片使用壽命之方法係包含使表面粗糖化 化0 彈性片尺寸如寬度與厚 壽命。在一實施例中，彈性片 狀0 度之變化係也有助於改良使用 之自由部分係為一1端漸細之形
本發明係也提供一較不昂貴且有效的解決方案，其以 電’儿積步驟而不使用任何光罩，沉積薄膜於應力金屬彈性 片、電路軌跡與電性接觸墊上。 在貫施例中彈性片尖端區域係也稱為按鈕彈性片 尖端，其選擇地使用材料印刷製程加以覆蓋，以在重複觸地 期間縮減接觸塾材料之黏著力。彈性片尖端區域之厚度在彈 性片自基板釋放前加以建立。 在另一實施例中，施予並圖案化-光P且，以在彈性片 13 1288958 尖端區 臂形式 性片接 係選擇 使用壽 原則係 性模數 片之薄 晶格尺 被舉升並視需要加以雷供你 ^ 、 乂電鍍後，選擇地以一材料覆罢 域，進而在重複觸地期間縮減接觸墊材料之黏箸力。
應力金屬彈性片之解決方案係可施於其他懸樑 之彈性片。採用其他懸樑臂彈性片之一實施例，^彈 觸尖端區域係具有或不具有按鈕接觸結構。多層薄膜 地於接續特定原則加以沉積，以產生具有高耐久性且 命増加之耐用高效能彈性片。薄膜選擇接續冗積之 為，彈性片外層之彈性模數低於内層之彈性模數，彈 由彈性片之表面層至最内層逐漸增加。 另一實施例中，包含非應力金屬懸樑臂彈性 膜，係以合適之微結構特徵，如低於2〇〇nm之超小 寸，加以沉積，以增加彈性片之屈服強度與破裂強度。 另一實施例中，非應力金屬懸樑臂彈性片係以具有内 埋壓縮應力之至少一沉積薄膜層加以製成。 接續相同之原則’製造更耐久且高強度之較短彈性片。 本發明係適用於測試與燒靶之各式固態裝置，如石夕與 三-五族裝置、顯示器裝置、表面音響袭置、微機t (MEMS) 裝置。 此外’本發明係也適用於電子元件之電性終端封裝， 以連接相鄰基板之對應接觸墊。 【實施方式】 迷你彈性件係使用薄膜技術或分離元件技術如打線接 合加以製作。大致而言，為了滿足彈性片廣泛應用之需求， 14 1288958 材料所而之屈服強度需高於測試或燒靶 施予彈性片之癱* 夫总，月間~組件封裝中 丁 生片之應力。本發明人已獲致多種 〇β 片，於測試期間因彈性片材# 、〜力金屬彈性 β门口评戌月材枓之屈服強度小 產生塑膠形變。應力金相典型係包含之應力而 成之材料諸如_。)或Μ金、鶴 了該膜組 上之附加膜之材料諸如鎳或鎳部心金二…膜 係相對地薄，所需典型之厚度約4χ1 、邛刀該膜 良好電性接觸之力量：= "有回屈服強度以確保彈性片良好之效能。 因本發明之應力金屬彈 淋士 # 14片係使用薄臈/IC或MEMS技 術加以批次製造於基板或電 特別、益、丨》 电性兀件上，在此描述之彈性片係 将別適用於測試、燒數血封缺 拓姑人 ’、封包含3d封裝與晶片對晶片載 4立/ 匕a間距乾圍為3-1〇〇μιη之高迷你 接觸塾或1/0終端之探針+、 内插板、空間變壓器、印刷電 路板、晶圓、電子元件與檄a Η „ , 丁 '傚日日片。既有之技術大部分不適用 於該應用。對應彈性片或彈妞々山 及弹性片終端之尺寸也#常地小，典 型之長度範圍由ΙΟΟμηι至1n⑽ μ n主ΙΟΟΟμιη，寬度範圍由3μηι至 5〇〇_，而厚度範圍由0.1刚至。舉升芯材之螺旋半徑 軌圍典型約2()叫12_陶。需注意的是，本發明之教示也 可用於製作超出上述尺寸與間距範圍之彈性片或彈性片終 端。本發明之教Μ可施於應力金㈣性片與任何包含薄膜 之逑你彈性件。 超薄薄膜之多層結構係為本發明較佳實施例之一，該結 構所製作之弹性片厚度係小於約15_至2_，以增加薄膜 15 層於薄 薄膜之 與相同 力下仍 相較於 材料之 係更趨 制係低 於相對 具有較
Ϊ288958 彈性片材料之屈服強度。此結構特別有助於建立覆蓋 膜彈性芯材上。第2圖係顯示薄膜之應力_拉伸曲線: 應力-拉伸曲線與對應塊材之曲線十分不同。薄骐材料 材料之塊材相比呈現更高之屈服強度，該膜在奉交高應 維持其彈性’且於該膜失敗前，產生較少塑膠形變。 對應塊材之屈服強度，薄膜之屈服強度大致更點近於 理論強度。當薄膜厚度增加時，如大於約2μηι，薄膜 向呈現塊材應力-拉伸之特徵。因此，較厚膜之彈性限 於較薄膜之限制。此外，超薄膜之晶粒尺寸大致遠^ 厚膜之晶粒尺寸，因此增加屈服強度與疲勞強度。故 薄膜之彈性片耐用性更高。 在較佳實施例中，不連續之原子排列係謹慎地導入兩相 鄰薄膜間之界面，以致使兩薄膜保留各自獨立的機械特性， 並防止缺陷於不同薄膜間成長。沉積薄膜至欲求之厚度後， 替換沉積參數係為達成上述目標之方法之一。工程所^用之 方法為 W近於彼此接縯沉積兩種不同之村料。该兩種 不同之材料係包含如於兩相鄰層内具有近似晶袼參數之銅 與鎳，以增進界面處之鍵結強度。值得注意的是，即使兩相 鄰層之晶格參數無十分近似，仍可執行上述之方案。多層薄 膜可使用該方案沉積並建立欲求之彈性片膜之厚度。彈性片 之頂層較佳為一薄膜結構，以在儲存或操作期間，抗環境侵 蝕並抗接觸材料對彈性表面之黏著力。第3a圖與第3b 為本發明實施例之圖示，其中A、B、c等係指不同材料。圖 式中之星號用以指明，以相同材料但使用不同製程參數形成
16 1288958 之相鄰層，如相鄰層A與A*。 此方法形成之多層彈性片係以相對低之温度加 a 火 處理，如150°C回火處理10分鐘，以於相鄰層間形成有1 鍵結及内應力釋放，進而使彈性片更持久耐用。 ” 在此實施例之一變形中，可改變沉積條件，以於兩相鮮 薄（約<2〇〇〇nm)之薄膜層間，建立厚度小於約2〇〇nm 、 + 〜邱結 晶或結晶薄膜，以助於相鄰層間之鍵結。此中間膜之 竹才斗係
如金、銀、鎳、鋼等。 各式之沉積技術諸如物理氣相沉積（如濺鍍或CVd)、。 沉積與化學氣相沉積，可用於沉積多層薄膜。特定、 、 汽〜例 中，適於與接觸墊或各式材料終端形成良好性接 片，係包含厚度約之濺嫂沉積芯材之鉬-鉻薄祺，、， 有一應力梯度遍布該薄膜之厚度（壓縮底部至拉伸頂部）。f 層薄膜，如覆於芯材上之鎳或其合金，在彈性片之自由部= 釋放後，係使用如電鍍技術（DC與/或脈衝沉積）之薄祺沉^ 技術，沉積於芯材之各側邊，以使整體彈性片厚度達^勺 18-35μΐη。包含電鍍與無電電鍍之電沉積技術，係為覆蓋二 材膜之較佳技術。當欲製作較緊密之薄膜時，電沉積方法^ 一之脈衝鑛膜，特別適用於覆蓋步驟。組合物控制電沉積技 術係也適用於沉積多層薄膜。 本發明人已發現具有1-45um ^ > &丄μ、 ^ 、3 i Μμπι /予之自由部分之應力金 彈性片’其薄膜厚度不論杲妒壤日琶^认a 两疋超溥膜（低於約2μηι)或相對薄 膜（如大於約2μιη)，在不闾其缸七齋 一 个I』丞扳或電子7L件上，均十分適 與包含電性接觸墊或電性故滅夕久α 屯庄〜之各式材料形成良好的電 17 1288958 接觸。彈性片之自由部分較佳之厚度範圍係為4_35卜瓜。該些 彈性片具有較佳範圍之合適厚度，其自由部分一端之尖端 間，係獲致優良電性接觸（非常低之接觸電阻），而電性接觸 藝或終端主要含有金、銅、公用無鉛、含鉛錫或鋁等材料。
另一較佳實施例中，以不同厚度薄膜形成之彈性片，如 相對薄（0·2μπι)或相對之薄膜，其抗失敗性係藉 由電沉積步驟而實質地增加，如電鍍於芯材膜上之薄膜，^ 全部薄膜或至少相對厚之薄膜，特別是接近彈性片表面之薄 祺，依舊具有一壓縮應力。此代表完成之彈性片係設計為# 應力形式。為了維持預應力條件，覆蓋於芯材上之材料與Υ 材材料應均具有抗塑膠變形之高彈性限制。此 小同膜層 Β之界面應具有足夠之強度。在典型之實施例中，鉬、 m 賴·絡芯材 、各側上，以鎳形成厚度約1〇)Llm且具壓縮應力之覆蓋膜。 使用合適之沉積條件，如添加電沉積槽中之濃度，以製邊此 薄膜。產生之彈性片可承受多次觸地而不失 加 O l 、 加壓弹性片 以/、電性接觸塾或終端形成接觸時，彈性片表 叫鬥產生之高 拉伸應力，係為導致彈性片失敗之原因之一 y、 . .. ·何枓之疲勞強
度大致係為拉彳申平均應力低於壓縮平均應力。 工迷之方案係 於加壓彈性片接觸接觸墊或終端時，縮減其上” 回之拉伸應 力’藉此增加彈性片之抗失敗性。此方案與 卜拖述之方 案，係也可製作與使用具有相對大厚度之薄應 ^ 乃金屬膜彈性 片’該彈性片對於需在電性接觸墊或終端處產古 土呵接觸力之 部分應用係有助益。 值得注意的是，完成之彈性片係設計為預廁 只題力形式。預 18 1288958 應力係較l以壓縮應力達成。然而，此範圍可為低拉伸應力 至壓縮應力，如拉伸應力30MPa至壓縮應力7〇MPa。在相同 添加展度下，不同的應力係對應不同厚度之電鍍鎳。較厚薄 膜具有較高應力。舉例而言，厚之薄膜約具有^…。 之壓縮應力。具有相同添加厚度之電鍍鎳彈性片，當厚度範 圍為25-1·5μιη時，其壓縮應力範圍約6_7〇Mpa。因此，各式 錄膜厚度之應力可經由添加濃度之改變而調整。 添加濃度之電鍍溶液中，另一改變效果係為電鍍膜之晶 粒尺寸。對於增加添加濃度之一般電鍍彈性片，係發現其晶 粒尺寸為早先以較小添加濃度電鍍之樣本的五分之一 (20 /〇)。較小的晶粒尺寸增加薄膜之屈服應力（依附，此 為增加彈性片於重複觸地期間之使用壽命之重要因素。晶粒 直徑在薄膜内（鎳覆蓋於彈性片芯材）之較佳範圍係為 3-50〇nm，而典型較佳值為5〇nm。當晶粒越具等軸性時，即 晶粒之較大尺寸比較小尺寸之比值低於2，電錢覆蓋薄膜似 乎具有較強之強度。 另一較佳實施例中，選擇用於多層堆積薄膜之薄膜材 料，不論以相對厚（大於15-2，）或超薄（小於15-2障)之薄 膜組成，係以下述方法加以形成：具較低彈性模數之薄膜接 近彈性片表面加以沉積，朝向芯材沉積更多具較高模數之薄 膜。此實施例之變形中，薄膜係選擇地以使彈性片表面至彈 性片芯材之彈性模數合理連續增加之方法，加以沉積於芯材 上，此稱為組合物梯度沉積。由彈性片表面至芯材之組合物 與彈性模數内之梯度過渡態，在連續步驟或微分離步驟中， 19
1288958 遍布於兩種不同材料間之界面，並在主要位置分散應力，藉 匕抑制永久損傷的產生。在此構形中，當加壓渾性片以與接 觸墊或終端形成電性接觸時，導致表面損傷成梭現象產生之 主要的拉伸應力，當表面下較高之模數，自彈性片表面分散 應力至内部時，該拉伸應力被降低。此縮減重複觸地期間彈 14片表面破裂產生的可能性，藉此增加彈性片之使用壽命。 如同此實施例，彈性件表面層（如覆蓋層之外表面）係以鈀合 金（包含諸如鎳、鈷或鉑）、金合金（包含諸如鎳或鈷）、鉑合 金等組成，而鄰近於彈性片芯材之薄膜層，係以鎳或鎳合金 (如鎳，）之鉬-鉻組成。鎳中含有較高濃度之鈀或金，則彈 性模數較小。因此，換言之，彈性片之使用壽命可藉由沉積 具有較兩彈性常數之鎳或其合金於芯材膜上而増加，如於鉬 ——▼口 <小〜〜，•狀Ί尔，习 對兩濃度的’如1 a c λ η / iO-SO%之鎳與90-50°/。之鈀。上述之本 薄膜，錄中之Ιε濃声後山+各" ^ &係由心材至表面連續地變化。後者^ 由沉積製私期間，傳姑、。蚀 寻、、先》儿積技術（即電沉積）之沉積參數g 而達成0怒材材料夕2¾ ^丄 十之^性模數係高於其他薄膜。 不同材料的知人γ Λ 5可用於堆疊多層膜於應力金屬彈士 芯材上’並適用於翁植 "、嗖薄（低於2μιη)與相對厚（2-20μηι)<^ 組成膜。此組合物係搜 忭璉自鎳、金、銀、銅、鈷、铑、釕、 锇、犯、氮化鈦、鎮+、 喝或其合金諸如鎳-估、鈀-鎳、鈀-鈾 鉑、金-鉑、鈀_铑、 螺-磷、鎳-鉬、鎳-鈷-鈀、鎳-鉬 -填-镇專所組成之群έ t。包含至少兩種材料之固態溶 如錄與低於約1 2 %之植 <鎢、或鎳與2%之鉬、或鋼-鍺-鈀或
20 1288958 鎳或鈀-鈷、鎳-鈷或鈷-鈀等，當其增進薄膜之核械特性時 係為製造多層薄膜堆疊結構之較佳選擇。
在需要相對高電流通道之測試與燒靶製程砌間，多層薄 膜係特別適合與終端/接觸墊形成電性接觸。工素常見實^係 於250-500mA之電流下，形成特殊探針接觸終端墊。此常因 接觸區域過度熱的產生而導致接觸失敗。熱流觀型係顯示接 近彈性片尖端區域具有最高溫度。在某些例子和亦也發生彈 =片尖端區域融化的情形。本發明係顯示在彈性片之^層堆 豎膜中使用一良好熱傳導膜，如典型厚度約〇·75_2μιη之鋼， 以克服此問題。鋼的存在可使熱快速自尖端區域逸散並藉此 縮減測試或絲期間之損傷。當然，良好熱傳Μ之不^ 度，如大於2μηι，亦可達成此目的。
第4圖係顯示一彈性片手 傳導性之一銅薄膜。其他高熱 可取代銅，以改良彈性片尖端 熱傳導性之薄膜係可於舉升彈 溥膜在舉升後施以電沉積步驟 之周圍。若薄膜欲沉積於彈性 域處與尖端區域附近，沉積步 前完成。 才曰’該手指係包含用以改良熱 傳導材料如金、銀、銘等，也 之熱逸散。此方索中，具有高 性片之前或之後加以沉積。若 ’兩傳導性膜可沉積於芯材膜 片之一側，或僅沉積於尖端區 驟可於舉升與圖案化彈性片之 …若探針尖端至接觸墊之電性接觸電阻料，則係縮小 近彈性片尖端區域之高溫。接觸墊電阻之縮減可藉由增加 針尖端施於㈣塾之力量加以達成n明人發現彈性片 端與接觸塾或終端間之接觸穩定且可#時，其間之電性接 21 Ϊ288958 電 P且後 1糸低於1Π。較佳之電性接觸與熱遠散值係約 S〇*K〇.2〇hm 0 本發明之另一實施例中，薄膜彈性片可藉白強化不同膜 層間抗缺陷成長之界面與增強兩相鄰膜層間之鰱結力，強化 弓〒-十生y 之抗失敗性。舉例而言’鎳逐步形成（plxase-in)於鉬- 絡’儿積之一端，可有效強化芯材彈性片之鉬-鉻材料與相鄰鎳 層 > 5¾ J7~L , J <界面，及兩層界面間之鍵結。參照以下撻述係可達成
' y成步驟。在麵-絡沉積之别先沉積錄。而後，當調整沉 積參數以適當地增加鎳沉積速率時，鉬-鉻沉積迷率係逐漸降 至零。錄或其合金沉積於芯材之鎳表面上，再以其他方法如 電’儿積’接續沉積鎳或其合金於芯材上。藉此形成堅固的鍵 、、、σ '0進界面強度。此界面加工方法也可用以增加兩相鄰電 /儿積膜層間之界面品質。在此情形中，鄰近電沉積膜Α之一 端使用合適之製程參數接續沉積另一電沉積辑，以形成合 本發明之另一實施例係涉及沉積薄膜覆蓋層於彈性片 芯材上之電沉積步驟，沉積參數係於沉積期間間歇性地改變 以改進覆蓋膜之品質。電沉積相對厚的材料，已知典型超過 約15-2,厚度時，係'常鄰近薄膜層之頂層處増加孔隙。因 此，改變薄膜參數’如直流電鍍至脈衝電鍍，或於沉積期間 改變電流密度’以有效改良薄膜之品質，並使薄膜在測試或 細作期間更耐用。電沉積期間改變之沉積參數，係如晶粒尺 寸之微結構、沉積物之結晶結構與薄膜應力。 第5圖係根據本發明之另一態樣，顯示應力金屬彈性片 22 1288958 之設計與製作，其中501係為一電性塾、502像為一金屬填 充孔、503係為如高分子膜之一絕緣膜、504像為一電性軌 跡、506係為一電鍍膜、507係為一彈性片芯材、508係為表 面之電鍍膜、而5 09係為一基板。此設計係在縮減接觸力下， 建立良好的電性接觸，藉此在重複觸地期間實賢增加其抗失 敗性。一結構之疲勞壽命係與施加應力形成一函數關係。因 此，為了在低接觸力下達到低穩定接觸電阻，返需在較小尺
寸結構内產生較低應力以增加彈性片之壽命與致能。部分以 不同於本發明之方法製成之迷你彈性片，同樣用於電子元件 之測試或燒靶步驟時，所需之接觸力範圍據報導係為 2-15 0gf。在一些實驗中，本發明人已證明，具有本發明第$ 圖所示之基礎結構之應力金屬彈性片，係可於更小力量下形 成更佳的接觸。在一些實驗中，部分覆蓋於芯材膜各側邊之 溥膜’如鎳或錄合金，其厚度不薄，如大於以访，且彈性片 之外表面係覆蓋有相對硬且穩定的材料，如鉑_鈷或铑。然 而’彈性片與鋁間1.4gf之接觸力，其為最難形成電性接觸 、料之，係‘致一良好、低且穩定的接觸電阻。事實上， ::明人發現較佳之力量範圍係維持於約〇·8 i 1〇 〇以，以 4彈性片與紹間形成有效的電 ^ 接觸墊接觸。較高的力量傾向損害 按觸墊5〇1，而較小的力量無法再 其他材枓旌_ , 牙透表面乳化物。為了輿 材枓接觸，如不會在鋁上形 錫，田、， x黏考乳化物4之金、銅座 以形成良好電性接觸所需 ' 本於明人… 按觸所而之力量係有效的小如〇.2gf X月人已獲致在0〇l f 觸墊間形忠白^ 低的力1下，探針彈性片與金李 1升y成良好電性接觸。 上所4，以低接觸電阻建立d 23 1288958 -良好電性接觸’係也可於高電流下用於電路 試’卻不會遭遇高熱導致彈性片品質降J試或裝置測 此，具有第5冃祕-从城 辛的問題。因
、男昂5圖所不結構之探針彈性片， ^ U 試或燒乾之通道。具有多層結構之相似彈性/較高電流測 2㈣之超薄膜’係也適用於此較高電流與：含小於約 如上所述，可扃韭#把从丄 气乾之通道。 了在非常低的力量下，於彈性M & 終端間形成良好電性接觸，係產生多種兴處肖接觸墊或 深次微米積體電路中導入鋼製程與低介電常數域電子工業於 觸力探針用於晶片測試與燒靶的需求。低 :糸開啟低接 脆弱。因此，在此描述之彈性片結制特別適對地 與低介電常數材料之電路 γ 用於包含銅膜 量與銅形成良好的電性接 相對低的力 件受損的機率。 、gf因此縮減電路元 低接觸力之另—優點在 i i , 於内插板之製造。探針卡組侔p 知常於探針晶片（或* p弓罈兩_ T下、、且件已 工日1交£益）與载板（連接測試器之 間使用内插板，以建立於; 奴而成1C與測試器間的電性連接。 懸樑臂形式之彈性片倍目上糾μ ’、、附於内插板，以協助電性連接。市 場上目前可獲得的探針卡生— .、且件’母一内插板彈性片施加之力 量係相對地雨’如1 5 3 η ρ
Ugi。本發明具有迷你應力金屬彈性 片之内插板，因接觸終端 、~大致以除了鋁以外之材料，如金， 加以組成，故可I相# / 對之接觸終端在更低力量下，如 〇.〇〇5-2gf，形成良好 # 電性接觸。此低接觸力可藉由僅由芯 材材料，如鉬鉻，級成 取之^性片加以實施而不需電艘步驟。 當然，在一些增加彈性 片之電傳導性質或機械性質（彈性片尖 24 Ϊ288958 端之抗磨耗性）之應用下，較佳使用具有如 " 才目對薄的電錢 層。因此低接觸力彈性片，其具有成千個 #庄片之内插板所 施加的總力係大幅地縮減。因此，被用 U建立糾試與燒靶期 間所使用之包含探針晶片之探針卡組件、 叶内插梃與組件固定 裝置及封裝之微影成像圖案化迷你應力金 喝弹缝件，因此低 接觸力彈性片大幅縮減彎曲、扭曲盥校準 、代 4四，、仅旱問題，故其使用更 為簡化。因本發明之彈性片以低接觸力 咬立I好的電性接 觸，故組件之塊狀機械支撐甚至内插板 双4於多種應用中執 行。因此，使用此所描述之低接觸力彈性 T丨土月，你有效增加產 能與可靠性’並縮減製程之複雜度及成本。 增加彈性片的厚度，已知可增加彈性 曰刀评r生片在榛觸塾或電性 終端上的接觸力。目前已有用於計算力量與彈忮片尺寸關係 之數學表示式。應力金屬彈性片中，芯材材料，如翻-鉻，典 塑係維持小於約5-6μΐη之厚度，以助於在基板上接續圖案ς 彈性片自由部分後之舉升。薄膜接續如藉由電沉積步驟加以 沉積於彈性片上，以增加應用時因接觸力增加所需之厚度。 使用微影成像或其他方法選擇性地沉積附加薄膜於彈性片 上，因彈性片非平面結構，係使得製程十分複雜且耗費成 本。本發明所提供之更簡便且有效之解決方案，係已實施於 以電沉積方法沉積不同薄膜於彈性片上之步驟中，亦可實施 於沉積在電路轨跡上之步驟中。此解決方案不需使用光罩。 在此方案中，自基板509之背側形成之彈性片陣列之電性接 觸，係藉由全面沉積電性傳導薄膜於基板5〇9之背側上，或 藉由該背側圖案化該薄膜，以提供更好的電流密度控制。電 25 1288958
性之連續性係使用如孔502遍布基板加以建立，其中該孔係 乂電ϋ傳V材料填《，以與彈性片、黏著層$ 〇 3、彈性片金 屬轨跡（即為5 04)、或接觸墊（即為5 〇丨）> 以連接。因 此’薄膜僅沉積於電性傳導表面上，該表面係i基板背面電 im源供應益之合適終端連接。此結構可還擇性地電鏡 於舉升彈性片之全部表面上以包覆彈性片，其並也允許電 鍍、軌跡與其他金屬結構不以一絕緣材料覆蓋。較佳之基板 係至少包含無機材料如陶瓷、石英、矽、玻璃。&含有機材 料如高分子、環氧樹8旨、FR4與聚亞胺之其他基板也可適用 於本毛明之範圍。後者之基板材料之實例係為臾用、杜 邦Thermount與Nele〇，s N4000之印刷電路板。 先别技術（WO 01/48870)係也揭露材料電鍍於舉升應力 金屬彈性片上。然而，非平面之結構係增加光阪圖案化該電 鍍材料於舉升彈性片之一表面上之複雜度。在本實作中，本 發明人係發現主要存在於電沉積膜内之芯材彈性片材料之 一表面上之應力係影響彈性片舉升高度，故該方法在製作程 序中無法產生良好的效果。此外，為了可適當地舉升，而製 成之超薄彈性片怒材，其表面之拉伸效應，係使沉積於彈性: 片之底部與自由部分之光阻，不受控制地拉伸辕舉升部分朝 向底部之方向。因此，對於彈性片之陣列，本方法無法獲致 再現性佳且可控制之舉升高度。本發明係藉由電沉積步驟， 而非使用第5圖所示之光阻光罩方法，加以包覆彈性片芯 材，以解決上述之問題。芯材彈性片兩側上之應力，在本方 案中也合理地達成平衡狀癌’藉此縮減電錢步驟導致彈性片 26 1288958 舉升高度變化之問題。因此’彈性片芯材之非％罩電鍍方 $，十分適用於使用基板穿孔製作覆蓋全部芯材表面（亦可覆 蓋彈性片周圍之其他電性傳導表面)之電鍍覆i膜之步驟 上，該步驟係用以自基板表面至其相對立之表龄建立電性接 觸’而彈性片係位於該表面處。 / $ 6圖係顯示電链前之舉升彈性片，第7圖係顯示電錢 後之彈性片。為了維持鍍膜内合適之應力，當象升彈性片面 積改變時’補償電流密度之改變係十分重要。窀流供應器必 :可程式化’以管理膜内之應力’如補償彈性片4度改變而 縮減之電流密度。 在大量次數觸地時’如100，_次’常遇到在應力金屬 片λ端區域上建立接觸墊材料的問題。此問題係影塑彈 性 '之接觸電阻與使用壽命，特別是接觸墊以銘材料‘成 1。错由金屬或電性接觸材料覆蓋以接觸如鋁金屬之探針尖 端區域’係無法完整黏附或解決此問題。此覆蓋材料之: 係包含鍺、鈀與釕及其合金之鉑群組材料，該合金 人 種或多種添加物，如鈀·鎳、鈀_铑、 ^匕3兩 、 死-金-铑斑ϋ /卜 '太 '銥-金、銥-鈿、金老、氮化鋅等。雖缺〜 M ^ ^ , ra “ 積此類覆蓋材 枓之薄膜於用於低接觸力與較低電流之探針彈性片之柯 上、’但在應力金屬彈性片自基板釋放後，部分應㈣欲= 鄰近彈性片尖端區域處沉積此覆蓋膜。不沉積/ 性片主體上之理由係為，可具有彈性選擇覆蓋材料2 ;彈 如選擇具有欲求之彈性模數與膜厚之材料，以選擇舜*力 性片之尖端區域。在彈性片主體上相對厚 设盍彈 4分覆蓋材 27 A2889S8 料 索，’ Z影響彈性片之可靠度。本發明係、提供#新的解決方 媒於、使用與積體電路技術相容之—技術，僅沉積此顧覆蓋 、應力金屬彈性片之尖端區域。在此方荦中，較伴、 個電性值道姐 牡此万荼干季又佳以複數 以逊。導、組成之一「按鈕」，係製於彈性片尖端區域， 探性接觸墊或終端形成接觸。此方案之一實施例中，在 斜彈性片之自由部分自基板釋放前， 枓以作焱「μ a < <復盘材 部八’、、、按鈕」之最終覆蓋層。因此，由於僅彈性片之小 升了从大端覆蓋材料建立，而其他部分可自由地彎曲與舉 法。故縮減彈性片之自由部分舉升至適當高度的問題。此方 彈，較低接觸力彈性片，其不需要用於更大力量或改良 度。生片傳導性（翻鉻彈性片之厚度較薄且更耐用）之附加厚 产牛以下將描述製作上述之具有「按鈕」尖端之彈性片之製 程步驟。接續沉積應力金屬彈性片芯材膜（如钥鉻與如光阻2 ^罩）於芯材膜上，並使用如微影成像技術加以圖案化，以界 ^ 一彈性片。蝕刻彈性片、移除光阻並接續施以附加之曝光 製袄’以使除了彈性片尖端區域外之全部的芯材薄膜仍以光 罩覆蓋。欲接讀沉積於彈性片之芯材上以作為覆蓋層之薄 膜，如铑，係在已暴露之彈性片尖端區域上沉積至欲求之厚 度，並接續沉積覆蓋層至合適的厚度如卜化瓜，其中最終覆 里層至 >、包含上述之覆蓋材料如纪-鎳、鈀-铑、鈀-鈷、鍺或 氮化鈦。本發明之覆蓋層可為更大之厚度範圍，如1-2(^瓜。 值得注意的是，此實施例之一變形中，欲沉積於彈性片尖端 區域之溥膜所組成之材料，除了接續欲沉積於彈性片主體上 28 A288958 之材料外，亦可為 側餘列^ # μ 其他材料。光罩移除後，使甩蝕刻步驟以 卫自基板釋放彈性片之自由部分^。當彈性片 次、區域已使用一光置‘， ^ 續 尤罩，如光阻或聚亞胺，加r保護時，接 …覆蓋薄广於彈性片之主體上至欲求之幕度。 餘 、大端區域之厚度可設計為近似舉升彈性片之剩 灰戶危 承先罩，並在彈性片尖端區域上獲致具有欲 、、 +之探針弹性片。雖然部分薄興沉積技術可 用以沉積覆蓋層鱼悬 — +、 ，、取、、，ς復盍層，但電沉積技術在此係為較佳 之 >儿積技術。此眘 固 灵她例之另一變形中，可在彈性片釋放前， 圖案化被沉積之芯好 # 〜材膜成為彈性片手指後，選擇性地沉積覆 盖膜於彈性片尖端 &域上，也可替換為在覆蓋辑沉積於彈性 片尖端區域上後，闰安 圖案化彈性片手指。兩實施例後續之步驟 係相同。 較佳於如第7圄搞- 圖所不之升起之電鍍彈性片上，加以製作 按鈕之Ϊ法係於下描述。彈性片使用微影成像技術自基板舉 升後，彈性片尖蠕區域係選擇性地覆蓋（製作按鈕）一或多種 合適之材料.。在此古、土士 万在中，使用已知技術，如旋轉塗佈或喷 灑或電鍍，沉積一伞阳认傲· · 、 、九阻於舉升之彈性片上。較佳之方法為旋 轉塗佈光阻。厚光阻因包覆芯材材料故相對地厚，而實質增 力八硬度故不同於非電鍍彈性片，厚光阻係可施於彈性 片此曰進彈f生片而度之硬度係無有效影響光阻之應用。第 8圖係』不復蓋有光阻之彈性片。為了電鍍光阻，基板背側 之電性終端係用以i車垃μ、+、 ^ 乂遷接上返之電源供應器。背侧終端係經金 屬化孔在土板之則側上，與彈性片連接。而後，如第9圖 29 1288958 所示，自彈性片，丨、 。、 .ώ 次域，包括尖端區域之上義面與側_ 使用先罩與微影成像 側牆， .^ λ 像技術選擇性地移除光阻。換續使用檀把 技術，較佳為電雜、、1 4 丨 巧灵使用傳統 又、 ’儿積上述如ίε-鎳：、把-餘之尖總尹μ 材料於彈性片尖 灸穴碥覆盍 & ^ ^ &域上。此方案中亦可使用濺鍍或cvn
技術沉積覆蓋材料於务阻展v ^ ^ CVD π > ·η & 、 a上，其中該覆蓋材科接續使用冑 統溶劑連同任何多鈐 使用傳 餘的覆盍材料加以移除，僅_下尖 上之覆蓋材料。1瑨慧土 穴％ &域
廢 丨、 …、覆盍先阻之彈性片尖端區域之電鍍部分係 、A按鈕較佳之材料係由鉑群缒（命名為鈀、 \姥鐵、針與銀）、鎳、録、金與銀材料所組成。第i c 圖係顯示此結構。 上述之製程中，尖端按鈕接續於相對後包覆材料如鎳沉 積於^後加以電鍍，以實質增加彈性片之硬变。由於按鈕 牦強彈|±片之硬度且使彈性片具有相對低的覆蕙區域，故有 效地使彈性片舉升高度不受按鈕電鍍的影響。 按鈕尖端完成電鍍後，係移除光阻以留下第！ 1圖所示 之最終結構。5 1 6係指錯件部分。 對於基板中無存在一金屬化貫穿孔以背側連接之情 形，上述各式解決方案亦可接續彈性片芯材膜舉升與覆蓋膜 沉積後，選擇性覆蓋彈性片尖端區域。在此情形中，當包含 覆蓋於芯材膜上之覆蓋膜之舉升彈性片製成欲求厚度後，一 電性傳導材料，如金、銀或銅，首先使用如濺鍍、電沉積或 CVD技術，地毯式地沉積於含有應力金屬彈性片之基板上。 此傳導層係提供彈性片尖端之按鈕電鍍之電性連接。而後， 沉積光阻於全部電性傳導表面上。如上所述，使用微影成像 30 Ϊ288958 技術選擇性地僅沉積覆蓋材料於彈性片尖端區鐵上。藉由濕 式蝕刻或乾式蝕刻技術移除在光阻沉傳導 持料。…係顯示選擇性覆蓋彈性片尖= 彈性片使用壽命之特定實施例，其中1215係指具有如鈀_鈷 或鈀-鎳等保護性覆蓋膜之一尖端按鈕。彈性片之自由部分 1218實質為逐漸變細之形狀。如後所述，本實概例係實質地 增進彈性片之使用壽命，而尖端區域之覆蓋材料在重複觸地 期間無產生任何有效地損傷。 第13圖係顯示使用*阻產生之尖端（按紐作鑛，其接續 加以圖案化以暴露尖端區域，並電錄把-銘合金選擇性覆蓋之 A端區域。雖然在電性測試或燒乾期間所操作之其他探針卡 測試組件之元件上，彈性g尘 從 飞〜 谇^片大鳊大致僅有一相對低的區域與 ^端或電性接觸墊接觸，但全部尖端實質可Μ㈣紐加 二覆^使用按紐材料大區域地覆蓋彈性片尖端，係使 弹性片與測試組件時更具彈性。此外，料 H ,,、威 r ' 大，.貝畏地覆蓋彈性 片…係大幅地助於彈性片與IC終端或與電性元件接 墊間之接合，其中電性元件接觸墊係為封裝應用中使用如焊 錫技術所需之接觸塾。此類方案中，按叙 焊錫形成可靠連接的群詛，常 斗糸、自與 如含有如電子封^業之焊锡諸 材料。封裝應用中，盥錫^ . 〈杈鈕材枓或弹性片覆蓋材料係 堆㈣，該膜係由銷群組材料組成，#中鈾 A: 奶、銘、釕等與銘、鎳、金、鋼或其合金。、、抖诸如 應力金屬彈性月$ γ生日今& 之^敗性，因彈性片由“區域至手 31 1288958 指底部不同寬度之設計而增加。重複觸地期間彈性片之裂 縫，多數於鄰近彈性片底部發生。與接觸墊接轉期間，因鄰 近彈性片手指底部產生最高之應力，故可藉由場加鄰近底部 區域之寬度縮減該處之應力。舉例而言，圖案也彈性片之自 由部分，以呈現實質為梯形之形狀。同樣地，椿由鄰近弹性 片底部形成較厚之區域，亦可達成增加抗失敗恢的目的，在
施加相等力量時，較厚區域係縮減鄰近彈性片底部區威之應 力。 第12a圖與第12b圖係顯示一特定實施例1 200,其具有 寬度漸細形狀之彈性片，其中1 2 1 6係指固定擎性片底部， 而1 2 1 8係指彈性片之自由部分，其具有變細形狀以形成相 對均一之應力分佈。彈性片之自由部分1 2丨8逐漸變細之形 狀係有效增加彈性片之抗失敗性。彈性片自由部分1 2 j 8適 當的形狀，在此實施例為漸細形狀，係為彎曲應力可沿著弹 性片1 200均一分散的主因。此外，彈性片之負载性因漸細 形狀而增加。此觀點係允許在負載範圍下，於最小化應力時
設計最大力量。值得注意的是，在漸細形狀產生之前，底部 區域（如錨件部分）之平行侧邊係可延伸至舉升區域（如自由 部分）之部分範圍（如1218a)。第12b圖係顯示按鈕與漸細形 狀之彈性片，並發現該彈性片可承受多次數觸地而無裂缝產 生。 在實施例中，包含貼附於基板之一自由部分與一錨件部 分之應力金屬彈性片芯材元件，係為高彈性模數之材料，如 鉬、鉬-鉻、鎢、鈦-鎢。芯材元件係選擇性地在彈性片自由 32 !288958 部分舉升後加以覆蓋，以覆蓋其暴露之表面。磨由電鍍步驟 而非光罩，使用基板内之金屬化貫穿孔，加以沉1積形成之至 少包含一金屬膜之一包覆膜，係用以自基板之背側（相對於彈 十生片側）建立電性接觸。此包覆膜係平衡自由部分之内應力， 並延伸至錨件部分，而無任何機械性質變弱引起薄膜早期破 裂之不連續情形產生。鎳或鎳合金典型地沉積於芯材元件 上。視所欲進行之步驟而選擇地電鍍附加膜如纪合金膜於鎳 上。使用傳統之微影成像技術與沉積技術，如電沉積（電錢與 /或無電電鍍）或濺鍍或CVD，以選擇地沉積鈀合金附加膜於 彈〖生片乂端區域上。翻-鉻膜典裂的厚度係為4 μ χη。電鍍鎳與 鈀合金膜於鉬-鉻各側上之厚度各自為2-2〇μιη與]-1〇μιη，典 型為Ι2μπι與4μιη。薄膜之彈性模數由芯材朝向彈性片兩表 面遞減。包含鈀合金附加沉積膜之按鈕厚度範圍，如在接觸 尖端區域，係為包含典型厚度值12μιη之1-2〇卜功。 本發明另一態樣係為消除彈性片表面上之應力濃产 點。本發明人已獲致彈性片最初係於重複觸地期間之表面= 生失敗’如破裂。藉此，表面粗糙度需被縮小化。如第5圖 所不/舉升彈性片側牆，藉由濕式蝕刻加以圖案化芯材膜期 間，係大幅增加其粗糙程度，其中該怒材膜係由如鉬-鉻、鎢、 或：’所，成。接續沉積於芯# 507上之覆蓋膜如506,因 ::::彈性片結構側邊上具有粗糙之表面，故該覆蓋膜亦 :的側邊輪廓。本發明使用離子化物種乾式蝕刻之方 覆蓋：t小彈性片芯材圖案之粗糙度。使用電鍍步驟以建立 、8，’粗糙程度係可使用接續之電鍍與反向電鍍（去電鍍） 33 1288958 製程以建立彈性片 電鐵期間僅移除電：小。調整反向電棘數以在反向 ,_電鍍之部分厚度。藉由電研磨去、化學研磨 法或電化學研磨沬a 、 ^ ^ 加以研磨最初濕式蝕刻芯材S 〇 7之側 全部電鍍彈性片夕加、# /炙側邊或 側邊也可縮小其粗糖程度。 ^ 中’絕緣座係提供於基板或電性元件上，以 在電性接觸墊或终端上建立最大增速驅動之彈性片，其㈣ 性片之芯材膜係以覆芸 & 復现膜70整覆盍，而猎由設言于絕緣座夕古 度與位置以容納接觸墊或終端。 问 上述方案也可用於製作其他各式懸樑臂彈牷片，其 樑#彈14片並非指因膜内存在内應力梯度而部分舉升之應 力金屬彈性片。此類懸樑臂彈性片在鄰近其底部或固定： 處田加£彈性片臾端以與接觸塾（如測試或燒拓組件之元件 或其他基板或晶圓之輸入/輸出(I/O)墊)接觸而產生最大應力 時’容易產生如形變或破裂之情形，故此情形係為考慮：效 能之-主要考量點。鄰近底部區域’彈性片長度對應力的效 應之數學表示式係可獲致。為了在彈性片收縮期間縮小底部 區域之應力，目前係設計彈性片長度相對地長，如接近 7〇〇_2〇〇〇μιη’藉此於加壓使其與接觸塾接觸時，増加其在重 複觸地期間之抗失敗性 '然而’此係限制了懸樑臂彈性片於 目前與未來-些超迷你積體電路之測試與紗之應用，其中 彈性片探針陣列應滿足具較細間距（接近2〇_5〇μ⑷之裝置 I/O墊之高密度陣列。因此，亟需尋找_裝置，該裝置具有 足夠強度且較細間距之較小彈性片，特別鄰近底部區域可承 受更高應力而不致失敗。 34 1288958 增厚彈性片懸樑臂形式之自由部分，係可满足為了增加 彈性片與接觸墊之接觸而增加所需之力量之需衣。在部分實 施例中’較厚之彈性片係藉由電鍍一或多種金屬或其合金， 如鎳或鎳合金、或鈀合金，以形成於曝光微影較像圖案化之 自由固疋彈性片芯材（如鉬鉻合金）上。在其他貧施例中，使 用曝光祕景厂成像加以圖案化彈性片，並藉由電较至少_金屬 或金屬合金薄膜，如鎳或鎳合金，於種籽層上，以製作具相 對厚層之彈性片。在許多實施例中，按鈕形式之接觸結構係 也提供於接觸尖端區域，以改良接觸性質並維持晶圓測試與 燒乾操作之重複觸地期間之接觸整合度。然而，此實施例仍 須於彈性片主體建立相對厚的膜，以施予所需之接觸力於接 觸尖端之末端。為了相對縮小彈性片至接近100-700μηι之長 度，彈性片增加之厚度，於鄰近底部一端處，係導致較大應 力因而縮減彈性片之使用壽命。 以下係提供製作迷你懸樑臂形式之彈性片之解決方 案，該彈性片在彈性片尖端區域係可具有或不具有按鈕此接 觸結構，並增進彈性片底部或主體區域之抗失敗強度，以有 效地增進此彈性片之效能、強度、耐久性與使用壽命。 第14a圖與第1 4b圖係為本發明之一實施例之典型獨立 式非應力金屬懸樑臂彈性片之兩撗截面圖。獨立式懸樑臂彈 性片係包含貼附至一基板丨4〇3之一電性接觸墊丨4〇2並位於 彈性片一端之一底部區域14〇卜位於彈性片另一端之一接觸 尖端區域14〇4,與接觸尖端區域14〇4設置一起之一按鈕 1406,及沉積有一鎳膜14〇8與一鈀合金膜14〇9之一主體。 35 1288958 彈丨片長度可貝質平行於基板之表面，該彈性片貼附至基板 表面或與基板表面形成一斜角並自表面延伸。底部14〇1、 太端〇4與彈性片之主體，典型地係以相同讨料並在相同 之操作中加以製作，如使用諸如電鍍、濺鍍、线CVD之薄 膜沉積技術。 接觸尖端區域1404至少包含增進接觸之叮靠度與耐久 ι±之按鈕形式接觸結構14〇6，該按鈕形式接觸、結構i傷係 藉由選擇性沉積骐於接觸尖端區域14〇4上而加以製作為尖 端區域之-體部分，或個別製作並固定於尖端區域。相同 地’底部區域1401可貼附至與彈性片一體製作之一枉體， 或個別製作並使用如焊錫、銅鋅合金焊接等傳统技術接合至 底部。為了整合製作柱體，薄膜係使用如電鍍之技術，選擇 性沉積於犧牲基板之孔内，完成沉積後，再加以研磨基板。 按紐形式接觸結構8〇6存在於彈性片尖端區域14〇4，在 晶圓測試或燒乾組件中，係有助於達成與相對^㈣μ 2且耐久之電性接觸。在此方案中’具有欲农接觸特性與 =之合適材料可被選擇用於建立非必要之此鲁按鈕，但該 5適材料也可包含含有彈性片主體14G5或底冑i4Gi之相同 材料。然而’此三部分之材料選擇必須使彈性片所有元件在 ::重複觸地之晶圓測試與燒乾製程步驟具有抵抗失敗之 月^ »適合各式應用之多種材料被使用於彈性片之懸標臂形 二：此類材料如包含錄與其合金、金、錢、免與其合金、 :、銘群組與其合金之成分、欽、銷與其合金等。缺而，形 成具有所需耐久性之迷你彈性片仍具挑戰性。目前的非應力 36 I288958 金屬懸樑臂彈性片仍相對地 的仫炎找 如i-211111。本發明主要的目 、’、：'、、i現製作更為縮小且耐久 揎料雷工 ]又泮〖生片之陣列的方法，以支 棱微電子工業之連續驅動，並 叉 /輸出故矬閂日 產八有更馬線瘩密度且輪入 出、，，；、間具更小間距之深次微米積體電路。 本發明係可達成上述之目的， 瞌而丨益# ^ 此類耐久性換觸彈性片之 陣列係猎由使用特定材 -db, 、辉原理以建立包含金屬薄膜之 按鈕或非按紐彈性片而加以製作 之 总坦似a <评〇週材和f之該些原理 k供特定的薄膜沉積方法並藉此製作1 # π t t 接觸彈性片。 l作具有政未耐用性的 料二I將描述高度改良彈性片之效能與考靠性之特定材 -之-底部、-部分’即鳥彈性片與按 p比槎八A 、主體，該多層溥膜應具有呈 有較低Γ:材枓組合物’以使測試期間與Ic終端接觸之具 之薄膜鄰近彈性片表面—增加較高模 旦强Ή 對立之表面沉積。按紐之機械強度並非考 里‘ i體與底部區域之機械強度以決定彈性片耐用性 然而，根據本發明之教示，按姐薄膜也可視所欲進 芦之ϋ生t擇性地沉積，以使按鈕表面之薄膜模數低於其下 盥彈W拉數，則遠離按鈕表面之模數係逐漸增加。組合物 2…數由彈性片接觸表面至相對立表面之此一階梯分 兩種不同材料間以連續或獨立步驟橫越一界 在特定位置用以八H _
刀政應力，並藉此抑制彈性片之損傷。故增 加弹性片之伟南I H卩。當加壓彈性片尖端804與另一基板上 接觸時，此係增加包含底部801之彈性片之抗機械 37 1288958 失敗性’其中該基板諸如半導體晶圓或測試或燒靶組件之其 它元件。 根據上述原理，因鎳之彈性模數高於鈀合金之模數，故 非應力金屬懸樑臂彈性片之實施例係包含鎳薄厲，該鎳薄蹲 為如同具有接近20百分比之鈀之鈷合金膜或接近20百分比 之纪之鎳合金膜之底部層一樣的覆蓋層。只要使用懸則原理 大致決定沉積順序，就可沉積其他薄膜以形成多層彈性片。 此外’超薄膜層也可視所欲進行之步驟沉積於兩主要薄祺層 間’以改良界面強度或黏著力。如熟習此項t己憶者所熟知 的’金或鎳或鍺之攻擊可用於此項目的。在此方案中，夹端 區域1404上之按鈕1406可包含該鈀合金之添加薄膜層。按 鈕1406可與接觸尖端區域1404 —體製作，或可個別固定於 尖端區域1404。第14a圖與第14b圖所述之彈性片係典型地 沉積於犧牲層上，該犧牲層接續被移除以提供獨立式懸樑臂 彈性片。基板1403也具有金屬化多層與電性傳導之盲孔或 貝穿孔，如第5圖所示之5〇2。薄膜14〇8與ι4〇9及其他附 加.層係藉由如，鍍之傳統技術加以沉積。包含如鈦 < 材料之 適當薄之黏著促進層與/或一種籽層，視所欲進行之步驟，♦也 可早於沉積電鍍層加以沉積。各自薄膜層之厚度係藉由欲求 接觸力或彈性片常數以各式數學表示式計算而加以決定。基 於。又δ十之需求，如設定之力量與間距，可使用之各式彈性片 尺寸fe圍如；1-50μιη。以彈性片全部厚度為3〇μηχ為例，本實 施例之鎳與乾合金厚度係可各自為與。本方案之 按ί之鈀合金添加層厚度可為3 應暸解的是上述之尺 38 1288958 寸範圍僅用以舉例説明。只要滿足基本原理之$求尺寸範 圍可廣泛變更以確保彈性片之财久性。 在另一實施例中，芯材薄膜以顧-絡合金裁欽或錮一 鎢製成，並接續沉積鎳與鈀合金膜之覆蓋層。载此方案中， 尖端區域1404上之按紐1406係包含上述把合金之添加沉積 厚度。按鈕1 406係使用微影成像技術選擇性冗積把合金膜 之添加厚度於尖端區域1404上。上述所述之厚度範圍、沉 積技術、黏著促進層與種籽層等係也用於此方萦中。 先前實施例所述之非應力金屬懸樑臂彈性片之薄膜係 較佳以壓縮應力沉積以進一步改良耐久特性。耐久性藉由適 當地選擇薄膜沉積參數使薄膜晶粒尺寸非常地小，如 3_5〇〇nm，而進一步加以改良。此類沉積參數之實例係包含 如電鍍槽中之添加濃度、電流密度與溫度。 本發明所揭露之互連裝置與相關製作方法係適用於各 式應用，其僅包含但非限定用於電子裝置之電子元件、晶圓 級繞乾與封裝之測試。此類電子元件至少包含如積體電路、 液晶顯示器、MEMS與印刷電路板等或其任意級合之裝覃。 封裝包含使用所揭露之接觸彈性片元件以接合與建立兩元 件或基板間之電性連接，其中接合之實施具有或不具有焊錫 或傳導黏著層之使用。 成分與公制頊目之縮窯
Am ·微米=1〇-6公尺；nm :奈米=1〇_9公尺；
Ag ··銀； A1 ··鋁；
Au :金； Co :鈷； 39 1288958
Cr ： 鉻； Cu ： 銅； Mo :鉬； Ni ： 鎳； Pb ： 鉛； Pd ： 鈀； Pt ： 4白； Rh ： :铑； Ru : :釕； Sn ： 錫， Ti ·· 鈦； W ： 鎢0 % 本發明係施於逑你彈性片之所有型式。在此所描述之較 佳實施例，僅用以說明本發明而非限制本發明。任何熟習此 技藝者，當可由上述詳細之揭露内容作各種之更動與修 改。本發明僅在此特定描述部分實施例，各穣變型可在不 脫離本發明之精神和範圍内加以完成。因此，本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第la圖為習知技術之典型應力金屬膜彈性片之圖示； 第1 b圖為習知技術之典型懸樑臂彈性片之圖示； 籲 第2圖為薄膜對應於塊材之應力·拉伸圖； 第3a圖與第3b圖為本發明具有多層結構之應力金屬膜 彈性片之圖示； 第4圖為本發明之一實施例，其為包含至少一高熱傳導 薄膜之具有多層結構之應力金屬膜彈性片； ’ 第5圖為本發明之彈性片設計與製造之一實施例，其中 該彈性片包含一金屬填充孔、一絕緣高分子膜與一電性軌 道； 40 1288958 第6圖為本發明之一應力金屬膜金屬片形成於一孔上之 圖示，該孔係電性地連接至基板之背側； 第7圖顯示形成並接續電鏡本發明之應办金屬膜彈性 片，以改良其強度； 第8圖為本發明之一電鍍應力金屬膜彈性片藉由光阻加 以覆蓋；
第9圖為本發明之一電鍍應力金屬彈性片轎由光阻加以 覆蓋並暴露彈性片尖端； 第10圖為本發明具有電鑛尖端已暴露部分上之接觸尖 端材料之一電鍍應力金屬彈性片； 第11圖為光阻移除後，本發明具有接觸尖端材料之一 電鍍應力金屬彈性片； 第1 2a圖為本發明之一應力金屬膜彈性片之一實施例， 該彈性片係具有逐漸變細之寬度變化。 第12b圖為本發明之寬度逐漸變細之應力金屬膜彈性片 之一實施例，其中尖端區域覆蓋一接觸材料； 第1 3圖為本發明於陣列間具有接觸尖端材料之電鍍應 力金屬彈性片；及 第1 4a圖與第1 4b圖顯示本發明之一實施例之兩截面 圖，其顯示典型獨立式非應力金屬懸樑臂彈性片。 【主要元件符號說明】 1 0 1錨件部分 1 0 2電性接觸件或終端 1 03基板或電性元件 1 0 5彈性件尖端 201底部區域 202電性接觸墊 41 1288958
203基板 204接觸尖端區域 205中央主體 5 0 1電性墊 502金屬填充孔 5 0 3絕緣膜 5 04電性執跡 506電鍍膜 5 07彈性片芯材 508電鍍膜 509基板 1200彈性片 1216固定彈性片底部 1 2 1 8自由部分 1218A自由部分之部分範圍 1 4 0 1底部區域 1402電性接觸墊 1403基板 1404接觸尖端區域 1406按鈕 1408鎳膜 1409鈀合金膜
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Claims (1)

  1. 1288958 十、申請專利範圍·· 1 ·種建立兩元件間電性接觸之互連裝置 霞裝置至 坪性芯材元件，續兮从- 八命 該心材几件至少匕含一雜 ?、-自由部分’該錫件部分貼附至具有至少 由=基板，該貫穿孔内填充有電性傳導材料，初始時 、。卩分係貼附至該基板，而在釋放時因該芯材内之—内 梯度而延伸遠離該基板； 其中該芯材元件係電沉積地以至少一層包覆，= 一層係可覆蓋該芯材元件之全部已暴露表面1 '，該 少包 件部 貫穿 該自 應力 至少 2·如申請專利範圍第i項所述之互連裝置，其中上、 膜至少包含電鍍膜。 述 包覆
    3·如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，其中上 邻刀係下列之一者·在該自由部分一實質長度上，實 向一探針尖端逐漸縮減的寬度；以及實質呈梯形形狀 自由 具有 .如申請專利範圍第丨項所述之互連裝置，其 一層之材料係選擇自鎳、鈀、鉑、铑、釕、锇、銥、金 銅、鈷、鋁、鎢及其任一合金之至少一者所組成之群 5·如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，其中上 層之至少一者之平均晶粒尺寸範圍為3nm至5〇〇nm L至少 、銀、 L ° 1至少 43 1288958 6.如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，矣中上述至少 一層係以内壓縮應力加以電鍍。 7.如申請專利範圍第1項所述之互連裝置’矣中上述至少 一層係靠近電沉積地包覆該怒材元件之該表面’並具有一較 該芯材周圍彈性模數更低的彈性模數。
    8.如申請專利範圍第1項所述之互連裝置’其中上述包覆 膜至少包含複數個不同但連續的電沉積薄膜。
    9.如申請專利範圍第8項所述之互連裝置’其中上述電沉 積薄膜係以下列之一方式’針對該沉積薄膜之彈性模數··由 該最内層芯材向一最外層表面逐漸縮減之方式力ϋ以沉積；或 由該最内層芯材向該最外層表面’實質不連續縮減之方式加 以沉積。 1 0.如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，更包含： 一薄膜層，其選擇性地施於該以電沉積包覆之芯材元 件上之一探針尖端區域。 11 ·如申請專利範圍第1 0項所述之互連裝置，其中上述薄膜 層包含由把、錄、麵、銥、锇、釕、録、鎳、金與其合金所 組成之群組中之至少一者。 44 1288958 • 自 12·如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，$中上邊裏 部分之長度範圍為1〇μιη至1〇〇〇μιη，寬度範围為3μ 500μιη ’而厚度範圍為〇 1μηι至4〇μιη。 * 十， 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，其中上’' 一層之最外層至少包含由鈀、鉑、銥、铑、釕與锇所、组成 銅、金、鎳與鉑群組材料之任何一者。 14 ·如申清專利範圍第1項所述之互連裝置，其中上玉 至少包含陶瓷、玻璃、矽、石英與有機材料之任何/者 15·如申請專利範圍第1項所述之互連裝置，其中上述心材 元件至v包含錮、絡、欽、鶴、錄、銦-絡與抹-搞之4 者、 16· —種在一基板上製作複數個迷你彈性片之方法，每/該 迷你弹性片至少包含一電性傳導芯材元件，該芯讨元件具有 一錨件部分與一自由部分，起始時該芯材元件係貼附炱該基 板上，而在釋放時因該芯材内之一内應力梯度而延伸遠離該 基板，該自由部分具有位於一端之一尖端區域，固定於〆基 板之該麵件部分係包含複數個金屬化貫穿孔，該方法炱少包 含下列步驟： 以至少一薄膜層來電鍍該彈性片芯材元件，以便於不 45 1288958 使用光罩的情況下覆蓋該芯材元件包含自由部分之全部表 面；及 該電鍍芯材元件之步驟係使用該基板内之-貫穿孔加以 實施，以由與芯材元件所在之側邊相對之基板彳叫邊，與該芯 材元件建立電性接觸。 1 7·如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中瓦少一薄膜層 係以内壓縮應力加以電鍍。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中上述至少一薄 膜層以一平均晶粒尺寸範圍為3nm至500nm加以電鏡。 1 9·如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中至少一電鍍薄 膜之晶粒尺寸，藉由改變電鍍期間電鍍槽内之添加組合物與 /或電流密度加以控制。 20·如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中上述至少一薄 膜層係選擇自一群組材料，該群組材料包含鉑、鈀、铑、銥、 封、锇、銘、鎳、金、銀、銅、铭之任何一者；與包含由始、 鎳、金 '銅、銀、銘、翻、纪、錢、銀、釕、蛾、鴣所組成 之群組之至少一者之一合金。 21·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該方法至少包 含下列步驟： 46 1288958 於芯材元件之電鍍步驟後，選擇性地覆I該尖端區域 以形成一接觸按鈕； 其中該接觸按鈕包含至少一電性傳導材棒，該電性傳 導材料對一相對之接觸墊或終端不具有強的附奢力；及 其中該尖端區域係選擇性地被覆蓋，以在該自由部分 自該基板釋放之前或之後形成該接觸按鈕。 22·如申請專利範圍第21項所述之方法，其中上述至少一 生傳V材料包含由鈀、鍺、鉑、銥、鐵、釕、鮮、 . 、金 ' 、鋼與其合金所組成之群組中之至少一者。 由 23·如申請專利範圍第16項所述之方法，該方秦更包人 乾式蝕刻形成該芯材薄獏圖案之步驟。 I含藉 包含在該 24.如申請專利範圍第ι6項所述之方法，該方杏更 層沉積之前研磨該芯材薄膜之步驟。
    包含使用 者研磨 25 ·如申請專利範圍第1 6項所述之方法，該方法更 電研磨製程、化學研磨製程與電化學研磨製程之你 該最外層表面。 置，該裝 分與一白 26· 一種於兩元件間建立複數個電性接觸之互連農 置至少包含： 一彈性怒材元件，該怒材元件包含/錯件部 47 1288958 由部分，該錫件部分貼附至一基板，該基板具每'包含金屬化 孔之多層金屬化結構，起始時該自由部分係貼至該基板， 而在釋放時因該芯材内之一内應力梯度而延伸5%離該基板； 其中該芯材元件係電沉積地以至少一層L覆，該至少 一層係覆蓋該芯材元件全部暴露表面。 27. —種電性接觸兩元件之互連裝置’該裝置至少包含：
    一彈性芯材元件，該芯材元件包含貼附至'一基板之一 錫件部分與一自由部分’起始時該芯材元件係貼附至該基 板，而在釋放時因該芯材内之一内應力梯度而延伸遠離該基 板； 至少一層，其係電沉積地包覆該芯材元件，並覆蓋該 芯材元件全部暴露之表面；及 一薄膜層，其係選擇性地施於該以電沉積包覆之芯材 元件上之一探針尖端區域。 28.如申請專利範圍第27項所述之互連裝置，其中上述包覆 膜至少包含電鍍膜。 2 9.如申請專利範圍第27項所述之互連裝置’其中上述自由 部分係下列之任一者：在該自由部分一貫貝長度上’貫質具 有向一探針尖端逐漸縮減的寬度’該探針尖端係超過該自由 部分之一實質長度；以及實質呈梯形形狀。 48 1288958 3〇·如申請專利範圍第27項所述之互連 一 Μ之分γ 運裝置’象中上述至少 層之材枓係選擇自鎳、鈀、鉑1" ^ 鋼、鈷、鋁人 ，老釕、锇、截、金、銀、 鎢及其任一合金之至少-者所組乾之群組。 31.如申請專利範圍第27項所述之互連裝置， 一層以内壓縮應力加以電鍍。 〜令上a夕 32·如申明專利範圍第27項所述之互連裝置，矣中上述至少 -層之至少-者之平均晶粒尺寸範圍為—。 33.如f料利範圍第27項所述之互連m中上述包覆 膜至少包含複數個不同且連續電沉積薄膜；及 ,中該電沉積薄膜係以下列之一方式’釺對該沉積薄 膜之彈性模數··由該最内層芯材向—最外層表西逐漸縮減之 方式加以沉積，或由該最内層芯材向該最外層表面實質不連 續縮藏之方式加以沉積。 3 4.如申請專利範圍第27項所述之互連裝置，其中上述錨件 部分係貼附至一基板，該基板具有複數個金屬化貫穿孔，該 貫穿孔内填充有電性傳導材料。 35.如申請專利範圍第27項所述之互連裝置，其中上述薄膜 層至少包含由把、铑、鉑、銀、锇、釕與始、鎳、金、銀、 銅、及其合金所組成之群組材料之至少一者。 49
    1288958 3 6.如申請專利範圍第2 7項所述之互連裝置’离中上述自由 部分之長度範圍為…卜111至1000μΠ1’寬度範131為3μΠ1至 500μιη，而厚度範圍為0.bm至4〇μΐΠ。 3 7· —種在一基板上製作複數個迷你彈性片之方'法，每一該 迷你彈性片至少包含一電性傳導芯材元件’該忠材元件具有 一錯件部分與一自由部分’起始時該芯材元件貞占附至該基板 上，而在釋放時因該芯材内之一内應力梯度而延伸遠離該基 板，該自由部分具有位於一端之一尖端區域星固定於一基 板，該方法至少包含下列步驟·· 以至少一薄膜層來電鍍該彈性片怒材元件，以便於不 使用一光罩之情況下覆蓋該忍材元件包含自由部分之全部 表面；及 接續於芯材元件之該電鏡步驟之後’選擇性地覆盖該 尖端區域以形成一接觸按鈕’· 其中該接觸按鈕·包含至少一電性接觸材料，該電性接 觸材料對相對之接觸墊或終端不具強附著力。 38.如申請專利範圍第37項所述之方法，其中至少一薄膜層 以内壓縮應力加以電鍍。 3 9·如申請專利範圍第37項所述之方法，其中上述至少一薄 膜層以一平均晶粒尺寸範圍為3nm至500nm加以電鍍。 50 1288958 3 9項所述之方法 變電鍍期間電鍍槽 40·如申請專利範圍第 膜之晶粒尺寸藉由改 /或電流密度加以控制 ’其中星少一電鍍薄 内之添；!組合物，與 4 1 ·如申請專利範圍第3 一材料係具有一較内强員所述之方法，其中一内層使用之 权巧译性模* ; 兵甲外層使
    其中該層之彈性模:具有一較低彈性模數；及 弹丨生枳數係下列之_者： 朝向-最外層表面縮減；以及 I軒由取内層 不連續地縮減。 取内層朝向~最外層表面 法’其中至少一薄膜層 鎳、金、銀、銅、鋁、 42·如申請專利範圍第37項所述之方 包含鉛、鈀、铑、銥、釕、鐵、鈷、 鎮、及其合金之至少一者。
    3 7項所述之方 石英與有機材 43·如申請專利範圍第 包含陶瓷、玻璃、石夕 法，其中上述基板至少 料之任何一者。 ’其中上述芯材元件 欽-嫣之任一者。 該方法更包含下列 44.如申請專利範圍第37項所述之方法 至少包含鉬、鉻、鈦、鎢、锆、鉬·鉻與 .如申吻專利範園第37項所述之方法 步驟： 51
    1288958 芯材元件之該電鍍步驟係於該基板内使用貫穿孔加以 實施，以由與芯材元件所在之側邊相對之基板俄彳邊，與該芯 材元件建立電性接觸。 4 6 ·如申請專利範圍第3 7項所述之方法，其中壤尖端區域係 選擇性地覆蓋，以在該自由部分自該基板釋放之前或之後形 成該接觸按紐。 47.如申請專利範圍第37項所述之方法，其中上述至少一電 性傳導材料係包含由始、把、姥、銀、釕、錄、勤、鎳、金、 銀、銅、鎢及其合金組成之群組材料之至少一脊。 4 8 ·如申請專利範圍第3 7項所述之方法，該方法更包含藉由 乾式蝕刻形成該芯材薄膜圖案之步驟。 49·如申請專利範圍第37項所述之方法，該方法更包含 在該層沉積之前研磨該芯材薄膜之步驟；及 使用電研磨製程、化學研磨製程與電化學研磨製程之 任一者研磨該最外層表面。 5 0. —種在一基板上製作迷你彈性片之方法，每一該逑你彈 性片至少包含一錨件部分與一自由部分，該自由部分在其一 端具有一尖端區域’該彈性片之寬度由鄰近該錯件部分之處 向該尖端區域逐漸縮減，該方法至少包含下列步驟： 52 1288958 沉積一芯材薄膜元件； 圖案化該芯材薄膜元件主體，以使該錨秦部分與該自 由部分成形； 自該基板釋放該自由部分； 沉積一光阻薄膜於該芯材薄膜元件上，竣芯材薄膜元 件覆蓋有該至少一覆蓋膜； 圖案化該光阻薄膜，以暴露覆蓋有該至少一覆蓋膜之 該尖端區域上之一區域； 以一電性傳導接觸材料加以覆蓋已暴露（覆蓋有該至 少一覆蓋膜之該尖端區域，該電性傳導接觸材料係將重複觸 地時之接觸黏著力降至最低；及 自該芯材薄膜元件移除該光阻薄膜。 51·如申請專利範圍第50項所述之方法’其中上述電鍍步驟 係在該基板内使用貫穿孔加以實施，以由與芯材元件所在之 側邊相對之基板側邊，與該彈性片建立電性接觸。
    52·如申請專利範圍第50項所述之方法，其中至少一覆蓋薄 膜層係以内壓縮應力加以電鍍。 53·如申請專利範圍第50項所述之方法’其中上述至少一薄 膜層以一平均晶粒尺寸範圍為3nm至500nm加以電鍍。 54.如申請專利範圍第53項所述之方法’其中至少一電鏡薄 53 1288958 膜之晶粒尺计—丄l 〜了，猎由改變雷鲈宜日問； /戋雷冷金由 电艘期間電錢槽内之泰加紐人从Λ 次冤机铪度加以控制。 組合物與 5 5 ·如申睛專利 -U ^ 項所述之方法，其中—内岸#用> 材枓係具有-較高彈性模數； η層使用之 其中外層使用之材料 . 、、 竹具有一較低彈性模數；及 /、 上逃電沉積薄膜将以-ΤΓ 5丨 續膊_ν π 、係U下列之一方式，針斟句r h社 /尊Μ之彈性模數·由 Τ對該》儿積 ,, 數.由取内層向一最外層表面逐漸縮、&夕+ 加以沉積。 个逆汽細减之方式 56·如申請專利範圍第5〇 由電鍍、濺鍍與化學氣相 項所述之方法，上述揍觸材料係藉 沉積任一者加以沉積。
    W·如申請專利範圍第56項所述之方法，其中上述電鍍步 係在該基板内使用貫穿孔加以實施，以由與彈性片所^ ^ 邊相對之基板側邊，與該彈性片建立電性接觸。 58.如申請專利範圍第5〇項所述之方法，其中上述該芯材薄 膜元件上之至少一覆蓋薄膜層係包含由鉑、鈀、铑、銀、訂 鍺、姑、鎳、金、銀、銅、IS、鶴及其合金之任一者。 59.如申請專利範圍第5〇項所述之方法，其中上述接觸材料 至少包含銘、鎳、金、銅、銀、始、絶、錄、銀、舒、叔 ，J 錄之 54 1288958 任一者。 6 0.如申請專利範圍第50項所述之方法，其中上述基板至少 包含陶瓷、玻璃、矽、石英、與有機材料之任一者。 6 1.如申請專利範圍第5 0項所述之方法，其中上述芯材薄膜 元件至少包含钥、絡、欽、鎮、錯、钥-絡與欽-鶴之任一者。
    55 1288958 七、指定代表圖·· (一） 、本案指定代表圖為：第（5 )圖。 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 5 0 1電性墊 5 0 3絕緣膜 506電鍍膜 5 02金屬填充孔 5 04電性執跡 5 07彈性片芯材 509基板 508電鍍膜 八、本案若有化學式時’請揭不最能顯示 發明特徵的化學式：
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