TWD213081S - 半導體製造裝置用反應管(一) - Google Patents
半導體製造裝置用反應管(一) Download PDFInfo
- Publication number
- TWD213081S TWD213081S TW109306837F TW109306837F TWD213081S TW D213081 S TWD213081 S TW D213081S TW 109306837 F TW109306837 F TW 109306837F TW 109306837 F TW109306837 F TW 109306837F TW D213081 S TWD213081 S TW D213081S
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- product wafer
- gas
- film
- semiconductor manufacturing
- article
- Prior art date
Links
Images
Abstract
【物品用途】;本設計物品如表示使用狀態的參考剖面圖所示,係在半導體製造之成膜過程中設置在成膜裝置內,會使製品晶圓與氣體反應的管。具體而言,在本設計物品內積層有製品晶圓的狀態下使氣體流入,以在製品晶圓的表面成膜,但此時,必須使本設計物品內的上下部分之氣體濃度成為均勻。形成在平面部左右中央位置的寬度細之縱長橢圓形狀的孔、及在正面部左右中央位置處配置在上下方向之多個大小孔,皆為用以將流入之氣體排出的氣體通道,而具有使本設計物品內部整體氣體濃度均勻的功能。;【設計說明】
Description
本設計物品如表示使用狀態的參考剖面圖所示,係在半導體製造之成膜過程中設置在成膜裝置內,會使製品晶圓與氣體反應的管。具體而言,在本設計物品內積層有製品晶圓的狀態下使氣體流入,以在製品晶圓的表面成膜,但此時,必須使本設計物品內的上下部分之氣體濃度成為均勻。形成在平面部左右中央位置的寬度細之縱長橢圓形狀的孔、及在正面部左右中央位置處配置在上下方向之多個大小孔,皆為用以將流入之氣體排出的氣體通道,而具有使本設計物品內部整體氣體濃度均勻的功能。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-011848 | 2020-06-15 | ||
JPD2020-11848F JP1682719S (zh) | 2020-06-15 | 2020-06-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWD213081S true TWD213081S (zh) | 2021-08-01 |
Family
ID=75268145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109306837F TWD213081S (zh) | 2020-06-15 | 2020-12-04 | 半導體製造裝置用反應管(一) |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP1682719S (zh) |
TW (1) | TWD213081S (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWD228269S (zh) | 2022-03-04 | 2023-11-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置用基板保持具 |
TWD230208S (zh) | 2022-05-30 | 2024-03-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 半導體製造裝置用反應管的內管之部分 |
TWD231015S (zh) | 2022-03-15 | 2024-05-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用爐 |
TWD231014S (zh) | 2022-03-15 | 2024-05-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用爐之部分 |
TWD232582S (zh) | 2022-05-30 | 2024-08-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 半導體製造裝置用反應管的內管之部分 |
TWD232581S (zh) | 2022-05-30 | 2024-08-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 半導體製造裝置用反應管的內管 |
-
2020
- 2020-06-15 JP JPD2020-11848F patent/JP1682719S/ja active Active
- 2020-12-04 TW TW109306837F patent/TWD213081S/zh unknown
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWD228269S (zh) | 2022-03-04 | 2023-11-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置用基板保持具 |
TWD231015S (zh) | 2022-03-15 | 2024-05-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用爐 |
TWD231014S (zh) | 2022-03-15 | 2024-05-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用爐之部分 |
TWD230208S (zh) | 2022-05-30 | 2024-03-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 半導體製造裝置用反應管的內管之部分 |
TWD232582S (zh) | 2022-05-30 | 2024-08-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 半導體製造裝置用反應管的內管之部分 |
TWD232581S (zh) | 2022-05-30 | 2024-08-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 半導體製造裝置用反應管的內管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP1682719S (zh) | 2021-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWD213081S (zh) | 半導體製造裝置用反應管(一) | |
JP2009021563A5 (zh) | ||
JP2012033902A5 (zh) | ||
KR20170092504A (ko) | 에칭 방법, 기억 매체 및 에칭 장치 | |
CN101736317A (zh) | 原子层沉积设备 | |
CN114717538B (zh) | 一种薄膜沉积装置及其沉积方法 | |
TW202029330A (zh) | 選擇性材料移除 | |
US20110265723A1 (en) | Metal-organic chemical vapor deposition apparatus | |
CN113029070B (zh) | 一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法 | |
TWD196110S (zh) | 晶舟之部分 | |
WO2019105063A1 (zh) | 一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构 | |
CN209418475U (zh) | 一种石墨舟舟片、石墨舟及硅片镀膜设备 | |
CN105990082A (zh) | 半导体刻蚀装置 | |
CN207676883U (zh) | 一种硅片冷却装置 | |
TWD213082S (zh) | 半導體製造裝置用反應管(三) | |
TW201535563A (zh) | 基板處理裝置、噴淋板及基板處理方法 | |
KR101338827B1 (ko) | 증착 장치 | |
CN116590692A (zh) | 喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法 | |
TW201505090A (zh) | 非電漿乾式蝕刻裝置 | |
TWD213083S (zh) | 半導體製造裝置用反應管(四) | |
CN106328571B (zh) | 一种用于在晶圆上生长二氧化硅的笼舟及生长方法 | |
TW201512449A (zh) | 基板處理裝置 | |
CN111446167A (zh) | 一种利用聚合物隔离层生成多阶梯状沟槽晶体管的工艺 | |
CN202259153U (zh) | 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板icp刻蚀机的刻蚀腔 | |
TWD230581S (zh) | 半導體製造裝置用反應管(二) |