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TWD213081S - 半導體製造裝置用反應管(一) - Google Patents

半導體製造裝置用反應管(一) Download PDF

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Publication number
TWD213081S
TWD213081S TW109306837F TW109306837F TWD213081S TW D213081 S TWD213081 S TW D213081S TW 109306837 F TW109306837 F TW 109306837F TW 109306837 F TW109306837 F TW 109306837F TW D213081 S TWD213081 S TW D213081S
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
product wafer
gas
film
semiconductor manufacturing
article
Prior art date
Application number
TW109306837F
Other languages
English (en)
Inventor
城俊彥
坂下訓康
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TWD213081S publication Critical patent/TWD213081S/zh

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Abstract

【物品用途】;本設計物品如表示使用狀態的參考剖面圖所示,係在半導體製造之成膜過程中設置在成膜裝置內,會使製品晶圓與氣體反應的管。具體而言,在本設計物品內積層有製品晶圓的狀態下使氣體流入,以在製品晶圓的表面成膜,但此時,必須使本設計物品內的上下部分之氣體濃度成為均勻。形成在平面部左右中央位置的寬度細之縱長橢圓形狀的孔、及在正面部左右中央位置處配置在上下方向之多個大小孔,皆為用以將流入之氣體排出的氣體通道,而具有使本設計物品內部整體氣體濃度均勻的功能。;【設計說明】

Description

半導體製造裝置用反應管(一)
本設計物品如表示使用狀態的參考剖面圖所示,係在半導體製造之成膜過程中設置在成膜裝置內,會使製品晶圓與氣體反應的管。具體而言,在本設計物品內積層有製品晶圓的狀態下使氣體流入,以在製品晶圓的表面成膜,但此時,必須使本設計物品內的上下部分之氣體濃度成為均勻。形成在平面部左右中央位置的寬度細之縱長橢圓形狀的孔、及在正面部左右中央位置處配置在上下方向之多個大小孔,皆為用以將流入之氣體排出的氣體通道,而具有使本設計物品內部整體氣體濃度均勻的功能。
TW109306837F 2020-06-15 2020-12-04 半導體製造裝置用反應管(一) TWD213081S (zh)

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