TW564523B

TW564523B - Read only memory

Info

Publication number: TW564523B
Application number: TW091115761A
Authority: TW
Inventors: Katsuji Satomi
Original assignee: Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date: 2001-07-17
Filing date: 2002-07-15
Publication date: 2003-12-01
Also published as: JP3734726B2; KR20030007196A; US6738280B2; US20030016552A1; CN1228854C; CN1398003A; JP2003030997A; KR100861165B1

Description

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【發明背景】發明所屬的技術領域：

用本發明是有關於位元線予員記憶體的技術。先充電形式的半導體讀出專 2 ·習知技術：以往，讀出專用記憶體a — 讀出專用記憶體，其利用位元 =A預先充電方式# 資料，藉著檢測出上述被預先充二f接電晶體來保為 .. 一、无充電後的位元線的電位來讀

出被保存的貧料。此種讀出專用 9所示的構成。寻用。己U體具體而吕具有如圖同圖中，構成預先充電電路的預先充電電晶體Tr8i〇〜Tr8n0藉著預先充電信號80 0的控制來將位元線β8ι 〇〜 B8n0預先充電。

字元線W801〜W80m分別與構成電晶體列之Nch M〇s電晶體Tr811〜Tr8nm的閘極相連接。（更詳細來說，例如字元線W801與Nch MOS電晶體Tr811〜Tr8nl的閘極、字元線 W802與Nch MOS電晶體Tr812〜Tr8n2的閘極、字元線w8〇m 與Nch MOS電晶體Tr81m〜Tr8nm的閘極分別連接。）上述各Nch M0S電晶體Tr8 11…的源極接地，汲極隨著被記錄的資料或” Γ’）與相對的位元線B810〜B8n0相連接或遮斷。亦即，當同圖的例子中被記錄的資料為” 〇M 時，Nch MOS電晶體Tr81卜··的沒極與位元線B810…相連接。因此，在讀出時Nch M0S電晶體Tr8 11…成為QN後，與

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該Nch MOS電晶體Tr8丨i的汲極相連接之位元線⑽丨〇… L雷彳ft。巧構成上拉（Pull up)電路之Pch M0S電晶體Tr9U〜 Tr9nl的驅動能力，被設定為在讀出資料"丨，，時 ON之Nch M0S電晶體Tr8丨2…的沒極不與位元線B8i 〇…相連接），位元線B810〜B8n0的電位可以保持在H電位之程声哽且較N c h Μ 0 S電晶體T r 8 11…小的驅動能力。。上述位元線B810〜B8n0，分別與構成輸出電路之反器電路Inv811 · Inv812 〜Ιην8η1 · Inv8n2 相連接。。上述的讀出專用記憶體，藉著以下的動作來讀出資料0 、如圖1 0所示，首先在讀出動作前預先充電信號8〇〇降到L電位，各預先充電電晶體Tr81〇…成為〇n狀態，各元線B8 1 0…被預先充電成η電位 (2 )然後，依據圖中未標示之輸入位址信號，字元 W80 1…中的任一條被選擇成為η電位。 ' (一3)此時，當例如字元線¥802被選擇成為Η電位時，與此字元線W80 2相連接之Nch M0S電晶體Tr812〜Tr8n2成Λ、 ON狀態。 ^

此時，例如由於成為ON狀態之Nch M0S電晶體Tr812的沒極沒有與位元線B810相連接，位元線B81〇的電位，在預先充電信號80 0成為Η電位之後，仍會因上拉電路的pch M0S電晶體Tr911被維持在Η電位，因此經由反向器電路 Ιην811 與 Ιην812 輸出資料1’ Γ’。

564523 五、發明說明（3) 另一方面’例如同樣成為ON狀態的Nch MOS電晶體 Tr822的汲極與位元線3 82〇相連接，且因為上述的上拉電路的Pch M0S電晶體Tr921的驅動能力被設定為較上述Nch MOS電晶體Tr822的驅動能力小，所以位元線B81 〇因放電使電位降到L電位，因此經由反向器電路丨^821，匕““輸出資料π 0Π 。【發明所欲解決的課題】隨著近年來CMOS半導體積體電路製程的微細化發展，相對於閘極氧化膜厚的薄膜化，電源電壓也不斷地降低。_ 為了避免因電源電壓的降低而造成動作速度降低，一般的趨勢是將M0S電晶體的閾值電壓設為較低值。七l但疋，當閾值電壓降低時會造成M0S電晶體的〇FF漏電流增=。因此，在位元線上與許多電晶體的汲極節點相連· 接之α賣出專用兄憶體上，容易使得位元線的電位發生變動而造成誤動作。亦即，在讀出專用記憶體時，例如與位元、線相連接之Nch M0S電晶體的數目常常會超過1〇〇〇 /即使個別的電晶體的漏電電流很小，合計起來的電位便不能像以往一般地加以忽視，而會對電路動作產生影響，使得誤動作容易發生。曰 '· 更具體而言，例如當位元線B8 1 0與汲極相連接之Nch Mfs電晶體Tr811…的數目很多時（亦即寫入很多資料〇時），如上述一般當字元線W802成為Η電位時，即使Nch M0S電晶體Tr812的汲極沒有與位元線B810相連接（即使不

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是寫入資料l)，汲極與位元線別1〇相體=卜㈣m(Tr812以外）的_漏電流廳=曰上拉電路所能供給之電流（驅動能 \ &侍車乂線所示-般，位元線B810的電位變得“維°: °中的虛 : = 生。此一現象特別是在。“電】會增若是為了防止上述的誤動作而提高上拉電路力，在該要輸出資料”〇"之位元線8820上，Nch M〇s電曰= T二22之放電動作會被上拉電路所妨礙，*同圖曰曰體所不一般，位元線B820達到L電位的時間間隔會 = 成讀出時的存取時間的增大。、& 下降越低，會使得Pch 與〉及極間的電壓變高，，造成位元線B820的電的閥值電位以下，使得此外’當位元線B820的電位因放電 MOS電晶體Tr921 (上拉電路）的源極造成供給到位元線B820的電流增大位無法被降低到反向器電路I n v 8 2 1 發生誤動作的可能性變高。【發明概述】鑒於上述的問題，本發明的目的在於不增大存取士間’而能夠確實地防止電晶體等的〇FF漏電流等所以、曰守誤動作。哥所引起的為達成上述的目的，而採用如下方式。 [第1實施態樣] 一種讀出專用記憶體，在 564523 五、發明說明（5)

藉由連接於該位元線而由字元線所選擇的開關元該被保持之電荷放電，依據上述位元線是否有 ^ ’來使關元件來對應的資料加以讀出所構成，其特徵為上述開具有電流供給電路，當以上述字元線來選擇上元件擇時，對上述位元線供給電流；連開關上述電流供給電路之電流供給能力，是依據盥上相連接之上述開關元件的數目來設定。一处位凡線藉流’猎供給電即，當給電流較大，且當與供給能態之開速度的此，沒由對應路，可與位元到該位可以防位元線力設定關元件降低。有被字元到該開關以充分且線相連接元線上之止因位元相連接之較小，可的放電動線所選元件的不會過之開關電流供線的電開關元以防止作受到 ^ π 剛數目之電流度地適當地元件的數目給電路的電位降低所引件的數目少當字元線所妨礙而引起 v w 1 Α购冤電供給能力的電流加以補償。亦多時’藉由將供流供給能力設為起的誤動作，而時’藉由將電流選擇而成為ON狀的誤動作或動作於第1實施態樣中電路為定電流電路。較佳之情況是上述的電流供給

成為ON狀態之開關元件因為被供給的電流不會藉此’即使因字元線被選擇而的放電使付位元線的電位被拉低，

564523 五、發明說明（6) 變動，可以電晶體來將低，使得上成供給電流對於輪出電小。與其相到位元線上所以可以將度的同時，確貫地將位元線電位拉低。亦即，例如電流供給到位元線上時，當位元線電位的降述MOS電aa體的源極與沒極間的電壓變高而造增大，造成位元線電位不能被充分地降低，相路的開關電位（閥值電位）之邊限（Margin)會變對’藉著使用上述的定電流電路來將電流供給即使位元線電位降低也不會增大供給電流，位元線電位快速且充分地降低，在加快動作速輸出電路的邊限也可以變大。、 =上述讀出專用記憶體中，較佳之情況流電路包括： &上返疋电基準電流產生電路，使用與上述開關元件相π絲相的開關元：來產生特定基準電流；a 件相同種類的電流鏡電路，將上述基準電流加以映射一線供給電流，％對上述位凡其特徵為上述電流鏡電路的映射比，是元線相連接之上述開關元件的數目來設定疋依據與上述位藉此’電流鏡電路由於可以供給與基準畲固定電流，藉由設定其映射…以容易地：比例之元線相連接的開關元件的數目之固定電流供給才對於與位上。因為是使用與位元線相連接之開關元件同立TL線兀件所產生的電流作為基準來將電流供給:J的開關仅凡線上，所 564523 五、發明說明（7) = 也適！補償與位元線相連接之開關元件卿、電机。亦即，猎者使用電流鏡電路，因為可以 :於與位元線相連接之電晶體的特性(溫度特性及電用原如相 :特：)的OFF電晶體，來供給用來補償_ 電二；以往供給電晶體績電流之情形時相比，不需:困對電源電麼及周圍溫度等周圍停件的此外’ 去OFF漏電流。 ,门间條件的變動也可以有效地消路的ΪΓΛ施Λ樣中’較佳之情況是：上述電流供給電線供給電流，另-方面，當上述位元線的電位較；的電位低時，停止對上述位元線供給電流。寺電使f此綠當字元線被選擇而成為0N狀態之開關元件的放停止二ίΐ電位被拉低’當較特定的電位低時，因為會位H 以可以更快速而確實地降低位元線的電使传放電動作時的邊限變大。相連：ΓΛ施態樣中’較佳之情況是：將與上述位元線供給電路的=關兀件的數目分成複數個階段，上述電流冤路的上述電流供給能力是隨著上述階段來設定。供給電藉此，因為可以減少不同電流供給能力之電流第11頁五發明說明（8) 路的種類，可以使結構容易地達到簡單化於上述讀出專用記憶體中，較佳之情況是：具有電流调整電路，其依據與上述位元線相連接之上述全部的開關元件在OFF狀態時之上述位元線的電位，來調整供給電路的上述電流供給能力。整電ϋί讀出專用記憶體中’較佳之情況是上述電流調 .0 # ί OF^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ,1 i 相比較；心守之上述位元線的電位與特定的基準電位 =保存上述比較電路的比較結果；及對上述位元: = 依據上述保持電路的保持内容，位，=是開Γ件在°FF狀態時的位元線電 OFF漏電電流產生疋件的0FF /属電流特性有差異而使得

漏電流之電流供給到\於可U將相對於其變動之OFF 給電流間的差里，兀冰上，可以抑制0FF漏電流盥供的差異，所以能夠確實地補償0FF漏電流。〃仏 [第2實施態樣] -種讀出專用記憶體· 564523

於…“由字元線所選擇之開關元件，來使 ί門關放電’依據與上述位元線是否有相連接上述開關7L件來讀出資料而構成， ρΐί有複數個電流供給部來構成電流供給電路，具有 ^ ni m , 田上迷開關凡件被上述字元線所選擇時’對上述位元線供給電流，依據與上述位元線相連接之上述開關元件的數目，將 1個以上的上述電流供給部與上述位元線相連接。藉此在衣作肩出專用記憶體時，只要改變區別各電|| 流t給部與位元線間的連接，便可以對應到不同寫入資料之電流供給能力’將電流供給到位元線上，而且對不同寫入資料之讀出專用記憶體，除了改變上述的連接之外可以將其共通化，除了可以使得構成讀出專用記憶體之元件等· 的佈局的自動化谷易進行之外，因為製造步驟的簡單化，也可以使得製造變容易。此外，在電晶體形成後的接觸孔 (Contact)形成步驟時，與R〇M資料一起設定電流供給能力，可以縮短從ROM資料確定時間點開始到全部製造步驟完成為止的前置時間。 [第3實施態樣] 一種I*出專用記憶體，設有可對於位元線接合或切斷之開關元件’其構成是藉由將上述位元線與上述開關元件加以切斷，來設定被讀出的資料，當讀出資料時，在上述

第13頁五、發明說明（10) 位元線上預先保持電荷，紗由字元線所選擇之開關元件來^被伴捭f ί位元線，而據上述位元線是否有盘上被保持之電荷放電’依在上述位元線上設if \元件相連接來讀出資料，來構成電流供給電4數個的電流供給部擇時，對上述位元線供；二開關兀件被上述字元線所選藉此’在製造後仍可以設定（寫專用記憶體中，在寫入資料砗m ^ 田貝付心。貝® 洁拉> + + w 貝抖w，因為可以設定與位元線相連接之電流供給部的數目，π 述一般地適當地補償㈠漏電電W以防止誤動作及動作速度的降低。【發明的實施形態】以下，針對本發明的實施形態，參照圖面加以說明。 (實施形態1) 圖1是說明實施形態1中之讀出專用記憶體的重點的構成之電路圖。同圖中’構成預先充電電路之預先充電電晶體Trll〇〜

TrInO ’藉由預先充電信號1 〇〇的控制，對位元線β11 〇〜 BlnO預先充電。字元線W101〜W10m分別與構成電晶體列iNch m〇S電晶體Tr 111〜Tr 1 nm的閘極相連接。（更詳細地來說，例如字元線W101與Nch MOS電晶體Trill〜Trlnl的閘極、字元 564523

五、發明說明（11) 線W10 2與Nch MOS電晶體Trll2〜Trln2的閘極、〜一 W1 0 m與N c h Μ 0 S電晶體T r 1 1 m〜T r 1 n m的閘極分別相連上述各Nch MOS電晶體Tr 1 11…的源極接地，另— ）面，汲極隨著被記錄的資料（” ”或，，1")與位元線β 1工〇 B1 nO相連接或遮斷。亦即，同圖的例子中，姑〜為0時，Nch MOS電晶體Trill…的汲極與位元線Bu〇 ···、Tt 連接。因此，在讀出時，當Nch MOS電晶體Trlu成為〇N相，與其Nch M0S電晶體Tr 111的汲極相連接之位元線b ^ 抑上述位元線ΒΠ0〜BlnO，分別與構成輸出電路之反器電路Invl 11 · Invl 12 〜Invlnl · Ιηνιη2 相連接。 ° 而且，與各位元線B110〜BlnO相連接之上拉電路21〇〜2n0(電流補償電路）各具有i個以上的以匕M〇s電晶體 ΊΎ211…。上述各Pch M〇s電晶體Tr2u…的汲極與元線Β110…相連接，閘極與各反向器電路Invlu…的輸出相連接。迫些上拉電路210〜2η0，當位元線Β11〇…的電位 Η電位（反向器電路ιην1丨丨…的輸出為L電位）時，各 M0S電晶體Tr211…成為0N狀態，使各位元線Bn〇 ••維 Η電位（預先充電電位）的狀態（作為電位安定化電路來作上述上拉電路210〜2n〇，各具有相對於與各位元線处10〜BlnO相連接之Nch M〇s電晶體Trm…的數目之驅月匕力（電流供給能力）。更詳細地說，例如上拉電路2 驅動能力如以下來加以設定。亦即，當與位元線Bi 564523 五、發明說明（12) 接之全部的Nch MOS電晶體Tr 11 1…Tr 11 m成為off狀態，位元線B11 0的電位較反向器電路Invl 11的輸入閥值電位高時，上拉電路210可以供給上述各Nch M0S電晶體Tru^·· T r 11 m的〇 F F漏電流的合计同荨的電流。而且較成為〇 n狀悲（1個的）Nch M0S電晶體Tr 1 1 1…Tr 1 1 m小之驅動能力（僅可以供給較N c h Μ 0 S電晶體T r 1 1 1…的〇 N電流小的電流）。上述驅動能力，未必是要與上述0FF漏電流的合計完全相同的電流亦可。亦即，即使是相同電流以下（「未滿」亦可）’當全部的Nch M0S電晶體Tr 1 1 1…在off狀態時，只要能夠將位元線B11 0的電位維持在η電位以上即可，或者是相同電流以上（「超過」亦可），只要任一NchM〇s電晶體

Tr 111…在ON狀恶時，可以將位元線β 11 〇的電位充分地降低到L電位即可。上述的驅動能力，可以例如構成上拉電路21〇…之pch M0S電晶體Tr211…的數目與電晶體大小來加以設定。具體而言，依據汲極與各位元線B110…相連接之Nch M〇s電晶丑體Trill…的數目（正確來說將上述電晶體的數目分成4階段（組）來對應到各階段），將以下數目的pch M〇s電晶體 Tr211…設置在各上拉電路2i 〇…上。 (a)Nch M0S電晶體在mx 1/4個以下時 Pch M0S電晶體1個 (例如上拉電路2 10) (1))\〇]1河08電晶體在111><1/4 + 1〜111><2/4個時 Pch M0S電晶體2個第16頁 564523 五、發明說明（13) (例如上拉電路2n0 )、 (c) Nch MOS電晶體為m X 2/4 + 1〜m X 3/4個時

Pch MOS電晶體3個 (d) Nch MOS電晶體為m X 3/4 + 1個以上時 Pch MOS電晶體為4個 (例如上拉電路220 )。

各Pch MOS電晶體Tr211…的電晶體尺寸都相同，每一個所可以供給的電流，與m/4個Nch MOS電晶體Trill…的 OFF漏電流的合計同等，且設定為較1個化匕m〇s電晶體 Trm…的ON電流小。驅動能力的設定，也可以將複數個較上述尺寸小的電晶體（車父多數目）加以組合來進行，也可以使用尺寸較大的 1個電晶體來得到與上述2〜4個時相同的驅動能力。上述讀出專用記憶體的動作如下。 (1) 如圖2所示，首先在讀出動作前，預先充電信號 1 00被降低到L電位，各預先充電電晶體Tri丨〇…成為〇N狀悲’各位元線B11 0…被預先充電到η電位。

(2) 之後’隨著圖中未標示的輸入位址信號，字元線 W1 01…中的任一條被選擇成為η電位。、 (3) 例如當字元線W1 02被選擇而成為η電位時，與此字元線W102相連接之Nch M0S電晶體Trll2〜Trln2成為0Ν狀態。 …、此時，例如當Nch M0S電晶體Trl 12成為ON狀態，因為

564523 五、發明說明（14) 其汲極沒有與位元線B1 1 0相連接，所以位元線B11 〇不會經由此Nch MOS電晶體Trll2被放電。或者，如同上述，沒極與位元線B11 0相連接的（0 F F狀態的）N c h Μ 0 S電晶體 Trl 11…的數目在m /4以下（上述（a))、其〇FF漏電流的合計最大是與Pch M0S電晶體Tr211所能供給的電流相等。因此’ Pch M0S電晶體Tr2 1 1可以對位元線βΐ 1 〇，充分地供給相對於放電電流之充電電流（可以充分地補償〇FF漏電電流）。因此，位元線B1 10的電位，在預先充電信號丨〇〇成為Η電位後會確貫地維持在η電位，亦即維持在較反向器電路I η ν 111的閥值電位高的電位，其結果是，經由反向器電路Invlll與Ιην112(或者僅由「反向器電路ιην112」）確實地輸出資料π 1”。另一方面，例如成為ON狀態之Nch M0S電晶體Trl22的汲極，與位元線B120相連接。或者，與此位元線B12〇連接 mx 3/4 + 1以上的（OFF狀態的）Nch M0S電晶體Tr 12m…相連接（上述（d))。上述ON狀態的Nch M0S電晶體Trl22的ON電流，與上述OFF狀態的m X 3/4 + 1以上的NchMOS電晶體 Trl2ra…的OFF漏電流的合計，較（4個）pch M0S電晶體

Tr221〜Tr224所可以供給的電流大。其原因是因為OFF狀態的m X 3/4個Nch M0S電晶體 Trl2m的OFF漏電流與3個Pch M0S電晶體Tr221…所可以供給的電流相同，而且ON狀態的1個Nch M0S電晶體Trl22的 ON電流較1個Pch M0S電晶體Tr221…所可以供給的電流大。因此，位元線B1 20當預先充電信號1〇〇成為η電位後會

第18頁 564523 五、發明說明（15) 被快速地放電，佶1 的電位較反向哭Ϊ，、降低到L電位。當位元線β1 20 Ιην121的榦出:絲路1nVl21的閥值電位低時，反向器電路成為L·電位'亦g轉成為Η電位，反向器電路Inv122的輸出 t H “ P，經由反向器電路Invl21盥Invl22輸出 =成如同上述-般地，反向器== OFF狀能栋二位日守，PCh M〇S電晶體Tr221 〜Tr224成為，二被1位元線B120的電位更快地降低。被選擇而上述（1)(2)相同地，當例如字元線界101 曰體Trill Τ 1;位時，與字元線W101相連接之Nch M0S電 2；J ',II ^^0N^ ^ ^^^^ « 位豆所斜處7^線^ 1〇與8120的電位確實地成為L與11電位’其所對應的資料丨丨〇丨丨电

InVl22被輸出。1…器電路Ιην112及 s μΊ上述沾、依據與位凡線Buo...相連接之Nch _電 :，u.·.的數目’亦即OFF漏電流的大小，】 ϊ ΓΛ:的:ch M0S電晶體Tr21卜·的數目與電晶體尺 —I t 1〇…的驅動能力如同上述-般地加以 =止附漏電流所引起的誤㈣。因此/出速且可 =壓，同時，可以降低電晶體的f㈣厂堅々以動作電路動作的高速化及低消費電力化。廷引電 564523 五、發明說明（16) ^ At斤構成之^賣出專用記憶體的例子來說明。以下的實施中，對與上述實施形態1等具有相同的機能之構成要素標不以相同的符號並省略其說明。 3/說明本發明的實施形態2中之讀出專用記憶體的重〃、構成之電路圖。此讀出專用記憶體，在上述實施形態 1的構成中進一步追加設置了定電流供給控制電路3丨〇〜 3n0—與定電流控制電路4〇〇。而且取代上拉電路2ι〇·.，設置定電流輸出電路210’〜2n〇，。此定電流輸出電路21〇,… 與上拉電路210…相同是以Pch M〇s電晶體Tr2n…所構成丄不同點為各Pch M0S電晶體Tr2u…的閘極，並非與反向器電路Invlll…的輸出而是經由定電流供給控制電ς 3丄〇二與\電二控制電路4QG相連接，以上述定電流輸出電路210…與定電流制御電路4〇{)來構成定電流電路。 =各，電流供給㈣電路31〇〜3n〇，具有傳輸閑極 311〜3nl，反向器電路Inv312〜3n2，及定電流遮斷電晶體〜M3，將各定電流輸出電路21〇，…控制在電流供給狀悲或停止狀態。更詳細來說，上述傳輸閘極31】…被設置在定電流輪出電路210,...巾之pch刪電曰曰曰體Tr2ii ... 的閘極與定電流控制電路400之間’隨著反向器電路 Invlll…及反向器電路Inv312·..的輸出，當位元線βη〇… 的電位為Η電位時，將定電流輸出電路21〇，… 制電路綱之間加以導通，另-方面，在L電位時加以遮斷。當位兀線Β110...的電位机電位時，定電流遮體Tr31 3…在Pch MOS電晶體Tr2l丨…的閘極上加上電源電第20頁 564523 五、發明說明（17) 壓’來停止從定電流輸出電路21 0，…對位元線線B1 1 〇…的電流供給。定電流控制電路400中設置有包括定電流控制電晶體

Tr410，m/4個負荷電晶體Tr421〜42k(k = m/4)之負荷電路 420。更詳細地說，上述各負荷電晶體Tr42i〜42k是與上述Nch MOS電晶體Tr 111…具有相同構成及特性的Nch 電晶體，閘極及源極都被接地，從定電流控制電晶體

Tr41 0的汲極流入一定的電流。定電流控制電晶體Tr41 〇為閘極與汲極相連接之Pch M0S電晶體，上述閘極節點，經由上述定電流供給控制電路3 1 〇〜3n〇，與各定電流輸出電路210’…中之Pch M0S電晶體Tr2u…的閘極相連接，構成使各Pch M0S電晶體Tr211…的汲極電流與流入上述負荷電晶體Tr421〜42k之汲極電流相等之電流鏡電路。定電流控制電晶體Tr410的電晶體尺寸等被設定為pch M〇s電晶體L工

Tr2 11 ···的閘極電壓較電源電壓略低之中間的電壓。上述負荷電晶體Tr421〜42k與Nch M0S電晶體Trill ···，除了具有完全相同的構造及形態之外，即使元件的尺寸不同，^ 種特性（例如OFF漏電特性）成比例關係等，只要大概且 -定的關係的特性之元件即彳，最好是以相：同的晶片上所形成之元#。 "表私在相在如上述一般所構成的讀出專用記憶體中， ^ tNch MOSt 曰曰體Trm…成為⑽狀態n線B11〇··· 即紙h觀電晶體Tr2 i i...的源極與汲極間電壓降變低高日守，供

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給到位元線B110 ·.·之電流與流到負荷電路42〇的電流為相等之定電流’不會增加。因此，可以將位元線Bl丨〇…的電位快速且確實地降低到反向器電路ΙηνΠ1…的閥值電位以下，以防止誤動作。在此點上，上述定電流電路可以考慮使用具有限流器（L i m i t e r )之電流供給電路。 ^

如上述一般，依據與以卜MOS電晶體Trl 1 1 ···具有相同的構成與特性的負荷電晶體Tr421…，來得到成為定電流，路的基準之電流，藉此可以很容易地將〇FF漏電流與"從定電流輸出電路2 10,…所供給的電流控制在可以容許/電晶體的差異的範圍内，同時對電源電壓與周圍溫度等的周^曰條件的變動也可以提高電流補償的精度，所以增大了使位元線B11 0 ···維持在η電位的動作，及將位元線Βι丨〇…放電之動作的動作邊限，可以更容易地抑制誤動作及提高動逮度。 (實施形態3) 實施形態3中說明即使當OFF漏電流有差異時，隨著其差異自動地進行定電流的調整，以供給較適當的電流所構成之讀出專用記憶體的例子。

^ 圖4疋說明實施形態3中之讀出專用記憶體重點的構成電路圖。在此讀出專用記憶體中，與上述實施形態2的構成相比’代替定電流供給控制電路31 〇…，設置了定電流 ^供給控制電路310，…，同時設置了比較器電路Cpll〇〜 PlnO ’邊緣觸發的正反器電路〜，及電流調

第22頁 564523 五、發明說明（19) 整電晶體Tr510〜Tr5n0 上述定電流控制電路4〇〇與實施形態2相同，直接與 Pch MOS電晶體Tr211…的閘極相連接，對位元線Bu〇…供給電流。 •供給電同時定電的閘極上定電流供給控制電路310，···並非對pch觀電晶體 Tr21卜··，而疋汉置來控制電流調整電晶體Tr5i〇···，與實施形態2的定電流供給控制電路31 Q ···為大概相同的電路，、使被輸入的控制信號的電位成為相反。亦即，當正反器 fFHlO…的輸出（Q)為η電位時，傳輸閘極3ιι…成為狀悲，以電流調整電晶體Tr51〇·••對位元線β11〇流、，當L電位時，傳輸閘極311〜成為遮斯狀態流遮斷電晶體Tr313…在電流調整電晶體Tr51〇 · 加上電源電壓，停止對位元線^1〇…供給電流曰二^流供給控制電路31°， =豆f…，電晶體尺寸為例如Pch MOS電晶體Tr211 ··· 的一半的尺寸所形成。的美ΐ ί器電路Cpl 1G...將各位元線B11G...的電位與特定的基準電位信號1〇2，更詳細…將反向器電路、特疋 :开二.的閥值電位與電源電壓間的特定電位相比較，♦ 位几線B11 0…的電位較高時，田位的信號。铷L冤位，較低時輸出II電正反器電路FF110…在觸發信號1〇1的上升上述比較器電路Cpll0...的輸出。开逯'，彖時維持如上述所構成之讀出專用記憶體中，首先在讀出動作之

翻第23頁 564523

流的大小來設定是否使電前，如以下一般，隨著OFF漏電流調整電晶體Tr510…動作。 (1)首先，如圖5所時，全部的字元線W1 〇1 提高到Η電位（預先充電出L電位的信號。 τ ’當預先充電信號100成為L電位成為L電位，各位元線Β1 1 〇…被 )°然後，從比較器電路Cpl 1〇…輸们η ι( u田位元線被提w到充分的H電位的時間，觸發信號101的Η電位的脈衝被輪入到各正反器電路㈣卜上， ίΐΐί;器電路CPl10...所輸出的L電位的信號被保持，同日守被輸出到定電流供給控制電路310，上。於是，定 ^mTr313···成為0n狀態，電流調整電晶體Mu· 批J " ΐ電源電壓*為0FF狀態（對位Α線Β110...不仏、、、6電流的狀態）。位日士（3)/Λ先充電期間結束’預先充電信號100成為Η電士位疋線Β110…的電位慢慢地降低，直輸出電路210,…所供給的電流(供給二電：晶體Tr i i i…中與各位塌】)。在汲極相連接=】的OFF漏電流的合計平衡為止。日曰- =時，當Nch M0S電晶體Trlu…的〇ff 的電“時’位元線B11。·..的電位變成較 Κ ι” 南’比較器電路以110 …的輸出被維持在l電位。一 m^ch M0S電晶體Trll卜.·的0FF漏電流較特定電流從二^線611° ..的電位變成較基準電位信號102低，攸比車乂斋電路Cpl 10…輸出Η電位的信號。一 564523 五、發明說明（21) (4 ) §來自定電流輪出雷γ欠9 1 ^，、六、去，丨及^ 士物出罨路210 ···的電流與OFF漏電再次將觸發信號101的11電位的脈衝輸入到 t正反為電路FF110...，隨著上述各〇FF漏電流的大小，雷：二mcpuo所輸出的電位信號被保持在正反器 \ _上。於是，依據上述被保持的信號的電位，以疋電^供給控制電路310，…來控制電流調整電晶體的動作。亦即’當0FF漏電流大時，除了Pch M0S :曰曰體r211…之外，會從電流調整電晶體Tr5i〇…對位元，Β11〇…供給電流，當Nch M〇s電晶體Trln…在〇ff狀態時的位το線B110…的電位會被確實地維持在較反向器電路 n v 111…的閥值電位高的電位（例如圖5的位元線]6丨2 〇 )。另一方面，當OFF漏電流小時，電流調整電晶體Tr51〇… j為遮斷狀態，變成僅由Pch M0S電晶體Tr211…來供給電流，因為抑制了對位元線Bn〇…過度的電流供給，當Nch MjS電Ba體了!'1 1 1…在on狀態時，位元線βΐ 1 〇…的電位會確貫且快速地變得較反向器電路Invl 11…的閥值電位低（例如圖5的位元線B11〇)。 σ 、（ 5 )如同上述一般，一旦相對於OFF漏電流的電位信號被保存在正反器電路FF110…後，與上述實施形態1、2 相同’依據位址信號所選擇的字元線？1 〇丨…，被記憶的資料經由位元線B11〇…被讀出。、、如同上述，在讀出動作開始之前，位元線…丨〇…的電位被|£視’依據0FF漏電流的大小來設定供給電流的大小’可以防止OFF漏電流的變動所引起的誤動作等。

彡、發明說明（22) 亦即，即使與艘Trill ···的數目與各位元線B1 10… 造成位元線B1 10… 實際的位元線B1 10 jE，資料” 〇 ”與” 1" 適當地確保。 (實施形態4 ) 接著，針對實手法的例子來做說上述的讀出專圖案微影製程等之等’是依據構成讀之佈局資料來進行編譯的，亦即例如^ 料可以自動地產生及其組合之邏輯電3 連接之接觸孔等來子這些單元配置在裝j 圖6中說明讀出單元的配置（位元單區塊、位址解碼電與中之反向器電路Inv 各位凡線6110·.·相連接之Nch MOS電晶目同，由於電晶體的特性差異等，使得相連接之OFF漏電流的合計有所不同， •的電位可能會變動，這日夺，由於會依據的電位的變動來進行供給電流的補、任者被a買出時的動作邊限也可以更明。 1心肪· U电崎的师局用記憶體，具體而上 0 y. 曰m制i 、體而s ，疋使用例如光罩日曰®製程所製造。卜 70早出專用記悚I#夕々述先罩圖案的製作，上述佈：D 件與配線等的佈局帝局貝枓，依據佈局裝置是可以 :數及字元數-起，藉著各，穿迅：ί 電晶體等元件，谷穿過絕緣層來將各元件鱼杉成單元f百-,T u丨卞一配線加以 tid' ai Cell))，藉著將上术形成上述佈局資料。專：記憶體的重點之電路區塊中列，必要時將複數個相同# f $ ‘、控制雷％ m U的電路電路（或上述實施 111等）等的雷踗F4〜心1荨的例 7尾路區塊加以組合，製作 564523

成具有新相對於單元配置之讀出專用記憶體。 S二5 MQSt^體單元611"·為對應到上述Nch MOS 到= 單元、PCh M〇S電晶體單元711…為對應曰 ^ 210…或定電流輸出電路210,之Pch MOS電 :體Tr 2 i卜"之单元。位元、_ i i 〇…及字元細〇 ι…相互曰：二配對應到兩者重疊的位置，將上述Nch M0S電 :體早兀611配置成矩陣狀。更詳細來說，同圖的左右方向排列之各NchMOS電晶體單元611…的閘極

相連接來配置，同時上下方向排列之各Nch子 M0S電晶體单疋6U ...的&極部與共通的位元線βι ι〇 ...重疊 (例如位元線B1 1 〇…的位置在汲極部上）來配置。此外，上述汲極部與位元線B11〇…的重疊位置上，依據寫入資料位7L貝料）相對應，在同圖上以黑四角來標示，配置接觸孔所對應之接觸單元。

以上，佈局，雖然是與習用讀出專用記憶體的佈局相同，在本實施形態的讀出專用記憶體中，進一步沿著上述各位元線B110 ···，各配置了 4個Pch m〇S電晶體單元 711…乂其汲極部與各位元線ΒΠ〇…相重疊。上述各汲極部與位元線\11〇…重疊的位置上，對應到各位元線Bn〇 ··· 之上述接觸單元的數目，亦即，如實施形態1 (a)〜（d)中的說明一般’與各位元線線β1丨〇…相連接之Nch M〇s電晶體Tr 111…的數目相對應來設置之？^ mos電晶體]^211… 的數目相同地來配置同圖中鲁所示之接觸單元。上述的佈局，以如下的步驟來進行。首先，與習用讀

第27頁 564523 五、發明說明（24) 出專用s己t思體相同地，丰开綠予凡線W101…、Nch MOS電晶體單

元6 1 1…、位元線B1 1 〇 ···、菸官λ次M 及寫入負料所對應之接觸單元如上述一般地來配置。此外 m 此外配置联大必要數目的Pch MOS電晶體單元711 ··· 〇麸德，斜u^ 々 A傻，對上述各位元線B1丨〇 ···，异Nch MOS電晶體單元6 1 1 ···所對 — 尸汀對應接觸早兀的數目，隨荖 U目來決定Pch M0S電晶體單元?η…所對應之接觸單元的數=而，且’代替上述接觸單元數的計#，也可以計算寫入資料的丨丨〇 ’丨的數目等。麸德力* 寸必傻，如上述一般來配置上述決定之數目所對應的接觸單元。 < 依據此種步驟等來進行佈局，與僅設定寫入資料時的自動佈局相同可以报容易達到對任意的寫人資料且有特定驅動能力之上拉電路等的佈局的自動化。亡述一般地，對各位元線配置最大數目的Pch M0S電晶體單元711…，依據接觸單亓沾女么一 j早70的配置的有無來設定對位元線的驅動能力，割·庫至丨宜λ :欠，，」％紉此刀耵應刿冩入貧料不同的只有接觸單元，其他的部分可以是相同，以提高佈局處理及光罩圖案造製程等的共通化程度，可' …H N ^ ^ ^ T U使讀出專用記憶體的製造更谷易。此外，到形成接觸單元為止的步驟，因入：料決定以前㈣，在決定寫入資料後，進 = 形成以後的㈣，可以容易地縮短完成產品此外，在上述的例子中，說明了在製造階段時寫入資料之讀出專用記憶體的例子、’、、但並不限定於此，設詈，可以切斷1次（可切斷，或可連接）之Nch M〇s電晶體

564523 、發明說明（25)

TrUl…與pch MOS電晶體Tr211···，及位元線B110…來構 f所謂之可程式讀出專用記憶體，藉著將上述Nch M〇s電晶體Trill…與位元線Bn〇…加以切斷來設定寫入資料，同時藉著將寫入資料所對應數目的Pch MOS電晶體Tr211… 與，位元線B110…切斷，可以設定對各位元線Bn〇…的驅動能力。此時，以專用的寫入裝置等來進行上述切斷時，對寫入裝置，與寫入資料一起，加上說明與各位元線 ΒΠ0…切斷之Pch M〇s電晶體Tr2n…所示之資訊亦可，在寫入裝置侧，若是依據寫入資料來產生上述切斷相關的資亂’與通常的可程式讀出專用記憶體相同地，只要對寫入裝置加上寫入資料，便可以避免因0FF漏電電流所引起之誤動作等來讀出被寫入的資料。也可以將上述各實施形態所說明的構成做各種的組合亦 y 〇具體而言，例如實施形態3中，說明了定電流輸出電路2 1 〇…等，經常地對位元線β丨丨〇…供給電流所構成的例子’與實施形態1，2相同地，也可以隨著反向器電路 Invl 11…的輸出等，當位元線ΒΠ〇…的電位變得較特定的電位低時，停止電流的供給。 _ 相反地，在實施形態1、2中，與實施形態3的定電流輸出電路2 1 〇 ’…相同地也可以經常地供給電流。亦即，可以得到與上述一般地依據與位元線β11〇…相連接之Nch MOS電晶體Tri 11…的數目來設定驅動能力之效果。將如實施形態3 —般地以電流調整電晶體Tr51〇 ···來調

第29頁 564523 五、發明說明（26) 整供給電流之構成也可以應用在實施形態1上。此外，在上述各實施形態中，說明了將與各位元線B1 1 0…相連接之 Nch MOS電晶體Trl 11…的數目分成4階段，設置對應到各階段的數目的P c h Μ 0 S電晶體T r 2 1 1…的例子；但並不限定於此，隨著記憶體的容量等，分成3個階段或2個階段，或者更多階段亦可，此外，每1個的驅動能力，將1個Nch MOS電晶體Trl 11等的OFF漏電流所對應之Pch MOS電晶體 Tr2 11等，設置與位元線B11 0…相連接之Nch MOS電晶體 Trill相同的數目，使Nch MOS電晶體Trill…的連接數與驅動能力成1對1的比例關係，可以正確地補償OFF漏電流。或者，各Pch M0S電晶體Tr2 11…的驅動能力並不一定要互相相等，例如設為2的累積倍數，隨著其組合，可以很精細地設定合計的驅動能力。在上述實施形態3中，說明了對每條位元線β 1丨〇 ···設置1個電流調整電晶體T r 5 1 0…的例子，但是例如設置與各定電流輸出電路210’的Pch M0S電晶體Tr211…相同數目'，或者對應到其數目之電晶體尺寸亦可。或者，設置複數組比較器電路C p 11 0…專’相對於複數種類的基準電位信號 1 02來分多階段地調整供給電流亦可。而且，代替控^ ^ 流調整電晶體Tr5 1 0…，而個別地控制？。]^ M0S電晶體 Tr211…亦可。亦即，並非預先設定與位元線β11〇 ••相連接之Pch M0S電晶體Tr211…的數目，而是根據上述使用時的OFF漏電流的檢出，來決定有效的？(：]1 m〇s電晶體 Tr211…的數目。（此時，上述調整後的狀態，實質上與實

564523 五、發明說明（27) 施形態1等相同地，設置了與位元線B1丨〇…相連接之Nch MOS電晶體Trl 1 1的數目所對應的數目的？(：}1 MOS電晶體 Tr211 ··· ° ) 在上述實施形態3中’代替控制電流調整電晶體 Tr510…的ON/OFF，以定電流控制電路4〇〇來微調整加在各Pch MOS電晶體Tr211…的閘極上之電壓亦可。此外，代替上述實施形態3 —般使用比較器及正反器來控制電流調整電晶體Tr5 1 0…的on/off，而使用取樣保持電路’來檢出並保持OFF漏電流的大小，藉此，可以不分階段地控制用電流調整電晶體Tr51〇…或者pch M〇s電晶體Tr21 1…所供給的電流。如上述各實施形態所說明過一般，不同時全部輸出各反，器電路Invll2〜lnvln2的輸出，例如圖7所示一般，將每複數個（圖7的例中為2個）為一組，將各組中的任一者，經由以位元線選擇信號BS101 .BS102所控制的位元選擇電晶體Tr610…，選擇性地從輸出位元線821〇…來輪 =，可以構成實質上位址寬度較長之讀出專用記情體。在此，上述位元線選擇電晶體Tr61〇…可以設置〜 =電路Invm...的輸入側，來（直接）選擇位元。線 * 或者此日守上拉電路2 1 0…不與各位元線B11 〇 ... 接’而與位元線選擇電晶體Tr6i。…的輸接亦可。此時，相對於被選擇的位元咖連相對數目紙h _電晶體㈣卜之上拉電^ 有 564523 五、發明說明（28) 接。具體的一例是，對每條輸出位元線β2丨〇 ···，分別具有各位元線Β1 1 0…相對應數目的？^ MOS電晶體Tr21 i ··· 了# 置選擇性地與位元線選擇電晶體Tr61〇 ···的輸出側相連接x 之複數個的上拉電路即可。在此時，與相同組内的各位元線B1 10…相連接之Nch m〇S電晶體Trl 1 1 ···的數目為相同時，可以達到上拉電路2 1 〇的共通化。或者，另一個例子，例如圖8所示一般，對位元線B11〇 · 12〇，設置4個？以 MOS電晶體Tr2ll〜Tr214，在其閘極上，與反向器電路 Invlll或0R電路OR101的輸出端子相連接亦可。亦即，在同圖的例中，Pch M0S電晶體Tr211 ，在位元線BU〇 ·β12〇中被選擇者為Η電位（反向器電路Invlu的輸出為乙電位）時經常地成為ON狀態。或者，Pch M〇s電晶體Tr212〜

Tr214，在位兀線B120被選擇（位元線選擇信號“1〇1為[電位，位元線選擇信號BS1 02為Η電位），且只有在位元線 Β120，Η電位（反向器電路Ιην111的輸出為^電位）時，成為 ON狀，二因此，在各Pch M〇s電晶體Tr2n〜丁^^^的閘極 j，藉著設定與反向器電路Invlu或者〇R電路〇R1〇1的哪者相連接，與上述的例子相同地，對應到被選擇的位元線B110 · 120的數目的Pch M〇s電晶體Tr2U…與位元線選擇電晶體Tr6 10…的輸出侧相連接時可以得到相同的作用。或者，在各Pch M0S電晶體Tr211…的閘極上分別設置 3個輸入的0R電路，各⑽電路的1個輸入端子上與反向器電路I n v 111的輸出端子，另一個輸入端子上與位元線選擇信號bsuh或低電壓源vss，剩下的1個輸入端子與位元線選

564523 五、發明說明（29) 擇信號BS1 02或者低電壓源VSS相連接，也可以得到相同的作用。或者，也可以將上述的構成應用在圖3與圖4，或者將其組合後的構成上。 (實施形態1〜4的内容）依據以上所述的本發明，由於將與位元線相連接之開關元件的數目所對應的電流供給到位元線上，可以補償汗 OFF漏電流，可以容易地防止因〇FF漏電電流所引起的誤動作及電路特性的劣化。因此，可以降低構成讀出專用記 $體之開關元件等的閾值電壓，以達到高速化及因低電壓動作所得到之低消費電力化。 (實施形態2的内容）或者，藉由使用定電流為即使位元線電位降低也不充分地降低位元線電位，除輸出電路的邊限。電路來對位元線供給電流，因會增大供給電流，可以快速且了提供動作速度，也可以增大 (貫施形態2的内容）線相Ϊί之電路作為定電流電路，㈣與位元為基準來對位元線供：^類的開關元件所產生之電流作流的補償，可以確保；：：動=行高準確的。FF漏電

第33頁 564523 五、發明說明（30) (實施形態3的内容）隨著位元線電位，來控制定電流電路的動作或不動作等，控制對位元線供給的電流，當位元線放電時，可以更快速且充分地將位元線電位降低，以提高放電動作的安定性0 (實施形態1〜4的内容）將與位元線相連接的開關元件的數目分成複數個階段，隨著其階段來設定電流供給電路的電流供給能力，以減少具有不同電流供給能力之電流供給電路的種類，可以容易地達到構成的簡單化。 (實施形態3的内容）監視開關元件在OFF狀態時的OFF漏電流所影響之位元線的電位等，來調整供給到位元線上之電流，藉此，即使開關元件的OFF漏電流有差異時，也可以將該〇FF漏電電流所對應的電流供給到位元線上，可以高準確度地來補償OFF漏電流，以確保讀出動作的邊限。 (實施形態4的内容）或者，設置複數個的電流供給部來構成電流供給電路’依據各電流供給部與位元線是否有連接，來區隔電流供給能力，藉此可以使構成讀出專用記憶體之元件等的^ 局的自動化變得較容易，同時藉由製造步驟的簡單化，可

564523 五、發明說明（31) 以使製造變得較容易。 (實施形態4的内容）或者，藉著將構成電流供給電路之複數個的電流供給部，設定為可以與位元線切斷，可以在製造後設定（寫入）被讀出資料之讀出專用記憶體中，如上述一般適當地補償 OFF漏電流，以防止誤動作及動作速度的降低。

第35頁 564523 圖式簡單說明圖1為顯示實施形態1的讀出專用記憶體的重點構成的電路圖。圖2為顯示實施形態1的讀出專用記憶體的各部的信號電位之說明圖。圖3為顯示實施形態2的讀出專用記憶體的重點構成的電路圖。圖4為顯示實施形態3的讀出專用記憶體的重點構成的電路圖。圖5為顯示實施形態3的讀出專用記憶體的各部信號電位的說明圖。圖6為顯示實施形態4的讀出專用記憶體的重點之電路方塊中之各單元的配置平面圖。圖7為顯示實施形態的變形例的讀出專用記憶體的重點構成的電路圖。圖8為顯示實施形態的其他變形例的讀出專用記憶體重點構成的電路圖。圖9為顯示習用讀出專用記憶體的重點構成的電路圖。圖1 0為顯示習用讀出專用記憶體的各部的信號電位之說明圖。【符號說明】 1 0 0預先充電信號 1 0 1觸發信號

第36頁 564523 圖式簡單說明 21 0〜2n0 上拉電路 3 1 0〜3 η 0定電流供給控制電路 311〜3nl傳輸閘極 420負荷電路 6 11…6n5Nch MOS電晶體單元 7 11 ··· 7n4Pch MOS電晶體單元 8 0 0預先充電信號 B110〜BlnO位元線 B210 "·Β2ηΟ輸出位元線 Β 8 1 0〜Β 8 η 0位元線 BS101，BS102位元線選擇信號 CpllO〜CplnO比較器電路 FF110〜FFlnO正反器電路

Invlll 〜Invln2，Inv312 〜Inv3n2 反向器電路 Ιην811 ·Ιην812 〜Ιην8η1 ·Ιην8η2 反向器電路 OR101OR 電路

TrllO〜TrlnO預先充電電晶體

Trill 〜TrlnmNch MOS 電晶體

Tr211 -Tr214 ， Tr221 〜Tr224Pch MOS 電晶體

Tr31 3〜3n3定電流遮斷電晶體

Tr421〜42k負荷電晶體

Tr510〜Tr5n0電流調整電晶體

Tr6 1 0 ·_·Τγ6n0位元線選擇電晶體

Tr810〜Tr8n0預先充電電晶體

第37頁 564523 圖式簡單說明

Tr811 〜Tr8nmNch MOS 電晶體 Tr911 〜Tr9nlPch MOS 電晶體 W101 〜WlOm，W8 01 〜W8 0m 字元線

第38頁

Claims

)04523 ΜΨχ, 9111R7R1 六、申請專利範圍曰修正、線供給電流位較特定的電位低時，停止對該位元記憶體，其中，分成複數個階係隨著該階段而 5·如申請專利範圍第1項之將與該位元線相連接t q π 用 I ^ 逆按之邊開關7G件的數 t，該電流供給電路的該電流供破設定。此刀， 6 ·如申請專利範圍第丨電流調整電路，其依攄盥兮你_寻用記憶體，其具有 =件在OFF狀態時之該位元線的電位，連接之全部之該開關電路的該電流供給能力。來5周整該電流供給 7·如申請專利範圍第6項之該電流調整電路具有：寻用記憶體，其中，比較電路，將與該位元線相在OFF狀態時之該位元線的全部之該開關元件較，· ，、特疋的基準電位相比保持電路，保存該比較 ^調整電流供給電路，依據該保接Ϊ結果；及该位元線供給電流。、、電路的保持内容，對。·如曱請專固第3項電流調整電路，依據與該位二出專用記憶體，其具；件在OFF狀態時之該位元線的電目連接之全部之該開關 ’來調整該電流供給<

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9 ·如申請專利範圍第8項之讀出該電流調整電路具有·· 、寻用記憶體，其中，比較電路，將與該位元線相連在OFF狀態時之該位元線的電位鱼王4之該開關較；〇特疋的基準電位相比保持電路，保存該比較電路的比調整電流供給電路，依據該保、、Q ，及邊位元線供給電流。、、“路的保持内容，對 10· 一種讀出專用記憶體，在位 70、後上預先保持電荷後，藉由連接於該位元線而由字元续來使該被保持之電荷放f，藉以讀出t擇之開關70件’ 該位元線的該開關元件之資料，於是否有連接於 “、備有ϊί之電流供給部’具有特定的電流供給能力，構成於該開關7G件被該字元線所選擇時，元線供給電流的電流供給電路；依據與咸位元線相連接之該開關元件的數目，將1個以上的該電流供給部與該位元線相連接。中二為圍二項電之路讀“用記憶體’其

— 第41頁 564523 -tl· 91115761 车月_日铬屯六、申請專娜目 · ^ ' 1 2 ·如申請專利範圍第丨丨項之讀出專用記憶體，其中’该疋電流電路包括：基準電流產生電路，使用與該開關元件相同種類關元件來產生特定之基準電流；A 禋頰的開電流鏡電路，將該基準電流加以映射，對該位元線供給電流； / 該電流鏡電路的映射比，是依據與該位元線相連接之該開關元件的數目來設定。

13·如申請專利範圍第1〇項之讀出專用記憶體，將與該位元線相連接之該開關元件的數目分成複數個階段，該電流供給電路的該電流供給能力，係隨著該階段而被設定0

1 4 · 一種讀出專用記憶體，設有可對於位元線接合或 2斷之開關元件，其構成是藉由將該位元線與該開關元件元2切斷’來設定被讀出的資料，當讀出資料時，在該位 =^上預先保持電荷，然後藉由連接於該位元線而由字史详之開關元件來使該被保持之電荷放藉以徵為·、有連接於該位元線的該開關元件之資料，其特供給 f於該開關元件被該字元線所選擇時，對該位元線於診' 4之電流供給電路的複數之電流供給部，係設成對、μ位元線可接合或切斷。

第42頁 564523 _案號91115761_年月日修正_ 六、申請專利範圍 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之讀出專用記憶體，其中，該電流供給電路為定電流電路。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之讀出專用記憶體，其中，該定電流電路包括：基準電流產生電路，使用與該開關元件相同種類的開關元件來產生特定基準電流，及

電流鏡電路，將該基準電流加以映射，對該位元線供給電流；該電流鏡電路的映射比，是依據與該位元線相連接之該開關元件的數目來設定。

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