TW416987B - A composition for cleaning the semiconductor substrate surface - Google Patents

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416887 經濟部中央擦準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明（1 ) I 發 明 背 景 1 本 發 明 偽 有 關 種 供 作 用 於 半 導 體 及 LCD (液 晶 顯 示 器 1 1 )之製造步驟中之半導體基材所用之清潔劑， 更有關- -種 t— 請 先 閲 讀 1 藉 由 使 用 該 清 潔 劑 而 清 潔 該 半 導 am 歴 基 材 表 面 之 方 法 〇 f a 前 » 依 大 型 積 體 電 路 (LSI)之髙度集成（hi gk 背 面 之 1 J i η t e g r a t 1 0 η ) 的 新 近 趨 勢 1 已 將 各 種 技 術 引 入 半 導 m 瞳 的 製 V王 意 I 1 造 步 驟 中 〇 主 要 用 於 製造LSI之半導體所用之矽晶片（ Ψ 項 再 ύ s i 1 i C 0 η w a f e r ), 傺 藉 由 白 矽 m 塊 之 HC» 車 * 晶 體 切 割 $ 再 進 Μ 裝 頁 1 行 研 磨 抛 光 之 製 造 步 现 而 製 備 者 Q 基 於 此 等 理 由 如 此 製 >— i 得 之 矽 晶 Η 的 表 面 遭 受 金 屬 不 純 挠 的 大 量 污 染 〇 再 者 * 在 t r 緊 隨 著 此 等 步 驟 之 後 續 步 驟 中 I 由 於 該 寺 晶 體 進 行 半 導 體 - 裝 置 之 製 造 步 驟 (如鐵植入步驟， 金屬終端形成步驟等） 9 ’訂 y I 使 矽 晶 體 表 面 可 具 有 若 .干 金 屬 性 污 染 之 危 險 〇 1 i 近 年 來 ， 由 .於 多 層 金 屬 化 配 線 之 新 近 趨 勢 > 已 有 人 提 1 i 出 用 以 製 造 因 應 半 導 體 基 材 表 面 之 平 坦 化 需 求 的 半 導 體 裝 .J 線 置 的 化 學 機 械 抛 光 (CMP)技術。 CMP技 術 是 一 種 利 用 氣 化 矽 1 I 及 氧 化 鋁 之 漿 液 使 % 晶 Η 表 面 平 坦 化 之 方 法 0 抛 光 客 體 為 1 該 表 面 上 之 氧 化 矽 膜 * 配 線 及 填 充 物 (P 1 u ε) 〇 在 此 情 形 下 . | 1 矽 晶 片 表 面 受 氣 化 矽 或 氣 化 鋁 漿 液 t 彼 等 漿 液 中 所 含 之 金 颶 不 純 物 及 因 拋 光 填 充 物 及 配 線 金 靥 造 成 之 金 屬 不 純 物 1 所 污 染 〇 此 時 大 量 的 金 屬 污 物 廣 泛 地 噴 布 於 矽 晶 Η 的 整 I 値 表 面 0 1 1 I 當 半 導 gjw m 基 材 的 表 面 遒 受 如 上 述 般 之 金 屬 不 純 物 所 污 1 1 1 染 時 半 導 體 裝 置 之 電 氣 性 質 受 該 損 害 所 影 響 結 果 將 使 ! 1 本紙蒗尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3 3 89 0 5 418S87 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（2 ) ! 得 半 導 體 裝 置 的 可 信 度 降 低 〇 此 外 » 半 導 am 體 裝 置 可 能 因 大 1 1 ! 量 的 金 屬 污 物 而 受 損 〇 因 此 • 必 需 m 由 在CMP製程之後導 1 1 I 入 清 潔 步 驟 而 去 除 基 材 表 面 之 金 屬 污 物 〇 I I 請 I 前 t 清 潔 步 驟 是 藉 由 化 清 潔 法 Λ 物 理 清 潔 法 或 彼 先 閒 1 1 ik 等 之 組 合 方 法 來 進 行 0 化 學 清 潔 法 中 1 發 展 於 1 97 0 年 代 之 背 1 之 1 R C A清潔法廣用於此領域。 RCA清潔溶液 係 由 酸 型 清 潔 溶 液 注 意 1 1 1 及 鹼 型 清 潔 溶 液 組 成 者 〇 酸 型 清 潔溶液如Η P Μ (塩 酸 -過氣 項 ▲ 化 氫 m 合 之 水 溶 液 )及DHF(稀釋之氩氣酸溶液）像 甩 於 去 除 寫 裝 頁 1 金 屬 污 物 〇 另 —' 方 面 > 由 APM (氨 -過氣化氫之混合水溶液） 1 所 代 表 之 鹼 型 清 潔 溶 液 • 對 去 除 粒 子 污 物 具 有 優 越 性 能 1 1 但 其 所 具 之 去 除 金 靥 污 物 的 能 力 不 足 0 - ，訂 於 此 等 情 形 下 t 為 逹 到 去 除 金 屬 污 物 的 的 ， 然 必 需 使 用 酸 型 清 潔 溶 液 如 HPM及 DHF 0 1 I 然 而 » 由 於 此 種 酸 型 清 潔 溶 液 具 有 強 力 之 溶 解 金 屬 能 1 1 力 t 因 此 1 設 置 於 半 導 sat 體 基 材 表 面 之 金 屬 化 配 線 可 能 被 ) t* 線 該 清 潔 溶 液 所 腐 蝕 〇 1 為 防 止 此 種 設 置 於 半 導 體 基 材 表 面 之 金 靥 化 配 線 之 腐 1 蝕 間 題 > 可 採 用 物 理 (機械） 清 潔 法 0 至 於 物 體 Π IT. 清 潔 法 » 可 ] 舉 例 有 使 用 古 问 速 旋 轉 電 刷 之 電 刷 -洗條法； 使用噴出冰的 1 微 細 顆 粒 之 冰 -洗滌法； 利用超純水之高壓噴射蒸氣之清 1 潔 法 以 及 使 用 超 音 波 之 兆 音 速 (m eg as on i c )法等D I 此 等 物 理 清 潔 法 的 每 一 種 皆 有 效 於 防 止 設 置 於 半 導 ttBti m j I 基 材 表 面 上 之 金 屬 化 配 線 的 腐 蝕 問 題 0 然 而 > 難 以 預 期 僅 1 I 藉 由 使 用 此 等 物 理 清 潔 方 法 達 成 之 去 除 金 屬 污 物 的 能 力 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） 4 3 8 90 5 A7 416887 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（3 ) I ] 基 於 此 種 理 由 9 提 議 使 用 物 理 清 潔 法 與利 用 酸 型 清 潔 液 之 1 1 | 化 學 清 潔 法 之 混 合 方 法 〇 1 1 1 應 注 意 雖 然 藉 由 使 用 Atft m 機 酸 進 行 之 RCA清潔法可預期 1 I 請 | 去 除 金 屬 污 物 的 能 力 f 然 而 此 等 方 法 具 有 某 問 題 9 例 如 先 閱 1 I 1 設 置 於 表 面 上 的 金 屬 化 配 線 可 能 受 損 1 再 者 1 設 置 於 表 面 背 ! 之 上 之 氣 化 矽 雄 緣 膜 可 能 被 無 機 酸 蝕 刻 0 注 意 1 I 因 此 t 必 霈 將 無 機 酸 的 濃 度 稀 釋 至 儘 可 能 的 低 » 並 儘 事 項 再 填 可 能 的 減 短 清 潔 時 間 〇 窝 本 裝 頁 1 然 而 • 此 等 考 量 的 結 果 » 不 能 期 望 得 到 充 分 的 清 潔 效 Sw-· 1 I 果 0 1 除 了 上 述 方 法 以 外 9 尚 有 其 他 用 以 清 潔 半 導 體 基 材 表 面 的 方 法 9 其 中 予 以 使 用 者 為 結 合 有 單 羧 酸 及 界 面 活 性 劑 訂 的 水 溶 性 〇 然 而 據 了 解 » 此 方 法 雖 然 因 界 面 活 性 劑 的 使 i | 用 而 有 效 的 改 善 水 溶 液 與 半 導 set 體 基 材 表 面 間 之 潤 濕 性 9 但 I 此 方 法 需 要 較 長 的 時 間 以 去 除 金 屬 污 物 1 再 者 > Jhrt m 法 期 望 ) i 線 得 到 充 分 的 清 潔 效 果 〇 1 I 此 外 ， 曾 報 導 有 其 他 去 除 金 屜 污 物 的 方 法 1 如 其 中 —- 1 者 為 以 檸 様 酸 溶 液 與 電 刷 -洗滌清潔法結合而使用者。 然 1 而 > 僅 使 用 檸 檬 酸 溶 液 來 去 除 金 屬 污 物 的 效 果 並 不 足 夠 9 故 不 能 獲 得 充 分 的 清 潔 效 果 〇 Ί 如 上 述 説 明 » 尚 未 發 現 任 何 去 除 半 導 JU& 體 基 材 表 面 之 粒 j 子 及 金 鼷 污 物 而 不 會 腐 蝕 該 基 材 表 面 之 金 m 化 配 線 » 且 不 I 會 對 其 表 面 之 平 坦 化 有 任 何 不 良 作 用 之 有 效 方 法 0 1 1 發 明 欲 解 決 2 問 頴 [ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3 8 905 416937 B7 經濟部中丧標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (4 ) 考 置 上 述 種 種 事 實 > 本 發 明 欲 解 決 之 問 題 為 提 供 一 種 不 腐 蝕 半 導 體 基 材 表 面 之 金 .颶 化 配 線 9 亦 不 曰 增 加 半 導 塍 基 材 表 面 之 撤 -粗糙度之半導體基材表面用之清潔劑， 以 及 提 供 — 種 使 用 該 清 潔 劑 之 半 導 醴 基 材 表 面 的 清 潔 方 法 0 ϋ 決 問 親 的 方 本 發 明 俗 確 立 來 解 決 上 述 問 題 者 » 且 本 發 明 僳 關 於 種 半 導 體 基 材 表 面 用 之 清 潔 劑 1 該 清 潔 劑 包 括 具 有 至 少 — 値 羧 基 之 有 機 酸 及 具 有 螯 合 能 力 之 絡 合 劑 0 本 發 明 又 有 關 一 種 半 導 M龜 展 基 材 表 面 之 清 潔 方 法 » 該 方 法 包 括 以 包 括 具 有 至 少 一 個 羧 基 之 有 機 酸 及 具 有 螯 合 能 力 之 絡 合 剤 之 清 潔 劑 處 理 半 導 體 基 材 表 面 〇 本 發 明 者 已 進 行 深 入 研 究 1 以 達 成 上 述 百 的 0 結 果 9 本 發 明 者 發 現 吸 附 及 粘 著 於 半 導 皚 基 材 表 面 之 金 屬 污 物 J 可 藉 由 使 用 含 有 具 至 少 個 羧 基 之 有 hfe 機 酸 及 具 有 螯 合 能 力 的 絡 合 劑 之 清 潔 劑予 以 腔 易 去 除 * 且 不 曾 産 生 在 使 用 強 酸 或 強 驗 溶 液 時 發 生 的 腐 蝕 設 置 於 半 導 體 基 材 表 面 之 金 靥 化 配 線 及 減 損 其 平 坦 化 的 問 題 1 基 於 此 等 發 現 而 7TC 成 本 發 明 0 推 測 為 何 上 述 百 的 可 藉 由 進 行 本 方 法 而 達 成 之 理 由 如 下 述 〇 亦 卽 1 當 有 他 m 酸 溶 解 金 屬 (如F e及A 1) 之 氣 化 物 及 氫 氣 化 物 時 ί 即 使 雖 然 該 溶 解 量 相 當 小 t 該 溶 m 之 金 屬 離 子 .可 與 絡 合 劑 形 成 金 靥 絡 合 物 〇 結 果 » 清 潔 劑 反 應 % 統 中 之 平 衡 可 轉 移 至 朝 向 溶 解 金 屬 的 方 向 % 而 改 良 有 機 酸 的 金 颶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 ΟΧ Μ7公釐） 8 3 8 9 05 416S37 A7 B7 經濟部t央標準局員工消費合作社印掣 五、 發明説明 ) Ί 1 溶 解 力 9 因 此 使 已 吸 附 及 拈 著 於 半 導 體 基 材 表 面 上 之 金 屬 1 1 | 污 物 之 去 除 可 以 逹 成 0 I 1 I 本 發 明 中 所 用 之 有 機 酸 僳 具 有 至 少 値 羧 基 Ή 較 好 1 I 請 I 是 具 有 1至3個 羧 基 之 有 機 酸 ， 更 好 是 具 有 2至3個 羧 基 之 有 先 閱 1 I 機 酸 9 且 該 有 機 酸 亦 可 含 有 1至3個 羧 基 及 /或1 至 3値胺基。 背 面 之 1 本 發 明 之 該 有 機 酸 的 實 例 包 含 αα 早 羧 酸 如 甲 酸 乙 酸 及 注 意 1 1 事 1 丙 酸 t 二 羧 酸 如 草 酸 丙 二 酸 、 丁 二 酸 > 戊 二 酸 己 1·.—* 酸 1( ^)1 ά 裝 1 庚 二 酸 順 丁 烯 二 酸 反 丁 m 二 酸 及 酞 酸 1 - 羧 酸 如 徧 离 本 古 苯 之 酸 > 均 丙 三 甲 酸 ? 氣 基 羧 酸 例 舉 有 氧 基 can 早 羧 酸 如 羥 基 貝 1 1 1 丁 酸 乳 酸 及 水 楊 酸 1 氣 基 二 羧 酸 如 蘋 果 酸 及 酒 石 酸 t 以 1 及 氣 基 三 羧 酸 如 草 酸 胺 基 羧 酸 如 天 冬 胺 酸 及 麩 胺 酸 〇 Ί 其 中 t 以 三 羧 酸 及 氣 基 羧 酸 為 較 佳 〇 訂 關 於 本 發 明 之 有 機 '酸 可 予 以 eye» 単 獨 使 用 9 或 以 其 2種或 1 | 多 種 適 當 地 組 合 使 用 〇 1 | 本 發 明 具 有 螯 合 能 力 之 絡 合 劑 較 佳 為 彼 等 可 與 金 屬 性 ) ί 線 污 物 如 F e 及 A 1 形 成 絡 合 化 合 物 者 ， 及 其 例 舉 為 胺 基 多 羧 酸 1 I 如 伸 乙 二 胺 四 乙 酸 (EDTA) 及 反 式 -1 ,2 -二胺基環己烷四乙 1 酸 (C yD TA )； 鱗酸衍生物如伸乙二胺四（ 亞 甲 基 膦 酸 )ED ΤΡ0 ! 伸 乙 二 胺 二 (亞甲基膝酸） (EDDP0 )、 氮基叁（ 亞 甲 基 m 酸 )(ΝΤΡ0 )及 1 -羥亞乙基- 1 , 1 , -二膦酸（HEDP0); 縮. 合 磷 酸 如 ! 三 多 磷 酸 及 甲 基 磷 酸 (h ex am e t ha p h 0 S Ph or Ϊ C a c 1 d) 二 I 酮 類 如 乙 醯 基 丙 酮 及 —I— 氣 乙 醯 基 丙 m * 胺 類 如 伸 乙 二 胺 及 1 1 I 三 乙 醇 胺 ? 無 機 離 子 如 鹵 離 子 (如F 、 C I - 、 Br I -) » 氟 1 ! 離 子 3 硫 氡 離 子 ί 硫 代 硫 酸 根 離 子 及 銨 離 子 〇 其 中 9 以 m 1 ! 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210><297公釐） 38 90 5 416937 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（ 6 ) 1 酸 衍 生 物 較 佳 〇 1 1 有 關 本 發 明 之 絡 合 劑 可 以 tdtr 早 獨 使 用 j 或 者 以 其 2種或 I 1 I 2種J Μ上組合使用， 1 1 請 1 本 發 明 清 潔 劑 通 常 條 於 溶 液 中 使 用 t 較 好 僳 於 水 溶 液 7t 閱 1 1 讀 ί 中 使 用 〇 使 其 所 含 之 有 機 酸 及 絡 合 劑 溶 於 水 中 t 得 到 含 有 Sr 1 之 1 I 有 機 酸 及 絡 合 劑 之 水 溶 液 〇 注 意 重 I j 當 水 溶 液 中 的 有 機 酸 及 絡 合 劑 之 濃 度 太 低 時 » fnr. Sft 法 獲 爭 I q 裝 得 充 分 之 清 潔 效 果 1 此 外 * 當 半 導 體 基 材 表 面 思 外 遛 受 嚴 為 本 頁 1 重 的 污 染 時 其 清 潔 效 果 降 低 0 另 — 方 面 i 當 溶 液 中 的 有 ί I 概 酸 濃 度 過 高 時 9 雖 可 獲 得 適 當 的 清 潔 效 果 t 但 由 成 本 - 1 1 效 益 觀 點 觀 之 » 其 較 不 佳 0 Ί 另 一 方 面 » 當 絡 合 劑 以 高 濃 度 使 用 時 » 可 獲 得 充 分 的 訂 清 潔 效 果 〇 然 而 t 絡 合 劑 的 大 量 使 用 t 致 使 有 機 不 純 物 1 1 在 半 導 證 基 材 表 面 上 的 有 害 污 染 1 而 導 致 半 m 體 之 電 氣 性 1 質 的 若 干 問 題 〇 自 經 濟 觀 點 觀 之 > 較 好 疋 不 要 大 量 使 用 絡 / —1 線 合 劑 〇 1 j 通 常 > 溶 液 中 之 有 機 酸 m 度 像 選 自 0 . 05 至 50 重 量 % 的 1 範 圍 1 較 好 是 1至30重童％。 ! 通 常 > 絡 合 劑 係 以 在 溶 液 中 之 0 . 01 至 10 重 量 % 間 的 範 •1 圍 來 使 用 較 好 是 0 . 1至1 .0 重 量 % 0 ί 為 了 清 潔 半 導 體 基 材 表 面 > 該 表 面 僳 以 上 述 之 本 發 明 I 清 潔 劑 予 以 處 理 〇 為 達 此 巨 的 9 通 常 偽 將 矽 晶 片 浸 漬 於 清 1 1 Ι 潔 劑 中 0 此 外 9 此 清 潔 巨 的 亦 可 藉 由 進 行 將 清 潔 劑 噴 布 或 I 1 1 塗 m 於 半 導 體 基 材 表 面 上 的 步 驟 或 任 何 其 他 步 驟 來 達 成 » 1 1 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） 3 8 90 5 經濟部中央摞準局員工消費合作社印製 4I6S87 ^ ώ! 五、發明説明（7 ) 只要可使半導體基材表面完全與清潔劑接觸即可。 此處理可以結合任一種習知物理清潔方法，如電刷-洗滌法及兆音速法。 本發明中，半導體基材表面用的清潔劑在常溫下表現 清潔效果，且通常清潔劑係藉由加熱至適宜的溫度來使用 ，此係由於較髙溫下，去除徹細粒子之污染效果增加。 除了上述組成成分外，在不抑制如本發明之清潔效果 的範圍内，各種輔劑成分如界面活性劑、緩衝劑及有機溶 劑可含於本發明清潔劑中。 參照下述實例及參考例更詳細說明本發明，但本發明 不受其等所限。 本發明中，矽晶體表面上之金颺性不純物的量僳由” 稀氣氟酸/石墨爐原子吸收光譜”測得者。 在製備試劑及進行分析操作時，使用超純水，而超純 水試劑级之稀氫氟酸亦使用於分析。 普例1 將直徑6英吋之P -型（100)矽晶片浸漬於添加lOOppb的 Fe、 A1及Cu (各皆為硝酸塩溶液）而製得之水溶液中，接著 以旋轉乾燥器（spin-dryer)之裝置乾燥該遭受彼等金屬離 子污染的矽晶Μ。 於該矽晶片表面吸附或粘著有5Χ 1013個原子/ cm2之 Pe, 8X 1013個原子 /cm2之 A1 及 2X 1013個原子 / era2 之 Cu。 將上述矽晶Η的任一者浸潰於具有表1所示配方之命 名為编號1至10之本發明清潔劑的任一者。接著使該晶片 -- --Ϊ i till - - - - - --1二— 二 - -II —i is —^1 -- -----tnJ-xlTr-· -.c^ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9 3 8 9 0 5 16987 A7 B7 五、發明説明（8 ) 分 ο 以测 皆法 H方 晶述 矽上 片以 U 1 〇 表 每燥於 之乾示 得置果 獲裝結 此之 。 如器量 ， 燥的 後乾子 其轉離 。 旋 屬 鐘以金 再等 ， 彼 理洗之 處清上 P 水面 7 純表 在超定

A 結 〇 片 晶 矽 m: 理 處 法 方 同 相 之 τ-Η 例 實 以 著 接 者 1 任 之 hi/ 3 1 號 表 於 示 果 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ，「裝---^--—訂 p ttaK >t u ;.翔 * 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ο 3 89 0 5 經濟部中央標準局I工消費合作社印製 41B9S7 a7 B7 五、發明説明（9 ) 表 ΐ 清潔劑配方 晶Η表面之金屬離子量(原子/em2) 编號 有機酸 濃度 (w/v ^ ) 絡合劑 濃度 (w/w^) Fe A1 Cu 1 擰樣酸 5 EDTP0 0.1 ΙΧΙΟ10 6X1011 8X1010 2 草酸 5 六甲基磷酸 0.1 3X1010 6X1012 7X1011 3 丙二酸 5 乙醯基丙酮 0.05 8X1012 1X1012 4X1012 4 酒石酸 5 CyDTA 0.1 8X10U 6X1010 5X1011 5 檸檬酸 5 EDTA · 2NH4 1 6X1010 8x10" δχίο10 6 檸樣酸 0.5 氟化銨 1 4X1011 1X1010 3X1011 7 檸檬酸 10 氟化銨 0.1 6X1012 3X1010 5X1012 8 檸樣酸 50 氟化銨 0.1 2X1012 2X1010 1X1012 9 草酸 5 HEDPO 0.1 ιχιο1。 4X10U lxl〇n 10 反丁烯二酸 1 気化鈀 0.1 4X1011 7X1012 lxio12 11 - — EDTA 0.1 3X1013 5X1013 2X1013 12 蘋果酸 10 - - 9X1012 1X1013 8X1012 13 - - - - 5X1013 8X1013 2X1013 I-----：----ίαί^------訂"-----1}線 - -J ' , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ297公釐） 3 8 90 5 A7 B7 16887 五、發明説明（10 ) 由表1所示數據可見，矽晶片表面上的金颶離子童可 藉本發明清潔劑的處理而顯箸減少。 奮例2 以與彼等在宵例1所用之相似步驟製備經Fe, A1及Cu 污染之各個矽晶Η。在進行電刷-洗滌清潔法等，每一片 矽晶片皆使用聚乙烯醇製之旋轉刷，以及具有表2所示配 方之命名為编號14至23的本發明清潔劑予以處理。每Η矽 晶片在25¾處理1分鐘。處理後，以超純水洗滌矽晶Η , 並使用旋轉乾燥器乾燥。以彼等使用於實例1之類似步驟 測量晶片表面上之金靥離子量。結果示於表2。 兹者例 在清潔使用於實例1中之受Fe, Α1及Cu污染的矽晶片 時，使用聚乙烯醇製之旋轉型電刷，並使用具有表2所示 配方之命名為2 4及25之任一種清潔劑及超純水（编號26)。 以實例2的類似方法處理矽晶Η ,並測定矽晶片表面上殘 留之該等金靥離子的量。結果示於表2。 - - V- --In I - - - ^^1 —ϋατΊι— - ^^1 ^^1 I -. ^ V - - - - ----1 1 -i --- \ , 、〉洚 . Ί I 务 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ， . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3 8 9 0 5 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） A7 B7 416937 五、發明説明（U ) 寿2 清潔劑配方 晶片表面上之金屬離子量(原子/cm2) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 编號 有機酸 濃度 (v/tf % ) 絡合劑 濃度 (tf/v% ) Fe A1 Cu 14 草酸 5 ΝΤΡ0 0.5 2X1011 ΐχιο10 2X1011 15 檸樣酸 5 ΗΤΡ0 0.5 1X1011 2X1010 4X1011 16 丙二酸 5 ΝΤΡ0 0.5 4X1011 4X1011 7X1011 17 丁二酸 5 NTP0 0.5 5X1011 5X1011 7X1011 18 乙酸 5 ΗΤΡ0 0.5 6X1011 9X1011 1X1012 19 戊二酸 1 硫代氣酸鉀 5 2X1011 5X1011 4X1010 20 草酸 20 EDDP0 1 4X1010 2X1011 IX1012 21 己二酸 1 氩化銨 10 8X1011 3X1010 2Χ1011 22 檸樣酸 10 EDTA 0.1 2X1011 5X1011 2Χ1011 草酸 23 草酸 1 氩化銨 0.1 8X1010 4xi01Q 8Χ1010 六甲基磷酸 0.1 24 丁二酸 1 - 平 6X1012 7X1012 5Χ1012 25 - - 伸乙二胺 1 1X1012 5X1012 7Χ1012 26 - - - 6X1012 8X1012 9Χ1012 J ^ ^ ~ 裝 - ^ 訂 ^ ^ .線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > Μ規格（210X297公釐） 13 3 890 5 A7 B7 418S87 五、發明説明（12 ) 由表2所示資.料可見，在使物理清潔與本發明清潔劑 之使用結合進行時，可了解殘留於矽晶片表面上的金鼷污 物的量顯著減少。再者，由編號14至18之本發明清潔劑施 行的結果顯示，具有2悃或更多羧基的有機酸如草酸、檸 様酸、丙二酸及丁二酸，顯示高於乙酸（為僅具有一値羧 基之有機酸）表現之清潔效果。 奩例 將在基材表面設置有A1及Cu之配線的各個矽晶片浸漬 於各具有表1所示之编號1及2之配方的本發明清潔劑中， 如上述實例1般，在70Ό處理1小時。其後，如此獲得的各 個矽晶片以起純水洗滌，並使用旋轉乾燥器乾燥。以顯徹 鏡觀察確認基材表面上的金屬化配線，再以電路測試器進 —步確認是否有斷路。結果，經確認得知浸潰於本發明清 潔劑中之矽晶片的表面經觀察無金屬化配線的腐蝕亦無斷 路.。 參者例3 以彼等使用於實例3之類似步驟，使用HPM(HCl:H2〇2: H2〇 = l:l:5)及DHF(1%氫氟酸）處理各晶Η ,確認矽晶片表 面是否有任何腐蝕或斷路。結果確認Α1及Cu配線被腐蝕， 並觀察到某些斷路。 由此說明書之說明可清楚了解，使用本發明半導體基 材表面之清潔劑及藉由使用該清潔劑之清潔方法，可有效 去除吸附及粘箸於半導體基材表面之金靥污物，而不會造 成在使用習用於技藝中之強酸型溶液或強鹼型溶液時形成 的金屬化配線腐蝕，亦不會對表面平坦化有任何不良作用 0 因此，本發明將對此領域有極大的貢獻。 本尺度適用中國國家標準 ( CNS〉A4規格（210X297公釐） 3 8 9 0 5 I.! (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 線 經濟部中央標準局負工消費合作社印製

Claims (1)

1. W-Vk 'll 416 8 7 H3 附 件 第86106782號專利申請栗 申請專利範園修正本 (88年1 1月17日） L 一種清潔半導體基材表面之組成物，包括0.05至50重 量$之選自由單羧酸、二羧酸、三狻酸、氧基羧酸及胺 基羧酸之組群者有機酸，及0.01至10簠童3!之選自由胺 基多羧酸、膦酸衍生物、縮合磷酸、二酮、胺及選自 鹵離子、氰濉子、硫代氟離子、硫代硫離子及胺離子 之無機離子所成之組群者絡合劑。 2. 如申請専利範圍第1項之組成物，該組成物為水溶液。 3. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該有機酸為二狻 酸或氧基羧酸。 氧 為 酸 羧 基 氧 該 中 其 物 成 組 〇 之 i 酸 項 3 羧 第三 圍基 範氧 利或 專酸 請羧 申二 如基 自 、選 係 酸 羧二 該 中 其 物 成 組 之 項 3 了 第、 圍酸 範 二 利丙 專 、 請酸 申草 如由 5 酸二 庚 % 酸二 己 r 酸二 戊 ' 酸二 第 、 圍 酸範 二 利 烯專 丁 請 順申 、 如 6 者 群 組 之 成 所 酸 酞 及 酸二 烯 丁 反 選 係 酸 羧 基 氧 該 中 其 物 成 組 之 項 3 經濟部中央標準局員工福利委Μ會印製 及 酸第 石 圍 酒範 、 利 酸専。 果請物 蘋申生 自如衍 酸 檬 擰 者 群 組 之 成 物 成 組 之 項 酸 磷 是 劑 合 絡 該 中 其 申 自酸所 如選膦酸 8 項亞 7 ( 物酸及 成膦— 組基 之甲 酸 膦 基 甲 第四亞 圍胺 t 範 二 利乙 專伸 請由 參 基 氮 者 群 組 之 成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )Α4規格（210Χ 297公变) 係基 物甲 生亞 /IV 衍 酸 膦 該 中 其 二 胺二 乙 伸 基 乙 亞 羧 膦 1 38 9 05 6 1* Ai 7 Η 該 第而 圍 ， 範酸 利羧 專基 請氣 申或 如酸 * 9 物 成 組 之 項 羧 二 為 酸 機 有 該 中 其 物 生 衍 酸 膦 為 劑 合 絡 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公货) 2 38 9 0 5 你玉。88.U· 1Ί瑀充 416987 申請曰期 Θ / r . V丨 案 號 ^ 1 ° ^ ^ 類 别 a) p ^ t ! L (以上各攔由本局填註） Α4 C4 附 件 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 ^ ^專利説明書 發明 一、m名柄· ΤΕΠΕ 中文 清潔半導髖基材表面之組成物 英文 A COMPOSITION FOR CLEANING THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE 姓 名 1柿沢政彥 2.市川治 3.林田一良 發明， 二，·人 w6f- 國 籍 曰本國 住、居所 1.〜3.日本國埼玉縣川越市的場1633番地和光純藥 工業株式会社東京研究所內 姓 名 和光純藥工業股份有限公司 (名稱） 國 籍 日本國 三、申請人 住、居所 (事務所） 日本國大阪市中央區道修盯3丁目1番2號 代表人 姓 名 田中幹晃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 38905 1(修正頁） 416387 A5 B5 四、中文發明摘要（發明之^稱：淸潔半導體基材表面之組成物 表等有 該用具 鈾作及 腐良酸 不不櫬 而生有 物產之。 污性基成 靥坦羧完 金平個效 及之一有 子面少 Μ 粒表至予 之該有劑 面對具潔 表不括清 材且包的 基，用繭 藤線使合 導配由络 半化藉之 除觴可力 去金 -能 之求合 面霈蝥 ir.—-L.----«I 裝 . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買各棚) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 英文發明摘要（發明稱：A COMPOSITION FOR CLEANING THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE Removing particles and metallic contaminants without corrosing the metallized wirings and without giving adverse effect of planarization on the semiconductor substrate surface can be effectively achieved by use of a cleaning agent which comprises an organic acid having at least one carboxyi group and a compiexing agent having chelating ability. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4此格（2l ox 297公釐） 2(修正頁） 38905 βΤ I W-Vk 'll 416 8 7 H3 附 件 第86106782號專利申請栗 申請專利範園修正本 (88年1 1月17日） L 一種清潔半導體基材表面之組成物，包括0.05至50重 量$之選自由單羧酸、二羧酸、三狻酸、氧基羧酸及胺 基羧酸之組群者有機酸，及0.01至10簠童3!之選自由胺 基多羧酸、膦酸衍生物、縮合磷酸、二酮、胺及選自 鹵離子、氰濉子、硫代氟離子、硫代硫離子及胺離子 之無機離子所成之組群者絡合劑。 2. 如申請専利範圍第1項之組成物，該組成物為水溶液。 3. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該有機酸為二狻 酸或氧基羧酸。 氧 為 酸 羧 基 氧 該 中 其 物 成 組 〇 之 i 酸 項 3 羧 第三 圍基 範氧 利或 專酸 請羧 申二 如基 自 、選 係 酸 羧二 該 中 其 物 成 組 之 項 3 了 第、 圍酸 範 二 利丙 專 、 請酸 申草 如由 5 酸二 庚 % 酸二 己 r 酸二 戊 ' 酸二 第 、 圍 酸範 二 利 烯專 丁 請 順申 、 如 6 者 群 組 之 成 所 酸 酞 及 酸二 烯 丁 反 選 係 酸 羧 基 氧 該 中 其 物 成 組 之 項 3 經濟部中央標準局員工福利委Μ會印製 及 酸第 石 圍 酒範 、 利 酸専。 果請物 蘋申生 自如衍 酸 檬 擰 者 群 組 之 成 物 成 組 之 項 酸 磷 是 劑 合 絡 該 中 其 申 自酸所 如選膦酸 8 項亞 7 ( 物酸及 成膦— 組基 之甲 酸 膦 基 甲 第四亞 圍胺 t 範 二 利乙 專伸 請由 參 基 氮 者 群 組 之 成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )Α4規格（210Χ 297公变) 係基 物甲 生亞 /IV 衍 酸 膦 該 中 其 二 胺二 乙 伸 基 乙 亞 羧 膦 1 38 9 05