JPH07286172A - エッチング液およびエッチング方法 - Google Patents
エッチング液およびエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07286172A JPH07286172A JP8163094A JP8163094A JPH07286172A JP H07286172 A JPH07286172 A JP H07286172A JP 8163094 A JP8163094 A JP 8163094A JP 8163094 A JP8163094 A JP 8163094A JP H07286172 A JPH07286172 A JP H07286172A
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- glass
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- etching solution
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Abstract
(57)【要約】
【目的】各種膜のエッチング工程において、その際ガラ
スに生じるヘイズを小さくする液を提示する。 【構成】グルコン酸、コハク酸、シュウ酸、酒石酸、ク
エン酸などのキレートおよび／またはプロピオン酸を
０．１〜７０重量％含有するエッチング液および該エッ
チング液を用いたエッチング方法。
スに生じるヘイズを小さくする液を提示する。 【構成】グルコン酸、コハク酸、シュウ酸、酒石酸、ク
エン酸などのキレートおよび／またはプロピオン酸を
０．１〜７０重量％含有するエッチング液および該エッ
チング液を用いたエッチング方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種ディスプレイ作製時
における各種膜のエッチング工程において、その際、ガ
ラスに生じるヘイズを小さくする薬液組成に関するもの
である。
における各種膜のエッチング工程において、その際、ガ
ラスに生じるヘイズを小さくする薬液組成に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス基板上に直接薄膜トランジ
スタ等のデバイスを形成させた液晶ディスプレイが増え
てきている。
スタ等のデバイスを形成させた液晶ディスプレイが増え
てきている。
【０００３】デバイス形成にはトランジスタとしてのＳ
ｉのほか、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等の金属電極
や透明電極ＩＴＯが形成される。
ｉのほか、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等の金属電極
や透明電極ＩＴＯが形成される。
【０００４】このデバイス作製工程ではフォトレジスト
を塗布、現像し、上記金属やＳｉＯx 、ＳｉＮx 、ＩＴ
Ｏ等の薄膜のエッチングのため、ガラス基板および金属
は様々なエッチング液にさらされることが多い。
を塗布、現像し、上記金属やＳｉＯx 、ＳｉＮx 、ＩＴ
Ｏ等の薄膜のエッチングのため、ガラス基板および金属
は様々なエッチング液にさらされることが多い。
【０００５】ガラスはエッチング液にさらされると、表
面に難溶性の反応生成物が生じ、これがガラス表面に付
着したり、マスキング材となってエッチングむらを生じ
させ反応生成物除去後もガラス表面に０．０１μｍから
１μｍの高さの凹凸が残りヘイズ模様を生じさせたりす
る。
面に難溶性の反応生成物が生じ、これがガラス表面に付
着したり、マスキング材となってエッチングむらを生じ
させ反応生成物除去後もガラス表面に０．０１μｍから
１μｍの高さの凹凸が残りヘイズ模様を生じさせたりす
る。
【０００６】ガラスのヘイズ模様はディスプレイにした
とき、画面上にむらとして現れ、使用できないという課
題があった。
とき、画面上にむらとして現れ、使用できないという課
題があった。
【０００７】このようなガラスのヘイズを生じさせない
方法として２つのアプローチ方法がある。１つはガラス
の組成を薬品に対して耐久性のある組成とすること、も
う１つはエッチング液の組成をガラスに対してダメージ
の少ない組成とすることである。
方法として２つのアプローチ方法がある。１つはガラス
の組成を薬品に対して耐久性のある組成とすること、も
う１つはエッチング液の組成をガラスに対してダメージ
の少ない組成とすることである。
【０００８】ガラスの組成を、フッ酸系薬液を除く、一
般的な酸やアルカリに対して耐久性のある組成を考えた
場合、ガラスの骨格としてのＳｉＯ2 が多く、修飾イオ
ンとしてのアルカリ土類の少ない組成であることが望ま
しい。しかし、このようなガラスは高温での融液の粘性
を上昇させ、ガラスの溶解に高い温度が必要になり、製
造上問題となる。
般的な酸やアルカリに対して耐久性のある組成を考えた
場合、ガラスの骨格としてのＳｉＯ2 が多く、修飾イオ
ンとしてのアルカリ土類の少ない組成であることが望ま
しい。しかし、このようなガラスは高温での融液の粘性
を上昇させ、ガラスの溶解に高い温度が必要になり、製
造上問題となる。
【０００９】ガラスの組成を、フッ酸系薬液、特に緩衝
剤としてフッ化アンモニウム等を加えたバッファードフ
ッ酸に対して、耐久性のある組成を考えた場合、Ｂ2 Ｏ
3 を多く含有するガラスであることが望ましい。しか
し、Ｂ2 Ｏ3 を多く含有するガラスは歪点が低いため、
デバイス作製工程で行われる熱処理に対し、変形しやす
い、熱収縮が大きいなど、耐熱性に問題があった。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 を多く含有するガラスは製造時のＢ2 Ｏ3
の揮散が激しく、脈理を生じさせる等、製造上、問題が
あった。
剤としてフッ化アンモニウム等を加えたバッファードフ
ッ酸に対して、耐久性のある組成を考えた場合、Ｂ2 Ｏ
3 を多く含有するガラスであることが望ましい。しか
し、Ｂ2 Ｏ3 を多く含有するガラスは歪点が低いため、
デバイス作製工程で行われる熱処理に対し、変形しやす
い、熱収縮が大きいなど、耐熱性に問題があった。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 を多く含有するガラスは製造時のＢ2 Ｏ3
の揮散が激しく、脈理を生じさせる等、製造上、問題が
あった。
【００１０】ガラスに対するダメージの少ないエッチン
グ液の組成を考えた場合、濃度が薄い組成が望ましい。
しかし、濃度の薄いエッチング液ではエッチングを目的
としている金属やＳｉＯx 、ＳｉＮx 、ＩＴＯ等の薄膜
のエッチングレートが遅くなり、生産性が悪くなるな
ど、問題があった。
グ液の組成を考えた場合、濃度が薄い組成が望ましい。
しかし、濃度の薄いエッチング液ではエッチングを目的
としている金属やＳｉＯx 、ＳｉＮx 、ＩＴＯ等の薄膜
のエッチングレートが遅くなり、生産性が悪くなるな
ど、問題があった。
【００１１】エッチング液は表面張力を下げるために、
しばしば、特開昭５８−５５３２３号公報および特開昭
５８−５５３２４号公報に開示されているような、酢酸
あるいは硝酸あるいは界面活性剤が添加される。このよ
うな添加剤を添加すると浸漬後のガラスのヘイズが悪化
することがあり、問題となることがあった。
しばしば、特開昭５８−５５３２３号公報および特開昭
５８−５５３２４号公報に開示されているような、酢酸
あるいは硝酸あるいは界面活性剤が添加される。このよ
うな添加剤を添加すると浸漬後のガラスのヘイズが悪化
することがあり、問題となることがあった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エッ
チング液に浸漬することによってガラス表面に生成する
凹凸のヘイズを小さくし、かつ、ＳｉＯx やＳｉＮx 等
の薄膜のエッチングレートを下げない、エッチング液組
成を提供することにある。
チング液に浸漬することによってガラス表面に生成する
凹凸のヘイズを小さくし、かつ、ＳｉＯx やＳｉＮx 等
の薄膜のエッチングレートを下げない、エッチング液組
成を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、キレートおよ
び／またはプロピオン酸を０．１〜７０重量％含有する
エッチング液を提供するものである。
び／またはプロピオン酸を０．１〜７０重量％含有する
エッチング液を提供するものである。
【００１４】前記キレートは、グルコン酸、コハク酸、
シュウ酸、酒石酸、およびクエン酸からなる群から選ば
れる少なくとも１種からなることが好ましい。
シュウ酸、酒石酸、およびクエン酸からなる群から選ば
れる少なくとも１種からなることが好ましい。
【００１５】また、前記エッチング液には、ＨＦを０．
１〜６０重量％含有することが好ましい。
１〜６０重量％含有することが好ましい。
【００１６】さらに、前記エッチング液には、ＮＨ4 Ｆ
を０．１〜５０重量％含有することが好ましい。
を０．１〜５０重量％含有することが好ましい。
【００１７】したがって、キレートおよび／またはプロ
ピオン酸を０．１〜７０重量％と、ＨＦを０．１〜６０
重量％と、ＮＨ4 Ｆを０．１〜５０重量％とを含有する
エッチング液が好ましい。
ピオン酸を０．１〜７０重量％と、ＨＦを０．１〜６０
重量％と、ＮＨ4 Ｆを０．１〜５０重量％とを含有する
エッチング液が好ましい。
【００１８】また、酢酸、硝酸および表面活性剤からな
る群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜７０重量％
含有することも好ましい。
る群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜７０重量％
含有することも好ましい。
【００１９】したがって、キレートおよび／またはプロ
ピオン酸を０．１〜７０重量％と、ＨＦを０．１〜６０
重量％と、ＮＨ4 Ｆを０．１〜５０重量％と、酢酸、硝
酸および表面活性剤のいずれか１種とを０．１〜７０重
量％からなるエッチング液が好ましい。
ピオン酸を０．１〜７０重量％と、ＨＦを０．１〜６０
重量％と、ＮＨ4 Ｆを０．１〜５０重量％と、酢酸、硝
酸および表面活性剤のいずれか１種とを０．１〜７０重
量％からなるエッチング液が好ましい。
【００２０】キレートおよび／またはプロピオン酸が
０．１重量％未満ではガラス表面に生成するヘイズの良
化が十分ではなく、７０重量％を超えるとエッチング力
を失わせてしまい、好ましくない。
０．１重量％未満ではガラス表面に生成するヘイズの良
化が十分ではなく、７０重量％を超えるとエッチング力
を失わせてしまい、好ましくない。
【００２１】ＨＦは０．１重量％未満ではエッチング力
が弱く、６０重量％を超えるとエッチング力が強すぎて
エッチングがコントロールできない。
が弱く、６０重量％を超えるとエッチング力が強すぎて
エッチングがコントロールできない。
【００２２】ＮＨ4 Ｆは０．１重量％未満ではエッチン
グ力が弱く、５０重量％を超えると十分水に溶解され
ず、好ましくない。
グ力が弱く、５０重量％を超えると十分水に溶解され
ず、好ましくない。
【００２３】また、エッチング液の表面張力を低下させ
るために加えられる、酢酸、硝酸、および表面活性剤の
いずれか１つは０．１重量％未満では添加剤の効き目が
十分ではなく、７０重量％を超えるとエッチングの妨げ
になり好ましくない。
るために加えられる、酢酸、硝酸、および表面活性剤の
いずれか１つは０．１重量％未満では添加剤の効き目が
十分ではなく、７０重量％を超えるとエッチングの妨げ
になり好ましくない。
【００２４】
【作用】本発明のエッチング液はガラスから溶出してき
た陽イオンをキレートおよび／またはプロピオン酸が取
り囲み、液中に溶出させ、ガラス表面に凹凸を生じさせ
る生成物を生じさせなくすると考えられる。
た陽イオンをキレートおよび／またはプロピオン酸が取
り囲み、液中に溶出させ、ガラス表面に凹凸を生じさせ
る生成物を生じさせなくすると考えられる。
【００２５】
［比較例１］ベースとなるエッチング液としては、Ｓｉ
Ｏx やＳｉＮx のエッチング液を選定し、市販の１３０
ＢＨＦ（５０重量％ＨＦと４０重量％ＮＨ4 Ｆを１：３
０で混合したもの）と１００重量％の試薬酢酸と水を
１：２：１の割合で混合したものを用いた。
Ｏx やＳｉＮx のエッチング液を選定し、市販の１３０
ＢＨＦ（５０重量％ＨＦと４０重量％ＮＨ4 Ｆを１：３
０で混合したもの）と１００重量％の試薬酢酸と水を
１：２：１の割合で混合したものを用いた。
【００２６】エッチング液へのガラスの浸漬は、表面を
鏡面に研磨したアルミノボロシリケート系無アルカリガ
ラスを用い、室温下で５分行った。浸漬した後、ガラス
板を洗浄、乾燥し、ガラスに残ったヘイズの度合いを測
定した。ヘイズの度合いは、ヘイズメータを用い、ヘイ
ズ値（全透過光量に対する散乱光の割合）として評価し
た。その結果を表１に示す。
鏡面に研磨したアルミノボロシリケート系無アルカリガ
ラスを用い、室温下で５分行った。浸漬した後、ガラス
板を洗浄、乾燥し、ガラスに残ったヘイズの度合いを測
定した。ヘイズの度合いは、ヘイズメータを用い、ヘイ
ズ値（全透過光量に対する散乱光の割合）として評価し
た。その結果を表１に示す。
【００２７】上記のガラスの浸漬試験とは別に、ＳｉＯ
2 のエッチングレートも測定した。測定は、合成石英ガ
ラス板の一部に耐酸性樹脂を塗布し、エッチング液にガ
ラスの浸漬試験と同様に５分、室温下で浸漬をした後、
耐酸性樹脂を有機溶剤にて洗い流した後、触針式の表面
あらさ計にて段差を測定し、エッチングレートは１分間
あたりの侵食量として算出した。その結果を表１に示
す。
2 のエッチングレートも測定した。測定は、合成石英ガ
ラス板の一部に耐酸性樹脂を塗布し、エッチング液にガ
ラスの浸漬試験と同様に５分、室温下で浸漬をした後、
耐酸性樹脂を有機溶剤にて洗い流した後、触針式の表面
あらさ計にて段差を測定し、エッチングレートは１分間
あたりの侵食量として算出した。その結果を表１に示
す。
【００２８】［実施例１〜６］比較例１におけるエッチ
ング液中の酢酸を各種キレートおよびプロピオン酸に置
換した以外は同様にして測定した時のガラスのヘイズ値
とＳｉＯ2 のエッチングレートの関係を表１に示す。
ング液中の酢酸を各種キレートおよびプロピオン酸に置
換した以外は同様にして測定した時のガラスのヘイズ値
とＳｉＯ2 のエッチングレートの関係を表１に示す。
【００２９】表１より、酢酸を２０重量％含有するエッ
チング液ではガラスのヘイズ値が２０重量％と、大きい
のに対し、キレートまたはプロピオン酸を用いたエッチ
ング液ではガラス表面のヘイズはなくなり、かつこのと
きＳｉＯ2 のエッチングレートも確保されていることが
わかった。
チング液ではガラスのヘイズ値が２０重量％と、大きい
のに対し、キレートまたはプロピオン酸を用いたエッチ
ング液ではガラス表面のヘイズはなくなり、かつこのと
きＳｉＯ2 のエッチングレートも確保されていることが
わかった。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明によるエッチング液の組成はガラ
スに生じるヘイズを減らす目的に好適である。さらにキ
レートおよび／またはプロピオン酸の量を適切に選択す
ることにより所定のエッチングレートとすることができ
る。
スに生じるヘイズを減らす目的に好適である。さらにキ
レートおよび／またはプロピオン酸の量を適切に選択す
ることにより所定のエッチングレートとすることができ
る。
フロントページの続き (72)発明者 中尾 泰昌 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】キレートおよび／またはプロピオン酸を
０．１〜７０重量％含有するエッチング液。 - 【請求項２】前記キレートは、グルコン酸、コハク酸、
シュウ酸、酒石酸、およびクエン酸からなる群から選ば
れる少なくとも１種からなる請求項１のエッチング液。 - 【請求項３】ＨＦを０．１〜６０重量％含有する請求項
１または２のエッチング液。 - 【請求項４】ＮＨ4 Ｆを０．１〜５０重量％含有する請
求項１〜３のいずれか１項のエッチング液。 - 【請求項５】酢酸、硝酸および表面活性剤からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種を０．１〜７０重量％含有す
る請求項１〜４いずれか１項のエッチング液。 - 【請求項６】基体に形成された薄膜のエッチング方法に
おいて、請求項１〜５いずれか１項のエッチング液を用
いることを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8163094A JPH07286172A (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | エッチング液およびエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8163094A JPH07286172A (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | エッチング液およびエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07286172A true JPH07286172A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13751663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8163094A Pending JPH07286172A (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | エッチング液およびエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07286172A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792327A (en) * | 1994-07-19 | 1998-08-11 | Corning Incorporated | Adhering metal to glass |
| US5851366A (en) * | 1994-07-19 | 1998-12-22 | Corning Incorporated | Adhering metal to glass |
| US6143705A (en) * | 1996-06-05 | 2000-11-07 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
| US6410494B2 (en) | 1996-06-05 | 2002-06-25 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
| US20030235996A1 (en) * | 2002-04-25 | 2003-12-25 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues |
| JP2007298930A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| JP2010067825A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Tosoh Corp | 透明電極用エッチング液 |
| JP2012508965A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． | 透明伝導膜エッチング溶液 |
| WO2019079547A1 (en) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | ETCHING COMPOSITIONS |
| KR20210016656A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-04-20 JP JP8163094A patent/JPH07286172A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792327A (en) * | 1994-07-19 | 1998-08-11 | Corning Incorporated | Adhering metal to glass |
| US5851366A (en) * | 1994-07-19 | 1998-12-22 | Corning Incorporated | Adhering metal to glass |
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| US6514921B1 (en) | 1996-06-05 | 2003-02-04 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
| US7935665B2 (en) * | 2002-04-25 | 2011-05-03 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues |
| US20030235996A1 (en) * | 2002-04-25 | 2003-12-25 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues |
| JP2007298930A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| JP4666515B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2011-04-06 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
| JP2010067825A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Tosoh Corp | 透明電極用エッチング液 |
| JP2012508965A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． | 透明伝導膜エッチング溶液 |
| WO2019079547A1 (en) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | ETCHING COMPOSITIONS |
| US11198816B2 (en) | 2017-10-19 | 2021-12-14 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching compositions |
| EP3697866B1 (en) * | 2017-10-19 | 2023-09-27 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching compositions |
| KR20210016656A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
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