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TW204411B - - Google Patents

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TW204411B
TW204411B TW081104358A TW81104358A TW204411B TW 204411 B TW204411 B TW 204411B TW 081104358 A TW081104358 A TW 081104358A TW 81104358 A TW81104358 A TW 81104358A TW 204411 B TW204411 B TW 204411B
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chamber
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Tokyo Electron Co Ltd
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Priority claimed from JP3136121A external-priority patent/JPH04360527A/ja
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Description

,04411 Λ6 B6 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 五、發明説明（l ) 〈附圖之簡單說明〉 圖1乃為表示本發明之實施例1之表面處理裝置之斷 面圖。 圖2乃表示實施例1之表面處理工程之流程圖。 圖3乃表示從燈將能量線以不同環境狀態來照射於半 導體晶片表面時之前述半導體晶片表面之溫度變化之曲線 圖。 圖4乃表示本發明之實施例2之表面處理裝置之斷面 圖。 圖5乃表示本發明之實施例3之表面處理裝置之部分 省略正面圖。 圖6乃表示組裝於圖5之表面處理裝置之脱氣室之斷 面圔。 圖7乃表示配置於圖6之脱氣室内之濾氣（gas trap )構件之平面圖。 圖8乃表示圖7之濾氣機構之要部斷面圖。 圖9乃表示本發明之實施例4之組裝於表面處理裝置 之脱氣室之斷面圖。 圖1 0則為表示本發明之實施例5之表面處理裝置之 脱氣室及其周邊構造之平面圔。 <本發明之詳細說明〉 本發明乃關於表面處理裝置及表面處理方法者，尤其 是對例如附著於半導體晶片表面之各種氣體之放出加以改 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中a國家標準(CNS)甲4規格(210x297公*) -3 - 81. 5. 20,000(H) 0441： A6 B6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（2 ) 良之表面處理裝置及表面處理方法者。 表面處理裝置，例如蝕刻裝置，乃被利用於半導髏設 備之細微電路圖型之形成工程者。 前述蝕刻裝置亦從以往有下述構造為一般所知。處理 室（蝕刻處理室）乃備有氣體排氣管及蝕刻氣體供給管等 。上部電極及下部電極則互相對向被配置於前述蝕刻處理 .室内。高頻電源亦連接於例如前述下部電極。具有搬送機 構之負載鎖定室（load lock chamber)則連結於前述独刻 處理室。氣體排氣管及非活性氣體供給管亦連結於前述負 載鎖定室。閜閥乃夾裝在前述蝕刻室與前述負載鎖定室之 連結部。前述負載鎖定室乃將被處理物例如半導體晶片搬 入減壓狀態下之前述蝕刻室，或將從前述蝕刻處理室搬出 之蝕刻處理後之前述晶片成為常壓狀態後取出於大氣中所 使用者。 以此種蝕刻裝置來將半導體晶片加以蝕刻，則首先在 前述負載鎖定室内搬入半導體晶片後，將前述負載鎖定室 及前述蝕刻處理室内之氣體經由前述各氣體排氣管各加以 排氣，造成所需之環境狀態。接著，打開前述閘閥，將前 述負載鎖定室内之前述半導體晶片以前述搬送機構搬送至 前述蝕刻處理室内之前述下部電極上。將前述閘閥關閉， —面持缠進行氣體之排氣，一面從前述蝕刻氣體供給管將 蝕刻氣體供給至前述蝕刻處理室内。於前述蝕刻處理室之 減壓狀態趨於安定時，再從高頻電源供給高頻電力至前述 下部電極。此時，前述上部電極及下部電極間將發生電漿 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度逍用中B國家標準(CNS)甲4規格(210x297公¢) 81. 5. 20.000(H) 經濟部中央標準局貝工消#合作社印製 204411 五、發明説明（3_)〜 (plasma) /而被供給於前述蝕刻處理室内之前_述蝕刻屬 體將被活性化。被诖性化之蝕刻氣體及離子則作用於被載 置在前述下部電極上之前述半導體晶片，而被進行蝕刻處 理。 另方面，半導體設備隨高積體化，已進一步被要求形 成更細微之電路圖形。由於此種要求，已被開發使用前述 蝕刻裝置對半導體晶片進行触刻處理時，將前述半導體晶 片一面冷卻至零下數1 0 °c左右，一面進行蝕刻處理之技 術。. 惟上述以往之蝕刻技術卻尚有下述之問題存在。 亦即，因前述半導體晶片乃被配置於減至環境下之前 述蝕刻處理室，一面被冷卻一面進行蝕刻，故蝕刻氣體（ 例如氣糸氣體）將附著於表面。蝕刻處理後之前述半導體 晶片乃被搬送至前述負載鎖定室，如此成為常壓狀態後， 被取出於大氣中。被搬送至前述負載鎖定室之前述半導體 晶片，因溫度較低，例如在0 °c左右，故乃以附著有前述 氯糸氣體之狀態，從前述負載鎖定室被取出於大氣中。結 果，被取出於大氣中之前述半導體晶片，乃在溫度上昇至 室溫之過程中，從其表面將放出有害之氣糸氣體。被放出 於大氣中之氯条氣體不僅將腐蝕蝕刻處理裝置周邊之機器 而發生成為半導體晶片二次污染原因之粒子，且將對作業 者發生不良之影響。 而且，附著於前述半導體晶Η表面之氣条氣體亦將與 前述晶片反應而發生反應生成物，將顯著損害半導體晶Η Λ 6 Β6 (請先閲讀背面之汰意事項再填寫本頁) 裝· 訂· 本紙張尺度逍用中Β國家標毕(CNS)甲4規格(210x297公*) -5 - 81. 5. 20,000(H) 經濟部中央標準局員工消#合作社印製 ,. Λ 6ΠΑΑI ?_Be_ 五、發明説明（4 ) 之外觀。 進一步，前述半導體晶片以被冷卻之狀態被取出於大 氣中，則將在前半導體晶片表面附著水滴。罔前述水滴將 與已被吸著之氯糸氣體反應而生成鹽酸水溶液，故亦因前 述鹽酸水溶液，前述半導體晶片將被進行濕蝕刻（wet e-tching)。結果，蝕刻精度將顯著被損害。 本發明之目的乃在提供：可以高精度來對應處理物進 行蝕刻，進一步亦可抑制附著於蝕刻處理後之被處理物之 有害氣體向大氣中之放出，同時亦可防止反應生成物及水 滴附著於前述被處理物表面之表面處理方法者。 依據本發明，將可提高具備有：將被搬入之被處理物 以被活性化之蝕刻氣體來加以蝕刻所用之第1處理室；及 將前述處理室加以減壓所用之排氣機構；及 將搬入前述處理室内之被處理物加以冷卻所用之冷卻 機構；及 將在前述處理室内已被蝕刻之被處理物搬入其中之第 2處理室；及 將前述第2處理室加以減壓所用之排氣機構；及 將被搬入前述第2處理室内之被處理物予以加熱所用 之加熱機構； 等之表面處理裝置。 作為前述被處理物，將可使用例如表面形成有抗蝕劑 圖形（resist pattern)之半導體晶片等。 依據此種本發明之表面處理裝置，因將前述第1處理 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遑用中B國家標準(CNS)甲4規格(210X297公*) -6 - 81. 5 . 20.000(H) 204411 Λ 6 B6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 室内之被處理物（例如表面形成有抗蝕圖形之半導體晶片 )，一面以前述冷卻機構加以冷卻，一面以前述活性化之 蝕刻氯體來加以蝕刻；故可抑制前述半導體晶片表面之抗 蝕溫度在蝕刻過程中過度上昇。結果，將可在前述半導體 晶片轉印對前述抗蝕圖形忠實而高精度之蝕刻圖形。 而且，將蝕刻處理後之前述半導體晶片搬送至前述第 2處理室，由前述加熱機構來對前述半導體晶片加熱；由 此即可將在前述蝕刻處理工程中附著於前述半導體晶片表 面之蝕刻氣體（例如氯糸氣體），從其表面加以放出。結 果，即可將前述第2處理室回復至常壓狀態，而可防止將 前述半導體晶片取出於大氣中後從前述半導體晶片表面放 出有害之氯糸氣體。因此，將可防止被放出於大氣中之氣 糸氣體腐蝕蝕刻處理裝置周邊之機器，而發生可成為半導 體晶Η之二次污染源之粒子；同時亦可改善作業者之環境 。並且，亦可防止附著於前述半導體晶片表面之氯条氣體 與前述晶片反應，而發生反應生成物；故能夠改善半導體 晶片之外觀。 進一步，前述半導體晶片因在前述第2處理室至少將 被加熱至常溫附近，故被取出大氣中時可防止在前述半導 體晶片表面附著水滴。結果，由於可抑制與被吸著在前述 半導體晶片之氣糸氣體反應而生成鹽酸水溶液所引起水滴 之生成；故亦可避免前述半導體晶片因前述鹽酸水溶液而 被進行濕蝕刻。因此，前述半導體晶片在被取出於大氣中 後，因無如從前之濕蝕刻之進行，故將可雒持在前述第1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂- 線< 本紙張尺度遑用中Β國家«準(CNS)甲4規格(210x297公龙) -7 - 81. 5. 20.000(H) 20441 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 處理室被蝕刻時之精度極高之蝕刻狀態。 並且，依據本發明，亦可提供具備有：一面冷卻被處 理物，一面使在減壓環境狀態下被活性化之蝕刻氣體發揮 作用，以進行前述被處理物之蝕刻處理之工程；及 將前述蝕刻處理後之前述被處理物在減壓狀態下或非 活性狀態下來進行加熱處理之工程； 等之表面處理方法。 前述被處理物之冷卻亦宜在例如一190〜10¾之 溫度來進行。 作為前述蝕刻氣體，則可使用例如氯糸氣體。 前述被活性化之蝕刻氣髏，乃例如將蝕刻氣體導入電 漿中來生成。作為前述電漿則可容許使用由來自磁控管之 磁場被均勻化者。 前述被處理物之加熱處理，乃例如以50〜10〇υ ，更好則以80〜1 00 °C之溫度來進行為佳。此乃因為 :使用於前述處理物之蝕刻之蝕刻氣體之中，即使沸點較 高之四氯化碩（CC 14 )等，亦在801C以下，將可充 分放出因前述溫度之加熱處理而附著於前述被處理物表面 之蝕刻氣體；以及通常之光敏抗蝕劑之耐熱溫度乃為2 0 〜140°C,由前述溫度之加熱處理將不致對前述抗蝕劑 帶來熱性不良影響之故。 依據如此構成之本發明之表面處理方法，由於將前述 被處理物（例如表面形成有抗蝕劑圖形之半導體晶片）， 一面冷卻一面以前述被活性化之蝕刻氣體來加以蝕刻，故 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ,?τ- 本紙張尺度逍用中β 家標準(CNS)甲4規格(210父297公龙) 81. 5 . 20.000(H) -8 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 204411 A 6 _- - ' -_.__ · B6_- 五、發明説明（7_)-. 將可抑制前述半導髏晶片表面之抗蝕劑溫度r在蝕刻過.程 中過度±舁。結果，將可在前述半導體晶片上轉印對前述 抗蝕圖形忠實而高精度之蝕刻圖形。 , 而且，由將前述蝕划處理後之半導體晶片在減壓琛境_ 狀態或非活性環境狀態下來加熱，如前述之表面處理所說 明，將可防止前述半導體晶片取出於大氣中後，從前述半 導體晶Η表面放出有害之氯条氣體。因此，亦可防止被放 出於大氣中之氣糸氣體腐蝕蝕刻處理裝置周邊之機器，而 發生成為半導體晶片二次污染原因之粒子；不僅可改善作 業者之環境，同時亦能改善半導體晶片之外觀。 進一步，依據本發明，亦可提供備有：搬入被處理物 所用之第1處理室；及 對前述第1處理室内之前述被處理物照射能量線所用 之活性化機構；及 捕捉（trap)由前述能量線之照射而從前述被處理物 表面放出之氣體之濾氣機構；及 前述第1處理室内之被處理物被搬入，而對前述被處 理物進行表面處理所用之第2處理室； 等為構成之表面處理裝置。 作為前述第2處理室之表面處理，將可舉出例如：蝕 刻處理、膜形成處理等。 依據此種構成之表面處理裝置，由將半導體晶Η搬入 配置有前述活性機構及濾氣機構之前述第1處理室，不僅 可放出亦可捕捉被吸著於前述半導體晶片表面之各種氣體 (請先閲讀背面之#i意事項再填寫本頁) 裝. 訂_ 本紙張尺度遑用中國國家標準(CHS)甲4規格(210x297公釐) -9 - 81. 5. 20.000(H) 2〇44i丄 經濟部中央標準局员工消t合作社印製 五、發明説明（8 ) 。結果，由於可搬送至氣體吸著之半導體晶片之表面處理 為目的之前述第2處理室，故不僅可在短時間内來進行前 述第2處理室之真空排氣，同時亦可提昇至辑定之真空度 Ο 亦卽，在進行蝕刻處理等之表面處理以前之半導體晶 片之表面，乃吸著有各種氣體例如：水分、一氣化碩、二 氧化碩、氫等。前述各種氣體乃以某種壓力在前述半導體 晶片表面反覆進行著吸著及脱離而雒持著平衡。惟為將前 述半導體晶Μ進行表面處理，例如進行蝕刻處理而搬送至 規定之處理室，由真空泵浦之操動將前述處理室内抽成真 空，使前述半導體晶片之環境狀態成為減壓狀態，則被吸 著在前述半導體晶片表面之氣體，將成為除氣（out gas) 而逐漸從晶片表面被放出。此種放出現象將在比較長久之 期間内發生。因此，以前述真空泵浦之操動來進行真空抽 氣時，在達到規定之真空度以前，將需要相當長之時間， 其呑吐量（throughput)將降低。而且，因真空抽氣之條 件之不同，將發生不能使前述處理室達到規定之真空度之 現象。結果將不能以目標之條件來對前述處理室内之前述 半導體晶片進行良好之表面處理。 由於上述原因，依據本發明，半導體晶片在被搬送至 以表面處理為目的之前述第2處理室内以前，將被搬送至 配置有前述活性化機構及濾氣機構之前述第1處理室。在 前述第1處理室内，於前述半導體晶片表面將被照射來自 前述活性化機構之能量線，以促進前述半導體晶片表面之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂. 本紙張尺度遑用中B國家標準(CNS)甲4規格(210x297公龙) -10 - 81. 5. 20.000(H) Λ6 B6 20441 五、發明説明（9 ) 氣體放出（脱離）。進一步，前述被迫脱離之氣體則被前 述濾氣機構所捕捉。結果，無氣體吸著之半導體晶片乃可 被搬送至以表面處理為目的之前述第2處理室。因此，前 述半導體晶片被搬入之前述第2處理室之真空排氣，將可 以短時間來進行；故將可提高其呑吐量。而且，亦因可將 前述第2處理室提昇至規定之真空度，故可以目標之條件 來對前述半導體晶片進行良好之表面處理。 下面參照附圖來說明本發明之理想之實施例。 <實施例1 > 圖1乃為表示本實施例1之表面處理裝置（蝕刻處理 裝置）之斷面圖。底部具有開口部1之縱置之圓筒體2, 其上面安裝有兼作上部電極之圓板3成為氣密狀態。環狀 絶緣板4乃被夾裝在前述圓筒體2與前述圓板3之間，並 將前述圓筒體2與前述圓板3互相在電氣上加以絶緣。前 述圓筒體2、前述圓板3乃前述下部電極6，乃各由例如 經封口處理之鋁所形成。由如此構成之前述圓筒體2、前 述圓板3、前述環狀絶緣板4、前述下部電極6及前述環 狀絶緣板7等，乃形成作為第1處理室之蝕刻處理室8。 磁體9乃在前述蝕刻處理室8上方被配置成與前述圓板3 相對向之狀態。旋轉軸1 ◦則被安裝在前述磁體9之上部 ，並形成可使前述磁體以規定速度來旋轉之構成。匹配電 路11乃被連接在前述下部電極6之底部。高頻電源12 則被連接在前述匹配電路1 1。前述高頻電源1 2乃被連 (請先閲讀背面之注意事項再蜞寫本頁) 裝- 訂- 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 本紙張尺度逍用中國家樣準(CNS) T4規格(210x297公龙) 一 11 _ 81. 5. 20,000(H) 20441 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（10) 接於接地。前述圓板3及前述圓筒體2亦連接於接地。冷 卻媒體供給管13及冷卻媒體排出管14,亦貫穿前述下 部電極6底部而被連結成與内部之前述中空部5連通之狀 態。導入蝕刻氣體所用之氣體供給管15,則被連結在前 述圓筒體2之側壁。安裝前述供給管15之前述圓筒體2 ，亦開設有氣體流通孔1 6。氣體排氣管1 7則形成在前 述圓筒體2之底部。將前述蝕刻處理室8室内抽成真空所 用之真空泵浦（未圖示），乃被安裝在前述排氣管1 7之 另一端。 形成搬入用負載鎖定室所用之筒體（未圔示），乃被 連結在前述圓筒體2之側壁。未圖示之第1閘閥，亦被安 裝在連結前述負載鎖定室之前述圓筒體2之側壁。 上部具有矩形狀之窗孔18之矩形筒體19之一端， 乃被連結在前述圓筒體2之側壁成氣密狀態。作為第2處 理室之搬送用負載鎖定室20,乃由前述矩形筒體19所 形成。第2閘閥2 1則被安裝在連結前述矩形筒體1 9之 前述圓筒體2之側壁。由石英玻璃所成之石英窗22,乃 被載置在包括前述窗孔18之周邊之前述矩形筒體19之 上壁部。箱23乃被載置在前述矩形筒體19之上壁部成 覆蓋前述石英窗22之狀態。複數之螺栓24乃從前述箱 2 3之側方被螺接在前述矩形筒體1 9之上壁部。由此， 前述石英窗2 3乃在前述箱2 3與前述矩形筒體1 9之上 壁部之間，被旋緊固定。未圖示之Ο形環，則各被夾裝在 前述矩形筒體19之上壁部與前述石英窗22之間，以及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝< 訂· 線. 本紙張尺度通用中國國家橾準(CNS)甲4規格(210x297公*) -12 81. 5. 20,000(H) 204411 Λ 6 Β6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（11) 前述石英窗2 2與前述箱2 3之間，將前述各構件之間以 前述石荖窗22保#成氟密狀態。 -' 作為加熱機構之複:數（例如4支）-之1 oowi素燴 2 5，乃在前述箱2 3内被配置成水毕方向並排之狀態。_ 第3閘閥2 6 ,則被安裝在前述矩形筒體19之另一端之 搬出口。搬送被處理物，例如半導體晶片所用之搬送臂 27，乃被配置在前述負載鎖定室2 ◦内。非活性氣體例 WN2氣體之供給管2 8,乃被連結在前述第2閘閥2 1 近旁之前述矩形筒體19之底部。安裝有前述供給管28 之前述矩形筒體19之底部，則開設有氣體流通孔29。 氣體排氣管3 0亦連結在前述第3閘閥2 6近旁之前述矩 形筒體19之底部。將前述負載鎖定室20内抽成真空所 用之真空泵浦（未圖示），則被安裝在前述排氣管3〇之 口 XU1 另一牺。 下面參照圖2之流程圔來說明使用前述圖1所示蝕刻 處理裝置，在表面形成有抗蝕劑圖形之半導體晶片（矽晶 片），進行蝕刻之方法。 首先，將未圖示之搬入用負載鎖定室之半導體晶片 3 1 ,經過第1閘閥搬入前述蝕刻處理室8内，並載置於 前述下部電極6上。將前述第1閘閥關閉後，從前述冷卻 媒體供給管13將液體氮供給至前述下部電極6之中空部 5，經過前述冷卻媒體排出管1 4加以排出；由此將前述 下部電極6上之前述半導體晶片3 1冷卻至例如_ 3 0 t： 。接著，將蝕刻氣體（例如氣氣體）經過氯體供給管1 5 (請先閲讀背面之汰意事項再填寫本頁) 裝< 訂· 本紙張尺度遑用中國家標準（CNS)甲4規格(210x297公龙） -13 - 81. 5. 20,000 (H) ,0441； A6 B6 五、發明説明（12) 及流通孔16,向前述蝕刻處理室8内，以例如1〇〇 Wcni之流量導入。同時，使未圖示之真空泵浦操動，由此 將前述蝕刻處理室8内之氣體，經過前述氣韓排氣管1 7 加以排氣，將前述蝕刻處理室8保持在規定之減壓環境狀 態（例如 75m Torr)。 前述減壓狀態安定後，將規定之頻率（例如 13. 56MHz)、規定電力（例如150W)之高頻 電力，從前述高頻電源12經過前述匹配電路11供給至 前述下部電極6，使前述蝕刻處理室8内之前述氯氣體電 漿化。同時，將前述磁髏9由旋轉軸1 0 ,以例如2 ◦ r pm之速度來旋轉；由此，使前述電漿之密度均勻化。 由於前述電漿之作用，對前述下部電極6上被冷卻之前述 半導體晶片3 1 ,進行例如1 7 5秒鐘之蝕刻處理。此後 ，即停止前述液體氮之供給、高頻電力之供給以及前述氯 氣體之導入（步驟S 2 )。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 在前述蝕刻處理室8内進行半導體晶片3 1之蝕刻處 理之期間，操動未圖示之真空泵浦，經過前述排氣管3〇 將前述負載鎖定室20内之氣體排出，以成為規定之減壓 環境狀態（例如1 0 -3 T o r r )(步驟S 2 )。 打開被夾裝在前述蝕刻處理室8與前述負載鎖定室 2 0之間之前述第2閘閥2 1 (步驟S 3 )。 驅動被配置於前述負載鎖定室20之搬送臂27,將 被載置於前述蝕刻處理室8内之前述下部電極6上之半導 體晶片31,經過前述第2閘閥21搬入前述負載鎖定室 本紙張尺度逍用中國國家標毕(CNS)甲4規格(210x297公龙) 14 - 81. 5. 20.000(H) 204411 Λ 6 Β6 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 五、發明説明（13) 2 ◦内（步驟S4 )。關閉前述第2閘閥2 1,將前述，負 載鎖定室2 0與前述蝕刻處理室8之間加以遮斷（步驟 S $ ) 0 將非活性氣體，例如Ν2氣體經過氣體供給管2 8及 氣體流通孔29,供給至前述負載鎖定室20内（步驟 Se )。此時，流入前述負載鎖定室20内之蝕刻氣體， .乃經過前述氣體排氣管3 ◦被排出。由於此種Ν2氣體之 供給，前述負載鎖定室20乃成為1 0〃T〇 r r之減壓 環境狀態。 流入前述負載鎖定室20内之蝕刻氣體被排出後，將 前述四支鹵素燈25通電，將能量線經過前述石英窗22 照射至被前述負載鎖定室2 0内之搬送臂2 7所支持之前 述半導體晶H3 1 (步驟S7 )。由前述燈25之通電， 前述半導髏晶片3 1乃如圖3曲線A所示，溫度將上昇而 被加熱。惟使前述負載鎖定室2◦成為減壓環境狀態，而 將前述燈2 5通電，則前述半導體晶片3 1乃如圖3之曲 線B所示，溫度將急激上昇。將如此情況之能量線之照射 ，例如進行6 ◦秒鐘，則由此前述半導體晶片3 1之表面 溫度將上昇至室溫附近。為此，在前述蝕刻處理室8内一 面冷卻前述半導體晶片3 1 —面進行蝕刻處理；由此，附 著於前述半導體晶片3 1表面之蝕刻生成氣體（四氯化碩 氣體）乃被放出。被放出之蝕刻生成氣體乃與從前述氣體 供給管2 8所供給2N2氣體一起，經過前述氣體排氣管 3 ◦被排出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中B國家標準(CNS)甲4規格(210x297公龙) -15 - 81. 5. 20.000(H) 204411 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（14) 停止來自前述燈2 5之能量線之照射（步驟S 8 )。 接著，停止前述真空泵浦之操動，以停止前述負載鎖定室 20之真空排氣（步驟S3 )。此後，確認前述負載鎖定 室2 0内已成為常壓狀態（步驟S〃）後，停止前述N2 氣體之供給（步驟S。 打開被安裝在前述負載鎖定室20之第3閘閥26 ( 步驟Si2)。此後，驅動前述搬送臂27,將前述負載鎖 定室20内之前述半導體晶片3 1，經過前述第3閘閥 2 6取出於外部（步驟S ^)。 將經過上述實施例1之處理，從前述負載鎖定室20 取出之前述半導體晶片3 1之表面，以顯微鏡來加以觀察 。結果，矽晶片以及抗蝕刻圖形均呈現良好之形狀。而且 ，在前述半導體晶片31表面亦完全無反應生成物、水滴 等之附著被發現，外觀極為良好，且獲得對前述抗蝕劑圖 形極為忠實而精確之蝕刻結果。 與此相對，在前述負載鎖定室未進行前述半導體晶片 之加熱處理時，則顯著地在矽晶Μ之側壁部發現形狀似如 反應生成物之附著物。 並且，將從前述負載鎖定室2◦取出之前述半導體晶 片3 1放入純水中，而將前述晶片3 1中之殘留氣溶出於 前述純水中，再以離子色譜分離法（ion ohromatography )來測定前述殘留氛量。結果發現，與未在前述負載鎖定 室20進行加熱處理之半導體晶片比較，前述殘留氯量已 減少一半左右。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國Η家標準(CNS)甲4規格(210X297公龙) 81. 5. 20.000(H) -16 - ^0441 Λ6 B6 經濟部中央標準局員工消t合作社印製 五、發明説明（1幻 ' 如上所述，依據本實施例1 ,將可防止例如-四氣化硝 等之反應生成物及水滴等附著於前述半導體晶片3 1表面 ，而可進行良好之蝕刻處理。而且，亦可減低前述丰導-» 晶片3 1中之殘留氣量及抑制氯糸氣體向大氣中之放出。-此外，在前述實施例1中，作為第2處理室之負載鎖 定室，亦不僅加熱機構，也可如後述圖6及圖9所述，形 成具有濾氣機構之構造。 在前述實施例1中，作為加熱機構乃使用鹵素燈；惟 以其他燈來代替鹵素燈亦可。 在前述實施例1,對於前述蝕刻處理室乃配置搬入。 搬出用之負載鎖定室；惟以一個負載鎖定室來形成兼作搬 入、搬出用之構造亦可。 在前述實施例1，亦在蝕刻處理室上方配置使電漿均 勻化所用之磁體；惟亦可形成未配置磁體之構造。 <實施例2〉 圖4乃為表示本發明2之表面處理裝置（蝕刻處理裝 置）之概略斷面圖。作為第1處理室之蝕刻處理室41, 亦具有與前述實施例1同樣之構造。形成搬入用負載鎖定 室所用之筒體（未圖示），乃連結在前述蝕刻處理室41 。未圖示之第1閘閥乃被安裝在連結前述負載鎖定室之前 述搬入用負載鎖定室。 長尺寸之矩形筒體4 2則被連結在前述蝕刻處理室 4 1。第2閘閥4 3亦被配置在前述蝕刻處理室4 1與前 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂- 本紙張尺度遑用中國家樣準(CNS)甲4規格(210x297公釐） -17 - 81. 5. 20.000(H) 204411 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（16) 述矩形筒體42之連結部。第3及第4之閘閥44、45 則被配置在前述矩形筒體4 2，而在前述矩形筒體4 2亦 從前述蝕刻處理室4 1則形成有第1負載鎖定室4 6、加 熱處理室4 7及搬出所用之第2負載鎖定室4 8等。 第1搬送臂4 9乃被配置在前述第1負載鎖定室4 6 。第1氣體供給管50及第1氣體排氣管5 1則各被連結 .在形成有前述第1負載鎖定室4 6之前述矩形筒體4 2底 部。 内藏有加熱器52之晶片載置台53,乃被配置在前 述加熱處理室47。交流電源54則被連接在前述加熱器 52。第2氣體供給管55及第2氣體排氣管56,亦各 被連結在形成有前述加熱處理室4 7之前述矩形筒體4 2 上壁。 . 第2搬送臂57乃被配置在前述第2負載鎖定室48 。第3氣體供給管5 8及第3氣體排氣管5 9,則各被連 結在形成有前述第2負載鎖定室4 8之前述矩形筒體4 2 底部。第5閘閥60亦被配置在形成有前述第2負載鎖定 室4 8之前述矩形筒體4 2之另一端。 此外，未圖示之真空泵浦，乃各被安裝在前述第1〜 第3之氣體排氣管51、 56、 59之另一端。 下面說明使用前述圖4所示蝕刻處理裝置來對表面形 成有抗蝕劑圖形之半導體晶片（矽晶片）進行蝕刻之方法 〇 首先，在前述蝕刻處理室4 1 ,與實施例1同樣，將 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· - -線· 本紙ft尺度逍用中國a家標华(CNS)甲4規格(210x297公龙） -18 - 81. 5. 20.000(H) 五、發明説明（17) 半導體馮片一面冷卻至一 3 〇1〇, —面進行蝕刻處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在前述之蝕刻處理室41内進行半導體晶片之蝕刻處 理之期間，操動未圖示之真空泵浦，經過前述第1〜第3 之氣體排氣管51、 56、 59,將前述第1負載鎖定室 46、前述加熱處理室47及前述第2負載鎖定室48之 氣體，各加以真空排氣以逹到規定之減壓環境狀態（例如 1 0 -3 T o r r ) 〇 打開被夾裝於前述蝕刻處理室41與前述第1負載鎖 定室46之間之前述第2閘閥43後，驅動前述第1搬送 臂49,將前述蝕刻處理室41内之半導體晶片61,經 過前述第2閘閥43搬入前述第1負載鎖定室46内。關 閉前述第2閘閥43，使前述第1負載鎖定室46與前述 蝕刻處理室4 1之間被遮斷。 一面持續操動前述真空泵浦，一面將非活性氣體（例 如N2氣體），經過第1氣體供給管5 ◦供給至前述第1 負載鎖定室46内，並將從前述蝕刻處理室41流入之蝕 刻氣體，經過前述第1排氣管5 ◦加以排出。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 打開夾裝於前述第1負載鎖定室4 6與前述加熱處理 室4 7之間之前述第3閘閥4 4後，驅動前述第1搬送臂 49，將前述第1負載鎖定室46内之半導體晶片6 1， 經過前述第3閘閥44搬入前述加熱處理室4 7内之前述 載置台5 3上。關閉前述第3閘閥4 3，使前述加熱處理 室4 7與前述第1負載鎖定室4 6之間被遮斷。 一面持續操動前述真空泵浦，一面將非活性氣體（例 本紙張尺度通用中·國家橒準（CNS) T4規格(210X297公;*·) -19 - 81. 5. 20.000(H) A6 B6
2044U 五、發明説明（18) WN2氣體）經過第2氣體供給管55供給至前述加熱處 理室4 7。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 同時，將交流電壓從前述交流電源54供給至内藏於 前述載置台5 3之加熱器5 2,將前述加熱器5 2加熱至 例如100C。由於前述加熱器52之被加熱，前述載置 台53上之前述半導體晶片61之表面溫度，將被昇溫至 室溫附近。為此，在前述蝕刻處理室41内，一面將前述 半導體晶片6 1加以冷卻一面進行蝕刻處理；由此將使附 著於前述半導髏晶片3 1表面之蝕刻生成氣體（四氯化碩 氣體）被放出。被放出之蝕刻生成氣體，乃與從前第2氣 體供給管5 5被供給之N2氣體一起，經過前述第2氣體 排氣管5 6被排出。 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 停止前述交流電壓之供給後，打開夾裝在前述加熱處 理室47與前述第2負載鎖定室48之間之前述第4閘閥 4 5。驅動前述第2搬送臂5 7將載置於前述加熱處理室 47内之前述載置台53上之前述半導體晶片61,經過 前述第4閘閥45搬入前述第2負載鎖定室48内。關閉 前述第4閘閥4 5使前述第2負載鎖定室4 8與前述加熱 處理室4 7之間被遮斷。 停止前述真空泵浦之操動，經過第3氣體供給管5 9 將非活性氣體（例如N 2氣體）供給至前述第2負載鎖定 室48内。確認前述第2負載鎖定室48内已成為常壓狀 態後，停止前述N2氣體之供給。打開前述第2負載鎖定 室43之第5閘閥6 0。此後，驅動前述第2搬送壁5 7 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CHS)甲4規格(210x297公釐) -20 - 81. 5. 20.000(H) η Γ -ΛΒ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（19—) - ，將前述第2·負載鎖定-室48内之前述半導證晶-片6 1_ 經過前逑第5閘閥6 0取-出於外部。 -' 經上述實施例2來_處理後，將從前述第2負載鎮定皇 4 8取出之前述半導體晶片6 1之表面，以顯微鏡加以觀_ 察。結果·發現，矽晶片及抗蝕劑圖形均具有良好之形狀。 而且，在前述半導體晶片61表面亦完全未發現反應生成 物、水滴等之附著，外觀性良好，且獲得對前述抗蝕刻圖 形極為忠實之蝕刻成果。 而且，將從前述負載鎖定室48所取出之前述半導體 晶片6 1放入純水中，將前述晶片6 1中之殘留氯溶出於 前述純水，以離子色譜分離法來測定前述殘留氯量。結果 發現，與未在前述加熱處理室47進行加熱處理之半導體 晶片比較，前述殘留氣量已減少至一半左右。 依據以上之本實施例2,將可防止四氣化碩等之反應 生成物及水滴等附著於前述半導體晶片61表面，而可進 行良好之蝕刻處理。而且，亦可減低前述半導體晶片6 1 中之殘留氣量，及抑制氯糸氣體向大氣中之放出。 <實施例3 > 圖5乃表示本實施例3之表面處理裝置（電漿蝕刻處 理）之部分省略圖，圖6乃為表示組裝於圖5之表面處理 裝置之脱氣室之斷面圖，圖7則為配置於圖6之脱氣室内 之濾氣機構之平面圖，圖8亦為圖7之濾氣機構之要部之 斷面圔。 本紙》尺度逍用中國國家«準(CNS)甲4規格(210x297公故） 81. 5. 20.000(H)
η 先 閱― 背 面 之 注- 意 事 項 再 塡 寫 本 I 裝 訂 線 -21 - 20441 A6 B6 經濟部中央標準局兵工消費合作社印製 五、發明説明（20) 例如，由不綉銷所成之矩形筒體71之一端，乃被連 结在作為第1處理室之電漿蝕刻處理室72。第1閘閥 7 3乃被配置在前述矩形筒體7 1之另一端。第2閘閥 74亦被配置在前述矩形筒體71;並在前述矩形筒體 7 1亦各形成有作為第1處理室之搬入用負載鎖定室7 5 及脱氣室7 6。第3閘閥7 7則被配置在前述矩形筒體 71與前述處理室72之連結部。 搬送被處理物例如半導體晶片所用之搬送臂78,乃 被配置在前述負載鎖定室75内之底部。第1氣體供給管 79及第1氣體排氣管80,則被連結在形成有前述搬入 用負載鎖定室75之前述矩形筒體71底部。未圖示之真 空泵浦，亦被連結在前述氣體排氣管80之另一端。 卡盤板（chuck plate) 8 1乃如圖6所示，被配置 在前述脱氣室76内之底部。形成有前述脫氣室76之前 述矩形筒體7 1上部，亦形成有矩形狀之窗孔82。由石 英玻璃所成之石英窗83,亦被載置在包括前述窗孔82 之周邊之前述矩形筒髏71之上壁部。箱84亦如覆蓋前 述石英窗83般被載置在前述矩形筒體71之上壁部。複 數之螺栓8 5則從前述箱8 4側螺接於前述矩形筒體7 1 之上壁部。由此，前述石英窗83乃在前述箱84與前述 矩形筒體7 1之上壁部之間被旋緊固定。未圖示之〇形環 亦各被夾裝在前述矩形筒體71之上壁部與前述石英窗 83之間，以及前述石英窗83與前述箱84之間，而在 前述各構件之間將前述石英窗8 3保持成氣密狀態。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂- 線< 參紙張尺度遑用中國國家樣準(CNS)甲4規格(210x297公藿） -22 - 81. 5. 20t000(H) Λ6 B6 204411 五、發明説明（21) 作為活性化機構之複數（例如4支）之100W鹵素 燈8 6，乃在前述箱84内，被配置成向水平方向並排之 狀態。 濾氣機構8 7乃被配置在前述卡盤板8 1與前.述鹵素 燈8 6之間之前述脱氣室7 6内。前述濾氣機構8 7亦如 圖6及圖7所示，備有例_如由鋁所成之框狀樑架8 8。例 如由石英玻璃所成之透明濾氣板8 9，乃如圖8所示，在 前述框狀樑架88,例如以銀焊被安裝成與前述卡盤板 8 1相對向之狀態。例如，被導入液體氮之冷卻媒體流路 9◦及例如被導入室溫空氣之熱媒體流路91,亦在前述 框狀樑架88之全域中被形成蛇行狀態。由於向前述冷卻 媒體流路90供給液體氮，將使前述透明濾氣板89被冷 卻。並且由於向前述熱媒體流路9 1供給例如室溫空氣， 亦將使被冷卻之前述透明濾氣板8 9被加熱。 第2氣體供給管9 2乃被連結在前述第3閘閥7 7近 旁之前述矩形筒體71底部。安裝有前述供給管92之前 述矩形筒體7 1之底部，則開設有氣體流通孔9 3。第2 氣體排氣管94,亦被連結在形成有前述第2閘閥74近 旁之前述脱氣室76之前述矩形筒體71底部。向前述脱 氣室7 6進行真空抽氣所用之真空泵浦（未圖示），亦被 安裝在前述排氣管94之另一端。未圖示之搬送臂則被配 置在前述脱氣室76内。 第3氣體供給管及第3氣體排氣管（均未圖示），亦 被連結在前述電漿蝕刻室7 2。未圖示之搬出用負載鎖定 本紙張尺度遑用中B國家樣準(CNS)甲4規格(210x297公釐） 81. 5. 20.000(H) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂- 經濟部中央標準局员工消资合作社印製 A6 B6 20441； 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 室，亦被連結在前述處理室7 2之側壁。未圖示之第4蘭 閥則被配置在前述處理室7 2與前述搬出用負載鎖定室之 連結部。 下面說明前述圖5〜圖8所示電漿蝕刻裝置之動作。 打開前述搬入用負載鎖定室7 5之前述第1閘閥7 3 後，驅動前述搬送臂7 8,將表面形成有例如抗蝕劑圖形 .之半導體晶片9 5，經過前述第1閘閥7 3搬入前述負載 鎖定室75内。關閉前述第1閘閥73後，操動未圖示之 真空泵浦，經過前述第1氣體排氣管8◦，對前述負載鎖 定室75内之氣體進行真空排氣，以成為規定之減壓環境 狀態。此時，操動未圖示之真空泵浦，將前述脱氣室7 6 内之氣體，經過前述第2氣體排氣管94進行真空排氣， 以達規定之減壓璟境狀態。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 一面持缠進行前述各真空泵浦之操動，一面打開夾裝 在前述負載鎖定室7 5與前述脱氣室7 6之間之前述第2 閘閥74。接著，驅動前述搬送臂78，使前述負載鎖定 室75内之前述半導體晶片95,經過前述第2閘閥74 搬入前述脱氣室76内之卡盤板81上。關閉前述第2閘 閥74,使前述脱氣室76與前述負載鎖定室75之間被 遮斷。 配置於前述脱氣室7 6上方之前述鹵素燈8 6加以通 電，以放射能量像。被放射之能量線，乃透過配置於前述 燈86下方之前述石英玻璃所成石英窗83,及前述濾氣 機構87之前述透明濾氣板89,被照射在前述卡盤板 本紙張尺度逍用中Β Η家橾準(CNS) T4規格(210x297公*) -24 - 81. 5. 20,000(H) A6 B6 204411 五、發明説明（2?) (請I閲讀背面之ji意事項再填寫本頁) 8 1上之半導體晶片& 5。结果，被吸著在前述-半導體晶 片9 5奉面之水分/二氯化碩、氫等之氣髏「乃因前述能 量線之照射而被'活性化，成為除氣（out gas),從前述半 導體晶片9 5表面脱離而被放出。如此，將能量線照射在 前述半導體晶片9 5 ,使其表面之吸著氣體被活性化；由 此，從前述半導體晶片95表面之氣體之放出，與單純進 行稟空排氣之情形比較，將進一步被促進。_ 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 先行於來自前述鹵素燈8 6之能_量線之照射，在前述 濾氣機構8 7之框狀樑架8 8之冷卻媒體流路9 0，供給 例如沸點為- 1 9 6 °C之液體氮。將前述液體氮流通於前 述框狀樑架88;由此，被固定於前述框狀樑架88之前 述透明濾氣板89將被冷卻成為非常低之溫度。結果，從 前述半導體晶片95表面被放出之氣體，乃接觭在被配置 於前述晶片95上方之前述經冷卻之透明濾氣板89,而 因凝縮作用被捕捉。並且，被前述透明濾氣板89所捕捉 之前述氣體因被冷卻成非常低之溫度，故將失去能量，而 成為難於脱離之狀態。因此，從前述半導體晶片9 5表面 被放出之氣體，乃由前述濾氣機構87,立刻被捕捉，故 將由前述脱氣室7 6之環境中迅速被除去。 在前述脱氣室7 6進行規定時間之濾氣處理後，乃打 開夾裝在前述脱氣室7 6與事先以真空排氣操作成為規定 之減壓環境狀態之前述電漿蝕刻處理室7 2之間之前述第 3閘閥7 7。接著，驅動裝置在前述脱氣室7 6内之未圖 示之搬送臂，將前述脱氣室7 6之前述卡盤板8 1上之前 本紙張尺度遑用中國家橾準(CKS)甲4規格(210X297公*) -25 - 81. 5. 20.000(H) 20441 A6 B6 經濟部中央標準局員工消t合作社印製 五、發明説明（24) 述半導體晶片95，經過前述第3閘閥77搬入前述電發 蝕刻室7 2内。 反覆進行以上操作，將未處理之半導髏晶片95規定 枚數，例如2 5枚搬入前述電漿蝕刻處理室7 2内。接著 ，關閉第3閘閥77後，操動未圖示之真空泵浦，經過連 結在前述處理7 2之第4氣體排氣管（未圖示），將前述 處理室72内之氣體加以排出，以成為規定之減壓環境狀 態。此後，向前述處理室7 2内供給蝕刻氣體，使其發生 電漿，將前述蝕刻氣體加以活性化，由被活性化之蝕刻氣 體來對前述複數枚之半導體晶片進行蝕刻處理。 另方面，將規定枚數之半導體晶片搬入前述處理室 72後，被前述濾氣機構87所捕捉之氣體，乃由下列之 操作來加以清除（purge)。 首先，關閉前述第2、第3之閘閥74、77後，一 面持續進行真空泵浦之操動，一面將非活性氣體（例如 N2氣體）經過第2氣體供給管9 2供給至前述脱氣室 76内，並停止向前述框狀樑架88之冷卻媒體流路9〇 之液體氮之供給。將室溫空氣供給至前述框狀樑架88之 熱媒體流路9 1。由此，被前述液體氮之流通所冷卻之前 述透明濾氣板8 9 ,亦被加以溫暖，被捕捉在前述透明濾 氣板89之氣體亦再度被放出，而與被供給至前述脱氣室 7 6内之前述N2氣體一起，經過前述第2氣體排氣管 9 4被排出於外部。 如此，依據本實施例3，由於在前述脱氣室76内， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝. 訂- 線. 本紙張尺度遑用中國家搮準(CNS)甲4規格(210x297公龙） -26 81. 5. 20.000(H) A6 B6 204411 五、發明説明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將來自前述鹵素燈8 6之能量線照射在半導體晶片9 5表 面；由此將可促進前述半導體晶片9 5表面之吸箸氣體之 放出，且可立刻由濾氣機構87捕捉被放出之除氣。結果 ，將在前述脱氣室76經處理之前述半導體晶片95搬送 至前述電漿蝕刻處理室7 2，使前述處理室7 2成為減壓 環境狀態時，前述半導體晶片95因表面未吸著有各種氣 體，故可迅速且在短時間内使前述處理室72内達到規定 之真空度；進一步亦可提高其真空度。因此，可以較高之 呑吐（throughput)來對前述半導體晶片9 5進行電漿蝕 刻處理，且可進行良好之電漿蝕刻。 此外，在前述實施例3,作為活性化機構乃使用鹵素 燈；惟亦不限定於此。例如，亦可以其他燈來代替前述鹵 素燈，例如亦可以使用雷射振盪器。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 在前述實施例3,亦在前述濾氣機構87之前述框狀 樑架8 8 ,各形成有冷卻媒體流路9 ◦及熱媒體流路9 1 ;惟亦不限定於此。例如，亦可在前述框狀樑架形成導入 冷卻媒體及熱媒體之共用之流路成為蛇行狀態。在具有如 此構造之框狀樑架之濾氣機構中，冷卻前述氣體濾氣機構 之透明濾氣板時，乃使冷卻媒體在前述流路流通。溫暖前 述透明濾氣板時，則將前述冷卻媒體轉換為熱媒體，使其 在前述流路流通。 在前述實施例3,乃作為冷卻媒體使用液體氮；惟以 使用混有不凍液之一 3 0 t左右之冷水來代替前述液體氮 ，或使用冷卻氣體均可。 本紙張尺度逍用中國Η家樣準(CNS)甲4規格(210X297公釐) 一 27 _ 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 204411 五、發明説明（26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在前述實施例3中，作為熱媒體乃使用室溫之空氣； 惟以室溫之氮氣體等其他之氣體來代替前述空氣，或使用 溫水等均可。 在前述實施例中，第1處理室乃由搬入用負載鎖定室 75及脱氣室76來構成；惟亦不限定於此。例如，將前 述第1處理室構造成搬入用負載鎖定室或搬入、搬送兩用 .之負載鎖定室均可。 〈實施例4 > 圖9乃表示組裝入本實施例4之表面處理裝置（電漿 蝕刻裝置）之脱氣室之斷面圖。此外，與前述圖6同樣之 構件，乃附以相同之编號並省略其說明。 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 配置於前述脱氣室7 6内之濾氣機構8 7,乃具有如 下之構造。上端具有凸緣之例如由鋁所成之框狀樑架8 8 ，乃被配置成在例如由不銹鋼所成之矩形筒體71之上壁 内面，頂接前述凸緣部96之狀態。複數之螺帽97亦從 前述凸緣部96被螺接在前述矩形筒體71之上壁，而將 前述框狀樑架8 8固定於前述矩形筒體7 1。未圖示之〇 形環乃被夾裝在前述凸緣9 6與前述矩形筒體7 1之上壁 之間，而將前述框狀樑架88固定於前述矩形筒體71成 氣密狀態。例如由石英玻璃所成之透明濾氣板8 9,亦在 前述框狀樑架88以例如銀焊被安裝成與卡盤板81相對 向之狀態。例如被供給液體氮之冷卻媒體流路9 ◦及例如 被供給室溫空氣之熱媒體流路9 1，亦各被形成在全區域 本紙張尺度通用中國困家楳準（CNS)甲4規格(210X297公龙) -28 ~ 81. 5. 20.000(H) 20441 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消f合作杜印製 五、發明説明（2?)〜 中蛇行之狀態。冷卻氣體供給噴嘴9 8亦被配置诚貫穿前 述矩形簿體7 1之_£壁及前述框狀樑架8 8之狀態；並且 前述噴嘴9 8之先端亦延長伸出至前述透明濾氣被8 9上 面近旁之位置。加熱氣體供給噴嘴9 9則被配置成貫穿前 述箱8 4、前述矩形筒髏7 1之上壁及前述框狀探架8 8 之狀態；且前述噴嘴9 9之先端亦延長伸出至前述透明濾 氣板8 Θ上面近旁之位置。 如此構成之實施例4之表面處理裝置，乃在前述脱氣 室7 6内被配置有：附設有前述冷卻氣體供給噴嘴9 8及 前述加熱氣體供給噴嘴9 9之前述濾氣機構8 7。為此， 向前述框狀樑架88之冷卻媒體流路90,供給例如沸點 為- 19 6°C之液體氮，同時從前述冷卻氣體供給噴嘴 98，將冷卻氣體向安裝有前述框狀樑架8 8之前述透明 濾氣板8 9上面吹送，則由此將可急速冷卻前述透明滹氣 板89。結果，在被搬入前述脫氣室76内之卡盤板8 1 之半導體晶片9 5 ,照射從鹵素燈8 6所放射之能量線， 將前述半導體晶片9 5表面之吸著氣體加以放出，則可將 除氣迅速捕捉在前述透明濾氣板8 9。 另方面，停止向前述框狀樑架88之前述冷卻媒體流 路9 ◦之流體氮之供給，將室溫空氣供給至前述框狀樑架 88之熱媒體流路91,同時從前述加熱氣體供給噴嘴 9 9將加熱空氣吹送至被安裝在前述框狀樑架8 8之前述 透明濾氣板8 9上面，則由此將可急速對前述透明濾氣板 89加熱。因此，將可迅速使被捕捉在前述透明濾氣板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 線. 參紙張尺度逍用中國國家標準(CNS)甲4規格(210x297公*) -29 - 81. 5. 20.000(H) A6 B6
•044U 五、發明説明（28) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 9之各種氣體被再放出；並可使其經過第2氣體排氣管 94被排出於前述脱氣室76之外部。 此外，在前述實施例4，亦使用兩値氣鳝供給噴嘴 98、99，將冷卻氣體、加熱氣體吹送在前述濾氣機構 8 7之透明濾氣板89 ;惟亦不限定於此種構造。亦可使 用例如由一支氣體供給噴嘴來兼作冷卻氣體之噴吹及加熱 .氣體之噴吹等兩個用途者。 <實施例5 > 圖1 0乃表示組裝在本實施例5之表面處理裝置（電 漿蝕刻裝置）之脱氣室及其周邊構造之斷面圖。此外，與 前述圖6相同之構件亦附以相同之構件並省略其説明。 第1、第2之預備室100、101,乃挾著形成有 脱氣室7 6之矩形筒體7 1，被配置在其兩側壁。未圖示 之供給管亦各被連結在前述預備加熱室100、 101。 未圖示之氣體排氣管，亦各被連結在前述預備加熱室 1〇〇、1 ◦ 1。第5、第6之閘閥1 0 2、 1 0 3 ,則 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 各被配置在前述預備處理室100、 101與前述矩形筒 體7 1之連結部。備有框狀樑架88及透明濾氣板89之 濾氣機構（第1濾氣機構）87,乃被配置在前述脱氣室 76内。前述第1濾氣機構87,亦形成經過前述第6閘 閥1 03可在前述脱氣室76與前述第2預備處理室 1 0 1之間移動之構成。與前述第1濾氣機構87具有同 樣構造之第2濾氣機構104,亦被配置在前述第1預備 本紙張尺度遑用中國國家橾毕(CNS)甲4規格(210x297公*) -30 - 81. 5. 20.000(H)
S044U A6 B6 五、發明説明（29) 處理室1 00内。前述第2濾氣機構1 04,亦形成：經 過前述第5閘閥102可在前述第1預備處理室1〇◦與 前述脱氣室76之間移動之構成。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據此種構成之實施例5之表面處理裝置，在前述脱 氣室76内，當進行將從半導體晶片表面放出之氣髏，以 前述第1濾氣機構8 7之前述透明濾氣板8 7來加以捕捉 之操作達規定次數後，打開前述第6閘閥103,使前述 第1濾氣機構87經過前述第6閘閥103移動至前述第 2預備處理室1 0 1。接著，關閉前述第6閘閥1 03後 ，再打開前述第5閘閥102，使前述第2濾氣機構 1〇4,經過前述第5閘閥102,從前述第1預備處理 室10 ◦移動至前述脱氣室76内。緊接著，利用前述第 2濾氣機構104，在前述脱氣室76内，進行將從半導 體晶片表面放出之氣體加以捕捉之操作。在進行此種捕捉 操作之期間，亦進行被送至前述第2預備處理室102之 前述第1濾氣機構之清除（purge)操作。亦即，將前述第 1濾氣機構8 7之前述透明濾氣板8 7加以加熱，使被前 述透明濾氣板8 9所捕捉之各種氣體再度被放出；同時從 未圖示之氣體供給管將非活性氣體，例如N2氣體供給至 前述第2預備處理室102内，並操動未圖示之真空泵浦 ，經過未圖示之氣體排氣管，將前述除氣（out gas)與前 述N 2氣體一起排出於外部。 因此，從半導體晶片表面放出之氣體之捕捉操作及清 除操作，可同時並列並進來進行；故可將呑吐量顯著加以 本紙張尺度逍用中Η國家標準(CNS)甲4規格(210X297公釐) -31 - 81. 5. 20.000(H) Λ 6 Β6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（30) 提局。. 此外，在前述實施例5,乃將第1、第2之濾氣機構 87、 104分成另體之構成；惟亦不限定於此。例如， 將具有前述透明濾氣板之兩個框狀樑架加以連結，使其等 成為一體之構成亦可。在此情形下，乃宜在前述透明濾氣 板之間設置隔熱材料，同時作為冷卻媒體或熱媒體之配管 ,亦宜使用伸縮自如之伸縮囊（bellows)配管。而且， 配置在前述脱氣室與前述第1、第2預備處理室之間之閘 閥，亦宜以伸縮囊（bellows)狀之卡盤（chuck)來代替 〇 並且，在前述實施例3〜5中，作為第2處理室乃使 用電漿蝕刻室；惟亦不限定於此。代替前述電漿蝕刻處理 室，亦可使用例如：CVD處理室、電漿CVD處理室、 滕射（sputter)蒸鑛室等。 如以上所說明，依據本發明，將可提供：能以高精度 來對被處理物例如半導體晶Η施以蝕刻處理，進一步亦可 抑制附著於蝕刻處理後之被處理物之有害氣體被放出於大 氣之中，同時亦可防止對前述被處理物表面之反應生成物 之附著，以及抑制水滴之附著等之表面處理裝置。 而且，依據本發明，亦可提供可使被處理物例如半導 體晶片以高精度被進行蝕刻處理，進一步亦可抑制蝕刻處 理後之被處理物所附著之有害氣體向大氣中之放出，同時 也可抑制對前述被處理物表面之反應生成物之附著，以及 抑制水滴附著等之表面處理方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家橒準(CNS)甲4規格（210x297公釐) -32 - 81. 5. 20.000(H) % Α6 Β6 五、發明説明（31_) _ _進一步，—依據本發明，亦可將搬入被處理物-例如半導 髏晶Η之蝕刻處理室、CVD處理室等之各種處理室之真 空排氣操作，以短時軋來完成，同時亦可提昇至規έ之真 空度；故可提供：呑吐量能夠被提高，且可以目標之條件-來對前述半導體·晶片良好進行表面處理之表面處理裝置。 (請先閱讀背面之I意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 本紙》尺度逍用中國家標準（CNS)甲4規格(210x297公龙) -33 - 81. 5. 20,000(H)

Claims (1)

  1. AT B7 C7 D7 經 濟 部 中 夬 標 準 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 六、申猜專利苑園 1 . 一種表面處理裝置，其特徴為具備有： 將被搬入之被處理物以被活性化之蝕刻氣體來進行独 刻處理之第1處理室；及 使前述第1處理室成為減壓狀態所用之排氣機構；及 冷卻被搬入前述第1處理室内之被處理物所用之冷卻 機構；及 搬入經前述第1處理室所蝕刻之被處理物之第2處理 室；及 使前述第2處理室成為減壓狀態所用之排氣機構；及 對搬入前述第2處理室内之前述被處理物進行加熱所 用之加熱機構； 等為構成者。 2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 前述第1處理室乃具有供給蝕刻氣體所用之氣體供給機構 及電漿發生機構；而前述被活性化之蝕刻氣體乃由：將前 述氣體供給機構所供給之蝕刻氣體，以前述電漿發生機構 ，及生成於前述第1處理室内之電漿來加以活性化後所形 成者。 3. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 前述冷卻機構乃被配置於前述第1處理室内，而由載置前 述被處理物之中空狀之載置台，及對前述載置台之中空部 供給冷卻媒體之供給管，及排出被供給於前述載置台中空 部之冷卻媒體之排出管等所構成者。 4. 如申請專利範圍第3項所述之表面處理裝置中； (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度適川屮闽W家榀平（CNS)甲4规格(210父297公釐） 81. 2. 2.500 (H) -34 - A I B7 C7 DT 經濟部中夬標準局員工消費合作杜印製 六、申#專利-苑圍 前述冷卻媒體乃為液髏氮者。 5. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 前述加熱機構乃為：被配置於前述第2處理室外部之能量 線照射燈；而在配置前述燈之前述第2處理室之壁部，則 形成有能量線透過窗者。 6. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 前述加熱機構乃為：載置被搬入前述第2處理室内之被處 理物所用之熱板（hot plate)者。 7 .如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 進一步備有向前述第2處理室内供給非活性氣體所用之非 活性氣體供給機構者。 §.如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 進一步備有：捕捉（trap)從前述第2處理室内之前述被 處理物所放出之氣體所用之濾氣（gas trap)機構者。 9. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中； 前述第2處理室乃為：將前述被處理物在常壓環境狀態下 搬出之負載鎖定室（load lock chamber)者。 10. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理裝置中 ;前述第2處理室乃由：連結於前述第1處理室之第1負 載鎖定室，及具有將從前述第1負載室所搬來之前述被處 理物予以加熱所用之加熱機構之加熱處理室，及將前述在 處理室所搬來之前述被處理物，在常壓環境狀態下加以搬 出之第2負載鎖定室等所構成者。 1 1 . 一種表面處理方法，其特擻為具備有： (¾先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .緣. »本紙诋尺度通;丨1中ΚΙ B家標準(CNS) <P4规格(210x297公 81. 2. 2.500(H) -35 - •〇4似 Λ' ΒΊ -C: D： 經 濟 部 中 央 標 準 局 員 工 消 費 合 -it 杜 印 製 六、申請專利苑81 _ ' ' ' ' - -一面冷卻被處理物一面作用在減壓環境狀\態'卞被活性 -化之蝕刻氣體，以進行對前述被—處理物之蝕刻*處理之工程 ~ .. - - - ;及 — 對前述蝕刻處理後之前述被處理物，在減壓環境狀態 下或非活性環境狀態下加以進行加熱處理之工程； .等為構成者。 12. 如申請專利範圍第11項所述之表面處理方法 中；前述被處理物之冷卻乃以一 1 90t：〜1 Ot：之溫度 來進行者。 13. 如申請專利範圍第11項所述之表面處理方法 中；前述被活性化之独刻氣體，乃以氣糸氣體由電漿加以 活性化者。 14. 如申請專利範圍第11項所述之表面處理方法 中；前述被處理物之加熱處理乃以50 °C〜1 OOt：之溫 度來進行者。 1 5.如申請專利範圍第1 1項所述之表面處理方法 中；因前述被處理物之加熱處理工程而從前述被處理物所 放出之氣體，乃由被供給之非活性氣體來排出者。 16·—種表面處理裝置，其特徵為具備有： 被處理物被搬入之第1處理室；及 對前述第1處理室内之前述被處理物照射能量線所用 之活性化機構；及 被配置在前述第1處理室内，而捕捉因前述能量照射 從前述被處理物表面所放出之氣體所用之濾氣機構；及 (請.先閱讀背面之注意事項再填寫本百) 本紙張尺度適;丨丨taK家標φ(CNS规格(210X297j 81. 2. 2,500(H) 36 - 濟 部 中 央 標 準 局 員 工 消 費 合 作 製 六、申請專利苑圍 搬入前述第1處理室内之被處理物，而對前述被處理 物進行表面處理所用之第2處理室； 等為構成者。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之表面處理裝置 中；前述活性化機構乃為：被配置在前述第1處理室外部 之能量照射燈；而配置有前述燈之前述第1處理室之壁部 ,亦形成有能量線透過窗者。 1 8.如申請專利範圍第1 6項所述之表面處理裝置 中；前述濾氣機構乃被配置在位於前述被處理物與前述活 性化機構之間之前述第1處理室内，並由流通冷卻媒體之 框體，及被前述框體所支持而使來自前述活性化機構之能 量線透過之透過窗等所構成者。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之表面處理裝置 中；前述冷卻媒體乃為液體氮者。 20.如申請專利範圍第18項所述之表面處理裝置 中；前述濾氣機構之前述框體，乃有加熱媒體流通者。 2 1 .如申請專利範圍第1 6項所述之表面處理裝置 中；前述濾氣機構乃被配置在位於前述被處理物與前述活 性化機構之間之前述第1處理室内，並由框體，及被前述 框體所支持而使來自前述活性化機構之能量線透過之透過 窗，及對前述透過窗吹送冷卻氣體所用之冷卻氣體噴射構 件等所構成者。 22.如申請專利範圍第21項所述之表面處理裝置 中；前述濾氣機構乃備有對前述透過窗噴射加熱氣體所用 -本紙張尺度適扣t阀Η家榣準(CNS) Ψ4規格 81. 2. 2.500(H) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· •線 -37 - A' B： Cl 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利苑園 之加熱氣體噴射構件者。 23. 如申請專利範圍第16項所述之表面處理裝置 中；前述第1處理室乃為：將前述被處理物在常壓環境狀 態下來搬入之負載鎖定室者。 24. 如申請專利範圍第16項所述之表面處理裝置 中；前述第1處理室乃由：將前述被處理物在常壓環境狀 態下搬入之負載鎖定室，乃被配置在前述負載鎖定室與前 述第2處理室之間，而具有前述活性化機構乃濾氣機構之 脱氣室等所構成者。 25. 如申請專利範圍第16項所述之表面處理裝置 中；進一步，第1、第2預備處理室乃挾著具有前述活性 化機構及前述濾氣機構之前述第1處理室，而被配置在其 兩側；前述第1預備處理室亦配置有其他之濾氣機構者。 26. 如申請專利範圍第25項所述之表面處理裝置 中；前述濾氣機構乃在前述第1處理室與前述第2預備處 理室之間被移動，而前述其他之濾氣機構則在前述第1預 備處理室與前述第i處理室之間被移動者。 27·如申請專利範圍第26項所述之表面處理裝置 中；各個之濾氣機構均由：流通冷卻媒體及加熱媒體所用 之框體，及被前述框體所支持而在前述第1處理室内使來 自前述活性化機構之能量線透過之透過窗等所構成者。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本百) *訂· 本紙证尺度適川t田W家標芈（CNS) T4规格(210x297公ϋ 81. 2. 2.500(H) _ 38 -
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0155572B1 (ko) * 1991-05-28 1998-12-01 이노우에 아키라 감압처리 시스템 및 감압처리 방법
JPH06177088A (ja) * 1992-08-31 1994-06-24 Sony Corp アッシング方法及びアッシング装置
US5426865A (en) * 1992-09-03 1995-06-27 Tokyo Electron Limited Vacuum creating method and apparatus
KR960003373B1 (ko) * 1992-09-29 1996-03-09 후지쓰 가부시키가이샤 프로그래머블 논리회로
US5722668A (en) * 1994-04-29 1998-03-03 Applied Materials, Inc. Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor
US6468918B1 (en) * 1995-09-29 2002-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company In situ photoresist hot bake in loading chamber of dry etch
KR100218269B1 (ko) * 1996-05-30 1999-09-01 윤종용 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법
JP3926890B2 (ja) * 1997-06-11 2007-06-06 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
EP1155437B1 (en) * 1999-02-04 2008-08-20 STEAG RTP Systems GmbH Cooled showerhead for rapid thermal processing (rtp) system
US6339028B2 (en) * 1999-04-27 2002-01-15 Stmicroelectronics, Inc. Vacuum loadlock ultra violet bake for plasma etch
US6927160B1 (en) 1999-06-09 2005-08-09 National Semiconductor Corporation Fabrication of copper-containing region such as electrical interconnect
US6863733B1 (en) * 1999-07-15 2005-03-08 Nec Corporation Apparatus for fabricating thin-film semiconductor device
CA2370487A1 (en) * 2000-04-13 2001-10-25 Suntory Limited Aminophenoxyacetamide derivatives and pharmaceutical composition containing thereof
US6998097B1 (en) * 2000-06-07 2006-02-14 Tegal Corporation High pressure chemical vapor trapping system
US6800254B1 (en) * 2000-06-07 2004-10-05 Tegal Corporation Visual indicator cold trapping system
US6599368B1 (en) * 2000-10-05 2003-07-29 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US7029536B2 (en) * 2003-03-17 2006-04-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate
US7877161B2 (en) 2003-03-17 2011-01-25 Tokyo Electron Limited Method and system for performing a chemical oxide removal process
US20050221603A1 (en) * 2003-06-23 2005-10-06 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US7097779B2 (en) * 2004-07-06 2006-08-29 Tokyo Electron Limited Processing system and method for chemically treating a TERA layer
US7454920B2 (en) * 2004-11-04 2008-11-25 Raytheon Company Method and apparatus for moisture control within a phased array
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
JP2006216710A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置
US7631898B2 (en) * 2006-01-25 2009-12-15 Chrysler Group Llc Power release and locking adjustable steering column apparatus and method
US8343280B2 (en) 2006-03-28 2013-01-01 Tokyo Electron Limited Multi-zone substrate temperature control system and method of operating
US7718032B2 (en) * 2006-06-22 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Dry non-plasma treatment system and method of using
US20080217293A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Tokyo Electron Limited Processing system and method for performing high throughput non-plasma processing
US8287688B2 (en) 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system
US8303715B2 (en) * 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput thermal treatment system and method of operating
US8115140B2 (en) * 2008-07-31 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Heater assembly for high throughput chemical treatment system
US8323410B2 (en) * 2008-07-31 2012-12-04 Tokyo Electron Limited High throughput chemical treatment system and method of operating
US8303716B2 (en) 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput processing system for chemical treatment and thermal treatment and method of operating
TW201820456A (zh) * 2011-10-05 2018-06-01 美商應用材料股份有限公司 原位羥化裝置
JP5534494B1 (ja) * 2012-07-13 2014-07-02 国立大学法人東北大学 エッチング方法
KR102697922B1 (ko) * 2019-01-09 2024-08-22 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP7314634B2 (ja) 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0834205B2 (ja) * 1986-11-21 1996-03-29 株式会社東芝 ドライエツチング装置
DE3854561T2 (de) * 1987-07-02 1996-05-02 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zum Trockenätzen.
JP2834129B2 (ja) * 1988-03-23 1998-12-09 株式会社日立製作所 低温ドライエツチング方法
JP2512783B2 (ja) * 1988-04-20 1996-07-03 株式会社日立製作所 プラズマエッチング方法及び装置
US5078851A (en) * 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor

Also Published As

Publication number Publication date
KR930001337A (ko) 1993-01-16
KR0158894B1 (ko) 1999-02-01
US5240556A (en) 1993-08-31

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