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TW201547280A - 成像裝置、監視裝置、及電子器具 - Google Patents

成像裝置、監視裝置、及電子器具 Download PDF

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TW201547280A
TW201547280A TW104115252A TW104115252A TW201547280A TW 201547280 A TW201547280 A TW 201547280A TW 104115252 A TW104115252 A TW 104115252A TW 104115252 A TW104115252 A TW 104115252A TW 201547280 A TW201547280 A TW 201547280A
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Inventor
Yoshiyuki Kurokawa
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Semiconductor Energy Lab
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Abstract

提供一種能夠以低功耗檢測差異的成像裝置。成像裝置包括：包括光電轉換元件和電晶體的像素；類比處理電路；以及數位處理電路。成像裝置以第一模式和第二模式工作。在第一模式中，類比處理電路檢測出像素所取的第一成像資料與像素所取的第二成像資料的差異，並根據差異的值產生觸發信號。在第二模式中，數位處理電路將像素所取的第三成像資料轉換為數位資料。根據觸發信號進行從第一模式轉換到第二模式。

Description

成像裝置、監視裝置、及電子器具
本發明的一個實施方式係關於一種具有攝像功能的成像裝置、監視裝置以及電子裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。由此，更明確而言，本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子包括半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法及這些裝置的製造方法。
成像裝置一般組裝在行動電話中，並得到普及(例如，專利文獻1)。尤其是，CMOS影像感測器與CCD影像感測器相比具有低價位、高解析度、低功耗等優勢。CMOS影像感測器佔成像裝置的大部分。
[專利文獻]
[專利文獻1]美國專利7046282號公報
在將CMOS影像感測器使用於保全相機中時，可以使用當發現侵入者時發出警報的系統。明確而言，可以考慮如下結構：執行用於比較CMOS影像感測器所獲得的監視區內沒有侵入者出現的狀態下所拍攝的影像的成像資料與當前的影像的成像資料之間的影像處理；且當其之間有差異時，產生觸發信號。
在進行上述影像處理的情況下，首先讀出CMOS影像感測器的各像素的資料，藉由A/D轉換將其轉換為數位資料。接著，將該數位資料提取到電腦中，在電腦上執行影像處理軟體。因此，為了產生上述觸發信號，由於對從CMOS影像感測器讀出的資料進行A/D轉換，傳輸資料以將大量數位資料提取到電腦中，將該數位資料容納在電腦內的記憶體裝置中，從記憶體裝置讀出該數位資料，執行影像處理軟體等而使用龐大的電力。
於是，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的成像裝置等。
本發明的一個實施方式的另一目的是提供一種能夠以低功耗檢測差異的具有新穎結構的成像裝置等。
注意，本發明的目的不侷限於上述目的。上 述目的並不妨礙其他目的的存在。另外，其他目的是上面沒有提到而將在下面的記載中進行說明的目的。所屬技術領域的普通技術人員可以從說明書或圖式等的記載中導出並適當抽出該上面沒有提到的目的。本發明的一個實施方式實現上述記載及/或其他目的中的至少一個目的。
鑒於上述目的，本發明的一個實施方式是一種成像裝置，包括：多個像素；類比處理電路；以及數位處理電路，其中，像素在第一模式中容納第一狀態下的第一成像資料與第二狀態下的第二成像資料的差異資料並從該像素讀出該差異資料，在第二模式中容納第三狀態下的第三成像資料並從該像素讀出該第三資料，類比處理電路在第一模式中對從各像素讀出的差異資料進行絕對差值和運算，在該運算的結果大於預定值的情況下產生觸發信號，並且，數位處理電路在第二模式中藉由A/D轉換將從各像素讀出的第三成像資料轉換為數位資料。另外，本成像裝置的模式在產生觸發信號時從第一模式轉換到第二模式。此外，當在第二模式中經過預定時間之後或者在供應恢復成像裝置的模式到第一模式的信號時，成像裝置模式從第二模式轉換到第一模式。
鑒於上述目的做成本發明的另一個實施方式，且該實施方式是一種成像裝置，包括：多個像素；類比處理電路；以及數位處理電路，其中，像素在第一模式中容納第一狀態下的第一成像資料與第二狀態下的第二成像資料的差異資料並從該像素讀出該差異資料，像素在第 二模式中容納第三狀態下的第三成像資料並從該像素讀出該第三資料，類比處理電路在第一模式中比較對應於第一成像資料和第二成像資料的差異的電流值與參考電流值，在檢測出差異時產生觸發信號，並且，數位處理電路在第二模式中藉由A/D轉換將從各像素讀出的第三成像資料轉換為數位資料。另外，本成像裝置的模式在產生觸發信號時從第一模式轉換到第二模式。此外，在第二模式中在經過預定時間之後或者在供應恢復成像裝置的模式到第一模式的信號時，成像裝置的模式從第二模式轉換到第一模式。
在上述結構中，在第一模式中，因為只進行用來產生觸發信號的最低限度的類比處理而不進行功耗龐大的數位處理，所以能夠減少功耗。在第二模式中，藉由數位處理可以詳細查核產生觸發信號的原因，即第一模式的成像資料與第二模式的成像資料的差異。
本發明的一個實施方式的成像裝置包括：包括光電轉換元件和電晶體的像素；類比處理電路；以及數位處理電路。成像裝置以第一模式和第二模式工作。在第一模式中，類比處理電路檢測出像素所取的第一成像資料與像素所取的第二成像資料的差異，並根據差異的值產生觸發信號。在第二模式中，數位處理電路將像素所取的第三成像資料轉換為數位資料。根據觸發信號進行從第一模式轉換到第二模式。
本發明的一個實施方式的成像裝置所包括的 類比處理電路進行第一成像資料與第二成像資料的絕對差值和運算，在運算的結果與預定值不同時產生觸發信號。類比處理電路包括減法電路、絕對值電路及加法電路。
本發明的一個實施方式的成像裝置所包括的數位處理電路包括A/D轉換電路。
本發明的一個實施方式的成像裝置模式在經過預定時間之後從第二模式轉換到第一模式。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種具有新穎結構的半導體裝置等。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠以低功耗檢測差異的成像裝置。
注意，本發明的效果不侷限於上述效果。上述效果並不妨礙其他效果的存在。其他效果是上面沒有提到而將在下面的記載中進行說明的效果。所屬技術領域的普通技術人員可以從說明書或圖式等的記載中導出並可見其他效果。此外，本發明的一個實施方式具有上述記載及/或其他效果中的至少一個效果。因此，本發明的一個實施方式有時根據情況而不具有上述效果。
40‧‧‧矽基板
51‧‧‧Si電晶體
52‧‧‧OS電晶體
53‧‧‧OS電晶體
60‧‧‧光電二極體
61‧‧‧陽極
63‧‧‧低電阻區域
70‧‧‧接觸插頭
71‧‧‧佈線層
72‧‧‧佈線層
73‧‧‧佈線層
80‧‧‧絕緣層
91a‧‧‧電路
91b‧‧‧電路
91c‧‧‧電路
100‧‧‧像素
100A‧‧‧像素
100B‧‧‧像素
100C‧‧‧像素
101‧‧‧類比處理電路
102‧‧‧A/D轉換電路
103‧‧‧列驅動器
104‧‧‧行驅動器
105‧‧‧像素部
111‧‧‧電晶體
112‧‧‧電晶體
113‧‧‧電晶體
114‧‧‧電晶體
115‧‧‧電晶體
121‧‧‧電容器
122‧‧‧電容器
123‧‧‧光電二極體
123A‧‧‧感測器
136‧‧‧電晶體
137‧‧‧電晶體
138‧‧‧電晶體
139‧‧‧電晶體
140‧‧‧電晶體
141‧‧‧電晶體
142‧‧‧電晶體
143‧‧‧電晶體
144‧‧‧電晶體
145‧‧‧電晶體
146‧‧‧電晶體
147‧‧‧電晶體
148‧‧‧電晶體
149‧‧‧電容器
FD1‧‧‧電荷保持節點
FD2‧‧‧節點
SUB‧‧‧減法電路
ABS‧‧‧絕對值電路
SUM‧‧‧加法電路
200‧‧‧相機
211‧‧‧記憶體裝置
212‧‧‧顯示裝置
213‧‧‧警報裝置
220‧‧‧成像裝置
901‧‧‧外殼
902‧‧‧外殼
903‧‧‧顯示部
904‧‧‧顯示部
905‧‧‧麥克風
906‧‧‧揚聲器
907‧‧‧操作鍵
908‧‧‧觸控筆
909‧‧‧相機
911‧‧‧外殼
912‧‧‧顯示部
919‧‧‧相機
921‧‧‧外殼
922‧‧‧快門按鈕
923‧‧‧麥克風
925‧‧‧透鏡
927‧‧‧發光部
931‧‧‧外殼
932‧‧‧顯示部
933‧‧‧腕帶
939‧‧‧相機
941‧‧‧外殼
942‧‧‧外殼
943‧‧‧顯示部
944‧‧‧操作鍵
945‧‧‧透鏡
946‧‧‧連接部
951‧‧‧外殼
952‧‧‧顯示部
954‧‧‧揚聲器
955‧‧‧按鈕
956‧‧‧輸入輸出端子
957‧‧‧麥克風
959‧‧‧相機
1100‧‧‧層
1200‧‧‧層
1300‧‧‧層
1400‧‧‧層
1500‧‧‧絕緣層
1510‧‧‧遮光層
1520‧‧‧有機樹脂層
1530a‧‧‧濾色片
1530b‧‧‧濾色片
1530c‧‧‧濾色片
1540‧‧‧微透鏡陣列
1550‧‧‧光學轉換層
1600‧‧‧支撐基板
圖1是說明成像裝置的結構的圖；圖2是說明成像裝置的工作的圖；圖3A1至圖3C是說明成像裝置的工作的圖； 圖4A和圖4B是說明成像裝置的結構和工作的圖；圖5是說明成像裝置的工作的圖；圖6是說明成像裝置的結構的圖；圖7是說明成像裝置的結構的圖；圖8是說明成像裝置的工作的圖；圖9A和圖9B是各說明成像裝置的電路圖；圖10是說明成像裝置的電路圖；圖11是說明成像裝置的剖面圖；圖12A和圖12B是說明成像裝置的剖面圖；圖13是示出監視系統的結構的一個例子的方塊圖；圖14A至圖14F是示出包括成像裝置的電子裝置的圖；圖15A至圖15C是說明成像裝置的電路圖及剖面圖。
下面，參照圖式對實施方式進行說明。注意，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是實施方式可以以多個不同形式來實施，其方式和詳細內容可以在不脫離本發明的精神及其範圍的條件下被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定於下面的實施方式所記載的內容中。
電晶體是半導體元件的一種，並且可以進行電流或電壓的放大、控制導通或非導通的切換工作等。本 說明書中的電晶體包括IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor：絕緣閘場效電晶體)和薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)。
另外，為了容易理解，圖式等所示的各構成要素的位置、大小、範圍等有時不表示實際上的位置、大小、範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
另外，本說明書等中使用的“第一”、“第二”、“第三”等序數詞是用來避免構成要素的混淆而附加的，而不是為了在數目方面上進行限定。
另外，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，包括如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。因此，不侷限於圖式或文中所示的連接關係等規定的連接關係，還包括圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係。
這裡，X和Y為對象物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜和層等)。
例如，在X和Y電連接的情況下，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)。開關被控制為導通和關閉。亦即，藉由使開關處於導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)來控制是否使電流流過。或者， 開關具有選擇並改變電流路徑的功能。
例如，當X和Y是功能連接時，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X和Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，也可以說X與Y在功能上是連接著的。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，包括如下情況：X與Y電連接的情況(換言之，X與Y中間夾有其他元件或其他電路而連接的情況)；X與Y在功能上連接的情況(換言之，X與Y中間夾有其他電路而在功能上連接的情況)；以及X與Y直接連接的情況(換言之，X與Y中間不夾有其他元件或其他電路的而連接的情況)。換言之，當明確記載為“電連接”時，與只明確記載為“連接”的情況相同。
注意，例如，電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況以及電 晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，並且，Z2的另一部分與Y直接連接的情況，可以以下面的表達方式來表示。
例如，可以表示為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相同的表達方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。注意，這種表達方法只是一個例子而已，不侷限於上述表達方法。在此，X、Y、Z1及Z2為對象物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜和層等)。
另外，即使圖式示出在電路圖上獨立的構成要素彼此電連接的情況，也有一個構成要素兼有多個構成要素的功能的情況。例如，在佈線的一部分被用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極這兩個構成要素的功能。 因此，在本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個構成要素的功能的情況。
另外，圖式中的方塊圖的各電路方塊的配置是為了方便說明而指定位置關係的，雖然示出了使用不同的電路方塊實現不同功能的情況，但是有時在實際的電路方塊中，也有設置為在相同的電路方塊中實現不同功能的情況。此外，圖式中的各電路方塊的功能是為了方便說明而指定功能的，雖然示出了一個電路方塊，但是有時在實際的電路方塊中，也有將藉由一個電路方塊進行的處理設定為藉由多個電路方塊進行的情況。
在本說明書中，“平行”是指在-10°以上且10°以下的角度的範圍中配置兩條直線的狀態。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。另外，“垂直”是指兩條直線形成的角度為80°以上且100°以下的狀態。因此，也包括該角度為85°以上且95°以下的狀態。
在本說明書中，六方晶系包括三方晶系和菱方晶系。
實施方式1
參照圖1說明本發明的一個實施方式的成像裝置的結構。本發明的一個實施方式的成像裝置包括具有配置成矩陣狀的多個像素100(PIX 100)的像素部105、類比處理電路101(Analog 101)、作為數位處理電路的A/D轉換電路102(ADC 102)、列驅動器103(CDRV 103)及行 驅動器104(RDRV 104)。
像素100各包括具有光電轉換元件之功能的光電二極體和一個以上的電晶體。類比處理電路101對從各像素100輸出的類比資料的成像資料進行類比資料處理。明確而言，類比處理電路101對從各像素100輸出的成像資料進行絕對差值和運算。在該運算的所得結果與預定值不同時，產生觸發信號(表示為TRIG)。A/D轉換電路102藉由A/D轉換將從各像素100輸出的成像資料轉換為數位資料。被進行A/D轉換的數位資料的部分藉由列驅動器103作為資料DATA依次提取到外部。作為列驅動器103和行驅動器104，可以使用各種電路如解碼器或移位暫存器等。
接著，參照圖2及圖3A1至圖3C說明本發明的一個實施方式的成像裝置的工作。
首先，說明第一模式的工作(參照圖2)。在第一模式中，在類比處理電路101中進行作為類比處理的絕對差值和運算並檢測出像素100所取的第一成像資料與第二成像資料的差異。如果作為該類比處理的結果，沒有第一成像資料與第二成像資料的差異，即不產生觸發信號時，則繼續進行類比處理。另一方面，如果作為該類比處理的結果，有第一成像資料與第二成像資料的差異，即產生觸發信號時，則模式轉換到第二模式。
作為另一個工作，在第一模式中，在類比處理電路101中進行對應於成像資料的差異的電流值與參考 電流值的比較並檢測出像素100所拍攝的第一成像資料與第二成像資料的差異。如果作為該類比處理的結果，第一成像資料與第二成像資料的差異小得不能夠被檢測出，即不產生觸發信號時，則繼續進行類比處理。另一方面，如果作為該類比處理的結果，有第一成像資料與第二成像資料的差異，即產生觸發信號時，則模式轉換到第二模式。
例如，在第一成像資料為樹叢的影像資料(參照圖3A1)且第二成像資料也是樹叢的影像資料(參照圖3A2)的情況下，兩者的差異是0。因此，不產生觸發信號。另一方面，在第一成像資料為樹叢的影像資料(參照圖3B1)且第二成像資料是樹叢和人物的影像資料(參照圖3B2)的情況下，兩者的差異不是0，從而產生觸發信號。因應觸發信號的產生，成像裝置的模式從第一模式轉換到第二模式。注意，在圖示中，第一成像資料和第二成像資料示出相同風景，但拍攝的時間不同。因此，有時第一成像資料被表示為第一狀態的成像資料，第二成像資料被表示為第二狀態的成像資料。
接著，說明第二模式的工作(參照圖2)。在第二模式中，藉由A/D轉換將像素100所取的第三成像資料轉換為數位資料。例如，在第三成像資料為樹叢和人物的影像資料的情況(參照圖3C)下，藉由將第三成像資料轉換為數位資料並對該資料進行詳細分析，可以取得資料內的人物的詳細資訊。在成像資料的分析時，進行使用電腦的影像處理軟體的數位處理即可。
接著，說明從第二模式轉換到第一模式時的工作(參照圖2的步驟110)。藉由預先設定條件而進行該工作。例如有在經過預定期間後或輸入有使數位處理結束的控制信號等條件。在滿足該條件的情況下，從第二模式轉換到第一模式。
在具有上述結構的本發明的一個實施方式的成像裝置中，在第一模式中，因為只進行用來產生觸發信號的最低限度的類比處理而不進行功耗龐大的數位處理，所以能夠減少功耗。在第二模式中，藉由數位處理可以詳細查核產生觸發信號的原因，即第一成像資料與第二成像資料的差異。
實施方式2
參照圖4A說明本發明的一個實施方式的成像裝置所包括的像素100的結構。像素100包括電晶體111、電晶體112、電晶體113、電晶體114、電晶體115、電容器121、電容器122及光電二極體123。從電源線VPD、電源線VPR、電源線VC、電源線VFR及電源線VO向像素100供應電位，從信號線TX、信號線PR、信號線FR及信號線SEL向像素100供應控制信號，像素100的成像資料輸出到信號線OUT。在電荷保持節點FD1中積蓄對應於成像資料的電荷。在此，電容器121的電容值較佳大於電容器122的電容值與電晶體114的閘極電容的電容值之和。
電晶體111的閘極電連接於信號線TX，其源極和汲極中的一個電連接於光電二極體123中的一個端子，其源極和汲極中的另一個電連接於電晶體112的源極和汲極中的一個。電晶體112的閘極電連接於信號線PR，其源極和汲極中的另一個電連接於電源線VPR。電晶體113的閘極電連接於信號線FR，其源極和汲極中的一個電連接於電容器122中的一個電極，其源極和汲極中的另一個電連接於電源線VFR。電晶體114的閘極電連接於電容器122中的一個電極，其源極和汲極中的一個電連接於電源線VO，其源極和汲極中的另一個電連接於電晶體115的源極和汲極中的一個。電晶體115的閘極電連接於信號線SEL，其源極和汲極中的另一個電連接於信號線OUT。電容器121的一個電極電連接於電晶體111的源極和汲極中的另一個和電晶體112的源極和汲極中的一個，另一個電容器121的電極電連接於電容器122中的一個電極和電晶體113中的源極和汲極中的一個。電容器122的另一個電極電連接於電源線VC。光電二極體123中的另一個端子電連接於電源線VPD。
參照圖4B和圖5說明像素100的工作。在此，例如電源線VPD為設定在低電位，電源線VPR為設定在高電位，電源線VC為設定在低電位，電源線VFR為設定在高電位，電源線VO為設定在高電位。首先，參照圖4B說明第二模式的工作。
從時刻T1至時刻T2，將信號線PR，信號線 FR和信號線TX設定為“H”。此時，將電荷保持節點FD1的電位設定為電源線VFR的電位(以V1表示)，將節點FD2的電位設定為電源線VPR的電位(以V2表示)。從時刻T2至時刻T3，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電位下降。在此，在節點FD2的電壓下降值表示為△V2時，節點FD2的電位表示為V2-△V2。另外，由於電容器121(電容值C1)及電容器122(電容值C2)和電晶體114的閘極電容(電容值Cg)的合成電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也下降。在此，在電荷保持節點FD1的電荷量下降值表示為△V1時，△V1=△V2．C1/(C1+C2+Cg)=△V2．α，電荷保持節點FD1的電位表示為V1-△V1。照射到光電二極體123的光越強，節點FD2的電位越低。電荷保持節點FD1的電位也下降。從時刻T4至時刻T5，將信號線SEL設定為“H”。此時，根據電荷保持節點FD1的電位，對應於成像資料的信號輸出到信號線OUT。電荷保持節點FD1的電位越低，信號線OUT的電位越低。就是說，照射到光電二極體123的光越強，信號線OUT的電位越低。關於時刻T6至時刻T10，可以以與時刻T1至時刻T5同樣的方式進行說明。
接著，參照圖5說明第一模式的工作。
時刻T01至時刻T06相當於第一狀態下的取得第一成像資料的期間。從時刻T01至時刻T02，將信號 線PR設定為“H”，將信號線FR設定為“H”，將信號線TX設定為“H”。此時，將電荷保持節點FD1的電位設定為電源線VFR的電位(V1)，將節點FD2的電位設定為電源線VPR的電位(V2)。從時刻T02至時刻T03，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“H”，將信號線TX設定為“H”。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電位下降。在此，在節點FD2的電壓下降值為△V2時，節點FD2的電位為V2-△V2。照射到光電二極體123的光越強，節點FD2的電位越低。電荷保持節點FD1的電位沒有變化。從時刻T03至時刻T04，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。時刻T02與時刻T03之間的間隔相等於時刻T03與時刻T04之間的間隔，即都為T。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電位下降，成為V2-2．△V2。由於電容器121、電容器122和電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也下降。在此，在電荷保持節點FD1的電壓下降值為△V1時，滿足△V1=△V2．α，電荷保持節點FD1的電位為V1-△V1。照射到光電二極體123的光越強，節點FD2的電位越低。電荷保持節點FD1的電位也下降。注意，雖然在此時刻T02與時刻T03之間的間隔相等於時刻T03與時刻T04之間的間隔，即都為上述的T，但是本發明的一個實施方式的本質是設定為時刻T02至時刻T03期間中的節點FD2的電壓下降值相等於時刻T03至時刻T04期 間中的節點FD2的電壓下降值。由此，較佳為以滿足上述條件的方式適當地調整時刻T02與時刻T03之間的間隔和時刻T03與時刻T04之間的間隔。從時刻T05至時刻T06，將信號線SEL設定為“H”。此時，根據電荷保持節點FD1的電位，對應於成像資料的信號輸出到信號線OUT。電荷保持節點FD1的電位越低，信號線OUT的電位越低。就是說，照射到光電二極體123的光越強，信號線OUT的電位越低。
時刻T11至時刻T15相當於第二狀態下的取得第二成像資料的期間。尤其是，相當於第一成像資料與第二成像資料的差異為0的情況。從時刻T11至時刻T12，將信號線PR設定為“H”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，將節點FD2的電位設定為電源線VPR的電位(V2)。就是說，電位上升相當於時刻T02至時刻T04中的電壓下降值(2．△V2)部分。另一方面，由於電容器121、電容器122和電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也上升，上升值(2．△V1)相當於時刻T03至時刻T04中的電壓下降值的兩倍。就是說，成為電源線VFR的電位(V1)加時刻T03至時刻T04中的電壓下降值(△V1)的電位(V1+△V1)。從時刻T12至時刻T13，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電位下降，並且由於電容器121、電容器122和電晶體 114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也下降。另外，照射到光電二極體123的光越強，節點FD2的電位越低。電荷保持節點FD1的電位也下降。
在此，在將時刻T12至時刻T13之間的間隔設定為T，並且將與時刻T02至時刻T04相同強度的光照射到光電二極體123時，節點FD2的電壓下降值相等於時刻T03至時刻T04的電壓下降值△V2。此外，電荷保持節點FD1的電壓下降值也相等於時刻T03至時刻T04的下降值△V1。因此，電荷保持節點FD1的電位為V1。這對應於第一成像資料與第二成像資料的差異為0的情況。
從時刻T14至時刻T15，將信號線SEL設定為“H”。此時，取決於電荷保持節點FD1的電位，對應於成像資料的信號輸出到信號線OUT。該信號的電位為在第一影像資料與第二影像資料之間的差異為0的情況下的電位。
時刻T21至時刻T25相當於第二狀態下取得第二成像資料的期間。尤其是，與時刻T11至時刻T15同樣，相當於第一成像資料與第二成像資料的差異為0的情況。
時刻T31至時刻T35相當於第二狀態下取得第二成像資料的期間。尤其是，相當於第一成像資料與第二成像資料的差異為有限(負)的情況。從時刻T31至時刻T32，將信號線PR設定為“H”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，將節點FD2的電位 設定為電源線VPR的電位(V2)。就是說，電位上升相當於時刻T12至時刻T13的電壓下降值(△V2)部分。另一方面，由於電容器121、電容器122及電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也上升，電位上升值(△V1)相當於時刻T12至時刻T13中的電壓下降值。就是說，成為電源線VFR的電位(V1)加時刻T03至時刻T04中的電壓下降值(△V1)的電位(V1+△V1)。從時刻T32至時刻T33，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電位下降，並且由於電容器121、電容器122及電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也下降。照射到光電二極體123的光比從時刻T12至時刻T13照射的光強。在此，在時刻T32與時刻T33之間的間隔為T時，節點FD2的電壓下降值(△V2’)比時刻T12至時刻T13中的下降值(△V2)大(△V2’>△V2)。此外，電荷保持節點FD1的電壓下降值(△V1’=△V2’．α)也比時刻T12至時刻T13的下降值(△V1)大(△V1’>△V1)。因此，電荷保持節點FD1的電位(V1+△V1-△V1’)低於電源線VFR的電位(V1)。這對應於第一成像資料與第二成像資料的差異為有限(負)的情況。
從時刻T34至時刻T35，將信號線SEL設定為“H”。此時，取決於電荷保持節點FD1的電位，對應於成像資料的信號輸出到信號線OUT。該信號的電位是低於 時刻T24至時刻T25中的該信號的電位，且在第一影像資料與第二影像資料之間的差異為有限(負)的情況下的電位。
時刻T41至時刻T45相當於第二狀態下的取得第二成像資料的期間。尤其是，相當於第一成像資料與第二成像資料的差異再次為0的情況。從時刻T41至時刻T42中，將信號線PR設定為“H”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，將節點FD2的電位設定為電源線VPR的電位(V2)。就是說，電位上升相當於時刻T32至時刻T33中的電壓下降值(△V2’)部分。另一方面，由於電容器121、電容器122及電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也上升，上升值(△V1’)相當於時刻T32至時刻T33中的電壓下降值部分。就是說，成為電源線VFR的電位(V1)加時刻T03至時刻T04中的電壓下降值(△V1)的電位(V1+△V1)。從時刻T42至時刻T43，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電位下降，並且由於電容器121、電容器122及電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也下降。照射到光電二極體123的光越強，節點FD2的電位越低。電荷保持節點FD1的電位也下降。在此，在將時刻T42至時刻T43之間的間隔設定為T並且將與時刻T02至時刻T04相同強度的光照射到光電二極體123 時，節點FD2的電壓下降值相等於時刻T03至時刻T04中的下降值△V2。此外，電荷保持節點FD1的電壓下降值也相等於時刻T03至時刻T04中的下降值△V1。因此，電荷保持節點FD1的電位為V1。這對應於第一成像資料與第二成像資料的差異為0的情況。從時刻T44至時刻T45，將信號線SEL設定為“H”。此時，取決於電荷保持節點FD1的電位，對應於成像資料的信號輸出到信號線OUT。該信號的電位為在第一影像資料與第二影像資料之間的差異為0的情況下的電位。
時刻T51至時刻T55相當於第二狀態下的取得第二成像資料的期間。尤其是，相當於第一成像資料與第二成像資料的差異為有限(正)的情況。從時刻T51至時刻T52，將信號線PR設定為“H”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，將節點FD2的電位設定為電源線VPR的電位(V2)。就是說，電位上升相當於時刻T42至時刻T43中的電壓下降值(△V2)部分。另一方面，由於電容器121、電容器122及電晶體114的閘極電容的電容耦合，電荷保持節點FD1的電位也上升，上升值(△V1)相當於時刻T42至時刻T43中的電壓下降值。就是說，成為電源線VFR的電位(V1)加時刻T03至時刻T04中的電壓下降值(△V1)的電位(V1+△V1)。
從時刻T52至時刻T53，將信號線PR設定為“L”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”。此時，根據照射到光電二極體123的光，節點FD2的電 位下降，並且由於電容器121、電容器122及電晶體114的閘極電容的電容耦合而電荷保持節點FD1的電位也下降。照射到光電二極體123的光比從時刻T12至時刻T13照射的光弱。
在此，在時刻T52與時刻T53之間的間隔為T時，節點FD2的電壓下降值(△V2”)比時刻T12至時刻T13中的下降值(△V2)小(△V2”<△V2)。此外，電荷保持節點FD1的電壓下降值(△V1”=△V2”．α)也比時刻T12至時刻T13中的下降值(△V1)小(△V1”<△V1)。因此，電荷保持節點FD1的電位(V1+△V1-△V1”)高於電源線VFR的電位(V1)。這對應於第一成像資料與第二成像資料的差異為有限(正)的情況。
從時刻T54至時刻T55，將信號線SEL設定為“H”。此時，取決於電荷保持節點FD1的電位，對應於成像資料的信號輸出到信號線OUT。該信號的電位是高於時刻T24至時刻T25中的該信號的電位，且在第一影像資料與第二影像資料之間的差異為有限(正)的情況下的電位。
在本實施方式中，雖然說明了從時刻T05至時刻T06輸出第一成像資料的情況，但是在只要能夠取得第一成像資料與第二成像資料的差異資料即可的情況，即不需要輸出第一成像資料的情況下，可以省略時刻T03至時刻T06的工作。省略時刻T03至時刻T06的工作的情況下的工作如下。就是說，從時刻T11至時刻T12，在將 信號線PR設定為“H”，將信號線FR設定為“L”，將信號線TX設定為“H”時，節點FD2的電位從時刻T03的電位V2-△V2變為電位V2。另外，電荷保持節點FD1的電位從時刻T03的電位V1上升到電位V1+△V1。另外，時刻T12以後的工作可以參考上述說明。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合來使用。
實施方式3
參照圖6說明本發明的一個實施方式的成像裝置所包括的類比處理電路的結構的一個例子。類比處理電路包括減法電路SUB[1]至SUB[n]、絕對值電路ABS[1]至ABS[n]以及加法電路SUM。
減法電路SUB[1]至減法電路SUB[n]對各個像素的信號線OUT[1]至信號線OUT[n]的電位與參考電位VREF進行減法。準備與像素100等效的偽電路，產生參考電位VREF，該參考電位VREF採用將電荷保持節點FD1的電位設定為VFR時的信號線OUT的電位。減法電路SUB[1]至減法電路SUB[n]分別包括OP放大器OP0和電阻器R01至電阻器R04。在此，在減法電路SUB[1]中，將信號線OUT[1]的電位設定為V10，將VREF的電位設定為V20。此外，設定電阻器R01至電阻器R04的電阻值以滿足如下算式(1)、(2)。
R01=R04 (1)
R04/R01=R03/R02 (2)
此時，減法電路SUB[1]的輸出滿足如下算式(3)。
V0=V20-V10 (3)
上述情況也同樣適用於減法電路SUB[2]至減法電路SUB[n]的輸出。
絕對值電路ABS[1]至絕對值電路ABS[n]分別輸出減法電路SUB[1]至減法電路SUB[n]的輸出的絕對值。絕對值電路ABS[1]至絕對值電路ABS[n]分別包括OP放大器OP11、OP放大器OP12、電阻器R11至電阻器R15、二極體D11以及二極體D12。在此，在絕對值電路ABS[1]中，輸入信號的電位以V10’表示，且設定電阻值以使R11=R12、R13×2=R14=R15，從而絕對值電路ABS[1]的輸出等於|V10’|。
上述情況也同樣適用於絕對值電路ABS[2]至絕對值電路ABS[n]的輸出。
加法電路SUM輸出絕對值電路ABS[1]至絕對值電路ABS[n]的輸出之和。加法電路SUM包括OP放大器OP21、OP放大器OP22、電阻器R21至電阻器R2n、電阻器R31至電阻器R33。在此，在絕對值電路ABS[1]至絕對值電路ABS[n]的各個輸出的電位為V10”至Vn0”且以滿足R21=(省略)=R2n=R31、R32=R33的方式 設定電阻值時，加法電路SUM的輸出等於為V10”+(省略)+Vn0”。在將該輸出用作觸發信號TRIG時，在第一成像資料與第二成像資料相同的情況下，TRIG=0。另一方面，在第一成像資料與第二成像資料不同的情況下，TRIG=1。
藉由採用上述結構，可以提供一種能夠以低功耗檢測差異的成像裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合來使用。
實施方式4
參照圖7說明本發明的一個實施方式的成像裝置所包括的類比處理電路的結構的一個例子。類比處理電路包括電晶體136、電晶體137、電晶體138、電晶體139、電晶體140、電晶體141、電晶體142、電晶體143、電晶體144、電晶體145、電晶體146、電晶體147、電晶體148、電容器149、比較器CMP+以及比較器CMP-。適當地設定參考電位線Vref+、參考電位線Vref-的電位。
圖8是示出類比處理電路的工作的時序圖。
從時刻T61至時刻T62，將信號線ABU設定為“H”，將信號線AOP設定為“L”，將信號線ATC設定為“H”。另外，將信號線FR設定為“H”，將信號線SEL[x]設定為“H”。信號線SEL[x]是任意行(第x行；x為m以下的自然數)的信號線SEL。此時，供應到第y列的信號線 OUT[y](y為n以下的自然數)的電流等於將第x行的各像素PIX的電晶體114的閘極電位設定為VFR時的電流量，即初始圖框的成像資料與當前圖框的成像資料的差異為0時的電流量I0[y]。該電流量I0[y]也可被稱為(第y列的)參考電流量。注意，相當於各列的參考電流量的電流量I0[1]至電流量I0[n]不總是相同的，但從下文可以明顯看出，電流量I0[1]至電流量I0[n]的各值沒有直接影響到類比處理電路的工作。因此，以下，將電流量I0[1]至電流量I0[n]各者都表示為電流量I0。
流過電晶體136的電流Ip[1]至電流Ip[n]相等於電流量I0，電流Ic[1]至電流Ic[n]也相等於電流量I0。再者，流至藉由電晶體138連接汲極與閘極的電晶體137的電流也相等於電流量I0。尤其是，將充電在電容器149中的電位設定為相當於使電流量I0流過時需要的閘極電壓的電位。
從時刻T63至時刻T64，將信號線ABU設定為“H”，將信號線AOP設定為“H”，將信號線ATC設定為“L”，將信號線SEL[1]設定為“H”。此時，相當於第一行的各像素的差異資料的電流被供應到各列的信號線OUT[1]至信號線OUT[n]各者。在此，在第一行的各像素的差異資料為0時，供應到各列的信號線OUT[1]至信號線OUT[n]的電流相等於I0，流過電晶體136的電流Ip[1]至電流Ip[n]相等於I0，電流Ic[1]至電流Ic[n]也相等於電流量I0。
從時刻T64至時刻T65，將信號線ABU設定為“H”，將信號線AOP設定為“H”，將信號線ATC設定為“L”，將信號線SEL[2]設定為“H”。此時，相當於第二行的各像素的差異資料的電流被供應到各列的信號線OUT[1]至信號線OUT[n]。在此，在第二行的各像素的差異資料為有限(負)且供應到第y列的信號線OUT[y]的電流為(I0-△Iy)時，流過第y列的電晶體136的電流Ip[y]相等於(I0-△Iy)，並且電流Ic[y]相等於電流量I0，所以電流△Iy流過第y列的電晶體139和電晶體140。
在此，為了使電流△I1至電流△In流過在對應列中的電晶體140中，需要供應對應於它們之和的電流I-。在此，由於比較器CMP-和電晶體142的工作而供應該電流I-。也就是說，在流在各列中的電晶體140中的電流之和少(多)於I-的情況下，比較器CMP-的+端子的電位下降(上升)，而因此，比較器CMP-的輸出下降(上升)。即，電晶體142的閘極電壓下降(上升)，供應更多(少)的電流I-變成可能。
再者，因為與電晶體142的閘極相同的電位被施加到電晶體143，所以將電流I-乘以n1所獲得的電流n1．I-，即電晶體143與電晶體142的W/L比，流到電晶體143中。此外，由於使用電晶體148和電晶體143構成的緩衝器，信號TRIG設成為“H”。另外，電晶體148的閘極被施加偏壓電壓bias。
從時刻T66至時刻T67，將信號線ABU設定為“H”，將信號線AOP設定為“H”，將信號線ATC設定為“L”，將信號線SEL[m]設定為“H”。此時，相當於第m行的各像素的差異資料的電流被供應到各列的信號線OUT[1]至信號線OUT[n]。在此，在第m行的各像素的差異資料為第一列是有限(正)，第二列是有限(正)，第n列是有限(負)，其他列是0且供應到各列的信號線OUT[1]、信號線OUT[2]及信號線OUT[n]的電流為(I0+△I1)、(I0+△I2)、(I0-△In)時，流過電晶體136的電流Ip[1]、電流Ip[2]及電流Ip[n]相等於(I0+△I1)、(I0+△I2)、(I0-△In)，並且電流Ic[1]至電流Ic[n]相等於電流量I0，所以電流△I1、△I2流過第一列、第二列的電晶體139和電晶體140，電流△In流過第n列的電晶體139和電晶體141。
在此，為了使電流△I1、△I2流過第一列、第二列的電晶體140，需要供應相當於它們之和的電流I-=△I1+△I2。在此，由於比較器CMP-和電晶體142的工作而供應該電流I-。就是說，在流在各列的電晶體140中的電流少(多)於電流△I的情況下，比較器CMP-的+端子的電位下降(上升)，由此比較器CMP-的輸出下降(上升)。即，電晶體142的閘極電壓下降(上升)，結果變得可能夠供應更多(少)的電流I-。
此外，為了使電流△In流過在第n列中的電晶體141中，需要供應電流I+=△In。在此，由於比較器 CMP+和電晶體144的工作而能夠使該電流I+流過。也就是說，在流在第n列中的電晶體141中的電流少(多)於△In的情況下，比較器CMP+的+端子的電位上升(下降)，而因此比較器CMP+的輸出上升(下降)。即，電晶體144的閘極電壓上升(下降)，結果3供應更多(少)的電流I+變成可能。
另外，因為與電晶體142的閘極相同的電位被施加到電晶體143，所以將電流I-乘以n1所獲得的電流n1．I-，即電晶體143與電晶體142的W/L比，流到電晶體143中。
再者，因為與電晶體144的閘極相同的電位被施加到電晶體145，所以將電流I+乘以n2所獲得的電流n2．I+，即電晶體145與電晶體144的W/L比，流到電晶體145中。流過電晶體145中的電流也流過電晶體146中，並且，將電流n2．I+乘以n3所獲得的電流n3．n2．I+，即電晶體147與電晶體146的W/L比，流到電晶體147中。由於由電晶體148、電晶體143及電晶體147構成的緩衝器，信號TRIG設成為“H”。
藉由採用上述結構，可以提供一種能夠以低功耗檢測差異的成像裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合來使用。
實施方式5
在本實施方式中，說明上述實施方式所說明的像素的變形例子。
圖9A示出作為圖4A的電路圖中的電晶體的半導體層採用氧化物半導體的電路圖的變形例子。在圖9A所示的像素100A中，電晶體111至115各都具有在半導體層中包含氧化物半導體的結構。
注意，在電路圖中，為了明確表示在半導體層中包含氧化物半導體的電晶體(也稱為OS電晶體)，對包括氧化物半導體的電晶體附上“OS”的符號。
OS電晶體具有其關態電流特性極低的特性。由此，可以擴大成像的動態範圍。在圖9A所示的電路中，當照射到光電二極體123的光強度大時，電荷保持節點FD1的電位變低。由於OS電晶體具有極低的關態電流，由此即使在閘極電位極低的情況下也可以準確地輸出對應於該閘極電位的電流。因此，可能可以擴大能夠檢測出的照度的範圍，即動態範圍。
因為OS電晶體的關態電流特性極低的特性，所以可以使能夠在電荷保持節點FD1中保持電荷的期間極長，從而可以在不使電路結構及工作方法複雜化的情況下使用全域快門系統，而因此，即使在運動物體的情況下，也可以容易獲得畸變小的影像。此外，因為相同的原因，曝光時間(進行電荷的積蓄工作的期間)可以是長的，因此即使在低照度環境下，該成像裝置也適用於成像。
另外，OS電晶體的電特性變動的溫度依賴性 比Si電晶體小。由此，可以在極廣的溫度範圍中使用。因此，具有OS電晶體的成像裝置及半導體裝置還適合安裝在汽車、飛機、航天器等。
圖9B示出對圖9A的電路圖進一步進行變形的像素100B的電路圖的變形例子。在圖9B所示的像素100B中，電晶體114和115具有在半導體層中包含矽的結構。
注意，在電路圖中，為了明確表示在半導體層中包含矽的電晶體(也稱為Si電晶體)，對使用矽的電晶體附上“Si”的符號。
比起OS電晶體，Si電晶體具有絕佳場效移動率的特性。因此，可以使流在用作放大電晶體的電晶體中的電流量增加。例如，在圖9B中，取決於積蓄在電荷保持節點FD1中的電荷，可以使流在電晶體114、115中的電流量增加。
圖10示出其中使用感測器123A代替圖4A的電路圖中的光電二極體123的像素100C的電路圖。
作為感測器123A，能夠將被施加的物理量轉換為流在元件中的電流量的元件為較佳。或者，能夠在將被施加的物理量轉換為其他物理量之後將其轉換為流在元件中的電流量的元件為較佳。
作為感測器123A，可以使用各種感測器。例如，作為感測器123A，可以使用溫度感測器、光學感測器、氣體感測器、火焰感測器、煙霧感測器、濕度感測 器、壓力感測器、流量感測器、振動感測器、聲音感測器、磁感測器、輻射感測器、氣味感測器、花粉粒感測器、加速度感測器、傾斜度感測器、陀螺儀感測器、方位感測器、功率感測器等。
例如，在作為感測器123A使用光學感測器的情況下，也可以使用上述光電二極體或光電電晶體。
另外，在作為感測器123A使用氣體感測器的情況下，可以使用檢測由於氣體附著於氧化錫等金屬氧化物半導體而發生的電阻的變化的半導體式氣體感測器、接觸燃燒式氣體感測器、固體電解質式氣體感測器等。
圖15A示出像素PIX_SE的電路圖，其中使用作為光電轉換元件的硒類半導體元件SSe代替圖4A的電路圖中的光電二極體123或者圖10的電路圖中的感測器123A。
硒類半導體元件SSe是可以藉由利用雪崩倍增而進行光電轉換的元件，雪崩倍增是藉由施加電壓可以從一個入射光子取出多個電子的現象。因此，包括硒類半導體元件SSe的像素PIX_SE可以使相對於被入射的光量的電子的放大率增加，從而可以實現高靈敏度的感測器。
對於硒類半導體元件SSe，可以使用包括非晶性結構的硒類半導體或包括結晶性結構的硒類半導體。例如，包括結晶性結構的硒類半導體可以以下述方式得到，沉積包括非晶性結構的硒類半導體，而後進行熱處理。注意，因為像素的特性變異降低，而得到的影像的影像品質 變均勻，所以包括結晶性結構的硒類半導體的結晶粒徑小於像素間距是較佳的。
硒類半導體中的具有結晶性的硒類半導體具有在廣大波長區中具有吸光係數的特性。因此，可以用作可視光、紫外光、X射線或伽馬射線等廣波長區的成像元件，並可以用作能夠將X射線或伽馬射線等短波長區的光直接轉換為電荷的所謂直接轉換型元件。
圖15B是對應於圖15A所示的電路結構的一部分的剖面結構的示意圖。圖15B圖示電晶體111、連接於電晶體111的電極EPix、硒類半導體元件SSe、電極EVPD以及基板Sub。
從設置有電極EVPD及基板Sub的一側向硒類半導體SSe入射光。由此，電極EVPD及基板Sub較佳為具有透光性。作為電極EVPD可以使用銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)，作為基板Sub可以使用玻璃基板。
硒類半導體元件SSe及層疊在硒類半導體元件SSe上的電極EVPD不需要根據每個像素對其形狀進行加工。因為可以減少用於加工形狀的製程，所以可以減少製造成本並提高良率。
作為硒類半導體，可以舉出黃銅礦(chalcopyrite)類半導體。明確而言，可以舉出CuIn1-xGaxSe2(0x1)(簡稱為CIGS)。藉由蒸鍍法或濺射法等可以形成CIGS。
藉由對作為黃銅礦類半導體的硒類半導體施 加幾V(5至20V)左右的電壓，可以出現雪崩倍增。藉由對硒類半導體施加電壓，由於照射光而產生的信號電荷的移動可以具有高線性度。藉由使硒類半導體的厚度薄即1μm以下，可以減小施加的電壓。
雖然在硒類半導體的厚度小的情況下，在施加電壓時會流過暗電流；但是，在作為上述黃銅礦類半導體的CIGS中設置用來抑制流過暗電流的層(電洞注入能障層)，可以防止流過暗電流。對於電洞注入能障層，可以使用氧化物半導體，例如可以使用氧化鎵。電洞注入能障層的厚度較佳小於硒類半導體的厚度。
圖15C是與圖15B不同的剖面結構的示意圖。圖15C圖示出電晶體111、連接於電晶體111的電極EPix、硒類半導體SSe、電極EVPD、基板Sub以及電洞注入能障層EOS。
如上所述，藉由作為感測器使用硒類半導體SSe，可以減少製造成本，提高良率，並降低像素之間的特性不均勻，從而可以實現高靈敏度的感測器。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合來使用。
實施方式6
在本實施方式中，參照圖式說明構成成像裝置的元件的剖面結構。在本實施方式中，作為一個例子，對在上述實施方式4中參照圖9B說明的使用Si電晶體及OS電晶 體構成像素的剖面結構進行說明。
圖11是構成成像裝置的元件的剖面圖。圖11所示的成像裝置包括在矽基板40上設置的Si電晶體51、在Si電晶體51上層疊設置的OS電晶體52及OS電晶體53、以及設置在矽基板40中的光電二極體60。各電晶體及光電二極體60與各種接觸插頭70及佈線層71電連接。此外，光電二極體60的陽極61隔著低電阻區域63與接觸插頭70電連接。
成像裝置包括：具有設置在矽基板40的Si電晶體51及光電二極體60的層1100；與層1100接觸地設置且具有佈線層71的層1200；與層1200接觸地設置且具有OS電晶體52及OS電晶體53的層1300；以及與層1300接觸地設置且具有佈線層72及佈線層73的層1400。
在圖11的剖面圖的一個例子中，在矽基板40中，與形成有Si電晶體51的面相反一側的面具有光電二極體60的受光面。藉由採用該結構，可以確保光路而不受到各種電晶體或佈線等的影響。因此，可以形成高開口率的像素。此外，也可以使光電二極體60的受光面與形成有Si電晶體51的面是相同的面。
在使用在上述實施方式4中參照圖9A說明的OS電晶體構成像素時，層1100為具有OS電晶體的層，即可。或者，也可以只使用OS電晶體構成像素而省略層1100。
另外，作為矽基板40不侷限於塊矽基板，也可以使用SOI基板。此外，也可以使用以鍺、矽鍺、碳化矽、鎵砷、砷化鋁鎵、磷化銦、氮化鎵、有機半導體為材料的基板代替矽基板40。
在此，雖然對設置絕緣層80的位置沒有限制，但要在包括Si電晶體51及光電二極體60的層1100與包括OS電晶體52及OS電晶體53的層1300之間設置有絕緣層80。
設置在Si電晶體51的活性區域附近的絕緣層中的氫使矽的懸空鍵終結，因此可以改善提高Si電晶體51的可靠性。另一方面，設置在上層的OS電晶體52及OS電晶體53等的作為活性層的氧化物半導體層附近的絕緣層中的氫有可能成為在氧化物半導體中產生載子的原因之一，因此有時引起OS電晶體52及OS電晶體53等的可靠性的下降。因此，在使用矽類半導體材料的電晶體上設置使用氧化物半導體的電晶體的情況下，較佳為在該兩個電晶體之間設置具有防止氫擴散的功能的絕緣層80。絕緣層80將氫保持在下層中，藉此可以改善Si電晶體51的可靠性。此外，由於能夠抑制氫從下層擴散到上層，所以可以提高OS電晶體52及OS電晶體53等的可靠性。
作為絕緣層80例如可以使用氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鎵、氧氮化鎵、氧化釔、氧氮化釔、氧化鉿、氧氮化鉿、釔安定氧化鋯(YSZ)等。
在圖11的剖面圖中，可以以彼此重疊的方式形成設置在層1100中的光電二極體60與設置在層1300中的電晶體。由此，可以提高像素的集成度。就是說，可以提高成像裝置的解析度。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合來使用。
實施方式7
在本實施方式中，參照圖式說明對影像裝置附加了濾色片等的一個例子的剖面結構。
圖12A是對圖11所示的成像裝置附加了濾色片等的一個例子的剖面圖，該剖面圖示出相當於三個像素的電路(電路91a、電路91b及電路91c)所占的區域。在形成於層1100中的光電二極體60上形成有絕緣層1500。作為絕緣層1500，可以使用具有高可見光透射性的氧化矽膜。此外，氮化矽膜也可以層疊作為鈍化膜。另外，作為抗反射膜也可以層疊氧化鉿的介電膜。
在絕緣層1500上形成有遮光層1510。遮光層1510具有防止透過上部濾色片的光的混色的功能。作為遮光層1510，也可以是採用鋁及鎢等金屬層、或層疊該金屬層與被用作抗反射膜的介電膜的結構。
在絕緣層1500及遮光層1510上形成有被用作平坦化膜的有機樹脂層1520。在電路91a、電路91b及電路91c上以與其成對的方式分別形成濾色片1530a、濾 色片1530b及濾色片1530c。藉由對濾色片1530a、濾色片1530b及濾色片1530c分別分配R(紅色)、G(綠色)及B(藍色)等，可以獲得彩色影像。
在濾色片1530a、濾色片1530b及濾色片1530c上設置有微透鏡陣列1540，透過一個透鏡的光透過透鏡正下面的濾色片，而照射到光電二極體。
以與層1400接觸的方式設置支撐基板1600。支撐基板1600可以使用矽基板等的半導體基板、玻璃基板、金屬基板、陶瓷基板等硬質基板。此外，也可以在層1400與支撐基板1600之間形成有用作黏合層的無機絕緣層或有機樹脂層。
在上述成像裝置的結構中，也可以使用光學轉換層1550代替濾色片1530a、濾色片1530b及濾色片1530c(參照圖12B)。藉由使用光學轉換層1550，可以實現獲得各種波長區域的影像的成像裝置。
例如，藉由作為光學轉換層1550使用阻擋可見光線的波長以下的光的濾光片，可以形成紅外線成像裝置。另外，藉由作為光學轉換層1550使用阻擋近紅外線的波長以下的光的濾光片，可以形成遠紅外線成像裝置。另外，藉由作為光學轉換層1550使用阻擋可見光線的波長以上的光的濾光片，可以形成紫外線成像裝置。
另外，當閃爍體用作為光學轉換層1550時，可以獲得諸如醫療用X射線成像裝置的獲得使輻射強度視覺化的影像的成像裝置。諸如X射線的輻射穿透過拍攝目 標入射到閃爍體，由於被稱為光致發光的現象，而然後將該輻射轉換為可見光線或紫外光線等的光(螢光)。然後，光電二極體60檢測該光來獲得影像資料。
閃爍體由在被照射X射線或伽馬射線等輻射時吸收其能量而發射可見光或紫外線的物質或者含有該物質的材料構成，例如，已知Gd2O2S：Tb、Gd2O2S：Pr、Gd2O2S：Eu、BaFCl：Eu、NaI、CsI、CaF2、BaF2、CeF3、LiF、LiI、ZnO等材料或者將其分散到樹脂或陶瓷中而成的材料。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合來使用。
實施方式8
在本實施方式中，對在上述實施方式中說明的OS電晶體進行說明。
藉由減少氧化物半導體中的雜質濃度，使氧化物半導體成為本質或實質上本質，可以減少OS電晶體的關態電流。在此，“實質上本質”是指以下狀態，其中氧化物半導體具有低於1×1017/cm3的載子密度，較佳低於1×1015/cm3，更佳低於1×1013/cm3。在氧化物半導體中，氫、氮、碳、矽以及除了主要成分以外的金屬元素都是雜質。例如，氫和氮形成施體能階以增高載子密度，而矽在氧化物半導體層中形成雜質能階。
使用本質或實質上本質的氧化物半導體的電 晶體具有低的載子密度，因此很少具有負臨界電壓。此外，包括該氧化物半導體的電晶體由於氧化物半導體中的載子陷阱少，因此具有小變動的電特性以及高可靠性。此外，包括該氧化物半導體的電晶體可以致能極低的關態電流。
在減少了關態電流的OS電晶體中，在室溫(25℃左右)下可以將每通道寬度1μm的正規化的關態電流設定為1×10-18A以下，較佳為1×10-21A以下，更佳為1×10-24A以下，或者，在85℃的溫度下可以設定為1×10-15A以下，較佳為1×10-18A以下，更佳為1×10-21A以下。
另外，關態電流是指在電晶體為n通道型並處於非導通狀態時流過源極與汲極之間的電流。例如，n通道型電晶體的臨界電壓為0V至2V左右)，可以將在施加到閘極與源極之間的電壓為負電壓時流過源極與汲極之間的電流稱為關態電流。
作為用於OS電晶體的半導體層的氧化物半導體，較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。尤其較佳為包含In及Zn。除了In及Zn以外，較佳為還包含使氧堅固地結合的穩定劑(stabilizer)。作為穩定劑，包含鎵(Ga)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)和鋁(Al)中的至少一種即可。
另外，作為其他穩定劑，也可以包含鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鎦(Lu)中的一種或多種。
作為用於電晶體的半導體層的氧化物半導體，例如可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Ti-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物等。
例如，可以使用其原子個數比為In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=3：1：2或In：Ga：Zn=2：1：3的In-Ga-Zn類氧化物或具有與其類似的組成的氧化物。
當構成半導體層的氧化物半導體膜含有多量的氫時，該氫與氧化物半導體鍵合而使該氫的一部分作為施體，因此產生作為載子的電子。其結果是，導致電晶體的臨界電壓向負方向漂移。因此，較佳為藉由在形成氧化 物半導體膜之後進行脫水化處理(脫氫化處理)，從氧化物半導體膜中去除氫或水分以使其儘量不包含雜質來實現高度純化。
另外，在一些情況下，藉由進行脫水化處理(脫氫化處理)，在氧化物半導體膜中的氧也減少。由此，較佳的是，將在由於進行脫水化處理(脫氫化處理)時減少的氧加入氧化物半導體，或者藉由過度地供給氧以填補氧化物半導體膜中的氧缺陷。
以此方式，藉由進行脫水化處理(脫氫化處理)從氧化物半導體膜中去除氫或水分，並進行加氧化處理以填補其中的氧缺陷，藉此氧化物半導體膜可以轉變成i型(本質)化的氧化物半導體膜或無限趨近於i型而實質上呈i型(本質)的氧化物半導體膜。注意，“實質上本質”是指：氧化物半導體膜含有來自於施體的載子極少(近於零)，並具有載子密度為1×1017/cm3以下，1×1016/cm3以下，1×1015/cm3以下，1×1014/cm3以下，1×1013/cm3以下。
如此，具備i型或實質上呈i型的氧化物半導體膜的電晶體可以實現極為優良的關態電流特性。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合來使用。
實施方式9
在本實施方式中，對將在上述實施方式中說明的成像裝置應用於監視裝置(也稱為監視系統)的情況進行說 明。
圖13是示出本實施方式的監視裝置的結構實例的方塊圖。監視裝置包括相機200、記憶體裝置211、顯示裝置212及警報裝置213。相機200包括成像裝置220。相機200所拍攝的影像記錄在記憶體裝置211中，並顯示在顯示裝置212中。當相機200檢測出變動等時，警報裝置213向管理者給予警報。
當在相機200中檢測出差異資料時，成像裝置220產生觸發信號。在沒有產生觸發信號時繼續進行類比處理，在產生觸發信號時進行數位處理。由於不需要連續不斷地進行使用龐大電力的數位處理，所以可以減少功耗。
例如，將第一狀態設定為在監視區內確實沒有侵入者的狀態，將第二狀態設定為現在的狀態。在此，在成像裝置220以第一模式工作且不存在侵入者的情況下，第一成像資料與第二成像資料相同，由此差異資料是0。因此，對在類比處理電路中從各像素讀出的差異資料進行絕對差值和運算的結果是0，於是不產生觸發信號。另一方面，因為在有侵入者的情況下第一成像資料與第二成像資料不同，所以差異資料是有限的。因此，對在類比處理電路中從各像素讀出的差異資料進行絕對差值和運算的結果是有限的，於是產生觸發信號。伴隨觸發信號的產生，成像裝置220轉換到第二模式，在數位處理電路中將第三成像資料轉換為數位資料，並且藉由個人電腦等的數 位處理執行所攝之影像的詳細分析。其結果，能夠取得侵入者的詳細資訊。
由此，當在影像中沒有檢測出移動的期間中，成像裝置220不進行數位處理。其結果，可以抑制相機200中的功耗。另外，由此記憶體裝置211的儲存電容可以藉由沒有檢測出移動的期間中的影像資料來節省，長時間的錄影是可能的。
警報裝置213在產生觸發信號時對周圍報警，即可。或者，也可以根據識別系統的對照而判定是否報警。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式10
在本實施方式中，對使用根據本發明的一個實施方式的成像裝置的電子裝置的一個例子進行說明。
本發明的一個實施方式的成像裝置的電子裝置的具體例子如下：電視機、顯示器等顯示裝置、照明設備、桌上型或膝上型個人電腦、文字處理機、再現儲存在DVD(Digital Versatile Disc：數位影音光碟)等儲存媒體中的靜態影像或動態影像的影像再現裝置、可攜式CD播放機、收音機、磁帶錄音機、頭戴式耳機音響、音響、導航系統、桌鐘、掛鐘、無線電話子機、步話機、行動電話機、車載電話、可攜式遊戲機、平板終端、彈珠機等大型 遊戲機、計算器、可攜式資訊終端、電子筆記本、電子書閱讀器終端、電子翻譯器、聲音輸入器、攝影機、數位靜態照相機、電動剃鬚刀、微波爐等高頻加熱裝置、電鍋、洗衣機、吸塵器、熱水器、電扇、吹風機、空調設備諸如空調器、加濕器、除濕器等、洗碗機、烘碗機、乾衣機、烘被機、電冰箱、電冷凍箱、電冷藏冷凍箱、DNA保存用冰凍器、手電筒、鏈鋸等工具、煙霧探測器、透析裝置等醫療設備、傳真機、印表機、複合式印表機、自動取款機(ATM)、自動販賣機等。再者，還可以舉出工業設備諸如引導燈、信號機、傳送帶、自動扶梯、電梯、工業機器人、蓄電系統、用於使電力均勻化或智慧電網的蓄電裝置。另外，利用來自使用燃料的發動機或來自非水類二次電池的電力藉由電動機推進的移動體等也包括在電子裝置的範疇內。作為上述移動體，例如可以舉出電動汽車(EV)、兼具內燃機和電動機的混合動力汽車(HEV)、插電式混合動力汽車(PHEV)、使用履帶代替這些的車輪的履帶式車輛、包括電動輔助自行車的電動自行車、摩托車、電動輪椅、高爾夫球車、小型或大型船舶、潛水艇、直升機、飛機、火箭、人造衛星、太空探測器、行星探測器、太空船等。
圖14A示出視頻攝影機，該視頻攝影機包括外殼941、外殼942、顯示部943、操作鍵944、透鏡945、連接部946等。操作鍵944及透鏡945設置在外殼941中，顯示部943設置在外殼942中。外殼941和外殼 942由連接部946連接，由連接部946可以改變外殼941和外殼942之間的角度。顯示部943上所顯示的影像也可以根據連接部946所形成的外殼941和外殼942之間的角度切換。可以將本發明的一個實施方式的成像裝置設置在透鏡945的焦點的位置上。
圖14B示出行動電話，在外殼951中設置有顯示部952、麥克風957、揚聲器954、相機959、輸入輸出端子956以及操作用的按鈕955等。可以將本發明的一個實施方式的成像裝置用於相機959。
圖14C示出數位相機，該數位相機包括外殼921、快門按鈕922、麥克風923、發光部927以及透鏡925等。可以將本發明的一個實施方式的成像裝置設置在成為透鏡925的焦點的位置上。
圖14D示出可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機包括外殼901、外殼902、顯示部903、顯示部904、麥克風905、揚聲器906、操作鍵907、觸控筆908以及相機909等。注意，雖然圖14A所示的可攜式遊戲機包括兩個顯示部903和顯示部904，但是可攜式遊戲機所包括的顯示部的個數不限於此。可以將本發明的一個實施方式的成像裝置用於相機909。
圖14E示出手錶型資訊終端，該手錶型資訊終端包括外殼931、顯示部932、腕帶933以及相機939等。顯示部932也可以是觸控面板。可以將本發明的一個實施方式的成像裝置用於相機939。
圖14F示出可攜式資料終端，該可攜式資料終端包括外殼911、顯示部912、相機919等。顯示部912的觸摸功能可以致能輸入且輸出資訊。可以將本發明的一個實施方式的成像裝置用於相機919。
當然，只要是具備本發明的一個實施方式的成像裝置，例子就不侷限於上述所示的電子裝置。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合來使用。
105‧‧‧像素部
TRIG‧‧‧信號
DATA‧‧‧資料

Claims (8)

  1. 一種成像裝置，包括：包括光電轉換元件和電晶體的像素；類比處理電路；以及數位處理電路，其中，該成像裝置以第一模式和第二模式工作，其中，在該第一模式中，該類比處理電路檢測出該像素所取的第一成像資料與該像素所取的第二成像資料之間的差異，並根據該差異的值產生觸發信號，其中，在該第二模式中，該數位處理電路將該像素所取的第三成像資料轉換為數位資料，並且其中，根據該觸發信號進行從該第一模式轉換到該第二模式。
  2. 根據申請專利範圍第1項之成像裝置，其中該類比處理電路進行該第一成像資料與該第二成像資料的絕對差值和運算，當該運算的結果與預定值不同時，產生該觸發信號。
  3. 根據申請專利範圍第1項之成像裝置，其中該類比處理電路根據參考電流值與對應於該第一成像資料與該第二成像資料之間的差異的電流值之間的差異而供應電流，並回應於該電流的該供應而產生該觸發信號。
  4. 根據申請專利範圍第1項之成像裝置，其中該類比處理電路包括減法電路、絕對值電路及加法電路。
  5. 根據申請專利範圍第1項之成像裝置，其中該數位 處理電路包括A/D轉換電路。
  6. 根據申請專利範圍第1項之成像裝置，其中當經過預定時間時，在該成像裝置中進行從該第二模式轉換到該第一模式。
  7. 一種監視裝置，包括：包括申請專利範圍第1項之成像裝置的相機；電連接於該相機的顯示裝置；電連接於該相機的記憶體裝置；以及電連接於該相機的警報裝置。
  8. 一種電子裝置，包括：根據申請專利範圍第1項之成像裝置；以及操作鍵。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12183287B2 (en) 2021-05-27 2024-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
JP6581825B2 (ja) * 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
JP6670451B2 (ja) * 2014-10-01 2020-03-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、信号処理方法、及び、電子機器
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE112016000496B4 (de) 2015-01-27 2022-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insassenschutzvorrichtung
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9848146B2 (en) 2015-04-23 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6777421B2 (ja) 2015-05-04 2020-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
KR20160144314A (ko) 2015-06-08 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 그 동작 방법, 및 전자 기기
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10373991B2 (en) 2015-08-19 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, operating method thereof, and electronic device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
KR20170061602A (ko) 2015-11-26 2017-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10027896B2 (en) 2016-01-15 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display system, operation method of the same, and electronic device
CN105656129A (zh) * 2016-02-04 2016-06-08 李小春 智能化充电平台
CN105957250A (zh) * 2016-02-04 2016-09-21 李小春 电力远距离巡线充电站
WO2017158478A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
KR102522350B1 (ko) * 2017-06-14 2023-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
US11145778B2 (en) * 2019-09-20 2021-10-12 Waymo Llc Monolithic silicon photomultiplier array
US11290671B2 (en) * 2020-09-01 2022-03-29 Pixart Imaging Inc. Pixel circuit outputting pulse width signals and performing analog operation
CN111739072B (zh) * 2020-06-22 2024-10-29 浙江大华技术股份有限公司 像素点的匹配方法及装置、存储介质和电子装置

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
US4789890A (en) * 1985-12-05 1988-12-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Judgement circuit and adaptive filter incorporating the same
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JP3082987B2 (ja) * 1991-10-09 2000-09-04 株式会社日立製作所 ミックスモードシミュレーション方法
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5705807A (en) 1994-10-24 1998-01-06 Nissan Motor Co., Ltd. Photo detecting apparatus for detecting reflected light from an object and excluding an external light componet from the reflected light
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
EP0820644B1 (en) 1995-08-03 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4271268B2 (ja) 1997-09-20 2009-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP3603737B2 (ja) 2000-03-30 2004-12-22 日本電気株式会社 移動体追尾方法及びその装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003032668A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 監視用デジタルカメラ
US7218349B2 (en) 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4162947B2 (ja) * 2001-08-09 2008-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びそれを用いる電子機器
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7257278B2 (en) * 2003-02-26 2007-08-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Image sensor for capturing and filtering image data
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4107269B2 (ja) * 2004-02-23 2008-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP2226847B1 (en) 2004-03-12 2017-02-08 Japan Science And Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP4380439B2 (ja) * 2004-07-16 2009-12-09 ソニー株式会社 データ処理方法およびデータ処理装置並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
KR100998527B1 (ko) 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
KR100889796B1 (ko) 2004-11-10 2009-03-20 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
CN101057333B (zh) 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
US7952633B2 (en) 2004-11-18 2011-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
CN1822385B (zh) * 2005-01-31 2013-02-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置及含有其的电子设备
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
JP2007019777A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd カメラシステム
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4682750B2 (ja) * 2005-08-22 2011-05-11 ソニー株式会社 Ｄａ変換装置
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101283444B (zh) 2005-11-15 2011-01-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP2007334631A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Sony Corp 画像監視システムおよび物体領域追跡方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP2008042827A (ja) 2006-08-10 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子
JP2008042826A (ja) 2006-08-10 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子およびカメラ
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP4844854B2 (ja) * 2007-09-05 2011-12-28 国立大学法人東北大学 固体撮像素子及び撮影装置
KR20090040158A (ko) 2007-10-19 2009-04-23 삼성전자주식회사 투명한 트랜지스터를 구비한 시모스 이미지 센서
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2010171666A (ja) 2009-01-21 2010-08-05 Panasonic Corp 固体撮像素子の駆動方法および固体撮像素子
KR101721850B1 (ko) * 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
CN102696109B (zh) 2010-01-15 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的驱动方法
WO2011099336A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2011229120A (ja) 2010-03-30 2011-11-10 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法、及び、電子機器
TW201145840A (en) * 2010-06-09 2011-12-16 Sunplus Technology Co Ltd Method of sampling phase calibration and device thereof
US8514322B2 (en) * 2010-06-16 2013-08-20 Aptina Imaging Corporation Systems and methods for adaptive control and dynamic range extension of image sensors
JP5771079B2 (ja) 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US8786625B2 (en) * 2010-09-30 2014-07-22 Apple Inc. System and method for processing image data using an image signal processor having back-end processing logic
CN103477628A (zh) * 2011-04-21 2013-12-25 松下电器产业株式会社 斜坡信号发生电路及包括该电路的图像传感器和摄像装置
JP2012253624A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sony Corp 固体撮像装置およびカメラシステム
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
US20130076867A1 (en) 2011-09-28 2013-03-28 Panasonic Corporation Imaging apparatus
JP6151530B2 (ja) * 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
JP2013207433A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Sony Corp 固体撮像装置、撮像信号出力方法および電子機器
JP5604700B2 (ja) 2012-10-29 2014-10-15 弘一 関根 動き検出用撮像装置、動き検出カメラおよび動き検出システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12183287B2 (en) 2021-05-27 2024-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

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