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TW201511355A - 熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置 - Google Patents

熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置 Download PDF

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TW201511355A
TW201511355A TW103137201A TW103137201A TW201511355A TW 201511355 A TW201511355 A TW 201511355A TW 103137201 A TW103137201 A TW 103137201A TW 103137201 A TW103137201 A TW 103137201A TW 201511355 A TW201511355 A TW 201511355A
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TW
Taiwan
Prior art keywords
optical semiconductor
package
semiconductor element
mounting
semiconductor device
Prior art date
Application number
TW103137201A
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English (en)
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TWI595684B (zh
Inventor
Naoyuki Urasaki
Kanako Yuasa
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW201511355A publication Critical patent/TW201511355A/zh
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Abstract

本發明的目的在於提供一種樹脂成形體與導線電極的接著性良好且可靠性優良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。為達成該目的，所提供之光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置之特徵在於：光半導體元件搭載用封裝具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，藉由使樹脂成形體與至少一對正及負的導線電極一體化而構成。其中，上述樹脂成形體由熱固性光反射用樹脂組合物構成且至少形成上述凹部側面。上述一對正及負的導線電極呈對向配置以形成上述凹部底面的一部分，且上述樹脂成形體與上述導線電極的接合面無間隙。

Description

光半導體元件搭載用封裝以及使用此封裝的光半導體裝置
本發明關於一種光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置，該光半導體元件搭載用封裝於製造組合有光半導體元件與螢光體等波長轉換機構的光半導體裝置方面較為有用。
近年來，為了使光半導體裝置實現小型及薄型化，取代導線型光半導體裝置，而較多使用具有如圖3所示構造的表面安裝(SMD(Surfacemounted device))型光半導體裝置(發光裝置)。該表面安裝型光半導體裝置通常是藉由如下方法而製造的：藉由使樹脂成形體403與正負導線電極404一體化而構成的光半導體元件搭載用封裝的凹部底面，經由黏晶(die bond)材406而搭載著光半導體元件(發光二極體(LED，light-emitting diode)等)400，由接線401電性連接該光半導體元件400與導線電極404後，向凹部填充包含螢光體405的透明密封樹脂402，並密封光半導體 元件400，其中該樹脂成形體403具有作為光半導體元件搭載用區域的凹部。此外，上述光半導體元件搭載用封裝通常是藉由如下方法而製造的：利用成形模具夾持導線電極，向關閉的模具內注入熔融的熱可塑性樹脂組合物後，回到室溫下使該樹脂組合物硬化，從而藉由使上述導線電極與樹脂組合物一體化而構成。於日本專利早期公開第2002-280616號公報、日本專利早期公開第2004-055632號公報及日本專利早期公開第2004-342782號公報中，揭示有一種使用光半導體元件搭載用封裝而成的SMD型LED裝置，該光半導體元件搭載用封裝中藉由使具有凹部的樹脂成形體與正負導線電極一體化而構成。
近年來，光半導體裝置之應用領域得到擴展，同時多數情況下其使用條件也變得嚴格，且需要具有程度更高的可靠性。然而，製作上述樹脂成形體時一般使用的熱可塑性樹脂組合物的線膨脹率(20~120ppm/℃)大於一般作為導線電極而使用的銅的線膨脹率(約17ppm/℃)，故而當藉由使樹脂組合物與導線電極一體化而構成時會產生較大應力，結果，導致樹脂成形體與導線電極間的接著性降低，從而導致樹脂組合物與導線電極之間產生幾十微米左右的間隙。此外，若樹脂成形體與導線電極間的接著性較低，則由於導線電極外部導線的彎曲步驟中會施加應力，而導致樹脂成形體與導線電極間產生間隙，從而降低了光半導體裝置的可靠性。
此外，若向模具內注入樹脂組合物而製作樹脂球形體時 應用射出成形，則有時會由於樹脂的射出壓力而使模具產生稍許變形或偏移，此時，沿模具的合模邊產生間隙，導致於光半導體元件搭載用封裝側面產生樹脂毛邊(partingline，分割線)。該樹脂毛邊於成形(forming)步驟中成為障礙，由於使光半導體裝置小型化，故而難以沿著樹脂成形體的外側面對外部導線進行高精度加工。此外，此時，於縱方向上對導線電極與樹脂成形體的界面施加應力，自於橫方向延伸的毛邊前端部分於上述界面產生間隙。進而，亦有樹脂毛邊剝離的危險，該樹脂毛邊的剝離成為封裝龜裂的重要原因，水分或雜質會自該龜裂侵入，導致光半導體裝置的可靠性顯著降低。此外，剝離毛邊很嚴重時，產生空壁導致外觀不良。
此外，近年來，開發出於紫外區域等中具有發光峰值波長的光半導體元件，對該元件而言亦期待能夠應用於SMD型LED，由於紫外區域附近的光的能量較高，故而存在如下問題：容易導致樹脂成形體的凹部內周面(反射板，reflector)劣化，進而，隨著該內周面劣化亦會導致可見光的反射率降低。
本發明是鑒於上述問題開發而研製成的，其目的在於提供一種樹脂成形體與導線電極的接著性良好且可靠性優良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。
此外，本發明的其他目的在於提供一種硬化後可見光至近紫外光的反射率較高、具有耐光及耐熱劣化性優良的凹部(反 射板)的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。
即，本發明的特徵在於下述(1)~(12)事項。
(1)一種光半導體元件搭載用封裝，具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體與至少一對正及負的導線電極一體化而構成，其中該樹脂成形體由熱固性光反射用樹脂組合物構成且至少形成上述凹部側面，上述至少一對正及負的導線電極呈對向配置以形成上述凹部底面的一部分，且上述樹脂成形體與上述導線電極的接合面無間隙。
(2)如上述(1)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中藉由傳送成形而藉由使上述樹脂成形體與上述至少一對正及負的導線電極一體化而構成。
(3)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物中含有填充料。
(4)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物之成分中包括(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶合劑，且該樹脂組合物於熱硬化後於350nm~800nm的波長中光反射率大於等於80%且在常溫(0~35℃)下能夠加壓成形。
(5)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(D)無機填充劑是選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇組成的族群 中的至少一種。
(6)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(E)白色顏料為無機中空粒子。
(7)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(E)白色顏料的平均粒徑在0.1~50μm範圍內。
(8)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(D)無機填充劑與上述(E)白色顏料的合計量相對於上述熱固性光反射用樹脂組合物全體為70體積%~85體積%。
(9)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動(spiral flow)大於等於50cm且小於等於300cm。
(10)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的圓板流動大於等於50mm。
(11)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹係數為10~30ppm/℃。
(12)一種光半導體裝置，其特徵在於含有：上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝、搭載於上述封裝中上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上述凹部內的上述光半導體元件的透明密封樹脂層。
根據本發明，可提供一種樹脂成形體與導線電極間的接 著性良好可靠性優良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置，進而亦可提供一種硬化後自可見光至近紫外光的反射率較高、具有耐光及耐熱劣化性優良的凹部的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。
再者，於上述本發明中，樹脂成形體與導線電極的接合面「無間隙」是指，使用SEM或金屬顯微鏡等以200倍的放大率觀察樹脂成形體與導線電極相接的界面時，於該界面上未觀察到間隙的狀態。
此外，本申請案根據該申請人先前申請的日本專利申請第2006-154652號(申請日2006年6月2日)且主張其優先權，本文中以參照的形式引用其中的說明書。
100、400‧‧‧光半導體元件
101、402‧‧‧透明密封樹脂
102、401‧‧‧接線
103、403‧‧‧樹脂成形體
104‧‧‧Ni/Ag電鍍
105、104‧‧‧導線電極
106、405‧‧‧螢光體
107‧‧‧焊錫凸塊
110‧‧‧光半導體元件搭載用封裝
200‧‧‧凹部
406‧‧‧黏晶材
圖1是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的一實施形態的立體圖與剖面圖。
圖2是表示本發明的光半導體裝置的一實施形態的剖面圖。
圖3是表示一般的SMD型LED(光半導體裝置)的剖面圖。
圖4是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的導線電極端部的較佳構造的剖面圖。
本發明的光半導體元件搭載用封裝具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體與至少一 對正及負的導線電極一體化而構成，其中該樹脂成形體由熱固性光反射用樹脂組合物構成且至少形成上述凹部側面，該一對正及負的導線電極呈對向配置以形成上述凹部底面的一部分，且上述樹脂成形體與上述導線電極的接合面無間隙。再者，較理想的是，正導線電極的一端與負導線電極的一端互相對向配置，以使各個正面(主面)露出而形成凹部底面，藉由成形樹脂而使導線電極之間分離。此外，藉由使正導線電極的另一端與負導線電極的另一端與樹脂成形體一體化而構成後，立即設為自樹脂成形體側面突出，且該突出的外部導線部較理想的是，例如圖3所示，向封裝成形體接合面的內側彎曲，成為J-Bend(彎管)型正負連接端子部。當然，本發明中連接端子部的構造並不僅限於J-Bend(彎管)型，亦可為鷗翼(gull-wing)型等其他構造。
以下，對本發明的光半導體元件搭載用封裝各結構、製造方法以及使用該封裝的光半導體裝置進行詳述。
(導線電極)
導線電極例如可使用含鐵銅等高熱傳導體而構成，例如，可藉由對由厚度為0.15mm的銅合金屬所構成的長金屬板不單純進行加壓而是進行穿孔加工而形成。此外，為防止導線電極氧化等，可於導線電極正面鍍上銀、鋁、金、鈀或該等合金等金屬。此外，為提昇發光元件的光反射率，較好的是使導線電極正面平滑。此外，較好的是盡可能擴大導線電極的面積，因此，可提高放熱性，有效抑制所配置的發光元件的溫度上升，進而，可對發光元件通 入比較多的電力，可提昇光輸出。
此外，於本發明中，至少有一對導線電極呈對向配置以形成封裝凹部底面的一部分，較好的是該對向的導線電極端部背面與側面相交的角帶有曲線(參照圖4的R1，再者，導線電極的背面是指於封裝凹部底面露出的面(主面)的反面)。如此，若沿成形樹脂注入的方向而於導線電極端部設置圓形，則成形樹脂的流動會平滑，從而易於向導線電極間無間隙地填充成形樹脂，因此可確實地將導線電極間分離，此外，可強化導線電極與成形樹脂體的密著性。進而，由於樹脂成形體與導線電極的接合線帶有曲線，故可避免應力集中於接合線上，從而可抑制封裝龜裂的產生。
另一方面，對向的導線電極端部主面與側面交叉的角較好的是突起為銳角(參照圖4的R2)。因此，可有效阻止成形樹脂自導線電極間向導線電極主面上流出，從而可防止發光元件的黏晶(die bonding)不良或打線接合(wire bonding)不良。此外，可提昇導線電極與成形樹脂間的密著性，抑制導線電極與成形樹脂在界面上剝離。
(樹脂成形體)
本發明的封裝中的樹脂成形體較好的是，由熱固性光反射用樹脂組合物成形。此外，熱固性光反射用樹脂組合物中較好的是含有填充料。進而，熱固性光反射用樹脂組合物的成分中，較好的是包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑、(D) 無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶合劑。
關於上述(A)環氧樹脂，可使用電子零件密封用環氧樹脂成形材料中一般使用的材料，該材料例如有以酚醛(phenol novolac)型環氧樹脂、鄰甲酚醛型環氧樹脂為代表的將苯酚類與醛類的酚醛樹脂環氧化後所得的樹脂；由雙酚A、雙酚F、雙酚S、烷基取代聯苯酚等的二縮水甘油醚型環氧樹脂；二胺二苯基甲烷、異三聚氰酸等的聚胺與表氯醇(epichlorohydrin)反應後而獲得的縮水甘油胺型環氧樹脂；由過氧乙酸等過酸將烯烴鍵氧化而獲得的線狀脂肪族環氧樹脂；以及脂環族環氧樹脂等，可適當以任何方式併用上述多個樹脂。此外，上述多個樹脂中較好的是比較不容易著色的樹脂，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、三縮水甘油基異三聚氰酸酯。
作為上述(B)硬化劑，若可與環氧樹脂發生反應則無特別限制，但較好的是比較不容易著色的硬化劑。例如，可列舉酸酐系硬化劑、苯酚系硬化劑等。作為酸酐系硬化劑，例如可列舉苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三酸酐(trimellitic anhydride)、均苯四甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、耐地酸酐、戊二酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐等。上述多個酸酐系硬化劑中，較好的是苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐。酸酐系硬化劑的分子量較好的是140~200左右，此外，較好的是無色或淡黃色酸酐。上述多個硬化劑可單獨使用，亦可併用 兩種或兩種以上。環氧樹脂與硬化劑的添加比例較好的是，相對於環氧樹脂中1當量的環氧基而言，可與硬化劑中環氧基反應的活性基(酸酐基或羥基)為0.5~1.5當量，進而為0.7~1.2當量。當活性基的當量不足0.5時，有時會延遲環氧樹脂組合物的硬化速度，並且會降低所獲得的硬化體的玻璃轉移溫度，另一方面，當超過1.5當量時，有時會降低耐濕性。
作為上述(C)硬化促進劑(硬化觸媒)，並無特別限定，例如可列舉1,8-二氮雜-雙環(5,4,0)十一烯-7、三乙二胺、三-2,4,6-二甲胺基甲基苯酚等三級胺類，2-乙基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑等咪唑類，三苯基膦、四苯基膦四苯基硼酸鹽、四正丁基膦-o,o-二乙基膦酸基二硫代酯等磷化合物，四級銨鹽、有機金屬鹽類及上述多個物質的衍生物等。上述多個硬化促進劑可單獨使用或者也可併用。上述多個硬化促進劑(硬化觸媒)中，較好的是三級胺類、咪唑類、磷化合物。上述硬化促進劑的含量較好的是對於環氧樹脂100重量份而言，為0.01~8.0重量份，更好的是0.1~3.0重量份。若硬化促進劑(硬化觸媒)的含量不足0.01重量份，則有時無法獲得充分的促進硬化的效果，此外，若超過8.0重量份，則有時會在所獲得的硬化體上觀察到變色。
作為上述(D)無機填充材，可使用選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇組成的族群中的至少一種，但從熱傳導性、光反射特性、成形性、難燃性方面考慮，較好的是二氧化矽、氧化鋁、氧化銻、 氫氧化鋁的混合物。此外，無機填充材的平均粒徑並無特別限定，但較好的是在0.1~100μm範圍內，這樣可使與白色顏料的填充(packing)效率良好。
作為上述(E)白色顏料並無特別限定，但較好的是無機中空粒子，例如可列舉矽酸鈉玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸鈉玻璃、氧化鋁、白砂等。白色顏料的粒徑較好的是，平均粒徑在0.1~50μm範圍內，若粒徑不足0.1μm則有時粒子易於凝集而使得分散性變差，若超過50μm則可充分獲得反射特性。
上述(E)白色顏料與(D)無機填充材的合計填充量(填充料的填充量)，相對於熱固性光反射用樹脂組合物全體而言，較好的是70體積%~85體積%範圍內。若上述多個填充料的填充量不足70體積%，則有光反射特性不充分，若超過85體積%，則成形性變差而存在難以製作基板的傾向。
作為上述(F)偶合劑，可列舉矽烷系偶合劑或鈦酸酯系偶合劑等，作為矽烷偶合劑，一般以任意附著量而較多使用環氧矽烷系、胺基矽烷系、陽離子型(cationic)矽烷系、乙烯基矽烷系、丙烯酸矽烷系、巰基矽烷系及上述多個矽烷系的複合系等。偶合劑的種類或處理條件並無特別限定，但偶合劑的添加量較好的是，於熱固性光反射用樹脂組合物中小於等於5重量%。
其他，上述熱固性光反射用樹脂組合物中，根據需要可添加抗氧化劑、脫模劑、離子補充劑等。
含有以上成分的熱固性光反射用樹脂組合物較好的 是，於熱硬化前室溫(0~35℃)下可進行加壓成形，且較好的是熱硬化後於350nm~800nm的波長中光反射率大於等於80%。上述加壓成形例如可於室溫下、0.5~2MPa、1~5秒左右的條件下進行。此外，若上述光反射率不足80%，則存在無法充分有助於提昇光半導體裝置亮度的傾向。更好的是，光反射率大於等於90%。
此外，上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動較好的是大於等於50cm且小於等於300cm，更好的是大於等於50cm且小於等於200cm，尤其好的是大於等於50cm且小於等於150cm。若螺旋流動不足50cm則材料填充性會惡化，導致製品易於出現未填充的部分。另一方面，若螺旋流動超過300cm，則有易於出現空隙、降低彎曲強度的傾向。此外，圓板流動較好的是大於等於50mm，更好的是大於等於80mm。若圓板流動不足50mm，則導線架間易於出現未填充或空隙。再者，螺旋流動是對具有漩渦狀槽的模具(模具溫度180℃)注入樹脂組合物(注入壓力6.9MPa)，直至該樹脂組合物硬化為止所填充的漩渦的長度的測定值，圓板流動是於2片平板模具(模具溫度180℃，模具重量8kg)之間配置5g樹脂組合物，測定由模具自重而使樹脂組合物潤濕並擴展所得的圓直徑的值。
進而，上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹係數較好的是10~30ppm/℃。此時，作為熱固性光反射用樹脂組合物的硬化物或成形體，可求出線膨脹係數。
此外，樹脂成形體的形狀如上所述，若具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，則無特別限定，凹部側壁(反射板)較理想的是具有能夠將光半導體元件發出的光向上方反射的形狀。圖1表示本發明的光半導體元件搭載用封裝110的一實施形態，該光半導體元件搭載用封裝110具備：樹脂成形體103、導線電極105、作為光半導體元件搭載區域的凹部200以及Ni/Ag電鍍104。
(封裝的製造方法)
本發明的光半導體元件搭載用封裝的製造方法並無特別限定，但較好的是藉由傳送成形而藉由使熱固性光反射用樹脂組合物與導線電極一體化而構成。藉由傳送成形而成形，從而難以於導線電極與樹脂成形體之間產生間隙。更具體而言，可藉由如下方法而製造：例如，將導線電極配置於預定形狀的模具中，自模具的樹脂注入口注入熱固性光反射用樹脂組合物，較好的是，將該樹脂組合物在模具溫度170~190℃、成形壓力2~8MPa、60~120秒的條件下進行硬化，取出模具後，在120℃~180℃的後處理(aftercure)溫度下、1~3小時的條件進行熱硬化。
(光半導體裝置)
本發明的光半導體裝置的特徵在於至少具備：本發明的光半導體元件搭載用封裝、搭載於光半導體元件搭載用封裝凹部底面的光半導體元件以及形成於凹部內而覆蓋光半導體元件的透明密封樹脂層。
上述光半導體元件(發光元件)例如配置於在封裝凹部 內底面露出的負導線電極或正導線電極上，半導體元件的n極與負導線電極是藉由打線接合而連接，同樣，p電極與正導線電極是藉由打線接合而連接。此外，於n極形成於發光元件上部、p電極形成於發光元件下部的元件形態中，p電極利用銀漿料等黏晶材而黏接於正導線電極上，n電極與負導線電極則藉由打線接合而連接。如此，若將發光元件配置於導線電極上，則可提昇發光元件的放熱性，因此較好。此處，發光元件是例如可發出藍色光的氮化鎵系化合物半導體元件，該元件例如於藍寶石基板上形成有包括n型層、活性層及p型層的氮化物半導體層，於除去活性層及p型層的一部分而露出的n型層上形成有n電極，於p型層上形成有p電極。
上述透明密封樹脂層可保護發光元件遠離外力、水分等。再者，在由導線將發光元件電極與導線電極之間連接的構造中，亦具有保護導線的功能。此外，透明密封樹脂層中，為使發光元件發出的光能夠高效地射向外部，因此對於光透過性的要求較高。作為透明密封樹脂層中的透明密封樹脂的具體材料，可應用環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂等，進而，為能夠對發光元件發出的光具有特定濾光片效果等，亦可添加著色染料或著色顏料。
圖2表示本發明的光半導體裝置的一實施形態，其中，於本發明的光半導體元件搭載用封裝110之作為光半導體元件搭載區域的凹部200之底部的預定位置上搭載著光半導體元件 100，該光半導體元件100與導線電極105之間是利用接線102或焊錫凸塊107等眾所周知的方法而電性連接，且該光半導體元件100由含有眾所周知螢光體106的透明密封樹脂101而覆蓋。
[實施例]
以下，利用實施例說明本發明。本發明並不受下述多個實施例的限制。
實施例1
(導線架)
採用一般的光蝕刻製程(photo-etching process)，於厚度為0.15mm的銅框架上形成包含有導線電極的電路後，對該電路進行電解Ag電鍍，作為導線架。
將上述組成材料以混煉溫度30~40℃、混煉時間10分鐘的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合物。所獲得的樹脂組合物的螺旋流動為140cm(硬化時間90秒)，圓板流動為85mm(硬化時間90秒)。此外，所獲得的樹脂組合物硬化物的光反射率大於等於90%。再者，該光反射率是指，將上述樹脂組合物以成形模具溫度180℃、成形壓力6.9MPa、硬化時間90秒的條件傳送成形後，於150℃下進行2小時的熱處理，藉此製成厚度為2.0mm的試片，對此使用V-750型積分球型分光光度計(日本分光股份有限公司製造)，在波長350~850nm的條件下所測定的值。
(光半導體元件搭載用封裝的成形)
將上述獲得的導線架安裝於模具中的相應的位置上，且將上述所獲得的熱固性光反射用樹脂組合物注入模具中，在模具溫度180℃、90秒鐘、6.9Mpa的條件下進行傳送成形，製作於元件搭 載區域具有凹部且於該凹部底面露出正負導線電極的光半導體搭載用封裝。
(光半導體裝置的製造)
利用黏晶材將LED元件固定於上述獲得的光半導體搭載用封裝凹部底面的導線電極上，於150℃下加熱1小時，藉此，將LED元件黏著於端子上。此後，利用金線將LED元件與端子電性連接。
繼而，藉由灌注(potting)而將具有以下組成的透明密封樹脂澆入上述凹部以覆蓋LED元件，於150℃下加熱2小時使樹脂硬化，從而製成光半導體裝置(SMD型LED)。
實施例2
將上述組成的材料以混煉溫度30~40℃、混煉時間10 分鐘的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合物。所獲得的樹脂組合物的螺旋流動為100cm(硬化時間90秒)，圓板流動為55mm(硬化時間90秒)。此外，所獲得的樹脂組合物硬化物的光反射率大於等於90%(350~850nm)。
進而，使用上述獲得的熱固性光反射用樹脂組合物，以與實施例1同樣的方式製作光半導體搭載用封裝及光半導體裝置。
由以上方式製成的各實施例的光半導體裝置中，導線與封裝的界面黏接力良好，確認該界面上沒有間隙。此外，於85℃、85%RH中放置24小時後，確認樹脂成形體與透明密封樹脂或導線電極的界面有無剝離，確認沒有剝離，且幾乎亦無水分混入。因此，可以說，各實施例的光半導體裝置是耐流動性或耐遷移性等可靠性優良的光半導體裝置。
103‧‧‧樹脂成形體
104‧‧‧Ni/Ag電鍍
105‧‧‧導線電極
110‧‧‧光半導體元件搭載用封裝
200‧‧‧凹部

Claims (12)

  1. 一種光半導體元件搭載用封裝，具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體與至少一對正及負的導線電極一體化而構成，其中上述樹脂成形體由熱固性光反射用樹脂組合物構成且至少形成上述凹部側面，上述至少一對正及負的導線電極呈對向配置以形成上述凹部底面的一部分，且上述樹脂成形體與上述導線電極的接合面無間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中藉由傳送成形而藉由使上述樹脂成形體與上述至少一對正及負的導線電極一體化而構成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物含有填充料。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的成分包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶合劑，上述樹脂組合物於熱硬化後於350nm~800nm的波長中光反射率大於等於80%且可在常溫(0~35℃)下加壓成形。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(D)無機填充劑是選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇組成的族群中至少一種。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(E)白色顏料為無機中空粒子。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(E)白色顏料的平均粒徑在0.1~50μm範圍內。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(D)無機填充劑與上述(E)白色顏料的合計量相對於全體上述熱固性光反射用樹脂組合物為70體積%~85體積%。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動大於等於50cm且小於等於300cm。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的圓板流動大於等於50mm。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹係數為10~30ppm/℃。
  12. 一種光半導體裝置，其特徵在於包括如申請專利範圍第1項或第2項所述之光半導體元件搭載用封裝、搭載於上述封裝中的上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上述凹部內的上述光半導體元件的透明密封樹脂層。
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