JP5220522B2 - 発光装置、発光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、発光素子を用いた発光装置、発光モジュールに関する。

近年、携帯電話機の液晶ディスプレイのバックライトに所謂白色ＬＥＤ（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が採用されたことにより、白色ＬＥＤの生産量が飛躍的に拡大している。ここで、白色ＬＥＤのパッケージとは、半導体発光素子（ＬＥＤ）を備えた発光装置のことであって、例えば凹部を有する白色樹脂ケースの凹部内側にリードフレームを露出させるように配置し、凹部の内側に露出するリードフレームに半導体発光素子を取り付けるとともにこれらを電気的に接続し、半導体発光素子を覆うように、凹部に蛍光体を含有させた封止樹脂を形成してなるものである。今後、携帯電話機以外の用途でも、液晶ディスプレイのバックライトに白色ＬＥＤの使用が広まっていくことが期待されている。また、液晶ディスプレイのバックライトへの使用量が増えるに伴って、他の照明分野でも採用が検討されている。

液晶ディスプレイのバックライトに白色ＬＥＤを使う場合、大画面をできるだけ少ない電力で規定の輝度を得るために、白色ＬＥＤを搭載したパッケージの高効率化がきわめて強く要求されている。

ただし、上述した白色ＬＥＤのパッケージにおいては、半導体発光素子で発生した光がすべて有効に使われているわけではなく、パッケージ内部に光が閉じ込められて、出て来られない部分が存在する。封止樹脂は一般に１．４〜１．５の屈折率があり、空気の屈折率は１であるから、屈折率の違いにより一定の入射角以下で入射した光は反射して元に戻る。球面の中心に発光体（例えば半導体発光素子）があると仮定すると、発光体から出力されるすべての光は、境界面に対して直角に入射するので反射されることがなく、光の取り出し効率が最も高いといわれている。そこで、半球状のレンズをつくりその中心に発光体を配置する発光装置（パッケージ）が数多く提案されている。ところが、実際に発光装置を試作してみると、そのような構造では十分な発光効率を得ることができなかった。

また、公報記載の従来技術として、樹脂容器に、発光素子に給電を行うための金属リード部を露出させた底部と、底部の周縁から立ち上がる壁部と、を有する凹部を設け、凹部の底部に発光素子を取り付けて金属リード部と発光素子とを電気的に接続するとともに、発光素子が取り付けられた凹部を、発光素子からの光を透過する封止樹脂にて封止する発光装置が存在する（特許文献１参照）。

特開２００８−９１８１８号公報

ＬＥＤ等の発光素子を利用した照明は、液晶ディスプレイのバックライトとして採用されたのを需要の中心として発展してきている。しかしながら、現状では、携帯電話機向けの小型のディスプレイが主体であり、パソコン用モニタや大型ＴＶなどの大面積の液晶ディスプレイ用には、ほとんど採用されていない。これは、上記のように、十分な光出力が確保されていないためと考えられる。

これに対し、例えばＬＥＤ等の発光素子自体の輝度を向上させる手法が種々検討されているが、これだけでは不十分であり、別のアプローチ手法による検討が要請されていた。なお、このような課題は、上述した白色ＬＥＤのパッケージに限られるものではなく、発光素子を樹脂容器に収容して構成される発光装置において、共通のものである。

本発明は、発光装置から出力される光の取り出し効率を向上させることを目的とする。

かかる目的のもと、本発明が適用される発光装置は、凹部を有する樹脂容器と、金属導体と、金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度（ＪＩＳＺ８７４１：入射角＝６０°）を有する銀メッキ層とを有し、樹脂容器の凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部の内側に設けられ、導体部と電気的に接続される発光素子と、発光素子から出力される光に対する透光性を有し、凹部において発光素子を封止する封止樹脂とを含んでいる。

このような発光装置において、樹脂容器は、白色顔料を用いて白色化されており、凹部において露出する樹脂容器および銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が１２％未満であることを特徴とすることができる。
さらに、導体部における銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、封止樹脂が、シリコン樹脂にて構成されることを特徴とすることができる。

また、他の観点から捉えると、本発明が適用される発光装置は、底面と、底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、金属導体と、金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度（ＪＩＳＺ８７４１：入射角＝６０°）を有する銀メッキ層とを有し、樹脂容器の凹部の底面に露出した状態で配置される導体部と、凹部の底面に取り付けられ、導体部と電気的に接続される発光素子と、発光素子から出力される光に対する透光性を有し、凹部において発光素子を封止する封止樹脂とを含んでいる。

このような発光装置において、樹脂容器が、チタニア微粒子を含む樹脂にて構成され、凹部において露出する樹脂容器および銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が１２％未満であることを特徴とすることができる。
さらに、導体部における銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、可視領域における樹脂容器および導体部の銀メッキ層の光反射率が８５％以上９８％以下であることを特徴とすることができる。
そして、凹部の底面に露出する導体部の面積が、底面の全面積の半分以上に設定されることを特徴とすることができる。

さらに、他の観点から捉えると、本発明が適用される発光モジュールは、基板と、基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、発光装置は、凹部を有する樹脂容器と、金属導体と、金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度（ＪＩＳＺ８７４１：入射角＝６０°）を有する銀メッキ層とを有し、樹脂容器の凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部の内側に設けられ、導体部と電気的に接続される発光素子と、発光素子から出力される光に対する透光性を有し、凹部において発光素子を封止する封止樹脂とを有することを特徴としている。

このような発光モジュールにおいて、発光装置の樹脂容器は、白色顔料を用いて白色化されており、凹部において露出する樹脂容器および銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が１２％未満であることを特徴とすることができる。
さらに、発光装置の導体部における銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とすることができる。

本発明によれば、発光装置から出力される光の取り出し効率を向上させることができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態が適用される液晶表示装置の全体構成を示す図である。この液晶表示装置は、液晶表示モジュール５０と、この液晶表示モジュール５０の背面側（図１では下部側）に設けられるバックライト装置１０とを備えている。

バックライト装置１０は、バックライトフレーム１１と、半導体発光素子がそれぞれに配列され、バックライトフレーム１１に収容される複数の発光モジュール１２とを備えている。また、バックライト装置１０は、光学フィルムの積層体として、面全体を均一な明るさとするために光を散乱・拡散させる板（またはフィルム）である拡散板１３と、前方への集光効果を持たせたプリズムシート１４、１５とを備えている。また、輝度を向上させるための拡散・反射型の輝度向上フィルム１６が、必要に応じて備えられる。

一方、液晶表示モジュール５０は、２枚のガラス基板により液晶が挟まれて構成される液晶パネル５１と、この液晶パネル５１の各々のガラス基板に積層され、光波の振動をある方向に制限するための偏光板５２、５３とを備えている。更に、本液晶表示装置には、図示しない駆動用ＬＳＩなどの周辺部材も装着される。

液晶パネル５１は、図示しない各種構成要素を含んで構成されている。例えば、２枚のガラス基板に、図示しない表示電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのアクティブ素子、液晶、スペーサ、シール剤、配向膜、共通電極、保護膜、カラーフィルタ等を備えている。

図２は、バックライト装置１０の構造を説明するための図である。ここで、図２（ａ）は、発光モジュール１２が装着されたバックライトフレーム１１を、図１に示す液晶表示モジュール５０側からみた上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のIIB−IIB断面図である。本実施の形態では、液晶表示モジュール５０の背面直下に光源を置く直下型のバックライト構造を採用している。そして、このバックライト構造では、液晶表示モジュール５０の背面の全体に対してほぼ均等に、発光素子を有する発光装置６０が配列されている。なお、本実施の形態で用いる発光装置６０は、一般的にＬＥＤパッケージと呼ばれるものである。

バックライトフレーム１１は、例えばアルミニウムやマグネシウム、鉄、またはそれらを含む金属合金などで生成される筐体構造を形成している。そして、その筐体構造の内側に、例えば白色高反射の性能を有するポリエステルフィルムなどが貼られ、リフレクタとしても機能するようになっている。この筐体構造としては、液晶表示モジュール５０の大きさに対応して設けられる背面部１１ａ、この背面部１１ａの四隅を囲う側面部１１ｂを備えている。そして、この背面部１１ａ上には放熱シート１８を設けることができる。

図２に示す例では、発光モジュール１２が複数（この例では８枚）設けられている。そして、各発光モジュール１２は、それぞれ複数 （この例では１枚の発光モジュール１２に対して２本） のネジ１７により、放熱シート１８を介してバックライトフレーム１１に固定されている。

発光モジュール１２は、基板の一例としての配線基板２０と、この配線基板２０に実装される複数（この例では２８個）の発光装置６０とを備えている。なお、各発光装置６０は、後述する構成を備えることにより、それぞれが白色光を出力するようになっている。

図３は、本実施の形態で用いられる発光装置６０の構成を説明するための図である。ここで、図３(ａ)は発光装置６０の上面図を、図３（ｂ）は図３（ａ）のIIIＢ−IIIＢ断面図を、それぞれ示している。

この発光装置６０は、上部側に凹部６１ａが形成された樹脂容器６１と、樹脂容器６１と一体化したリードフレームからなるアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３と、凹部６１ａの底面７０に取り付けられた半導体発光素子６４と、凹部６１ａを覆うように設けられた封止樹脂６５とを備えている。なお、図３（ａ）においては、封止樹脂６５の記載を省略している。

樹脂容器６１は、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３を含む金属リード部に、白色顔料が含有された熱可塑性樹脂（以下の説明では白色樹脂と呼ぶ）を射出成型することによって形成されている。

この樹脂容器６１を構成する白色樹脂は、可視光の光反射率が８５％以上であって９８％以下となるように白色顔料の含有率、粒径等が調整されている。言い換えると、樹脂容器６１の可視光の光吸収率が１５％未満とされている。白色顔料としては、チタニア（酸化チタン）を微粒子化したものを用いることが好ましい。チタニアは、他の白色顔料に比べて屈折率が高く、また、光吸収率が低いので、本実施形態の樹脂容器６１に好適に用いることができる。他の白色顔料、例えば酸化アルミニウムは、チタニアに比べて白色度が大幅に低下するので、チタニアと比較して好ましくない。ただし、チタニアは、光触媒作用があるので樹脂を変質させてしまうおそれがある。そこで、チタニアに対し、水酸化アルミニウムなどで表面処理を行うことが好ましい。この表面処理が十分でないと、樹脂容器６１を構成する樹脂が変質して特定の波長を吸収するので、経時的な色度座標の変化が起こることがある。したがって、白色顔料としてのチタニアの選定およびその添加量は極めて重要である。樹脂容器６１の光反射率を向上させるためには、チタニアの添加量を多くした方がよいが、射出成型などで樹脂容器６１の形を作るためには流動性が低下する面もあり、その添加量には上限がある。

また、製造工程でハンダリフローなどの温度がかかる工程が複数あるので、白色樹脂は、耐熱性も十分考慮された材質が選定されている。基材となる樹脂としてはＰＰＡ（polyphthalamide）が最も一般的であるが、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどでもよい。

樹脂容器６１に設けられる凹部６１ａは、円形状を有する底面７０と、底面７０の周縁から樹脂容器６１の上部側に向けて拡開するように立ち上がる壁面８０とを備えている。ここで、底面７０は、凹部６１ａに露出するアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３と、アノード用リード部６２とカソード用リード部６３との間の隙間に露出する樹脂容器６１の白色樹脂とによって構成されている。ただし、底面７０の半分以上の領域が、アノード用リード部６２とカソード用リード部６３とによって占められている。一方、壁面８０は、樹脂容器６１を構成する白色樹脂によって構成されている。なお、底面７０の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよい。また、壁面８０の形状は、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよく、また、底面形状と同一でもよく、本実施の形態のように異なっていてもよい。

導体部の一例としてのアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３は、それぞれの一部が樹脂容器６１内に挟まれて保持されるとともに、他の一部が樹脂容器６１の外部に露出されており、半導体発光素子６４に電流を印加するための端子となっている。表面実装を前提とするときは、図３に示すように、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３をそれぞれ樹脂容器６１の裏側に折り曲げて樹脂容器６１の底部にその先端を配設することが望ましい。

また、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３すなわちリードフレームは、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の厚みをもつ金属板であり、銅合金等の金属導体をベースとし、その表面には銀メッキが施されることによって銀メッキ層が形成されている。したがって、凹部６１ａの底面７０には、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３の銀メッキ層が露出していることになる。これらアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３の光反射率すなわち銀メッキ層の光反射率は、８５％以上９８％以下であることが好ましい。また、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３の光沢度は、０．３以上且つ１．０以下の範囲内、より好ましくは、０．５以上且つ０．７以下の範囲内とすることが好ましい。ここで、光沢度は、ＪＩＳＺ８７４１に規定されるものであり、ここでは入射光の入射角を６０°とした場合の値としている。

一般に、銀メッキの条件を検討することによって、その表面の凹凸の状態を制御することができる。リードフレームへの銀メッキはシアン溶液による電解メッキが一般的である。電解メッキでは、一度銀が析出したところが突起となり、その尖ったところに電流が集中しやすいので突起周辺がさらに成長する。その結果として所謂デンドライト状析出が起こりやすい。特に銀の電解メッキでは、この傾向が顕著である。シアン溶液の銀電解を、成膜速度を速くして行うと、いわゆる無光沢白色メッキになる。これはランバーシアン反射にきわめて近い光反射特性を示すが、その代わりに光吸収率が比較的高くなり、１５％を超えてしまう。これに対し、銀メッキを行う際にＳｅなどの光沢剤を入れると、デンドライト成長が抑制されて平滑化し、完全鏡面反射に近い挙動を示す面を得ることができる。この場合も、完全鏡面を得られるまで光沢剤を添加すると、析出面に添加剤が残り光吸収率が高くなってしまう。銀メッキ表面の形状（光沢度）は、銀メッキのＡｇ⁺の濃度、温度、ｐＨ、シアンイオン濃度、他の陽イオン・陰イオン添加、電流密度、有機物添加剤などの条件を振ることにより、適宜調整することができる。

半導体発光素子６４は、凹部６１ａの底面７０に露出するカソード用リード部６３上に、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂からなるダイボンド剤で接着され、固定されている。
この半導体発光素子６４は、ｎ型電極およびｐ型電極を有しており、ボンディングワイヤを介して、ｐ型電極がアノード用リード部６２に、ｎ型電極がカソード用リード部６３に、それぞれ接続されている。なお、本実施の形態で用いた発光装置６０では、図３（ａ）に示すように、半導体発光素子６４が、円形状を有する底面７０のほぼ中央部に取り付けられている。

半導体発光素子６４は、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する青色光を発するものであり、サファイア基板の上に形成されるＡｌＮからなるシード層と、シード層上に形成される下地層と、ＧａＮを主体とする積層半導体層とを少なくとも備えている。積層半導体層は、基板側から下地層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層の順に積層されて構成されている。

封止樹脂６５は、半導体発光素子６４が発する光を吸収してより長波長の光を発する二種類以上の蛍光体（以下、蛍光体粉体ともいう）６５ａと、蛍光体粉体６５ａを均一に分散させた状態で含有する透明樹脂６５ｂとから構成されている。この例において、蛍光体粉体６５ａは、半導体発光素子６４が発する青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、半導体発光素子６４が発する青色光を吸収して赤色光を発する赤色蛍光体とを含んでいる。なお、赤色蛍光体は、緑色蛍光体が発する光でも励起されるので、緑および赤の蛍光体の比率により、発光装置６０から出力される光の色度の動きは非常に複雑に変化する。このような色度の調節には、半導体発光素子６４の発光波長と、緑および赤の蛍光体の比率と、封止樹脂６５における蛍光体の濃度と、封止樹脂６５の上面すなわち光が出射される出射面６５ｃの形状とが関係する。

この発光装置６０においては、半導体発光素子６４が発する青色光と、蛍光体粉体６５ａに含まれる緑色蛍光体が発する緑色光と、同じく蛍光体粉体６５ａに含まれる赤色蛍光体が発する赤色光とによって、青、緑、赤の３原色が揃う。このため、封止樹脂６５の出射面６５ｃからは、白色光が出射されるようになっている。液晶表示装置のバックライトとしてこの白色光を使った場合の色再現範囲は、半導体発光素子６４の主発光ピークの波長および半値幅と、蛍光体粉体６５ａの発光ピークの波長および半値幅とで決まる。

上述した蛍光体粉体６５ａに好適に用いられる緑色蛍光体は、シリケート系蛍光体（ＢａＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺）が好ましく、また、赤色蛍光体は窒化物蛍光体（ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺）が好ましい。これらの緑色蛍光体および赤色蛍光体は、真密度が３．５〜４．７ｇ／ｃｍ³と比較的低く、平均粒径も質量平均で１０μｍ程度の粉体の作成が可能であるためである。

ここで、緑色蛍光体（ＢａＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺）は、励起波長が３８０〜４４０ｎｍ、発光波長が５０８ｎｍであるので、本実施の形態で用いる青色光を緑色光に変換するための要求特性に対しては、励起波長も発光波長も短すぎる。ただし、Ｂａの一部をＳｒ、Ｃａ、Ｍｇなどの他のアルカリ土類元素で置き換えることで、励起波長及び発光波長を長波長側に移動させることができる。本実施の形態では、励起波長を４５５ｎｍに、発光波長５２８ｎｍにそれぞれ調節することが好ましい。

また、赤色蛍光体（ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺）は、励起波長が４００〜５００ｎｍ、発光波長が６４０ｎｍである。ピーク波長の半値幅は使用目的によって異なる。照明用ではできるだけピーク波長の波形がブロードなものが良いが、本実施の形態のような液晶表示装置のバックライト用途では、できるだけ波形がシャープなものが良い。照明用で演色性（太陽光の下で見た色と同じに見える度合い）を高めるためには、できるだけ太陽光と同じ波長分布をしている必要があり、すべての波長を同程度含んでいることが要求される。これに対し、液晶表示装置のバックライトに使った場合の色再現範囲は青、緑、赤の色度座標上の３点ができるだけ広い必要がある。すなわち色純度ができるだけ高いことが重要である。そのためには３原色の波長分布をできるだけシャープにすることが好ましい。

一方、封止樹脂６５を構成する透明樹脂６５ｂとしては、可視領域において透明な各種樹脂を適用して差し支えないが、耐熱性の観点から、シリコン樹脂を用いることが好ましい。

また、封止樹脂６５には、白色光を出射させる出射面６５ｃが設けられている。この例では、図３（ｂ）に示すように、樹脂容器６１の上部側すなわち凹部６１ａの開口部側に出射面６５ｃが形成されている。
この発光装置６０においては、図３（ｂ）に示すように、出射面６５ｃの中央部が樹脂容器６１の上面よりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面から−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されている。凹み量ｄは、樹脂容器６１の開口端の高さと、出射面６５ｃの最低高さとの差になる。なお、ここでは、樹脂容器６１の開口端の高さを基準（０）としたとき、半導体発光素子６４に近づく側をマイナス（−）としている。したがって、凹み量ｄが上面から−２０μｍ〜−１００μｍの範囲とは、樹脂容器６１の開口端の高さを０μｍとしたときに、出射面６５ｃの最低高さが上面よりも２０μｍ〜１００μｍの範囲で半導体発光素子６４側に位置していることを意味する。

この凹み量ｄは、樹脂容器６１の開口端の延長面Ｌを仮想的に設定し、凹部６１ａ内で硬化した封止樹脂６５の中心点をＡとし、点Ａと延長面Ｌとの距離から求める。実際の測定は、レーザー変位計（たとえばオムロン製 ＺＳＨＬＤ２）で行うことができる。

では、図３に示す発光装置６０の発光動作について説明する。
アノード用リード部６２を正極とし、カソード用リード部６３を負極として半導体発光素子６４に電流を流すと、半導体発光素子６４は青色光を出力する。半導体発光素子６４から出力された青色光は、封止樹脂６５内を進行し、直接あるいは底面７０や壁面８０で反射した後に出射面６５ｃから外部に出射される。但し、出射面６５ｃに向かう光の一部は、出射面６５ｃで反射し、再び封止樹脂６５内を進行する。この間、封止樹脂６５内において、青色光の一部は蛍光体粉体６５ａによって緑色光および赤色光に変換され、変換された緑色光および赤色光は、直接あるいは底面７０や壁面８０で反射した後、青色光と共に出射面６５ｃから外部に出射される。したがって、出射面６５ｃからは、青色光、緑色光および赤色光を含む白色光が出射されることになる。

本実施の形態の発光装置６０のように、封止樹脂６５において蛍光体粉体６５ａが透明樹脂６５ｂに均一に分散されており、封止樹脂６５が光反射率が８５％以上９８％以下の白色樹脂からなる樹脂容器６１の凹部６１ａに収納されている場合の光の挙動は次のようになる。例えば、半導体発光素子６４から出力された光のうち、壁面８０や底面７０を構成する白色樹脂に入射した光は、反射されて封止樹脂６５に戻り、それがまた白色樹脂に入射するというように何度も行き来する複雑な動きをした上で、最終的に封止樹脂６５を通過して出射面６５ｃに抜けて出る。この場合、底面７０に設けられた銀メッキ層の反射の仕方および光吸収率が、非常に大きく影響する。本実施の形態では、底面７０や壁面８０を構成する銀メッキ層や白色樹脂に所謂ランバーシアン反射型の反射特性を持たせることで、これらを所謂鏡面反射型の反射特性とした場合と比較して、底面７０や壁面８０の銀メッキ層や白色樹脂で吸収される光の量を低減することができる。したがって、ランバーシアン反射型の反射特性と鏡面反射型の反射特性とで、発光装置６０から出力される光の量すなわち明るさに違いが出るのは、底面７０や壁面８０での光吸収率の違いによるものであり、仮に光吸収率がゼロであれば、出力に差は生じない。感覚的には、凹部６１ａを構成する底面７０や壁面８０に鏡面反射型の反射特性を持たせた方が、半導体発光素子６４から出力される光を少ない反射回数で出射面６５ｃに導くことができると思われる。しかしながら、実際には、上述したような複雑な光の挙動があるために、底面７０や壁面８０にランバーシアン型の反射特性を持たせた方が、底面７０や壁面８０で吸収される光の量を少なくすることができる。

これらのうち、底面７０や壁面８０に向かう光は、底面７０や壁面８０を構成する銀メッキ層や白色樹脂によって反射されることを繰り返して、最終的に出射面６５ｃに抜け出る。これに対し、出射面６５ｃに向かう光は、底面７０や壁面８０での反射には関係ないかというとそうではなく、一部は封止樹脂６５内に分散された蛍光体粉体６５ａで散乱され、壁面８０を構成する白色樹脂で反射され、底面７０の銀メッキ層および白色樹脂で再び反射されるということを繰り返したのちに出射面６５ｃに抜け出る。このような散乱や反射を行う過程において、少しずつではあるが光の吸収が発生する。半導体発光素子６４から出力される光を極力有効に取り出そうとすると、光を散乱・反射させる回数は極力少ない方がよい。しかしながら、出射面６５ｃ上の位置による色度のばらつきを極力抑える観点からすれば、徹底して散乱・反射を繰り返させた方がよい。このように、半導体発光素子６４から出力される光を、極力有効に取り出すとともに方位ごとの色度のばらつきをなくす、という矛盾したことが、現実には要求されている。

このような要求に対し、本実施の形態では、樹脂容器６１を光吸収が少ない白色樹脂で構成し、且つ、リードフレームを構成するアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３の表面に銀メッキ層を形成することで、凹部６１ａ内における可視光の光吸収率を少なくしている。具体的には、底面７０や壁面８０を構成する銀メッキ層および白色樹脂の可視領域における光吸収率を２％超１５％未満の範囲としている。特に、本実施の形態では、底面７０を構成するアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３の表面に形成される銀メッキの光沢度を０．３〜１．０の範囲とし、且つ、底面７０の一部および壁面８０を白色樹脂にて構成することにより、このような構成を有していないものと比較して、光の取り出し効率すなわち発光効率を向上させている。

では続いて、図４を参照しながら、図３に示す発光装置６０の製造方法について説明する。
まず、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３を一体化したリードフレームに、白色樹脂を射出成形して、凹部６１ａを有する樹脂容器６１を形成する。次いで、樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に露出するカソード用リード部６３上に半導体発光素子６４を接着固定し、ボンディングワイヤによって半導体発光素子６４のｐ型電極、ｎ型電極と、アノード用リード部６２、カソード用リード部６３とを、それぞれ接続する。

次に、凹部６１ａに、蛍光体粉体６５ａと未硬化状態の透明樹脂６５ｂとを含む混合樹脂ペーストＲを充填する。その際、半導体発光素子６４およびボンディングワイヤを混合樹脂ペーストＲによって覆うとともに、混合樹脂ペーストＲの液面Ｒ₁を樹脂容器６１の上面６１ｂよりも凹ませ、その凹み量ｄを上面６１ｂから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定する。例えば図４に示す例では、液面Ｒ₁の中心部Ａ₁の高さと液面Ｒ₁の端部Ｂ₁の高さとの差を２０μｍ〜１００μｍの範囲にする。

樹脂容器６１の凹部６１ａに対する混合樹脂ペーストＲの充填は、ペーストの吐出装置を用いたポッディング法で行うとよい。この吐出装置は、混合樹脂ペーストＲを吐出する吐出ノズルＮと、図示しない制御部とを具備して構成されている。

混合樹脂ペーストＲは、真密度が３ｇ／ｃｍ³以上４．７ｇ／ｃｍ³以下の範囲であるとともに質量平均粒径が７μｍ以上１５μｍ以下の範囲である蛍光体粉体６５ａが、未硬化状態の透明樹脂６５ｂに混合されてなるものであり、粘度が４０００ｃＰ〜１５０００ｃＰの範囲に調整されてなるものである。

ここで、半導体発光素子６４が取り付けられた状態での凹部６１ａの空容積を６．５μＬとし、混合樹脂ペーストＲの注入量の繰り返し精度を例えば±０．２μＬとした場合、注入量が０．２μＬ変動すると、注入後の混合樹脂ペーストＲの液面Ｒ₁の中心部Ａ₁の高さが約２５μｍ変動する。そして、液面Ｒ₁の高さが例えば１００μｍ動いた場合において、出射面６５ｃから出射される光の発光色の色度ｙが０．０１だけ動くので、注入量のバラツキにより動く色度ｙの動きは±０．００２５になる。

なお、混合樹脂ペーストＲの注入量は注入圧力によって制御されるが、注入圧力の最小調整量だけ動かすと、注入量が約０．３μＬ程度変動する。これは、液面Ｒ₁の高さを３８μｍ動かすことに相当する。発光装置６０の発光色の色度ｙの管理幅を±０．００８とした場合、混合樹脂ペーストＲの粘度の変化などで注入後の液面Ｒ₁が動いてしまうような状況では、注入圧力を制御して注入量を変化させ、これにより液面Ｒ₁のレベルを±４０μｍに制御する必要がある。なお、液面Ｒ₁の高さは、上述したレーザー変位計（たとえばオムロン製 ＺＳＨＬＤ２）で行うことができる。このとき、凹部６１ａの端部Ｂ₁同士を結んだ中点から注入後の液面Ｒ₁までの距離を測定する。注入後の硬化熱処理をする前に液面Ｒ₁の高さを測定し、その位置が凹部６１ａの端部Ｂ₁同士を結んだ中点から−２０μｍ〜−１００μｍに入るように注入圧力を制御すればよい。

次に、混合樹脂ペーストＲを硬化させて封止樹脂６５を形成する。硬化処理は、例えば、加熱等を行えばよい。その後、リードフレームをアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３に分離する切断およびリードフレームの折り曲げを行って、発光装置６０が得られる。

＜実施の形態２＞
図５は、本実施の形態が適用される発光装置６０の構成を説明するための図である。ここで、図５（ａ）は発光装置６０の上面図を、図５（ｂ）は図５（ａ）のVＢ−VＢ断面図を、それぞれ示している。

この発光装置６０の基本構成は、実施の形態１で用いたものとほぼ同じである。ただし、リードフレームが４個の金属リード部、具体的には、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３によって構成されている点が異なる。また、これに伴って、樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３が露出している点が異なる。なお、これら第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３の各表面には、実施の形態１と同様に、光沢度が０．３〜１．０、より好ましくは０．５〜０．７の範囲に収まる銀メッキが施されている。

さらに、この発光装置６０は、３個の半導体発光素子すなわち第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃを備えている点が異なる。なお、第１半導体発光素子６４ａは凹部６１ａの底面７０に露出する第１アノード用リード部６２ａに、第２半導体発光素子６４ｂは凹部６１ａの底面７０に露出する第２アノード用リード部６２ｂに、第３半導体発光素子６４ｃは凹部６１ａの底面７０に露出する第３アノード用リード部６２ｃに、それぞれ取り付けられる。そして、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃは、実施の形態１で用いた半導体発光素子６４と同じ構成を有しており、それぞれが青色光を出射するようになっている。

また、この発光装置６０では、第１半導体発光素子６４ａのｐ型電極が第１アノード用リード部６２ａに、第２半導体発光素子６４ｂのｐ型電極が第２アノード用リード部６２ｂに、第３半導体発光素子６４ｃのｐ型電極が第３アノード用リード部６２ｃに、それぞれボンディングワイヤを介して接続されている。一方、これら第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃのそれぞれに設けられたｎ型電極は、共通のカソード用リード部６３に接続されている。したがって、この発光装置６０において、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃは、並列に接続されていることになる。

さらに、この発光装置６０では、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃが、円形状を有する底面７０の中央部からずれた位置にそれぞれ配置されている。

本実施の形態の発光装置６０においても、樹脂容器６１を光吸収が少ない白色樹脂とし、且つ、リードフレームを構成する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３の表面に銀メッキ層を形成し、可視領域におけるこれらの光吸収率を２％超１５％未満の範囲としている。そして、底面７０を構成する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３の表面に形成される銀メッキの光沢度を０．３〜１．０の範囲とし、且つ、壁面８０を白色樹脂にて構成することにより、このような構成を有していないものと比較して、光の取り出し効率すなわち発光効率を向上させることができる。

なお、実施の形態１および実施の形態２では、発光装置６０を用いて構成した発光モジュール１２を、液晶表示装置のバックライト装置１０に適用する例について説明を行ったが、これに限られるものではない。例えば発光モジュール１２をシェード等と組み合わせることによって、空間や物体などを照明する照明装置として利用することもできる。

また、上述した発光装置６０を、例えば信号機、スキャナの光源装置、プリンタの露光装置、車載用の照明機器、ＬＥＤのドットマトリクスを用いたＬＥＤディスプレイ装置等にも適用することができる。

さらに、実施の形態１および実施の形態２では、青色光を出力する半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）と、青色光を緑色光に変換する蛍光体および青色光を赤色光に変換する蛍光体とを用いて、白色光を出力する例について説明を行ったが、これに限られるものではない。すなわち、半導体発光素子６４の発光色（発光波長）については適宜選定して差し支えなく、また、蛍光体についても適宜旋転して差し支えない。そして、本発明においては、発光装置６０が必ずしも蛍光体を含んでいる必要はなく、半導体発光素子６４からの発光光をそのまま出力するものであってもよい。

では次に、本発明の実施例について説明を行う。
図６は、実施例および比較例に用いた各試料とその構成との関係を示す図である。
この実験では、寸法の異なる３種類の樹脂容器６１を用意した。ここで第１の樹脂容器６１（Ｔｙｐｅ１と呼ぶ）は、上面における縦横の大きさが３．５ｍｍ×２．８ｍｍであり、第２の樹脂容器６１（Ｔｙｐｅ２）は、上面における縦横の大きさが３．８ｍｍ×０．８ｍｍであり、第３の筐体（Ｔｙｐｅ３）は上面における縦横の大きさが５．０ｍｍ×５．５ｍｍである。また、Ｔｙｐｅ１〜Ｔｙｐｅ３の樹脂容器６１を構成する白色樹脂の可視領域における光吸収率は７％である。なお、Ｔｙｐｅ１およびＴｙｐｅ２の樹脂容器６１を有する発光装置６０は、図３に示した構造を有しており、それぞれには１個の半導体発光素子６４が搭載されている。一方、Ｔｙｐｅ３の樹脂容器６１を有する発光装置６０は、図５に示した構造を有しており、３個の半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）が搭載されている。

また、この実験では、Ｔｙｐｅ１〜Ｔｙｐｅ３の樹脂容器６１に対し、光沢度の異なる銀メッキを施した７種類のリードフレームを組み合わせた。なお、銀メッキの光沢度は、リードフレーム表面の凹凸の形成に対応している。ここで、光沢度が０．１である第１のリードフレームを有する試料（試料Ｓ１〜Ｓ３）のグループを、Ｇｒ．Ａと呼ぶ。また、光沢度が０．３である第２のリードフレームを有する試料（試料Ｓ４〜Ｓ６）のグループを、Ｇｒ．Ｂと呼ぶ。さらに、光沢度が０．５である第３のリードフレームを有する試料（試料Ｓ７〜Ｓ９）のグループを、Ｇｒ．Ｃと呼ぶ。さらにまた、光沢度が０．６である第４のリードフレームを有する試料（試料Ｓ１０〜Ｓ１２）のグループを、Ｇｒ．Ｄと呼ぶ。また、光沢度が０．７である第５のリードフレームを有する試料（試料Ｓ１３〜Ｓ１５）のグループを、Ｇｒ．Ｅと呼ぶ。さらに、光沢度が１．０である第６のリードフレームを有する試料（試料Ｓ１６〜Ｓ１８）のグループを、Ｇｒ．Ｆと呼ぶ。そして、光沢度が１．３である第７のリードフレームを有する試料（試料Ｓ１９〜Ｓ２１）のグループを、Ｇｒ．Ｇと呼ぶ。なお、この例では、グループＧｒ．Ｂ〜Ｇｒ．Ｆすなわち試料Ｓ４〜Ｓ１８が実施例となり、グループＧｒ．Ａすなわち試料Ｓ１〜Ｓ３およびグループＧｒ．Ｇすなわち試料Ｓ１９〜Ｓ２１が比較例となる。

ここで、Ｇｒ．Ａでは、リードフレームの銀メッキ層が光沢のない所謂無光沢白色の状態となっており、きわめてランバーシアン反射に近い特性を示している。また、Ｇｒ．Ｂ〜Ｇｒ．Ｆでは、リードフレームの銀メッキ層が半光沢の状態となっており、部分的なランバーシアン反射特性を示している。これに対し、Ｇｒ．Ｇでは、リードフレームの銀メッキ層が非常に光沢の高い所謂全光沢の状態となっており、きわめて完全鏡面反射に近い特性を示している。

では、各試料Ｓ１〜Ｓ２１の作成手順について簡単に説明する。
Ｔｙｐｅ１およびＴｙｐｅ２の樹脂容器６１を有する試料Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１９、Ｓ２０は、１枚のリードフレームに対し、白色樹脂にて１４４個の樹脂容器６１を形成して作成した。一方、Ｔｙｐｅ３の筐体を有する試料Ｓ３、Ｓ６、Ｓ９、Ｓ１２、Ｓ１５、Ｓ１８、Ｓ２１は、１枚のリードフレームに対し、白色樹脂にて４０個の樹脂容器６１を形成して作成した。なお、試料Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれにおいて、樹脂容器６１の凹部６１ａの深さはすべて０．６ｍｍである。

そして、各樹脂容器６１に対し、半導体発光素子６４をダイアタッチペーストを用いてダイボンドを行い、１５０℃で２時間加熱してダイアタッチペーストを硬化させたのち、直径２５μｍの田中貴金属製４Ｎの金線を用いてワイヤボンドを行った。なお、Ｔｙｐｅ１およびＴｙｐｅ２の樹脂容器６１を有するものでは、１つの樹脂容器６１に１つの半導体発光素子６４を搭載した。これに対し、Ｔｙｐｅ３の樹脂容器６１を有するものでは、１つの樹脂容器６１に３つの半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）を並列に搭載した。

また、注入時の粘度が９０００ｃＰで密度が１．７ｇ／ｃｍ³のシリコン樹脂からなる未硬化の透明樹脂６５ｂに、密度４．５ｇ／ｃｍ³で励起波長４５０ｎｍ、発光波長５３０ｎｍで質量平均粒径１２μｍのシリケート蛍光体と、密度４．２ｇ／ｃｍ³で励起波長４６０ｎｍ、発光波長６４０ｎｍで質量平均粒径９μｍの窒化物蛍光体とを含む蛍光体粉体６５ａを練り込んだ混合樹脂ペーストＲを準備した。ここでは、透明樹脂６５ｂに対する蛍光体粉体６５ａの混入量を、緑色蛍光体を５．８質量％、赤色蛍光体を２．１質量％として一定とした。

そして、このようにして得られた混合樹脂ペーストＲを、自動樹脂注入器の吐出ノズルＮを用いて注入した。ここで、Ｔｙｐｅ１のものには１．２μＬ、Ｔｙｐｅ２のものには３μＬ、Ｔｙｐｅ３のものには６．８μＬをそれぞれ注入した。Ｔｙｐｅ１およびＴｙｐｅ２のものは、１つのリードフレームに１４４個の樹脂容器６１が設けられている。これらについては１００枚のリードフレームを用意して、合計で計１４４００個の発光装置６０を試作した。一方、Ｔｙｐｅ３のものでは、１つのリードフレームに４０個の樹脂容器６１が設けられている。これについては、４００枚のリードフレームを用意して、合計で１６０００個の発光装置６０を試作した。なお、１つの樹脂容器６１に対して混合樹脂ペーストＲを注入するのに、１．５秒程度の時間を要した。

得られた各発光装置６０について、上述したレーザー変位計で出射面６５ｃの上面の形状を測定した。スタートする前にダミーを流し、１０個の凹み量ｄの平均値（平均凹み量）が−６０μｍ±１０μｍになるように注入量を微調整した。一つのリードフレームの平均凹み量が２０μｍ以上ずれてきたら注入圧力を変え、−６０μｍ±１０μｍに入るように調節した。１つのリードフレーム内のばらつきはＴｙｐｅ１の場合でσ＝約１６μｍ、Ｔｙｐｅ２の場合でσ＝約１３μｍ、Ｔｙｐｅ３の場合でσ＝約１１μｍであった。

ここで、混合樹脂ペーストＲの注入量が小さいほどそのばらつきは大きくなるが、１つのリードフレームで平均化すると凹み量ｄの動きは、時間経過とともにほぼ同じように動いた。その結果、どの樹脂容器６１を用いても、すべて凹み量ｄを−２０μｍ〜−１００μｍに入れることができた。混合樹脂ペーストＲの注入後、１５０℃で４時間熱を加え、硬化処理を行った。

そして、得られた各発光装置６０に対し、Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ社製積分球を用いて出力Ｐ（ｍＷ）、全光束Φ（ｌｍ）および発光効率Ｅ（ｌｍ／Ｗ）の測定を行った。ここで、Ｔｙｐｅ１およびＴｙｐｅ２の樹脂容器６１を有するものでは、通電電流Ｉを２０ｍＡとした。一方、Ｔｙｐｅ３の樹脂容器６１を有するものでは、通電電流Ｉを６０ｍＡとした。これらの測定結果は、各試料Ｓ１〜Ｓ２１をそれぞれ構成する２０個の発光装置６０の平均値とした。

図７は、実施例および比較例で用いた各試料と得られた特性との関係を示す図である。より具体的に説明すると、図７は、各試料Ｓ１〜Ｓ２１と、各試料Ｓ１〜Ｓ２１に対する通電電流Ｉ（ｍＡ）、各試料Ｓ１〜Ｓ２１に対する印加電圧Ｖ（Ｖ）、各試料Ｓ１〜Ｓ２１からの光の出力Ｐ（ｍＷ）、各試料Ｓ１〜Ｓ２１が出力する全光束Φ（ｌｍ）、各試料Ｓ１〜Ｓ２１の発光効率Ｅ（ｌｍ／Ｗ）との関係を示している。

そして、図８は、図６および図７に示す関係から、各試料Ｓ１〜Ｓ２１の光沢度と発光効率Ｅとの関係を、発光装置６０を構成するリードフレームのタイプ（Ｔｙｐｅ１、Ｔｙｐｅ２、Ｔｙｐｅ３）をパラメータとして示すグラフ図である。

図８から明らかなように、Ｔｙｐｅ１、Ｔｙｐｅ２およびＴｙｐｅ３のいずれにおいても、リードフレームがほぼ無光沢となる光沢度＝０．１およびリードフレームがほぼ鏡面光沢となる光沢度＝１．３と比較して、リードフレームが半光沢となる光沢度＝０．３〜１．０の範囲において、より高い発光効率Ｅが得られることがわかる。また、特に光沢度＝０．５〜０．７の範囲において、より高い発光効率Ｅが得られることがわかる。これは、リードフレームの光沢度が０．１の場合には、そのときの光吸収率が１２％まで増加しているために、リードフレームによる光吸収の影響が大きく響くことになるためである。したがって、リードフレームの光沢度を０．３〜１．０の範囲、より好ましくは０．５〜０．７の範囲より選択すればよいことが理解される。

液晶表示装置の全体構成を示す図である。 バックライト装置の構造を説明するための図である。 実施の形態１の発光装置の構成を説明するための図である。 発光装置の製造方法を説明するための図である。 実施の形態２の発光装置の構成を説明するための図である。 実施例および比較例で用いた各試料とその構成との関係を示す図である。 実施例および比較例で用いた各試料と得られた特性との関係を示す図である。 各試料の光沢度と発光効率との関係を、発光装置を構成するリードフレームのタイプをパラメータとして示すグラフ図である。

符号の説明

１０…バックライト装置、１２…発光モジュール、５０…液晶表示モジュール、５１…液晶パネル、６０…発光装置、６１…樹脂容器、６１ａ…凹部、６１ｂ…上面、６２…アノード用リード部、６２ａ…第１アノード用リード部、６２ｂ…第２アノード用リード部、６２ｃ…第３アノード用リード部、６３…カソード用リード部、６４…半導体発光素子、６４ａ…第１半導体発光素子、６４ｂ…第２半導体発光素子、６４ｃ…第３半導体発光素子、６５…封止樹脂、６５ａ…蛍光体粉体、６５ｂ…透明樹脂、６５ｃ…出射面、７０…底面、８０…壁面

Claims (12)

1. 凹部を有する樹脂容器と、
   金属導体と、当該金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度（ＪＩＳＺ８７４１：入射角＝６０°）を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、
   前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
   前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
   を含む発光装置。
2. 前記樹脂容器は、白色顔料を用いて白色化されており、前記凹部において露出する当該樹脂容器および前記銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が１２％未満であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とする請求項１または２記載の発光装置。
4. 前記封止樹脂が、シリコン樹脂にて構成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の発光装置。
5. 底面と、当該底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、
   金属導体と、当該金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度（ＪＩＳＺ８７４１：入射角＝６０°）を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の前記底面に露出した状態で配置される導体部と、
   前記凹部の前記底面に取り付けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
   前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
   を含む発光装置。
6. 前記樹脂容器が、チタニア微粒子を含む樹脂にて構成され、前記凹部において露出する当該樹脂容器および前記銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が１２％未満であることを特徴とする請求項５記載の発光装置。
7. 前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とする請求項５または６記載の発光装置。
8. 可視領域における前記樹脂容器および前記導体部の前記銀メッキ層の光反射率が８５％以上９８％以下であることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項記載の発光装置。
9. 前記凹部の前記底面に露出する前記導体部の面積が、当該底面の全面積の半分以上に設定されることを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項記載の発光装置。
10. 基板と、
    前記基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、
    前記発光装置は、
    凹部を有する樹脂容器と、
    金属導体と、当該金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度（ＪＩＳＺ８７４１：入射角＝６０°）を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、
    前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
    前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
    を有することを特徴とする発光モジュール。
11. 前記発光装置の前記樹脂容器は、白色顔料を用いて白色化されており、前記凹部において露出する当該樹脂容器および前記銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が１２％未満であることを特徴とする請求項１０記載の発光モジュール。
12. 前記発光装置の前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とする請求項１０または１１記載の発光モジュール。

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