[go: up one dir, main page]

TW201332100A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

有機發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201332100A
TW201332100A TW101145382A TW101145382A TW201332100A TW 201332100 A TW201332100 A TW 201332100A TW 101145382 A TW101145382 A TW 101145382A TW 101145382 A TW101145382 A TW 101145382A TW 201332100 A TW201332100 A TW 201332100A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light emitting
organic light
electrode
electrically connected
film transistor
Prior art date
Application number
TW101145382A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI562354B (en
Inventor
Jin-Koo Chung
Jun-Ho Choi
Seong-Min Kim
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201332100A publication Critical patent/TW201332100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI562354B publication Critical patent/TWI562354B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53219—Aluminium alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
    • H01L23/53233—Copper alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/37—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate comprising means for obtaining partial light transmission through the integrated devices, or the assemblies of multiple devices, e.g. partially transparent thin-film photovoltaic modules for windows
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/30—Organic light-emitting transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明揭露一種有機發光顯示裝置，包含:含有第一有機發光二極體之第一發光區; 配置相鄰於第一發光區但不與第一發光區相重疊的第二發光區，該第二發光區含有第二有機發光二極體;電性連接至第一有機發光二極體與第二有機發光二極體的像素電路單元; 以及相鄰第一與第二發光區但不與第一與第二發光區相重疊的透射區，該透射區係配置以傳輸外部光。

Description

有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年01月20日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0006809號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明之實施例的態樣係有關於有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置通常有寬廣視角、高對比率、短的反應時間以及與降低的電力消耗，因此可跨使用於各種應用，例如個人可攜式裝置(例如，MP3播放器與移動式電話)，或大螢幕顯示器(例如電視)。
有機發光顯示裝置有自發光特性，因為有機發光顯示裝置不同於液晶顯示(LCD)裝置，不需要附加的光源，所以有機發光顯示裝置可降低重量與厚度。
而且，藉由含有透明薄膜電晶體(TFTs)與透明有機發光二極體，有機發光顯示裝置可被製造成一透明顯示裝置。
在透明顯示裝置中，當該裝置處在一關閉狀態，位於該裝置之與使用者所在相反側的物件或影像之影像，不僅透過有機發光二極體、薄膜電晶體與各種線路之圖樣，也透過該圖樣之間的空間，而傳送到使用者。然而，有機發光二極體、薄膜電晶體與線路之圖樣不具有高透光度，而圖樣之間的空間也不非常寬廣。如此，整個透明顯示裝置之透光度通常不高。
因此，由於有機發光二極體、薄膜電晶體與線路之圖樣使得傳送到使用者的是一失真影像。其理由係因為圖樣之間的間隙通常僅為幾百奈米，其幾乎等於可見光之波長，如此當光穿透圖樣時會造成光散射。
相比於LCD裝置，有機發光顯示裝置可做成雙側發光顯示裝置。然而，在現存的雙側發光顯示裝置，相同影像係顯示在裝置的兩表面上。如此，顯示在兩表面之其中之一的影像之左側與右側與顯示在另一表面上的影像係互相顛倒。
此外，雙側發光顯示裝置可用分別地製造二個有機發光顯示裝置並將其連結在一起的方式來製造。然而，在此情況下，雙側發光顯示裝置無法以透明顯示裝置來體現。
根據本發明之實施例的一態樣，在有機發光顯示裝置中，藉由改進透射區之透光度以形成透明透射區，如此可產生雙重發光。
根據本發明之實施例的另一態樣，透明有機發光顯示裝置藉由避免或大致上避免光在影像顯示期間散射，以避免或減少通過透射的影像失真。
根據本發明之一實施例，一種有機發光顯示裝置，包含含有第一有機發光二極體的第一發光區；配置相鄰於第一發光區且不重疊第一發光區的第二發光區，第二發光區包含第二有機發光二極體;電性連接至第一有機發光二極體與第二有機發光二極體的像素電路單元; 相鄰於第一發光區與第二發光區且不重疊第一發光區與第二發光區的透射區，透射區係配置以透射(transmit)外部光。
像素電路單元可配置重疊第一發光區，且不重疊第二發光區。
第一有機發光二極體可包含配置用以反射光的第一像素電極。
第二有機發光二極體可包含配置用以透射光的第二像素電極。
像素電路單元可個別地驅動第一有機發光二極體與第二有機發光二極體。
像素電路單元可包含電性連接至第一有機發光二極體的第一發光薄膜電晶體(TFT);電性連接至第二有機發光二極體的第二發光薄膜電晶體。
本發明之有機發光顯示裝置可進一步包含數據線、掃描線以及電力供應源線，用以分別地供應數據訊號、掃描訊號以及電力至像素電路單元。像素電路單元可包含第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體以及電容。在第一薄膜電晶體中，閘極電極可電性連接至掃描線，第一電極可電性連接至數據線，以及第二電極可電性連接至第二薄膜電晶體的閘極電極以及電容。在第二薄膜電晶體中，第一電極可電性連接至電力供應源線與電容，與第二電極可電性連接至第一發光薄膜電晶體與第二發光薄膜電晶體。
在第一發光薄膜電晶體中，第一電極可電性連接至第二薄膜電晶體，而第二電極可電性連接至第一有機發光二極體。在第二發光薄膜電晶體中，第一電極可電性連接至第二薄膜電晶體，與第二電極可電性連接至第二有機發光二極體。
第一有機發光二極體與第二有機發光二極體可發出相同色彩的光。
本發明之有機發光顯示裝置可進一步包含配置在透射區的透明窗體。
根據本發明之另一實施例，有機發光顯示裝置包含:基板;形成在基板上的複數個像素，每一像素含有第一發光區、第二發光區、配置用以透射外部光的透射區以及像素電路單元;複數個第一像素電極，每一第一像素電極係配置在複數個像素之其中之一的第一發光區，且電性連接至複數個像素之其中之一的像素電路單元，每一第一像素電極包含透明導電薄膜以及反射層;複數個第二像素電極，每一第二像素電極係配置在分別的像素之第二發光區中，且電性連接至分別的像素之像素電路單元，且與複數個第一像素電極相隔離配置，每一複數個第二像素電極含有透明導電薄膜或半透光層;面向複數個第一像素電極的第一對向電極;面向複數個第二像素電極的第二對向電極;位在複數個第一像素電極與第一對向電極之間的第一有機層，第一有機層含有第一發光層;位在複數個第二像素電極與第二對向電極之間的第二有機層，第二有機層含有一第二發光層。
第一對向電極與第二對向電極可彼此電性連接。
第一對向電極可配置用以傳輸光。
第二對向電極可為反射電極。
每一第一對向電極與第二對向電極可包含從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、白金(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)與鐿(Yb)所組成的群組中選出的至少一金屬。
每一像素電路單元可配置與複數個第一像素電極之其中之一相重疊，而與任何第二像素電極不相重疊。
每一像素電路單元可包含電性連接至複數個第一像素電極之其中之一的第一發光薄膜電晶體(TFT);電性連接至複數個第二像素電極之其中之一的第二發光薄膜電晶體。
有機發光顯示裝置可進一步包含數據線、掃描線以及電力供應源線，用以分別地供應數據訊號、掃描訊號以及電力至像素電路單元。像素電路單元可包含第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體以及電容。在第一薄膜電晶體中，閘極電極可電性連接至掃描線，第一電極可電性連接至數據線，以及第二電極可電性連接至第二薄膜電晶體的閘極電極與電容。在第二薄膜電晶體中，第一電極可電性連接至電力供應源線與電容，以及第二電極可電性連接至第一發光薄膜電晶體與第二發光薄膜電晶體。
在第一發光薄膜電晶體中，第一電極可電性連接至第二薄膜電晶體，以及第二電極可電性連接至複數個像素之一像素的第一有機發光二極體，且在第二發光薄膜電晶體中，第一電極可電性連接至第二薄膜電晶體，以及第二電極可電性連接至複數個像素之像素的第二有機發光二極體。
每一像素電路單元可包含電性連接至複數個第一像素電極之其中之一的第一像素電路單元;及電性連接至複數個第二像素電極之其中之一且獨立於第一像素電路單元操作的第二像素電路單元。
第一像素電路單元與第二像素電路單元可配置與第一發光區相重疊，而與第二發光區不相重疊。
在複數個像素之中的至少二鄰近像素之複數個透射區可一體形成。
有機發光顯示裝置可進一步包含配置在複數個透射區的複數個透明窗體。
複數個像素之中的至少二鄰近像素之透明窗體可一體形成。
第二對向電極可包含反射金屬薄膜，而反射金屬薄膜可包含複數個孔洞，每一孔洞係對應於第一發光區之其中之一與複數個透明窗體之其中之一。
根據本發明之實施例的一態樣，可透過改進外部光之透光度來製造透明有機發光顯示裝置，且可讓雙重發光發生在透明有機發光顯示裝置上。
根據本發明之實施例的另一態樣，透過消除或大致上消除在影像顯示期間的光散射，透明有機發光顯示裝置係能夠避免或減少其透射的影像失真。
藉由進一步詳細描述一些例示性實施例並參考附加的圖示，本發明的上述與其他特徵與態樣將更清楚明顯，其中:
第1圖係為根據本發明之實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖；
第2圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖；
第3圖係為根據本發明之實施例之有機發光單元的平面示意圖
第4圖係為根據本發明之實施例之第3圖之有機發光單元之像素電路單元的電路圖;
第5圖係為根據本發明的之另一實施例之有機發光單元的平面示意圖;
第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光單元之平面示意圖;
第7圖係為根據本發明之實施例之第3圖之有機發光單元的剖面圖;
第8A圖係為根據本發明之實施例之第7圖之有機發光單元之第一發光區中第一有機發光二極體之剖面示意圖;
第8B圖係為根據本發明的實施例之第7圖之有機發光單元之第二發光區中第二有機發光二極體之剖面示意圖;
第8C圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光單元之第二發光區中第二有機發光二極體之剖面示意圖;
第8D圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光單元之第二發光區中第二有機發光二極體之剖面示意圖;
第8E圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光單元之第二發光區中第二有機發光二極體之剖面示意圖;
第9圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光單元的剖面圖; 以及
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光單元的剖面圖。
在下列的詳細描述中，本發明之一些例示性實施例係以繪圖方式來顯示與描述。熟悉此領域之技術者應可理解，所描述之實施例可在不脫離本發明的精神或範圍下以各種不同的方式作修改。因此，圖示與描述係視為說明的性質且不因此受限制。
在此所使用的，用語"與/或"包含一個或更多之相關聯所列出項目之任何與所有組合。措辭，例如"的至少一"，當使用在一列元件之名單前面時，係修飾整列元件而非修飾該列的個別元件。
第1圖係為根據本發明實施例之有機發光顯示裝置2的剖面圖。請參閱第1圖，有機發光顯示裝置2包含形成在基板1之第一表面11上的有機發光單元21，與用以密封有機發光單元21的密封基板23。
密封基板23可用透明材料形成以顯示有機發光單元21產生的影像，以及防止或大致上防止外部空氣與濕氣滲透到有機發光單元21。
在基板1與密封基板23之間的空間25係以密封材料24耦合基板1之邊緣與密封基板23之邊緣而密封。空間25可填充一吸收劑或一填充物，如之後所描述。
如第2圖所示，在根據本發明的另一實施例有機發光顯示裝置2'中，用以代替密封基板23的密封薄膜26可形成在有機發光單元21上以保護有機發光單元21隔離外部空氣與濕氣。在一實施例中，密封薄膜26可具有無機材料(例如，矽氧化物或矽氮化物)形成之薄膜以及有機材料(例如，環氧樹脂或聚醯亞胺)形成之薄膜交替地堆疊之結構，但是本發明不因此受限制。亦即，在其他實施例，密封薄膜26可包含任何薄膜類型之密封結構。
第3圖係為根據本發明的實施例之第1圖或第2圖之有機發光單元21之範例的平面示意圖。請參閱第3圖，在有機發光單元21中紅色像素Pr、綠色像素Pg與藍色像素Pb係彼此相鄰配置。
每一紅色像素Pr、綠色像素Pg以及藍色像素Pb包含第一發光區PA1、第二發光區PA2以及透射區TA。
在一實施例中，在每一紅色像素Pr、綠色像素Pg以及藍色像素Pb中，第一發光區PA1、第二發光區PA2以及透射區TA係在一垂直方向上依序地彼此相鄰配置，如第3圖繪示，但是本發明不因此受限制。例如，在另一實施例，透射區TA可安置在第一發光區PA1與第二發光區PA2的上方或中間。
請參閱第3圖，每一第一發光區PA1包含像素電路單元PC。雖然未顯示在第3圖，連接至像素電路單元PC的各種線路可安置為通過第一發光區PA1或靠近第一發光區PA1。
第4圖係為根據本發明的實施例之第3圖之像素電路單元PC的電路圖。請參閱第4圖，導線(例如，掃描線S、數據線D與作為電力供應電壓線之Vdd線V)係電性連接至像素電路單元PC。雖然未顯示，各種其他導線可根據像素電路單元PC之結構而進一步連接至像素電路單元PC。
在一實施例中，像素電路單元PC包含連接至掃描線S與數據線D的第一薄膜電晶體(TFT) T1，連接至第一薄膜電晶體T1與Vdd線V的第二薄膜電晶體T2，與一連接至第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2的電容Cst。
在第一薄膜電晶體T1中，閘極電極係連接至掃描線S以接收掃描訊號，第一電極係連接至數據線D，與第二電極係連接至電容Cst與第二薄膜電晶體T2的閘極電極。
在第二薄膜電晶體T2中，第一電極係連接至Vdd線V與電容Cst，而第二電極係連接至第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4之第一電極。
在一實施例中，第一薄膜電晶體T1可作為開關電晶體，而第二薄膜電晶體T2可作為驅動電晶體。
在一實施例中，第一發光薄膜電晶體T3的第二電極係電性連接至第一有機發光二極體E1，而第二發光薄膜電晶體T4的第二電極係電性連接至第二有機發光二極體E2。如此，參閱第3圖與第4圖，第一發光薄膜電晶體T3的第二電極與第二發光薄膜電晶體T4的第二電極係分別地電性連接至有機發光單元21之第一像素電極221與第二像素電極222。
第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4之閘極電極係分別地電性連接至附加的發光訊號線(圖中未顯示)。
在一實施例中，薄膜電晶體T1至T4係為P型電晶體，但是本發明不因此受限制，而且，在另一實施例，薄膜電晶體T1至T4之中的至少一個可為N型電晶體。雖然根據一實施例像素電路單元PC中包含四個薄膜電晶體與一個電容，但是本發明不因此受限制，而且，在另一實施例中，根據像素電路單元PC之結構，可進一步使用至少二個薄膜電晶體與至少一個電容之結合。
根據一本發明的實施例，像素電路單元PC係安置以重疊第一發光區PA1，且與第二發光區PA2不重疊。
如下面段落將描述，每一第一發光區PA1中發生每一子像素之頂發光。因為像素電路單元PC係安置在發生頂發光的每一第一發光區PA1，而作為降低透光度的一重要因素之像素電路單元PC的導電性圖樣不安置在透射區TA，如此透射區TA的透光度可大幅地改進。
換句話說，像素電路單元PC與第一像素電極221相重疊而被第一像素電極221所隱藏，但是不與第二像素電極222相重疊。
在一實施例中，包含掃描線S、數據線D與Vdd線V之導線中的至少一個可安置以與第一像素電極221交錯。因為透光度被導線降低的幅度係少於被像素電路單元PC降低的幅度，根據一實施例，所有的導線可配置相鄰第一像素電極221。如之後所描述，第一像素電極221可包含可反射光線之導電性金屬所形成之反射層，而被第一像素電極221隱藏的像素電路單元PC可被第一像素電極221遮蔽。
在每一第二發光區PA2中，發生每一子像素之底發光。因為像素電路單元PC不安置在發生底發光之每一第二發光區PA2，所以不降低底發光之效率。
根據像素電路單元PC之上述結構，經由數據線D接收之影像資訊於第一發光薄膜電晶體T3"開啟"時，顯示在第一有機發光二極體E1上，而於第二發光薄膜電晶體T4"開啟"時，則顯示在第二有機發光二極體E2上。如此，不同的影像可顯示在第一有機發光二極體E1與第二有機發光二極體E2上。因此，可基於分時驅動來執行雙重發光，在此方式下，相對於顯示在底發光發生之表面上的影像，顯示在頂發光發生之表面上的影像之左側與右側不會顛倒。然而，如果相同切換訊號係供應至相同數據訊號輸入的第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4，則相對於顯示在底表面上的影像之左側與右側，顯示在前表面上的影像之左側與右側係為顛倒。如上所述，可以各種方式在共享像素電路單元PC之基本結構的第一有機發光二極體E1與第二有機發光二極體E2上顯示影像。
請參閱第5圖，根據本發明的另一實施例，像素電路單元PC可包含電性連接至第一像素電極221的第一像素電路單元PC1，以及電性連接至第二像素電極222的第二像素電路單元PC2。第一像素電路單元PC1以及第二像素電路單元PC2可個別地操作。第一像素電路單元PC1與第二像素電路單元PC2可有一般像素電路單元之結構。
請參閱第3圖或第5圖，複數個分開的透射區TA可分別地對應於紅色像素Pr、綠色像素Pg與藍色像素Pb而形成，但是本發明不因此受限制。例如，參閱第6圖，在另一實施例，單一透射區TA可對應於所有紅色像素Pr、綠色像素Pg與藍色像素Pb而形成。在此情況中，單一透射區TA之區域係大於先前實施例描述之分開的透射區TA之區域之總和，從而增加外部光之透光度。
第7圖係為根據本發明的實施例之有機發光單元2之像素的剖面圖。在有機發光單元21中，根據一本發明的實施例，緩衝薄膜211係形成在基板1之第一表面11上，而第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4係形成在緩衝薄膜211上。雖然，為了清楚說明之理由，第7圖僅繪示第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4，在第4圖繪示之像素電路單元PC之所有元件可形成在緩衝薄膜211上。
在一實施例中，第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b係形成在緩衝薄膜211上。
緩衝薄膜211可避免或大致上避免雜質成份滲透到有機發光單元21，且可平坦化有機發光單元21之表面。緩衝薄膜211可用各種材料來形成，以執行上面描述的功能。例如，緩衝薄膜211可以無機材料(例如，矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化合物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物或鈦氮化物)、有機材料(例如，聚醯亞胺、聚酯、或壓克力)，或這些材料之堆疊而形成。在另一實施例，緩衝薄膜211可省略不用。
第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b，在一實施例中，可用多晶矽來形成，但是並不以此為限，在另一實施例，例如，可用氧化物半導體來形成。例如，第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b可為G-I-Z-O層[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c層]，其中a、b與c係為分別地滿足a≥0、b≥0、以及c>0的整數。
在一實施例中，覆蓋第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b的閘極絕緣膜213係形成在緩衝薄膜211上，而第一閘極電極214a與第二閘極電極214b係形成在閘極絕緣膜213上。
在一實施例中，層間絕緣薄膜215係形成在閘極絕緣膜213上以覆蓋第一閘極電極214a與第二閘極電極214b。第一源極電極216a與第一汲極電極217a，以及第二源極電極216b與第二汲極電極217b係形成在層間絕緣薄膜215上，以透過接觸孔分別連接至第一半導體主動層212a與第二半導體主動層212b。
在一實施例中，掃描線S可與第一與第二閘極電極214a與214b同時或同步地形成。在一實施例，數據線D與Vdd線V可與第一源極電極216a與第二源極電極216b同時或同步地形成。
然而，第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4之結構並不受此限制，而可使用各種類型之薄膜電晶體結構。
在一實施例中，鈍化膜218係形成以覆蓋第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4。鈍化膜218可為單層或多層之絕緣膜。鈍化膜218可由無機材料與/或有機材料所形成。
請參閱第7圖，覆蓋第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4的第一像素電極221可形成在鈍化膜218上。第一像素電極221係透過形成在鈍化膜218中的穿透孔連接至第一發光薄膜電晶體T3之第一汲極電極217a。
在一實施例，第二像素電極222，係形成在鈍化膜218上且鄰近第一像素電極221。第一像素電極221與第二像素電極222彼此分隔。第二像素電極222係透過形成在鈍化膜218中的穿透孔連接至第二發光薄膜電晶體T4之第二汲極電極217b。
在一實施例中，覆蓋第一像素電極221與第二像素電極222邊緣的像素定義薄膜219係形成在鈍化膜218上。
第一有機層223係形成在第一像素電極221上，而第一對向電極224係形成以覆蓋第一有機層223。
第二有機層223'係形成在第二像素電極222上，而第二對向電極225係形成以覆蓋第二有機層223'。
第一對向電極224與第二對向電極225可彼此電性連接，如第7圖所繪示。
可用相同材料形成第一有機層223與第二有機層223'。每一第一有機層223與第二有機層223'可為低分子量有機層或具有高分子量的聚合物有機層。在一實施例中，每一第一有機層223與第二有機層223'可為低分子量有機薄膜，且可以單一結構或複合結構堆疊電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)而形成，且可用任何各種材料來形成，例如銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。低分子量有機層可用真空沉積形成。在這方面，EML可為了每一像素而個別地形成，而HIL、HTL、ETL與EIL可為使用於像素中的共同層。
第一像素電極221與第二像素電極222可作用為陽極電極，而第一對向電極224與第二對向電極225可作用為陰極電極，或反過來。
在一實施例中，第一像素電極221可具有對應於每一像素之第一發光區PA1大小的尺寸，而第二像素電極222可具有對應於每一像素之第二發光區PA2大小的尺寸。
共同電壓可施加至有機發光單元21之所有像素之第一對向電極224與第二對向電極225。
鈍化膜218、閘極絕緣膜213、層間絕緣薄膜215與像素定義薄膜219可形成為透明絕緣薄膜，但是本發明不因此受限制。在一實施例中，基板1可具有少於或等於透明絕緣薄膜之總透光度的透光度。
第8A圖係為根據本發明的實施例之第7圖之第一發光區PA1中第一有機發光二極體之剖面示意圖。第8B圖係為根據本發明的實施例之第7圖之第二發光區PA2中第二有機發光二極體之示意剖面圖。
根據本發明的一實施例，第一像素電極221可為含有反射層的電極，與第一對向電極224可為半透明與半反射電極。因此，第一發光區PA1可為影像朝向第一對向電極224顯示的頂發光型區域。
在一實施例中，第一像素電極221係為反射電極，而安置在第一像素電極221下的像素電路單元PC係被第一像素電極221所覆蓋。如此，參閱第7圖，在第一對向電極224上面的外側上，無法觀察到第一像素電極221之下的第一發光薄膜電晶體T3與第二發光薄膜電晶體T4之圖樣。
當第一像素電極221係反射電極，光僅向使用者射出，從而避免或減少在使用者相反方向上的光學損耗。
在一實施例中，第二像素電極222係透明電極，而第二對向電極225係反射電極。在此情況下，第二發光區PA2係為影像朝向第二像素電極222顯示的底發光型區域。
在一實施例中，第一像素電極221可為第一透明導電薄膜221a、反射層221b與第二透明導電薄膜221c之堆疊結構。每一第一透明導電薄膜221a與第二透明導電薄膜221c可包含具有高功函數之氧化物，例如ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、ZnO、或In2O3。反射層221b可以具有低功函數之金屬，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、白金(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鐿(Yb)或上述金屬的合金而形成。
在一實施例，第一有機層223係為形成在第一像素電極221上的第一功能層223a、第一發光層223b與第二功能層223c之堆疊結構。第一對向電極224係形成在第一有機層223上。
第一功能層223a可包含HIL與HTL，而第二功能層223c可包含EIL與ETL。
第一對向電極224可以具有低功函數之金屬，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、白金(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鐿(Yb)或其合金所形成。第一對向電極224可為具有高透光度之薄膜，且可為形成具有大約100至300Å的厚度。
可基於從第一發光層223b射出光的波長，調整反射層221b之表面與第一對向電極224之間的距離以造成光學共振發生。對於紅色像素、綠色像素與藍色像素者此距離可為不同。為了光學共振，可進一步透過在第一功能層223a與/或第二功能層223c上形成根據像素之色彩而決定厚度的輔助層而調整該距離。
具有上述結構之第一發光區PA1係為影像朝向第一對向電極224顯示的頂發光型區域，而透過調整反射層221b之表面與第一對向電極224之間的距離可增加或最大化光萃取效率。
如上所述，第二像素電極222係以具有低反射率之透明導電性材料所形成。如此，第二像素電極222可與包含在第一像素中電極221之第一透明導電薄膜221a與第二透明導電薄膜221c中至少一個同時或同步地形成。然而，本發明不因此受限制，而根據本發明的另一實施例之第二像素電極222'可為第一透明導電薄膜222a、反射層222b以及第二透明導電薄膜222c之堆疊結構，如第8C圖所示。第一透明導電薄膜222a與第二透明導電薄膜222c可包含具有高功函數之氧化物，例如ITO、IZO、ZnO或In2O3。反射層222b可以薄膜金屬以具有半透明特性，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、白金(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鐿(Yb)或其合金。在一實施例中，第二像素電極222'之第一透明導電薄膜222a、反射層222b以及第二透明導電薄膜222c可分別地與第一像素電極221之第一透明導電薄膜221a、反射層221b以及第二透明導電薄膜221c同時或同步地形成。
在一實施例，第二有機層223'係為含有形成在第二像素電極222上的第三功能層223a'、第二發光層223b'以及第四功能層223c'的堆疊結構。第二對向電極225係形成在第二有機層223'上。第三功能層223a'與第四功能層223c'可分別地從第一功能層223a與第二功能層223c延伸。在第二發光層223b'與第一發光層223b有相同顏色之一實施例中，第二發光層223b'可從第一發光層223b延伸。
在一實施例中，第二發光區PA2係為影像朝向第二像素電極222顯示的底發光型區域，而第二對向電極225可包含半透光薄膜225a與金屬薄膜225b。半透光薄膜225a可以用於形成第一對向電極224之材料來形成，且可從第一對向電極224延伸。金屬薄膜225b可堆疊在半透光薄膜225a上且可作為反射層。金屬薄膜225b可用具有低功函數之金屬，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、白金(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鐿(Yb)或其合金所形成。在一實施例，金屬薄膜225b可形成厚於透光薄膜225a，藉此以增加從第二有機層223'射出之光的反射率與減少在第二對向電極225之電壓降。參考第8D圖，在根據本發明的另一實施例之第二對向電極225'中，可在半透光薄膜225a形成之前形成金屬薄膜225b。在此情況中，第二對向電極225'具有金屬薄膜225b與半透光薄膜225a依序地堆疊之結構。
在一實施例中，第二對向電極225之半透光薄膜225a可與第一對向電極224一體形成。
然而，本發明不因此受限制，而根據本發明的另一實施例第二對向電極225''視需要可僅包含金屬薄膜225b，如第8E圖所繪示。
同樣地，第二對向電極225'與第二對向電極225''之結構之上述各種實施例可也應用在第8C圖繪示之第二像素電極222'之結構。
雖然第7圖繪示第二對向電極225係半透光薄膜225a與金屬薄膜225b之堆疊結構，如第8B圖所繪示，但本發明不因此受限制，在其他實施例，第7圖所示之第二發光區PA2可包含係金屬薄膜225b與半透光薄膜225a之堆疊結構的第二對向電極225'，如第8D圖所繪示，或可包含僅有金屬薄膜225b的第二對向電極225''，如第8E圖所繪示。
在一實施例，金屬薄膜225b可為形成至少不延伸到透射區TA，如第7圖所繪示。
根據一本發明的實施例，透明窗體230可形成在透射區TA中以大幅地增加穿過透射區TA之外部光的透射度，如第7圖所繪示。
透明窗體230可有對應於透射區TA之區域。請參閱第7圖，可在第一對向電極224與第二對向電極225中對應於透射區TA之位置處形成孔洞以形成第一透明窗體231使得第一對向電極224與第二對向電極225不形成在透射區TA中。在一實施例中，第一透明窗體231係改進穿過透射區TA之外部光的透射度。
然而，本發明不因此受限制，且在另一實施例中，延伸的對向電極226可形成在透射區TA中，如第9圖所繪示。延伸的對向電極226可用形成第一對向電極224與半透光薄膜225a之材料來形成，且可從半透光薄膜225a延伸出。藉由在透射區TA中形成延伸的對向電極226，其不須圖樣化從第一對向電極224與半透光薄膜225a延伸之半透光薄膜，從而便利有機發光顯示裝置之製造。
當第二對向電極225、225'、225''包含如第8B圖、第8D圖或第8E圖所繪示的金屬薄膜225b，金屬薄膜225b可具有對應於第一發光區PA1與透射區TA之孔洞，如第7圖或第9圖所繪示。在對應於透射區TA之金屬薄膜225b中的孔洞可形成以對應於第一透明窗體231。如此，可能增加發生頂發光之第一發光區PA1的光萃取效率以及穿過透射區TA之外部光的透射度。
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機發光單元的剖面圖。在第10圖之有機發光單元中，第二透明窗體232係形成在像素定義薄膜219中。第二透明窗體232可連接至第一透明窗體231，例如第10圖所示，從而形成透明窗體230。在第10圖，所示之第二透明窗體232僅形成在像素定義薄膜219中，但是本發明不因此受限制，而且，在另一實施例，第二透明窗體232可形成在透射區TA中的絕緣薄膜中的至少一個中。
在一實施例，第二透明窗體232係增加透射區TA之透光度，且可也防止或減少多層透明絕緣薄膜所造成的光學干擾、色彩純度之劣化以及顏色改變。
雖然未顯示，在另一實施例，透明窗體230可僅包含第二透明窗體232，而第一透明窗體係為可不形成在延伸之對向電極226中的孔洞。
在一實施例中，每一對應於透射區TA之形狀的透明窗體可為了紅色像素Pr、綠色像素Pg以及藍色像素Pb分別地形成，如第3圖所繪示。在另一實施例，單一透射區TA對應所有的紅色像素Pr、綠色像素Pg以及藍色像素Pb，如第6圖所繪示。而透明窗體可為了所有的紅色像素Pr、綠色像素Pg以及藍色像素Pb而形成。
雖然本發明已經參考一些例示性實施例而特別顯示與描述，技術領域之通常知識將可理解，可對其進行形式與細節上的各種改變而不脫離下列的申請專利範圍定義之本發明的精神與範圍。
1．．．基板
11．．．第一表面
2、2’．．．有機發光顯示裝置
21．．．有機發光單元
211．．．緩衝薄膜
212a．．．第一半導體主動層
212b．．．第二半導體主動層
213．．．閘極絕緣膜
214a．．．第一閘極電極
214b．．．第二閘極電極
215．．．層間絕緣薄膜
216a．．．第一源極電極
216b．．．第二源極電極
217a．．．第一汲極電極
217b．．．第二汲極電極
218．．．鈍化膜
219．．．像素定義薄膜
221．．．第一像素電極
221a．．．第一對向電極
221b．．．反射層
221c．．．第二透明導電薄膜
222、222’．．．第二像素電極
222a．．．第一透明導電薄膜
222b．．．反射層
222c．．．第二透明導電薄膜
223．．．第一有機層
223a．．．第一功能層
223b．．．第一發光層
223c．．．第二功能層
223’．．．第二有機層
223a’．．．第三功能層
223b’．．．第二發光層
223c’．．．第四功能層
224．．．第一對向電極
225、225’、225’’．．．第二對向電極
225a．．．半透光薄膜
225b．．．金屬薄膜
226．．．延伸的對向電極
23．．．密封基板
230．．．透明窗體
231．．．第一透明窗體
232．．．第一透明窗體
24．．．密封材料
25．．．空間
26．．．密封薄膜
PC．．．像素電路單元
PC1．．．第一像素電路單元
PC2．．．第二像素電路單元
Pr．．．紅色像素
Pb．．．藍色像素
Pg．．．綠色像素
PA1．．．第一發光區
PA2．．．第二發光區
TA．．．透射區
S．．．掃描線
D．．．數據線
V．．．電力供應電壓線
T1．．．第一薄膜電晶體
T2．．．第二薄膜電晶體
T3．．．第一發光薄膜電晶體
T4．．．第二發光薄膜電晶體
Cst．．．電容
E1．．．第一有機發光二極體
E2．．．第二有機發光二極體
21．．．有機發光單元
221．．．第一像素電極
222．．．第二像素電極
PA1．．．第一發光區
PA2．．．第二發光區
TA．．．透射區
Pr．．．紅色像素
Pb．．．藍色像素
Pg．．．綠色像素
PC．．．像素電路單元

Claims (25)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含﹕一第一發光區，包含一第一有機發光二極體;一第二發光區，係配置相鄰於該第一發光區，且不重疊該第一發光區，該第二發光區包含一第二有機發光二極體;一像素電路單元，係電性連接至該第一有機發光二極體與該第二有機發光二極體; 以及一透射區，係相鄰於該第一發光區與該第二發光區，且不重疊該第一發光區與該第二發光區，該透射區係配置以透射外部光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電路單元係配置重疊該第一發光區，且不重疊該第二發光區。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光二極體包含配置用以反射光的一第一像素電極。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二有機發光二極體包含配置用以透射光的一第二像素電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電路單元係個別地驅動該第一有機發光二極體與該第二有機發光二極體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電路單元包含:一第一發光薄膜電晶體，係電性連接至該第一有機發光二極體; 以及一第二發光薄膜電晶體，係電性連接至該第二有機發光二極體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含一數據線、一掃描線以及一電力供應源線，用以分別供應一數據訊號、一掃描訊號以及電力至該像素電路單元，其中該像素電路單元包含一第一薄膜電晶體、一第二薄膜電晶體以及一電容，其中在該第一薄膜電晶體中，一閘極電極係電性連接至該掃描線，一第一電極係電性連接至該數據線，以及一第二電極係電性連接至該第二薄膜電晶體之一閘極電極以及該電容，以及其中在該第二薄膜電晶體中，一第一電極係電性連接至該電力供應源線與該電容，與一第二電極係電性連接至該第一發光薄膜電晶體與該第二發光薄膜電晶體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中在該第一發光薄膜電晶體中，一第一電極係電性連接至該第二薄膜電晶體，而一第二電極係電性連接至該第一有機發光二極體，而其中在該第二發光薄膜電晶體中，一第一電極係電性連接至該第二薄膜電晶體，且一第二電極係電性連接至該第二有機發光二極體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光二極體與該第二有機發光二極體係發出相同色彩的光。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含配置在該透射區的一透明窗體。
  11. 一種有機發光顯示裝置，包含:一基板;複數個像素，係形成在該基板上，每一該複數個像素含有一第一發光區、一第二發光區、配置用以透射外部光的一透射區、以及一像素電路單元;複數個第一像素電極，每一該複數個第一像素電極係配置在該複數個像素之其中之一的該第一發光區，且電性連接至該複數個像素之其中之一的該像素電路單元，每一該複數個第一像素電極包含一透明導電薄膜以及一反射層;複數個第二像素電極，每一該複數個第二像素電極係配置在個別的該複數個像素之該第二發光區中，且電性連接至個別的該複數個像素之該像素電路單元，且與該複數個第一像素電極相隔離配置，每一該複數個第二像素電極含有一透明導電薄膜或一半透光層;一第一對向電極，係面向該複數個第一像素電極;一第二對向電極，係面向該複數個第二像素電極;一第一有機層，位在該複數個第一像素電極與該第一對向電極之間，該第一有機層含有一第一發光層; 以及一第二有機層，位在該複數個第二像素電極與該第二對向電極之間，該第二有機層含有一第二發光層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一對向電極與該第二對向電極彼此電性連接。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一對向電極係配置用以透射光。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二對向電極係為一反射電極。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一對向電極與該第二對向電極各包含從銀、鎂、鋁、白金、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣與鐿所組成的群組中選出的至少一金屬。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該像素電路單元係配置與該複數個第一像素電極之其中之一相重疊，而與任何該複數個第二像素電極不相重疊。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該像素電路單元包含:一第一發光薄膜電晶體，電性連接至該複數個第一像素電極之其中之一; 以及一第二發光薄膜電晶體，電性連接至該複數個第二像素電極之其中之一。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含一數據線、一掃描線以及一電力供應源線，用以分別地供應一數據訊號、一掃描訊號以及電力至該像素電路單元，其中該像素電路單元包含一第一薄膜電晶體、一第二薄膜電晶體以及一電容，其中在該第一薄膜電晶體中，一閘極電極係電性連接至該掃描線，一第一電極係電性連接至該數據線，以及一第二電極係電性連接至該第二薄膜電晶體的一閘極電極與該電容，且其中在該第二薄膜電晶體中，一第一電極係電性連接至該電力供應源線與該電容，以及一第二電極係電性連接至該第一發光薄膜電晶體與該第二發光薄膜電晶體。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中在該第一發光薄膜電晶體中，一第一電極係電性連接至該第二薄膜電晶體，以及一第二電極係電性連接至該複數個像素之一像素的一第一有機發光二極體，且其中在該第二發光薄膜電晶體中，一第一電極係電性連接至該第二薄膜電晶體，以及一第二電極係電性連接至該複數個像素之該像素的一第二有機發光二極體。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該像素電路單元包含:一第一像素電路單元，係電性連接至該複數個第一像素電極之其中之一; 以及一第二像素電路單元，係電性連接至該複數個第二像素電極之其中之一，且獨立於該第一像素電路單元操作。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一像素電路單元與該第二像素電路單元係配置與該第一發光區相重疊，而與該第二發光區不相重疊。
  22. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中在該複數個像素之中的至少二相鄰像素之複數個該透射區係一體形成。
  23. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含配置在複數個該透射區的複數個透明窗體。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個像素之中的至少二相鄰像素之該複數個透明窗體係一體形成。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二對向電極包含一反射金屬薄膜，而其中該反射金屬薄膜包含複數個孔洞，每一該複數個孔洞係對應於複數個該第一發光區之其中之一與該複數個透明窗體之其中之一。
TW101145382A 2012-01-20 2012-12-04 Organic light emitting display device TWI562354B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120006809A KR101275810B1 (ko) 2012-01-20 2012-01-20 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201332100A true TW201332100A (zh) 2013-08-01
TWI562354B TWI562354B (en) 2016-12-11

Family

ID=47757303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101145382A TWI562354B (en) 2012-01-20 2012-12-04 Organic light emitting display device

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9111890B2 (zh)
EP (2) EP2618378B1 (zh)
JP (2) JP2013149971A (zh)
KR (1) KR101275810B1 (zh)
CN (2) CN203325906U (zh)
TW (1) TWI562354B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI627744B (zh) * 2015-12-29 2018-06-21 Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置的方法
TWI697119B (zh) * 2017-12-18 2020-06-21 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 雙面發光透明有機發光二極體顯示器
US11107861B2 (en) 2017-12-08 2021-08-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
TWI742522B (zh) * 2020-01-30 2021-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9083000B2 (en) * 2011-04-29 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
KR101923173B1 (ko) * 2012-02-14 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102092705B1 (ko) 2013-08-16 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI515939B (zh) * 2013-12-06 2016-01-01 財團法人工業技術研究院 發光裝置
KR102265753B1 (ko) * 2014-06-13 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102136789B1 (ko) * 2014-06-17 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102236381B1 (ko) * 2014-07-18 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN104201292B (zh) 2014-08-27 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR102237117B1 (ko) 2014-09-01 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI533448B (zh) * 2014-09-26 2016-05-11 友達光電股份有限公司 有機發光二極體的畫素結構
KR102383076B1 (ko) * 2015-01-22 2022-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102637151B1 (ko) * 2015-02-06 2024-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104795434B (zh) * 2015-05-12 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素单元、透明显示装置及制作方法、显示设备
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
KR102445816B1 (ko) * 2015-08-31 2022-09-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10826021B2 (en) 2015-09-10 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device including a plurality of unit regions each including a light emitting area and a transmissive area
KR102435391B1 (ko) * 2015-09-25 2022-08-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2017072634A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for manufacturing display device and electronic device
KR102616580B1 (ko) * 2015-11-23 2023-12-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102471111B1 (ko) * 2015-11-23 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102483229B1 (ko) 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170085157A (ko) * 2016-01-13 2017-07-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102447451B1 (ko) * 2016-01-20 2022-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6815090B2 (ja) * 2016-03-31 2021-01-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル及びその製造方法
CN106024835A (zh) * 2016-06-02 2016-10-12 Tcl集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法
KR102504630B1 (ko) * 2016-07-01 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102651858B1 (ko) 2016-07-04 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널
KR102501705B1 (ko) 2017-03-24 2023-02-21 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102315502B1 (ko) * 2017-04-14 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
CN115425052A (zh) * 2017-06-29 2022-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
TWI627766B (zh) * 2017-08-04 2018-06-21 友達光電股份有限公司 雙向發光模組及應用其之透明顯示裝置
KR102430809B1 (ko) * 2017-09-29 2022-08-09 엘지디스플레이 주식회사 양면 디스플레이
CN108288633B (zh) * 2018-01-02 2021-10-08 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
WO2019180643A1 (en) 2018-03-20 2019-09-26 Nexus Technologies, Inc. Regulating the operating point of a power inverter
TWI675469B (zh) * 2018-04-26 2019-10-21 矽碁科技股份有限公司 用於顯示靜態圖案的顯示裝置以及其製作方法與禮盒
KR20190126963A (ko) 2018-05-02 2019-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102551867B1 (ko) * 2018-05-29 2023-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102609512B1 (ko) * 2018-06-27 2023-12-04 엘지디스플레이 주식회사 패널, 디스플레이 및 차량용 디스플레이
KR102663635B1 (ko) 2018-09-19 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
CN110942746B (zh) 2018-09-21 2022-07-01 北京小米移动软件有限公司 有机发光二极管显示屏、显示控制方法和电子设备
CN109742132B (zh) * 2019-02-28 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
US11727859B2 (en) 2018-10-25 2023-08-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display device
CN111384087A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板
CN111490066B (zh) * 2019-01-28 2022-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板以及电子装置
CN109817672B (zh) 2019-01-29 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units
CN110047879B (zh) * 2019-03-28 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板以及电子装置
CN109962096B (zh) * 2019-04-15 2021-02-23 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示装置
JP2020181695A (ja) * 2019-04-25 2020-11-05 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、並びに蒸着マスクセット
CN111987120A (zh) 2019-05-24 2020-11-24 北京小米移动软件有限公司 像素显示组件、屏幕显示组件、显示屏及终端
US11428826B2 (en) 2019-09-09 2022-08-30 Semiconductor Components Industries, Llc Silicon photomultipliers with split microcells
US20220352481A1 (en) * 2019-10-08 2022-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2021082733A (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 株式会社デンソー 表示装置
KR102756808B1 (ko) * 2019-12-27 2025-01-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102729888B1 (ko) * 2019-12-31 2024-11-13 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210104201A (ko) * 2020-02-14 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN111192912B (zh) * 2020-02-26 2023-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111430414A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及制备方法、显示装置
KR102776381B1 (ko) * 2020-04-02 2025-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220096188A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220097059A (ko) 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255532B1 (ko) * 2002-12-27 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR100590068B1 (ko) * 2004-07-28 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치와, 그 표시 패널 및 화소 회로
US20060038752A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Eastman Kodak Company Emission display
JP4289332B2 (ja) * 2004-09-30 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ表示装置、ｅｌ表示装置の製造方法、及び電子機器
KR20070029007A (ko) 2005-09-08 2007-03-13 엘지전자 주식회사 양면 ｏｌｅｄ 디스플레이 장치
KR100731753B1 (ko) 2005-09-26 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 양면 발광 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
TWI327042B (en) 2006-01-19 2010-07-01 Au Optronics Corp Double-sided organic electro-luminescence device and electronic device
TWI335681B (en) * 2007-05-18 2011-01-01 Ind Tech Res Inst White light organic electroluminescent element device
TW200907905A (en) * 2007-08-15 2009-02-16 Tpo Displays Corp System for displaying image
JP2009054328A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP5672695B2 (ja) * 2009-12-18 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 表示装置
KR101084198B1 (ko) 2010-02-24 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101097338B1 (ko) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101097337B1 (ko) 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101146984B1 (ko) * 2010-03-09 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20110101980A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101146988B1 (ko) * 2010-05-04 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101193195B1 (ko) * 2010-07-02 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101954981B1 (ko) 2010-09-24 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI627744B (zh) * 2015-12-29 2018-06-21 Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置的方法
US10084026B2 (en) 2015-12-29 2018-09-25 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US10403696B2 (en) 2015-12-29 2019-09-03 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US11107861B2 (en) 2017-12-08 2021-08-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
TWI740078B (zh) * 2017-12-08 2021-09-21 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 有機發光二極體顯示器
TWI697119B (zh) * 2017-12-18 2020-06-21 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 雙面發光透明有機發光二極體顯示器
US11832482B2 (en) 2017-12-18 2023-11-28 Lg Display Co., Ltd. Double-sided emissive transparent organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
TWI742522B (zh) * 2020-01-30 2021-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2618379A3 (en) 2017-09-13
EP2618378A3 (en) 2017-09-13
KR101275810B1 (ko) 2013-06-18
EP2618378B1 (en) 2023-06-07
CN203325906U (zh) 2013-12-04
EP2618379A2 (en) 2013-07-24
US9634075B2 (en) 2017-04-25
US9111890B2 (en) 2015-08-18
JP2018026593A (ja) 2018-02-15
TWI562354B (en) 2016-12-11
JP6457613B2 (ja) 2019-01-23
US20150357382A1 (en) 2015-12-10
CN103219355B (zh) 2018-09-14
JP2013149971A (ja) 2013-08-01
CN103219355A (zh) 2013-07-24
EP2618379B1 (en) 2021-09-15
EP2618378A2 (en) 2013-07-24
US20130187131A1 (en) 2013-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201332100A (zh) 有機發光顯示裝置
CN102169886B (zh) 有机发光显示装置
CN107564937B (zh) 有机发光显示装置
KR102412875B1 (ko) 유기발광 표시장치
US9159772B2 (en) Organic light emitting display
JP5240796B2 (ja) 有機発光表示装置
CN103855184B (zh) 有机发光显示装置和制造该装置的方法
JP5933928B2 (ja) 有機発光表示装置
KR102562897B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
TW201508900A (zh) 有機發光顯示設備及製造彼之方法
JP2009123404A (ja) 表示装置
US11903267B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR20120111798A (ko) 유기전계 발광소자
US20110168988A1 (en) Organic light emitting diode display
US20240224661A1 (en) Dual-side organic light emitting display device
KR101889020B1 (ko) 유기전계 발광소자