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TWI627744B - 有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置的方法 - Google Patents

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TWI627744B
TWI627744B TW105140115A TW105140115A TWI627744B TW I627744 B TWI627744 B TW I627744B TW 105140115 A TW105140115 A TW 105140115A TW 105140115 A TW105140115 A TW 105140115A TW I627744 B TWI627744 B TW I627744B
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thin film
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light emitting
light
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南敬真
金正五
金容玟
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Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明揭露一種提高開口率的有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，該有機發光顯示裝置包括：一發光裝置，設置在一基板的每個子像素處；一像素電路，驅動該發光裝置；一堤岸，在除了設置該像素電路的區域之外的其餘區域處提供一第一發光區域，以及在設置該像素電路的區域處提供一第二發光區域；以及一彩色濾光片，設置在該第一發光區域和該第二發光區域處，其中，包含在該像素電路中的電極的至少其中之一包括在該第二發光區域處的一透明導電層。

Description

有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置的方法
本發明涉及一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，更具體地，涉及一種提高開口率的有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置的方法。
在螢幕上顯示各種資訊的顯示裝置是資訊技術時代的核心技術。顯示裝置被開發成薄、輕、可攜性和高性能。為此，諸如有機發光顯示裝置的平面顯示裝置(其控制從有機發光層發射的光量以顯示影像)受到關注，因為重量和體積(為陰極射線管的缺點CRT)減小了。作為自發光裝置的有機發光二極體(OLED)器件具有低功耗、快速反應時間、高發光效率、高亮度和寬視角。
在有機發光顯示裝置中，複數個像素以矩陣形式佈置以顯示影像。這裡，每個像素包括發光裝置和包括獨立驅動發光裝置的複數個電晶體的像素電路。
在有機發光顯示裝置中，當從有機發光裝置產生的光被發射到基板的底部時，包括在像素電路中的複數個電極層由設置在像素電路的區域處的不透明材料形成，使得從有機發光裝置產生的光無法發射。因此，傳統的有機發光顯示裝置具有由於像素電路佔據的區域而減小開口率。此外，近來，由於在每個子像素中設置補償電路，因此，難以確保開口率。
因此，本發明係涉及一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，基本上消除了由於習知技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明之目的是提供一種提高開口率的有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置的方法。
本發明之其他優點、目的和特徵，其中有一部分將在下文中闡述，有一部分對所屬技術領域中具有通常技術者在檢視下文內容後，將是顯而易見的，或者可由實施本發明而理解。本發明之目的和其它優點可由書面描述、申請專利範圍、以及附圖中具體指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些目的和其他優點，根據本發明之目的，如這裡具體廣泛地描述，一種有機發光顯示裝置包括：一堤岸，在除了設置像素電路的區域之外的其餘區域處提供一第一發光區域，以及在設置像素電路的區域處提供一第二發光區域。該有機發光顯示裝置包括一彩色濾光片以及設置在該第一發光區域和該第二發光區域處的一發光裝置。包含在像素電路中的電極的至少其中之一包括：在第二發光區域處的一透明導電層，從而提高開口率。
要了解的是，本發明之前述一般性描述及以下詳細描述都是例示性和解釋性的，且均旨在對所請求保護之本發明提供進一步解釋。
100‧‧‧驅動薄膜電晶體
101‧‧‧基板
104‧‧‧第二主動層
106‧‧‧第二閘極
108‧‧‧第二源極
110‧‧‧第二汲極
112‧‧‧閘極絕緣圖案
116‧‧‧層間絕緣層
118‧‧‧保護層
120‧‧‧像素接觸孔
124D‧‧‧第二汲極接觸孔
124S‧‧‧二源極接觸孔
128‧‧‧平坦化層
130‧‧‧發光裝置
132‧‧‧陽極
134‧‧‧有機發光層
136‧‧‧陰極
138‧‧‧堤岸
140‧‧‧儲存電容器
142‧‧‧儲存下電極
144‧‧‧儲存上電極
146‧‧‧儲存接觸孔
150‧‧‧開關式薄膜電晶體
154‧‧‧第一主動層
156‧‧‧第一閘極
158‧‧‧第一源極
160‧‧‧第一汲極/彩色濾光片
164D‧‧‧第一汲極接觸孔
164S‧‧‧第一源極接觸孔
172a‧‧‧透明導電層
172b‧‧‧不透明導電層
174‧‧‧光阻圖案
174a‧‧‧第一光阻圖案
174b‧‧‧第二光阻圖案
DL‧‧‧資料線
EA1‧‧‧第一發光區域
EA2‧‧‧第二發光區域
EA3‧‧‧第三發光區域
R‧‧‧紅色
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
VDDL‧‧‧高電壓線
附圖說明本發明的實施例並且與說明書一起用於解釋本發明的原理，其中所述附圖係提供本發明的進一步理解，以及被併入且構成本說明書的一部分。在圖式中：第1圖係顯示根據本發明的有機發光顯示裝置的剖面圖；第2圖係顯示第1圖所示之第一發光區域和第二發光區域的圖；第3A圖至第3J圖係顯示製造第1圖所示之有機發光顯示裝置的方法的剖面圖；以及第4A圖至第4D圖係詳細顯示製造第3D圖所示之第一源極和第二源極、第一汲極和第二汲極、資料線、以及儲存下電極的方法的圖。
現在將詳細參考本發明實施例，其範例在附圖中加以說明。
第1圖係顯示根據本發明的有機發光顯示裝置的剖面圖。
如第1圖所示，根據本發明，有機發光顯示裝置的紅色、綠色、和藍色子像素中的每一個包括：發光裝置130；以及像素電路，其獨立驅動該發光裝置130。該像素電路包括開關式薄膜電晶體150、驅動薄膜電晶體100、以及儲存電容器140。
開關式薄膜電晶體150基於掃描線(圖中未示)的掃描信號將資料電壓從資料線DL施加到驅動薄膜電晶體100的第二閘極106。開關式薄膜電晶體150包括：連接到掃描線的第一閘極156、連接到資料線DL的第一源極158、連接到第二閘極106的第一汲極160、以及第一主動層154。
驅動薄膜電晶體150基於在儲存電容器140處充電的驅動電壓控制從高電壓線(第2圖中的VDDL)施加的電流，以供應與驅動電壓成比例的電流，使得發光裝置130被驅動。驅動薄膜電晶體100包括連接到第一汲極160的第二閘極106、連接到高電壓線的第二源極108、連接到發光裝置130的第二汲極110、以及第二主動層104。
開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100的第一閘極156和第二閘極106分別與第一主動層154和第二主動層104重疊，而與第一閘極156和第二閘極106相同圖案的閘極絕緣圖案112被插入在第一閘極156和第二閘極106與第一主動層154和第二主動層104之間。第一閘極156和第二閘極106中的每一個可以具有包括選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)或其合金所組成的群組之至少其中之一的單層或多層形式，但不限於此。
第一主動層154和第二主動層104形成在閘絕緣圖案112上，以分別與第一閘極156和第二閘極106重疊。由此，在第一源極158與第一汲極160之間以及在第二源極108與第二汲極110之間形成通道。第一主動層154和第二主動層104中的每一個由包括選自由鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉿(Hf)、以及鋯(Zr)所組成的群組中的至少其中之一的金屬氧化物形成，或者由多晶矽或非晶矽形成。
第一源極158經由穿過層間絕緣層116的第一源極接觸孔164S連接到第一主動層154。第二源極108經由穿過層間絕緣層116的第二源極接觸孔124S連接到第二主動層104。第一汲極160經由穿過層間絕緣層116的第一汲極接觸孔164D連接到第一主動層154。第二汲極110經由穿過層間絕緣層116的第二汲極接觸孔124D連接到第二主動層104。
第一汲極經由連接電極(圖中未示)電性連接到驅動薄膜電晶體100的第一閘極156。
第二汲極110連接到由穿過保護層118之儲存接觸孔146暴露的儲存上電極144。儲存上電極144連接到由穿過平坦化層128之像素接觸孔120暴露的陽極132。
儲存電容器140設置在第一發光區域EA1處。儲存電容器140包括儲存下電極142和儲存上電極144，而保護層118插入在儲存下電極142與儲存上電極144之間。這裡，儲存下電極142電性連接到開關式薄膜電晶體150的第一汲極160。儲存下電極142在層間絕緣層116上由透明導電材料形成。儲存上電極144電性連接到驅動薄膜電晶體100的第二汲極110。儲存上電極142由保護層118上的透明導電材料形成。因此，構成儲存電容器並且由透明導電材料形成的儲存下電極142和儲存上電極144被設置在第一發光區域EA1處，使得可以防止由於儲存電容器140而開口率減小。
發光裝置130包括：陽極132、形成在陽極132上的有機發光層134以及形成在有機發光層134上的陰極136。
陽極132連接到由通過平坦化層128之像素接觸孔120暴露的儲存上電極144，使得陽極132經由儲存上電極144電性連接到第二汲極110。同時，當提供底部發射型有機發光顯示裝置時，陽極132由透明導電氧化物(TCO)形成。
陽極132被形成以與開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100重疊，使得陽極132設置在第二發光區域EA2。陽極132與開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100重疊，同時保護層118、彩色濾光片160、以及平坦化層128插入在陽極132與開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100之間。在此，開關 式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100與陽極132之間的距離對應於彩色濾光片160的厚度，從而防止寄生電容的增加。
有機發光層134形成在由堤岸138暴露的第一發光區域EA1和第二發光區域EA2的陽極132上。有機發光層134包括：電洞相關層、發光層、以及電子相關層，它們按順序或以相反的順序堆疊在陽極132上。
如第2圖所示，堤岸138形成在陽極132上，以製備第一發光區域EA1和第二發光區域EA2。堤岸138暴露設置在第一發光區域EA1和第二發光區域EA2處的陽極132。在每個子像素中，第一發光區域EA1設置在沒有形成開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100的區域。在每個子像素中，複數個第二發光區域EA2設置在形成開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100的區域處。
陰極136形成在堤岸138的上表面和側表面，以面對第一發光區域EA1和第二發光區域EA2的陽極132，同時有機發光層134插置在陰極136與陽極132之間。當提供底部發射型有機發光顯示裝置時，陰極136形成為具有包括：例如氧化銦錫(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之透明導電層的堆疊結構、以及例如鋁(Al)、銀(Ag)、以及銀(Ag)：鉛(Pb)：銅(Cu)(APC)的金屬層。
第一源極158和第二源極108以及第一汲極160和第二汲極110包括：透明導電層172a和形成在該透明導電層172a上的不透明導電層172b。每個透明導電層172a可以由諸如ITO的透明導電材料形成。每個不透明導電層172b可以具有包括選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或其合金所組成的群組的至少其中之一的單層或多層形式，但不限於此。
具體而言，第一源極158和第二源極108、以及第一汲極160和第二汲極110在除了第二發光區域EA2之外的像素電路的剩餘區域處被設置以具有透明導電層172a和不透明導電層172b堆疊於其中的結構。在這種情況下，第一源極158和第二源極108、以及第一汲極160和第二汲極110在重疊第一主動層154和第二主動層104的區域處被設置以具有透明導電層172a和不透明導電層172b堆疊於其中的結構。不透明導電層172b阻擋從發光裝置130產生的光，從而防止第一主動層154和第二主動層104由於來自發光裝置130的光而變得導電。此外，具 有高導電性的不透明導電層172b可以防止第一源極158和第二源極108、以及第一汲極160和第二汲極110的電阻元件的增加。
第一源極158和第二源極108以及第一汲極160和第二汲極110在第一發光區域EA1和第二發光區域EA2處包括透明導電層172a。特別是，第一源極158和第二源極108、以及第一汲極160和第二汲極110在第一主動層154和第二主動層104的非重疊區域處包括透明導電層172a。
這裡，在設置有開關式薄膜電晶體150和驅動薄膜電晶體100的第二發光區域EA2處穿過彩色濾光片160的光經由第一源極158和第二源極108、以及第一汲極160和第二汲極110的透明導電層172a被發射到基板101的底部。因此，在本發明中，光可從第二發光區域EA2以及第一發光區域EA1發出，使得開口率可以提高，從而容易實現高解析度。
此外，在本發明中，與設置在像素電路處的接觸孔相對應的電極包括透明導電層172a。例如，與儲存接觸孔146重疊的儲存上電極144和第二汲極110包括透明導電層172a，使得光從對應於儲存接觸孔146的區域發射，從而增加開口率。此外，設置在與提供用來將第一汲極160連接到第二閘極106的接觸孔相對應的區域處的電極包括透明導電層172a。
表1係說明光在第一發光區域EA1和第二發光區域EA2處發射的示例的開口率、以及光在第一發光區域EA1處發射的比較示例。這顯示與比較例的紅色和綠色子像素相比，示例的紅色和綠色子像素改善了17%以上的開口率。這顯示與比較例的藍色子像素相比，該示例的藍色子像素改善了大於21%的開口率。
第3A圖至第3J圖係顯示製造第1圖所示之有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
參考第3A圖，第一主動層154和第二主動層104形成在基板101上。
詳言之，在半導體材料沉積在基板101上之後，透過微影製程和蝕刻製程蝕刻半導體材料以形成第一主動層154和第二主動層104。
參考第3B圖，具有相同圖案的第一閘極156和第二閘極106以及閘極絕緣圖案112形成在形成有第一主動層154和第二主動層104的基板101上。
詳言之，在形成有第一主動層154和第二主動層104的基板101上形成閘極絕緣層。閘極金屬層使用諸如濺鍍製程的沈積方法形成在閘極絕緣層上。閘極絕緣層由諸如氧化矽(SiOx)和氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料形成。閘極金屬層由包括鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鋁釹(AlNd)、鋁(Al)、鉻(Cr)或其合金的單層或多層形式形成。然後，透過顯影製程和蝕刻製程同時圖案化閘極金屬層和閘極絕緣層，以形成具有相同圖案的第一閘極156和第二閘極106以及閘極絕緣圖案112。
參考第3C圖，具有第一源極接觸孔164S和第二源極接觸孔124S以及第一汲極接觸孔164D和第二汲極接觸孔124D的層間絕緣層116形成在形成有第一閘極156和第二閘極106的基板101上。
詳言之，層間絕緣層116透過諸如電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)的沈積方法形成在形成有第一閘極156和第二閘極106的基板101上。然後，透過顯影製程和蝕刻製程將層間絕緣層116圖案化，以形成第一源極接觸孔164S和第二源極接觸孔124S以及第一汲極接觸孔164D和第二汲極接觸孔124D。
參考第3D圖，第一源極158和第二源極108、第一汲極160和第二汲極110以及儲存下電極142形成在具有第一源極接觸孔164S和第二源極接觸孔124S以及第一汲極接觸孔164D和第二汲極接觸孔124D的層間絕緣層116上。在下文中，將參考第4A圖到第4D圖詳細描述形成第一源極158和第二源極108、第一汲極160和第二汲極110、以及儲存下電極142。
如第4A圖所示，透明導電層172a和不透明導電層172b透過諸如濺鍍的沈積方法依序地堆疊在具有第一源極接觸孔164S和第二源極接觸孔124S以及第一汲極接觸孔164D和第二汲極接觸孔124D的層間絕緣層116上。然後，在 將光阻材料塗覆在不透明導電層172b上之後，使用半色調光罩對光阻材料進行曝光和顯影，以形成具有多台階結構的光阻圖案174。具有多台階結構的光阻圖案174包括具有第一厚度的第一光阻圖案174a和具有大於第一厚度的第二厚度的第二光阻圖案174b。透明導電層172a和不透明導電層172b使用具有多台階結構的光阻圖案174作為光罩來蝕刻，以分別形成資料線DL、第一源極158和第二源極108、第一汲極160和第二汲極110、以及儲存下電極142，如第4B圖所示。在此，每一條資料線DL的透明導電層172a和不透明導電層172b、第一源極158和第二源極108、第一汲極160和第二汲極110、以及儲存下電極142形成為具有相同的圖案。隨後，如第4C圖所示，具有多台階結構的光阻圖案174被灰化，並且第一光阻圖案174a被除去而且第二光阻圖案174b的厚度被降低。然後，使用由於灰化製程具有降低之厚度的第二光阻圖案174b作為光罩來蝕刻由第二光阻圖案174b所暴露的不透明導電層172b。因此，第一源極158和第二源極108以及第一汲極160和第二汲極110包括在像素電路的第二發光區域EA2處的透明導電層172a。第一源極158和第二源極108以及第一汲極160和第二汲極110在除了像素電路的第二發光區域EA2之外的其餘區域處包括透明導電層172a和不透明導電層172b。儲存下電極142包括在第一發光區域EA1處的透明導電層172a。
參考第3E圖，具有儲存接觸孔146的保護層118形成在形成有第一源極158和第二源極108、第一汲極160和第二汲極110、以及儲存下電極142的層間絕緣層116上。
詳言之，保護層118形成在形成有第一源極158和第二源極108、第一汲極160和第二汲極110、以及儲存下電極142的層間絕緣層116上形成。保護層118由諸如SiOx和SiNx的無機絕緣層形成。然後，透過顯影製程和蝕刻製程將保護層118圖案化，以形成儲存接觸孔146。
參考第3F圖，儲存上電極144形成在具有儲存接觸孔146的保護層118上。
詳言之，在具有儲存接觸孔146的保護層118上沈積透明導電層。隨後，透過顯影製程和蝕刻製程圖案化透明導電層，以形成儲存上電極144。
參考第3G圖，彩色濾光片160形成在形成有儲存上電極144的基板101上。
詳言之，在彩色樹脂沈積在形成有儲存上電極144的基板101上之後，透過顯影製程圖案化該彩色樹脂，以形成彩色濾光片160。
參照第3H圖，具有像素接觸孔120的平坦化層128形成在形成有彩色濾光片160的基板101上。
詳言之，諸如丙烯酸樹脂(acrylic resin)的有機層完全沈積在形成有彩色濾光片160的基板101上，以形成平坦化層128。然後，透過顯影製程圖案化平坦化層128，以形成像素接觸孔120。
參考第3I圖，陽極132形成在具有像素接觸孔120的平坦化層128上。
詳言之，透明導電層沈積在具有像素接觸孔120的平坦化層128上。然後，透過顯影製程和蝕刻製程圖案化透明導電層以形成陽極132。
參考第3J圖，堤岸138、有機發光層134、和陰極依序形成在形成有陽極電極132的基板101上。
詳言之，用於堤岸138的光阻層完全沉積在形成陽極132的基板101上。隨後，透過顯影製程圖案化用於堤岸138的光阻層，以形成堤岸138。然後，具有白色發光的有機發光層134整個沈積在形成堤岸138的基板101上。陰極136形成在形成有機發光層134的基板101上。
在本發明中，從設置像素電路的第二發光區域EA2以及不設置像素電路的第一發光區域EA1發射光，使得可以改善開口率，因此，容易實現高解析度。
同時，本發明揭露了具有相同顏色的光從第一區域EA1和第二區域EA2發射。然而，具有不同顏色的光從第一區域EA1和第二區域EA2發射。
此外，本發明揭露了第二發光區域EA2的面積在紅色、綠色以及、藍色子像素處均相同。然而，考慮到紅色、綠色、和藍色子像素的耐久性，第二發光區域EA2的面積在紅色子像素、綠色子像素、和藍色子像素處可以不同。即，具有比紅色子像素和綠色子像素低耐久性的藍色子像素的第二發光區域EA2的面積可以大於紅色子像素和綠色子像素的第二發光區域EA2的面積。
從以上描述顯而易見的是，根據本發明，光在設置有像素電路的第二發光區域以及未設置有像素電路的第一發光區域發射，使得開口率可以提高，從而容易實現高解析度。
對於本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變化。因此，本發明意圖涵蓋本發明的修改和變化，只要它們是在所附申請專利範圍及其均等的範圍內。
本申請案主張2015年12月29日提交的韓國專利申請第10-2015-188445號的優先權權益，其通過引用併入本文，如同在本文中完全闡述一樣。

Claims (12)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：一發光裝置，設置在一基板的每個子像素處；一像素電路，驅動該發光裝置，該像素電路包括一驅動薄膜電晶體，連接到該發光裝置、以及一開關式薄膜電晶體，連接到該驅動薄膜電晶體；一堤岸，在沒有設置該開關式薄膜電晶體及該驅動薄膜電晶體的區域處提供一第一發光區域，以及在設置該開關式薄膜電晶體及該驅動薄膜電晶體的區域處提供一第二發光區域；以及一彩色濾光片，設置在該第一發光區域和該第二發光區域處，其中，該驅動薄膜電晶體及該開關式薄膜電晶體中的每一個包括源極和汲極，其中，該源極和該汲極中的每一個包括一透明導電層和設置在該透明導電層上的一不透明導電層，以及其中，該透明導電層設置在該第二發光區域中，且該不透明導電層不設置在該第二發光區域中。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該驅動薄膜電晶體和該開關式薄膜電晶體中的每一個進一步包括：一主動層，設置在該基板上；以及一閘極，與該主動層重疊，該閘極透過一閘極絕緣圖案與該主動層分離，其中，該源極連接到該主動層，以及其中，該汲極面對該主動層，該汲極透過該主動層與該源極分離。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中，該驅動薄膜電晶體和該開關式薄膜電晶體的每一個的該源極和該汲極中的每一個被設置以包括：在與該主動層重疊的區域處堆疊的該透明導電層和該不透明導電層；以及該驅動薄膜電晶體和該開關式薄膜電晶體的每一個的該源極和該汲極中的每一個被設置以包括：在不與該主動層重疊的區域處的該透明導電層。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，陽極與驅動薄膜電晶體和開關式薄膜電晶體重疊，並且該彩色濾光片插置在該陽極與該開關式薄膜電晶體和該驅動薄膜電晶體之間。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該堤岸暴露設置在該第一發光區域和該第二發光區域處的該發光裝置的陽極，該發光裝置的有機層和陰極堆疊在由該堤岸暴露的該第一發光區域和該第二發光區域的該陽極上。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，設置在與設置在該像素電路處的接觸孔相對應的區域的電極包括該等透明導電層。
  7. 依據申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中，該像素電路進一步包括一儲存電容器，設置在該第一發光區域處，以及其中該儲存電容器包括：一儲存下電極，連接到該開關式薄膜電晶體；以及一儲存上電極，連接到該驅動薄膜電晶體。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示裝置，其中，該儲存下電極和該儲存上電極由該透明導電層構成。
  9. 依據申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示裝置，其中，該驅動薄膜電晶體的該汲極連接到由一儲存接觸孔暴露的該儲存上電極，以及其中，該驅動薄膜電晶體的該汲極和設置在與該儲存接觸孔相對應的區域處的該儲存上電極包括該等透明導電層。
  10. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，包括：在一基板的每個子像素區處形成一像素電路，該像素電路包括一驅動薄膜電晶體，連接到該發光裝置，以及一開關式薄膜電晶體，連接到該驅動薄膜電晶體；在形成有該像素電路的該基板上形成一彩色濾光片；形成連接到該像素電路的一發光裝置的一陽極；形成一堤岸，該堤岸在沒有設置該開關式薄膜電晶體及該驅動薄膜電晶體的區域處提供一第一發光區域，以及在設置該開關式薄膜電晶體及該驅動薄膜電晶體的區域處提供一第二發光區域；以及在該第一發光區域和該二發光區域處依序形成該發光裝置的一有機發光層和一陰極，其中，該驅動薄膜電晶體及該開關式薄膜電晶體中的每一個包括源極和汲極，其中該源極和該汲極中的每一個包括一透明導電層和設置在該透明導電層上的一不透明導電層，以及其中，該透明導電層設置在該第二發光區域中，且該不透明導電層不設置在該第二發光區域中。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，形成該像素電路包括：在該基板上形成該開關式薄膜電晶體的一第一源極和一第一汲極，以及該驅動薄膜電晶體的一第二源極和一第二汲極，形成該第一源極、該第一汲極、該第二源極、以及該第二汲極包括：在該基板上依序形成該透明導電層和一不透明導電層；在該不透明導電層上形成具有多台階結構的一光阻圖案；使用該光阻圖案蝕刻該不透明導電層和該透明導電層；灰化該光阻圖案；以及使用該灰化的光阻圖案蝕刻設置在該第二發光區域處的該不透明導電層。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該驅動薄膜電晶體和該開關式薄膜電晶體的每一個的該源極和該汲極中的每一個被設置以包括：在與主動層重疊的區域處堆疊的該透明導電層和該不透明導電層，該驅動薄膜電晶體和該開關式薄膜電晶體的每一個的源極和汲極中的每一個被設置以包括：在不與該主動層重疊的區域處的該透明導電層。
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