CN104681566B - 用于显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
用于显示装置的阵列基板及其制造方法。一种用于显示装置的阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，其包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，其包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，其连接至该第一漏电极；第一钝化层，其位于该第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，其位于该第一钝化层上并连接至该第二漏电极，该第二透明电容器电极与该第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，其位于该第一钝化层和该第二透明电容器电极上或上方；以及第一电极，其位于该第二钝化层上并连接至该第二透明电容器电极。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种用于包括没有减小孔径比的存储电容器的显示装置的阵列基板和一种通过减少掩模工艺的数量来制造阵列基板的方法。
背景技术
阴极射线管(CRT)已被广泛地用作显示装置。然而，近来，平板显示装置(例如，等离子体显示面板(PDP)装置、液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置)代替CRT被用作显示装置。
在这些平板显示装置当中，OLED显示装置在厚度和重量方面具有优点，因为OLED显示装置不需要背光单元。OLED显示装置是自发射型显示装置。近来，OLED显示装置被用于大型显示装置。
图1是用于现有技术的OLED显示装置的阵列基板的截面图。
如图1所示，在用于OLED显示装置的阵列基板中，选通线(未示出)和数据线32形成在基板10上并在基板10上方。选通线和数据线32彼此交叉以限定基板10上的像素区域。另外，公共电压线(未示出)可以形成在各个像素区域中并且与数据线32平行。
第一薄膜晶体管(TFT)TR1和第二TFT TR2形成在选通线和数据线32的交叉部分。第一TFT TR1和第二TFT TR2分别用作切换元件和驱动元件。
第一TFT TR1包括第一半导体层17、第一栅电极11、第一源电极12和第一漏电极13。第一栅电极11通过栅绝缘层14与第一半导体层17间隔开。层间绝缘层31覆盖第一栅电极11并且包括暴露第一半导体层17的两端的接触孔。第一源电极12和第一漏电极13形成在层间绝缘层31上，并且通过层间绝缘层31中的接触孔分别连接至第一半导体层17。
第二TFT TR2包括第一半导体层27、第二栅电极21、第二源电极22和第二漏电极23。第二栅电极21通过栅绝缘层14与第二半导体层27间隔开。层间绝缘层31覆盖第二栅电极21并且包括暴露第二半导体层27的两端的接触孔。第二源电极22和第二漏电极23形成在层间绝缘层31上，并且通过层间绝缘层31中的接触孔分别连接至第二半导体层27。
第一源电极12连接至数据线32，并且第二源电极22连接至公共电压线。
第一TFT TR1的第一漏电极13连接至第二电容器电极16，并且第二漏电极23连接至第一电容器电极15。第二电容器电极16与第一电容器电极15交叠以形成存储电容器Cst。
阳电极19被形成为电连接至第二漏电极23。另外，有机发射层(未示出)和阴电极(未示出)层叠在阳电极(19)上，使得形成用于OLED显示装置的阵列基板。
在OLED显示装置中，来自阳电极19的空穴和来自阴电极的电子在有机发射层中结合，使得从有机发射层发射光。当阴电极由不透明金属材料形成时，来自有机发射层的光通过包括第一TFT TR1和第二TFT TR2的基板10。
用于控制像素的电流的电压被充电在存储电容器Cst中，使得电流的电平被维持到下一帧。当存储电容器Cst的区域被增大以改进驱动安全性时，孔径比减小，因为第一电容器电极15和第二电容器电极16由不透明金属材料形成。
为了解决上述问题，存储电容器Cst的区域被优化成针对像素驱动具有最小电容量。然而，因为单位面积中的像素的数量根据高分辨率而增加，所以各个像素的面积减少。结果，非常难以在像素中形成存储电容器。另一方面，引入了多结构型存储电容器。然而，用于多结构型存储电容器的制造工艺是复杂的，使得生产产量减小。
发明内容
因此，本发明致力于基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题的用于OLED显示装置的阵列基板及其制造方法。
本发明的附加的特征和优点将在以下的描述中阐述，并且将部分地从本说明书变得显而易见，或者可以通过本发明的实践学习到。本发明的目标和其它优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文所具体实现和广义描述的，本发明提供了一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管(TFT)，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，该第二钝化层位于所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极上或上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极。
在另一方面中，本发明提供了一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管(TFT)，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极或所述第二半导体层；层间绝缘层，该层间绝缘层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一TFT和所述第二TFT以及所述第二透明电容器电极上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极。
在另一方面中，本发明提供了一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层；分别在所述第一半导体层和所述第二半导体层上形成第一栅绝缘图案和第二栅绝缘图案；分别在所述第一栅绝缘图案和所述第二栅绝缘图案上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一源电极和第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；在所述第一透明电容器电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成第二透明电容器电极并且该第二透明电容器电极连接至所述第二漏电极，所述第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；形成覆盖所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极的第二钝化层；以及在所述第二钝化层上形成第一电极并且该第一电极连接至所述第二透明电容器电极。
在另一方面中，本发明提供了一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层以及第一透明电容器电极；分别在所述第一半导体层和所述第二半导体层上形成第一栅绝缘图案和第二栅绝缘图案；在所述第一栅绝缘图案和所述第二栅绝缘图案上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极以及所述第一透明电容器电极上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一源电极和第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠并且连接至所述第二漏电极；形成覆盖所述第一源电极和所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极以及所述第二透明电容器电极的钝化层；以及在所述钝化层上形成第一电极并且该第一电极连接至所述第二漏电极，其中，所述第一透明电容器电极电连接至所述第二半导体层或所述第一漏电极。
应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者是示例性的和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本描述一起用来说明本发明的原理。
图1是用于现有技术的OLED显示装置的阵列基板的截面图。
图2是根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
图3A至图3H是例示了根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的制造工艺的截面图。
图4是根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
图5A至图5H是例示了根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的制造工艺的截面图。
图6A至图6C是分别说明了用于现有技术的OLED显示装置以及第一实施方式的OLED显示装置和第二实施方式的OLED显示装置的阵列基板的差异的截面图。
图7是示出了根据用于根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置的阵列基板中的存储电容器的区域的亮度的曲线图。
图8A至图8C分别是包括具有不同区域的存储电容器的阵列基板的平面图。
具体实施方式
现在将详细地参照优选实施方式，其示例被例示在附图中。
图2是根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
如图2所示，显示区域“A”和非显示区域“NA”被限定在用于OLED显示装置的阵列基板的基板中。显示区域“A”中的多个像素中的每一个包括用于作为切换元件的第一TFT TR1的切换区域“SW”、用于作为驱动元件的第二TFT TR2的驱动区域“DR”以及用于存储电容器Cst的开口区域“OP”。另外，用于选通焊盘和/或数据焊盘的焊盘区域“PDA”被限定在非显示区域“NA”中。
第一TFT TR1包括基板100上的第一半导体层141、在第一半导体层141上方并且与第一半导体层141对应的第一栅电极111、在第一栅电极111上方的第一源电极112以及在第一栅电极111上方的第一漏电极113。第一栅电极111通过第一栅绝缘图案105a与第一半导体层141间隔开。层间绝缘层191a被形成为覆盖除两个端部之外的第一栅电极111和第一半导体层141。层间绝缘层191a包括分别暴露第一半导体层141的两个端部的第一半导体接触孔和第二半导体接触孔。第一源电极112和第一漏电极113被布置在层间绝缘层191a上，并且分别通过第一半导体接触孔和第二半导体接触孔电连接至第一半导体层141。
第二TFT TR1包括基板100上的第二半导体层142、在第二半导体层142上方并且与第二半导体层141对应的第二栅电极121、在第二栅电极121上方的第二源电极122以及在第二栅电极121上方的第二漏电极123。第二栅电极121通过第二栅绝缘图案105b与第二半导体层142间隔开。层间绝缘层191a被形成为覆盖除两个端部之外的第二栅电极121和第二半导体层142。层间绝缘层191a包括分别暴露第二半导体层142的两个端部的第三半导体接触孔和第四半导体接触孔。第二源电极122和第二漏电极123被布置在层间绝缘层191a上，并且分别通过第三半导体接触孔和第四半导体接触孔电连接至第二半导体层142。
第一钝化层190a形成在第一TFT TR1和第二TFT TR1上以及在层间绝缘层191a上或上方，并且包括暴露第二漏电极123的第一接触孔“CH1”。
存储电容器Cst包括层间绝缘层191a上的第一透明电容器电极171a和第一钝化层190a上的第二透明电容器电极171b。第二透明电容器电极171b与第一透明电容器电极171a交叠。
在焊盘区域“PDA”中，第三栅绝缘图案105c和第一焊盘电极114a形成在基板100上。包括暴露第一焊盘电极114a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层191a形成在第一焊盘电极114a上。通过层间绝缘层191a中的第一焊盘接触孔电连接至第一焊盘电极114a的第二焊盘电极114b形成在层间绝缘层191a上。包括暴露第二焊盘电极114b的第二焊盘接触孔的第一钝化层190a形成在第二焊盘电极114b上，并且通过第一钝化层190a中的第二焊盘接触孔电连接至第二焊盘电极114b的第三焊盘电极114c形成在第一钝化层190a上。
另外，在切换区域“SW”、驱动区域“DR”和开口区域“OP”中，滤色器“CF”被布置在第一钝化层190a上。第二钝化层190b形成在滤色器“CF”上。第二钝化层190b和滤色器“CF”包括暴露第二透明电容器电极171b的第二接触孔“CH2”。
作为阳电极的第一电极119被布置在第二钝化层190b上。第一电极119通过第二接触孔“CH2”接触第二透明电容器电极171b。另外，有机发射层(未示出)和阴电极(未示出)被层叠在第一电极119上以形成有机发光二极管。可以封装包括第一TFT TR1和第二TFT TR2、存储电容器Cst以及有机发光二极管的阵列基板以形成OLED显示装置。
第一TFT TR1的第一栅电极111和第一源电极112分别连接至选通线(未示出)和数据线(未示出)。第一TFT TR1的第一漏电极113连接至第二TFT TR2的第二栅电极121。结果，当第一TFT TR1通过到第一栅电极111的信号被导通时，来自数据线的信号通过第一源电极112和第一漏电极113被施加于第二栅电极121。另外，第二源电极122连接至公共电压线(未示出)。结果，当第二TFT TR2通过来自第一漏电极113的信号被导通时，来自公共电压线的电压通过第二漏电极123被施加于第一电极119。
第一漏电极113包括双层结构。例如，第一漏电极113可以包括作为下层的透明导电材料层和作为上层的金属材料层。金属材料层可以是不透明的。第一漏电极113的下层延伸到像素区域中以形成第一透明电容器电极171a。另外，第一源电极112、第二源电极122和第二漏电极123可以具有与第一漏电极113相同的结构。
第二透明电容器电极171b通过第一钝化层190a中的第一接触孔“CH1”电连接至第二漏电极123。结果，第二透明电容器电极171b从第二漏电极123接收电压。第二透明电容器电极171b延伸到像素区域中以与第一透明电容器电极171a交叠。结果，第一透明电容器电极171a、第二透明电容器电极171b和它们之间的第一钝化层190a构成存储电容器Cst。即，存储电容器是透明的。
存储电容器能够占据像素区域的除用于第一TFT TR1的切换区域“SW”和用于第二TFT TR2的驱动区域“DR”之外的整个区域。因为电容器电极(即，第一透明电容器电极171a和第二透明电容器电极171b)是透明的，所以在无需减小孔径比的情况下改进了电容量。
例如，第一电容器电极171a和第二电容器电极171b可以由具有高于大约70％的透光率的铟锡氧化物(ITO)形成。然而，当用于第一电容器电极171a和第二电容器电极171b的材料具有相同的或经改进的透射率和电特性时，它不限于此。
第一半导体层141和第二半导体层142由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体材料形成。
图2示出了共面型第一TFT TR1和第二TFT TR2。然而，它不限于此。例如，可以使用底栅型TFT。
图3A至图3H是例示了根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的制造工艺的截面图。
如图3A所示，第一半导体层141和第二半导体142形成在基板100上并且分别形成在切换区域“SW”和驱动区域“DR”中。绝缘材料层(未示出)和金属层(未示出)依次形成在包括第一半导体层141和第二半导体层142的基板100上。无机绝缘材料层(未示出)和金属层(未示出)被图案化以形成第一栅绝缘图案105a、第二栅绝缘图案105b和第三栅绝缘图案105c、第一栅电极111和第二栅电极121以及第一焊盘电极114a。另外，选通线(未示出)被形成。例如，栅绝缘图案105a、105b和105c可以由氧化硅或氮化硅形成，并且第一栅电极111和第二栅电极121以及第一焊盘电极114a可以由低阻金属材料(例如，铜(Cu),Cu合金、铝(Al)、Al合金、钼(Mo)或钼-钛合金(MoTi))形成。
接下来，绝缘材料层(未示出)形成包括第一栅电极111和第二栅电极121以及第一焊盘电极114a的基板100上。绝缘层被图案化以形成包括第一半导体接触孔至第四半导体接触孔和暴露第一焊盘电极114a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层191a。
接下来，如图3B所示，第一透明导电材料层115和金属层116依次形成在包括层间绝缘层191a的基板100上。因为层间绝缘层191a包括第一半导体接触孔至第四半导体接触孔和第一焊盘接触孔，所以第一透明导电材料层115接触第一半导体层141的两端、第二半导体142的两端和第一焊盘电极114a。例如，第一透明导电材料层115由ITO形成，并且金属层116由低阻不透明金属材料(例如，铜(Cu)、Cu合金、铝(Al)、Al合金、钼(Mo)或钼-钛合金(MoTi))形成。
接下来，如图3C所示，(图3B的)金属层116和(图3B的)第一透明导电材料层115被图案化以在切换区域“SW”中形成第一源电极112和第一漏电极113，在驱动区域“DR”中形成第二源电极122和第二漏电极123，并且在焊盘区域“PDA”中形成第二焊盘电极114b。第一源电极112、第一漏电极113、第二源电极122、第二漏电极123和第二焊盘电极114b中的每一个具有双层结构。第一源电极112通过第一半导体接触孔接触第一半导体层141的一端，并且第一漏电极113通过第二半导体接触孔接触第一半导体层141的另一端。第二源电极122通过第三半导体接触孔接触第二半导体层142的一端，并且第二漏电极123通过第四半导体接触孔接触第二半导体层142的另一端。第二焊盘电极114b通过第一焊盘接触孔接触第一焊盘电极114a。
另外，第一透明电容器电极171a形成在开口区域“OP”中。在开口区域“OP”中，金属层116被完全去除或蚀刻，使得第一透明电容器电极171a具有第一透明导电材料层115的单层结构。第一透明电容器电极171a从第一漏电极113的下层延伸。
另外，数据线(未示出)和公共电压线形成在层间绝缘层191a上。数据线和公共电压线中的每一个还具有双层结构。数据线与选通线交叉以限定像素区域并且连接至第一源电极112。公共电压线与数据线间隔开并且与数据线平行。公共电压线连接至第二源电极122。
使用半色调掩模来执行用于第一透明导电材料层115和金属层116的图案化工艺，使得掩模工艺的数量不增加。
更详细地，在形成金属层116之后，对应于第一源电极112和第二源电极122、第一漏电极113和第二漏电极123、第二焊盘电极114b以及数据线的第一光致抗蚀剂(PR)图案(未示出)和对应于第一透明电容器电极171a并且具有小于第一PR图案的厚度的第二PR图案(未示出)利用包括透射区域、阻挡区域和半透射区域的半色调掩模(未示出)而形成在金属层116上。然后，利用第一PR图案和第二PR图案作为蚀刻掩模来蚀刻金属层116和第一透明导电材料层115，以形成第一源电极112和第二源电极122、第一漏电极113和第二漏电极123、第二焊盘电极114b、数据线以及电容器电极图案(未示出)。在这种情况下，第一源电极112和第二源电极122、第一漏电极113和第二漏电极123、第二焊盘电极114b、数据线以及电容器电极图案中的每一个具有双层结构。然后，执行灰化(ashing)工艺以去除第二PR图案并且减小第一PR图案的厚度，使得电容器电极图案的上层被暴露。电容器电极图案的上层被蚀刻，使得形成具有单层结构的第一透明电容器电极171a。
第一源电极112、第一漏电极113、第二源电极122、第二漏电极123、数据线和公共电压线的电阻由于第一透明导电材料层上的金属层而减小。
接下来，如图3D所示，形成第一钝化层190a。第一钝化层190a被布置在第一源电极112和第二源电极122、第一漏电极113和第二漏电极123、第二焊盘电极114b以及第一透明电容器电极171a上。
接下来，如图3E所示，第一钝化层190a被图案化，使得第一接触孔“CH1”和第二焊盘接触孔通过第一钝化层190a而形成。第二漏电极123通过第一接触孔“CH1”被暴露，并且第二焊盘电极114b通过第二焊盘接触孔被暴露。
接下来，如图3F所示，第二透明导电材料层115b形成在第一钝化层190a上。第二透明导电材料层115b通过第一接触孔“CH1”接触第二漏电极123并且通过第二焊盘接触孔接触第二焊盘电极114b。
接下来，如图3G所示，(图3F的)第二透明导电材料层115b被图案化，以在开口区域“OP”中形成第二透明电容器电极171b并且在焊盘区域“PDA”中形成第三焊盘电极114c。
第二透明电容器电极171b通过第一接触孔“CH1”电连接至第二漏电极123并且与第一透明电容器电极171a交叠。结果，第一电容器电极171a、第二电容器电极171b和它们之间的第一钝化层190a构成存储电容器Cst。另外，第三焊盘电极114c通过第二焊盘接触孔电连接到第二焊盘电极114b。
接下来，如图3H所示，滤色器“CF”形成在第二透明电容器电极171b和第一钝化层190a上。然而，能够省略滤色器“CF”。有机绝缘层(未示出)形成在滤色器“CF”和第三焊盘电极141c上。有机绝缘层和滤色器“CF”被图案化以形成第二钝化层190b以及通过第二钝化层190b和滤色器“CF”的第二接触孔“CH2”。
接下来，通过第二接触孔“CH2”接触第二透明电容器电极171b的第一电极119形成在第二钝化层190b上。即，第一电极119电连接至第二漏电极123。
因为第一源电极112和第二源电极122、第一漏电极113和第二漏电极123以及第一透明电容器电极171a通过单掩模工艺而形成，所以本发明的阵列基板通过与包括不透明电容器电极的现有技术的阵列基板相同的掩模工艺来制造。另外，本发明中的存储电容器能够形成在开口区域“OP”的整个区域中，并且与现有技术的阵列基板相比，本发明中的阵列基板的孔径比增加了大约24％。
具体地，因为本发明中的存储电容器能够在不减小孔径比的情况下形成在开口区域“OP”的整个区域中，所以存储电容器的电容量增加，使得OLED显示装置的驱动特性被改进。
另一方面，尽管未示出，但是有机发射层和阴电极通过常规工艺形成在第一电极上。
图4是根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
如图4所示，显示区域“A”和非显示区域“NA”被限定在用于OLED显示装置的阵列基板的基板中。显示区域“A”中的多个像素中的每一个包括用于作为切换元件的第一TFT TR1的切换区域“SW”、用于作为驱动元件的第二TFT TR2的驱动区域“DR”以及用于存储电容器Cst的开口区域“OP”。另外，用于选通焊盘和/或数据焊盘的焊盘区域“PDA”被限定在非显示区域“NA”中。
第一TFT TR1包括基板200上的第一半导体层241、第一半导体层241上方的第一栅电极211、第一栅电极211上方的第一源电极212以及第一栅电极211上方的第一漏电极213。第一栅电极211通过第一栅绝缘图案205a与第一半导体层241间隔开。层间绝缘层291a被形成为覆盖除两个端部之外的第一栅电极211和第一半导体层241。层间绝缘层291a包括分别暴露第一半导体层241的两个端部的第一半导体接触孔和第二半导体接触孔。第一源电极212和第一漏电极213被布置在层间绝缘层291a上，并且分别通过第一半导体接触孔和第二半导体接触孔电连接至第一半导体层241。
第二TFT TR2包括基板200上的第二半导体层242、第二半导体层242上方的第二栅电极221、第二栅电极221上方的第二源电极222以及第二栅电极221上方的第二漏电极223。第二栅电极221通过第二栅绝缘图案205b与第二半导体层242间隔开。层间绝缘层291a被形成为覆盖除两个端部之外的第二栅电极221和第二半导体层242。层间绝缘层291a包括分别暴露第二半导体层242的两个端部的第三半导体接触孔和第四半导体接触孔。第二源电极222和第二漏电极223被布置在层间绝缘层291a上，并且分别通过第三半导体接触孔和第四半导体接触孔电连接至第二半导体层242。
存储电容器Cst包括基板200上的第一透明电容器电极271a和层间绝缘层291a上的第二透明电容器电极271b。第一透明电容器电极271a与第二半导体层242间隔开，并且由相同的材料形成并被布置在与第一半导体层241和第二半导体层242相同的层处。第一透明电容器电极271a还可以与第一半导体层241间隔开。第二透明电容器电极271b与第一透明电容器电极271a交叠。
第一透明电容器电极271a电连接至第一漏电极213或第一半导体层241。第二透明电容器电极271b电连接至第二漏电极223。结果，第一透明电容器电极271a、第二透明电容器电极271b和它们之间的层间绝缘层291a构成存储电容器Cst。
在焊盘区域“PDA”中，第三栅绝缘图案105c和第一焊盘电极114a形成在基板100上。包括暴露第一焊盘电极114a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层191a形成在第一焊盘电极114a上。通过层间绝缘层191a中的第一焊盘接触孔电连接至第一焊盘电极114a的第二焊盘电极114b形成在层间绝缘层191a上。包括暴露第二焊盘电极114b的第二焊盘接触孔的第一钝化层190a形成在第二焊盘电极114b上，并且通过第一钝化层190a中的第二焊盘接触孔电连接至第二焊盘电极114b的第三焊盘电极114c形成在第一钝化层190a上。
第一钝化层290a形成在第一TFT TR1和第二TFT TR2上以及在层间绝缘层291a上或上方，并且包括暴露第二漏电极223的第一接触孔“CH1”。另外，在切换区域“SW”、驱动区域“DR”和开口区域“OP”中，滤色器“CF”被布置在第一钝化层290a上。第二钝化层290b形成在滤色器“CF”上。第二钝化层290b和滤色器“CF”包括暴露第二透明电容器电极271b的第二接触孔“CH2”。
第一电极219被布置在第二钝化层290b上。第一电极219通过第二接触孔“CH2”接触第二透明电容器电极271b。另外，有机发射层(未示出)和阴电极(未示出)层叠在第一电极219上以形成有机发光二极管。可以封装包括第一TFT TR1和第二TFT TR2、存储电容器Cst以及有机发光二极管的阵列基板以形成OLED显示装置。
第一TFT TR1的第一栅电极211和第一源电极212分别连接至选通线(未示出)和数据线(未示出)。第一TFT TR1的第一漏电极213连接至第二TFT TR2的第二栅电极221。结果，当第一TFT TR1通过到第一栅电极211的信号被导通时，来自数据线的信号通过第一源电极212和第一漏电极213被施加于第二栅电极221。另外，第二源电极222连接至公共电压线(未示出)。结果，当第二TFT TR2通过来自第一漏电极213的信号被导通时，来自公共电压线的电压通过第二漏电极223被施加于第一电极219。
第二漏电极223包括双层结构。例如，第二漏电极223可以包括作为下层的透明导电材料层和作为上层的金属材料层。金属材料层可以是不透明的。第二漏电极223的下层延伸到像素区域中以形成第二透明电容器电极271b。即，第二透明电容器电极271b电连接至第二漏电极223。另外，第一源电极212、第一漏电极213和第二源电极222可以具有与第二漏电极223相同的结构。
第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a由氧化物半导体材料形成。例如，第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a由铟镓锌氧化物(IGZO)形成。第一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端以及第一透明电容器电极271a通过氢(H2)等离子体或氩(Ar)等离子体被处理为导电的。
存储电容器能够占据像素区域的除用于第一TFT TR1的切换区域“SW”和用于第二TFT TR2的驱动区域“DR”之外的整个区域。因为电容器电极(即，第一透明电容器电极271a和第二透明电容器电极271b)是透明的，所以在不减小孔径比的情况下改进了电容量。
例如，第一电容器电极271a和第二电容器电极271b可以由具有高于大约70％的透光率的铟锡氧化物(ITO)形成。然而，当用于第一电容器电极271a和第二电容器电极271b的材料具有相同的或经改进的透射率和电特性时，它不限于此。
图5A至图5H是例示了根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的制造工艺的截面图。
如图5A所示，氧化物材料层(未示出)形成在基板200上。氧化物材料层被图案化以分别在切换区域“SW”、驱动区域“DR”和开口区域“OP”中形成第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a。第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a由氧化物半导体材料(例如，IGZO)形成。当第一透明电容器电极271a电连接到第二氧化物半导体层242时，第一透明电容器电极271a从第二氧化物半导体层242延伸。另选地，当第一透明电容器电极271a电连接到第一漏电极213时，第一透明电容器电极271a与第二氧化物半导体层242间隔开。
绝缘材料层(未示出)和金属层(未示出)依次形成在包括第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a的基板200上。无机绝缘材料层(未示出)和金属层(未示出)被图案化以形成第一栅绝缘图案205a、第二栅绝缘图案205b和第三栅绝缘图案205c、第一栅电极211和第二栅电极221以及第一焊盘电极214a。结果，第一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端和第一透明电容器电极271a被暴露。另外，选通线(未示出)被形成。
在无机绝缘材料层被图案化之后，对第一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端和第一透明电容器电极271a执行氢等离子体或氩等离子体处理工艺，使得第一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端和第一透明电容器电极271a变成为导电的。结果，改进了第一源电极212和第一漏电极213中的每一个与第一半导体层241的两端中的每一个之间的接触特性以及第二源电极222和第二漏电极223中的每一个与第二半导体层242的两端中的每一个之间的接触特性，并且生成了第一源电极212和第一漏电极213中的每一个与第一半导体层241的两端中的每一个之间的欧姆接触以及第二源电极222和第二漏电极223中的每一个与第二半导体层242的两端中的每一个之间的欧姆接触。
接下来，绝缘材料层(未示出)形成在包括第一栅电极211和第二栅电极221以及第一焊盘电极214a的基板200上。绝缘层被图案化以形成包括第一半导体接触孔至第四半导体接触孔和暴露第一焊盘电极214a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层291a。当第一透明电容器电极271a电连接至第一漏电极213时，层间绝缘层291a还包括暴露第一透明电容器电极271a的一部分的存储接触孔(未示出)。
接下来，如图5B所示，第一透明导电材料层115形成在包括层间绝缘层291a的基板200上。因为层间绝缘层291a包括第一半导体接触孔至第四半导体接触孔和第一焊盘接触孔，所以第一透明导电材料层215接触第一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端和第一焊盘电极214a。例如，第一透明导电材料层215由ITO形成。
接下来，如图5C所示，金属层216形成在第一透明导电材料层215上。金属层116由低阻不透明金属材料(例如，铜(Cu)、Cu合金、铝(Al)、Al合金、钼(Mo)或钼-钛合金(MoTi))形成。
接下来，如图5D所示，(图5C的)金属层216和(图5C的)第一透明导电材料层215被图案化以在切换区域“SW”中形成第一源电极212和第一漏电极213，在驱动区域“DR”中形成第二源电极222和第二漏电极223，并且在焊盘区域“PDA”中形成第二焊盘电极114b。第一源电极212、第一漏电极213、第二源电极222、第二漏电极223和第二焊盘电极214b中的每一个具有双层结构。第一源电极212通过第一半导体接触孔接触第一半导体层241的一端，并且第一漏电极213通过第二半导体接触孔接触第一半导体层241的另一端。第二源电极222通过第三半导体接触孔接触第二半导体层242的一端，并且第二漏电极223通过第四半导体接触孔接触第二半导体层242的另一端。第二焊盘电极214b通过第一焊盘接触孔接触第一焊盘电极214a。
另外，第二透明电容器电极271b形成在开口区域“OP”中。在开口区域“OP”中，金属层216被完全去除，使得第二透明电容器电极271b具有第一透明导电材料层215的单层结构。第二透明电容器电极271b从第二漏电极223的下层延伸。
另外，数据线(未示出)和公共电压线形成在层间绝缘层291a上。数据线和公共电压线中的每一个还具有双层结构。数据线与选通线交叉以限定像素区域并且连接至第一源电极212。公共电压线与数据线间隔开并且与数据线平行。公共电压线连接至第二源电极222。
使用半色调掩模来执行用于第一透明导电材料层215和金属层216的图案化工艺，使得掩模工艺的数量不增加。
第一源电极212、第一漏电极213、第二源电极222、第二漏电极223、数据线和公共电压线的电阻由于第一透明导电材料层上的金属层而减小。
接下来，如图5E所示，形成第一钝化层290a。第一钝化层290a被布置在第一源电极212和第二源电极222、第一漏电极213和第二漏电极223、第二焊盘电极214b以及第二透明电容器电极271b上。
接下来，如图5F所示，第一钝化层290a被图案化，使得第一接触孔“CH1”和第二焊盘接触孔通过第一钝化层290a而形成。第二漏电极223通过第一接触孔“CH1”被暴露，并且第二焊盘电极214b通过第二焊盘接触孔被暴露。
接下来，如图5G所示，滤色器“CF”形成在第一钝化层290a上。然而，能够省略滤色器“CF”。有机绝缘层(未示出)形成在滤色器“CF”和第三焊盘电极241c上。有机绝缘层和滤色器“CF”被图案化以形成第二钝化层290b和通过第二钝化层290b和滤色器“CF”的第二接触孔“CH2”。另选地，可以通过第二钝化层190b、滤色器“CF”和第一钝化层190a形成单个接触孔以暴露第二漏电极223。
接下来，如图5H所示，通过第一接触孔“CH1”和第二接触孔“CH2”接触第二漏电极223的第一电极219、通过第二焊盘接触孔接触第二焊盘电极214c的第三焊盘电极214c形成在第二钝化层290b上。
在本发明中，第一透明电容器电极271a通过与第一半导体层241和第二半导体层242相同的掩模工艺而形成，并且第二透明电容器电极271b通过与第二漏电极223相同的掩模工艺而形成。结果，用于制造阵列基板的掩模工艺的数量减少。另外，因为存储电容器Cst的电极(即，第一透明电容器电极271a和第二透明电容器电极271b)是透明的，所以电容量增加并且孔径比未减小。因为用于存储电容器的区域被用作显示区域，所以孔径比增加。结果，即使当存储电容器Cst被形成为占据开口区域“OP”的整个区域时，也改进了OLED显示装置的照明。
如以上所提到的，包括本发明的阵列基板的OLED显示装置在不减小孔径比的情况下具有经改进的电容量，并且具有与现有技术的OLED显示装置相似的色坐标。
参照图6A，图6A是说明现有技术的OLED显示装置中的孔径比的截面图，在现有技术的OLED显示装置的开口区域中存在单个电极(即，阳电极19)。因为由不透明金属材料形成的存储电容器被布置在开口区域的外部区域中，所以孔径比减小。
在现有技术的OLED显示装置中，缓冲层10b(二氧化硅(SiO2)，)、层间绝缘层8(SiO2，)、第一钝化层90a(SiO2，)、第二钝化层90b(2.2μm)和阳电极19(ITO，)层叠在开口区域中的基板10上。
参照图6B，图6B是说明根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置中的孔径比的截面图，包括第一透明电容器电极171a和第二透明电容器电极171b的存储电容器被布置在开口区域中，使得孔径比增加。
在用于OLED显示装置的阵列基板中，缓冲层100b(SiO2，)、层间绝缘层108(SiO2，)、第一透明电容器电极171a(ITO，)、第一钝化层190a(SiO2)、第二透明电容器电极171b(ITO，)、第二钝化层190b(2.2μm)和阳电极119(ITO，)层叠在开口区域中的基板100上。与现有技术的OLED显示装置相比，存在可以折射光的多个层，使得可以改变光学特性。
然而，参照下表1，光学特性的改变较小，使得根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置具有与现有技术的OLED显示装置相似的光学特性。
表
在上表中，“比较”的现有技术的OLED显示装置中的第一钝化层由二氧化硅(SiO2)形成并且具有的厚度，并且和的OLED显示装置具有本发明的第一实施方式的结构并且具有第一实施方式的厚度差。即，装置中的第一钝化层190a由SiO2形成并且具有的厚度，装置中的第一钝化层190a由SiO2形成并且具有的厚度。装置中的第一钝化层190a由SiO2形成并且具有的厚度，装置中的第一钝化层190a由SiO2形成并且具有的厚度。
参照图6C，图6C是说明根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置中的孔径比的截面图，包括第一透明电容器电极271a和第二透明电容器电极271b的存储电容器被布置在开口区域中，使得孔径比增加。
在用于OLED显示装置的阵列基板中，缓冲层200b(SiO2，)、第一透明电容器电极271a(IGZO，)、层间绝缘层208(SiO2，)、第二透明电容器电极271b(ITO，)、第一钝化层290a(SiO2，)、第二钝化层290b(2.2μm)和阳电极219(ITO,)层叠在开口区域中的基板200上。与现有技术的OLED显示装置相比，存在可以折射光的多个层，使得可以改变光学特性。
然而，光学特性的改变较小，使得根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置具有与现有技术的OLED显示装置和第一实施方式的OLED显示装置相似的光学特性。
在现有技术的OLED显示装置中，因为存在单个电极(即，阳电极19)，所以OLED显示装置的透射率相对较高。即，当通过对阳电极19施加电压来操作OLED显示装置时，测量到67.06cd/A的亮度。
另一方面，在装置中测量到65.51cd/A的亮度，并且在装置中测量到65.89cd/A的亮度。在装置中测量到66.78cd/A的亮度，并且在装置中测量到66.15cd/A的亮度。
即，OLED显示装置的亮度是非常相似的，并且OLED显示装置具有基本上相同的光学效率。具体地，装置中的66.78cd/A的亮度与现有技术的OLED显示装置的亮度有0.32cd/A的差。
另外，在除第二实施方式的第一透明电容器电极和第一实施方式的第二透明电容器电极之外的相同结构中，包括由IGZO形成并且具有的厚度的第一透明电容器电极的第二实施方式的OLED显示装置具有69.15cd/A的亮度，包括由ITO形成并且具有的厚度的第二透明电容器电极的第一实施方式的OLED显示装置具有70.79cd/A的亮度。即，第一实施方式的OLED显示装置和第二实施方式的OLED显示装置具有基本上相同的亮度。
另一方面，现有技术的OLED显示装置具有(0.3342,0.3671)的CIE(x,y)。
在本发明中，在装置中测量到(0.3354,0.3668)的CIE(x,y)，并且在装置中测量到(0.3340,0.3663)的CIE(x,y)。在装置中测量到(0.3370,0.3722)的CIE(x,y)，并且在装置中测量到(0.3384,0.3716)的CIE(x,y)。
即，OLED显示装置的色坐标指数是非常相似的。具体地，装置中的色坐标指数与现有技术的OLED显示装置的色坐标指数有(0.0008,0.0008)的差。
另一方面，在现有技术的OLED显示装置中，垂直于前视角的边缘视角与相对于前视角具有60度角的侧视角之间的CIE UCS UV色坐标指数差(Δu’ν’)在现有技术的OLED显示装置中是0.014。
在本发明中，在装置中测量到0.015的Δu’ν’，并且在装置中测量到0.020的Δu’ν’。在装置中测量到0.012的Δu’ν’，并且在 装置中测量到0.015的Δu’ν’。
即，OLED显示装置的CIE UCS UV色坐标指数差(Δu’ν’)是非常相似的，而不管第一钝化层的厚度如何。
因此，包括本发明的阵列基板的OLED显示装置在亮度、色纯度和色偏移方面具有与现有技术的OLED显示装置基本上相同的特性，但是与现有技术的OLED显示装置相比，包括本发明的阵列基板的OLED显示装置具有经改进的孔径比和电容量。
图7是示出了根据用于根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置的阵列基板中的存储电容器的区域的亮度的曲线图。
在图7中，垂直轴是与来自有机发射层的光相比的OLED显示装置的亮度百分比。圆圈记号是可见射线波长内的亮度，并且块标记是可见射线的主亮度范围。线标记是平均亮度。指数“(A)”、“(B)”、“(C)”和“(D)”是上表中的装置，并且指数“75％”、“63％”和“50％”是如图8A至图8C中分别示出的存储电容器的占据区域与孔径比的区域的比率。
在图7中，在现有技术的OLED显示装置“Com”中，与从有机发射层发射的光相比，大约67.2％的光是从OLED显示装置提供的。
在“(A)75％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的75％，与从有机发射层发射的光相比，大约65.6％的光是从OLED显示装置提供的。在“(A)63％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的63％，与从有机发射层发射的光相比，大约65.4％的光是从OLED显示装置提供的。在“(A)50％”OLED显示装置中，第一钝化层具有 的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的50％，与从有机发射层发射的光相比，大约65.5％的光是从OLED显示装置提供的。
在“(B)75％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的75％，与从有机发射层发射的光相比，大约65.7％的光是从OLED显示装置提供的。在“(B)63％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的63％，与从有机发射层发射的光相比，大约65.7％的光是从OLED显示装置提供的。在“(B)50％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的50％，与从有机发射层发射的光相比，大约65.6％的光是从OLED显示装置提供的。
在“(C)75％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的75％，与从有机发射层发射的光相比，大约66.8％的光是从OLED显示装置提供的。在“(C)63％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的63％，与从有机发射层发射的光相比，大约66.7％的光是从OLED显示装置提供的。在“(C)50％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的50％，与从有机发射层发射的光相比，大约66.7％的光是从OLED显示装置提供的。
在“(D)75％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的75％，与从有机发射层发射的光相比，大约66.1％的光是从OLED显示装置提供的。在“(D)63％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的63％，与从有机发射层发射的光相比，大约66％的光是从OLED显示装置提供的。在“(D)50％”OLED显示装置中，第一钝化层具有的厚度并且存储电容器的区域是孔径比的50％，与从有机发射层发射的光相比，大约66.4％的光是从OLED显示装置提供的。
即，本发明的OLED显示装置相对于来自有机发射层的光的亮度百分比与现有技术的OLED显示装置基本上相同。另外，本发明的OLED显示装置相对于来自有机发射层的光的亮度百分比基本上彼此相同，而不管存储电容器的占据区域如何。OLED显示装置的亮度取决于第一钝化层的厚度而不是存储电容器的占据区域。因此，参照上述试验数据并且考虑亮度、色纯度和色偏移的特性，第一钝化层可以具有大约至(更有利地，大约至)的厚度。
在本发明中，存储电容器包括第一透明电容器电极和第二透明电容器电极，使得存储电容器的电容量在不减小孔径比的情况下增加。另外，因为用于存储电容器的区域被用作显示区域，所以孔径比增加。
因为第一透明电容器电极和第二透明电容器电极被布置在开口区域(即，显示区域或孔径)中，所以来自OLED显示装置的表面的亮度(即，照明)可以减小。然而，因为孔径比与现有技术的OLED显示装置相比增加，所以照明增加。
已说明了本发明的阵列基板被用于OLED显示装置。然而，它不限于此。例如，本发明的阵列基板能够被用于各种显示装置(例如，LCD装置)。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改和变化，只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内即可。
本申请要求于2013年11月27日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2013-0145631以及于2014年5月28日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2014-0064588的权益，通过引用将其全部内容并入本文。
Claims (11)
1.一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：
第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；
第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；
第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；
第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；
第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；
第二钝化层，该第二钝化层位于所述第二透明电容器电极上或者位于所述第二透明电容器电极上方；
第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极；
有机发射层，该有机发射层位于所述第一电极上；以及
第二电极，该第二电极位于所述有机发射层上，
其中，所述第一漏电极包括透明层和该透明层上的金属层，并且所述第一透明电容器电极从所述第一漏电极的透明层延伸。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述透明层包括铟锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一源电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的每一个包括所述透明层和所述金属层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的滤色器。
5.一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：
第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；
第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；
第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极或所述第一半导体层；
层间绝缘层，该层间绝缘层位于所述第一透明电容器电极上；
第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；
第二钝化层，该第二钝化层位于所述第二透明电容器电极上或者位于所述第二透明电容器电极上方；
第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二漏电极；
有机发射层，该有机发射层位于所述第一电极上；以及
第二电极，该第二电极位于所述有机发射层上，
其中，所述第二漏电极包括透明层和该透明层上的金属层，并且所述第二透明电容器电极从所述第二漏电极的透明层延伸。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一透明电容器电极被布置在与所述第一半导体层和所述第二半导体层相同的层处，并且具有与所述第一半导体层和所述第二半导体层相同的材料。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一透明电容器电极包括铟镓锌氧化物层。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，该阵列基板还包括：
第一钝化层，该第一钝化层位于所述第二钝化层与所述第二透明电容器电极之间；以及
滤色器，该滤色器位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。
9.一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：
第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；
第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；
第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极或所述第一半导体层；
层间绝缘层，该层间绝缘层位于所述第一透明电容器电极上；
第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；
第二钝化层，该第二钝化层位于所述第二透明电容器电极上或者位于所述第二透明电容器电极上方；以及
第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二漏电极，
其中，所述第二漏电极包括透明层以及该透明层上的金属层，并且所述第二透明电容器电极从所述第二漏电极的透明层延伸，并且其中，所述第二透明电容器电极被布置在所述第一透明电容器电极与所述第一电极之间。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述透明层包括铟锡氧化物。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述第一源电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的每一个包括所述透明层和所述金属层。
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