TW200915615A - Light emitting device - Google Patents

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200915615 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 士發明係關於發光裝置。特別是，關於藉由提高光擁取 來提面光電轉換效率的發光裝置。 ^ 【先前技術】 作為‘知的發光二極體（Light Emitting Diode : LED )，例如， ^將雜層絲分健光娜觸電㈣正下麵哪。 二，具備G*基板、形成在GaAs基板一面上的半導體層属 形成在該半導體層疊結構—面上具有規定外徑的圓形的ΐ ^ Α社媒^1_在的另—面上的下部電極，其中，所述半導體 騎和p型包覆層以及被夾在這兩者之間的 雷半導體層疊結構的介面上形成具有比二 u、^大的内徑和外彳讀同心環狀的電流流人區域，在該電 一外t成電流狹窄層（例如，參照專利文獻1)。 中，從上部電極注入的電流因電流狹窄層而不藉由 的活性層的部分，而是經過同心環狀的入 光被抑制，主要的發光下方的活性層的部分的發 相社人办、錢在部電極期心、環㈣電流流入區域 2 =部分進行’因此能改善光擷取效率。 另卜作為習知的其他的LED，如， 、 陣形地配置多個$面ΐ:電ί狹窄層，在該電流狹窄層的外側矩 成反射層（例如，參照===狹窄層和半導體基板之間形 5 200915615 在該LED中，從上部電極注入的電流經過矩 :電極流向下部電極，因此，緩和活性 ^置的夕 卜二娜層向半導體基板一側射出的光被反 I 性層發㈣光被半賴基板吸收: 專利文獻1 .日本特公平6_82862號公報 專利文獻2 ··美國專利第6784462號公報 g 【發明内容】 引起的ϋϊ 1文獻2所述的LED’除了上述的上部電極所 ί 2 的兩電極之間的多個電流通道的電阻上產生Ϊ 二在流經活性層的電流上產生差別，因此在亮度、 部分ίί部所述的LED，從活性層射出的光的-=t,GaAi基板吸收，因此對光操取效率的改善有 ，熱（溫度上升）等上產生制。其結果為 的^ 壓和壽命在各元件中參差不齊的不良情況巧㈣咖的艇動電 一，而，本發明的目的是提供一種發光裝置，該 取效率、使活性層的發紐域的亮度和發敎（溫^上 均一化、Ϊ制兀件間的驅動電壓和壽命的參差不齊。 為了實現上述目的’本發日月提供一種發 立且八 ίί%的^體i叠結構；軸在半導體層4結“上ΐ =的，層疊結構的另一表面上除 =極區域之外料導體層疊結構的其他表_區^^^ 出流阻止層;與介面電極電連接，使發 ίίν發ΐ 7^、透過電流阻止層的光反射至半導體層疊社構- ㈢及在反射層的半導體層疊結構的二^與 牛¥體層疊結構電連接的導電性支撐基板。 200915615 =，上述發光裝置中，上部電極可以形成圓形，介面電極 (綱—Shape)。並且’形成環狀的介面電極可以 成為具有環形（nngshape)，且環形的介面電極的巾心鱼 =3中=目ϋ外’上㈣極可以具有圓形或多角形的^ IS 部以及_電極部，接觸電㈣在上部與墊 在Γ部與半導體層疊結構的一個表面電接合，向 it、電，亚且塾電極部在除了與接觸電極部連接的 區域，也可以與半導體層疊結構接觸。 ㈣ί = ’ f述發光襄置中，上部電極可以具有：81形或多角形 ㈣及電流阻止部，其中接觸電極部在上部 2 電連接’在下部與半導體層疊結構的一個表面電接 i的Mitt ί流阻止部在除了墊電極部與接觸電極部連 域中，覆則體_構的—個表面，發光 另外’為了實現上述目的，本發明提供—種發綠 ==電極同心地形成、比環形的上部電極以 發光===度的 動電壓和壽命的參差不齊。 ]化抑加件之間的驅 【實施方式】 第1實施方式 面圖圖=矛圖本 的（a)表不本發明的第丨實施方式所相關的 200915615

發光裝置的俯視圖，圖IB的⑻表示沿圖1A 光裝置時的發光裝置_棚。 的A A線切斷發 發光裝置1的結構 第1實施方式所相關的發光裝置i具備‘·半導體纟士 13〇 ’其具有作為發出規定波長的光的發紐的活性層^ 接巧電極120,作為與半導體層疊結構13〇 一表面的 ^哀Γ的上部電極的—部分；第1絕緣層11G，在第1接觸電極 半導體層疊結構⑽的—表面；以及塾電極·， =在第丨棚電極η。和第丨絕緣層⑽上 部分的引線接合用。 ~ I电独 ，外，發光裝置1具備：環形的第2接觸電極125，其盥 體層疊結構130 -表面的相對側的另一表面的一部分電連接、 除主了設置第2接觸極125❸區域外的半導體層 二構130的其他表面；以及反射層15〇，設置在第2接觸電極 i目H2。絕緣層140與半導體層疊結構130的另一面接觸的面的 此★外，發光裝置1具備：合金化抑制層16〇，設置在反射層 5〇與第2接觸電極125和第2絕緣層14〇接觸的面的相對侧上； =貼合層170’設置在合金化抑彻航射層⑼接觸的面 ，相對側上1並且，發光裝置】具備：貼合層2〇〇，其與貼合層面 7〇包和機械地接合；接觸電極21〇，設置在貼合層2〇〇盥貼合屛 2接合的面的相對側上；以及電氣導電性支撐基板2〇設置在曰 接觸電極210與貼合層200接觸的面的相對側上。 另外，發光裝置1具備：接觸電極215，設置在支撐基板2〇 上的接觸電極210的面的相對側上；以及外部電極22〇，設置在接 ，包極215與支撐基板20連接的面的相對側上作為晶圓接合用 極。 如圖1B (a)所示，本實施方式所相關的發光裝置1在俯視 圖上大致形成正方形。作為一個例子，發光裝置丨的平面尺寸中， 200915615 外形長度L和外形覓度L各自大致為25〇pm。另外，發光裝置1 的厚度大致形成為200μηι。 本實施方式相關的半導體層疊結構13〇具有趣耐系的化 合物半導體的雙異質結構。具體地’半導體層疊結構13〇是將活 性層Π4夾在第i包覆層132和第2包覆層136中構成的，所述 活性層134是含有包含量子井結構的觸_ =形成的’所述第i包覆層132是包含第丨導電型的㈣^砂 刑2成，，第2包覆層136是包含與第1導電财同的第2導電 型的p型AlGalnP而形成的。 當從外部供給電流時’活性層134發出規定的波長的 為Γ個例子，活性層134以發出波長為63Gnm的紅色光的 ί ί來° f外’第1包覆層132含有規定漠度的Si等n型摻 夕，第2包覆層136含有規定濃度的Zn、C等p型掺雜 娜電極一部分的接觸電極部的第1接觸電極12〇以環 勺舜Ϊ體層疊結構130上。具體地’第1接觸_ 120是 1Β U2的上部的大致中央作為環中心來形成的。如圖 _m、C為一個例子’第1接觸電極120是以外徑〇為 第^為2〇卿的形式來形成的。第1接觸電極120是由與 型用I1,32歐姆接合的導電性材料形成的，例如，由作為η ΐ 的包含Au、Ge*Ni的金屬材料形成的。作為一個 的順序ί 觸電極120從第1包覆層132 一側，按AuGe/N_ 幻丨貝序層疊來形成的。 开ΓίίίΓ止部的第1絕緣層110，形成在由第1接觸電極 120形成的即^ 1絕緣層110是覆蓋在由第1接觸電極 俯視圖的出的第1包覆層132的表面的方式來形成， 性層134^Ϊ為直徑大致是6〇μΠ1的圓形。第1絕緣層U0對於活 絕緣層i】L的波長的光是透明❸，由電絕'緣性的材料形成。第1 0作為一個例子是由Si〇2形成的。 9 200915615 ㈣ΐίΐΐ電極一部分的塾電極部的塾電極100以大致的圓形 #彡规带¥體層疊結構130的上方。具體地，如圖1Β的（a) y。、古極1⑻形成在第1接觸電極120和第1絕緣層110之 卜’ ΐ電極1〇0和第1接觸電極120在塾電極100的外周 上包，接。墊電極100也可以形成多角形。 對廡並極10❹的中心與第1包覆層132的大致的中央相 和i 1絕缝100的正下方的區域中’形成第1接觸電極120 L的外ί λ 1° °作為-個例子，塾電極卿以與第1接觸電極 電極100^、Δ有相同尺寸的直徑100μηι的方式來形成。另外，墊 電極100由以Au為主而形成的金屬來構成。 活性層的第2絕緣層140是在第2包覆和6形成 在第^ :的面的相對側的大約整個面上形成的。並且’ 部分的區域中，設有貫通第2絕緣層14〇 伟盥第：接在弟2絕緣層140该置的槽，作為-個例子， Ϊ層的形狀相似的形狀來形成。即，在第2絕 第2絕，140 ί 電絕緣性材料形成。例如， 成⑽上形成鋪’使得岭1接觸電極 視，，大致-致。第2絕緣請具有的 的尺寸來」子’疋以外徑190师、内徑150师以及寬20卿 1 140 i/in 為W面電極的弟2接觸電極⑵，是在形成於第2紹缝爲 Π5是定的金屬材料來形成。第2接觸電： 的外周^的塾電極應的外周或第1接觸電極12〇 電極刚的r ’第2接觸電極125是具有與塾 的卜似弟1接觸電極120的外周為相似形狀的圓形部 200915615 分來形成的。作為—個 ^ 所示，是以外徑必子，第2接觸電極125，如圖1Β的（b) 的環狀的環形來形^的。μΠ1、内㈣3為15_以及、線寬為20卿 材料電：5 第2包覆層136歐姆接合的導電性 形成。又、環狀是5’弟2接觸電極125由地e電極 另外，環狀的内之城，未必是完全封_形狀亦可。 g : W的缝。另外’第2接觸電極125也能触_電ς 射率層134發出的光具有規定值以上的反

ί 作為：：個例子，反射層15G是以AU 來層160是由與反射層150電連接的導電性材料 沾作為—個例子，合金化抑制層160是以Ti為主所形成 的、:ϋ貝是由具有規定的膜厚的導電性材料來形成 ^貼σ層170與合金化抑制層16〇電連接 合層170是以Au為主所形成的金屬層。 巧彳阡貼 触Π 是由_合層17G_的材料來形成的， J占。層170接5。具體地，貼合層170和貼合層2〇〇是電 ，地連接。接觸電極210是由與支撐基板2〇電導通的導電性材料 來形成的。作為一個例子，接觸電極21〇是以Ti為主來形 與貼合層200電連接。 ，支標基板20具有規定的熱傳導率，並且是由電氣導電性材料 所形成的基板。支撐基板20，作為-個例子，是由厚度為2〇〇μηι 的Si形成的。只要支撐基板2〇具有電導電性，導電型就可以是η 型或Ρ型中的任一種。接觸電極215是在電極210接觸支撐基板 20的面的相對側的面上，與支撐基板20形成電連接。作為一個例 子’接觸電極215是以Α1為主來形成的。 η 200915615 接，:卜s22。與接觸電極215電連 上。外部電極220形20連接的面的相對侧的面 子，外部電極220是以Au為主來形=整個面上。作為—個例 波長的色區域的 部分剖面圖表… U)所示的B_B線切_發光震置的 本實施方式所綱的發紐置〗巾 接觸電極125的各自的俯顏円的φ、θ第接觸電極120和第2 的。即，在俯視圖中致的方式形成 以同心圓的方式來配詈^ 〇和第2接觸電極125是 Μ筮术置的。廷樣’以第2接觸電極的内徑和外庐 比第1接觸電極120的内徑和外徑大的方式來形成。 ^ 因而在發光裝置j的縱剖面，從第^接觸電極12〇 距離大致4。例如，從第1接觸電極咖 lit 〇Γί ^ ^ 125a

Si 的距離為距離_ ’則距離铷與距離杨ί 發光裝置1的變化例 本實财式__發絲置i翻峰波長為⑽⑽的 區域的光，但發光裝置i發出的光的峰波長並具巴 控制半導體層疊結構130的活性層134的結構，也能夠出 規定的波長範圍的光的發光裝置i。另外，發光裝置】具傷 體層疊結構130也能夠由包含發出紫外區域、紫色區域或藍色區 域的光的活性層134的InAlGaN系的化合物半導體，或包含笋°出 紅外區域的光的活性層134的AlGaAs系的化合物半導體來形"成。 12 200915615 發光裝置1的平面尺寸不限於上述實施方式。例如， 奸寸也可輯計成縱向尺寸和横向尺寸分別大 根據f絲置1的使㈣途，也可以適當地 爱更縱勹尺寸和彳頁向尺寸來形成發光裝置1。 另外，活性層134的量子井結構可以由單一| 一種結構來形成。另外’由輸；化 帶請任—種都小，也能夠形成 一百雙八貝（DH)結構的半導體層疊結構13〇。 另外，半導體層疊結構130在第i包覆層m 電極12〇的面的_側上，可以進接觸 =，第^接觸層ί:比第St:: 口 ^有η型摻雜劑的GaAs層來形成的。藉由設置第^的声辰 第1接觸電極120和第1接觸層之間的接觸電阻，比^于 電極120和第1包覆層132之間的接觸電阻低。 接觸 電二:=結接觸 136 _質濃度高的雜質“二，2第接2 ^層疋由比弟2包覆層136的雜f濃度高的濃度之含 ^ 減绡的GaAs層來形成的。藉由設置第2 = 第2包覆層136之間的接觸電阻低。 电和 另外，為了抑制位於魏極觸正下方的活性層13 力可以形成第1包覆層132和第2包覆層136 ^ 132的電阻值比第2包覆層136的電阻值低。 匕復層 外，1了將活性層134發出的光有效地娜至外部，在第1

134連接的面的相對側的面的表面和^第2 匕復層136 14苐2絕緣層140的介面上，可以設置凹凸，才H 200915615 疋尺寸的凹凸部。此外，在活性芦134中，在了产几人^ 層疊方向和垂直方向上擴大電流來供給:在除ίΐ 2第1接觸電極12◦和第1絕緣層‘以域 _ 〇她：銦錫氧化物的 電=合 能ίΐ 12=形狀’使第1接觸_120作為電流擴散部發揮Ξ ;Τ:二時’將形狀與第1接觸電極120的形狀丄= 層:====觸f=形2成在第2包覆 的形狀的 只要第2接觸電極】25 的内0的外周部分到第2接觸電極125 创的^嚴=致相同的條件，就可以不必與第1接觸電極 ^外’支撐基板2〇可以由金屬 _ 210、接觸電i 215二义提^耐腐蝕性、或者降低接觸 立产其丄與支稽基板20之間的接觸電阻為目的， 來:或叠^固導電性材料的多層結構的基板 基板來形i 子，由具有超過2〇〇卿的厚膜的結構的 電極ϋ卜第1接觸電極120、第2接觸電極125、接觸 具的當^ 發光裝置1的製造方法 製造的ΊΓΕ表示本發明第1實施方式所相關的發絲置的 14 200915615 、首先，如圖2A (a)所示，例如，藉由有機金屬化學氣相沉 積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD)，在 n-GaAs基板l〇上形成含有多層的AiGajnp的外延層。 具體地’在n-GaAs基板1〇上，以如下順序形成以inGa 主所形成的蝕刻終止層137、含有n型AiGaInP的第】包覆層132、 含有量子井結構的活性層134、含有p型规耐的第2包曰覆層 紐1G上，形成含有多個外延生長層的^ n GaAs基板1〇上的半導體層疊結構m也可以採用分子束 ^延法（MolecularBeamEpitaxy:MBE)或氫化物氣相外延法 (Halide Vapor Phase Epitaxy ·· HVPE )耸炎带占。 :著，在第2包覆層_活性=的面的相對側的 個面/，ί用化學氣相沉積法（Chemical VaPQrD— / β真工蒸鍍法或錢射法形成作為第2絕緣層140的Si02。 並且’採用微影法和|虫刻法，如圖2A⑻卿，在第2絕 上形成俯視圖的形狀為環形的開口 14卜這樣，從開口 141露 出第2包覆層136的表面。 旦在除了第2絕緣層140的開口 141的區域外，採用微 Γίίί 層。並且，制真空蒸鍍法，在祕層上和第2絕 的開口 141上，蒸錢含有AuBe的金屬材料。接著，採用 =離法/殘留被麵在開口 141的金屬材料。這樣，如圖2A(c) 成於第2絕緣層14G的開Π 141内，填充含有AuBe 的金屬材料，形成第2接觸電極125。 ^ ，2B T所示’在第2接觸電極125和第2絕緣 :h ’採用真空祕法或濺射法’按如下順序連續地形成以

Jo :、/:形ί的反射層150、以Ή為主所形成的合金化抑制層 物本二二所形成的貼合層170。這樣’能得到主要由化合 物+ V體的層疊結構所形成的第丨層疊結構體5。 為了提南反射層15〇相對於第2絕緣層⑽的密合性，在第2 15 200915615 絕緣層140和反射層150之間，也可以形成提高第2絕緣層i4〇 和反射層150的密合性的密合層。密合層較佳具有電傳導^， 時丄，容易透過活性層134發出的光的材料來形成，或者以能多^ 提高第2絕緣層140和反射層150的密合性的最低限度的厚1來 形成。 又 接著’在作為支撐基板20的Si基板表面上，利用真空蒸鍍法 或濺射法，形成以具有電氣導電性的Ti為主所形成的接觸電極 210、以Au為主所形成的貼合層2〇〇。這樣，能夠得到主要由支 撐基板20所形成的第2層疊結構體6。並且，如圖2B (e)所示， 使第1層疊結構體5的貼合面la和第2層疊結構體6的貼合面2'如 相向重合’用規定的夾具保持該狀態。 △接著，將保持著第1層疊結構體5和第2層疊結構體6重合 狀態的夾具，導入在微機械用等中使用的晶圓贴合裝置内。並且， 使晶圓貼合裝置内為規定壓力的真空狀態。並且，向藉由夾具互 相重合的第1層疊結構體5和第2層疊結構體6施加規定的g 一 的壓力。接著，用規疋的升溫速度將夾具加熱至規定的溫度。 夾具的溫度達到350°C左右後，將夾具在該溫度下保持大約工 個小時。然後，逐漸冷卻夾具。使夾具的溫度，例如充分降至室 溫。夾具的溫度降低後，釋放施加於夾具的壓力。並且，使晶圓 貼合裝置内的壓力為大氣壓，擷取夾具。 這樣’如圖2C⑴所示，第1層疊結構體5和第2層疊結構 體6在貼合層170和貼合層200之間機械和電接合，而形成貼合 基板7a。 在本實施方式中，第1層疊結構體5具有合金化抑制層16〇。 因而’即使用貼合面la和貼合面20a接合第1層疊結構體5和第 2層疊結構體6時’也可防止反射層150由於貼合時的壓力等所引 起的變形。另外，合金化抑制層160能防止由於貼合時的熱所引 起的形成貼合層170和貼合層200的材料向反射層15〇擴散，並 防止反射層150的反射特性劣化。 ' 16 200915615 接著，用規定的貼附用蠟將支撐基板20貼附於規定的研磨板 上。並且，研磨n-GaAs基板1〇，使n-GaAs基板1〇的厚度達到 大約30μηι。接著，從研磨板上取下研磨後的貼合基板7a，洗淨除 去附著於支撐基板20的表面的犧。 业且，如圃所不，採用GaAs蝕刻用蝕刻劑來蝕刻研 磨後的貼合基板7a。並且，從貼合基板7a選擇性地完全除去 n-GaAs基板，形成貼合基板7b。作為GaAs韻刻用的韻刻劑，可 以例舉出純規定的比娜合氨水和過氧減水的齡液所構 的姓刻劑。 ^ίί ⑻所示，採用規定_刻劑，利舰刻從 f ΐϊΐ 除去以祕沾為主所形成_刻終止層137。這樣， ίΪί侧終止層137的貼合基板7c。作為規定的韻刻劑，可 以抹用3錢酸祕卿，作為—修， 比例混合鹽酸㈣酸的混合液所構成的侧^。+出以規疋的 層m上面的大致中殳^不’採用微影法，在第i包覆 1絕緣層no。這樣，形成貼約為60卿的大體圓形的第 絕緣層ΐ。S ί寬3 f空蒸，法和微影法’在第1 120。這裏，第1 形^接觸電極 接著，採用真空蒸鑛法和微影法形成的。 接觸電極120的上部，形 第1絕緣層110和第1 1絕緣層110上剝離，車交佳在電了防止塾電極100從第 入密合性材料。這裏，該ί合性和塾電極100之間插 發出的光的材料來形成， 較佳由容易透過活性層134 規定的反射率的材料來形i t對134發出的光具有 來形成。 忒费δ性材料能夠以Ti為主 接著’在第1包覆声n：> &主^ 3 、面中’採用韻刻技術和/或微影 17 200915615 法，在未形成第1絕緣層110和第丨接觸電極12〇的區域上，形 成細微的凹凸。藉由形成這樣的細微的凹凸，活性層13 ^ 覆層132和空氣的介面上全反射，能夠抑制返‘到活 性層134的一側。 /、此外’採用真空蒸鍍法，在支撐基板2〇下方的面的整個面上， 形成以^為主所形成的接觸電極215和晶圓接合用的外部電極 :接，定的溫度、規定的氛圍下，對形成有第1絕緣層 110、第1接觸電極120、墊電極1〇〇、接觸電極215、外 220的貼合基板7e實施合金化處理。 。私 接著，利用儀刻處理或使用半模㈤fdiee)的臺面隔離（脇& iso ation?工藝」將合金化處理完的貼合基板％分離成多個元件 結構。並且，藉由對臺面隔離工藝後的合金化處理完的貼合基板 7e實施切割處理’形成多個發光裝置卜這樣’形2e口 土 示的發光裝置1。 ，成的^光裝置1採用Ag糊劑等實裝於規定的電晶體管座 上。並且，藉由用規定的樹脂成型實裝發光裝置丨的電晶體管座， 使發，裝置1被樹脂所密封。評價樹脂密封的發光裝置1時，正 向電壓為1.95V ’正向電_ 20mA時的峰波長$ 63〇nm，發光輸 出是25mW至27mW。即’發光裝置1的光電轉換效率大約為64% 以上。 將發光裝置1實裝於電晶體管座時，從放熱性的角度考慮， 較佳採用AuSn等共晶合金進行實裝。 心 在由形成於藍寶石基板上的InAlGaN系的化合物半導體材料 所形成的化合物半導體層疊結構，形成發光裝置丨時’藉由使用 與上述工程同樣的工程，可以形成能夠在發光裝置的上下方向流 通電流的發光裝置。 圖3表示本發明的第1實施方式所相關的發光裝置的發光的 模式。 發光裝置1的活性層134，在供給電流時發出規定的波長的 18 200915615 光。例如，例示了在活性層134中規定的點上產生光的情形。活 性層134中的發光點i34a發出的光的一部分，如光路徑 path)30a和光路徑(lightpath)3〇c所示，經過第2包覆層136和第2 絕緣層140傳播，在反射層150與第2絕緣層14〇的介面15〇&上 被反射，被放射到發光裝置丨的外部。 另外，活性層134中的發光點134a發出的光的一部分，如光 路徑(hghtpath)3〇b所示，經過第！包覆層132傳播，直接放射到 外部。此外，活性層134中的發光點134a發出的光的一部分，如 光路徑(lightpath)30d所示’經過第1包覆層132和第1絕緣層11〇 傳播，首先在墊電極100和第1絕緣層110的介面11〇&上被反射 至反射層150的一側。並且，在墊電極1〇〇上反射的光，在介面 150a上被反射至發光裝置1的外部，放射到發光裝置丨的外部。 另外，向本實施方式所相關的發光裝置丨供給至多為1〇〇mA 的電流，測定電流-光輸出特性。其結果為，在發光裝置i中，當 電流不大於100mA時，對於電流的光輸出的直線性良好。這是: 於以下2個理由。首先，1個理由是因為，發光裝置丨具備的支撐 基板20，是由與熱傳導率大約為〇.5W/cm.K的GaAs相比熱傳導 率大約為1.5W/cm.K的Si形成的，因此發光裝置工產生的熱容易 被放出到外部。 ^ 另外，第2個理由是因為，在本實施方式所相關的發光裝置 1中，第1接觸電極120和第2接觸電極125的距離被形成為一定， 因此與第2接觸電極125為多個間距的接觸電極的情形相比，可 提高光電轉換效率。因而’在發光裝置1中產生的熱與習知的led 相比被降低。 第1實施方式的效果 本發明的第1實施方式所相關的發光裝置1，藉由使第1接觸 電極120和第2接觸電極125之間的距離大致一定，能夠使流向 第2接觸電極125的電流的電流密度在第2接觸電極125的任何 位置上都大致相同。這樣，能夠降低發光裝置1的驅動電壓，同 19 200915615 軟制的發光，得到穩定的發光。 電極125的電流的電;危密以，能夠使流向第2接觸 正向賴的參差不齊和裝置1的各自 另外，太宭#士毛光裝置1的各自壳度的參差不齊。 120和第2接觸^/125 置上，藉由使第1接觸電極 接觸電極125的電流的電流i度在第向第2 上都大致相同。雜，PD你人二长弟接觸电極125的任何位置 接觸電極125的-ίρ八上光裝置1供給大電流時，在第2 在活性層m上的“局ί的電流集中，因此能夠抑制 m的_?·第本的發光裝y中，第_電極 細微形狀的多個第2接觸雷1形狀都是娜，不需要形成具有 習知的發光ί==電？異因t，發光裝置1的製造工程比 品率（yieldmte) &各易’也能提高製造發光裝置1的成 的外周部分，篇關的發光裳置1中，除了墊電極卿 因此能夠抑制塾電二'!〇〇的的正下方並不形成第2接觸電極125， 能提高發===；^柿觸134峨。這樣， 同時另式所相關的發光装置1在具備反射層150之 134發出的m1接觸電極12G的内側部分而透過活性層 反射1〇0和第1絕緣層110的介面上被反射到 發光;向發光裝置1的外部。這樣， s，卜所式所相關的發光裝置1中，光電轉換效率 信終因此將發光部件用於像手機等移動通 。、、以’ $望能抑制電池的消耗的設備時，使用本實施方式 20 200915615 所相闕的發光裝置1是有效的。 f外，在本實施方式所相_發絲置〗巾，祕光電轉換 ίΪΓ發^所需要的電力少，因此能夠降低由於注入電流所產 於在供給大電流的時候，發光裝置1也能降低 ^卜上if ft等不良情況’能夠延長發光裝置1的壽命。 中產生的熱被減少，因此能夠減小由於發熱而 特性變化的健。因而，發光裝置1，作為一 第2 大電流來發光的燈的用途中是有效的。 面圖圖4表示本發明的第2實施方式所相關的發光裝置的縱向剖 發光發光裝置2與第1實施方式所相關的 it 101 1 ^n〇 的說明。 。、、’Ί ’因此’除了不同點之外’省略詳細 形成㈣極。塾m和第1接觸電極no上， 並且I墊電極1〇1與第〗接觸電極12〇m’。以Au為主形成。 墊電極1〇1與第1肖覆展m + a 101和第1包覆層132不需要曰電連接。^面1〇1j上連接，但塾電極 1包覆層132至少不需要歐姆接 所謂的墊電極1〇1和第 性層134發出的光且有°另外，墊電極1⑴較佳由對活 第i變化例 疋的反射率的導電性材料來形成。 圖 。圖5表示本翻的第1變化例所_的發絲置的縱向剖面 ml ί 1 相同的結構’因此，除了;同明具有大致 21 200915615 成。發出的光透明的材料形 光的-部分，在itt裝置1 _，活性層134發出的 面上，被反射至^二包=二與發光裝置1的外部的空氣的介 的表面上形成反射防：是，藉由在第1包覆層132 圖。圖6表不本發明的第2變化例所相關的發光裝置的縱向剖面 光裝列=的Ϊ光裝置4與第1實施方式所相關的發 二1从進一步具備第1電流擴散層138和第2電ί 側，具有電阻= == = ==作為-個例子，第^ 接觸結%^阻$置第2包覆層⑶的第2 形成。各半導體層的電阻率可:用“的 2 +導體層疊結構13Ga可以只具有第i電流擴散層i38和第 22 200915615 電流擴散層139的任一種來形成。 第3變化例 圖7 (a)表示第3變化例所相 裝置！相㈣1實施方柄_的發光 以及第2接觸電極的形狀不同之外，Ϊ5二1極的形狀、 除了不同點之外，省略詳細的說明/、有致相问的結構，因此’ 有規，具有含 分。多倾狀部妓时聰部 驗形成在第i接戦極121和第m所^墊電極 極=第^蜀電極121，在塾電極=的接塾電 並且，墊电極l〇〇a的中心是以與第^ 上，形成第i接觸電極121和第下方的區域 墊電極100a的圓形部分的直和必4形/ ，一個例子， 121的圓來邱八从二1/?1 0形成為1〇〇μΐη，第1接觸電極 的枝狀n: 的餘也形絲1<Χ)μηι。另外，钱極100a 執帝ΐ t i的第2絕緣層_上所設置的槽，是以具有與 开^的旦U周或第1接觸電極121的外周相似形狀的方式來 極=1讀第1接觸電極121為相似形狀、形狀比第1 小大的槽，形成在第2絕緣層14〇吐。並且， ί 尸是藉由在形成於第2絕緣層_上的槽内埴充

Hi材料來形成的。第2接觸電極126的圓形部分之中， 疋以比塾電極腿的圓形部分的直徑的方式來形 第4變化例 23 200915615 圖8 (a)表示第4變化例所相關 表示發光裝置的剖面的= 弟4k化例所相闕的發光褽置盘第 裝置1相比，除了作為上部電極的塾電^光 以及第2接觸電極的形狀不同之外，的形狀、 除'不同點之外，省略詳細的說明/、有大致相_結構，因此 第4變化例所相闕的發光裝f 含一邊的長縣規找長餘嶋，具有包 觸電_和第! 二塾電塾極電^ 方形來形成的同時，各頂角以規定 ？概^^ Ϊ極尸在墊電極= 成弟1接觸電極122和第J絕緣層112。 ΛΤ心 塾電化Λ中的第2絕緣層_上所設置的槽，是以具有與 形成的。i體地周^第1接觸電極122的外周相似形狀的方Ϊ來 接觸電極Ϊ22的大極122為相似形狀、形狀比第1 2接觸雷搞的槽形成在第2、絕緣層140b上。並且，第 定的全屬材料央 =由在形成於第2絕緣層14〇b上的槽内填充規 第邊長u大的形式來形成的。 表示表不第5變化例所相關的發光裝置的俯視圖’⑻ ϊ ϊ例所_的發綠置的剖面_視圖。 裝置1相ΐ匕例所相關的發光裝置與第1實施方式所相關的發光 以及莖？拉總除了作為上部電極的墊電極和第1接觸電極的形狀 除了 電極的形狀不同之外’具有大致相同的結構，因此 除了不冋點之外，省略詳細的說明。 24 200915615 定的相關的發光裝置具備的塾電極丽包含具有規 枝狀邻义八丨卜=部分和具有規定的線寬的多個枝狀部分。多個 ΰ層2著第1包覆層132 _方向和第1 執带搞#弟1接觸电極123和弟1絕緣層113之上。這裏， 私並且執2 1接觸電極123在塾電極1〇〇d的外周上電連接。 央相對無1刪的巾咏稍第1包覆層132的大致的中 i形成的，同時，在墊電極100d的正下方的區域 i二t丄_極123和第1絕緣層113。作為-個例：，2 的圓形部分觸^ 極‘5的以具有與塾電 Λ。二體地，疋與塾電極_的外周或第1接觸電極123的外周 14〇C 1 Π； 绍if大小大的規疋區域。並且，第2接觸電極128是在除去第2 、、、邑緣層140c _域上來蒸鑛所規定的金屬材料來形成。’、 即，在第5變化例中，第2接觸電極128和第2絕緣异 分的形狀是以與第1接戦極123的外周或塾ii _ 3 = ί相似形狀的方式來形成的。另外，第2接_極128的 mi部分的直㈣7是以比墊電極麵_形部分的直ΐ Φ6大的方式來形成的。 刀幻直位 第6變化例 表ΐ第6變化例所相關的發光裝置的俯視圖，圖 〇Α⑻表不弟^化例所相關的發光裝置的剖面的俯視圖。 j 10B表示第6變化例所相關的發光裝置的俯視圖的塾電極 和弟2接觸電極的位置關係。 第6變化例所相_發光裝置與第！ m气所相關的發光 25 200915615 省略詳__。 糾崎構，_除了關點之外， _作斤ί關的發光裝置

1 〇〇e ’包含具有規定的直徑_形部分和 JZ

Jf- 1〇2" ' ^ 1〇2b 5 ^ 1〇2c ^ ^ ° ^l〇A (a) 所=，多個枝部分別從圓形部分向著第i包覆層i3 和第1包覆層132的各邊方向來形成。並且、" ίο t，極職的圓形部分的直徑形成為大約為 ΙΟΟμιπ，作為一個例子，多個枝部分別是以大約〇_ 1 形部分的直徑和枝部的寬並不限於上述例子。例如枝 Ϊ 5μ^ΪΓ成為〇 5阿以上2〇卿以下，較佳形成為〇·5μΐΠ以 第6變化例中的第2絕緣層刚上設置的槽具有 =的夕卜周的至少-部分為相似形狀的部分，形成為^狀。並且， 弟2、、、邑緣層14〇d上設置的線狀的槽，如圖1〇Α的⑻ 俯視圖看，分卿成在沒有與墊電極職重合的位置上。例攸 從上面觀察第6變化例所相關的發光裝置時，在第2絕緣芦M 上形成多個槽，使得在枝部l〇2a和枝部i〇2b之間配置有第2接 觸電極129a和第2接觸電極129b。 弟2絕緣層140d上設置的槽是以具有能夠形成第2接觸電極 的，望之寬度來形成。第2絕緣層l4〇d上設置的槽，作為一個例 子是以〇.5μηι的寬來形成的。並且，第2接觸電極129 (例如 2接觸電極129a、129b、129c、129d、129e等），是在除去第2絕 緣層140_(1而形成的多個槽的區域上分別蒸鍍規定的金屬材料來形 成的。藉由變窄第2接觸電極129的線寬，使相對於在第j包覆 層132俯視的面積之多個第2接觸電極129合計的面積的比例減 低’使得能夠減少活性層134發出的光在第2接觸電極129被吸 26 200915615 收的量。 具體地’在圓10B中，丧示執雷托< 置關係。例如，從上面觀察發光裝置時$第2接觸，極的位 ^間配置雜的第2_賴】部腿 平行的樣子。同I ^形成為與枝部1必大致 枝部102b大致平行。 ㈤ 第2接觸電極129b形成為與 此時’作為第2接觸電極i29a的外 、 枝部廳外周相近—側的外周 :“ ^俯視圖來看與 的外周的-部分她的形狀 $ f為具^與^職 觸電極I2%的外周、#曰似片、目二刀/1〇&同樣，作為第2接 ，的_-部分，卜、周相近-狀的相似部分31〇b。並且，在第2技總恭4卜周的一 〇卩刀相似的形 =7接部分的外财，與塾電^ 枝部之二相置中’第2接觸電極和 圖中的間隔，與第2接觸i a和枝部1〇2a之間的俯視 的間隔分別大致相等。同樣，第之間的俯視圖中 俯視圖中的間隔分別大致相等 2b之間的 係也-樣，因此省略詳細的|明了他的弟2接觸電極和枝部的關 苐7變化例 11A 0>)表H 例所相關的發光裝置的俯視圖，圖 外，圖11B表干第7樂务η相關的發光裝置的剖面的俯視圖。另 和第=的弟所相關的發光裝置的㈣ 第7變化例所相關的發光震置與第1實施方式所相關的發光 27 200915615 ΙΙΖνΛ' 2 ^ ::的說明。另外，作為第7變:“的:以:備： ，7=，致相同2構因二=先裝置具 【二=從俯視圖來看’分別形成在不與塾電極‘ 第2 ^声，例所相關的發光裝置的時候，在 ^象廣140e上形成槽’使得枝部1〇2 129fo ^ ^ ntg%ttw lm 1〇2c^fa1S&£*2 之^分1分卿成多個槽，使卿 置，因由於與第2接觸電極129f同樣地酉己 寬來ίΓ ΪΪ層ϋ上設置的槽’作為—個例子，以0.5师的 12^ ’Λ接觸電極129 (例如，第2接觸電極聰、 中分別細^14Ge _祕個槽的區域 置關’表示塾電極100e和第2接觸電極的位 之Ϊ署== 發光裝置時’在枝部i〇2a和枝部1⑽ =H線狀㈣2制輸i29f。地，在枝部腿和枝部 之門iiif=的第2綱電極i29g，在枝部偷和枝部腿 ，地===:由於其他的第2接觸電極也 枝部’夾著第2接觸電極的第1枝部以及第2 /、 Μ第觸电極的墊電極1⑻e側的端部的距離（間隔距 28 200915615 離301)’和攸第2接觸電極的塾電極山 的圓形部分的外周的距離（間隔距離3 到塾電極聽 別形成第2接觸電極。例如，第2—ϋ) ^致相等，以此方式分 極聽外周的俯視圖中_隔距= 電：^與到墊電 隔距離30〗分別大致相等。其他 l犯d的俯視圖的間 係也相同，因此省略詳細的說明。4接觸電極和枝部的位置關 以上’說明了本發明的實施方式和 施方式和變化例並不限定專利 $ 所述的實 應該注意的是，在實施方式和變化的發明。另外， 未必是用於解決發_課題的手段巾所必4的特_組合的全部 【圖式簡單說明】 附圖說明 ，1A是第1實施方式所相_發光裝置的縱 ，1B的（a)是第1實施方式所相關的發光裝m 疋沿圖1A的A-A線切割的剖面的俯視圖；、、-() ^是沿圖m⑷所示的B.B線切瞻光裝置丨的部分剖面 是表示第1實施方式所相_發光裝置的製造工程的—部分 =是表示第1實施方式所相關的發光裝置的製造工程的-部分 =C;是表示第丨實施方式所相關的發光裝置的製造工程的一部分 ^〇是表示第1實施方式所相關的發光裝置的製造工程的一部分 是表示第1實施方式所相關的發光裝置的製造工程的一部分 29 200915615 圖3疋表示第1實施方式戶斤相關的發 圖4是第2實施方式所_ = f ^子的模式圖 S 7 2 4,所相關的發光裝置的縱向剖』； 侧，⑻是第3 '(b) ^ ^ 疋弟5變化例所相_發光裝置的俯視圖，〇)是笛s ’吏化例所相關的發光裝置的剖面的俯視圖； 6變化細，（b)是第 關的發光裝置的俯視圖的塾電極和 圖」1A (a)是第7變化例所相關的發光裝俯視圖，⑻ 7邊化例所相關的發光裝置的剖面的俯視圖；以及 弟 ，11B是表示第7變化例所相關的發光裝置的俯視圖的墊電極 弟2接觸電極的位置關係的圖。 2 4 5 6 7a、7b、7c la ' 20a 10 20 30a、30b、30c 40a、40b 【主要元件符號說明】 發光裝置 第1層疊結構體 第2層疊結構體 貼合基板 貼合面 n-GaAs基板 支擇基板 3〇d光路徑 距離 7d、7e 30 200915615 100、100a、100b、100d、100e、101 墊電極 100c 圓弧部分 101a、110a、150a 介面 102a、102b、102c、102d 枝部 110、1U、112、113 第 1 絕緣層 120、120a、120b、12卜 122、123 第 1 接觸電極 125、125a、125b、126、127、128 第 2 接觸電極 129a、129b、129c、129d、129e 第 2 接觸電極 129f、129g、129h 第2接觸電極 130、130a、131 半導體層疊結構 132 134 134a 136 137 138 139 第1包覆層 活性層 發光點 第2包覆層 银刻終止層 第1電流擴散層 第2電流擴散層 140、140a、140b、140c、140d、140e 第 2 絕緣層 141 150 160 170、200 180 210'215 220 300、301 開口 反射層 合金化抑制層 貼合層 反射防止膜 接觸電極 外部電極 間隔距離 310a、310b、310c 相似部分 31

Claims (1)

1. 200915615 十、申請專利範圍： L 一種發光裝置，其具備： 含有發光層的半導體層疊杜媒. =在所述半導體層疊結‘表面上的上部電極； :與所述上部電極的中心對應、除了所述上部電極正下方 述半導體層疊結構的另—表面的區域上，形成至 =一部分具有與所述上部電極外周形狀相似的部分的介面 電極； 在除了形f麵介面電極輯之外的轉體層疊結構的其他表 ，的區域上來形成而可透過發光層發出的光的電流阻止 層； 與介面電極電連接，使發光層發㈣光巾、透過電流阻止層的 光反射至半導體層叠結構-表面側的反射層；以及3 所述反射層的所述半導體層叠結構的相反側、與所述 層疊結構電連接的導電性支撐基板。 ㈣ 範圍第1項所述的發絲置，其中，所述上部電極 形成為固形，所述介面電極形成為環狀。 屯 \ 3.如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中， 絲具树形，且職環形的介面電極的$心 /、所述上部電極的中心相一致。 4.如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中， 所述上部電極具有圓形或多角形的塾電極部，以及在 述墊電極部電連接、在τ部與所述半導體層疊結構 ^ ^ 面電接合、向所述發光層供電的接觸電極部， 表 f述墊電極部在除了與所賴難極料接的d域之外的F 域上，與所述半導體層疊結構接觸。 、區 32 200915615 5_如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中， 所述上部電極具有·· 圓形或多角形的塾電極部； 在上部與所述墊電極部電連接、在下部與 以及 的所述-表面電接合、向所述發光層供電的構 于J戶f述極與所述接觸電極部連接的區域之外的區 声杯屮半導體層疊結構的所述一表面、所述發光 層叙出的先可透過的電流阻止部。 6. —種發光裝置，其具備·· 含有發光層的半導體層疊結構； 表==的上部電極; 形成在所述導電性支撐基板的所J體 上的反射層；以及 g宜、、.〇構側的表面 在所述半導體層疊結構的所述 上、與所述環形的上部雷搞表，和所述反射層的介面 形的上部電極的環形的‘=_成 '直徑大於所述環 33