TW200530380A - Polishing composition and polishing method - Google Patents

Description

200530380 九、發明説明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種用於研磨如硬碟或相似物之資料 錄製媒體（information-recording medium)用玻璃基板之研磨 組成物。本發明亦關於一種應用此研磨組成物之研磨方法。 【先前技術】 傳統上，用於研磨資料錄製媒體用玻璃基板研磨組成物 以爲習知。於曰本早期公開之第200丨_89748號專利申請案中 揭露了包括主要由如氧化鈽之稀土氧化物組成之研磨料與 水之一種研磨組成物（於下文中稱之爲第一習知研磨組成 物）。於曰本早期公開之第之⑽^丨4“^號專利申請案則揭露 了包括擇自由包括含鐵氧化物（iron_c〇ntaining 〇xide)與含鐵 基化合物（iron-containing basic c〇mp〇und)所組成族群之至 少-研磨料與水之一種研磨組成物(於下文中稱之爲第：： 知研磨組成物）。上述第一盘麓-; 研磨组成物可藉由何磨 斗0作用而機械地研磨一玻璃基板。 應用於研磨玻璃基底之研磨組成物所需條件，包括： (1) 研磨後之玻璃基板之表面粗糖度爲小· (2) 研磨組成物需易於清除，亦 ^ ^ ^ , 研磨、、且成物需可_山 m冼而自玻璃基板上輕易移除； 和由 (3) 研磨粒於研磨組成物中需有良好之分散性；以及

2188-6693-P 5 200530380 適用於快速 (4)研磨組成物需具有高物料移除率，例如 地研磨玻璃基板。 然而’上述第一與第二習 求，因而便需針對其加以改善 知研磨組成物並不滿足上述需 【發明内容】 —種研磨組成 的爲提供《—種 有鑑於此，本發明的主要目的就是提供 物，其適用於研磨玻璃基板。本發明之另一目 應用此研磨組成物之研磨方法。 爲達上述目的，本發明提供了一種研廢 Μ试組成物。此研磨 組成物適用於研磨一玻璃基板，其包括二氧 乳化矽、鹼性化合 物與水。 本發明一提供了一種研磨玻璃基底之方法，其包括下列 步驟： 提供上述研磨組成物，以及利用此研磨組成物研磨玻璃 基板表面。 爲了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細 説明如下： 【實施方式】 本發明之實施例將配合下文作一詳細插述。 2188-6693- 6 200530380 應用於如磁碟之資料錄製媒體之玻璃基板，係由如鋁矽 酸鹽玻璃（aluminosilicate glass)、鈉鈣玻璃（soda lime glass)、故版鈉銘石夕 鹽玻璃（s〇da aluminosilicate glass)、爛 矽酸鋁玻璃（alumino b〇rosilicate glass)、硼矽酸鋁玻璃 (borosilicate glass)、石英玻璃（quartz giass)或結晶玻璃 (crystallized glass)等材質所組成。結晶玻璃之主要結晶相可 能爲鋰輝石（spodumene)、模來石（muiHte)、铭硼酸鹽結晶 (aluminum borate crystal)、β_石英固態溶液、α_石英、堇青 石（cordierite)、頑火石（enstatite)、鋇長石（celsian)、矽灰石 (wollastonite)、#5 長石（anorthite)、鎂橄欖石（f〇rsterite)、矽 酸鐘（lithium metasilicate)或二矽酸鋰（lithium disilicate)。玻 璃基板通¥藉由化學機械研磨程序之應用，藉以將其表面鏡 面化處理。 一般而，爲了改善材料移除率與研磨後玻璃基版之研 磨品質等目的，研磨玻璃基板程序之施行可細分爲以下數個 研磨步驟。舉例來説，此些研磨步驟包括：粗磨玻璃基板表 面之步驟以及細磨玻璃基板表面之步驟。換言之，此些研磨 步驟已括·預磨（prellminarily p〇lishing)玻璃基板表面之步 驟以及抛光研磨（flnished_p〇lishing)之步驟。舉例來説，依據 本實犯例（研磨組成物，可用於此些研磨步驟中之最終研磨 步驟（拋光研磨步驟）。接著置入研磨後玻璃基板於化學強化 私序彳J用低/jnL離子父換方法或類似方法，以改善其對於震

2188-6693-P 7 200530380 動與搖晃之耐性。 人依據本發明實施例之研磨組成物包括二氧化石夕、驗性化 合物以^水。二氧化石夕可作爲機械研磨玻璃基板用之研磨 料。一氧化發可能A PL錄r/r / '、、多心石夕（colloidal silica)、燻矽（fumed silica)或沉澱型矽（ P ated silica)。其中，較佳地使用膠 態矽或燻矽，以得到鲂供主 』&低表面粗糙度之研磨後玻璃基板，而 膠態石夕爲最佳之選擇。认 擇万；研磨組成物可包括一或多種二氧化 石夕。 & 一乳化石夕爲膠態石夕時，藉由比表面積法（BET法）所判 足出之此膠態發之特余志； 〜特疋表面區域之平均粒徑Dsa，較佳地介 7、5 300奈米’更佳地介於5_2⑼奈米，而最佳地介於$七〇 奈米。而藉由雷射繞射散射法所判定出此膠㈣之平均粒後

Dn4 ’較佳地介於5 300太I ^ ,, , A 、3υϋ不未，更佳地介於5-200奈米，而最 佳地’丨於5-1 50奈米。當二氧化矽爲燻矽時，藉由珐所 判疋出之此膠悲石夕（特足表面區域之燒石夕之平均粒徑〜， 幸乂佳地於10-3 00奈米’更佳地介於1〇_2〇〇奈米，且最佳 地介於10-120奈米。而藉由雷射繞射散射法所判定出此壤石夕 (平均粒徑dN4，較佳地介於3G.谓奈米，更佳地介於你_ 奈米，而最佳地介於50-300奈米。當膠態石夕之平均粒徑、 或DN4或當燒石夕之平均粒徑Dsa或〇Ν4過小時，將可能得到 不夠高之材料移除率。而當膠態珍之平均粒徑〜或 S燻矽之平均粒徑Dsa或DN4過大時，則將可能使得研

2188 — 6693-P 8 200530380 皮璃基底之表面粗糖度過大，或於研磨後玻璃基底表面產生 刮傷。 於研磨組成物中之二氧化矽含量較佳地介於 /Hmass/。）’更佳地介於i_4〇%(mass%)，而最佳地介於 />(mass/0)〇 & 一氧化石夕的含量低於0.1 % (mass%)時，將 要法得到足夠高之材料移除率，或者於研磨玻璃基板將遭遇 車义同足研磨抵抗。當二氧化矽含量高於50%(mass%)時，研 磨組成物（黏度將大幅地增加，使得研磨組成物傾向於凝 結，因而降低了研磨組成物中之掌控度。 另外’驗性化合物可作爲研磨加速劑之用，並藉由二氧 化石夕的應用而可加速機械研磨。鹼性化合物可加速機械研磨 之推論理由之一爲，鹼性化合物可活化二氧化矽表面，進而 增加了二氧化梦之機械研磨力。此外，鹼性化合物亦侵蝕或 触刻了玻璃基板表面，以作爲化學研磨玻璃基板表面之其他 作用。相較於二氧化矽之機械研磨，鹼性化合物之化學機械 研磨反應相對較弱。 驗性化合物可爲驗金族鹽類（alkaHmetai salt)、驗土族鹽 類（alkaline earth metal sait)或擇自碳酸、磷酸、焦磷酸、檸 樣酉艾（citric acid)、葡萄糖酸（giuc〇nic acid)、琥 j白酸（succinic acid)醋叙、草阪（oxalic acid)、酒石酸（tartaric acid)、山梨 酉父（sorbic acid)與硝酸等酸之一之銨鹽（anim〇nium salt)。或 者’驗性化合物可爲草酸鐵（ferricyanide)、氟化物

2188-6693-P 9 200530380 (fluoride)、或擇自於鹼金族金属 氧化物之一氫氧化物。或者，、鹼土族金屬、以及銨之氫 化物。鹼性化合物中士 ^性化合物可爲四級銨之氫氧 合物中之驗土族金屬可㈣二屬可騎、鐘或鋼。驗性化 族金屬鹽類、驗金族金屬、、上述材料中，較佳地爲驗土 焦磷酸之—之録鹽，藉以二广：擇自於碳酸、磷酸、以及 于丨〗較高之物料移除率。 其中，驗性化合物可包括碳酸錄 ^ 酸氫銨、碳酸缺m f、錢鈉、碳 馱虱鈉、磷酸銨、磷酸鉀、磷酸鈉、 如磷酸氫二銨之磷酸氫銨 女如磷酸氫二鉀之磷酸氫鉀、如磷 乳化鉀、氫氧化錄、以及四甲基氫氧化銨（tmah)。於上述 材料中’較佳材料爲碳酸銨、碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸氫銨、 磷酸銨、磷酸鈉、磷酸氫銨、磷酸氫鉀以及磷酸氫鈉，藉以 知到較爲改善之物料移除率。於研磨組成物中可包括一或多 種驗性化合物。 酸氯二鋼之嶙酸氫納、㈣酸鉀、㈣酸_、擰檬酸鉀、如 :檬酸二氫卸之擰檬酸氫绅、葡萄酸却、琥峨、酷酸録、 草酸鉀、草酸氫鍵、酒石酸鍵、酒石酸卸、酒石酸氫銨、山 梨酸卸、硝_、鐵氫化卸、氰化鍵、氨㈣、氰㈣、氫 於研磨組成物中之鹼性化合物含量介於 〇*〇5-l〇%(mass%)，較佳地介於 0.1-8%(mass°/〇)，而最佳地介 於0.3-5%(mass%)。當鹼性化合物含量低於〇.〇5%(mass%) 時，由於鹼性化合物不足以加速二氧化矽之機械研磨效果，

2188-6693-P 200530380 故有可能無法得到足 於 l〇%(mass%)時， 得研磨組成物傾向凝 粗糙度的增加。 夠之物料移除率。當鹼性化合物含量高 研磨組成物之黏度大幅地增加，因而使 〜，進而使得後續研磨後破璃基板上之 於研磨組成物中，水作爲溶解與分散原料其他之用。水 較佳地包含儘量少之雜質以避免抑制其他原料之作用。特别 地’較佳地使用藉由移除雜f離子㈣離子交換樹脂與接著 經由過濾器過滹污染私、Μ、Μ , < “ /了本物過 < 純水或超純水，或蒸餾水。 於研磨組成物中 初〒了更包括乳化劑。氧化劑作爲藉由氧化 玻璃基板表面方或品+、土 ^ 万式而加速二虱化矽機械研磨之研磨加速 劑。氧化劑可爲過氣仆士：六$ Μ， 乳化風义水,合履（31 mass %)，或爲如鉀鹽 與鋼鹽之驗金族令gg # 4' ά' ^ ^ 择至屬鹽類，或爲擇自過硫酸（persulfruic acid)、 過破酸 乳酸（Chl〇ric acid)、過氯酸（perchloric acid) (penodic acid)與溴酸（br〇mic acid)等酸之一之銨鹽。例如， 乳化劑可能包括過氧化氫、過硫酸銨、氯酸鉀、過氯酸鉀、 過氯酸鈉、過碘酸鉀、過碘酸鈉、溴酸鉀以及溴酸鈉。於此 些材料中，較佳地爲過氧化&，以大幅改善二氧化矽之機械 研磨。於研磨組成物中可包括一或多種氧化劑。 於研磨組成物中之氧化劑含量介於〇〇〇5_1〇%(mass%)， 較佳地介於0.01-8%(masS%)，而最佳地介於 〇,〇3-5%(mass%)。當氧化劑含量低於 〇 〇〇5%(inass〇/0)時，由 於氧化劑不足以加速二氧化矽之機械研磨效果，故有可能無 2188-6693-P 11 200530380 法得到足夠之物料移除率。當氧化劑含量高^ iq%(簡s%) 時二研磨組成物之黏度大幅地增加，因而使得研磨組成物傾 向规結’進而使得後續研磨後玻璃基板上之粗糙度的增加。 依據實際需要，研磨组成物可更包括蜇合劑叫 ageiU)、表面活性劑、防腐劑或類似物。 研磨組成㈣藉由將水之外原料與水混合而成。於混合 過程中’可以使用刀片型之挽拌器或超音波分散器。水以外 原料與水混合之順序則並不限定。 广據本發明實施例之研磨組成物加水稀釋或沒有經過加 ^釋。當研磨组成物經加水稀釋時，稀釋比（體積比後佳 :不大於50倍，更佳地不大…，而最佳地不大於10 ° °當稀釋倍率超過5G倍，於稀釋後研磨組成物中之二氧 化石夕與酸之含量可能職’因而造成不足之材料移除率。 精由包含粗磨步驟與細磨步驟之兩步驟研 ::板之情形如下所述。首先，於粗磨步驟中，玻璃基底表 步：权略:藉由包含氧化飾之研磨衆研磨。接著，於□磨 、“，猎由依據本發明之研磨組成物研磨玻璃基底表面。 =步驟中，玻璃基底係依附於一研磨頭，此研磨頭持續 ^位於一固定壓力下之轉盤上_研麼執 、 盤旋轉時，讲、 士 研磨墊’备研磨頭與轉 、，研磨組成物則持續供應至研磨墊表面。 於，得注意的，玻璃基板採用依據本發：之研磨組成物， H·㈣磨程序下研磨’進而取代-多重階段研磨程 2l88-6693-p 12 200530380 序。 本發明具有以下優點。 依據本實施例之研磨組成物包含二氧化矽之研磨料。相 較於含氧化鈽之研磨物之研磨組成物，如此可降低研磨後玻 璃基板之表面粗糙度。據推論，如此之表現係由於氧化鈽之 主要粒子具有不規則形狀，而二氧切之爲—球狀粒子。由 於主要形狀爲球狀，二氧化梦更較氧化鈽適用於精細地研磨 玻璃基板表面，以降低研磨後玻璃基板之表面粗糙度。 此外，對於玻璃基板材料，二氧切具有相較於氧化飾 爲低之反應性。基於此原因，黏附於破璃基板上之二氧化石夕 可輊易地猎由清洗玻璃基板而移除’而不會與破璃基板之材 料反應而黏附於玻璃基板表面。因此依據本實施例之研磨組 成物具有可輕易由研磨表面清除之特性。 、此外，彳目較於氧㈣，於研磨組成物中二氧切具有對 万；車乂大dn聚力與高分散性（請參照稍後之範例與比 較例4與5)。因此，依據本實施例之研 ： 良好分散性之黏著劑。 ，、有 :研磨組成物中驗性化合物之化學研磨作用，可加速使 用二氧化矽對於# _並^ + π 之機械研磨。藉由如此鹼性化 口 用’可改善研磨組成物研磨玻璃基板表面之能力， γ。材料#除率。値得注意的，當驗性化合物藉由活化二 乳化石夕表面與ϋ刻破璃基板表面等方式改善於材料移除 2188-6693-p 13 200530380 率，其並非視作爲氧化破璃基板表面並使之脆化。 接著，於下文中將詳細敘述本發明之範例與比較例。 於範例1_29中，藉由水混合研磨料與鹼性化合物，且稍 後視貫際需求而更加入氧化劑，進而製備出研磨組成物之儲 存液。於比㈣W t，則藉由水混合研磨料且稍後視實際 需求而更加入氧化劑，進而製備出研磨組成物之儲存液。所 使用〈研磨料、驗性化合物與氧化劑之種類如表1所示。 、接著利用超純水稀釋依據範例1-29與比較例“5之各儲 存液’以使得其最終體積較初始體積增大1〇倍，進而製備 出研磨組成物。採用依據範例…與比較例“5之各研磨組 成物於如下所述研磨條件下研磨不同之破璃基板表面。在 ^於研磨前後量測各玻璃基板之質量，接著藉由下述公式 计舁材料移除率。基於所得 m 心収材料移料，各研磨組成物 Μ疋爲四個等級：⑴極佳；⑺良好；（3)稍差；⑷不良。 特别地，當研磨組成物^爲㈣時，騎科 。，。5微米/每分鐘；當材料移除率低於〇〇5 “ 低於0.03微米/每分鐘時， 刀里不 則，平疋爲良好；當衬料移除 於〇·〇3微米/每分鐘而不低於〇 _ W不/母分鐘時，並 爲稍差；當材料移除率低於0· 極差。上料定結果請參03表中卜將評定爲 中所示。 表—中標題爲”物料移除率，，之攔 2188-6693-Ρ 200530380 研磨條件： 研黡裝置：單面研磨機15，，9(三片/每盤），由Engis公司 (曰本）所製造。 研磨材料爲··採用含氧化卸之研磨漿所粗磨強化玻璃 表面所彳于到之2·5吋（外徑之破璃基板，其具有 Ra = 0.8奈米之表面粗糙度。 研厝墊：絨面研磨墊，，BelatixN〇〇58，，，由佳麗寶（kaneb〇) 公司製造。 研磨壓力：100克/平方公分（=98KPa)。 轉檯旋轉速度：102rpm; 研磨組成物供應速率：50毫升/每分鐘； 研磨時間：20分鐘。 計算公式： 材料移除率（奈米/每分鐘）=於研磨前後之玻璃基板質量 差（公克）/[30·02625平方公分*2 52(公克/每平方公 分）]* 1 00 00(μπι/公分）/研磨時間（分鐘）。 研磨後之玻璃基板接著刷洗3〇秒以及超音波清洗45 秒，並接著旋轉乾㉟18〇秒。此後，接著利用由 Instruments Inc·製造之原子力顯微鏡”Nan〇Sc〇pe nia Dimension 3000”（掃描區域：1〇μηι*1〇μπι，掃描速率：ι.〇Ηζ， 取樣行數：256條）觀察坡璃基板之表面狀況。基於觀察到之

2188-6693-P 15 200530380 於玻璃基底 % 口 1曆砠成物評定爲㈡ 個等級，⑴極佳、（2)良好；（3)稍差；與⑷極差。特别地， 當所觀察到之黏附物數量爲零時，研磨組成物將評定爲極 佳 爲 磨 時 爲 ;當所觀察到之黏附物數量少 良好，當所觀祭到之黏附物數 組成物則評定爲稍差；當所觀 ，研磨組成物將評定爲極差。 ”清洗容易度”之攔位中所顯示 於3時，研磨組成物則評定 里少於5但不少於3時，研 察到之黏附物數量不少於5 此些坪定結果如表一内標題 玻璃基板之表面粗糙度Ra於旋轉乾燥後係藉由原子力 顯微鏡”NanoScope ma Dimensi〇n 3〇〇〇，，（掃描區 域：10陣*10叫’掃描速率：1烏，取樣行數：256條；離 線滤鏡·· fla_ aut0 〇rder_2)所量侧。基於所量測到之玻璃 基板之表面粗糙度Ra，各研磨組成物將評定爲以下四個等級 ⑴極佳、（2)艮好；（3)稍差；與（4)極差。特别地，當表面粗 心度Ra少;^ 〇.2奈米時，研磨組成物將評定爲極佳；當表面 t趟度Ra )於0.25奈米而不少於〇 2奈米時，研磨組成物 卞平夂爲良好’畜表面粗糙度少於奈米而不少於0.25奈 米時，研磨組成物將評定爲稍差；當表面粗糙度不少於〇·3 奈米時，研磨組成物將評定爲極差。此些評定結果如表一内 標題爲，，表面粗糙度，，之攔位中所顯示。 將範例 1 -29 Α μ* ‘ Μ , ，、比較乾例1 -5之研磨組成物放置於内徑爲 2.5公分之比色試其 说吕（c〇l〇rimetric tube)中，且將之靜置 1小

2188-6693-P 16 200530380 時。然後，量测各比色試管中之研磨組成物之沉澱物高度。 基於所量测之沉澱物尚度，各研磨組成物將評定爲四個等級 ⑴極佳、⑺良好·’（3)稍差；與⑷極差。特别地，當沉澱物 之高度低於1公分時，研磨組成物將評定爲極佳；當沉澱物 之高度低於2 m不低於！公分時，研磨組成物將評定爲 良好；當沉澱物之高度低於3公分而不低於2公分時，研磨 組成物將評定爲稍差；以及當沉澱物之高度不低於3公分 時，研磨組成物將評定爲極差。此些評定結果將如表一内標 題爲”分散性”之攔位中所顯示。 基於前述評定四㈣目：材料移”、清洗容易度、表 面粗糙度、以及分散性久 各研厝組成物分别地評定爲（1)極 佳、（2)良好；（3)稍差；以及 .^ v , 杠差，並將分别地與以評分 爲5分、3分、1分與〇分 刀，且计异各研曆組成物所得總分。 ®總分爲20分時，研廢έ 士 研磨組成物將評定爲極佳；當總分介於 1 6-1 9分時，研磨組成物 、 浙呼疋爲良好；當總分介於10_15 分時，研磨組成物將評 、 十疋爲稍差，·而當總分爲低於9分時， 研磨組成物將評定爲炻# 、 、 十疋爲極差。此些評定結果將如表—中之，τ 合评足之攔位所顯示。 …

2188-6693-P 17 200530380 表一 研磨料 (mass%) 研磨加速劑 (mass %) 氧化劑 (mass %) 物料移 除率 清除容 易度 表面粗 糙度 分散 性 综合評 定 範例1 膠態矽 *] 25% 碳酸鉀2% 過氧化氯 2% 1 1 1 1 1 範例2 膠態矽 25% 碳酸鉀5% 過氧化氫 2% 1 1 1 1 1 範例3 膠態矽 25% 碳酸鉀 0.2% 過氧化氫 2% 3 1 1 1 2 範例4 膠態矽 *丨 25% 碳酸鉀 0.01% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例5 膠態矽 5% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 3 1 1 1 2 範例6 膠態矽 10% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例7 膠態矽 40% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 1 1 1 1 1 範例8 膠態矽 25% 碳酸鉀2% - 2 1 1 1 2 範例9 膠態矽 25% 碳酸鉀2% 過氧化氫 0.01% 2 1 1 1 2 範例10 膠態矽 25% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 1 1 1 1 1 範例11 膠態矽 25% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 1 1 3 1 2 範例12 膠態矽 25% 磷酸氫二銅 2% 過氧化氫 2% 1 1 1 1 1 範例13 膠態矽 25% 嶙酸三鋼 2% 過氧化氫 2% 1 1 1 1 1 範例14 膠態矽 25% 碳酸氫鉀 2% 過氧化氫 2% 1 1 1 1 1 範例15 膠態矽 25% 氫氧化鉀 1% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例16 膠態矽 25% 酒石酸鉀鈉 2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例17 膠態矽 +1 25% 璘酸三鋼 2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例18 膠態矽 25% 重磷酸鉀 2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例19 膠態矽 +1 25% 摔樣酸三钾 2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例20 膠態矽 1 25% 氫氧化鋰 2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 2188-6693-P 18 200530380 研磨料 (mass%) 研磨加速劑 (mass %) 氧化劑 (mass %) 物料移 除率 清除容 易度 表面粗 糙度 分散 性 综合評 定 範例21 膠態矽 ~ 25% 氫氧化鈉 2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例22 膠態矽 *丨 25% 氫氧化銨 2% 過氧化氯 2% 3 1 1 1 2 範例23 膠態矽 *丨 25% TMAH 2% 過氧化氫 2% 3 1 1 1 2 範例24 膠態矽 25% 硝酸鈣2% 過氧化氫 2% 3 1 1 1 2 範例25 膠態矽 25% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例26 膠態矽 25% 碳酸鉀2% 過氧化氯 2% 2 1 1 1 2 範例27 膠態矽 25% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例28 膠態矽 *225°/〇 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 2 1 1 1 2 範例29 燻矽= 25% 碳酸鉀2% 過氧化氫 2% 1 1 3 1 2 比較例 1 膠態矽 25% - - 4 1 1 1 3 比較例 2 膠態矽 25% - 過氧化氫 2% 4 1 1 1 3 比較例 3 燻矽 25% - - 2 1 3 1 3 比較例 4 氧化鈽 25% - - 1 4 4 4 4 比較例 5 氧化鐵 25% - - 2 3 3 4 4

表一攔位中之縮寫代表： “膠態矽~”爲具有平均粒徑DSA爲80奈米與平均粒徑 Dn4爲80奈米之膠態梦； “膠態矽％’爲具有平均粒徑DSA爲20奈米與平均粒徑 Dn4爲40奈米之膠態發； “燻矽+1”爲具有平均粒徑Dsa爲30奈米與平均粒徑DN4 2188-6693-P 19 200530380 爲170奈米之燻石夕；

奈米與平均粒徑D ，N4 壎石夕爲具有平均粒徑Dsa爲2〇 爲140奈米之燻石夕； (Ce203);以及

氧化鈽”爲具有平均粒徑D 50爲450奈米之氧化鈽 450奈米之氧化鐵 “氧化鐵”爲具有平均粒徑d5g爲 (a-Fe203) 〇 氧化鈽與氧化鐵之平均粒徑D5〇係經藉由Beckman C。心 Inc.所製造之Coulter c〇unter “LS_23〇”所量測得到。 於表一中”氧化劑’，攔位中，，，過氧化氫，，爲含過氧化氫之水 溶液（31mass%)。 如表一所示，依據範例K29之各研磨組成物於任何項目 中並不至於評定爲極差，且於”综合評定，，中皆評定爲極佳與 良好。如此之結果建議了依據範例丨—29之研磨组成物適用於 研磨玻璃基板之應用。依據範例丨、5與7之研磨組成物之 評定結果，可發現到物料移除率之改善’特别於當二氧化矽 含量（研磨料）不少於25%(mass%)時，且較佳地介於 25-40%(mass%)時。依據範例卜4之研磨組成物之結果，可 發現到材料移除率之改善’當鹼性化合物含量不少於 2%(mass%)時，且較佳地介於2_5%(mass%)時。依據範例工、 9與1 0之研磨組成物之可發現評定結果中，當設定酸含量不 低於2°/〇(mass%),且較佳地介於2_ 1 〇%(mass%)時，可改善物 2188-6693-P 20 200530380 料移除率。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然並並 本發明，任何熟習此技藝者，在不脱離本發明之精 夂 出 Τ不口範圍 内，^可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當视 後附之申請專利範園所界定者爲準。 田 【圖式簡單説明】 無

【主要元件符號説明】 無

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Claims (1)

1. 200530380 十、申請專利範園： 1. 一種研磨組成物，適用於研磨一破璃基板，包括： 二氧化矽； 一驗性化合物；以及 水0 2·如申請專利範圍第1項所述之研磨組成物，其中該二 氧化石夕爲膠態石夕（colloidal silica)、壎石夕（fumed si lie a)或沉殿 型矽（precipitated silica)。 3·如申請專利範圍第2項所述之研磨組成物，其中該二 氧化矽爲膠態矽。 4·如申請專利範圍第3項所述之研磨組成物，其中該膠 態矽具有介於5-300奈米之一平均粒徑DSA，該平均粒徑係 藉由比表面積法（BET法）量測該膠態矽之表面區域所得到。 5 ·如申請專利範圍第3項所述之研磨組成物，其中該膠 態矽具有介於5-300奈米之一平均粒徑DN4，該平均粒徑係 藉由雷射繞射散射法所量測得到。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之研磨組成物，其中該壎 石夕具有介於10-300奈米之一平均粒徑DsA，，該平均粒徑係藉 由比表面積法（BET法）量測該膠態矽之表面區域所得到。 7·如申請專利範圍第2項所述之研磨組成物，其中該燻 石夕具有介於30-5 00奈米之一平均粒徑DN4,該平均粒徑係藉 由雷射繞射散射法所量測得到。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之研磨組成物，其中於該 研磨組成物中之該二氧化發之舍量介於〇. 1_5〇%(mass%)。 2188-6693-P 22 200530380 9 ·如申請專利範園第8項所述之研磨組成物，其中於該 研磨組成物中之該二氧化發之含量介於3-30 % (mass%)。 I 0 ·如申請專利範圍第1項所述之研磨組成物，其中該 驗^生化合物包括碳酸銨、碳酸、碳酸鋼、fet鼠知*、酸 氫鉀、碳酸氫鋼、鱗酸銨、磷酸鉀、嶙酸鋼、嶙酸氫銨、鱗 酉艾戴卸、鱗酸氯鋼、焦嶙酸钾、然麟版納、棒樣酸卸、棒樣 酸氫鉀、葡萄酸鉀、琥轴酸鉀、醋酸銨、草酸鉀、草酸氫銨、 酒石酸鍵、酒石酸_、酒石酸氫錄、山梨酸鉀、硝酸#5、鐵 氫化鉀、氰化銨、氰化鉀、氰化#5、氫氧化钾、氫氧化銨或 四甲基氫氧化銨（TMAH>。 II ·如申請專利範圍第1項所述之研磨組成物，其中於 該研磨組成物中之該驗性化合物之含量介於 0.05-10 % (mass%)。 1 2 ·如申請專利範圍第11項所述之研磨組成物，其中於 該研磨組成物中之該驗性化合物之含量介於 0_3-5%(mass%) 〇 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之研磨組成物，更包栝 一氧化劑。 14·如申請專利範園第1 3項所述之研磨組成物，其中該 氧化劑包括過氧化氫、過硫酸銨、氯酸鉀、過氣酸鉀、過氯 酸鈉、過破酸鉀、過蛾酸鈉、溴酸鉀以及溴酸鈉。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述之研磨組成物，其中該 研磨組成物中該氧化劑含量介於〇 0〇5-l〇%(mass%)。 2188-6693-P 23 200530380 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之研磨組成物，其中該 研磨組成物中該氧化劑含量介於〇 〇3-5%(mass%)。 1 7 ·如申請專利範圍第1項所述之研磨組成物，更包括 一蜇合劑、一表面活性劑或_防腐刻。 18. —種玻璃基板之研磨方法，包括下列步驟： 提供擇自申請專利範圍第丨7項之一研磨組成物；以及 利用該研磨組成物，研磨一玻璃基板。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之破璃基板之研磨方 法，其中研磨該玻璃基板更包括： φ 預磨該玻璃基板之表面；以及 使用該研磨組成物，抛光研磨預磨後之該玻璃基板之表 面0 20.如申請專利範圍第18項所述之破璃基板之研磨方 法，提供該研磨組成物之步驟包括用水稀釋該研磨組成物。 2188-6693- 24 200530380 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖爲：第（ ）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單説明： 無 八、本案若有化學式時，請揭示最能類示發明特徵的化學式：