JPH11349925A - エッジポリッシング用組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンウェーファー、または酸化膜付半導
体ウェーファーのエッジポリッシングにおいて、研磨速
度が大きく、ウェーファー表面への乾燥ゲルの付着を低
減させることができる、エッジポリッシング用組成物の
提供。 【解決手段】 水と、平均粒子径が７０〜２５００ｎｍ
である二酸化ケイ素とを含んでなることを特徴とする、
ウェーファーのエッジポリッシング用組成物。この組成
物は、さらに塩基性化合物を含むこともできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーファ
ーの端面加工に好適な研磨用組成物に関するものであ
る。

【０００２】さらに詳しくは、本発明はシリコンウェー
ファー、または酸化膜を成膜した半導体ウェーファーの
端面加工（以下、「エッジポリッシング」という）にお
いて、研磨速度が大きく、ウェーファー表面への乾燥ゲ
ルの付着を低減させることができると同時に、優れたウ
ェーファー端面（以下、「エッジ部」という）を形成さ
せることが可能なエッジポリッシング用組成物に関する
ものである。

【０００３】

【従来の技術】近年、コンピューターをはじめとするハ
イテク製品に使用される高性能半導体デバイスチップ
は、ますます高集積度化および高容量化が進み、高容量
化によるチップサイズの大型化が進行しつつある。ま
た、半導体装置のデザインルールは年々微細化が進み、
デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くなり、デバイ
ス形成前のウェーファーに要求される加工面精度は厳し
くなってきている。

【０００４】一方、チップサイズの大型化に伴い、生産
性低下、コストアップ、およびその他の問題が生じてい
る。このため、デバイスチップのもとになる半導体ウェ
ーファーの面積を大きくして、単位面積当たりのチップ
数を多くする、いわゆるウェーファーの大口径化により
これらの問題解決が図られてきた。

【０００５】加工面精度のパラメータとしては、各種表
面欠陥、すなわち比較的大きな異物の付着、ＬＰＤ（Li
ght Point Defect、詳細後記）、スクラッチ、表面粗
さ、Ｈａｚｅレベル、ＳＳＳ（Sub-Surface Scratch、
潜傷とも呼ばれる微細なスクラッチの一種）、およびそ
の他が挙げられる。

【０００６】ウェーファーに付着する比較的大きな異物
としては、研磨用組成物が乾燥した乾燥ゲルおよびその
他に起因するものがある。また、ＬＰＤとは、ウェーフ
ァー表面に付着した微細な異物（以下、「パーティク
ル」という）に起因するものと、ＣＯＰ（Crystal Orig
inated Particle）に起因するものとがある。

【０００７】これら比較的大きな異物やＬＰＤが存在す
ると、後のデバイス形成工程においてパターン欠陥、絶
縁物耐圧不良、イオン打ち込み不良、およびその他のデ
バイス特性の劣化を招来し、歩留まり低下の要因となり
得るため、これら表面欠陥の少ないウェーファーまたは
ウェーファーの製造法が検討されている。

【０００８】代表的な半導体基板であるシリコンウェー
ファーは、シリコン単結晶インゴットを切断（スライ
ス）してウェーファーとしたものを、ラッピングと呼ば
れる粗研磨を行い外形成形する。そして、スライスやラ
ッピングによりウェーファー表層部に生じたダメージ層
をエッチングにより除去した後、特に８インチ以上の大
口径シリコン半導体ウェーファーについては、後述する
エッジ部の割れや欠け、さらにはパーティクルの発生を
防止する目的で、一般にエッジポリッシングが行われ
る。その後、ウェーファー表面を鏡面に研磨する一次ポ
リッシング、二次ポリッシング、およびファイナルポリ
ッシングを行うことにより製造されるのが一般的であ
る。プロセスによっては、二次ポリッシングが省略され
ることや、二次ポリッシングとファイナルポリッシング
の間にさらに研磨工程が追加されることもある。

【０００９】一般に、ウェーファーを半導体製造装置か
ら外に取り出して移動させる場合、専用のケース内に収
容して移動させる。従来の比較的面積が小さい、例えば
直径６インチ程度までの、ウェーファーは、それ自体の
重量が小さいため、エッジ部がケースと擦れ合うことが
あっても、その衝撃は小さく、この擦れによるエッジ部
の割れや欠けはあまり発生しない。しかし、ウェーファ
ーの直径が８インチ以上になると、ウェーファー自体の
重量が大きくなるために、エッジ部とケースとが擦れ合
うときの衝撃が大きくなり、エッジ部の割れや欠けが発
生することがある。

【００１０】また、エッジポリッシングを行っていない
ウェーファーのエッジ部は平滑ではないために、エッジ
部がケースと擦れ合う際、または半導体製造装置間にお
けるハンドリング中に装置のアームなどとエッジ部が擦
れ合う際、エッジ部の割れや欠け、ならびにケースまた
はアームなどの磨耗が発生し、ウェーファーの材質その
ものや、ケースまたはアームなどの削り屑がウェーファ
ー表面に付着し、パーティクル欠陥発生要因のひとつに
なるという問題もあった。

【００１１】このような問題点に対して、エッジ部を平
滑にすることで、エッジ部の強度が増すとともに、パー
ティクルの発生を低減できることが知られるようにな
り、エッチング後にウェーファーのエッジ部を研磨して
平滑にするエッジポリッシングが行われるようになっ
た。

【００１２】従来、前述のエッジポリッシングにおいて
は、一般に、平均粒子径で１０〜５０ｎｍ程度のコロイ
ダルシリカおよび水を含むエッジポリッシング用組成
物、または塩基性組成物をさらに含む一次ポリッシング
用組成物が用いられていた。これらの組成物を使用した
エッジポリッシングは研磨速度が小さいため、生産性が
悪いという問題点があった。

【００１３】また、加工中に飛散した組成物がウェーフ
ァー表面で乾燥しやすく、組成物中のシリカが乾燥ゲル
となって付着することがある。この乾燥ゲルは洗浄工程
においても除去されず、表面欠陥を発生させる要因のひ
とつになっていた。さらに、ウェーファー表面に付着し
た乾燥ゲルは、洗浄工程において十分に除去されないま
ま、一次ポリッシングに供されると、研磨中に乾燥ゲル
が剥離してウェーファー表面にスクラッチが発生するこ
とがあった。このため、研磨速度が大きく、乾燥ゲルが
付着しないエッジポリッシング用組成物が求められてい
た。

【００１４】一方、個別半導体、バイポーラＩＣ、ＭＯ
ＳＩＣ、およびその他に使用されるエピタキシャルウェ
ーファーは、年々需要が増大しつつある。このエピタキ
シャルウェーファーは、一般に、アンチモン、ヒ素、ボ
ロン、およびその他のドーパントを通常のウェーファー
より多く含む低抵抗ウェーファーの表面に、結晶欠陥が
ないシリコン単結晶の薄膜（以下、「エピタキシャル
層」という）を成長させたウェーファーである。

【００１５】このエピタキシャルウェーファーの製造工
程において、エピタキシャル層を成長させる際、ウェー
ファー中に含まれているドーパントがウェーファー裏面
から抜け出し、再度ウェーファー表面のエピタキシャル
層に取り込まれて、所定の抵抗率を有したウェーファー
を得ることができないことがある。このため、ウェーフ
ァー裏面からドーパントが抜け出さないように、エッチ
ング後のウェーファー裏面に、化学的または物理的な方
法で酸化膜を成膜した酸化膜付半導体ウェーファーが使
用されるようになった。

【００１６】この酸化膜付ウェーファーについても、前
述したエッジ部の割れや欠け、およびパーティクルの発
生を防止するとともにウェーファー外周部に発生するク
ラウンを防止する目的でエッジポリッシングが行われて
いる。クラウンとは、エピタキシャル層を成長させる
際、ウェーファーの外周部のみシリコン単結晶膜が盛り
上がって、ウェーファー表面中心部よりも厚く成膜され
てしまう現象である。

【００１７】従来、酸化膜付きウェーファーのエッジポ
リッシング用組成物としては、前述のシリコンウェーフ
ァーと同様、平均粒子径で１０〜５０ｎｍ程度のコロイ
ダルシリカ、および水を含むエッジポリッシング用組成
物、または、塩基性化合物をさらに含む一次ポリッシン
グ用組成物が用いられていた。これらの組成物について
も、研磨速度が極めて小さく加工に長時間を要し、また
ウェーファー表面に乾燥ゲルが付着しやすいという問題
点があった。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためになされたもので、シリコンウェーファー
または酸化膜付半導体ウェーファーのエッジポリッシン
グにおいて、研磨速度が大きく、ウェーファー表面への
乾燥ゲルの付着を低減させることができると同時に、優
れたエッジ部を形成させることが可能なエッジポリッシ
ング用組成物を提供することを目的とするものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】［発明の概要］ ＜要旨＞本発明のウェーファーのエッジポリッシング用
組成物は、水と、平均粒子径が７０〜２５００ｎｍであ
る二酸化ケイ素とを含んでなることを特徴とするもので
ある。

【００２０】＜効果＞本発明のエッジポリッシング用組
成物は、シリコンウェーファー、または酸化膜付半導体
ウェーファーのエッジポリッシングにおいて、研磨速度
が大きく、ウェーファー表面への乾燥ゲルの付着を低減
させることができるものである。

【００２１】［発明の具体的説明］ ＜研磨材＞本発明のエッジポリッシング用組成物の成分
の中で主研磨材として用いる研磨材は二酸化ケイ素であ
る。この中には製造法や性状の異なるものが多種存在す
る。これらのうち、本発明のエッジポリッシング用組成
物に用いることのできる二酸化ケイ素は、無定形二酸化
ケイ素、例えばコロイダルシリカ、フュームドシリカ、
または沈澱法シリカ、であることが好ましく、特に酸化
膜付半導体ウェーファーのエッジポリッシングにはフュ
ームドシリカが好ましい。

【００２２】これらのうち、コロイダルシリカは、ケイ
酸ナトリウムをイオン交換して得られた超微粒子コロイ
ダルシリカを粒子成長させるか、アルコキシシランを酸
またはアルカリで加水分解することにより製造されるの
が一般的である。このような湿式法により製造されるコ
ロイダルシリカは、通常、一次粒子または二次粒子の状
態で水中に分散したスラリーとして得られる。このよう
なコロイダルシリカは、例えば触媒化成工業株式会社よ
りスフェリカスラリーの商品名で市販されている。

【００２３】また、フュームドシリカは、四塩化ケイ素
と水素を燃焼させることにより製造されるものである。
気相法により製造される、このフュームドシリカは、一
次粒子が数個〜数十個集まった鎖状構造の二次粒子を形
成しており、金属不純物の含有量が比較的少ないという
特徴を有する。このようなフュームドシリカは、例えば
日本アエロジル社よりＡｅｒｏｓｉｌの商品名で市販さ
れている。

【００２４】また、沈澱法シリカは、ケイ酸ナトリウム
と酸とを反応させることにより製造される含水非晶質二
酸化ケイ素である。湿式法で製造される、この沈澱法シ
リカは、球状一次粒子がブドウ状に凝集して一つの塊状
粒子を形成しており、比表面積および細孔面積が比較的
大きいという特徴を有する。このような沈澱法シリカ
は、例えばシオノギ製薬株式会社より、カープレックス
の商品名で市販されている。

【００２５】二酸化ケイ素は、砥粒としてメカニカルな
作用により被研磨面を研磨するものである。その平均粒
子径は光散乱法により測定された値から求められる平均
的な粒子径で、７０〜２５００ｎｍである。特に、コロ
イダルシリカの場合は、一般に７０〜１０００ｎｍ、好
ましくは１２０〜８００ｎｍ、より好ましくは１５０〜
５００ｎｍ、である。また、フュームドシリカの場合
は、一般に７０〜３００ｎｍ、好ましくは１３０〜３０
０ｎｍ、より好ましくは１７０〜３００ｎｍ、である。
また、沈澱法シリカの場合は、一般に３００〜３０００
ｎｍ、好ましくは３５０〜２５００ｎｍ、より好ましく
は４００〜２０００ｎｍ、である。なお、本明細書にお
いて記載される平均粒子径は、すべて光散乱法により測
定された値から求められる平均二次粒子径である。

【００２６】本発明のエッジポリッシング用組成物にお
いて、二酸化ケイ素の平均粒子径がここに示された範囲
を超えて大きいと、砥粒の分散が保てなくなり、組成物
の安定性が劣化したり、砥粒が著しく沈澱しやすくなっ
たり、研磨されたエッジ部にスクラッチが発生したりす
る、などの問題が起こる。また、逆に、ここに示された
範囲よりも小さいと、研磨速度が極端に小さくなって加
工に長時間を要したり、ウェーファー表面に乾燥ゲルの
付着が発生しやすくなったりして実用的でなくなる。

【００２７】エッジポリッシング用研磨組成物中の研磨
材の含有量は、通常、組成物の全体に対して０．００５
〜５０重量％、好ましくは０．０１〜３０重量％、より
好ましくは０．０５〜１０重量％、である。研磨材の含
有量があまりに少ないと、研磨速度が小さく加工に長時
間を要したり、ウェーファー表面に乾燥ゲルの付着が発
生しやすくなることがあり、一方、あまりに多いと組成
物の分散状態が均一に保てなくなり、また組成物の粘度
が過大になって取り扱いが困難となることがあるので注
意が必要である。

【００２８】また、本発明のエッジポリッシング用組成
物は、研磨材として二酸化ケイ素を含むものであるが、
二酸化ケイ素以外の研磨材、例えば酸化チタン、酸化ア
ルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、
酸化ジルコニウム、二酸化マンガン、およびその他、を
本発明の効果を損なわない範囲で含むこともできる。

【００２９】＜その他の添加剤＞本発明のエッジポリッ
シング用組成物は、前記した研磨材と水とを含んでなる
ものであるが、必要に応じてその他の添加剤を含むこと
もできる。

【００３０】このような添加剤として、例えば塩基性化
合物を挙げることができる。研磨材と水だけからなる研
磨用組成物はメカニカルな作用により被研磨面を研磨す
るものであるが、このような塩基性化合物はケミカルな
作用によって、メカニカルな研磨作用を補助するものと
考えられる。したがって、本発明のエッジポリッシング
用の組成物が塩基性化合物を含有するときは、塩基性化
合物は組成物中に溶存するもの、すなわち水溶性の塩基
性化合物、を選択すべきである。

【００３１】用いることのできる塩基性化合物は、本発
明の効果を損なわないものであれば、特に限定されない
が、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミ
ン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペ
ラジン六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエ
チル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレン
トリアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−
（β−アミノエチル）エタノールアミン、モノイソプロ
パノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイシ
プロパノールアミン、水酸化アンモニウム、水酸化テト
ラメチルアンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ア
ンモニウム、水酸化カリウム、および水酸化ナトリウム
からなる群から選ばれる化合物の少なくとも１種類であ
ることが好ましい。これらの塩基性化合物は任意の割合
で併用することも可能である。

【００３２】また、本発明のエッジポリッシング用組成
物は、特に酸化膜付半導体ウェーファーのエッジポリッ
シングに用いられる場合には、特に水酸化アンモニウ
ム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸アンモニウ
ム、炭酸水素アンモニウム、水酸化カリウム、および水
酸化ナトリウムからなる群から選ばれる化合物の少なく
とも１種類を含んでなることが好ましい。

【００３３】本発明のエッジポリッシング用組成物が塩
基性化合物を含有する場合、塩基性化合物の含有量は用
いる塩基性化合物の種類により異なるが、組成物の全体
に対して好ましくは０．００１〜３０重量％、より好ま
しくは０．００５〜１０重量％、特に好ましくは０．０
１〜５重量％、である。塩基性化合物の含有量を増やす
ことでウェーファー表面への乾燥ゲルの付着が減少する
傾向があるが、過度に多いとケミカルな作用が強くなり
すぎ、強いエッチング作用によってウェーファー表面に
面荒れなどの表面欠陥が生じたり、研磨材である砥粒の
安定性が失われて沈殿物が生じたりすることがある。一
方、適当量の塩基性化合物を含有していると、前記した
ようにケミカルな作用によって研磨速度が改良され、ま
たウェーファー表面に乾燥ゲルの付着が減少するという
効果も得られる。特に研磨材としてフュームドシリカを
用いる場合には、塩基性化合物の添加によって、組成物
のゲル化抑制、分散安定性改良、粘度の低減などの利点
もある。

【００３４】本発明のエッジポリッシング用組成物は、
前記した塩基性化合物のほかに製品の品質保持や安定化
を図る目的や、被研磨物の種類、研磨条件、およびその
他の研磨加工上の必要に応じて、各種の添加剤をさらに
加えることができる。

【００３５】すなわち、さらに加える添加剤の好適な例
としては、下記のものが挙げられる。 （イ）セルロース類、例えばセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、および
その他、（ロ）水溶性アルコール類、例えばエタノー
ル、プロパノール、エチレングリコール、およびその
他、（ハ）界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸ソーダ、ナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合
物、およびその他、（ニ）有機ポリアニオン系物質、例
えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、および
その他、（ホ）水溶性高分子（乳化剤）類、例えばポリ
ビニルアルコール、およびその他、（ヘ）キレート剤、
例えばジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、ア
セチルアセトン、グリシン、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、および
その他、（ト）殺菌剤、例えばアルギン酸ナトリウム、
およびその他。

【００３６】また、本発明のエッジポリッシング用組成
物に対して、研磨材、および添加剤として前記したもの
を包含するものの中からその他のものを、研磨材または
研磨促進剤の用途以外の目的で、例えば研磨材の沈降防
止のために、さらなる添加剤として用いることも可能で
ある。

【００３７】本発明の研磨用組成物は、一般に上記の研
磨材を所望の含有率で水に混合し、分散させ、さらに必
要に応じてその他の添加剤を必要量溶解させることによ
り調製する。これらの成分を水中に分散または溶解させ
る方法は任意であり、例えば、翼式撹拌機で撹拌した
り、超音波分散により分散させる。また、研磨材以外の
添加剤を用いる場合、これらの各成分の混合順序は任意
であり、研磨材の分散と、その他の添加剤の溶解のどち
らを先に行ってもよく、また両者を同時に行ってもよ
い。

【００３８】なお、本発明の研磨用組成物は、比較的高
濃度の原液として調製して貯蔵または輸送などをし、実
際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述
の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして
記載したのであり、このような使用方法をとる場合、貯
蔵または輸送などをされる状態においてはより高濃度の
溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性の
観点から、そのような濃縮された形態で製造されること
が好ましい。なお、研磨用組成物について前述した濃度
などは、このような製造時の濃度ではなく、使用時の濃
度を記載したものである。

【００３９】本発明のエッジポリッシング用組成物が、
シリコンウェーファーまたは酸化膜付半導体ウェーファ
ーのエッジポリッシングにおいて、研磨速度が大きく、
ウェーファー表面への乾燥ゲルの付着が少ないことの理
由についての詳細な説明は不明であるが、シリコンウェ
ーファーを例に挙げると以下のように推定される。

【００４０】通常、ウェーファー表面の一次ポリッシン
グにおいて使用される研磨用組成物中の研磨材の平均粒
子径は１０〜５０ｎｍである。そして、この研磨材の粒
子径を大きくしても研磨速度は期待されるほど大きくな
らず、それ以外の問題、例えばスクラッチなど、が発生
することが多い。従って、一次ポリッシング用の研磨用
組成物においては研磨材の粒子径を大きくするメリット
がなかった。これに対してエッジポリッシングにおいて
研磨材の粒子径を大きくすると、研磨速度が飛躍的に増
大する。これは、一次ポリッシングのような平面研磨
と、エッジポリッシングにおける点または線のようなご
く狭い領域であるエッジ部の研磨とでは、研磨材の作用
が異なるためであると推定される。

【００４１】また、ウェーファー表面に乾燥ゲルが付着
しにくい理由は、本発明のエッジポリッシング用組成物
では、研磨材粒子が大きいために粒子の表面活性度が小
さく研磨材とウェーファーとの付着力が弱く、組成物が
ウェーファー表面から容易に除去されること、また研磨
速度が大きいために加工時間が短縮され、加工中にウェ
ーファー表面に付着した組成物が乾燥しにくくなるこ
と、が挙げられる。

【００４２】以下、本発明のエッジポリッシング用組成
物を例を用いて具体的に説明するものである。なお、本
発明は、その要旨を超えない限り、以下に説明する諸例
の構成に限定されるものではない。

【００４３】

【発明の実施の形態】＜エッジポリッシング用組成物の
内容および調製＞研磨材としてコロイダルシリカ（触媒
化成工業株式会社製）、フュームドシリカ（日本アエロ
ジル社製）、および沈澱法シリカ（シオノギ製薬株式会
社製）を撹拌機を用いて水に分散させて、研磨材濃度が
２〜４重量％のスラリーを調製した。次いで、前記スラ
リーに、表１または表２に記載した塩基性化合物を記載
した量で添加してエッジポリッシング用組成物とした。
これらのエッジポリッシング用組成物を用いて、被研磨
物を８インチシリコンウェーファーＰ＜１００＞（エッ
チング処理済み）を用いた試験（表１）、および８イン
チ酸化膜付シリコンウェーファーＰ＜１００＞を用いた
試験（表２）を行った。

【００４４】＜エッジポリッシング試験＞エッジポリッ
シング試験の条件は以下の通りである。 研磨機 エッジポリッシングマシンＥＰ−２００IVＳＮ （スピードファム社製） 負荷 ２ｋｇ ドラム回転数 ８００ｒｐｍ 研磨パッド ＳＵＢＡ４００（Ｒｏｄｅｌ社（米国）製） 組成物の供給量 ３００ｃｃ／分（リサイクル） 研磨時間 １０分

【００４５】研磨後、ウェーファーを順次洗浄、乾燥し
た後、暗室内でスポットライトを当ててウェーファー表
面を目視にて観察し、乾燥ゲルの付着状態を判定した。
判定基準は以下の通りである。 ◎：乾燥ゲルの付着は全く観察されなかった。 ○：乾燥ゲルの付着はほとんど観察されず、問題ないレ
ベルであった。 ×：乾燥ゲルの付着が観察され、問題となるレベルであ
った。

【００４６】また、研磨速度の代用値として、各試料毎
に研磨によるウェーファーの重量減を測定した。

【００４７】得られた結果は下記の表に示すとおりであ
った。

【００４８】表１ ８インチシリコンウェーファーＰ＜１００＞（エッチング処理済み）を 用いた研磨試験 二酸化 平均 研磨材 塩基性化合物 重量減 乾燥 ケイ素 粒子径 濃度 種類 添加量 ゲル (nm) （重量％） （重量％） (mg) 実施例 １ ＣＳ ８０ ４ ＰＩＺ ０．２ ７．８ ○ 実施例 ２ ＣＳ １２０ ４ ＰＩＺ ０．２ １０．２ ◎ 実施例 ３ ＣＳ ３００ ４ − − １０．０ ○ 実施例 ４ ＣＳ ３００ ２ ＰＩＺ ０．２ １０．３ ◎ 実施例 ５ ＣＳ ３００ ４ ＰＩＺ ０．２ １２．５ ◎ 実施例 ６ ＣＳ ３００ ４ ＰＩＺ ０．５ １３．２ ◎ 実施例 ７ ＣＳ ３００ ４ ＰＩＺ １．０ １４．１ ◎ 実施例 ８ ＣＳ ３００ ４ ＭＥＡ ０．５ １３．９ ◎ 実施例 ９ ＣＳ ３００ ４ ＭＥＡ １．０ １４．８ ◎ 実施例１０ ＣＳ ３００ ４ ＫＯＨ ０．２ １４．３ ○ 実施例１１ ＣＳ ５５０ ４ ＰＩＺ ０．２ １４．３ ◎ 実施例１２ ＦＳ １５０ ４ ＰＩＺ ０．２ １０．８ ○ 実施例１３ ＦＳ ２００ ４ ＰＩＺ ０．２ １１．５ ◎ 実施例１４ ＰＳ １７００ ４ ＰＩＺ ０．２ １５．０ ◎ 比較例 １ ＣＳ ７ ４ ＰＩＺ ０．２ ５．２ × 比較例 ２ ＣＳ １８ ４ ＰＩＺ ０．２ ５．５ ×比較例 ３ ＣＳ ４５ ４ ＰＩＺ ０．２ ６．８ × ＣＳ：コロイダルシリカ ＦＳ：フュームドシリカ ＰＳ：沈澱法シリカ ＰＩＺ：ピペラジン六水和物 ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＫＯＨ：水酸化カリウム

【００４９】表２ ８インチ酸化膜付きシリコンウェーファーＰ＜１００＞を用いた研磨試験 二酸化 平均 研磨材 塩基性化合物 重量減 乾燥 ケイ素 粒子径 濃度 種類 添加量 ゲル (nm) （重量％） （重量％） (mg) 実施例１５ ＦＳ ７０ ４ ＫＯＨ ０．２ ４．０ ○ 実施例１６ ＦＳ １５０ ４ ＫＯＨ ０．２ ５．０ ◎ 実施例１７ ＦＳ ２００ ４ − − ４．３ ○ 実施例１８ ＦＳ ２００ ２ ＫＯＨ ０．２ ４．９ ◎ 実施例１９ ＦＳ ２００ ４ ＫＯＨ ０．１ ４．８ ◎ 実施例２０ ＦＳ ２００ ４ ＫＯＨ ０．２ ５．３ ◎ 実施例２１ ＦＳ ２００ ４ ＫＯＨ ２．０ ５．８ ◎ 実施例２２ ＦＳ ２００ ４ ＫＯＨ ０．２ ５．３ ◎ 実施例２３ ＦＳ ２００ ４ ＫＣ ０．２ ５．１ ◎ 実施例２４ ＦＳ ２００ ４ ＫＨＣ ０．２ ５．０ ◎ 実施例２５ ＦＳ ２００ ４ ＫＨＣ ０．２ ５．０ ◎ 実施例２６ ＣＳ ２００ ４ ＫＯＨ ０．２ ５．３ ◎ 実施例２７ ＰＳ １７００ ４ ＫＯＨ ０．２ ６．９ ◎ 比較例 ４ ＦＳ ３０ ４ ＫＯＨ ０．２ ２．０ × 比較例 ５ ＦＳ ５０ ４ ＫＯＨ ０．２ ２．３ ×比較例 ６ ＣＳ ４５ ４ ＫＯＨ ０．２ ２．０ × ＣＳ：コロイダルシリカ ＦＳ：フュームドシリカ ＰＳ：沈澱法シリカ ＫＯＨ：水酸化カリウム ＫＣ：炭酸カリウム ＫＨＣ：炭酸水素カリウム

【００５０】表１および表２に示された結果より、本発
明のエッジポリッシング用組成物は、従来のエッジポリ
ッシング用組成物に比べて、研磨速度が大きく、ウェー
ファー表面への乾燥ゲルの付着が少ないことがわかる。

【００５１】

【発明の効果】本発明のエッジポリッシング用組成物
は、シリコンウェーファーまたは酸化膜付半導体ウェー
ファーのエッジポリッシングにおいて、研磨速度が大き
く、ウェーファー表面への乾燥ゲルの付着を低減させる
ことができることは、［発明の概要］の項に前記したと
おりである。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】水と、平均粒子径が７０〜２５００ｎｍで
   ある二酸化ケイ素とを含んでなることを特徴とする、ウ
   ェーファーのエッジポリッシング用組成物。
2. 【請求項２】塩基性化合物をさらに含んでなる、請求項
   １に記載のエッジポリッシング用組成物。
3. 【請求項３】二酸化ケイ素が、コロイダルシリカ、フュ
   ームドシリカ、および沈澱法シリカからなる群から選ば
   れる、請求項１または２に記載のエッジポリッシング用
   組成物。
4. 【請求項４】塩基性化合物が、メチルアミン、ジメチル
   アミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルア
   ミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメ
   チレンジアミン、ピペラジン六水和物、無水ピペラジ
   ン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチル
   ピペラジン、ジエチレントリアミン、モノエタノールア
   ミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ
   −メチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエ
   タノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、
   Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル
   エタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノー
   ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパ
   ノールアミン、トリイシプロパノールアミン、水酸化ア
   ンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸ア
   ンモニウム、炭酸水素アンモニウム、水酸化カリウム、
   および水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる化合物
   の少なくとも１種類である、請求項２または３に記載の
   エッジポリッシング用組成物。
5. 【請求項５】二酸化ケイ素の含有量が、エッジポリッシ
   ング用組成物の全重量を基準にして０．００５〜５０重
   量％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッ
   ジポリッシング用組成物。
6. 【請求項６】塩基性化合物の含有量が、エッジポリッシ
   ング用組成物の全重量を基準にして０．００１〜３０重
   量％である、請求項２〜５のいずれか１項に記載のエッ
   ジポリッシング用組成物。
7. 【請求項７】ウェーファーが、シリコンウェーファーま
   たは酸化膜付半導体ウェーファーである、請求項１〜６
   のいずれか１項に記載のエッジポリッシング用組成物。