[go: up one dir, main page]

RU2481610C1 - Электрофотографический фоточувствительный элемент и электрофотографическое устройство - Google Patents

Электрофотографический фоточувствительный элемент и электрофотографическое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2481610C1
RU2481610C1 RU2011147079/28A RU2011147079A RU2481610C1 RU 2481610 C1 RU2481610 C1 RU 2481610C1 RU 2011147079/28 A RU2011147079/28 A RU 2011147079/28A RU 2011147079 A RU2011147079 A RU 2011147079A RU 2481610 C1 RU2481610 C1 RU 2481610C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
atoms
layer
carbon atoms
sum
ratio
Prior art date
Application number
RU2011147079/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Казуто ХОСОЙ
Дзун ОХИРА
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=43011161&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2481610(C1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Application granted granted Critical
Publication of RU2481610C1 publication Critical patent/RU2481610C1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
    • G03G5/08257—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers at least one with varying composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/08278—Depositing methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электрофотографическим устройствам. Электрофотографический фоточувствительный элемент имеет переходный слой, состоящий из пяти или более промежуточных слоев a-SiC, предусмотренных между фотопроводящим слоем a-Si и поверхностным слоем a-SiC. В тех случаях, когда два слоя, прилегающие друг к другу, в которых C/(Si+C) имеет значение от 0,35 до 0,65, выбраны из числа промежуточных слоев a-SiC, включенных в переходный слой, скорость роста между C/(Si+C) промежуточного слоя a-SiC на стороне фотопроводящего слоя и C/(Si+C) промежуточного слоя a-SiC на стороне поверхностного слоя, то есть скорость роста между слоями имеет значение 19% или менее. Изобретение обеспечивает электрофотографический фоточувствительный элемент, промежуточные слои которого не расслаиваются. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 28 табл.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
Figure 00000061
Figure 00000062
Figure 00000063
Figure 00000064
Figure 00000065
Figure 00000066
Figure 00000067
Figure 00000068
Figure 00000069
Figure 00000070
Figure 00000071
Figure 00000072
Figure 00000073
Figure 00000074
Figure 00000075
Figure 00000076
Figure 00000077
Figure 00000078
Figure 00000079
Figure 00000080
Figure 00000081
Figure 00000082
Figure 00000083
Figure 00000084
Figure 00000085
Figure 00000086
Figure 00000087
Figure 00000088
Figure 00000089
Figure 00000090
Figure 00000091
Figure 00000092
Figure 00000093
Figure 00000094
Figure 00000095
Figure 00000096
Figure 00000097
Figure 00000098
Figure 00000099
Figure 00000100
Figure 00000101
Figure 00000102
Figure 00000103
Figure 00000104
Figure 00000105
Figure 00000106

Claims (9)

1. Электрофотографический фоточувствительный элемент, содержащий
подложку,
фотопроводящий слой, предусмотренный на подложке и сформированный из аморфного кремния, и
поверхностный слой, предусмотренный на фотопроводящем слое и сформированный из гидрированного аморфного карбида кремния,
при этом электрофотографический фоточувствительный элемент дополнительно содержит между фотопроводящим слоем и поверхностным слоем переходный слой, состоящий по существу из пяти или более промежуточных слоев, каждый из которых сформирован из гидрированного аморфного карбида кремния,
причем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в каждом из промежуточных слоев, включенных в переходный слой, однообразно увеличивается от самого внутреннего промежуточного слоя на стороне фотопроводящего слоя к самому наружному промежуточному слою на стороне поверхностного слоя;
в переходный слой включены два или более промежуточных слоев, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее;
при этом среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, два слоя, прилегающих друг к другу, выбраны из числа промежуточных слоев, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее, и между двумя слоями, прилегающими друг к другу, отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном слое на стороне фотопроводящего слоя представлено посредством А, а отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном слое на стороне поверхностного слоя представлено посредством В, причем все промежуточные слои, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее, отвечают требованию, что скорость роста между слоями, которая определена следующим выражением (1):
Figure 00000107

имеет значение 19% или менее;
причем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое имеет значение от 0,61 или более до 0,90 или менее; и
отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое выше, чем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в любом промежуточном слое, включенном в переходный слой.
2. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое имеет значение от 0,70 или более до 0,90 или менее.
3. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором переходный слой является слоем, состоящим по существу из от пяти или более до девяти или менее промежуточных слоев.
4. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором каждый из промежуточных слоев, включенных в переходный слой, имеет толщину слоя от 10 нм или более до 200 нм или менее.
5. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, промежуточные слои, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C), имеет значение от 0,35 или менее, в сумме имеют толщину слоя 200 нм или менее.
6. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором, по меньшей мере, один промежуточный слой, подвергнутый встраиванию элемента группы 13, включен в переходный слой.
7. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.6, в котором отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном(ых) слое(ях), подвергнутом(ых) встраиванию элемента группы 13, имеет значение 0,10 или более.
8. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.6, в котором среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, промежуточные слои, подвергнутые встраиванию элемента группы 13, в сумме имеют толщину слоя от 50 нм или более до 1000 нм или менее.
9. Электрофотографическое устройство, содержащее электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, и средство зарядки, средство экспонирования по изображению, средство проявки, средство переноса и средство очистки.
RU2011147079/28A 2009-04-20 2010-04-15 Электрофотографический фоточувствительный элемент и электрофотографическое устройство RU2481610C1 (ru)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009101836 2009-04-20
JP2009-101836 2009-04-20
JP2009116021 2009-05-12
JP2009-116021 2009-05-12
JP2010-088797 2010-04-07
JP2010088797A JP4599468B1 (ja) 2009-04-20 2010-04-07 電子写真感光体および電子写真装置
PCT/JP2010/057106 WO2010123045A1 (en) 2009-04-20 2010-04-15 Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2481610C1 true RU2481610C1 (ru) 2013-05-10

Family

ID=43011161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011147079/28A RU2481610C1 (ru) 2009-04-20 2010-04-15 Электрофотографический фоточувствительный элемент и электрофотографическое устройство

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8512923B2 (ru)
EP (1) EP2422239B1 (ru)
JP (1) JP4599468B1 (ru)
CN (1) CN102405442B (ru)
BR (1) BRPI1016051A2 (ru)
RU (1) RU2481610C1 (ru)
WO (1) WO2010123045A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4764954B2 (ja) * 2009-12-28 2011-09-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真装置
JP6128885B2 (ja) 2013-02-22 2017-05-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法ならびに電子写真装置
CN114361274B (zh) * 2022-01-07 2024-04-16 上海交通大学 基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料与制备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6383725A (ja) * 1986-09-29 1988-04-14 Toshiba Corp 電子写真感光体
JPH09244284A (ja) * 1996-03-06 1997-09-19 Canon Inc 光受容部材の製造方法
JP2006189823A (ja) * 2004-12-10 2006-07-20 Canon Inc 電子写真感光体
US7381510B2 (en) * 2004-03-16 2008-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and producing method therefore
RU2327195C1 (ru) * 2004-01-27 2008-06-20 Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн Фоточувствительная смола для гравируемой лазером печатной матрицы

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61159657A (ja) 1984-12-31 1986-07-19 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
JP2001337470A (ja) 2000-05-25 2001-12-07 Canon Inc 電子写真画像形成装置および電子写真画像形成方法
JP3913067B2 (ja) 2001-01-31 2007-05-09 キヤノン株式会社 電子写真用感光体、その製造方法、ならびに電子写真装置
JP3913123B2 (ja) 2001-06-28 2007-05-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
US7033717B2 (en) 2002-08-02 2006-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus making use of the same
US7033721B2 (en) 2002-08-02 2006-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the same
US6991879B2 (en) 2002-08-09 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
JP2005062846A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Canon Inc 電子写真感光体
JP4738840B2 (ja) 2004-03-16 2011-08-03 キヤノン株式会社 電子写真感光体
WO2006049340A1 (ja) * 2004-11-05 2006-05-11 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体
WO2006062260A1 (ja) 2004-12-10 2006-06-15 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体
JP4910591B2 (ja) 2006-09-19 2012-04-04 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置
US7678518B2 (en) 2006-09-19 2010-03-16 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor, and process cartridge and image-forming apparatus using the same
EP2282234B1 (en) 2008-05-21 2015-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photoreceptor for negative electrification, method for image formation, and electrophotographic apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6383725A (ja) * 1986-09-29 1988-04-14 Toshiba Corp 電子写真感光体
JPH09244284A (ja) * 1996-03-06 1997-09-19 Canon Inc 光受容部材の製造方法
RU2327195C1 (ru) * 2004-01-27 2008-06-20 Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн Фоточувствительная смола для гравируемой лазером печатной матрицы
US7381510B2 (en) * 2004-03-16 2008-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and producing method therefore
JP2006189823A (ja) * 2004-12-10 2006-07-20 Canon Inc 電子写真感光体

Also Published As

Publication number Publication date
EP2422239B1 (en) 2015-03-04
CN102405442A (zh) 2012-04-04
CN102405442B (zh) 2013-11-06
US20110299886A1 (en) 2011-12-08
EP2422239A4 (en) 2013-07-17
WO2010123045A1 (en) 2010-10-28
EP2422239A1 (en) 2012-02-29
US8512923B2 (en) 2013-08-20
JP2010286823A (ja) 2010-12-24
BRPI1016051A2 (pt) 2016-05-10
JP4599468B1 (ja) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016212218A5 (ru)
RU2481610C1 (ru) Электрофотографический фоточувствительный элемент и электрофотографическое устройство
JP2007011005A5 (ru)
WO2006062260A1 (ja) 電子写真感光体
WO2006049340A1 (ja) 電子写真感光体
EP1388761A3 (en) Electrophotographic photosensitive member
WO2006062256A1 (ja) 電子写真感光体
JP4242902B2 (ja) 電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置
JP2005062846A (ja) 電子写真感光体
JP2013117624A5 (ru)
JP2007226185A (ja) 画像形成装置
JP2014029501A5 (ru)
JP2009031342A5 (ru)
WO2020085490A1 (ja) 電子写真感光体および画像形成装置
WO2009028448A1 (ja) 電子写真感光体および該電子写真感光体を備える画像形成装置
JP4242890B2 (ja) 電子写真感光体、これの製造方法および画像形成装置
JP6592908B2 (ja) 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
RU2012128942A (ru) Элемент формирования электростатических изображений и способы его применения
KR100562626B1 (ko) 전자사진용 감광체 및 그 제조 방법
JPWO2009104466A1 (ja) 電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置
JP5265157B2 (ja) 画像形成装置およびその露光量調整方法
CN101539735A (zh) 使用非晶态硅感光体的图像形成装置
JP2009009130A5 (ru)
JP4615002B2 (ja) 画像形成装置
JP2006184927A (ja) 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180416