[go: up one dir, main page]

KR970028666A - 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 - Google Patents

엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970028666A
KR970028666A KR1019950043742A KR19950043742A KR970028666A KR 970028666 A KR970028666 A KR 970028666A KR 1019950043742 A KR1019950043742 A KR 1019950043742A KR 19950043742 A KR19950043742 A KR 19950043742A KR 970028666 A KR970028666 A KR 970028666A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bus line
electrode
storage capacitor
liquid crystal
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019950043742A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0158260B1 (ko
Inventor
오영진
Original Assignee
구자홍
Lg 전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019950043742A priority Critical patent/KR0158260B1/ko
Priority to US08/639,617 priority patent/US5694185A/en
Priority to GB9625097A priority patent/GB2307768B/en
Priority to FR9614312A priority patent/FR2741740B1/fr
Priority to JP31150896A priority patent/JP3654474B2/ja
Priority to DE19648729A priority patent/DE19648729B4/de
Priority to DE19655412A priority patent/DE19655412B4/de
Publication of KR970028666A publication Critical patent/KR970028666A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0158260B1 publication Critical patent/KR0158260B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 매트릭스 어레이의 버스라인과 박막 트랜지스터의 최적 구조 설계를 통하여 개구율(Aperture ratio)을 향상시켜 소비전력을 감소시키고, 휘도를 증가시키며, 반사도를 낮추어 콘트라스트(contrast)비를 개선하기 위하여, 채널이 비직선적으로 형성되어 채널길이를 늘일 수 있도록 박막 트랜지스터를 게이트 버스라인 위에 형성시키며, 소오스 전극과 드레인 두면에서 대면되도록 형성한 것이다.

Description

엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 엑티브매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 실시예의 평면도,
제4도는 본 발명의 제조공정을 예시한 공정단면도,
제5도는 본 발명의 제조공정을 예시한 공정단면도,

Claims (11)

  1. 절연기판과, 상기 절연기판 상에 게이트 전극인 복수개의 제1영역과, 이웃하는 상기 제1영역들을 서로 연결하는 복수개의 제2영역을 가지는 게이트 버스 라인과, 상기 게이트 버스 라인과 상기 절연기판의 노출된 표면에 형성된 제1절연막과, 상기 제1절연막 위에서, 적어도 상기 게이트 버스라인의 제1영역과 충첩하게 형성된 도상의 반도체층과, 상기 반도체층 위에서, 상기 게이트 버스라인의 제1영역과 교차하며, 상기 게이트 버스라인의 제1영역 상부에서 상기 게이트 버스라인 형성 방향의 돌기부를 가지는 데이타 버스라인과, 상기 데이타 버스라인의 돌기부와 그 일측의 데이타 버스라인 일부영역인 소오스 전극과, 상기 반도체층 위에서,상기 소오스 전극에 대응하도록 형성된 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 복수개의 박막 트랜지스터와, 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극과, 상기 게이트 버스 라인의 제2영역의 일부를 제1보조용량 캐패시터 전극으로 하는 복수개의 보조용량 캐패시터를 구비하는 엑트브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층의 노출된 표면과, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 데이타 버스 라인의 상부에 형성되며, 상기 화소전극과 일부 중첩되게 형성된 블랙 매트릭스를 부가하여 가지는 것이 특징인 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보조용량 캐패시터가 상기 제1보조용량 캐패시터 전극의 일부 영역과 중첩되도록 그 상부에 형성된 블랙 매트릭스를 가지는 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보조용량 캐패시터가 절연기판위에 형성된 상기 게이트 버스 라인의 제2영역의 일부 영역인 제1보조용량 캐패시터 전극과, 상기 제1보조용량 캐패시터 전극과 상기 절연기판의 노출된 표면위에 형성된 전극 절연막과, 상기 전극 절연막 위에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 위에 형성된 제2보조용량 캐패시터 전극과, 상기 제2보조용량 캐패시터 전극의 일부를 덮는 블랙 매트릭스와, 상기 전극 절연막과 상기 제2보조용량 캐패시터 전극과 상기 블랙매트릭스의 노출된 표면에 형성되며, 상기 제1보조용량 캐패시터의 상부에 콘택 영역이 정의된 패시베이션층과, 상기 콘택영역을 통하여 상기 제2보조용량 캐패시터와 연결된 전단(또는 후단) 화소전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  5. 제1항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인이 동일한 폭을 가지는 직선형 게이트 버스 라인인 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  6. 제1항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인이, 상기 소오스 전극인 상기 데이타 버스 라인의 돌기부 일측과 상기 드레인 전극에 일부 중첩되는 돌기부를 가지는 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  7. 제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는, 비직선 형태의 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이.
  8. 제1항에 있어서, 상기 채널영역이 상기 게이트 버스 라인의 선폭내에서 드레인 전극을 감싸는 "ㄱ"자형인 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정 표시장치의 매트릭스 어레이.
  9. 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 제조방법에 있어서, 1) 절연기판 위에 게이트 버스 라인을 형성하는 단계와, 2) 상기 게이트 버스 라인과 상기 절연기판의 노출된 표면에 제1절연막을 형성하는 단계와, 3) 상기 제1절연막 위에 수소화된 비정질 실리콘층과 도핑된 비정질 실리콘층을 적층한 후, 상기 게이트 버스 라인 상의 채널 형성부위와 보조용량 캐패시터 형성부위 만을 제외하고 제거하는 단계와, 4)상기 도핑된 비정질 실리콘층과 상기 제1절연막의 노출된 표면 위에 소오스/드레인 전극 형성금속을 적층한 후, 상기 게이트 버스라인과 수직하게 교차하며, 상기 게이트 버스라인과 평행한 돌기부를 가지는 데이타 버스 라인과, 상기 데이타 버스라인 돌기부와 그 일측과 동일한 거리를 유지하며, 상기 게이트 버스라인과 일부 중첩되는 드레인 전극과, 상기 보조용량 캐패시터의 도핑된 비정질실리콘층 위에 제2조보용량 캐패시터 전극을 형성하는 단계와, 5) 상기 드레인 전극과 상기 데이타 버스라인과 상기 데이타 버스 라인의 돌기부를 마스크로 상기 도핑된 비정질 실리콘층을 제거하는 단계를 포함하는 일련의 공정을 진행하여 박막 트랜지스터를 제조하는 액티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 5)단계후, 상기 드레인 전극과 상기 데이타 버스 라인과 상기 수소화된 비정질 실리콘층과 상기 제1절연막의 노출된 표면에 흑색안료를 적층한 후, 패터닝하여 보조용량 캐패시터 형성일부영역을 제외한 상기 게이트 버스라인과 상기 데이타 버스라인에만 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 블랙 매트릭스와 상기 수소화된 비정질 실리콘층과 상기 제1절연막의 노출된 표면에 투명 절연막인 패시베이션층을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극과 상기 제2보조용량 캐패시터 전극상의 상기 패시베이션층에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀과 상기 패시베이션층의 노출된 표면에 투명 전극층을 적층한 후, 패터닝하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑티브 액정표시장치의 매트릭스 어레이 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 1)단계의 게이트 버스 라인을 형성하는 단계에서, 상기 데이타 버스라인 형성 부위와 상기 드레인 전극 형성 부위와 일부가 중첩되는 돌기부를 형성하는 것을 특징으로 하는 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950043742A 1995-11-25 1995-11-25 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 Expired - Lifetime KR0158260B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950043742A KR0158260B1 (ko) 1995-11-25 1995-11-25 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
US08/639,617 US5694185A (en) 1995-11-25 1996-04-29 Matrix array of active matrix LCD and manufacturing method thereof
GB9625097A GB2307768B (en) 1995-11-25 1996-11-21 Matrix array of active matrix lcd and manufacturing method thereof
JP31150896A JP3654474B2 (ja) 1995-11-25 1996-11-22 アクティブマトリックス液晶表示装置のマトリックスアレイ及び液晶表示装置並びにその製造方法
FR9614312A FR2741740B1 (fr) 1995-11-25 1996-11-22 Dispositif d'affichage a cristaux liquides a taux d'ouverture eleve
DE19648729A DE19648729B4 (de) 1995-11-25 1996-11-25 Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Herstellverfahren dafür
DE19655412A DE19655412B4 (de) 1995-11-25 1996-11-25 Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Herstellverfahren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950043742A KR0158260B1 (ko) 1995-11-25 1995-11-25 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970028666A true KR970028666A (ko) 1997-06-24
KR0158260B1 KR0158260B1 (ko) 1998-12-15

Family

ID=19435726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950043742A Expired - Lifetime KR0158260B1 (ko) 1995-11-25 1995-11-25 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5694185A (ko)
JP (1) JP3654474B2 (ko)
KR (1) KR0158260B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459211B1 (ko) * 2001-05-25 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법 그리고, 이를적용한 액정표시소자의 제조방법
KR100542303B1 (ko) * 1998-08-24 2006-04-06 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치
KR100620845B1 (ko) * 1999-04-02 2006-09-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자 제조방법
KR100737702B1 (ko) * 2002-10-16 2007-07-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0926603A (ja) 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US5835177A (en) * 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
KR100195269B1 (ko) * 1995-12-22 1999-06-15 윤종용 액정표시장치의 제조방법
JPH09265113A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法
KR100192447B1 (ko) * 1996-05-15 1999-06-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법
JP2776376B2 (ja) * 1996-06-21 1998-07-16 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示パネル
JP3126661B2 (ja) 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3634089B2 (ja) 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100247493B1 (ko) * 1996-10-18 2000-03-15 구본준, 론 위라하디락사 액티브매트릭스기판의 구조
KR100251512B1 (ko) 1997-07-12 2000-04-15 구본준 횡전계방식 액정표시장치
KR100458834B1 (ko) * 1997-09-09 2005-05-27 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR100293436B1 (ko) * 1998-01-23 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시장치
US6809787B1 (en) * 1998-12-11 2004-10-26 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
KR100430232B1 (ko) * 1998-12-21 2004-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및액정표시장치의축적캐패시터
KR100357216B1 (ko) * 1999-03-09 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100627107B1 (ko) 1999-07-31 2006-09-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100348995B1 (ko) * 1999-09-08 2002-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 4 마스크를 이용한 액정표시소자의 제조방법 및 그에 따른 액정표시소자
KR100370800B1 (ko) * 2000-06-09 2003-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제작방법
US7072017B1 (en) * 2000-06-29 2006-07-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having a common-auxiliary electrode and dielectric structures
TWI284240B (en) * 2000-09-27 2007-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device
KR20020042898A (ko) 2000-12-01 2002-06-08 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100776509B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20040043116A (ko) 2001-04-10 2004-05-22 사르노프 코포레이션 유기 박막 트랜지스터를 이용한 고성능 액티브 매트릭스화소 제공방법 및 제공장치
KR100731037B1 (ko) * 2001-05-07 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100391157B1 (ko) * 2001-10-25 2003-07-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100902244B1 (ko) * 2002-12-31 2009-06-11 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치
KR101027866B1 (ko) * 2003-12-18 2011-04-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
NL1025134C2 (nl) * 2003-12-24 2005-08-26 Lg Philips Lcd Co Organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix en daarvoor bestemde dunne-filmtransistor.
CN100476554C (zh) * 2004-08-31 2009-04-08 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
CN101604087A (zh) * 2004-09-30 2009-12-16 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
TWI290649B (en) * 2004-11-29 2007-12-01 Casio Computer Co Ltd Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
KR100752876B1 (ko) * 2004-11-30 2007-08-29 가시오게산키 가부시키가이샤 수직배향형의 액정표시소자
US8068200B2 (en) 2004-12-24 2011-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions
JP4639797B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
KR101127833B1 (ko) * 2005-06-28 2012-03-20 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TW200706955A (en) * 2005-08-08 2007-02-16 Innolux Display Corp In-plane switching liquid crystal display device
US8023054B2 (en) * 2005-12-30 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display and fabricating method thereof
WO2014069260A1 (ja) * 2012-10-29 2014-05-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
CN109377965B (zh) * 2018-12-21 2021-06-25 信利半导体有限公司 异形像素驱动单元、像素驱动阵列及显示设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5327001A (en) * 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JP2543286B2 (ja) * 1992-04-22 1996-10-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.
EP0592063A3 (en) * 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100542303B1 (ko) * 1998-08-24 2006-04-06 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치
KR100620845B1 (ko) * 1999-04-02 2006-09-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자 제조방법
KR100459211B1 (ko) * 2001-05-25 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법 그리고, 이를적용한 액정표시소자의 제조방법
KR100737702B1 (ko) * 2002-10-16 2007-07-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP3654474B2 (ja) 2005-06-02
KR0158260B1 (ko) 1998-12-15
US5694185A (en) 1997-12-02
JPH09292632A (ja) 1997-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970028666A (ko) 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
KR100204071B1 (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법
CN101339923B (zh) 形成薄膜晶体管阵列面板的方法及薄膜晶体管阵列面板
KR100223158B1 (ko) 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법
KR970066697A (ko) 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR970076040A (ko) 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시장치
US5981972A (en) Actived matrix substrate having a transistor with multi-layered ohmic contact
KR960029865A (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조방법
KR960001843A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100475108B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
JPH0431376B2 (ko)
US20020140877A1 (en) Thin film transistor for liquid crystal display and method of forming the same
US8279389B2 (en) Liquid crystal display device having storage lines overlapping active layers formed of polysilicon material
KR970054502A (ko) 수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이
KR970028753A (ko) 액정 표시 소자의 제조 방법
KR100209622B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20040048118A (ko) 액정표시장치의 화소구조
KR100267995B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100339346B1 (ko) 액정표시소자제조방법
KR19990029439A (ko) 박막트랜지스터 및 이것을 구비한 액정표시장치와 ｔｆｔ어레이기판의 제조방법
KR960002917A (ko) 개구율 향상을 위한 액정 표시장치 및 그 제조 방법
JPH0570825B2 (ko)
KR100831294B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR19980035300A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JPH01227127A (ja) 薄膜トランジスタアレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19951125

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19951125

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19980728

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19980804

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19980804

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010627

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020624

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030701

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040629

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050627

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060629

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070702

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080701

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090622

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100621

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110615

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120628

Start annual number: 15

End annual number: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130619

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140630

Start annual number: 17

End annual number: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150728

Year of fee payment: 18

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150728

Start annual number: 18

End annual number: 18

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term