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KR970054502A - 수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이 - Google Patents

수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이 Download PDF

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KR970054502A
KR970054502A KR1019950054709A KR19950054709A KR970054502A KR 970054502 A KR970054502 A KR 970054502A KR 1019950054709 A KR1019950054709 A KR 1019950054709A KR 19950054709 A KR19950054709 A KR 19950054709A KR 970054502 A KR970054502 A KR 970054502A
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KR
South Korea
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insulating layer
drain electrodes
semiconductor layer
film transistor
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KR1019950054709A
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Inventor
김남덕
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
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    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

신규한 수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이가 개시되어 있다. 투명한 기판 상에 화소전극이 형성된다. 상기 화소전극 상에는, 오믹 반도체층과 절연층을 사이에 두고 소오스 및 드레인 전극이 테이퍼 식각방법으로 수직구조로써 형성된다. 상기 소오스 및 드레인 전극 상에는 액티브 반도체층 및 게이트절연층이 차례로 형성된다. 상기 게이트절연층 상에는 게이트전극이 소오스 및 드레인 전극에 셀프-얼라인되어 형성된다.
소오스전극과 게이트전극 간에 오버랩 폭이 형성되지 않아 기생용량을 감소시킬 수 있다.

Description

수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 수직형 박막트랜지스터의 단면도.

Claims (5)

  1. 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성된 화소전극; 상기 화소전극 상에 위치하며, 오믹 반도체층과 절연층을 사이에 두고 테이퍼 식각방법으로 수직구조로써 형성된 소오스 및 드레인 전극; 상기 소오스 및 드레인 전극 상에 차례로 형성된 액티브 반도체층 및 게이트절연층; 및 상기 게이트절연층 상에 위치하며, 상기 소오스 및 드레인 전극에 셀프-얼라인되어 형성된 게이트전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테이퍼 식각으로 형성된 소오스 및 드레인 전극으로 인해, 상기 액티브 반도체층의 경사가 낮아진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오믹 반도체층은 불순물이 도우프된 비정질실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  4. 투명한 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제1 금속층, 제1 오믹 반도체층, 제1 절연층, 제2 오믹 반도체층 및 제2 금속층을 차례로 증착하는 단계; 사진식각 공정으로 상기 적층된 층들을 테이퍼 식각하여 제1 금속층으로 이루어진 드레인전극 및 제2 금속층으로 이루어진 소오스전극을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 액티브 반도체층을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 게이트절연층 및 제2 절연층을 차례로 형성하는 단계; 상기 소오스 및 드레인 전극을 이용하여 백노광을 실시함으로써 상기 결과물 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 절연층을 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 결과물 상에 게이트전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
  5. 투명한 기판 상에 형성된 화소전극과, 상기 화소전극 상에 위치하며 오믹 반도체층과 절연층을 사이에 두고 테이퍼 식각방법으로 수직구조로써 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 소오스 및 드레인 전극 상에 차례로 형성된 액티브 반도체층 및 게이트절연층, 및 상기 게이트절연층 상에 위치하고, 상기 소오스 및 드레인 전극에 셀프-얼라인되어 형성된 게이트전극을 구비하는 박막트랜지스터; 상기 게이트전극에 접속된 게이트 버스라인; 상기 소오스 및 드레인 전극에 접속된 데이터 버스라인; 및 상기 박막트랜지스터 상에 형성되는 스토리지 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 초박막액정표시소자용 화소 어레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054709A 1995-12-22 1995-12-22 수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이 KR0176179B1 (ko)

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