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KR960005994A - 보호구조를 가지는 집적 파워 반도체 장치 - Google Patents

보호구조를 가지는 집적 파워 반도체 장치 Download PDF

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KR960005994A
KR960005994A KR1019950019723A KR19950019723A KR960005994A KR 960005994 A KR960005994 A KR 960005994A KR 1019950019723 A KR1019950019723 A KR 1019950019723A KR 19950019723 A KR19950019723 A KR 19950019723A KR 960005994 A KR960005994 A KR 960005994A
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South Korea
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semiconductor device
integrated power
power semiconductor
substrate
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KR1019950019723A
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죠세프-마티아스 간티올레르
루드비히 라이폴트
라이날트 잔더
옌스-페르 슈텐글
예뇌 티하니
Original Assignee
알베르트 발도르프·롤프 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Publication date
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Publication of KR960005994A publication Critical patent/KR960005994A/ko
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

파워 IC가 유도 부하상에 하이-사이드 스위치로서 동작한다면, 부하를 스위칭 오프할 때 오기능이 발생할 수 있다. 이러한 오기능들은 구동IC와 하이-사이드 스위치의 제어회로 사이의 기생구조가 스위치온에 의하여, 구동IC에서의 전압역전에 의한 것이다. 구동 IC와 제어회로 사이의, 제어회로의 전위인 보호영역이 있다. 기생구조는 구동IC와 보호영역 사이에서만 결과적으로 형성된다.

Description

보호구조를 가지는 집적 파워 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 보호구조를 가지는 집적 파워 반도체 장치의 회로도이다.

Claims (5)

  1. 제1도전형의 기판; 기판에 형성된 제2도전형의 적어도 하나의 제1영역 및 기판에 형성된 제2도전형의 적어도 하나의 제2영역; 공급전압을 공급하기 위한 기판 접점부; 및 제1영역 및 제2영역에 형성된 접점부-형성 반도체 소자를 포함하며, 제1영역에서의 반도체 소자의 적어도 한 부분이 제2영역에서의 반도체 소자의 적어도 한 부분을 제어하는 집적 파워 반도체 장치에 있어서, 제2도전형의 제3영역(21)이 제1영역(15)과 제2영역 사이에 배치되고, 제3영역은 제1영역의 전위와 다른 전위에 있는 것을 특징으로 하는 집적 파워 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제3영역(21)은 제2영역(16)과 동일한 전위에 있는 것을 특징으로 하는 집적 파워 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판(10)은 n 도핑되고 영역(15, 16, 21)은 p 도핑되고, 제3영역(21)은 제1영역(15)보다 더욱 음전위인 것을 특징으로 하는 집적 파워 반도체 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제3영역(21)이 제2영역(16)을 완전히 둘러싸는 것을 특징으로하는 집적 파워 반도체 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제3영역(21)이 제1영역(15)을 완전히 둘러싸는 것을 특징으로 하는 집적 파워 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950019723A 1994-07-06 1995-07-06 보호구조를가지는집적파워반도체장치 KR100346085B1 (ko)

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