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KR970063900A - 기생 트랜지스터가 포함된 전력 mos 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 - Google Patents

기생 트랜지스터가 포함된 전력 mos 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 Download PDF

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KR970063900A
KR970063900A KR1019970003787A KR19970003787A KR970063900A KR 970063900 A KR970063900 A KR 970063900A KR 1019970003787 A KR1019970003787 A KR 1019970003787A KR 19970003787 A KR19970003787 A KR 19970003787A KR 970063900 A KR970063900 A KR 970063900A
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semiconductor layer
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이꾸오 오아시
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

반도체 장치는 출력단자(15)로써의 N형 반도체 기판(21)과 상기 반도체 기판(21) 상에 형성된 제1반도체층(22)에 접속된 GND단자(16) 사이에 접속되어 있으며, 출력 단자와 GND 단자 사이에 접속된 부하로 전류 공급을 제어하기 위하여 제1노드에 접속된 게이트를 갖는 전력 MOSFET(12)와, 입력 신호를 받고 입력 신호에 반응하여 전력 MOSFET의 작동을 제어하는 제어회로와, 상기 제1반도체층(22) 상에 형성된 n형의 제2반도체층 내에 설치되어 있는 입력 단자와, 상기 반도체 기판과 제2반도체층 사이에 접속되어 있으며, 제1반도체층에 접속된 베이스를 갖는 기생 트랜지스터(24)와 부도체 상태로 기생 트랜지스터를 유지하기 위한 스위칭(switching) 회로를 갖는다.

Description

기생 트랜지스터가 포함된 전력 MOS 트랜지스터를 갖는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제1실시예를 보여주는 회로 다이어그램이다.
제2도는 제1도에 도시된 반도체 장치의 구조를 보여주는 단면도이다.
제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제2도의 실시예를 보여주는 회로 다이어그램이다.

Claims (8)

  1. 입력 신호를 발생하기 위한 입력 신호원과, 반도체 기판 상에 형성된 제2전도성 형태의 제1반도체층에 설치된 제1전력 단자와, 출력 단자로서 상기 제1전력 단자와 제1전도성 형태의 상기 반도체 기판 사이에 접속되어 있으며 상기 제1전력 단자와 상기 출력 단자 사이에 접속된 부하로의 전류의 공급을 제어하기 위하여 제1노드에 접속된 게이트를 갖는 전력 MOSFET와, 상기 입력 신호에 반응하여 상기 전력 MOSFET의 작동을 제어하기 위하여 상기 입력 신호를 수신하는 제어회로와, 상기 제1반도체층 상에 형성된 상기 제2반도성 형태의 제2반도체층 상에 설치된 입력 단자와, 상기 제2전도체층에 접속된 제1단자와, 상기 반도체 기판에 접속된 제2단자와, 상기 제1반도체 층에 접속된 베이스 단자를 갖는 기생 트랜지스터와, 상기 입력 단자와 상기 제1전력 단자 사이에 접속되어 있으며, 게이트 단자가 제2노드와 접속되어 있는 제1전도성 형태의 제1트랜지스터와, 상기 제1노드의 전압이 상기 제2노드의 전압보다 높을 때, 상기 제1트랜지스터를 턴온하기 위하여 상기 제1노드와 제2노드 사이에 접속된 제1스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1스위치는 상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 접속되어 있으며 상기 입력 노드에 접속된 게이트를 갖는 상기 제2전도성 형태의 제2MOSFET와, 상기 제2노드와 상기 제1전력 단자 사이에 접속된 저항 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 입력 신호를 발생하기 위한 입력 신호원과, 반도체 기판 상에 형성된 제2전도성 형태의 제1반도체층에 설치된 제1전력 단자와, 상기 단자로서 상기 제1전력 단자와 제1전도성 형태의 상기 반도체 기판 사이에 접속되어 있으며 상기 제1전력 단자와 상기 출력 단자 사이에 접속된 부하로의 전류의 공급을 제어하기 위하여 제1노드에 접속된 게이트를 갖는 전력 MOSFET와, 상기 입력 신호에 반응하여 상기 전력 MOSFET의 작동을 제어하기 위하여 상기 입력 신호를 수신하는 제어회로와, 상기 제1반도체층 상에 형성된 상기 제2전도성 형태의 제2반도체층 상에 설치된 입력 단자와, 상기 제2반도체층에 접속된 제1단자와, 상기 반도체 기판에 접속된 제2단자와, 상기 제1반도체 층에 접속된 베이스 단자를 갖는 기생 트랜지스터와, 상기 입력 단자와 상기 제어회로 사이에 접속된 스위칭 회로로서, 상기 스위칭 회로는 상기 입력 단자의 전압이 소정의 전압보다 높을 때 상기 입력 단자를 상기 제어 회로로 접속하며 상기 입력 단자의 전압이 소정의 전압보다 낮을 때 상기 입력 단자를 상기 제어 회로에서 떼어놓는 스위칭 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스위칭 회로는, 상기 입력 단자와 상기 제어 단자 사이에 접속되어 있으며 상기 제1전력 단자에 접속된 게이트를 갖는 상기 제1전도성 형태의 제1트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 입력 신호를 발생하기 위한 입력 신호원과, 반도체 기판 상에 형성된 제2전도성 형태의 제1반도체층에 설치된 제1전력 단자와, 출력 단자로서 상기 제1전력 단자와 제1전도성 형태의 상기 반도체 기판 사이에 접속되어 있으며 상기 제1전력 단자와 상기 출력 단자 사이에 접속된 부하로의 전류의 공급을 제어하기 위하여 제1노드에 접속된 게이트를 갖는 전력 MOSFET와, 상기 입력 신호에 반응하여 상기 전력 MOSFET의 작동을 제어하기 위하여 상기 입력 신호를 수신하는 제어회로와, 상기 제1반도체층 상에 형성된 상기 제2전도성 형태의 제2반도체층 상에 설치된 입력 단자와, 상기 제2전도체층에 접속된 제1단자와, 상기 반도체 기판에 접속된 제2단자와, 상기 제1반도체 층에 접속된 베이스 단자를 갖는 기생 트랜지스터와, 상기 입력 단자의 전압이 소정의 전압보다 높을 때 상기 입력 단자를 상기 제어 회로로 접속하고, 상기 입력 단자의 전압이 소정의 전압보다 낮을 때 상기 입력 단자를 상기 제어 회로에서 떼어놓기 위하여 상기 입력 단자와 상기 제어 회로 사이에 접속된 제1스위칭 회로와, 상기 입력 단자의 전압이 소정의 전압보다 낮을때 상기 전력 MOS 트랜지스터의 전하를 방전하기 위하여 상기 제1노드와 상기 제1전력 단자 사이에 접속된 제2스위칭 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1스위칭 회로는, 상기 입력 단자와 상기 제어 단자 사이에 접속되어 있으며 상기 제1전력 단자에 접속된 게이트를 갖는 상기 제1전도성 형태의 제1트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2스위칭 회로는 상기 제1노드와 상기 제1전력 단자 사이에 접속되어 있으며 제3노드에 접속된 게이트를 갖는 상기 제2전도성 형태의 제2트랜지스터와, 상기 제1노드와 상기 제3노드 사이에 접속되어 있으며 상기 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 상기 제1전도성 형태의 제3트랜지스터와, 상기 제3노드와 상기 제2전력 단자 사이에 접속된 저항 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 입력 신호를 발생하기 위한 입력 신호원과, 반도체 기판 상에 형성된 제2전도성 형태의 제1반도체층에 설치된 제1전력 단자와, 출력 단자로서 상기 제1전력 단자와 제1전도성 형태의 상기 반도체 기판 사이에 접속되어 있으며 상기 제1전력 단자와 상기 출력 단자 사이에 접속된 부하로의 전류의 공급을 제어하기 위하여 제1노드에 접속된 게이트를 갖는 전력 MOSFET와, 상기 입력 신호에 반응하여 상기 전력 MOSFET의 작동을 제어하기 위하여 상기 입력 신호를 수신하는 제어회로와, 상기 제1반도체층 상에 형성된 상기 제2전도성 형태의 제2반도체층 상에 설치된 입력 단자와, 상기 제2전도체층에 접속된 제1단자와, 상기 반도체 기판에 접속된 제2단자와, 상기 제1반도체 층에 접속된 베이스 단자를 갖는 기생 트랜지스터와,상기 입력 단자의 전압이 변할 때 부도체 상태로 상기 기생 트랜지스터를 유지하기 위한 스위칭 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970003787A 1996-02-06 1997-02-06 기생 트랜지스터가 포함된 전력 mos 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 KR100237896B1 (ko)

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