[go: up one dir, main page]

KR960002909A - 반도체 수광소자 및 반도체장치와 그들의 제작방법 - Google Patents

반도체 수광소자 및 반도체장치와 그들의 제작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960002909A
KR960002909A KR1019950017111A KR19950017111A KR960002909A KR 960002909 A KR960002909 A KR 960002909A KR 1019950017111 A KR1019950017111 A KR 1019950017111A KR 19950017111 A KR19950017111 A KR 19950017111A KR 960002909 A KR960002909 A KR 960002909A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
light receiving
conductivity type
region
high concentration
Prior art date
Application number
KR1019950017111A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100385306B1 (ko
Inventor
신지 다까꾸라
Original Assignee
이데이 노브유끼
소니 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노브유끼, 소니 가부시끼가이샤 filed Critical 이데이 노브유끼
Publication of KR960002909A publication Critical patent/KR960002909A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100385306B1 publication Critical patent/KR100385306B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/107—Integrated devices having multiple elements covered by H10F30/00 in a repetitive configuration, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은 광전변환특성과 주파수특성을 동시에 만족할 수 있는 반도체 수광소자 및 그 제작방법을 제공하는데 있다.
그 구성은 반도체 수광소자는 제1 및 제2수광영역을 가지며, 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 구조를 가지며, 이로써 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 광전변환특성 및 주파수특성을 가진다. 반도체 수광소자의 제작방법은 (가)제1도전형의 반도체기판(1)에 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역(10) 및 소자분리영역(30)을 형성하고, (나)반도체기판(1) 및 고농도 불순물영역(10) 위에 제2도전형을 가지는 반도체층을 형성하고, 이로서 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역(10) 및 반도체층으로 이루는 광전변환층(11)으로 구성된 제1수광영역 및 반도체기판에 형성된 반도체층으로 이루는 광전변환층(21)으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 각 공정으로 이룬다.

Description

반도체 수광소자 및 반도체장치의 그들의 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 실시예1의 반도체 수광소자의 모식적인 일부단면도이다,
제2도는 본 발명의 의한 실시예1의 반도체 수광소자의 제작공정을 설명하기위한 반도체기판등의 모식적인 일부단면도이다.

Claims (10)

  1. 제1 및 제2수광영역을 가지는 반도체 수광소자이며, 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 구조를 가지며, 이로써 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 광전변환특성 및 주파수특성을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체수광소자.
  2. 제1항에 있어서, 제1수광영역은 제2수광영역의 반도체기판에 형성된 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 그 위에 형성된 제2도전형을 가지는 광전변환층으로 이루며, 제2수광영역은 이 반도체기판에 형성되고, 제2도전형을 가지며 제1수광영역을 구성하는 광전변환층보다도 두꺼운 광전변환층으로 이루며, 각 수광영역사이에는 소자분리영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광소자.
  3. 제1항에 있어서, 제1수광영역은 제1도전형의 반도체기판에 형성된 제2도전형을 가지는 고농도 불순물영역, 그 위에 형성된 제2도전형을 가지는 광전변환층 및 이 광전변환층위 위에 형성된 제1도전형층으로 이루고, 제2수광영역은 이 반도체기판에 형성되고 제2도전형을 가지며 제1수광영역을 구성하는 광전변환층보다도 두꺼운 광전변환층으로 이루며, 각 수광영역사이에는 소자분리영역 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항 내지 제3항의 어느 1항에 있어서, 반도체 수광소자 및 반도체소자로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 반도체소자는 상기 제1도전형의 반도체기판에 형성된 제2도전형을 가지는 고농도 불순물영역의 상편에 형성된 바이폴러 트랜지스터로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. (가)제1도전형의 반도체기판에 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 소자분리영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판 및 고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 반도체층을 형성하고, 이로써, (a)이 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역 및 그 위에 형성된 이 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제1수광영역 및 (b)이 반도체기판에 형성된 이 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 수광소자의 제작방법.
  7. (가)제1도전형의 반도체기판에 제2도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 제1도전형을 가지는 소자분리영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판 및 고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 제1반도체층을 형성하고 이어서 고농도 불순물영역위에 제1반도체층에 제1도전형을 가지는 제2반도체층을 형성하고 이로써, (a)이 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역, 그 위에 형성된 이 제1반도체층으로 이루는 광전변환층 및 이 광전변환층위에 형성된 제2반도체층으로 구성된 제1수광영역 및 (b)이 반도체기판에 형성된 제1반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 수광소자의 제작방법.
  8. (가)제1도전형의 반도체기판에 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 소자분리영역을 형성하고, 겸해서 제2도전형을 가지는 제2고농도 불순물 영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판 제1 및 제2고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 반도체층을 형성하고, 이로써, (a)이 반도체기판에 형성된 제1고농도 불순물영역 및 그 위에 형성된 이 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제1수광영역 및 (b)이 반도체기판에 형성된 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 공정과, (다)제2고농도 불순물영역위에 반도체층에 반도체소자를 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장의 제작방법.
  9. (가)제1도전형의 반도체기판에 제2도전형을 가지는 제1고농도 불순물영역 및 제2고농도 불순물영역 및 제1도전형을 가지는 소자분리영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판과 제1 및 제2고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 제1반도체층을 형성하고 이로써 이 반도체기판에 형성된 제1반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제1수광영역을 형성하는 공정과, (다)제2고농도 불순물영역위에 제1반도체층에 반도체소자를 형성하고, 겸해서 제1고농도 불순물영역위에 제1반도체층에 제1도전형을 가지는 제1반도체층을 형성하고, 이로써 이 반도체기판에 형성된 제1고농도 불순물영역, 그 위에 형성된 제1반도체층으로 이루는 광전변환층 및 이 광전변환층위에 형성된 제2반도체층으로 구성된 제5수광영역을 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 반도체소자는 바이폴러 트랜지스터로 이루는 거을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950017111A 1994-06-30 1995-06-23 반도체수광소자및반도체장치와그들의제작방법 KR100385306B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-171838 1994-06-30
JP6171838A JPH0818093A (ja) 1994-06-30 1994-06-30 半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960002909A true KR960002909A (ko) 1996-01-26
KR100385306B1 KR100385306B1 (ko) 2003-09-13

Family

ID=15930700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950017111A KR100385306B1 (ko) 1994-06-30 1995-06-23 반도체수광소자및반도체장치와그들의제작방법

Country Status (7)

Country Link
US (4) US5898209A (ko)
EP (1) EP0694974B1 (ko)
JP (1) JPH0818093A (ko)
KR (1) KR100385306B1 (ko)
DE (1) DE69524684T2 (ko)
MY (1) MY117089A (ko)
SG (2) SG63728A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882354B2 (ja) * 1996-04-30 1999-04-12 日本電気株式会社 受光素子内蔵集積回路装置
JP3170463B2 (ja) * 1996-09-30 2001-05-28 シャープ株式会社 回路内蔵受光素子
JP3918220B2 (ja) * 1997-02-27 2007-05-23 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5994162A (en) * 1998-02-05 1999-11-30 International Business Machines Corporation Integrated circuit-compatible photo detector device and fabrication process
US6034407A (en) * 1998-07-31 2000-03-07 Boeing North American, Inc. Multi-spectral planar photodiode infrared radiation detector pixels
EP0986110A1 (de) * 1998-09-10 2000-03-15 Electrowatt Technology Innovation AG Lichtempfindliches Halbleiterelement und Verwendung zur Regelung von Flammen
US6118142A (en) * 1998-11-09 2000-09-12 United Microelectronics Corp. CMOS sensor
US6168966B1 (en) * 1999-02-18 2001-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Fabrication of uniform areal sensitivity image array
JP3317942B2 (ja) * 1999-11-08 2002-08-26 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4208172B2 (ja) * 2000-10-31 2009-01-14 シャープ株式会社 フォトダイオードおよびそれを用いた回路内蔵受光素子
US7212240B1 (en) 2001-05-25 2007-05-01 Dalsa, Inc. Imager with a row of photodiodes or pinned photo diodes
US6504196B1 (en) * 2001-08-30 2003-01-07 Micron Technology, Inc. CMOS imager and method of formation
US6960796B2 (en) * 2002-11-26 2005-11-01 Micron Technology, Inc. CMOS imager pixel designs with storage capacitor
KR100685892B1 (ko) * 2005-06-07 2007-02-26 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4618064B2 (ja) 2005-09-12 2011-01-26 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7652313B2 (en) * 2005-11-10 2010-01-26 International Business Machines Corporation Deep trench contact and isolation of buried photodetectors
JP4396684B2 (ja) * 2006-10-04 2010-01-13 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
WO2011158567A1 (ja) * 2010-06-18 2011-12-22 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びデジタルカメラ
FR2969821A1 (fr) * 2010-12-23 2012-06-29 St Microelectronics Sa Dispositif d'imagerie matriciel a photosites a commandes monocoup de transfert de charges
JP6119184B2 (ja) * 2012-10-19 2017-04-26 株式会社ニコン 固体撮像素子、撮像装置および固体撮像素子の製造方法
CN111033760B (zh) * 2017-08-09 2023-01-03 株式会社钟化 光电转换元件和光电转换装置
CN111052402B (zh) * 2017-09-13 2023-06-06 株式会社钟化 光电转换元件和光电转换装置
EP3664161A1 (en) 2017-11-15 2020-06-10 Kaneka Corporation Photoelectric conversion device

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448344A (en) * 1966-03-15 1969-06-03 Westinghouse Electric Corp Mosaic of semiconductor elements interconnected in an xy matrix
JPS51113481A (en) * 1975-03-28 1976-10-06 Sony Corp Semiconductor device
CA1119493A (en) * 1978-07-21 1982-03-09 Mamoru Fujieda Fuel injection system for internal combustion engine
JPS5638697A (en) * 1979-09-05 1981-04-13 Mitsubishi Electric Corp Detector for number of passed articles
EP0038697B1 (en) * 1980-04-22 1984-12-12 Semiconductor Research Foundation Semiconductor image sensor
EP0048480B1 (en) * 1980-09-19 1985-01-16 Nec Corporation Semiconductor photoelectric converter
EP0075192B1 (en) * 1981-09-17 1990-03-14 Kabushiki Kaisha Toshiba An optical head
JPS5963778A (ja) * 1982-10-01 1984-04-11 Hamamatsu Tv Kk シリコンホトダイオ−ド装置およびその製造方法
JPS59108344A (ja) * 1982-12-14 1984-06-22 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子
US5210434A (en) * 1983-07-02 1993-05-11 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter with scanning circuit
JPS6097681A (ja) * 1983-10-31 1985-05-31 Matsushita Electric Works Ltd モノリシツク集積回路
US5268309A (en) * 1984-09-01 1993-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a photosensor
JPS6161457A (ja) * 1984-09-01 1986-03-29 Canon Inc 光センサおよびその製造方法
JPH0654957B2 (ja) * 1985-11-13 1994-07-20 キヤノン株式会社 光電変換装置
DE3706278A1 (de) * 1986-02-28 1987-09-03 Canon Kk Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren hierfuer
JP2757985B2 (ja) * 1986-10-01 1998-05-25 ソニー株式会社 受光装置とその製造方法
JPS63122267A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Canon Inc 光センサ
JPS63132455U (ko) * 1987-02-20 1988-08-30
JPS63299163A (ja) * 1987-05-28 1988-12-06 Nec Corp 光半導体集積回路
JPH01211966A (ja) * 1988-02-18 1989-08-25 Fujitsu Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JPH01273364A (ja) * 1988-04-25 1989-11-01 Clarion Co Ltd フォトダイオードアレイおよびその製造方法
JPH02187079A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Sharp Corp ホトダイオード
NL8901400A (nl) * 1989-06-02 1991-01-02 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een stralingsgevoelig element.
US5410175A (en) * 1989-08-31 1995-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Monolithic IC having pin photodiode and an electrically active element accommodated on the same semi-conductor substrate
JPH05145051A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JPH05206500A (ja) * 1992-01-28 1993-08-13 Nippondenso Co Ltd 光電変換モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US5858810A (en) 1999-01-12
DE69524684T2 (de) 2002-08-08
EP0694974B1 (en) 2001-12-19
MY117089A (en) 2004-05-31
US5898209A (en) 1999-04-27
KR100385306B1 (ko) 2003-09-13
EP0694974A3 (en) 1996-05-15
US5825071A (en) 1998-10-20
EP0694974A2 (en) 1996-01-31
SG63728A1 (en) 1999-03-30
US6097074A (en) 2000-08-01
DE69524684D1 (de) 2002-01-31
SG52152A1 (en) 1998-09-28
JPH0818093A (ja) 1996-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960002909A (ko) 반도체 수광소자 및 반도체장치와 그들의 제작방법
KR950021772A (ko) 적어도 하나의 모오스(mos) 트랜지스터를 구비한 집적회로의 제조방법
KR920010933A (ko) Ccd 전하전송소자와 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR970023863A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR970024165A (ko) 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법(A Semiconductor Integrated Circuit and Its Fabricating Method)
KR970024265A (ko) 반도체 장치
KR930005259A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR940006395A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
SE8007199L (sv) Zener-diod
KR920005280A (ko) Mos형 반도체장치
KR830008400A (ko) 고체촬상 장치
KR900015311A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR970067916A (ko) 접합누설이 적은 저 스트레스 광다이오드
KR900002408A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970008640A (ko) 반도체 장치
KR970054370A (ko) 수평구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
KR910013565A (ko) 래터럴형 반도체장치
KR100247281B1 (ko) 바이폴라 트랜지스터 구조를 이용한 접합 축전기 및 그 제조 방법
KR910008853A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR940027205A (ko) 고체촬상소자 제조방법
KR920015648A (ko) 광 반도체 장치
KR900011044A (ko) Mos트랜지스터 및 이 mos트랜지스터를 사용한 차동증폭회로
KR910001889A (ko) 반도체장치
JPH03155659A (ja) 半導体装置
KR880010508A (ko) 반도체장치와 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19950623

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20000612

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19950623

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20020624

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20030224

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20030513

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20030514

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060502

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070430

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080428

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090429

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100504

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110509

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110509

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20130409