[go: up one dir, main page]

KR930005259A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930005259A
KR930005259A KR1019920014384A KR920014384A KR930005259A KR 930005259 A KR930005259 A KR 930005259A KR 1019920014384 A KR1019920014384 A KR 1019920014384A KR 920014384 A KR920014384 A KR 920014384A KR 930005259 A KR930005259 A KR 930005259A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
conductive
semiconductor substrate
forming
concentration anode
Prior art date
Application number
KR1019920014384A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950014279B1 (ko
Inventor
마사시 구와하라
Original Assignee
사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또 후미오, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 사또 후미오
Publication of KR930005259A publication Critical patent/KR930005259A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950014279B1 publication Critical patent/KR950014279B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/441—Vertical IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
    • H10D62/142—Anode regions of thyristors or collector regions of gated bipolar-mode devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
    • H10D64/251—Source or drain electrodes for field-effect devices
    • H10D64/256—Source or drain electrodes for field-effect devices for lateral devices wherein the source or drain electrodes are recessed in semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
    • H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
    • H10D84/013—Manufacturing their source or drain regions, e.g. silicided source or drain regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 장치(IGBT)의 단면도,
제2도는 본 발명의 반도체 장치(IGBT)의 제조공정의 단면도,
제3도는 본 발명의 반도체 장치(IGBT)의 제조공정의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 기판(1), 상기 반도체 기판에 형성된 제1도전형 드레인 영역(12), 상기 드레인 영역 내에 형성되고, 그 단부가 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제2도전형 베이스 영역(13), 상기 베이스 영역 내에 형성되고, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제1도전형 소스영역(14), 상기 반도체 기판의 제1주요면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막(15)를 통해 형성된 게이트 전극(16), 상기 반도체 기판의 제2주요면 상에 형성된 제2도전형 저농도 애노드 영역(11)및 상기 저농도 애노드 영역 내에 형성되고, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 애노드 영역(21)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 저농도 애노드 영역과의 사이에는 제1도전형 버퍼층(20)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저농도 애노드 영역의 표면에는 파쇄층(25)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저농도 애노드 영역의 불순물 농도가 1×1016/cm3에서 1×1018/cm3의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 반도체 기판에 제1도전형 드레인 영역을 형성하는 공정, 상기 드레인 영역 내에, 그 단부가 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제2도전형 베이스 영역을 형성하는 공정, 상기 베이스 영역내에, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 저1도전형 소스 영역을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제1주요면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제2주요면 상에 제2도전형 저농도 애노드 영역을 기상성장으로 형성하는 공정 및 상기 저농도 애노드 영역 내에, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 애노드 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 반도체 기판에 제1도전형 드레인 영역을 형성하는 공정, 상기 드레인 영역 내에, 그 단부가 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제2도전형 베이스 영역을 형성하는 공정, 상기 베이스 영역내에, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제1도전형 소스 영역을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제1주요면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제2주요면 상에 제2도전형 저농도 애노드 영역을 형성하는 공정 및 상기 저농도 애노드 영역 내에, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 애노드 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1도전형 반도체 기판과 제2도전형 반도체 기판을 접합하여 제1도전형 드레인 영역과 이 영역에 접하는 제2도전형 저농도 애노드 영역을 형성하는 공정, 상기 드레인 영역 내에, 그 단부가 상기 드레인 영역의 표면에 접해 있는 제2도전형 베이스 영역을 형성하는 공정, 상기 베이스 영역내에, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 드레인 영역의 표면에 인접해 있는 제1도전형 소스 영역을 형성하는 공정, 상기 제1도전형 반도체 기판의 표면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정 및 상기 저농도 애노드 영역 내에, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920014384A 1991-08-12 1992-08-11 반도체 장치 및 그 제조 방법 KR950014279B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-225382 1991-08-12
JP3225382A JPH0548111A (ja) 1991-08-12 1991-08-12 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930005259A true KR930005259A (ko) 1993-03-23
KR950014279B1 KR950014279B1 (ko) 1995-11-24

Family

ID=16828483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920014384A KR950014279B1 (ko) 1991-08-12 1992-08-11 반도체 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5331184A (ko)
EP (1) EP0528349B1 (ko)
JP (1) JPH0548111A (ko)
KR (1) KR950014279B1 (ko)
DE (1) DE69217427T2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4313170A1 (de) * 1993-04-22 1994-10-27 Abb Management Ag Leistungshalbleiterbauelement
DE4427988A1 (de) * 1994-08-08 1996-02-15 Abb Management Ag MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement für hohe Spannungen
KR970054363A (ko) * 1995-12-30 1997-07-31 김광호 다이오드를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3488772B2 (ja) * 1996-01-16 2004-01-19 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3352592B2 (ja) * 1996-05-16 2002-12-03 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO1997047044A1 (en) * 1996-06-06 1997-12-11 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Insulated gate bipolar transistor with reduced losses
US8314002B2 (en) * 2000-05-05 2012-11-20 International Rectifier Corporation Semiconductor device having increased switching speed
JP3727827B2 (ja) * 2000-05-15 2005-12-21 株式会社東芝 半導体装置
EP1271653B1 (en) * 2001-02-02 2009-07-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device comprising an insulated gate bipolar transistor and a free-wheel diode
DE10117483A1 (de) * 2001-04-07 2002-10-17 Bosch Gmbh Robert Halbleiterleistungsbauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP2006210606A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
EP1691413A1 (fr) * 2005-02-11 2006-08-16 Axalto SA Composant électronique protégé contre les attaques.
JP2007166125A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Megachips Lsi Solutions Inc 記憶システム
DE102006001252B4 (de) * 2006-01-10 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Bipolares Leistungshalbleiterbauelement mit einem p-Emitter und höher dotierten Zonen in dem p-Emitter und Herstellungsverfahren
JP2009004668A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Toshiba Corp 半導体装置
IT1402879B1 (it) * 2010-11-19 2013-09-27 St Microelectronics Srl Dispositivo igbt con regioni di emettitore sepolte
CN103151251B (zh) * 2011-12-07 2016-06-01 无锡华润华晶微电子有限公司 沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE8107136L (sv) * 1980-12-02 1982-06-03 Gen Electric Styrelektrodforsedd likriktaranordning
US4782379A (en) * 1981-11-23 1988-11-01 General Electric Company Semiconductor device having rapid removal of majority carriers from an active base region thereof at device turn-off and method of fabricating this device
JPS60189260A (ja) * 1984-03-09 1985-09-26 Toshiba Corp 逆阻止型ゲートターンオフサイリスタ
JPS6445173A (en) * 1987-08-13 1989-02-17 Fuji Electric Co Ltd Conductive modulation type mosfet
JPH07107935B2 (ja) * 1988-02-04 1995-11-15 株式会社東芝 半導体装置
JPH0648729B2 (ja) * 1988-02-24 1994-06-22 シーメンス、アクチエンゲゼルシシヤフト 電界効果制御可能のバイポーラ・トランジスタ
DE3939324A1 (de) * 1989-11-28 1991-05-29 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungs-halbleiterbauelement mit emitterkurzschluessen
JPH03171777A (ja) * 1989-11-30 1991-07-25 Toshiba Corp 半導体装置
JP2663679B2 (ja) * 1990-04-20 1997-10-15 富士電機株式会社 伝導度変調型ｍｏｓｆｅｔ
DE4123414A1 (de) * 1991-07-15 1993-01-21 Siemens Ag Leistungs-halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
DE69217427T2 (de) 1997-06-19
JPH0548111A (ja) 1993-02-26
EP0528349A1 (en) 1993-02-24
KR950014279B1 (ko) 1995-11-24
US5331184A (en) 1994-07-19
EP0528349B1 (en) 1997-02-12
DE69217427D1 (de) 1997-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930005259A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR930005257A (ko) 박막 전계효과 소자 및 그의 제조방법
KR840005933A (ko) 전계효과 트랜지스터의 제조방법
KR920020598A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR920003549A (ko) Mis형 반도체장치
KR970054363A (ko) 다이오드를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
KR950021772A (ko) 적어도 하나의 모오스(mos) 트랜지스터를 구비한 집적회로의 제조방법
KR890016691A (ko) 기생 트랜지스터가 동작하기 어려운 구조를 가진 반도체 장치 및 그 제조방법
KR890013796A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR850004875A (ko) 반도체 메모리 장치
KR890004441A (ko) 화합물 반도체장치 및 그 제조방법
KR880014649A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR900013652A (ko) 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치
KR910019260A (ko) 반도체장치및 그의 제조방법
KR910008857A (ko) Mos형 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
KR880006789A (ko) 고신뢰성 반도체 장치와 그 제조 방법
KR850005169A (ko) 우물영역을 갖는 반도체기판상에 형성되는 mis형 반도체장치
KR910008861A (ko) 집적회로소자
KR900015311A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR920022563A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR920013776A (ko) 전계효과 트랜지스터
KR940008130A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR900015316A (ko) 반도체장치
KR910013568A (ko) 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법
KR930003430A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19920811

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19920811

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19951031

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19960224

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19960325

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19960325

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19971229

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19991019

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20001030

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20011031

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20021030

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20031030

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20041101

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20051031

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20061031

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20071029

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20081027

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20091028

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20101028

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111028

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20111028

Start annual number: 17

End annual number: 17

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term