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KR950010105A - 고체촬상소자 및 그 제조방법 - Google Patents

고체촬상소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950010105A
KR950010105A KR1019940024110A KR19940024110A KR950010105A KR 950010105 A KR950010105 A KR 950010105A KR 1019940024110 A KR1019940024110 A KR 1019940024110A KR 19940024110 A KR19940024110 A KR 19940024110A KR 950010105 A KR950010105 A KR 950010105A
Authority
KR
South Korea
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insulating film
light shielding
interlayer insulating
film
Prior art date
Application number
KR1019940024110A
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English (en)
Inventor
다까히사 우에노
Original Assignee
오가 노이로
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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Abstract

선택되진 않은 화소에 있어서의 트랜지스터의 소스/드레인영역에의 광입사를 유효하게 차광하여, 선택되지 않은 화소로부트의 위신호(僞信號)의 현출을 방지하여, 이른바 블루밍 등의 노이즈에 의한 화질의 열화를 저감시킨다.
소스영역(7S)을 에워싸도록 형성되고, 수평시프트레지스터로부터 도출되고, 행단위로 선택하는 선택선 Lh이 전기적으로 접속된 게이트전극(4)을 가진 광전변환용(光電變換用) 트랜지스터 Tr가 각 화소에 대응하여 배열되고, 또한 각 트랜지스터 Tr의 소스영역(7S)에, 층간절연막(8)에 형성된 콘택트홀(9)을 통해 수직신호선 Ls이 접속된 고체촬상소자에 있어서, 층간절연막(8) 아래에 최소한 신호선 Ls에 접속되어 있는 소스영역(7S)을 덮도록 차광막(12)을 형성하여 구성한다. 이 차광막(12)으로서는, 예를 들면 고융점 금속막으로 형성할 수 있다.

Description

고체촬상소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 고체촬상소자를 화소에 따라서 MOS 트랜지스터를 가진 증폭형의 고체촬상소자에 적용한 실시예(실시예에 관한 증폭형 고체촬상소자라고 함)를 나타낸 등가회로도이다,
제2도는 본 발명에 관한 증폭형 고체촬상소자의 각 화소의 구성을 나타낸 평면도이다,
제3도는 제2도에 있어서의 A-A선상의 단면도이다.

Claims (4)

  1. 한쪽의 소스/드레인영역을 에워싸도록 형성되고, 행단위 또는 열단위로 선택하는 선택선이 전기적으로 접속된 게이트전극을 가진 광전변환용 트랜지스터가 각 화소에 대응하여 배열되고, 이들 트랜지스터의 상기 소스/드레인영역에, 층간절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 신호선이 접속된 고체촬상소자에 있어서, 상기 층간절연막 아래에 최소한 상기 신호선에 접속되어 있는 소스/드레인영역을 덮도록 차광막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차광막이 고융점 금속막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  3. 반도체 기체(氣體)에 형성된 한쪽의 소스/드레인영역을 에워싸도록 형성되고, 행단위 또는 열단위로 선택하는 선택선이 전기적으로 접속된 게이트전극을 가진 광전변환용 트랜지스터가 각 화소에 대응하여 배열되고, 이들 트랜지스터의 상기 소스/드레인영역에, 층간절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 신호선이 접속된 고체촬상소자의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극상에 절연막을 개재하여 차광막을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극상에 절연막을 개재하여 차광막을 형성하는 공정과, 상기 차광막을 선택적으로 패터닝하여, 최소한 게이트전극으로 에워싼 한쪽의 소스/드레인 영역상에 남기는 공정과, 전체면에 상기 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막에 상기 한쪽의 소스/드레인영역에 달하는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막상에 상기 콘택트홀을 통해 상기 소스/드레인영역에 접속되는 신호선을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 차광막이 고융점 금속막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940024110A 1993-09-28 1994-09-26 고체촬상소자 및 그 제조방법 KR950010105A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100872290B1 (ko) * 2002-09-25 2008-12-05 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR101411800B1 (ko) * 2009-12-26 2014-06-24 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 장치 및 촬상 시스템

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2998646B2 (ja) * 1996-07-29 2000-01-11 日本電気株式会社 受光演算素子
JP3702611B2 (ja) * 1997-10-06 2005-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
KR100266656B1 (ko) * 1998-01-09 2000-10-02 김영환 반도체 소자 및 그 제조방법
JP3228331B2 (ja) * 1998-03-30 2001-11-12 日本電気株式会社 固体撮像デバイス
JP3372216B2 (ja) * 1998-11-11 2003-01-27 株式会社東芝 増幅型固体撮像装置
JP3601761B2 (ja) 1998-11-19 2004-12-15 松下電器産業株式会社 受光素子およびその製造方法
KR20000048110A (ko) * 1998-12-15 2000-07-25 카네코 히사시 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP3225939B2 (ja) * 1998-12-18 2001-11-05 日本電気株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US6207984B1 (en) * 1998-12-23 2001-03-27 United Microelectronics Corp. CMOS sensor
US6302235B1 (en) * 2000-03-03 2001-10-16 Carson J. Matherne High-performance muffler
JP4419264B2 (ja) * 2000-03-31 2010-02-24 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2002158345A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Shimadzu Corp 固体撮像素子
US6812539B1 (en) * 2003-04-10 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Imager light shield
KR100630679B1 (ko) * 2003-12-17 2006-10-02 삼성전자주식회사 포토 다이오드 및 이의 제조 방법
JP4715931B2 (ja) * 2009-02-10 2011-07-06 ソニー株式会社 電荷検出装置及び電荷検出方法、並びに固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像装置
JP6486335B2 (ja) * 2014-04-22 2019-03-20 日立ジョンソンコントロールズ空調株式会社 空気調和機及びその除霜運転方法
CN108598100B (zh) * 2018-06-15 2020-10-02 上海微阱电子科技有限公司 一种减小存储节点漏光的全局像元结构及制作方法
CN111508834A (zh) * 2019-12-30 2020-08-07 中国科学院微电子研究所 硅基光电探测器的制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0038697B1 (en) * 1980-04-22 1984-12-12 Semiconductor Research Foundation Semiconductor image sensor
JPS56150871A (en) * 1980-04-24 1981-11-21 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5945781A (ja) * 1982-09-09 1984-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体撮像装置
JPS59158551A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体光検出装置及びその駆動方法
JPS615580A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4901129A (en) * 1987-04-10 1990-02-13 Texas Instruments Incorporated Bulk charge modulated transistor threshold image sensor elements and method of making
JPH0828473B2 (ja) * 1988-09-29 1996-03-21 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE69127644T2 (de) * 1990-03-02 1998-02-05 Canon Kk Fotoelektrische Übertragungsvorrichtung
JPH0424964A (ja) * 1990-05-16 1992-01-28 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPH04312082A (ja) * 1991-04-10 1992-11-04 Sony Corp 固体撮像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100872290B1 (ko) * 2002-09-25 2008-12-05 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR101411800B1 (ko) * 2009-12-26 2014-06-24 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 장치 및 촬상 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
DE69404800D1 (de) 1997-09-11
DE69404800T2 (de) 1998-03-12
JPH0799298A (ja) 1995-04-11
EP0650198A1 (en) 1995-04-26
EP0650198B1 (en) 1997-08-06
US5773859A (en) 1998-06-30

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Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19940926

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid