JPS5945781A - 半導体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光に感し増幅作用を有する受光部と７トリクス
選択のスイッチングを１１１−のＩ・ランジスタて行な
い、高感度高速なことを特徴とする静電誘導トランジス
タによりひとつのセルを構成したことを特徴とする半導
体撮像装置に関する。

従来の半導体撮像装置は光検出用のダイオードとスイッ
チ用のＭＯＳトランジスタによりひとつのセルか構成さ
れていて、光検出をダイオードで行なうために感度が悪
いという欠点を有している。

一１ｉｌ、ＭＯＳ）ランジスタをスイッチング用に使用
していることから、スイッチングに伴なう雑音イオード
とＭＯＳ）ランジスタのセルでは感度の点からは集積度
を高める限界かある。

本発明者により光検出に光感度の大きい静電誘導トラン
ジスタ、スイッチ用に光検出と同じ静電誘導トランジス
タを使った、１セル１トランジスタ方式の半導体装置を
特願昭５６−２０４６！５６号により既に開示している
。しかし、既に開示されているＳＩＴイメージセンサて
は具体的動作方法、セル間の信号分離方法の点て具体性
を欠いていた。

本発明は、開示した半導体撮像装置の特性のうち各セル
間の信号分離方法の改善と集積度を増すための新規なセ
ル構造を導入することにより新しい半導体撮像装置を提
供することにある。

従来の半導体撮像装置を第１図に示す。第１図ｆａｔ、
（ｂｌ　ニおいて１はＳｉのｎ子基板、　２は高抵抗な
ｎ一層ないしは真性半導体領域、３はソースあるいはド
レインとなる高不純物密度なｎ十領域、４は第１のゲー
トとなるべき高不純物密度なｐ４゛領域、５は第２のゲ
ートとなるへき高不純物密度なｐ＋領領域ある。８はソ
ースないしドレイン電極、１０はドレインないしはソー
ス電極、６は５ｉＯｚ膜、Ｓｉ３Ｎ４膜等の絶縁物で、
７は第１のゲ−１−電極、９はＳｉＯ２膜等の表面保護
膜である。

１１はスイッチング用のトランジスタ、１２はスイッチ
ング用トランジスタ１１を制御するφＳというビデオラ
イン選択用のパルス電圧を発生させる回路である。１３
はφＧという読み出し用の第１ゲートへのパルス電圧を
発生するアドレス回路、１４はスイッチング用トランジ
スタの負荷抵抗、１５はフォトセル部へのビデオ電圧電
源、１６はスイッチ用トランジスタ１１と負荷抵抗１４
まての配線（ビデオライン）を示している。１８は先入
ノＪである。

第２ゲート５は電気的にフローティングの状態、もしく
は所定のバイアス回路により一定電でおり、（ｂ）では
基板ｎ＋領領域か接地されている。

第１図（ａｌの１セル部分の読み出し回路図を第１図（
Ｃ１に示す。第１図ｉａｌてはンースｎ十領域３が接地
されているため、第１図（Ｃ１でもＳＩＴのソースが接
地されている。ここでは図示しないが第１図（ｂｌの１
セル部分の読み出し回路ではｎ′ｌ−ドレイン１が接地
されるから１セル部分の読み出し回路ではＳＩＴの表示
は逆になる。既にＳＩＴは逆動作となる。

ｉ　ｌ　図ｉＣ１において１１のトランジスタのヘース
ないしはゲートにφＳというパルス電圧が加わり、トラ
ンジスタ１１か導通してビデオ電圧源１５の電圧が第１
図ｆａｔの断面図に示すフｔ　ト１−ランジスタ１９に
加わると光入力１８により光信号の書き込みが行なわれ
る。このときφＧは印加されていない。φＧが印加され
、フォトトランジスタ１９か導通ずると、光入力１８に
対応してトレイン電流か生じ出力端子１７より光出力信
号か得られる。光入力１８の強弱によって出力端子１７
の光出力は変化し、ダイナミックレンジが大きいという
特性カ得られ、光増幅率は従来のバイポーラトランジス
タよりも大きいという特徴がある。

第１図＋ｄ）は第１図［ｂ）に示された逆動作ＳＩＴの
イメージセンサのＩセル部分の光ダイナミック特性の一
例である。デバイスの１１法は５０μ×５５μ程度であ
り、ゲートの蓄積容ｈ１は約５ｐＦ、光積分時間２５　
ｍ　Ｓｅｃである。

第１図（ａｌ、（ｂｌの断面図に示される〕Ａ！・トラ
ンジスタは第１ゲート４とソース３間の距離Ｗ１、第２
ゲート５とソース３間の距離Ｗ２かほぼ同してあって、
第１ケート及び第２ケートには同程度の確率で先によっ
て発生したキャリアが蓄積されることから、ソースドレ
イン間の信号電流に与える第１ケート及び第２ゲートの
電圧変化は同程度の寄与である。

これは第１ヶ−１・４とソース３間の拡散電位Ｖｂ＋と
第２ケート５とソース３間の拡散電位Ｖｂｚか殆んと等
しく、光信号１８か照射されたときの第１ケート４及び
第２ケート５のソース３に対する電位障壁の低下の程度
が同程度に生しることによっている。このために第２ケ
ートをフローティングにしても、電位障壁の低下によっ
て第２ゲートとソース３間のチャンネル領域、第１ゲー
トとソース３間のチャンネル領域と同程度に光電変換電
流か流れ、第２ゲートの電位をチャンネル２に対して固
定できなくなる。

本発明は上述の従来の半導体撮像装置の欠点をな（すた
めのものである。第１の本発明の目的は制御用の第１の
ゲート領域（以下コントロールゲートと称す）とは別に
第２のゲーＩ・領域と（以下シールディングゲートと称
す）をフォトセルを集積化するときに、隣り合うフォト
セルの分離をよくするために設けたことを特徴とする。

第２・の本発明の目的は制御用のゲート領域とひとつの
主電極とチャンネルより形成されるｐ＋１（ｎ−１ν）
ｎｌ−ダイオードの受光面積を大きくし、単位画素子の
所要面積を小さくして高集積化を図ることである。

さらに第１のゲートにのみ光感度を持たせ、第２のゲー
トは隣接するセル間の分離用としてのみ機能させるため
の構造（不純物の密度、寸法）を導入することも本発明
の目的の−っである。

以下図面を参照して本発明を詳述する。第２図は本発明
の基本的な実施例を示す。断面図は受光用静電誘導トラ
ンジスタのフォトセル部ヲ示し、外部回路は第１図（ｂ
ｌのものと同しである。

２０はｐ型の高不純物密度（１×１０１７ｃｒｎ−３以
」二）なコントロヘールゲート領域でｎ＋のソース領域
３よりＷ＋の距離に位置している。２１はｐ型の高不純
物密度（Ｉ　Ｘ　１０”ｃｒｎ３以上）なシールディン
グゲート領域でｎ＋のソース領域とはＷｌよりも小さい
Ｗｌという距離に位置している。他の構造は従来の第１
図の半導体撮像装置と同しであるので説明を省略する。

第１のゲート（コントロールゲート）にのみ光感度を持
たせ、第２のゲート（シールディングゲート）１こは光
感度が生じにくい特性を持たせるためにコントロールゲ
ート領域２０とソース領域３の拡散電位はシールディン
グゲート領域２１とソース領域３の拡散電位よりも低く
するよう番こ、例えばＷｌ＞Ｗｌとして、かつコントロ
ールゲート２０の不純物密度よりシールディングゲート
２１の不純物密度を１桁高くする等の発展型がある。

光入力１８が該フォトセルに照射されたとき、チャンネ
ル中に生じた電子、正孔対のうち電子はドレイン領域１
に到達する。正孔は拡散電位の低いコントロールゲート
領域２０に到達し、コントロールゲート領域２０を正に
帯電させる。コントロールゲート領域２０とソース領域
３の電位は低下し光に対する増幅は行なわれる。一方ン
ールデイングゲート領域２１とソース領域３の拡散電位
はコントロールゲート領域２０とソース領域、３の拡散
電位よりも大きいこととシールディングゲート２１のま
わりのダイオードの受光面積が少ないので光照射されて
も、光に対するソールディングゲートの電位変化による
増幅率は、小さい。このような新規な構造のフメトセル
の導入により第１図に示す従来のフォトセルよりも、ソ
ース領域とシールデイングゲ−１・の間隔は縮少するこ
とができ、集積度は著しく向上し、かつｍ　像装ａのマ
トリクス間のアイソレーションがより効果的に行なわれ
る。

第２図［ａｌにおいて、ｎ子基板１をｎ＋のソース領域
とした実施例は、第１図１８＋のように実施することが
できるのはいうまでもない。

本発明の実施例においては第２図ｔａｌに示す如く、光
の照射される一方の主表面のｎ＋領域３をソース領域と
して形成する場合と、光のあたらない一方の主表面１を
ソース領域とした場合があって、動作状態は同様にでき
るので、第２図（ａｌに示す実施例のように片方を説明
するたけにする。第２図ｔｂ＋は本発明の実施例の一つ
を示す。

第２図（ａｌの構造にさらにシールデイングゲ−１・の
上側領域からの光の侵入を防ぐためにＡ１等により形成
された遮光用のマスク２２をンールデイ／クゲート上に
設けたものである。ｎ＋基板１の不純物密度、３のｎ＋
領領域不純物密度はおおよそ１０１７〜１０２２ｃｒｎ
−３として、て〉ろ丘−ゴ高いことが望ましい。チャン
ネル領域の不純物密度はおおよそ１０１６ｍ−３以下で
あって、ｎ−１νあるいは真性半導体領域とすることが
できる。コントロールゲート領域２０、シールディング
ゲート領域２１の不純物密度はおおよそ１０１７〜１０
２２ｃｒｎ−３とする。特に第１ゲート及び第２ゲート
の不純物密度に差を設けずに単にＷｌ＞　Ｗ２とする構
造が最も容易に製造可能である。

チャンネル領域２はｎ子基板１上へ例えば５ｉＣａとＨ
２ガスによる気相成長方法によって形成し、ゲート領域
２０．２１及びｎ十領域３は通常のボロンないしはリン
による選択拡散法、あるいは選択イオン注入法、ないし
はボロンドープないしはソンドーブのポリシリコンによ
る選択拡散により形成される。

コントロールゲート領域に接続されるキャパシタンスは
ＳｉＯ２，５ｉａＮ４．　ＡｌｚＯ３、ＡＩＮあるいは
これらの複合膜によって形成される。８．７．１０の各
電極はｋｇもしくはＡｒ１−　Ｓｉの真空蒸希によって
形成される。

第３図ｆａｔ、ｆｂｌに示す実施例は、／−ルディ、ン
グゲート領域２１とソース領域３との拡散電位（以下Ｖ
ｂｉ　（Ｓｌとする）をコントロールゲート領域２０と
ソース領域３の拡散電位（以下Ｖｂｉ　（Ｃ１）よりも
大きくするために、シールディングゲート領域の厚さｄ
２をコントロールゲート領域の厚さｄ、よりも、大きく
したことを特徴としている。

シールディングゲートのｐ＋領領域コントロールゲート
のｐ十領域よりも深（形成されているので、ソース領域
に対する拡散電位Ｑｉ　（Ｓｌ　＞　Ｖｂｉ　ｆｃＩと
なって、シールディングゲートによる画素間の信号分離
の効果は強くなる。

第３図（ｂｌに示す実施例において領域２２はシールデ
イングゲ−１・２１上及びその周辺のチャンネル領域２
３に照射される光を遮断するための膜で例えはＡＩ膜で
ある。このように７−ルデイングゲーｈ、、２１とシー
ルディングゲート近傍に光が侵入せず、もっばらコント
ロールゲート２０とコントロールゲート近傍にのみ光が
照射されることによって、シールディンクゲ−１・の電
位は光にることに加えてさらに隣接するフォトセルとの
分離か効果的に実施される。

ソールティングゲートの深い拡散は最、初にシールティ
ングゲート領域のみをボロンによって選択拡散し、次に
フントロールゲート領域の酸化膜をフメトリソグラフィ
によって加工し、続Ｉｒｔ　”？：　ホＣ１７＋ｃよる
選択拡散を行なうことによって行なうことができる。

第３図に示した実施例のシールディングゲートの不純物
密度はＩＱ　”　ｃｍ−３−１１０２２ｔ　”、コント
ロールゲートの不純物密度も１ｏ１７ｔＭ−３〜１ｏ２
２硼−３トし、ｎ＋ソース３及びｎ子基板ｌはＩＱ１８
ｃＷ”以」二である。

第４　図（ａｌ、（ｂｌに示す実施例はンールディンク
ゲ−１・領域近傍のチャンネル領域２の不純物密度をフ
ントロールゲート領域２ｏ近傍のチャンネル領域２の不
純物密度領域よりも１桁程度以」二高くした領域２３を
設けたことを特徴としている。

例えばヂャン不ル２の不純物密度が］、Ｑ　１２ｔｙｎ
−３ならＩＱ”ｃｎ　３．１ＱＩ３ｒｒｎ−３ならＩＱ
１４　ｃｍ　３−　ＩＱＩ５ｒｍ　３程度というように
する。

Ｖｂｉ　［ＳｌはＶｂｉ（Ｃ）よりも大きくなることに
よって、シールディングゲートの電位変化による光増幅
作用はコントロールゲートの電位変化にょできる。

チャンイ、ル２中の不純物密度の高い領域２３は例えば
、周知のようにフォトレジストをマスクとした、リンに
よる選択イオン注入ないしは、リンドープのポリシリコ
ンからの拡散によって形成することかできる。

第４図ｆｂｌに示す実施例は第３図（ｂｌに示した実施
例と同様シールディングゲート領域２１及びンールデイ
ンクケート近傍のチャンネル領域１と光か侵入しないよ
うに例えはＡ４等の膜２２によって遮光し、実質的な光
感度をコントロールゲート２０にのみ持たぜ、シールデ
ィングゲート２１による画素間の（ｇ号分離をより効果
的に行なわぜた実施例である。

第５図＋ａ）、ｔｂ＋は第３図及び第４図を組み合せた
本発明の別の実施例である。シールディングゲート領域
の深さをフントロールゲート領域よりも深くすると同時
にシールディングゲート領域２１とドレイン領域３との
間のチャンネル領域の不純物密度をチャンネル領域より
も１桁以上高くして、Ｖｂｉ　（Ｓｔ　＞　Ｖｂｉ　ｆ
ｃｌとした実施例である。

第５図ｆｂｌの２２は第３図（ｂｌ及び第４図［ｂｌと
同様にＡＩ膜等による光の遮断用膜である。

次に述へる実施例は、各フォトセルを多数個のｍｘｎの
マトリクスとして配列する際にデバイスの構造を考慮し
た実施例である。それぞれ−ルゲート領域２０とソース
領域３て形成されていて、シールディングゲート２１に
より囲まれ、隣接する画素間の信号分離がなされている
。ノールディングゲート部分は絶縁膜９、ソース領域３
への電極となるリンドープのＳｉ多結晶層２４とＡＩ膜
２２により光入力１８は遮断されていて、光入力１８は
もっばらコントロールゲートソース領域３近傍のチャン
ネルにのみ有効に侵入するようになされている。

第６図（ｂｌはシールディング領域２１の接合深さがコ
ントロールゲーＩ・領域よりも深い所に形成されており
、他は第５図（ａｌと同一である。第６図（Ｃ）はシー
ルディングゲート領域２１近傍のチャンネル領域にコン
トロールゲート領域２０近傍のチャンネル領域２の不純
物密度よりも不純物密度の１桁程度高い領域２３を設け
た実施例である。

他は第５図（ａｌと同一である。

第６図Ｆｄｌは第６図ｆｂｌ、ｆｃｌの上面図である。

コントロー／Ｃゲート領域２０とソース６Ｊｊ域３の間
の高抵抗チャンネル領域には薄い絶縁膜９を通して光入
力１８が侵入できるようになっている。

コントロールゲート領域との間で容爪を形成する領域７
（読み出しゲートパルスアドレス線）はｙ方向に配線さ
れている。各フォトセルのコントロールゲート２０は絶
縁物６を介して領域７とキャパシタを形成している。絶
縁物６はＳｉＯ２、ＳｉＮ　、　ＴａｚＯｓ等の比較的
均一性の良好で誘電率の高いものか望ましい。領域７は
ＳｎＯ２，　　Ｉ１１２０３等の透明電極、もしくはポ
リシリコン、もしくはソリサイドで形成されている。ソ
ース領域３はＸ　方向の一列に並んた隣りあうフｊ１−
セルのソ−ス領域３と電気的に同電位であり、互いに接
続されており、コントロールゲート上の電極配線７とは
ＣＶ　Ｄ　ＳｉＯ２、Ｐ　Ｓ　Ｇ膜等の層間絶縁膜で交
叉部分は絶縁されている。光の射照されないようにソー
ス領域３とコントロールケート領域２０以外の部分はｘ
、ｙ方向の配線かｒｚいに短絡しない程度に、Ａｌ膜等
で遮光することが望ましい。

第７図は本発明の半導体撮像装置のフォトセル部の記号
を示す。３１．３２．３３．３４は各々ソース、ドレイ
ン、コントロールケート、ノールデイングゲ−１・の電
極である。

第８図は本発明を画像処理用とした実施例である。３０
は本発明の第２図乃至第６図のフォトセルをマトリクス
にしたものでノールディングゲートはｎ子基板１の電極
と同電位に接地もしくは一定の逆バイアス電位となるよ
うに一定電源３５か与えられている、このように７トリ
クスにすることにより２次元の画像検出ができることに
なる。

１１はビデオライン選択用のスイッチングトランジスタ
で静電誘導トランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、バイポ
ーラ１−ランジスタて良い。１２はビデオライン選択パ
ルスφＳを！〕、えるビデオライン選択回路であり、１
３は読み出しケートパルスφＧを与える読み出しアドレ
ス回路であり、１４は負荷抵抗、１５はビデオ電圧源で
ある。

光入力１８かフ、ｔ　ｌ・セルのマトリクス３０に照射
され、ビデオライン選択回路と読み出しアドレス回路に
より、行と列の要素となるフォトセル部信号か順次出力
端子１７に出てくる。１７の出力を順次、スイスプレ回
路へ伝送することにより画像出力を得ることができる。

ンールデインクケー１哉−ス電極に対して負の電位を与
えるようにしたものの実施例では、ノールディングゲー
トに抵抗Ｒ５Ｇ３６を介してバイアスを加える方式、或
いは抵抗３６と大きなコンデンサＣ５ａ３７の並列回路
を介してバイアスを加える方式等があり、フォトセルマ
トリクス間の読み出し信号の分離を良くすることかでき
る。

フォトセルの７トリクスと周辺回路を含めて単一の基板
上に集積化することももちろん可能であり、同一プロセ
スで製造可能なＩ２Ｌ　、　ＣＭＬ。

ＳＴＬ、ＩＳＬ等の論理形式によるＳＩＴ論理集積回路
が製造容易である。

第２図（ｂｌに示した基本セル断面構造を持つデバイス
を第８図に示した如く４×４の複数個集積化し、そ・の
うちの３つのセルの光タイナミック特性を測定した結果
を第９図に示す。基本セル（ピクセル）の構造は第２図
（ｂｌにおいてｎ一層２の不純物密度〜１０１３Ｃｎｎ
−３、第１及び第２のｐ１ゲート２０．２１の不純物密
度は１０１９ｃｍ−３以上、ゲートの拡散深さ６〜７μ
ｍ、　ｎ一層２の厚さは８μ〜１０μ程度である。１セ
ルの面積は１００μ×１００μで、全体のソースの長さ
は１２０μとなっている。

第９図においてＡのラインはＷｌ−Ｗ２　＝　２．０μ
ｍ。

ＢのラインはＷｌ−Ｗ２　＝　１．０μｍの場合に対応
しており、それぞれ電気的に共通のンールデイングゲ−
１・にバイアス抵抗Ｒｓｃ　＝　Ｉ　ＭΩを介して−１
，８■、−１，５■の逆バイアスか加えられている。

第９図の結果は光積分時間が１０　ｍ　ｓｅｃの例であ
り、信号読み出しラインの選択ｉ４　ＪレスφＳか加え
られ、ビデオバイアスか一列に並んたセル１−１．１−
２．１−３に加わり、さらに読み出しケートパルスφＣ
（ケートパルス高さ５■、幅１μｓｅｃ　）が加わると
順次光情報か読み出される４つりである。その結果か縦
軸にプロ・ソトされており、同一チノブＡの中の７（ラ
ツキ、同一チ・ノフ。

Ｂの中のバラツキともに少ないことかわかる。

さらにＶ／＋　−Ｗ２　＝　２μのものとＷｌ　−Ｗ２
　＝　１μのものを比へると明らかにＷ＋　−Ｗ２　＝
　２μのもの［Ａｌの方か微弱光側で感度か良好になる
ことがわかる。光のダイナミ・ツクレンジは４０　ｄＢ
以上、Ｓ／Ｎも４０ｄＢ以上存在することか確認できる
。

光ダイナミック特性の！イラツキも飽和レベルの５０％
の位置で１０％以下であり、このよ　１こ第２図ｆｂｌ
の実施例はイメージセンサとして縦型構造でかつケート
が分割され、片方のゲートを分離用に用い充分集積度が
」二かり、かつ他方コントロールゲート近傍上にのみ光
かあたる工夫が施されていることから、光の感度、隣接
するセル間の信号の分離も良好である。

カラー表示を得たいときにはフォトセル間マトリクス３
０を色フィルタで分ｎ１１シ、例えは赤ｆＲ１、緑ｆＧ
ｌ、青ｉＢｌのセルをもうけて、Ｒ，Ｇ、Ｂの信号を取
り出せば、カラー表示の半導体撮像となることはいうま
でもない。

本発明により、受光部は静電誘導トランジスタにより高
感度、高速でダイナミソクレンンの大きいフォトセル部
と、シールティックケートにより各フォトセル間の分離
か良くてきることにより、集積度の高い半導体撮像装置
を得ることができる。

実施例においてはｎチャンネルて説明してきたが、もち
ろんｐチャンネルでも′よいことは説明するまでもない
。又チャンネルが逆導電型の静電誘導トランジスタによ
る構成でも良いし、ゲートはショットキーバリアゲート
又はＭＯＳ（ＭＩＳ）ゲートでも良い。材料はＳｉに限
らすＧｅ、■−■族間化合物半導体（混晶も含む）、あ
るいはＨｇｘ　Ｃｄｚ−ｘ　ＴｅのようなＩＩ−Ｖｌ族
間の化合物半導体等でも良い。

フォトセル間７トリクスの配線はＡ８リノリコンの二層
配線等、従来のデイノタルメモリの技術か使えることは
いうまでもない。

以上説明してきたように本発明の半導体撮像装置は以下
のような特徴を有している。

（１）ドレインないしはソース領域の片方のケートはコ
ントロールケートとして、片方のゲートはシールティッ
クケート領域として構成し、常に光増幅作用はコントロ
ールケート領域で行なわせている。つまり２つのゲート
の機能を光に対して分離している。

（２）集積度か向上している。

以上のことから本発明の半導体撮像装置は、フォトセル
か互いに分離し、かつ集積度か向上していることの他に
、高感度、高集積度、低雑φ 音でダイナミックレノンが太きく　Ｓ／Ｎが良いという
非常に優れた特性を有することがら工業的価値が高いと
いえる。

【図面の簡単な説明】

第１図はｆａｔ、ｆｂｌともに従来の静電誘導トランジ
スタ（ＳＩＴ）イメージセンサの断面構造を示ｔ　図Ｊ
ｃ＋は１セル（１ピクセル）の読み出し回路、（ｄｌは
光ダイナミック特性の一例を示す図、第２図（ａｌ及び
ｆｂｌは本発明のＳＩＴイメージセンサの断面構造を示
す図、第３図ｆａｔ及びｆｂｌはさらに本発明の別の実
施例であり、第５図ｆａｌ及びｆｂｌもさらに別の本発
明の実施例の断面構造を示す図、第６図（ａｌ乃至ＦＣ
＋は本発明のさらに別の実施例の断面構造図であり、（
ｄ）はＦＣ＋の平面図を示す図、第７図は１ビクセルの
回路表示であり、第８図は第２図乃至第６図に示したＳ
　Ｉ　ｉ′イメージセンサをｘ−ｙアドレス方式のエリ
アセンサとして組む場合の実施例てあ・す、第９図は本
発明の実施例に基づ＜ＳＩＴエリアイメージセンサの光
ダイナミック特性の一例である。 ３２ ３゛／ 、７図 手　　続　　捕　　止　　円　（方式）昭和５７年１２
　Ｆ］２４日 号 ２発明の名称　　半導体１最像装置 ３補正をづる♀１ 事件どの関係　特ｈ′Ｆ出願人 住　所　宮城県仙台山米ケ袋１−Ｊ　Ｉ−１６笛１６４
補正命令のロイ＝ｊ　　１ｌｉＪ和５フイ［１１月−１
２１１５補止の対象 「明細、Ｊ）の図面の節（１ｊ４に１Ｊ）明の瀾」Ｇ補
正の内容 本願明細書第２５頁第８行記載の「あり、第５」を次の
通り補正覆る。 「あり、第４図は本発明ににる実４ンぐ’　ｔｌｌｌｉ
而図及び面の動作回路の一部を示しいＩｊす、（ａ）は
シールディンソゲ−１〜近１カのブトンネルの不純物密
度を１１°ｂくした例であり、（ｂ）Ｉま史にシールデ
ィングゲ−１゛・の上側に遮光用の／＼１等の膜を設（
）た例、第５」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ　　？！数の行線、複数の列線てマトリクスが構
   成されている半導体撮像装置であって、マトリクスの交
   点に列線に接続された一方の主電極と共通に接続された
   他方の主電極と、主電極間齋こ配置されたチャンネル領
   域と、２つの制御領域を有し、そのうち１つのフォトセ
   ルとして働く制御領域に接続された蓄積用コンデンサか
   行線に接続されたことを特徴として、前記制御領域とは
   別の他の制御領域はフォトセル間の信号分離領域として
   動作し、フォトセルとして働く制御領域の感度を増大す
   るべく、前記フォトセルとして動作する制御領域と前記
   列線に接続された主電極の間隔をＷ、、前記フＡ、　ｌ
   −セルとして動作しない制御領域と前記列線に接続され
   た主電極の間隔をＷ２としたときにｗｌ　）　Ｗ２とな
   ることを特徴とし、該フォトセルとして動作する制御電
   極構造を具備した静電誘導トランジスタとコンデンサを
   ７オトセルとして具備して、前記列線の片方にスイッチ
   ング用のトランジスタの一方の主電極が接続され、前記
   スイッチングトランジスタの他方の主電極は各列のスイ
   ッチング用のトランジスタとは共通にされ、読み出しヒ
   テオ負荷抵抗を介して電源と接続されていて、各スイッ
   ヂ用のトランジスタのケートないし、ベースはヒテオラ
   イン選択回路に接続されていて、各フォトセルのゲート
   はコンデンサを介して読み出しアドレス回路に接続され
   ていることを特徴とした半導体撮像装置。 （２）前記特許請求の範囲第１項記載の半導体撮像装置
   において、前記フォトセル間の信号分離領域として働く
   制御領域の不純物密度か前記フォトセルを構成する制御
   領域の不純物密度よりも高いこ々を特徴とする半導体撮
   像装置。 （３）前記特許請求の範囲１項または第２項記載の半導
   体撮像装置において、前記フォトセル間の信号分離領域
   として働く制御領域と前記列線に接続された主電極の間
   のチャンネル領域の不純物密度が他のフォトセルとして
   働く制御領域と前記列線に接続された主電極の間のチャ
   ンネル領域の不純物密度よりも高くしに記載）半導体撮
   像装置において、前記フォトセル間の信号分離領域とし
   て働く制御領域と隣接するチャンネル及び主電極により
   できるダイオード部分に光が照射されないようにに記載
   の半導体撮像装置において、７トリクスの交点にある静
   電誘導トランジスタのそれぞれが、絶縁物分離技術によ
   り製造されていることを特徴とする半導体撮像装置。