KR950001723B1 - 포지티브형 감광성 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 61
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 42
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 41
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 41
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 36
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 33
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 32
- -1 ester compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 17
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 11
- BLLFPKZTBLMEFG-UHFFFAOYSA-N 1-(4-hydroxyphenyl)pyrrole-2,5-dione Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1N1C(=O)C=CC1=O BLLFPKZTBLMEFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 claims description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 5
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 claims 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 241000894007 species Species 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 3
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PPXAHQRRLKQYTG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpropan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C1=CC=CC=C1 PPXAHQRRLKQYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical class CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019794 sodium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- XNQTYWLYFDHOPP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl (2,5-dioxopyrrol-3-yl) carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC1=CC(=O)NC1=O XNQTYWLYFDHOPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
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Description
이 발명은 반도체 집적회로를 제조할때에 사용되어 지는 레지스터로써 사용할 수 있는 포지티브형 감광성 조성물에 관한 것이다.
반도체 집적회로의 고집적도화는 일반적으로 말하여 지듯이 3년간에 4배의 스피드로 진행되어 예를 들면 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(이하 DRAM이라 칭함)에서는 현재 4메가 비트의 기억장치를 가진 것이 본격 생산되고 16메가비트의 DRAM의 개발도 시작되고 있다.
이와 같은 집적회로의 생산에 불가결한 포토리소 그래피에 대한 요구도 해마다 엄격해 지고 있다. 예를 들면 4메가 비트 DARM의 생산에는 0.8㎛레벨의 리소 그래피가 필요로 된다.
더욱이 고집적도화가 진행되어 16메가 비트 DRAM으로 되면 0.5㎛로 되고, 다시금 64메가 비트 DRAM으로 되면 0.3㎛ 레벨의 리소그래피가 필요로하게 되어 있다. 따라서 하프미크론 이하의 리소그래피에 대응할 수 있는 레지스터의 개발이 요망되고 있다.
포토리소 그래피에 사용되는 레지스터로써 가교제로써의 비스어지드(Bisazide)와, 환화(環化)고무와를 사용하는 계(系)는 널리 알려져 있다. 그러나 이 계는 현상에 유기용제를 필요로 하고 현상시에 팽윤(膨潤)이 일어나며, 화상의 해상도는 3㎛ 정도가 한계이며 고집적도의 디바이스를 작성하기에는 부적당하였다. 더욱이 알카리가용성 노블랙(Novolak)수지와 나프토 키논 디아지드(naphthquinone diazide)화합물로 이루어지는 포지티브형 포토레지스터도 널리 알려져 있다. 그러나 이 계는 300㎜ 이하로 큰 흡수가 있고, 300㎚ 이하의 단파장노광(短波長露光)을 행하면, 패턴 프로파일이 현저하게 열화한다. 따라서 이 계에서는 300㎜ 이상의 파장에서 노광하지 않으면 안되었다.
해상력은 노광파장과 아래에 표시하는 식과 같은 관계를 가지며 이 때문에 300㎚ 이상의 파장에서 노광하는 경우에는 행상력에 한계가 있고, 하프 미크론 이하의 리소크래피에는 대응할 수 없었다.
(여기에서 K는 정수, λ는 노광파장, N·A는 렌지의 구경을 표시)
한편, 고해상도화(高解像度化)에 대응할 수 있는 리소그래피의 후보로써 X선 리소그래피 및 일렉트론 빔 리소그래피 등이 검토되고 있다. 그러나, X선 리소그래피에는 노광장치, 마스크제작, 및 레지스트 재료의 면에 있어 수많은 문제가 존재하고 있다. 또 일렉트론 빔 리소그래피에 관하여는 스루프트(through-put)면에서 다량생산에 대응할 수 없다는 문제를 가지고 있다. 따라서 현시점에 있어서는 보다 고해상도를 달성할 가능성이 있는 KrF(Excimer Laser)엑시머 레이저(248㎚), ArF엑시머 레이저(193㎚), 및 F2에 키시마 레이저(157㎚) 등의 원자외광을 광원으로 사용하여 노광하고 하프 미크론 이하의 리소그래피에 대응할 수 있는 패턴프로파일의 양호한 레지스터를 개발하는 것이 강력히 요망되고 있다.
최근에는 KrF엑시머 레이저용의 포지티브형 포트 레지스터로써 여러 가지의 화학증폭형의 레지스터가 보고되고 있다.
이또등의 Polymers in Microlithography ACS symposiu, 412, P. 57-73(1989)에서는 α,α-지메틸벤질 메타크리레이트(dimethylbenzylmethacrylate)와 α-메틸스틸렌(a-methylstyrene)과의 공중합체와, 감광성 산 발생제로써의 오늄염(onium salt)으로 이루어지는 레지스터가 개시되고 있다.
W. Brunsvold 등의 SPIE, 1086, P. 357(1989)에는, 폴리(스틸렌-N(4-t-브톡실카보니톡실(4,t-butoxycarbonyloxy 말레이미드(maleimide) 등의 화합물과 오늄염으로 이루어지는 레지스터가 개시되고 있다.
T.X. Neenann등의 SPIE, 1086, P.2(1989)에는, 폴리(t-브록실카보니록시-α-메틸스틸렌)과 산발생제로써의 2,6-디니트로벤질에스텔(dinitrobenzyl ester)로 이루어지는 레지스터가 개시되고 있다. 이들의 화학 증폭형의 레지스터는 노광에 의하여 생성한 산의 촉매 반응을 이용하고 있으므로 대단히 높은 감도의 레지스터이다. 그러므로 산발생제가 소량으로 좋고, 저흡수의 수지를 사용하면 레지스터의 광흡수를 저감시킬 수 있다.
이것들 종래 기술에 따른 레지스터는 폴리 비닐 페놀등의 알카리 가용성수지의 알카리 가용성을 가지는 수산기를 미리 용해억제기로 보호하고 있는 것이다.
빛이 조사된 부분에서는 감광성 산 발생제로부터 발생하는 산에 의하여 수산기를 보호하고 있는 용해 억제기가 분해하여 이탈하고, 알카리가용성수지가 알카리에 가용하게 되어 포지티브 패턴이 형성된다.
그러나 이것들의 종래기술에 따른 레지스터에서는, 용해억제 기능이 작고, 또한 노광후의 용해성이 나쁘기 때문에 노광부와 미노광부의 용해성의 차가 작고, 충분한 해상도가 얻어지지 않는다는 문제가 있었다.
이 발명의 목적은 원자외광을 사용하여 노광할 수 있고, 더욱이 하프미크론이하의 고해상도를 달성할 수 있고, 패턴 프로파일의 양호한 레지스터재료를 제공하는 것에 있다. 이 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 알카리성 현상액에 용해하는, 알카리가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 용해억제제와를 포함한다.
감광성 산 발생제는 노광에 의하여 산을 발생하는 화합물이다. 용해억제제는, 빛이 조사되지 않은 경우, 알카리 가용성수지를 알카리성현상액에 용해시키지 않기 위한 화합물이다. 이 용해 억제제는 산의 작용으로 분해하고 알카리 가용성수지의 현상액에 대한 용해억제기능을 상실한다.
이 발명의 바람직한 1개의 실시형태에 따르면 용해 억제제는 하기의 화학식[1]-[4]로 표시되는 적어도 한 종류의 유기산 화합물과, 페놀성수산기를 가지는 알카리 가용성화합물과의 완전 또는 부분에스텔 화합물,
(여기에서, R1∼R12는, 수소, 알킬기 또는 알릴기를 표시하며, 동일하거나 달라도 좋다)
및/또는, 하기의 화학식[5]으로 표시되는 적어도 1종의 알콜과, 페놀성 수산기를 가진 알카리 가용성화합물과의 완전 또는 부분 에테르 화합물을 주성분으로 하고 있다.
(여기에서, R13은 알킬기, R14 및 R15는 알킬기 또는 알릴기를 동일하거나 달라도 좋다.)
이 실시형태에 있어서, R1∼R15는 바람직스럽기는 탄소수 3 이하의 알킬기이며, 다시금 좋기로는 메틸기이다.
이 발명의 좋은 1개의 실시형태에 따르면 좋기로는 용해억제제의 알카리 가용성화합물은 아래의 (ⅰ)-(ⅲ)으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 1종이 사용된다.
(ⅰ) 하기의 화학식 [6]으로 표시되는 폴리비닐 페놀유도체,
(여기에서, n은 2∼20의 정수, R16∼R20은, 수소, 알킬기, 알릴기, 또는 수산기를 나타내며, 동일하거나 달라도 좋다. 단 R16∼R20의 가운데 적어도 1개는 수산기이다.)
(ⅱ) 하기의 화학식 [7]로 표시되는 적어도 1종의 페놀 유도체와 하기의 화학식 [8]로 표시되는 적어도 1종의 케톤 유도체 또는 알데히드 유도체와의 중축합물인 노블랙(Novolak) 수지, 및
(여기에서, R21∼R25는, 수소, 알킬기, 또는 알릴기를 나타내며 동일하거나 달라도 좋다.)
(ⅲ) 하기의 화학식 [9]로 표시되는 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드) 유도체
이 발명에서 사용되는 알카리 가용성 수지로써는, 페놀성 수산기를 가진 것이 좋다. 또 막두께 1㎛에 있어서, 150∼300㎚의 임의의 노광파장에 있어서 투과율이 20% 이상인 것이 좋다.
이와 같은 수지의 예로써는 노블랙수지, 폴리(N-(p-히드록시페닐)말레이미드 등이 있으며, 특히 좋기로는 폴리비닐페놀이다. 이들의 수지는, 단일 또는 혼합물 또는 공중합체로써 사용할 수 있다.
이 발명에서 사용되는 감광성 산 발생제는 150∼300㎚의 범위의 빛에서 산을 발생하는 산발생제인 것이 바람직하다. 이와 같은 산 발생제의 예로써는 예를 들면 폴리메릭크 매터리알즈 사이언스 앤드 엔지니어링(polymeric materials science and Engineering) 제1권 제63페이지(아메리칸 케미탈 소사이어티(American Chemical Society))에 J. V. Crivello가 개시하고 있는 것과 같은 오늄염이나 수루폰산 에스테르 및 특공소 54-23574호 공보에 개시되어 있는 것과 같은 감광성 유기 활로겐화합물 등의 사용할 수 있다.
알카리 가용성 수지, 감광성 산 발생제, 및 용해억제제의 비율은, 알카리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 감감성산발생제 0,05∼20중량부가 좋고, 더욱 좋기로는 0.1∼10중량부이며, 용해 억제제는 1∼50중량부가 좋고, 더욱 좋기로는 5∼30중량부이다.
이 발명의 조성물은 용매에 용해하여 사용되나 그 성분에 대하여 충분한 용해도를 갖고, 양호한 도막성을 부여하는 용매이면 특히 제한되지 않는다. 용매의 예로써는 메틸셀로솔브(methyl cellosolve), 에틸셀로솔브(ethylcellosolve), 메틸셀로 솔브 아세티이트, 및 에틸셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브계용매, 초산브틸, 초산아미르, 초산메틸 및 초산에틸 등의 에스테르계 용매, 메틸 이소브틸케톤(methyl isobutyl ketone), 시클로펜타논(cyclopentanone) 및 시클로 헥사논 등의 케톤계 용매, 디메틸호르므아미드(dimethylformamide) 및 N-메틸피롤리돈(N-methyl-pyrllidone) 등의 고극성용매, 또는 이들의 혼합용매, 다시금은 방향족 탄화수소를 첨가한 혼합용매 등이 거론된다. 용매의 사용비율은 고형분의 총량에 대한 중량비로 1∼20배의 범위내가 좋다.
이 발명의 포지티브형 감광성 조성물은, 종래공지의 방법에 따라, 도포, 노광, 노광후가열(포스트엑스포.쟈.벡, 이하 PEB라 칭함) 및 현상의 각 공정을 통하여, 포토레지스터로써 사용할 수 있다.
노광에 사용하는 빛은 원자외광 예를 들면 저압수은 등을 광원으로 하는 254㎚의 빛이나, 에시머 레이저등을 광원으로 하는 308㎚, 248㎚, 193㎚, 157㎚의 빛이 썩 알맞게 사용된다.
노광때의 빛은 단생관이 아니어도 좋고 브로드라도 좋다. PEB의 조건은 홧플레이트를 사용하여 80℃∼150℃, 1분∼10분 정도의 조건이 썩 알맞게 사용된다.
핫플레이트 대신으로 컨벡숀 오븐을 사용하여도 좋다. 단, 이 경우는 통상 홧플레이트를 사용한 경우보다 장시간이 필요로 하게 된다. 현상액으로써는 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타큐산나트륨(metasilicic acid), 암모니아수 등의 무기알카리류, 에틸아민, n-프로필아민(propylamine) 등의 제1급 아민류, 디에틸아민(diethylamine)디-n-프로필아민 등의 제2급 아민류, 트리에틸아민(triethylamine), N,N-디에틸아민 등의 제3급 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드(tetramethylammonium hydroxide), 테트라에틸암모늄히트록시드(tetraethyla, pmoi, judrpxode) 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드(trimethy/ hydroxyethylammoniumhydroxide) 등의 제4급 암모늄염으로 이루어지는 알카리성 현상액이 썩 알맞게 사용된다. 현상액에는 필요에 응하여 알콜 또는 계면활성제 등을 첨가하여 사용하여도 좋다. 포토레지스터 용액 및 현상액은 사용할 때 여과하여 고형분을 제거하여 사용하는 것이 좋다.
이 발명에 따른 포지티브형 감광성 조성물은 알카리 가용성 수지와, 감광성산발생제와, 용해억제제를 포함한다. 이 발명에 따르면 종래기술과 같이 알카리 가용성수지의 알카리 가용능을 가진 수산기를 용해억제기로 보호하는 것은 아니고, 용해 억제제에 의하여 알카리 가용성수지의 용해를 억제하고 있다. 이 용해억제제는 산의 작용으로 분해하고 알카리 가용성 수지의 현상액에 대한 용해억제기능을 상실한다. 이 때문에 이 발명에 따르면 노광부와 미노광부의 용해성의 차가 크고 고해상도를 얻을 수가 있다.
이 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 이와 같이 고해상도를 표시하는 것이기 때문에 초 LSI이 제조에 유용한 것이다. 또 초 LSI 제조용의 레지스터 뿐만 아니고 일반적인 반도체 집적회로등의 제조, 마스크제작, 혹은 오프세트 인쇄용의 레지시트로써도 중요한 것이다.
[실시예]
아래 이 발명의 포지티브형 감광성조성물을 사용하여 패턴 형성을 행산 실시예에 관하여 설명하나, 이 발명의 아래의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1-11]
아래의 식[I]에 표시하는 폴리비닐 페놀(마루젠 석유화학주식회사제; Mn=2700, Mw=5100)에 대하여,
아래의 식[11] 및 [12]의 감광성산발생제, 및
표 1에 표시하는 (13)-(14)의 용해 억제제를 표 2에 표시하는 조합 및 배합량으로 유산에틸에 용해하여 레지스터 용액으로 하였다.
(R은, R1, R2 또는 수소)
표 1에 있어서, 에스테르화율은 아래의 식에 의하여 표시되는 것이다.
에스테르화율=(R1 및 R2의 수)/(R1 및 R2의 수+수소원자의 수)
각각의 레지스터 용액을 실리콘웨이퍼상에 스핀코트하여, 핫플레이트상에서, 80℃ 60초간 프리벡을 행하고 막두께 1㎛의 레지스터 막두께를 얻었다.
이 레지스터막을 렌지구경 N.A=0.37, 레이저파장 248㎚의 KrF 엑시머 레이저 스테파(니콘주식회사제)로 노광하였다. 그후 홧풀레이트 상에서 110℃; 90초간 PEB를 행하고, 2.38중량% 테트라 메틸 암모늄히드로옥시드 수용액으로, 50초간 핸들방식으로 현상하여 레지스터를 얻었다. 이 때의 감도, 해상도, 및 0.4㎛라인 앤드 스페이스패턴의 단면형상을 표 2에 표시한다. 감도는 노광부분의 잔막이 0으로 되는 노광에너지를, 해상도는 라인 앤드 스페이스패턴으로 해상할 수 있는 최소패턴 칫수로 하였다.
[비교예]
또 비교로서 나프토키논 디아지드-노블랙(naphthoquinone diazide)-(Novalak)수지계 레지스터인 막다미드사제 ＂PR-1024＂를 상술의 실시예의 레지스터와 마찬가지의 조건으로 평가하여 그 결과를 표 2에 표시한다.
[실시예 12]
이 실시예에서는 용해억제제로써 상기의 실시예에서 표시한 R1과 노블랙수지와의 에스테르화합물(X)을 사용하였다. 사용한 노블랙수지의 수평균 분자량은 600이며 에스테르화합물(X)의 평균 에스테르화율은 80%였었다. 이 에스테르화합물(X)을 용해억제제로써 사용하고 표 2에 표시하는 조합 및 배합량으로 상기의 실시예와 마찬가지의 방법에 의하여 레지스터용액으로써 사용하여 레지스터패턴의 평가를 행하였다.
그 결과를 표 2에 표시한다.
[실시예 13]
이 실시예에서는 알카리 가용성수지로써 노블랙수지(XI)를 사용하였다. 사용한 노블랙수지의 수평균 분자량(Mn)은 1200, 중량평균 분자량(Mw)은 7000이었다. 또 이 노블랙수지의 조성비는 메타크레졸:패라크레졸=6:4이었다.
이 노블랙수지를 알카리 가용성 수지로써 사용하여 표 2에 표시하는 조합 및 배합량으로 상기의 실시예와 마찬가지의 방법에 의하여 레지스터패턴용액을 조제한 후 레지스터패턴의 평가를 행하였다.
그 결과를 표 2에 표시한다.
표 2의 결과로부터도 명백하듯이, 이 발명에 따른 포지티브형 감광성 조성물은 높은 해상도를 가지며 하프미크론 이하의 고해상도를 달성할 수 있고, 패턴프로파일의 양호한 레지스터 재료이다.
Claims (20)
- 알카리성 현상액에 용해하는 알카리 가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하는 용해억제제와를 포함하고, 상기 용해억제제는 감광성 산 발생제로부터 형성된 산으로 분해가능한 화합물을 포함하며, 상기 용해억제제의 분해형태는 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하지 않으며, 상기 용해억제제는 완전 또는 에스텔 화합물과 완전 또는 부분 에테르 화합물로 구성된 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하고, 상기 완전 또는 부분 에스텔 화합물은 다음식(16)로 표시되는 적어도 1종의 유기산과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되며,[화학식 16]여기서 X는[화학식 17][화학식 18][화학식 19]로 구성되는 그룹에서 선택되며, R1-R3은 수소 및 알킬기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 상기 완전 또는 부분 에테르화합물은 다음식(20)로 표시되는 적어도 1종의 알콜과 페놀성 수산기를 가지는 알칼리 가용성화합물로 형성되고,[화학식 20]여기서 R4가 알킬기이고, R5, R6가 각각 알킬기인 포지티브형 감광성조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 알칼리 가용성수지의 1㎛의 막두께가 150∼300㎚ 범위의 임의의 노광파장에 있어서 투과율이 적어도 20%인 포지티브형 감광성조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 알카리 가용성수지가 페놀성 수산기를 포함하며, 노블랙수지, 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드) 및 폴리(비닐페놀)로부터 선택되는 포지티브형 감광성조성물.
- 알카리성 현상액에 용해하는 알카리 가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하는 용해억제제와를 포함하고, 상기 용해억제제는 감광성 산 발생제로부터 형성된 산으로 분해가능한 화합물을 포함하며, 상기 용해억제제의 분해형태는 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하지 않으며, 상기 용해억제제는 완전 또는 부분 에스텔 화합물과 완전 또는 부분 에테르 화합물로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하고, 상기 완전 또는 부분 에스텔 화합물은 다음식(16)로 표시되는 적어도 1종의 유기산과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되며,[화학식 16]여기서 X는[화학식 21][화학식 22][화학식 18][화학식 19]로 구성되는 그룹에서 선택되며, R1-R3은 수소 및 알킬기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 상기 완전 또는 부분 에테르화합물은 다음식(20)로 표시되는 적어도 1종의 알콜과 페놀성 수산기를 가지는 알칼리 가용성화합물로 형성되고,[화학식 20]여기서 R4가 알킬기이고, R5, R6가 각각 알킬기이며, 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물은 다음식(23)으로 표시되는 폴리(비닐 페놀)을 포함하고,[화학식 23]여기서, n은 2∼20의 정수이고, R7-R11은 수소, 알킬기 및 수산기로 구성되는 그룹으로부터 각각 선택되며, R7-R11중의 적어도 1개는 수산기인 포지티브형 감광성조성물.
- 제4항에 있어서, X가 아래 표시된 기이며,[화학식 21]R1-R3가 각각 탄소수 3 이하의 알킬기인 포지티브형 감광성조성물.
- 제4항에 있어서, X가 아래 표시된 기이며,[화학식 18]R1-R3가 각각 탄소수 3 이하의 알킬기인 포지티브형 감광성조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 용해억제제가 아래 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성조성물.[화학식 24]
- 제4항에 있어서, 상기 용해억제제가 아래 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성조성물.[화학식 25]
- 제4항에 있어서, 상기 알카리 가용성수지의 1㎛의 막두께가 150∼300㎚ 범위내의 임의의 노광파장에서 적어도 20%의 투과율을 가지는 포지티브형 감광성조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 알카리 가용성수지가 페놀성 수산기를 포함하며, 노블랙수지, 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드) 및 폴리(비닐 페놀)로 구성되는 그룹에서 선택되는 포지티브형 감광성조성물.
- 알카리성 현상액에 용해하는 알카리 가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 알카리성 현상액에 대한 알카리 용성수지의 용해를 억제하는 용해억제제와를 포함하고, 상기 용해억제제는 감광성 산 발생제로부터 형성된 산으로 분해가능한 화합물을 포함하며, 상기 용해억제제의 분해형태는 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하지 않으며, 상기 용해억제제는 완전 또는 부분 에스텔 화합물과 완전 또는 부분 에테르 화합물로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하고, 상기 완전 또는 부분 에스텔 화합물은 다음식(16)로 표시되는 적어도 1종의 유기산과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되며,[화학식 16]여기서 X는[화학식 21][화학식 22][화학식 18][화학식 19]로 구성되는 그룹에서 선택되며, R1-R3은 수소 및 알킬기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 상기 완전 또는 부분 에테르화합물은 다음식(20)로 표시되는 적어도 1종의 알콜과 페놀성 수산기를 가지는 알칼리 가용성화합물로 형성되고,[화학식 20]여기서 R4가 알킬기이고, R5, R6가 각각 알킬기이며, 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물은 다음식(26)로 표시되는 적어도 1종의 페놀과 다음식(27)로 표시되는 적어도 1종의 케톤 또는 알데히드의 중축합물인 노블랙수지를 포함하고,[화학식 26][화학식 27]여기서, R12-R16는 수소와 알킬기로 구성된 그룹에서 각각 선택되는 포지티브형 감광성조성물.
- 제11항에 있어서, X는 아래 표시된 기이며,[화학식 21]R1-R3은 각각 탄소수 3 이하의 알킬기인 포지티브형 감광성조성물.
- 제11항에 있어서, X는 아래 표시된 기이며,[화학식 18]R1-R3은 각각 탄소수 3 이하의 알킬기인 포지티브형 감광성조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 용해억제제가 다음 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성조성물.[화학식 24]
- 제11항에 있어서, 상기 용해억제제가 다음 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성조성물.[화학식 25]
- 제11항에 있어서, 상기 알카리 가용성수지의 1㎛ 두께의 막이 150∼300㎚ 범위내의 임의의노광파장에서 적어도 20%의 투과율을 가지는 포지티브형 감광성조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 알카리 가용성수지가 폐놀성 수산기를 포함하여, 노블랙수지, 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드) 및 폴리(비닐 페놀)로 구성된 그룹에서 선택되는 포지티브형 감광성조성물.
- 알카리성 현상액에 용해하는 알카리 가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하는 용해억제제와를 포함하고, 상기 용해억제제는 감광성 산 발생제로부터 형성된 산으로 분해가능한 화합물을 포함하며, 상기 용해억제제의 분해형태는 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하지 않으며, 상기 용해억제제는 완전 또는 부분 에스텔 화합물과 완전 또는 부분 에테르 화합믈로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하고, 상기 완전 또는 부분 에스텔 화합물은 다음식 (16)로 표시되는 적어도 1종의 유기산과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되며,[화학식 16]여기서 X는[화학식 21][화학식 22][화학식 18][화학식 19]로 구성되는 그룹에서 선택되며, R1-R3은 수소 및 알킬기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 상기 완전 또는 부분 에테르화합물은 다음식 (20)로 표시되는 적어도 1종의 알콜과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되고,[화학식 20]여기서 R4는 알킬기이고, R5,R6는 각각 알킬기이며, 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물은 다음식(6)으로 표시되는 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드)를 포함하고,[화학식 6]여기서 n은 2-20의 정수인 포지티브형 감광성조성물.
- 알카리성 현상액에 용해하는 알카리 가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하는 용해억제제와를 포함하고, 상기 용해억제제는, 상기 알카리 가용성 수지의 일부가 아니고 감광성 산 발생제로부터 형성된 산으로 분해가능한 화합물을 포함하며, 상기 용해억제제의 분해형태는 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하지 않으며, 상기 용해억제제는 완전 또는 부분 에스텔 화합물과 완전 또는 부분 에테르 화합물로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하고, 상기 완전 또는 부분 에스텔 화합물은 다음식 (16)로 표시되는 적어도 1종의 유기산과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되며,[화학식 16]여기서 X는[화학식 21][화학식 22][화학식 18][화학식 19]로 구성되는 그룹에서 선택되며 R1-R3은 수소, 알킬기, 알릴기 및 아릴기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 상기 완전 또는 부분 에테르화합물은 다음식 (20)로 표시되는 적어도 1종의 알콜과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성화합물로 형성되고,[화학식 20]여기서 R4는 알킬기이고, R5,R6는 알킬기, 알릴기 및 아릴기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성 화합물은 다음 성분(ⅰ)∼(ⅲ)으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하며, 그 구성 성분이, (ⅰ) 다음식 (23)으로 표시되는 폴리(비닐 페놀)[화학식 23]여기서 n은 2∼20의 정수이고, R7∼R11은 각각 수소, 탄소수 1∼10을 가지는 알킬기, 탄소수 3-10을 가지는 알릴기, 탄소수 6-10을 가지는 아릴기 및 수산기로 구성된 그룹으로부터 선택되며, R7∼R11중의 적어도 하나는 수산기이고, (ⅱ) 다음식 (26)으로 표시되는 적어도 1종의 페놀과 다음식 (27)로 표시되는 적어도 1종의 케톤 혹은 알데히드의 중축합물인 노블랙수지[화학식 26][화학식 27]여기서, R12-R16은 각각 탄소수 1-10을 가지는 알킬기, 탄소수 3-10을 가지는 알릴기 및 탄소수 6-10을 가지는 아릴기로 구성된 그룹으로부터 선택되고, (ⅲ) 다음식 (6)으로 표시되는 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드)[화학식 9]여기서 상기 알카리 가용성수지의 1㎛의 막두께는 150-300㎚ 내의 임의의 노광파장에서 적어도 20%의 투과율을 가지는 포지티브형 감광성조성물.
- 알카리성 현상액에 용해하는 알카리 가용성수지와, 감광성 산 발생제와, 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하는 용해억제제와를 포함하고, 상기 용해억제제는, 상기 알카리 가용성수지의 일부가 아니고, 감광성 산 발생제로부터 형성된 산으로 분해가능한 화합물을 포함하며, 상기 용해억제제의 분해형태는 알카리성 현상액에 대한 알카리 가용성수지의 용해를 억제하지 않으며, 상기 용해억제제는 다음식 (16)로 표시된 적어도 1종의 유기산과 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성 화합물로 형성된 적어도 1종의 완전 도는 부분 에스텔 화합물을 포함하고,[화학식 16]여기서 X는[화학식 22][화학식 18]로 구성되는 그룹에서 선택되며 R1-R3은 수소, 알킬기, 알릴기 및 아릴기로 구성된 그룹에서 각각 선택되고, 페놀성 수산기를 가지는 알카리 가용성 화합물은 다음 성분 (ⅰ)∼(ⅲ)으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하며, 그 구성 성분이, (ⅰ) 다음식 (23)으로 표시되는 폴리(비닐 페놀)[화학식 23]여기서 n은 2-20의 정수이고, R7-R11은 각각 수소, 탄소수 1-10을 가지는 알킬기, 탄소수 3-10을 가지는 알릴기, 탄소수 6-10을 가지는 아릴기 및 수산기로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, R7∼R11중의 적어도 하나는 수산기이고, (ⅱ) 다음식 (26)으로 표시되는 적어도 1종의 페놀과 다음식 (27)로 표시되는 적어도 일종의 케톤 혹은 알데히드의 중축합물인 노블랙수지[화학식 26][화학식 27]여기서, R12-R16은 각각 탄소수 1-10을 가지는 알킬기, 탄소수 3-10을 가지는 알릴기 및 탄소수 6-10을 가지는 아릴기로 구성되는 그룹으로부터 선택되고, (ⅲ) 다음식 (9)으로 표시되는 폴리(N-(p-히드록시페닐) 말레이미드)[화학식 9]여기서 상기 알카리 가용성수지의 1㎛의 막두께는 150-300㎚ 내의 임의의 노광파장에서 적어도 20%의 투과율을 가지는 포지티브형 감광성조성물.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP90-274361 | 1990-10-12 | ||
| JP2274361A JPH04149445A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | ポジ型感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920008536A KR920008536A (ko) | 1992-05-28 |
| KR950001723B1 true KR950001723B1 (ko) | 1995-02-28 |
Family
ID=17540590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910017423A KR950001723B1 (ko) | 1990-10-12 | 1991-10-04 | 포지티브형 감광성 조성물 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04149445A (ko) |
| KR (1) | KR950001723B1 (ko) |
| DE (1) | DE4133770C2 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2956387B2 (ja) * | 1992-05-25 | 1999-10-04 | 三菱電機株式会社 | レジスト被覆膜材料、その形成方法とそれを用いたパターン形成方法および半導体装置 |
| US6673523B2 (en) | 1999-03-09 | 2004-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| KR100419336B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2004-02-21 | 도레이새한 주식회사 | 우수한 광택과 부드러운 촉감을 갖는 폴리에스테르이형단면사의 제조방법과 이를 이용하여 제편한 기모성경편직물 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617991B2 (ja) * | 1983-06-22 | 1994-03-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 光可溶化組成物 |
| JPS60162249A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| DE3750275T3 (de) * | 1986-06-13 | 1998-10-01 | Microsi Inc | Lackzusammensetzung und -anwendung. |
| JPS6336240A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-16 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | レジスト構造の作成方法 |
| DE3751745T2 (de) * | 1986-10-23 | 1996-09-26 | Ibm | Hochempfindliche Resiste mit Selbstzersetzungstemperatur grösser als etwa 160 Grad Celsius |
| MY103006A (en) * | 1987-03-30 | 1993-03-31 | Microsi Inc | Photoresist compositions |
| DE3817011A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| DE3817009A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| DE3837438A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-10 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| JP2568431B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1997-01-08 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
| DE3930087A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| JP2632066B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1997-07-16 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ画像の形成方法 |
| JP2849666B2 (ja) * | 1990-08-01 | 1999-01-20 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2274361A patent/JPH04149445A/ja active Pending
-
1991
- 1991-10-04 KR KR1019910017423A patent/KR950001723B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-10-11 DE DE4133770A patent/DE4133770C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04149445A (ja) | 1992-05-22 |
| DE4133770A1 (de) | 1992-04-16 |
| DE4133770C2 (de) | 1996-07-11 |
| KR920008536A (ko) | 1992-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19911004 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19911004 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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|
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| PG1605 | Publication of application before grant of patent |
Comment text: Decision on Publication of Application Patent event code: PG16051S01I Patent event date: 19950127 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19950509 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
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|
| PR1002 | Payment of registration fee |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19980217 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 19980217 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |