KR910020724A - 반도체 기억장치 - Google Patents
반도체 기억장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910020724A KR910020724A KR1019910008535A KR910008535A KR910020724A KR 910020724 A KR910020724 A KR 910020724A KR 1019910008535 A KR1019910008535 A KR 1019910008535A KR 910008535 A KR910008535 A KR 910008535A KR 910020724 A KR910020724 A KR 910020724A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pair
- bit line
- pairs
- bit lines
- bit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (4)
- 메모리셀에 직접접속되어 데이터를 판독기록하는 제1의 비트선과, 1쌍의 상기 제1의 비트선에 접속되는 센스증폭기와, 1쌍 또는 복수쌍의 상기 제1의 비트선의 끝부분에 이 제1의비트선과 동수개의 제1의 스위치 소자를 개재해서 접속되는 제2의 비트선쌍과, 복수쌍의 상기 제2의 비트선쌍의 끝부분에 열선택신호에 의해 제어되는 제2의 스위치소자를 개재해서 접속되는 공통데이터선쌍과, 이 공통데이선쌍의 끝부분에 접속되는 메인증폭기를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
- 메모리셀에 직접접속되어 데이터를 판독기록하는 제1의 비트선과, 1쌍의 상기 제1의 비트선에 접속되는 센스증폭기와, 1쌍 또는 복수쌍의 상기 제1의 비트선의 끝부분에 이 제1의비트선과 동수개의 제1의 스위치소자를 개재해서 접속되는 제2의 비트선쌍과, 1쌍의 상기 제2의 비트선에 접속되어 열선택신호에 의해 제어되는 메인 증폭기와, 복수쌍의 상기 제2의 비트선쌍의 끝부분에 상기 열선택신호에 의해 제어되는 제2의 스위치소자를 개재해서 접속되는 공통데이터선쌍을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
- 메모리셀에 직접접속되어 데이터를 판독기록하는 제1의 비트선과, 1쌍의 상기 제1의 비트선에 접속되는 센스증폭기와, 1쌍 또는 복수쌍의 상기 제1의 비트선의 끝부분에, 상기 메모리셀을 가진 블록을 선택하는 신호 및 열선택신호를 입력으로하는 논리소자에 의해 제어되는 이 제1의 비트선과 동수개의 제1의 스위치소자를 개재해서 접속되는 제2의 비트선쌍과 1쌍의 상기 제2의 비트선에 접속되는 메인증폭기와, 복수쌍의 상기 제2의 비트선쌍의 끝부분에 상기 열선택신호에 의해 제어되는 제2의 스위치소자를 개재해서 접속되는 공통데이터선쌍을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
- 메모리셀에 직접접속되어 데이터를 판독기록하는 제1의 비트선과, 1쌍의 상기 제1의 비트선에 접속되는 센스증폭기와, 1쌍 또는 복수쌍의 상기 제1의 비트선의 끝부분에, 상기 메모리셀을 가진 블록을 선택하는 신호에 의해 제어되는 이 제1의 비트선과 동수개의 제1의 스위치소자 및 이 제1의 스위치소자에 직렬로 접속되어 열선택신호에 의해 제어되는 제2의 스위치 소자를 개재해서 접속되는 제2의 비트선쌍과, 1쌍의 상기 제2의 비트선에 접속되는 메인증폭기와, 복수쌍의 상기 제2의 비트선쌍의 끝부분에 상기 열선택신호에 의해 제어되는 제3의 스위치소자를 개재해서 접속되는 공통데이터선쌍을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-136039 | 1990-05-25 | ||
JP2136039A JPH0430385A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910020724A true KR910020724A (ko) | 1991-12-20 |
KR970010078B1 KR970010078B1 (ko) | 1997-06-20 |
Family
ID=15165751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910008535A Expired - Fee Related KR970010078B1 (ko) | 1990-05-25 | 1991-05-25 | 반도체 기억장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5361233A (ko) |
JP (1) | JPH0430385A (ko) |
KR (1) | KR970010078B1 (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2785655B2 (ja) * | 1993-11-01 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5742544A (en) | 1994-04-11 | 1998-04-21 | Mosaid Technologies Incorporated | Wide databus architecture |
US5600602A (en) * | 1995-04-05 | 1997-02-04 | Micron Technology, Inc. | Hierarchical memory array structure having electrically isolated bit lines for temporary data storage |
KR100292640B1 (ko) * | 1995-04-05 | 2001-06-15 | 로데릭 더블류 루이스 | 계층적비트라인구조를갖는메모리회로 |
KR0166843B1 (ko) * | 1995-12-27 | 1999-02-01 | 문정환 | 저소비 전력의 디램 비트라인 선택회로 |
US6160507A (en) * | 1996-05-13 | 2000-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Current bit cell and switched current network formed of such cells |
FR2748617B1 (fr) * | 1996-05-13 | 1998-08-14 | Texas Instruments France | Cellule de bit de courant et reseau a courant commute forme de telles cellules |
JPH11260056A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
US6480424B1 (en) * | 2001-07-12 | 2002-11-12 | Broadcom Corporation | Compact analog-multiplexed global sense amplifier for RAMS |
JP3831277B2 (ja) | 2001-12-28 | 2006-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US7295485B2 (en) * | 2005-07-12 | 2007-11-13 | Atmel Corporation | Memory architecture with advanced main-bitline partitioning circuitry for enhanced erase/program/verify operations |
KR100753418B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2007-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 로우 및 컬럼 어드레스를 이용하여 비트라인 감지 증폭동작을 제어하는 반도체 메모리 장치 |
US8059443B2 (en) * | 2007-10-23 | 2011-11-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Three-dimensional memory module architectures |
KR20110131721A (ko) * | 2010-05-31 | 2011-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
JP2012123893A (ja) | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US11043256B2 (en) * | 2019-06-29 | 2021-06-22 | Intel Corporation | High bandwidth destructive read embedded memory |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120697A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS62234292A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPS6353786A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS6363197A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-19 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US4891792A (en) * | 1987-09-04 | 1990-01-02 | Hitachi, Ltd. | Static type semiconductor memory with multi-stage sense amplifier |
JP2720158B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1998-02-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
JPH01241093A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2701506B2 (ja) * | 1990-02-08 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ回路 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2136039A patent/JPH0430385A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-25 KR KR1019910008535A patent/KR970010078B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-12 US US08/104,936 patent/US5361233A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0430385A (ja) | 1992-02-03 |
US5361233A (en) | 1994-11-01 |
KR970010078B1 (ko) | 1997-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910020724A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR900015323A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR920020495A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR880004479A (ko) | 다이나믹형 반도체기억장치 | |
KR960043187A (ko) | 반도체장치 | |
KR890017706A (ko) | 다이나믹형 반도체 기억장치 | |
KR920001542A (ko) | 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리 | |
KR900008526A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR850003610A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR870009384A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
KR860003603A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR940007884A (ko) | 반도체 장치 | |
KR920013472A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR910013274A (ko) | 이중 포트 dram 및 그 동작 방법 | |
KR930005015A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR920010638A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR980700664A (ko) | 레지스터 파일 판독/기록 셀(Register file read/write cell) | |
KR930020447A (ko) | 반도체 메모리 장치의 비트라인 프리차아지방식 | |
KR940016225A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR840005593A (ko) | 모노리식(monolithic) 반도체 메모리 | |
KR950020732A (ko) | 다이나믹 반도체 기억장치 | |
KR920001545A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR910020729A (ko) | 반도체 기억회로 | |
KR920017115A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR870009392A (ko) | 반도체 기억장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
AMND | Amendment | ||
P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL |
|
PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901 |
|
G160 | Decision to publish patent application | ||
PG1605 | Publication of application before grant of patent |
St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605 |
|
B701 | Decision to grant | ||
PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PB0701 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20041124 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20051205 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20051205 |
|
R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |