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KR910018582A - 실리콘 단결정 제조장치 - Google Patents

실리콘 단결정 제조장치 Download PDF

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Publication number
KR910018582A
KR910018582A KR1019910005434A KR910005434A KR910018582A KR 910018582 A KR910018582 A KR 910018582A KR 1019910005434 A KR1019910005434 A KR 1019910005434A KR 910005434 A KR910005434 A KR 910005434A KR 910018582 A KR910018582 A KR 910018582A
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KR
South Korea
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partition wall
light transmittance
single crystal
quartz
silicon single
Prior art date
Application number
KR1019910005434A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940004639B1 (ko
Inventor
요시노부 시마
히로시 가미오
마고또 스즈기
Original Assignee
야마시로 요시나리
닛뽕 고오깡 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마시로 요시나리, 닛뽕 고오깡 가부시기가이샤 filed Critical 야마시로 요시나리
Publication of KR910018582A publication Critical patent/KR910018582A/ko
Application granted granted Critical
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C30B15/12—Double crucible methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

실리콘 단결정 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한가지 실시태양을 개략적으로 나타낸 종단면도, 제2도는 제1도의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 취한 단면도, 제3도는 간막이벽 요소의 한가지 실시태양을 나타낸 측면도.

Claims (4)

  1. 실리콘 용융물을 수용하는 다공질의 회전형 석영 도가니와, 이 석영도가니를 측면에서 가열하는 전기 저항가열체와, 이 석영도가니 내에서 실리콘 용융물을 단결정 성장부와 원료 용융부로 분할하며 또한 실리콘 용융물이 유통할 수 있는 소형구멍을 가진 석영제 간막이벽과, 이 간막이벽 내측과 원료 용융부 위쪽을 덮는 보온커버와, 이원료 용융부에 원료 실리콘을 계속하여 공급하는 원료 공급장치를 구성하여 직격이 12∼30㎝되는 실리콘단결정을 제조하는 실리콘 단결정 제조장치에 있어서, 간막이벽은 기포함유율이 체적%로 0.01%∼15%의 범위인다공질 석영 유리로 제조하고 석영도가니의 기포함유율이 간막이벽 요소의 기포함유율보다 1.3배 이상이 되게하여 간막이벽 요소를 통한 복사열의 분산이 비다공질 석영유리의 복사열의 분산보다 5/1000∼40/1000배의 범위까지 감소하도록 함을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 석영유리제 간막이벽의 광투과율의 범위가 비다공질 석영유리제의 광투과율의 5/1000∼40/100 이고 간막이벽의 광투과율이 석영도가니의 광투과율의 2배 이상임을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
  3. 제2항에 있어서, 간막이벽가 석영 도가니의 표면 거칠기와 피이크 밀도를 조정함으로써 간막이벽의 광투과율의 범위가 비다공질 간막이벽의 광투과율보다 5/1000∼40/100배가 되는 범위에 있게하고 간막이벽의 광투과율이 석영도가니의 광투과율보다 2배 이상 되게한 실리콘 단결정 제조장치.
  4. 제2항에 있어서, 간막이벽과 석영 도가니의 체적%로서의 기포함유율, 표면 거칠기 및 피이크 밀도를 조정함으로써 간막이벽의 광투과율의 범위가 비다공질 석영유리의 광투과율보다 5/1000∼40/100배가 되는 범위에 있게 하고 간막이벽의 광 투과율이 석영도가니의 광투과율보다 2배 이상 되게한 실리콘 단결정 제조장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005434A 1990-04-27 1991-04-04 실리콘 단결정 제조장치 KR940004639B1 (ko)

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JP02-114523 1990-04-27
JP2114523A JPH0825833B2 (ja) 1990-04-27 1990-04-27 シリコン単結晶の製造方法

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KR940004639B1 KR940004639B1 (ko) 1994-05-27

Family

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CN1055964A (zh) 1991-11-06
FI911127A0 (fi) 1991-03-06
KR940004639B1 (ko) 1994-05-27
EP0454111A1 (en) 1991-10-30
FI911127L (fi) 1991-10-28
MY104640A (en) 1994-04-30

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