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KR900013658A - Bi-CMOS반도체장치 - Google Patents

Bi-CMOS반도체장치 Download PDF

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KR900013658A
KR900013658A KR1019900002073A KR900002073A KR900013658A KR 900013658 A KR900013658 A KR 900013658A KR 1019900002073 A KR1019900002073 A KR 1019900002073A KR 900002073 A KR900002073 A KR 900002073A KR 900013658 A KR900013658 A KR 900013658A
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KR
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semiconductor device
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mos transistor
buried layer
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KR1019900002073A
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Inventor
다케오 마에다
슈소 후지이
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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Abstract

내용 없음

Description

Bi-CMOS반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A)~제1도(J)는 본발명의 제1실시예에 따른 Bi-CMOS반도체장치의 제조공정을 나타낸 단면도.

Claims (11)

  1. 바이폴라 트랜지스터와 상보형 MOS트랜지스터가 1칩상에 혼재되어 있는 Bi-CMOS반도체장치에 있어서, 제1도전형 반도체기판(10)과, 이 반도체기판(10)에 형성된 제2도전형 매립층(13), 이 매립층(13)상에 형성된 제1도전형 웰영역(16), 이 웰영역(16) 중 소정의 제1영역에 형성되는 제2도전채널형 제1MOS트랜지스터, 상기 매립층(13)과 공동으로 상기 웰영역(16)의 제1영역을 둘러싸도록 형성된 제2도전형 포위층(22)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 소정의 제2영역에 형성되는 제2도전챈널형 제2MOS트랜지스터가 구비된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 제1영역 및 제2영역에 서로 다른 값의 제1,제2바이어스전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리장치이고, 상기 제1MOS 트랜지스터가 메모리셀을 구성하기 위해 사용되며, 상기 제2MOS트랜지스터가 주변회로를 구성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  5. 바이폴라 트랜지스터와 상보형 MOS트랜지스터가 1칩상에 혼재되어 있는 Bi-CMOS반도체장치에 있어서, 제1도전형 반도체기판(10)과, 이 반도체기판(10)에 형성된 제1도전형 매립층(9), 이 매립층(9)상에 형성된 제1도전형 웰영역(16). 이 웰영역(16)중 소정의 제1영역에 형성되는 제2도전챈널형 제1MOS트랜지스터, 상기 매립층(9) 및 웰영역(16)의 소정의 제1영역을 둘러싸도록 형성된 제2도전형 포위칭(1,15)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 소정의 제2영역에 형성되는 제2도전챈널형 제2MOS트랜지스터가 구비된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1도전형 웰영역(16)중 제1영역 및 제2영역에 서로 다른 값의 제1,제2바이어스전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리장치고, 상기 제1MOS트랜지스터가 메모리셀을 구성하기 위해 사용되며, 상기 제2MOS트랜지스터가 주변회로를 구성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  9. 제1도전형 반도체기판(19)과, 이 반도체 기판(10)에 형성된 제1도전형 매립층(13), 이 매립층(13)을 상기 반도체기판(10)으로부터 전기적으로 분리시키기위해 매립층(13)을 둘러싸도록 상기 반도체기판(10)에 형성된 제2도전형 포위칭(3,9)이 매립층(13)상에 형성된 제1도전형 제1웰영역(14), 이 웰영역(14)에 인접하게 형성된 제2도전형 제2웰영역(16), 상기 제1웰영역(14)에 형성된 바이폴라 트랜지스터, 상기 제2웰영역(16)에 형성된 제1도전챈널형 1MOS트랜지스터를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2웰영역(16)은 상기 포위층(3,9)과 공동으로 상기 제1웰영역(14)을 둘러싸도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리장치고, 상기 제1MOS트랜지스터가 메모리셀을 구성하기 위해 사용되며, 상기 바이폴라 트랜지스터가 주변회로를 구성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 Bi-CMOS반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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