KR20160036497A

KR20160036497A - 열 박리형 점착 시트

Info

Publication number: KR20160036497A
Application number: KR1020150133547A
Authority: KR
Inventors: 가즈키 소에지마; 준지 후쿠하라; 다카마사 히라야마; 유키오 아리미츠
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2014-09-25
Filing date: 2015-09-22
Publication date: 2016-04-04
Anticipated expiration: 2035-09-22
Also published as: JP6624825B2; JP2020007568A; TWI789534B; TWI667324B; JP6914304B2; TW201619319A; JP2016065209A; TW201936842A; KR102323155B1

Abstract

전자 부품의 재료 가공 시에 적절하게 사용될 수 있는 점착 시트이며, 피착면이 평면인 피착체는 물론, 요철면을 갖는 피착체에 대해서도, 충분한 고정성을 나타내는 열 박리형 점착 시트를 제공하는 데 있다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 점착제층을 구비하는 열 박리형 점착 시트이며, 상기 열 박리형 점착 시트가, 대전 방지재를 포함하고, 상기 점착제층이, 점착제 및 열팽창성 미소구를 포함하고, 상기 점착제를 구성하는 베이스 중합체가, 분지 구조를 갖는 측쇄를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성 단위 A를 포함하고, 상기 구성 단위 A의 함유 비율이, 상기 베이스 중합체 중, 20중량％ 이상이다.

Description

열 박리형 점착 시트{THERMALLY RELEASABLE PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET}

본 발명은 열 박리형 점착 시트에 관한 것이다.

종래, 전자 부품의 재료를 절단할 때에는, 상기 재료를 고정하기 위해서 점착 시트가 사용되고 있다. 이 절단 시에, 소편화된 전자 재료가 점착 시트로부터 탈락해서 비산되어 버린다는, 소위 칩 비산이 발생하는 경우가 있다. 최근 들어, 모듈 부품, 센서 등의 전자 부품의 가공 시에는, 요철면(예를 들어, 밀봉 수지면, 전극 패턴면 등)에 점착 시트를 접합하는 경우가 있어, 상기 칩 비산의 문제가 현저해지고 있다.

한편, 전자 부품의 재료를 절단할 때 사용되는 점착 시트로서, 가열에 의해 점착력이 저하되는 점착 시트(예를 들어, 특허문헌 1)가 알려져 있다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 점착력의 향상을 도모하면서, 절단 후에 피가공물을 양호하게 박리할 수 있을 정도의 박리성을 얻을 수 있다. 그러나, 이러한 점착 시트는, 평면 피착체에 대해서는 소정의 고정성을 발현하기는 하지만, 요철면 피착체에 대해서는 충분한 고정성을 발현하지 못한다는 문제가 있다.

일본 특허 공개 제2002-121510호 공보

점착 시트의 점착력은, 예를 들어 점착제층 중에 점착 부여 수지를 첨가함으로써, 향상시킬 수 있다. 점착 부여 수지를 첨가하면, 점착제층 자체의 점착력은 향상되고, 피착면이 평면인 피착체에 대해서는 충분한 고정성을 갖는 점착 시트를 얻을 수 있다. 그러나, 전극 패턴면과 같이 미세한 요철면을 갖는 피착체에 대하여 이러한 점착 시트를 사용해도, 충분한 고정성은 얻어지지 않아, 상기 칩 비산의 문제를 해결할 수 없다.

본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 점은, 전자 부품의 재료 가공 시에 적절하게 사용될 수 있는 점착 시트이며, 피착면이 평면인 피착체는 물론, 요철면을 갖는 피착체에 대해서도, 충분한 고정성을 나타내는 열 박리형 점착 시트를 제공하는 데 있다.

본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 점착제층을 구비하는 열 박리형 점착 시트이며, 상기 열 박리형 점착 시트가, 대전 방지재를 포함하고, 상기 점착제층이, 점착제 및 열팽창성 미소구를 포함하고, 상기 점착제를 구성하는 베이스 중합체가, 분지 구조를 갖는 측쇄를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성 단위 A를 포함하고, 상기 구성 단위 A의 함유 비율이, 상기 베이스 중합체 중, 20중량％ 이상이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층이, 상기 대전 방지재를 포함한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 기재를 더 포함하고, 상기 기재가, 상기 대전 방지재를 포함한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 상기 기재의 상기 점착제층과는 반대측에 설치되어 있는 대전 방지층을 더 구비하고, 상기 대전 방지층이, 상기 대전 방지재를 포함한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 상기 기재와 상기 점착제층 사이에 형성되어 있는 대전 방지층을 더 구비하고, 상기 대전 방지층이, 상기 대전 방지재를 포함한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 구성 단위 A의 분지 구조를 갖는 측쇄의 탄소수가 5 이상이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층이, 점착 부여 수지를 더 포함하고, 상기 점착 부여 수지의 함유 비율이, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 1중량부 내지 80중량부이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, PET 필름에 대한 점착력이, 2N/20㎜ 이상이다.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 전자 부품의 제조 방법이 제공된다. 이 전자 부품의 제조 방법은, 상기 열 박리형 점착 시트 상에, 전자 부품 재료를 접착한 후, 상기 전자 부품 재료를 절단 가공하는 것을 포함한다.

본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 전자 부품이 제공된다. 이 전자 부품은, 상기 제조 방법에 의해 제조된다.

본 발명에 따르면, 분지 구조를 갖는 측쇄를 갖는 아크릴계 단량체 유래의 구성 단위 A를 포함하는 베이스 중합체를, 점착제층의 베이스 중합체로서 사용함으로써, 요철면에의 추종성이 우수하고, 또한 충분한 점착력을 갖는 점착 시트를 얻을 수 있다. 이러한 점착 시트는, 전자 부품의 재료를 절단하는 공정에 있어서, 상기 재료를 고정하는 점착 시트로서 적절하게 사용되고, 상기 재료를 절단할 때의 칩 비산의 방지에 기여할 수 있다.

또한, 본 발명의 점착 시트는, 점착제층 중에 열팽창성 미소구를 포함하는 열 박리형 점착 시트이다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 전자 부품의 재료를 가공(예를 들어, 절단)할 때에는 상기 재료를 고정하기에 충분한 점착력을 나타내고, 가공 후에는, 가열에 의해 적절한 박리성을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 열 박리형 점착 시트의 개략적인 단면도.
도 2의 (a) 및 (b)는 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 열 박리형 점착 시트의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 의한 열 박리형 점착 시트의 개략적인 단면도.

A. 열 박리형 점착 시트의 전체 구성

도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 열 박리형 점착 시트의 개략적인 단면도이다. 열 박리형 점착 시트(100)는, 점착제층(10)을 구비한다. 점착제층(10)은, 점착제와 복수의 열팽창성 미소구를 포함한다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 가열에 의해 상기 열팽창성 미소구가 팽창 또는 발포되어 표면에 요철이 발생한 결과, 점착력이 저하되고, 피착체의 박리를 필요로 하는 장면에 있어서 적절한 박리성을 발현한다. 점착력과 박리성이 양립된 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 예를 들어 전자 부품 재료를 가공할 때, 상기 가공물을 임시 고정하는 점착 시트로서 적절하게 사용된다. 또한, 이 실시 형태에 있어서는, 열 박리형 점착 시트(100)는, 기재(20)를 더 포함한다. 도시하는 예에 있어서는, 기재(20)의 편측에 점착제층(10)이 배치되어 있는 예를 나타내고 있지만, 점착제층은, 기재의 양측에 배치되어 있어도 된다.

상기 열 박리형 점착 시트는, 대전 방지재를 포함한다. 하나의 실시 형태에 있어서는, 대전 방지재는, 점착제층 중에 함유된다. 또한, 다른 실시 형태에 있어서는, 대전 방지재는, 기재 중에 함유된다. 대전 방지재는, 점착제층 및 기재의 양쪽에, 함유되어 있어도 된다. 대전 방지재의 상세는 후술한다.

도 2의 (a) 및 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 의한 열 박리형 점착 시트의 개략적인 단면도이다. 이 열 박리형 점착 시트(200, 200')는, 대전 방지층(30)을 더 구비한다. 대전 방지층(30)은, 대전 방지재를 포함한다. 대전 방지층(30)은, 기재(20)의 점착제층(10)과는 반대측에 형성되어 있어도 되고(도 2의 (a)), 점착제층(10)과 기재(20) 사이에 형성되어 있어도 된다(도 2의 (b)). 바람직하게는, 대전 방지층은, 기재의 점착제층과는 반대측에 형성된다. 또한, 기재의 양측에 점착제층이 배치되는 경우에는, 상기 대전 방지층은, 기재와 점착제층 사이에 배치될 수 있다.

본 발명의 열 박리형 점착 시트에 있어서는, 분지 구조를 갖는 측쇄(이하, 분지 구조 측쇄라고도 함)를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성 단위 A를 포함하는 베이스 중합체를, 점착제층의 베이스 중합체로서 사용함으로써, 요철면에의 추종성이 우수하고, 또한 충분한 점착력을 갖는 점착 시트를 얻을 수 있다. 한편, 본원의 발명자들은, 구성 단위 A를 소정량 포함하는 베이스 중합체를 포함하는 점착제층을 구비하는 점착 시트에 전자 부품 재료를 접착한 때, 상기 전자 부품 재료가 손상되기 쉽다는 새로운 과제를 찾아내었다. 본 발명은 이러한 새로운 과제도 해결할 수 있는 발명이며, 즉, 요철면에의 추종성을 향상시키고, 또한 대전 방지재를 포함함으로써 피착체로서의 전자 부품 재료의 손상을 방지할 수 있는 열 박리형 점착 시트를 제공하는 발명이다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 피착면이 평면인 전자 부품 재료는 물론, 다종다양한 요철면을 갖는 전자 부품 재료에 대하여 우수한 고정성을 갖고, 상기 전자 부품 재료를 절단 공정에 제공한 경우의 칩 비산을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 피착체로서의 전자 부품 재료의 손상(예를 들어, 단락)을 방지할 수 있다.

도 3은, 본 발명의 또 다른 실시 형태에 의한 열 박리형 점착 시트의 개략적인 단면도이다. 이 열 박리형 점착 시트(300)는, 탄성층(40)을 더 구비한다. 탄성층(40)은, 점착제층에 인접해서 형성될 수 있고, 하나의 실시 형태에 있어서는, 도시하는 예와 같이 점착제층(10)과 기재(20) 사이에 형성된다. 또한, 탄성층은, 기재의 점착제층과는 반대측에 형성되어 있어도 되고, 또한 기재의 양측에 형성되어 있어도 된다. 탄성층을 구비함으로써, 요철면을 갖는 피착체에 대한 추종성이 향상된다. 또한, 탄성층을 구비하는 점착 시트는, 박리 시에 가열한 때에는, 점착제층의 면 방향의 변형(팽창)이 구속되고, 두께 방향의 변형이 우선된다. 그 결과, 박리성이 향상된다. 또한, 상기 대전 방지재를, 탄성층에 함유시켜도 된다.

도시하지 않았지만, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 사용에 제공할 때까지의 사이에, 점착면을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 박리 라이너가 설치되어 있어도 된다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 박리 라이너를 박리한 때 발생하는 박리 대전이 적고, 그로 인해, 피착체로서의 전자 부품 재료의 손상(예를 들어, 단락)을 방지할 수 있다.

본 발명의 열 박리형 점착 시트를 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름에 접착한 때 23℃에 있어서의 점착력 a1은, 바람직하게는 2N/20㎜ 이상이며, 보다 바람직하게는 3N/20㎜ 내지 20N/20㎜이며, 더욱 바람직하게는 4N/20㎜ 내지 10N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 전자 부품 재료 등을 절단 가공할 때의 임시 고정용 시트로서 유용한 열 박리형 점착 시트를 얻을 수 있다. 본 명세서에 있어서 점착력이란, JIS Z 0237:2000에 준한 방법에 의해 측정한 점착력을 말한다. 구체적인 측정 방법은, 후술한다. 또한, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 가열에 의해, 점착력이 저하되는 점착 시트이지만, 상기 「23℃에 있어서의 점착력」이란, 점착력을 저하시키기 전의 점착력을 말한다.

본 발명의 열 박리형 점착 시트의 점착면을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 접착하고, 가열한 후의 점착력 a2는, 바람직하게는 0.2N/20㎜ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1N/20㎜ 이하이다. 본 명세서에 있어서, 열 박리형 점착 시트에 대한 가열이란, 열팽창성 미소구가 팽창 또는 발포되어 점착력이 저하되는 온도·시간에서의 가열을 말한다. 상기 가열은, 예를 들어 70℃ 내지 270℃에서 1분 내지 10분간의 가열이다.

본 발명의 열 박리형 점착 시트의 점착면을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 접착한 때의 점착력(즉 가열 전의 점착력(a1))과, 가열한 후의 점착력(a2)의 비(a2/a1)는, 바람직하게는 0.5 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1 이하이다. (a2/a1)의 하한은, 바람직하게는 0.0001이며, 보다 바람직하게는 0.0005이다.

상기한 바와 같이, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 소정의 온도에서 가열함으로써, 점착면에 요철이 발생한다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트를 가열한 후의 점착면의 표면 조도 Ra는, 바람직하게는 3㎛ 이상이며, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 이러한 범위이면, 가열 후에 점착력이 저하 또는 소실되고, 피착체를 용이하게 박리시킬 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다. 또한, 점착면의 표면 조도 Ra란, 피착체가 없는 상태에서 가열한 후의 점착 시트의 점착면 표면 조도 Ra를 말한다. 표면 조도 Ra는, JIS B 0601:1994에 준하여 측정할 수 있다.

B. 대전 방지재

상기 대전 방지재의 함유 형태로서는, 예를 들어 (1) 첨가물로서 점착제층에 함유되는 형태, (2) 첨가물로서 기재에 함유되는 형태, (3) 점착제층 또는 기재와는 다른층(대전 방지층)에 함유되는 형태 등을 들 수 있다. 또한, 형태(3)에 있어서의 대전 방지층으로서는, 예를 들어 수지를 포함하는 대전 방지층(형태(3a)), 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 대전 방지층(형태(3b)) 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 형태(2) 또는 (3)이며, 보다 바람직하게는 형태(3a)이다. 또한, 투명성의 관점에서, 형태(2) 또는 (3a)가 바람직하게 선택될 수 있고, 보다 바람직하게는 (3a)이다. 형태(2) 또는 (3a)와 같이 해서 대전 방지재를 함유시키면, 투명성이 우수한 열 박리형 점착 시트(예를 들어, 광투과율 70% 내지 90%)가 얻어진다. 이러한 열 박리형 점착 시트는, 점착 시트 너머로 피착체를 식별하는 것이 용이하다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트에 있어서는, 열팽창성 미소구를 포함하는 점착제층은 광학적으로 탁도를 갖기 때문에, 다른 부재의 투명성을 높이고, 열 박리형 점착 시트 전체의 투명성을 높이는 것이 바람직하다. 또한, 형태(1) 또는 (3)을 선택하면, 즉, 대전 방지재를, 기재에 포함시키지 않고 사용하면, 대전 방지재의 경시에 의한 블리드를 방지할 수 있어, 품질면에서의 안정성이 우수한 열 박리형 점착 시트를 얻을 수 있다. 따라서, 대전 방지재를 형태(3a)와 같이 해서 함유시키는 것이 특히 바람직하고, 이 형태에 의하면, 투명성, 품질면에서의 안정성 등이 우수한 열 박리형 점착 시트를 얻을 수 있다. 또한 다른 실시 형태에 있어서는, 대전 방지재를 탄성층에 함유시키는 형태, 기재로서 금속박을 사용하는 등 기재 자체가 대전 방지재로서 기능하는 형태 등을 들 수 있다.

상기 대전 방지재는, 대전 방지재의 형태에 따라, 그 함유 비율이 조정될 수 있다. 대전 방지재의 함유 비율은, 열 박리형 점착 시트의 중량에 대하여 바람직하게는 0.00001중량％ 내지 10중량％이며, 보다 바람직하게는 0.0001중량％ 내지 5중량％이다.

B-1. 대전 방지재가, 첨가물로서 점착제층에 함유되는 형태(형태(1))

상기 형태(1)에 있어서는, 상기 대전 방지재는 점착제층 형성용 조성물에 함유되고, 상기 점착제층 형성용 조성물에 의해 점착제층을 형성함으로써, 대전 방지재를 포함하는 점착제층이 형성된다. 이러한 경우, 점착제층 중의 대전 방지재의 함유 비율은, 점착제층을 구성하는 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01중량부 내지 10중량부이며, 보다 바람직하게는 0.05중량부 내지 5중량부이다. 이러한 범위이면, 전자 부품 재료에 접착한 때, 상기 전자 부품 재료의 손상을 방지할 수 있다.

상기 점착제층 형성용 조성물에 함유되는 대전 방지재로서는, 예를 들어 도전성 중합체, 이온성 액체 등을 들 수 있다. 이 대전 방지재는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

(이온성 액체)

이온성 액체는, 액상의 유기 화합물이며, 실온에서 액상을 나타내는 용융염(이온성 화합물)을 말하고, 점착제 조성물에 있어서의 베이스 중합체에 대한 상용성이 좋다. 이에 의해, 점착제층의 표면에 이온성 액체가 편석되는 것을 억제하여, 점착력의 경시에 의한 저하, 피착체에의 이행에 의한 오염을 방지할 수 있다. 또한, 상용성이란, 이온성 액체와 베이스 중합체를 적당한 혼합 방법(용융 블렌드, 용액 블렌드)에 의해 혼합한 경우에 균일하게 혼합하여, 분상되기 어려운 성질을 의미한다.

또한, 이온성 액체를 사용하면, 우수한 대전 방지성을 발현하는 점착제층을 형성할 수 있다. 이온성 액체를 사용함으로써 우수한 대전 방지성이 얻어지는 이유의 상세는 명확하지 않지만, 다음과 같이 추측된다. 즉, 이온성 액체는 액상이기 때문에, 일반적으로 사용되는 계면 활성제와 비교하여 분자 운동이 용이하고, 전하의 발생에 의해 분자의 재배열이 일어나기 쉽다. 따라서, 이온성 액체를 사용한 경우에는 분자 재배열에 의한 전하 중화 기구가 작용하기 때문에, 우수한 대전 방지 효과가 얻어진다고 생각된다. 또한, 이온성 액체는 실온에서 액상을 나타내기 때문에, 고체의 염과 비교하여 점착제에의 첨가 및 분산 또는 용해를 용이하게 행할 수 있다. 또한, 이온성 액체는 증기압이 없기(불휘발성) 때문에, 경시로 소실되는 일도 없고, 대전 방지성이 계속해서 얻어지는 특징을 갖는다.

상기 이온성 액체의 함유 비율은, 점착제층을 구성하는 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01중량부 내지 10중량부이며, 보다 바람직하게는 0.01중량부 내지 8중량부이며, 보다 바람직하게는 0.1중량부 내지 5중량부이다. 이러한 범위이면, 충분한 대전 방지 효과를 얻을 수 있다.

상기 이온성 액체로서는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 이온성 액체가 사용될 수 있다. 이온성 액체는, 바람직하게는 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염 또는 인 함유 오늄염이며, 보다 바람직하게는 하기 일반식(A) 내지 (E)로 표시되는 유기 양이온 성분과 음이온 성분을 포함하는 염이 바람직하게 사용된다. 우수한 대전 방지능을 발현하기 때문이다.

식(A) 중의 Ra는, 탄소수 4 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, Ra, Rb 및 Rc는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또한, 질소 원자가 이중 결합에 의해 결합되어 있는 경우, Rc는 없다.

식(B) 중, Rd는, 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, Re, Rf 및 Rg는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타낸다. Rd, Re, Rf 및 Rg는 헤테로 원자를 포함해도 된다.

식(C) 중, Rh는, 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, Ri, Rj 및 Rk는 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타낸다. Rh, Ri, Rj 및 Rk는 헤테로 원자를 포함해도 된다.

식(D) 중, Z는, 질소, 황 또는 인 원자를 나타내고, Rl, Rm, Rn 및 Ro는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함해도 된다. 단, Z가 황 원자인 경우, Ro는 없다.

식(E) 중, Rp는, 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함해도 된다.

식(A)로 표시되는 양이온으로서는, 피리디늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피롤리디늄 양이온, 피롤린 골격을 갖는 양이온, 피롤 골격을 갖는 양이온 등을 들 수 있다. 예를 들어, 피리디늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피롤리디늄 양이온, 피롤린 골격을 갖는 양이온, 피롤 골격을 갖는 양이온 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 예를 들어 1-에틸피리디늄 양이온, 1-부틸피리디늄 양이온, 1-헥실피리디늄 양이온, 1-부틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-3,4-디메틸피리디늄 양이온 등의 피리디늄 양이온; 1-프로필피페리디늄 양이온, 1-펜틸피페리디늄 양이온, 1,1-디메틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-에틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1,1-디프로필피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피페리디늄 양이온, 1,1-디부틸피페리디늄 양이온 등의 피페리디늄 양이온; 1,1-디메틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-에틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디프로필피롤리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디부틸피롤리디늄 양이온 등의 피롤리디늄 양이온; 2-메틸-1-피롤린 양이온, 1-에틸-2-페닐인돌 양이온, 1,2-디메틸인돌 양이온, 1-에틸카르바졸 양이온 등을 들 수 있다.

식(B)로 표시되는 양이온으로서는, 이미다졸륨 양이온, 테트라히드로피리미디늄 양이온, 디히드로피리미디늄 양이온 등을 들 수 있다. 예를 들어, 이미다졸륨 양이온, 테트라히드로피리미디늄 양이온, 디히드로피리미디늄 양이온 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 예를 들어 1,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1,3-디에틸이미다졸륨 양이온, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨 양이온, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온 등의 이미다졸륨 양이온; 1,3-디메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,5-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온 등의 테트라히드로피리미디늄 양이온; 1,3-디메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,3-디메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온 등의 디히드로피리미디늄 양이온 등 및 1-부틸-3-메틸피리디늄비스이미드 등의 1-부틸-3-메틸피리디늄 양이온을 들 수 있다.

식(C)로 표시되는 양이온으로서는, 피라졸륨 양이온, 피라졸리늄 양이온 등을 들 수 있다. 예를 들어, 피라졸륨 양이온, 피라졸리늄 양이온 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 예를 들어 1-메틸피라졸륨 양이온, 3-메틸피라졸륨 양이온, 1-에틸-2-메틸피라졸리늄 양이온 등을 들 수 있다.

식(D)로 표시되는 양이온으로서는, 테트라알킬암모늄 양이온, 트리알킬술포늄 양이온, 테트라알킬포스포늄 양이온 등을 들 수 있다. 또한, 이들 양이온의 알킬기의 일부가 알케닐기, 알콕실기 또는 에폭시기로 치환된 양이온을 사용해도 된다. 또한, Rl, Rm, Rn 및 Ro는, 상기한 바와 같이, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기이지만, 바람직하게 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다. 또한, Rl, Rm, Rn 및 Ro는, 방향족 환기 또는 지방족 환기이어도 된다. 식(D)로 표시되는 양이온의 구체예로서는, 테트라알킬암모늄 양이온, 트리알킬술포늄 양이온, 테트라알킬포스포늄 양이온이나, 상기 알킬기의 일부가 알케닐기나 알콕실기, 나아가서는 에폭시기로 치환된 것 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 예를 들어 N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모늄 양이온, 트리메틸헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리에틸프로필암모늄 양이온, 트리에틸펜틸암모늄 양이온, 트리에틸헵틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, 테트라메틸암모늄 양이온, 테트라에틸암모늄 양이온, 테트라부틸암모늄 양이온, 테트라헥실암모늄 양이온, 트리부틸에틸암모늄 양이온, 트리메틸데실암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 양이온, 글리시딜트리메틸암모늄 양이온, 디알릴디메틸암모늄 양이온 등의 테트라알킬암모늄 양이온; 트리메틸술포늄 양이온, 트리에틸술포늄 양이온, 트리부틸술포늄 양이온, 트리헥실술포늄 양이온, 디에틸메틸술포늄 양이온, 디부틸에틸술포늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온 등의 트리알킬술포늄 양이온; 테트라메틸포스포늄 양이온, 테트라에틸포스포늄 양이온, 테트라부틸포스포늄 양이온, 테트라헥실포스포늄 양이온, 포스포늄 양이온, 트리에틸메틸포스포늄 양이온, 트리부틸에틸포스포늄 양이온, 트리메틸데실포스포늄 양이온 등의 테트라알킬포스포늄 양이온 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서는, 상기 양이온 성분 중에서도, 식(A)로 표시되는 양이온(특히, 1-에틸피리디늄 양이온, 1-부틸피리디늄 양이온, 1-헥실피리디늄 양이온, 1-부틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-3,4-디메틸피리디늄 양이온 등의 피리디늄 양이온), 식(D)로 표시되는 양이온(특히, 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리부틸에틸암모늄 양이온, 트리메틸데실암모늄 양이온, 디에틸메틸술포늄 양이온, 디부틸에틸술포늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온, 트리에틸메틸포스포늄 양이온, 트리부틸에틸포스포늄 양이온, 트리메틸데실포스포늄 양이온 등의 비대칭의 테트라알킬암모늄 양이온, 트리알킬술포늄 양이온, 테트라알킬포스포늄 양이온이나 N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 양이온, 디알릴디메틸암모늄 양이온, 글리시딜트리메틸암모늄 양이온 등) 등이 특히 우수한 대전 방지능이 얻어지는 점에서 바람직하게 사용된다.

식(E)로 표시되는 양이온의 구체예로서는, Rp로서, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 옥타데실기 등의 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 술포늄염을 들 수 있다.

상기 음이온 성분으로서는, 상기 양이온 성분과 함께 이온성 액체를 형성할 수 있는 것이면, 임의의 적절한 음이온 성분이 사용될 수 있다. 예를 들어, Cl^-, Br^-, I^-, AlCl₄ ^-, Al₂Cl₇ ^-, BF₄ ^-, PF₆ ^-, ClO₄ ^-, NO₃ ^-, CH₃COO^-, CF₃COO^-, CH₃SO₃ ^-, CF₃SO₃ ^-, (CF₃SO₂)₂N^-, (CF₃SO₂)₃C^-, AsF₆ ^-, SbF₆ ^-, NbF₆ ^-, TaF₆ ^-, F(HF)_n ^-, (CN)₂N^-, C₄F₉SO₃ ^-, (C₂F₅SO₂)₂N^-, C₃F₇COO^-, (CF₃SO₂) (CF₃CO)N 등을 들 수 있다. 소수성의 음이온 성분은, 점착제 표면에 블리딩하기 어려운 경향이 있고, 저오염성의 관점에서 바람직하게 사용된다. 또한, 불소 원자를 포함하는 음이온 성분은, 저융점의 이온성 화합물이 얻어진다는 점에서 특히 바람직하게 사용된다.

본 발명에 있어서의 이온성 액체는, 상기 양이온 성분과 음이온 성분의 조합으로부터 적절히 선택해서 사용되며, 예를 들어 1-부틸피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-부틸피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-부틸-3-메틸피리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-헥실피리디늄테트라플루오로보레이트, 1,1-디메틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피롤리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-펜틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피페리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피롤리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-펜틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피페리디늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 2-메틸-1-피롤린테트라플루오로보레이트, 1-에틸-2-페닐인돌테트라플루오로보레이트, 1,2-디메틸인돌테트라플루오로보레이트, 1-에틸카르바졸테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨헵타플루오로부티레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로메탄술포네이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨퍼플루오로부탄술포네이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨디시안아미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨트리스(트리플루오로메탄술포닐)메티드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3 -메틸이미다졸륨트리플루오로아세테이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨헵타플루오로부티레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨퍼플루오로부탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨브로마이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨클로라이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨트리플루오로메탄술포네이트, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸피라졸륨테트라플루오로보레이트, 3-메틸피라졸륨테트라플루오로보레이트, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N,N-디프로필암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리메틸헵틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸프로필암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸헵틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리옥틸메틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-부틸피리디늄(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 1-부틸-3-메틸피리디늄(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 테트라헥실암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸암모늄테트라플루오로보레이트, 디알릴디메틸암모늄트리플루오로메탄술포네이트, 디알릴디메틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸암모늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄테트라플루오로보레이트, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄트리플루오로메탄술포네이트, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 글리시딜트리메틸암모늄트리플루오로메탄술포네이트, 글리시딜트리메틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 글리시딜트리메틸암모늄비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸비스(펜타플루오로에탄탄술포닐)이미드 등을 들 수 있다.

이온성 액체의 합성 방법으로서는, 목적으로 하는 이온성 액체를 얻을 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는, 문헌 「이온성 액체-개발의 최전선과 미래-」 [(주) CMC 출판 발행]에 기재되어 있는 바와 같은, 할로겐화물법, 수산화물법, 산 에스테르법, 착형성법 또는 중화법 등이 사용된다. 또한, 시판중인 이온성 액체를 채용할 수도 있다.

(도전성 중합체)

상기 도전성 중합체로서는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 중합체가 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤 등을 들 수 있다.

B-2. 대전 방지재가, 첨가물로서 기재에 함유되는 형태(형태(2))

상기 형태(2)에 있어서 사용되는 대전 방지재로서는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 대전 방지재에 사용될 수 있다. 예를 들어, B-1항에 기재된 도전성 중합체, 후술하는 B-3항에 기재된 대전 방지제 등이 사용될 수 있다.

상기 형태(2)에 있어서, 대전 방지재의 함유 비율은, 기재의 총중량에 대하여 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.05중량％ 내지 10중량％이다.

기재에 대전 방지재를 함유시키는 방법으로서는, 상기 대전 방지재가 기재에 사용되는 수지에 균일하게 혼합할 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 가열 롤, 밴버리 믹서, 가압 니더, 2축 혼련기 등을 사용해서 기재에 함유시키는 방법을 들 수 있다.

B-3. 대전 방지재가, 점착제층 또는 기재와는 다른층(대전 방지층)에 함유되는 형태(형태(3))

상기한 바와 같이, 형태(3)에 있어서의 대전 방지층으로서는, 예를 들어 수지를 포함하는 대전 방지층(형태(3a)), 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 대전 방지층(형태(3b)) 등을 들 수 있다.

상기 대전 방지층의 표면 저항률은, 바람직하게는 1.0×10¹³Ω/□ 이하이며, 보다 바람직하게는 1.0×10¹²Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0×10¹¹Ω/□ 이하이다. 이러한 범위이면, 전자 부품 재료에 접착한 때, 상기 전자 부품 재료의 손상을 방지할 수 있다. 표면 저항률은, JIS K 6911에 준하여 측정할 수 있다(23℃/50% 분위기 하에서, 전극 면적:20㎠, 인가 전압:500V, 인가 시간:30초, 동심원 전극(프로브)을 사용).

<수지를 포함하는 대전 방지층(형태(3a))>

하나의 실시 형태에 있어서는, 대전 방지층은, 대전 방지재 및 결합제 수지를 포함한다(형태(3a-1)).

이 실시 형태(형태(3a-1))에 있어서, 상기 대전 방지층에 함유되는 대전 방지재로서는, 예를 들어 제4급 암모늄염, 피리디늄염, 제1, 제2, 제3 아미노기 등의 양이온성 관능기를 갖는 양이온형 대전 방지제; 술폰산염이나 황산 에스테르염, 포스폰산염, 인산 에스테르염 등의 음이온성 관능기를 갖는 음이온형 대전 방지제; 알킬베타인 및 그의 유도체, 이미다졸린 및 그의 유도체, 알라닌 및 그의 유도체 등의 양성 이온형 대전 방지제; 아미노알코올 및 그의 유도체, 글리세린 및 그의 유도체, 폴리에틸렌글리콜 및 그의 유도체 등의 비이온형 대전 방지제; 상기 양이온형, 음이온형, 양성 이온형의 이온 도전성기를 갖는 단량체를 중합 또는 공중합해서 얻어진 이온 도전성 중합체 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

상기 양이온형의 대전 방지제의 구체예로서는, 예를 들어 알킬트리메틸암모늄 염, 아실로일아미드프로필트리메틸암모늄메토술페이트, 알킬벤질메틸암모늄염, 아실 염화 콜린, 폴리디메틸아미노에틸메타크릴레이트 등의 4급 암모늄기를 갖는 (메트)아크릴레이트 공중합체, 폴리비닐벤질트리메틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄기를 갖는 스티렌 공중합체, 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄기를 갖는 디알릴 아민 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

상기 음이온형의 대전 방지제의 구체예로서는, 예를 들어 알킬술폰산염, 알킬벤젠술폰산염, 알킬황산 에스테르염, 알킬에톡시황산 에스테르염, 알킬인산 에스테르염, 술폰산기 함유 스티렌 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

상기 양성 이온형의 대전 방지제의 구체예로서는, 예를 들어 알킬베타인, 알킬이미다졸륨베타인, 카르보베타인그라프트 공중합 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

상기 비이온형의 대전 방지제의 구체예로서는, 예를 들어 지방산 알킬올아미드, 디(2-히드록시에틸)알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 지방산 글리세린에스테르, 폴리옥시에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌디아민, 폴리에테르와 폴리에스테르와 폴리아미드를 포함하는 공중합체, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

상기 대전 방지층을 구성하는 결합제 수지로서는, 임의의 적절한 수지가 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리에스테르계 수지, 아크릴계 수지, 폴리비닐계 수지, 우레탄계 수지, 멜라민계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 또한, 가교제를 병용해도 된다. 가교제로서는, 예를 들어 메틸올화 또는 알킬올화한 멜라민계 화합물, 요소계 화합물, 글리옥살계 화합물, 아크릴아미드계 화합물, 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 등을 들 수 있다.

다른 실시 형태에 있어서는, 상기 대전 방지층은, 도전성 중합체를 포함한다(형태(3a-2)). 도전성 중합체로서는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 중합체가 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤 등을 들 수 있다.

수지(결합제 수지, 도전성 중합체)를 포함하는 대전 방지층의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 상기 대전 방지재와 결합제 수지를 임의의 적절한 용매로 희석해서 제조한 대전 방지층 형성용 조성물 또는, 상기 도전성 중합체를 임의의 적절한 용매로 희석해서 제조한 대전 방지층 형성용 조성물을, 기재, 점착제층 또는 탄성층에 도포하고, 건조하는 방법을 들 수 있다.

상기 도공액에 사용되는 용매로서는, 물; 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라히드로푸란, 디옥산, 시클로헥사논, n-헥산, 톨루엔, 크실렌, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올 등의 유기 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.

상기 도공액의 도포 방법으로서는, 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 예를 들어, 롤 코팅법, 그라비아 코팅법, 리버스 코팅법, 롤 브러시법, 스프레이 코팅법,에어 나이프 코팅법, 함침법, 커튼 코팅법 등을 들 수 있다.

수지를 포함하는 대전 방지층의 두께는, 바람직하게는 0.01㎛ 내지 5㎛이며, 보다 바람직하게는 0.03㎛ 내지 1㎛이다. 상기 대전 방지층의 두께가 0.01㎛ 미만인 경우, 대전 방지 기능이 안정되게 발현되지 못할 우려가 있다. 또한, 대전 방지층의 두께가 5㎛보다도 두꺼울 경우, 도포 얼룩 등에 의한 외관 불량이 발생할 우려가 있다.

<금속 또는 금속 산화물을 포함하는 대전 방지층(형태(3b))>

상기 형태(3b)에 있어서, 대전 방지층은, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 금속 또는 금속 산화물을 포함한다. 금속으로서는, 예를 들어 인듐, 주석, 안티몬, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 티타늄, 철, 코발트, 요오드화 구리 및 그들의 합금 또는 혼합물을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 알루미늄이다. 또한, 금속 산화물로서는, 예를 들어 산화인듐주석, 산화인듐아연, 산화주석, 산화안티몬, 산화인듐 등을 들 수 있다.

금속 또는 금속 산화물을 포함하는 대전 방지층의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 화학 증착법, 스프레이 열분해법, 화학 도금법, 전기 도금법 등을 들 수 있다. 또한, 금속 필름 또는 금속 산화물 필름을 기재, 점착제층 또는 탄성층에 적층하여, 대전 방지층을 형성해도 된다.

금속 또는 금속 산화물을 포함하는 대전 방지층의 두께는, 바람직하게는 2㎚ 내지 1000㎚이며, 보다 바람직하게는 5㎚ 내지 500㎚이다.

C. 점착제층

상기 점착제층은, 바람직하게는 점착제와 열팽창성 미소구를 포함한다. 또한, 점착제층은, B항에서 설명한 바와 같이, 대전 방지재를 포함하고 있어도 된다.

상기 점착제층의 두께는, 바람직하게 300㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 150㎛이며, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 100㎛이다. 점착제층의 두께가 300㎛보다 두꺼울 경우, 사용 설비가 제약되고, 생산성이 현저하게 저하되고, 다이싱 등의 절단 공정에 제공한 때의 가공 정밀도(절단면의 직선성, 칩 절결 등)가 저하되는 등의 문제가 발생할 우려가 있다.

상기 점착제층에 25℃에 있어서의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 바람직하게는 0.1㎫ 내지 100㎫이며, 보다 바람직하게는 0.5㎫ 내지 50㎫이며, 더욱 바람직하게는 0.8㎫ 내지 30㎫이다. 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이란, 압자를 시료(점착면)에 압입한 때의, 압자에의 부하 하중과 압입 깊이를 부하시, 제하시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해지는 탄성률을 말한다. 본 명세서에 있어서, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이란, 측정 조건을 하중:1mN, 부하·제하 속도:0.1mN/s, 유지 시간:1s로 하여 상기와 같이 측정한 탄성률을 말한다. 또한, 점착제층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 열팽창성 미소구가 존재하지 않는 부분을 선택해서 상기 측정 방법에 의해 측정된 탄성률, 즉 점착제의 탄성률을 말한다.

상기 점착제층이 대전 방지재를 포함하는 경우, 점착제층의 표면 저항률은, 바람직하게는 1.0×10¹³Ω/□ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0×10¹²Ω/□ 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.0×10¹¹Ω/□ 이하이다. 이러한 범위이면, 전자 부품 재료에 접착 한 때에, 상기 전자 부품 재료의 손상을 방지할 수 있다.

(점착제)

상기 점착제로서는, 아크릴계 점착제가 바람직하게 사용된다. 아크릴계 점착제로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르에 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독 중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.

상기 점착제를 구성하는 베이스 중합체는, 분지 구조 측쇄를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성 단위 A를 포함한다. 베이스 중합체로서, 구성 단위 A를 포함하는 중합체를 사용함으로써, 점착력이 우수하고, 또한 요철 추종성이 우수한 열 박리형 점착 시트를 얻을 수 있다. 이러한 열 박리형 점착 시트를 전자 부품 재료의 절단 공정 시의 임시 고정용에 사용하면, 상기 재료의 칩 비산을 방지할 수 있다.

상기 베이스 중합체 중, 구성 단위 A의 함유 비율은, 바람직하게는 20중량％ 이상이며, 보다 바람직하게는 25중량％ 내지 99중량％이며, 더욱 바람직하게는 55중량％ 내지 99중량％이다. 이러한 범위이면, 상기 효과(고 점착력, 양호한 요철 추종성)가 현저해진다.

상기 구성 단위 A의 분지 구조 측쇄의 탄소수는, 바람직하게는 5 이상이며, 보다 바람직하게는 6 내지 18이며, 더욱 바람직하게는 8 내지 18이다. 이러한 범위이면, 상기 효과(고 점착력, 양호한 요철 추종성)가 현저해진다.

상기 구성 단위 A를 구성하는 (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 이소부틸, (메트)아크릴산 s-부틸, (메트)아크릴산 t-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 이소옥틸, (메트)아크릴산 이소노닐, (메트)아크릴산 이소데실, (메트)아크릴산 2-에틸부틸, (메트)아크릴산 2-메틸부틸 등을 들 수 있다.

상기 구성 단위 A에 있어서, 분지 구조 측쇄를 구성하는 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 5 이상이며, 보다 바람직하게는 6 내지 18이며, 더욱 바람직하게는 8 내지 18이다. 이러한 범위이면, 상기 효과(고 점착력, 양호한 요철 추종성)가 현저해진다.

상기 구성 단위 A를 구성하는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 이외의 (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 부틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 에이코실 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수가 1 내지 18인 직쇄상 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르가 사용될 수 있다.

상기 베이스 중합체(아크릴계 중합체)는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산 알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이코탄산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산 히드록시에틸, (메트)아크릴산 히드록시프로필, (메트)아크릴산 히드록시부틸, (메트)아크릴산 히드록시헥실, (메트)아크릴산 히드록시옥틸, (메트)아크릴산 히드록시데실, (메트)아크릴산 히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환)아미드계 단량체; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 단량체; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 단량체; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 단량체; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 단량체; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 단량체; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산 아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 단량체; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 단량체; (메트)아크릴산 폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 단량체; (메트)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스테르계 단량체; 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 등의 다관능 단량체; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체 등을 들 수 있다. 이 단량체 성분은, 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 된다.

상기 다른 단량체 성분에 대응하는 단위의 함유 비율은, 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 20중량부이며, 보다 바람직하게는 2중량부 내지 15중량부이며, 더욱 바람직하게는 2중량부 내지 10중량부이다. 이러한 범위이면, 피착체에의 요철 추종성, 점착력, 가열 박리성의 특성 양립이 가능하게 된다.

상기 점착제는, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 가교제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트리멜리트산 에스테르계 가소제, 피로멜리트산 에스테르계 가소제), 안료, 염료, 충전제, 노화 예방제, 도전재, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.

상기 점착 부여제로서는, 임의의 적절한 점착 부여제가 사용된다. 점착 부여제로서는, 예를 들어 점착 부여 수지가 사용된다. 점착 부여 수지의 구체예로서는, 로진계 점착 부여 수지(예를 들어, 미변성 로진, 변성 로진, 로진 페놀계 수지, 로진에스테르계 수지 등), 테르펜계 점착 부여 수지(예를 들어, 테르펜계 수지, 테르펜페놀계 수지, 스티렌 변성 테르펜계 수지, 방향족 변성 테르펜계 수지, 수소 첨가 테르펜계 수지), 탄화수소계 점착 부여 수지(예를 들어, 지방족계 탄화수소 수지, 지방족계 환상 탄화수소 수지, 방향족계 탄화수소 수지(예를 들어, 스티렌계 수지, 크실렌계 수지 등), 지방족·방향족계 석유 수지, 지방족·지환족계 석유 수지, 수소 첨가 탄화수소 수지, 쿠마론계 수지, 쿠마론인덴계 수지 등), 페놀계 점착 부여 수지(예를 들어, 알킬페놀계 수지, 크실렌 포름알데히드계 수지, 레졸, 노볼락 등), 케톤계 점착 부여 수지, 폴리아미드계 점착 부여 수지, 에폭시계 점착 부여 수지, 엘라스토머계 점착 부여 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 로진계 점착 부여 수지, 테르펜계 점착 부여 수지 또는 페놀계 점착 부여 수지이다. 특히 바람직하게는, 로진 페놀계 점착 부여 수지 및 테르펜페놀계 점착 부여 수지이다. 이 점착 부여제와 베이스 중합체는 비교적 양호한 상용성을 나타내기 때문에, 상기 점착 부여제를 사용해서 얻어진 점착제에 의하면, 안정된 요철 추종성이 가능하게 된다. 그 결과, 칩 비산의 억제에 우수한 열 박리형 점착 시트를 얻을 수 있다. 점착 부여제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 된다.

상기 점착 부여제는 시판품을 사용해도 된다. 시판품의 점착 부여제의 구체예로서는, 야스하라 케미컬사제의 상품명 「YS 폴리스터 S145」, 「마이티에이스 K140」, 아라까와 가가꾸사제의 상품명 「타마노르 901」 등의 테르펜페놀 수지; 스미토모 베이크라이트사제의 상품명 「스미라이트레진 PR-12603」, 아라까와 가가꾸사제의 상품명 「타마노르 361」 등의 로진 페놀 수지; 아라까와 가가꾸사제의 상품명 「타마노르 1010R」, 「타마노르 200N」 등의 알킬페놀 수지; 아라까와 가가꾸사제의 상품명 「알콘 P-140」 등의 지환족계 포화 탄화수소 수지 등을 들 수 있다.

상기 점착 부여제의 함유량은, 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 80중량부이며, 보다 바람직하게는 5중량부 내지 70중량부이며, 더욱 바람직하게는 10중량부 내지 50중량부이며, 특히 바람직하게는 10중량부 내지 40중량부이다. 점착 부여제를 첨가함으로써 점착력을 높일 수 있다. 한편, 점착 부여제의 첨가는, 점착 시트의 요철 추종성을 저해하는 요인이 되는 바, 본 발명에 있어서는, 상기와 같이 특정한 단량체 유래의 구성 단위 A를 갖는 베이스 중합체로 점착제층을 형성함으로써, 요철 추종성과 고점착력을 양립시킬 수 있다.

상기 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제에 추가해서, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 이소시아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제이다.

상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 이소시아네이트계 가교제의 함유량은, 원하는 점착력에 따라, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있고, 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 대표적으로는 0.1중량부 내지 20중량부이며, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이다.

상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들어 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 디글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)시클로헥산(미쯔비시 가스 가가꾸사제, 상품명 「테트래드 C」, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사제, 상품명 「에폴라이트 1600」), 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사제, 상품명 「에폴라이트 1500NP」), 에틸렌글리콜디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사제, 상품명 「에폴라이트 40E」), 프로필렌글리콜디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사제, 상품명 「에폴라이트 70P」), 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르(닛본 유시사제, 상품명 「에피올 E-400」), 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르(닛본 유시사제, 상품명 「에피올 P-200」), 소르비톨폴리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사제, 상품명 「데나콜 EX-611」), 글리세롤폴리글리시딜에테르(나가세켐텍스사제, 상품명 「데나콜 EX-314」), 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사제, 상품명 「데나콜 EX-512」), 소르비탄폴리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 아디프산 디글리시딜에스테르, o-프탈산 디글리시딜에스테르, 트리글리시딜-트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 레조르신디글리시딜에테르, 비스페놀-S-디글리시딜에테르, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 에폭시계 가교제의 함유량은, 원하는 점착력에 따라, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있고, 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 대표적으로는 0.01중량부 내지 10중량부이며, 보다 바람직하게는 0.03중량부 내지 5중량부이다.

(열팽창성 미소구)

상기 열팽창성 미소구로서는, 가열에 의해 팽창 또는 발포할 수 있는 미소구인 한에 있어서, 임의의 적절한 열팽창성 미소구를 사용할 수 있다. 상기 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 팽창하는 물질을, 탄성을 갖는 껍데기 내에 내포시킨 미소구가 사용될 수 있다. 이러한 열팽창성 미소구는, 임의의 적절한 방법, 예를 들어 코아세르베이션법, 계면 중합법 등에 의해 제조할 수 있다.

가열에 의해 용이하게 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 프로판, 프로필렌, 부텐, 노르말 부탄, 이소부탄, 이소펜탄, 네오펜탄, 노르말 펜탄, 노르말 헥산, 이소 헥산, 헵탄, 옥탄, 석유에테르, 메탄의 할로겐화물, 테트라알킬 실란 등의 저비점 액체; 열분해에 의해 가스화하는 아조디카본아미드; 등을 들 수 있다.

상기 껍데기를 구성하는 물질로서는, 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, α-클로르아크릴로니트릴, α-에톡시아크릴로니트릴, 푸마로니트릴 등의 니트릴 단량체; 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산 등의 카르복실산 단량체; 염화 비닐리덴; 아세트산 비닐; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, β-카르복시에틸아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 에스테르; 스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌 등의 스티렌 단량체; 아크릴아미드, 치환 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 치환 메타크릴아미드 등의 아미드 단량체; 등을 포함하는 중합체를 들 수 있다. 이 단량체를 포함하는 중합체는, 단독 중합체이어도 되고, 공중합체이어도 된다. 상기 공중합체로서는, 예를 들어 염화 비닐리덴-메타크릴산 메틸-아크릴로니트릴 공중합체, 메타크릴산 메틸-아크릴로니트릴-메타크릴로니트릴 공중합체, 메타크릴산 메틸-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-메타크릴로니트릴-이타콘산 공중합체 등을 들 수 있다.

상기 열팽창성 미소구로서, 무기계 발포제 또는 유기계 발포제를 사용해도 된다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산 암모늄, 수산화 붕소 나트륨, 각종 아지드류 등을 들 수 있다. 또한, 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로 메탄 등의 염불화 알칸계 화합물; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드; 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다.

상기 열팽창성 미소구는 시판품을 사용해도 된다. 시판품의 열팽창성 미소구의 구체예로서는, 마쯔모또 유시 세야꾸샤제의 상품명 「마쯔모토 마이크로스페어」(그레이드: F-30, F-30D, F-36D, F-36LV, F-50, F-50D, F-65, F-65D, FN-100SS, FN-100SSD, FN-180SS, FN-180SSD, F-190D, F-260D, F-2800D), 니혼 피라이트사제의 상품명 「엑스팬슬」(그레이드:053-40, 031-40, 920-40, 909-80, 930-120), 구레하 가가꾸 고교사제 「다이 폼」(그레이드:H750, H850, H1100, S2320D, S2640D, M330, M430, M520), 세끼스이 가가꾸 고교사제 「어드반셀」(그레이드:EML101, EMH204, EHM301, EHM302, EHM303, EM304, EHM401, EM403, EM501) 등을 들 수 있다.

상기 열팽창성 미소구의 가열 전 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 내지 80㎛이며, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 45㎛이며, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 20㎛이며, 특히 바람직하게는 10㎛ 내지 15㎛이다. 따라서, 상기 열팽창성 미소구의 가열 전 입자 사이즈를 평균 입자 직경으로 말하면, 바람직하게는 6㎛ 내지 45㎛이며, 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 35㎛이다. 상기 입자 직경과 평균 입자 직경은 레이저 산란법에 있어서의 입도 분포 측정법에 의해 구해지는 값이다.

상기 열팽창성 미소구는, 체적 팽창률이 바람직하게는 5배 이상, 보다 바람직하게는 7배 이상, 더욱 바람직하게는 10배 이상이 될 때까지 파열되지 않는 적당한 강도를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 열팽창성 미소구를 사용하는 경우, 가열 처리에 의해 점착력을 효율적으로 저하시킬 수 있다.

상기 점착제층에 있어서의 열팽창성 미소구의 함유 비율은, 원하는 점착력의 저하성 등에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 열팽창성 미소구의 함유 비율은, 점착제층을 형성하는 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 1중량부 내지 150중량부, 바람직하게는 10중량부 내지 130중량부, 더욱 바람직하게는 25중량부 내지 100중량부이다.

D. 기재

상기 기재로서는, 예를 들어 수지 시트, 부직포, 종이, 금속박, 직포, 고무 시트, 발포 시트, 이 적층체(특히, 수지 시트를 포함하는 적층체) 등을 들 수 있다. 수지 시트를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 폴리아미드(나일론), 전체 방향족 폴리아미드(아라미드), 폴리이미드(PI), 폴리염화비닐(PVC), 폴리페닐렌술피드(PPS), 불소계 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등을 들 수 있다. 부직포로서는, 마닐라 마를 포함하는 부직포 등의 내열성을 갖는 천연 섬유에 의한 부직포; 폴리프로필렌 수지 부직포, 폴리에틸렌 수지 부직포, 에스테르계 수지 부직포 등의 합성 수지 부직포 등을 들 수 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, B항에서 설명한 바와 같이, 상기 기재는, 대전 방지재를 포함하고 있어도 된다. 대전 방지재를 포함하는 기재로서는, 예를 들어 대전 방지재가 속에 넣어진 수지 시트가 사용될 수 있다. 상기 수지 시트는, 수지와 대전 방지재를 포함하는 기재 형성용 조성물로 형성될 수 있다. 다른 실시 형태에 있어서는, 기재로서 금속박 등을 사용하고, 기재 자체가 대전 방지재이어도 된다.

상기 기재의 두께는, 원하는 강도 또는 유연성, 및 사용 목적 등에 따라, 임의의 적절한 두께로 설정될 수 있다. 기재의 두께는, 바람직하게는 1000㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 1㎛ 내지 1000㎛이며, 더욱 바람직하게는 1㎛ 내지 500㎛이며, 특히 바람직하게는 3㎛ 내지 300㎛이며, 가장 바람직하게는 5㎛ 내지 250㎛이다.

상기 기재는, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리, 하도제에 의한 코팅 처리 등을 들 수 있다. 이러한 표면 처리를 행하면, 점착제층과 기재의 밀착성을 높일 수 있다.

상기 유기 코팅 재료로서는, 예를 들어 플라스틱 하드 코팅 재료 II(CMC 출판, (2004))에 기재되는 재료를 들 수 있다. 바람직하게는 우레탄계 중합체, 보다 바람직하게는 폴리아크릴우레탄, 폴리에스테르우레탄 또는 이 전구체가 사용된다. 기재에의 도포 시공·도포가 간편하고, 또한 공업적으로 다종의 것을 선택할 수 있어 저렴하게 입수할 수 있기 때문이다. 상기 우레탄계 중합체는, 예를 들어 이소시아네이토 단량체와 알코올성 수산기 함유 단량체(예를 들어, 수산기 함유 아크릴 화합물 또는 수산기 함유에스테르 화합물)와의 반응 혼합물로 이루어지는 중합체이다. 유기 코팅 재료는, 임의의 첨가제로서, 폴리아민 등의 쇄연장제, 노화 예방제, 산화 안정제 등을 포함하고 있어도 된다. 유기 코팅층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.1㎛ 내지 10㎛ 정도가 적합하고, 0.1㎛ 내지 5㎛ 정도가 바람직하고, 0.5㎛ 내지 5㎛ 정도가 보다 바람직하다.

E. 탄성층

상기한 바와 같이, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 탄성층을 더 구비하고 있어도 된다.

상기 탄성층은, 베이스 중합체를 포함하고, 상기 베이스 중합체로서는, 점착성의 중합체가 사용될 수 있다. 탄성층을 구성하는 베이스 중합체로서는, 예를 들어 아크릴계 중합체: 천연 고무, 합성 고무(예를 들어, 니트릴계, 디엔계, 아크릴계) 등의 고무계 중합체; 폴리올레핀계, 폴리에스테르계 등의 열가소성 엘라스토머; 비닐알킬에테르계 중합체; 실리콘계 중합체; 폴리에스테르계 중합체; 폴리아미드계 중합체; 우레탄계 중합체; 스티렌-디엔 블록 공중합체; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체; 폴리우레탄계 중합체; 폴리부타디엔; 연질 폴리염화비닐; 방사선 경화형 중합체 등을 들 수 있다. 상기 탄성층을 구성하는 베이스 중합체는, 상기 점착제층을 형성하는 베이스 중합체와 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 탄성층은, 상기 베이스 중합체를 포함하는 발포 필름이어도 된다. 상기 발포 필름은, 임의의 적절한 방법에 의해 얻을 수 있다. 또한, 탄성층과 점착제층은, 열팽창성 미소구의 유무(탄성층은 열팽창성 미소구를 포함하지 않음)로 구별할 수 있다.

탄성층을 구성하는 베이스 중합체로서의 상기 아크릴계 중합체는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르에 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독 중합체 또는 공중합체)이다. 상기 (메트)아크릴산 알킬에스테르의 구체로서는, 탄소수가 20 이하인 직쇄상 또는 분지상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 상기 아크릴계 중합체는, (메트)아크릴산 알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 이코탄산, 아크릴산 히드록시에틸, 메타크릴산 히드록시에틸, 아크릴산 히드록시프로필, 메타크릴산 히드록시프로필, N-메틸올아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 아세트산 비닐, 스티렌, 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌, 비닐에테르 등을 들 수 있다.

상기 탄성층은, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 가교제, 가황제, 점착 부여제, 가소제, 유연제, 충전제, 노화 예방제 등을 들 수 있다. 베이스 중합체로서, 폴리염화비닐 등의 경질 수지를 사용하는 경우, 가소제 및/또한 유연제를 병용하여, 원하는 탄성을 갖는 탄성층을 형성하는 것이 바람직하다.

상기 탄성층의 두께는, 바람직하게는 3㎛ 내지 200㎛이며, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 100㎛이다. 이러한 범위이면, 탄성층의 상기 기능을 충분히 발휘시킬 수 있다.

상기 탄성층에 25℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 100㎫ 미만이고, 보다 바람직하게는 0.1㎫ 내지 50㎫이며, 더욱 바람직하게는 0.1㎫ 내지 10㎫다. 이러한 범위이면, 탄성층의 상기 기능을 충분히 발휘시킬 수 있다.

F. 열 박리형 점착 시트의 제조 방법

본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조할 수 있다. 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 예를 들어 기재 상에 직접, 점착제층 형성용 조성물을 도포 시공하는 방법 또는 임의의 적절한 기체 상에 점착제층 형성용 조성물을 도포 시공해서 형성된 도포 시공층을 기재에 전사하는 방법 등을 들 수 있다.

상기 점착제층 형성용 조성물은, 상기 점착제 및 상기 열팽창성 미소구를 포함하고, 필요에 따라, 대전 방지재를 더 포함한다. 또한, 점착제층 형성용 조성물은, 임의의 적절한 용매를 포함하고 있어도 된다.

상기 열 박리형 점착 시트가, 수지를 포함하는 대전 방지층을 구비하는 경우에는, 상기 대전 방지층은, B-3항에서 설명한 바와 같이, 상기 대전 방지재와 결합제 수지를 임의의 적절한 용매로 희석해서 제조한 대전 방지층 형성용 조성물 또는, 상기 도전성 중합체를 임의의 적절한 용매로 희석해서 제조한 대전 방지층 형성용 조성물을, 기재, 점착제층 또는 탄성층에 도포해서 형성될 수 있다.

상기 대전 방지층이 금속층 또는 금속 산화물층을 포함하는 경우, 금속층 또는 금속 산화물층은, B-3항에서 설명한 바와 같이, 예를 들어 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 화학 증착법, 스프레이 열분해법, 화학 도금법, 전기 도금법 등의 제막 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 금속 필름 또는 금속 산화물 필름을 기재, 점착제층 또는 탄성층에 적층하여, 대전 방지층을 형성해도 된다.

상기 대전 방지층을 형성하는 타이밍은 특별히 한정되지 않고, 열 박리형 점착 시트의 구성에 따라, 임의의 적절한 타이밍에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 대전 방지층은, 기재와 점착제층과의 적층체를 형성한 후에 형성될 수 있다. 또한, 기재 상에 대전 방지층을 형성한 후에 대전 방지층이 부착된 기재에 점착제층(또는 탄성층)을 형성해도 되고, 점착제층상(또는 탄성층상)에 대전 방지층을 형성한 후에 대전 방지층 부착 점착제층(또는 탄성층)을 기재에 전사해도 된다.

점착제층이 상기 탄성층을 갖는 경우, 상기 탄성층은, 예를 들어 기재상 또는 점착제층 상에, 탄성층 형성용 조성물을 도포 시공해서 형성할 수 있다. 또한, 탄성층은, 임의의 적절한 기체 상에 탄성층 형성용 조성물을 도포 시공해서 형성된 도포 시공층을 전사해서 형성해도 된다.

상기 각 조성물의 도포 시공 방법으로서는, 임의의 적절한 도포 시공 방법이 채용될 수 있다. 예를 들어, 도포한 후에 건조해서 각 층을 형성할 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 멀티 코터, 다이 코터, 그라비아 코터, 어플리케이터 등을 사용한 도포 방법을 들 수 있다. 건조 방법으로서는, 예를 들어, 자연 건조, 가열 건조 등을 들 수 있다. 가열 건조하는 경우의 가열 온도는, 건조 대상이 되는 물질의 특성에 따라, 임의의 적절한 온도로 설정될 수 있다.

G. 열 박리형 점착 시트의 사용 방법(전자 부품의 제조 방법)

본 발명의 다른 국면에 의하면, 전자 부품의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 전자 부품 제조 방법은, 상기 열 박리형 점착 시트 상에 대면적으로 얻어진 전자 부품 재료를 접착하고, 상기 전자 부품 재료를 절단 가공하는 것을 포함한다.

상기 전자 부품으로서는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 장치용 부품; 적층 콘덴서; 인덕터; 저항; 압전 소자; 진동자; LED; 투명 전극; 등을 들 수 있다.

상기 제조 방법에 있어서는, 먼저, 가공대 상에 상기 열 박리형 점착 시트를 싣고, 상기 열 박리형 점착 시트 상에 대면적으로 얻어진 전자 부품 재료를 접착한다.

그 후, 임의의 적절한 방법에 의해 상기 전자 부품 재료를 절단하여, 전자 부품이 얻어질 수 있다. 상기 절단 가공의 방법으로서는, 예를 들어, 회전 날, 평날 등의 칼날을 사용한 방법, 레이저광을 사용한 방법 등을 들 수 있다.

상기 절단 가공에 있어서는, 가온 하에서 절단을 행해도 된다. 예를 들어, 상기 가공대를 30℃ 내지 150℃로 가온해서 절단 가공을 행해도 된다.

[실시예]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하겠지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 실시예에 있어서, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.

(1) 절단 가공성

열 박리형 점착 시트의 점착제층 상에, 에폭시 수지(히다찌 가세이사제, 상품명 「CEL-9200HF9」)로 밀봉된 QFN 리드 프레임(사이즈:125㎜×65㎜; 점착 시트와의 접합면은 수지면(표면 조도 Ra:3㎛))을 접착시키고, 그것을 6인치의 다이싱 링에 장착 고정해서 다이서를 개재하여, 5㎜×5㎜ 사이즈의 칩 250개로 풀컷하고(다이싱에 의한 절단 가공 처리를 실시), 이 커트 시에, 칩 비산 발생의 개수를 산출하여 절단 가공성의 평가로 하였다.

다이싱 블레이드에는, DISCO사제 ZH05-SD2000-N1-110-DD를 사용하였다. 다이싱 블레이드의 이송 속도는 70㎜/S, 다이싱 블레이드의 회전 수를 50000/s로 하였다.

(2) 가열 박리성

상기 (1)의 절단 가공 후, 열풍 건조기(에스펙사제, 상품명 「SPH-201」)를 사용하여, 130℃에서 10분간 가열 처리를 실시하였다. 가열 처리 후, 칩이 아래쪽이 되도록, 열 박리형 점착 시트를 반전시켜서 칩을 자연 낙하시켰다. 이때, 자연 낙하되지 않고 열 박리형 점착 시트에 잔존한 칩의 수에 의해 가열 박리성을 평가하였다.

(3) 점착력 측정 방법

열 박리형 점착 시트를 폭:20㎜, 길이:140㎜의 크기로 절단하고, 점착제층 상에, 피착체로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(상품명 「루미러 S-10」도레이사제; 두께:25㎛, 폭:20㎜)을 JIS Z 0237(2000년)에 준하여, 온도:23±2℃ 및 습도:65±5% RH의 분위기 하에서, 2㎏의 롤러를 1 왕복시켜서 압착해서 접합하였다. 계속해서, 피착체 부착 열 박리형 점착 시트를, 23℃로 설정된 항온조 부착 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼사제, 상품명 「시마즈 오토그래프 AG-120kN」)에 세트하고, 30분간 방치한다. 방치 후, 23℃의 온도 하에서, 피착체를, 박리 각도:180°, 박리 속도(인장 속도):300㎜/min의 조건에서, 열 박리형 점착 테이프로부터 박리한 때의 하중을 측정하고, 그 때의 최대 하중(측정 초기의 피크 톱을 제외한 하중의 최댓값)을 구하고, 이 최대 하중을 열팽창성 점착제층의 점착력(N/20㎜)으로 하였다.

(4) 전체 광선 투과율

열 박리형 점착 시트의 전체 광선 투과율을, JIS-6714에 준하여, 적분구식 광선 투과율 측정 장치(무라까미 시끼사이 기주쯔 겐뀨쇼사제, 상품명 「HAZE METER HM-150」)를 사용하여 측정하였다.

(5) 박리 대전(박리 전압의 측정)

열 박리형 점착 시트(폭 70㎜×길이 130㎜)의 점착면에, 제전 완료된 박리 라이너(실리콘 처리된 PET 필름, 도레이사제, 상품명 「테라필」, 두께:38㎛)의 실리콘 처리면을 접합해서 평가용 샘플을 제작하였다. 이때, 박리 라이너의 길이 방향 단부 30㎜가, 열 박리형 점착 시트로부터 비어져 나오도록 하였다. 또한, 열 박리형 점착 시트와 박리 라이너는, JIS Z 0237(2000년)에 준한 조건 하(온도:23℃, 습도 50% RH)에서, 핸드 롤러로 접합하였다.

평가용 샘플을 23℃, 50% RH의 환경 하에 하루 방치한 후, 박리 라이너의 비어져 나온 부분을 쥐고, 상기 박리 라이너를 박리 각도 150°, 박리 속도 10m/min으로 길이 방향으로 박리하였다. 박리 라이너와 열 박리형 점착 시트가 이격되는 개소로부터 점착제 표면에 대하여 수직 방향으로 100㎜ 이격된 위치에 있어서, 박리 시에 발생하는 점착제층 표면의 전압을, 측정하고, 그 최댓값을 박리 전압으로 하였다. 또한, 측정기로서는, 전위 측정기(가스가 덴끼사제, 상품명 「KSD-0103」)를 사용하였다. 또한, 측정 환경은, 23℃, 50% RH로 하였다.

(6) 점착 특성의 경시 안정성

열 박리형 점착 시트를, 온도 23℃, 습도 50%의 분위기 하에서, 2개월간 보관하고, 상기 (2)에서 측정한 점착력(A0)과, 2개월 경과 후의 점착력(A1)으로부터, 하기 식(I)에 의해, 점착력의 변화율 X％를 산출하였다. 표 3 중, 변화율 X%가, 50% 미만인 경우를 ○, 50% 이상인 경우를 ×라고 하였다.

X(%)=(A1/A0)×100

[제조예 1] 점착제층 형성용 조성물 I의 제조

베이스 중합체로서의 아크릴계 중합체(아크릴산 2에틸헥실:아크릴산 에틸:메타크릴산 메틸:아크릴산 히드록시에틸(중량비)=30:70:5:5) 100중량부와, 테르펜페놀계 점착 부여 수지(야스하라 케미컬사제, 상품명 「YS 폴리스터 S145」) 10중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사제, 상품명 「코로네이트 L」) 2중량부와, 가교 촉진제(도꾜 파인 케미컬사제, 상품명 「엔빌라이저 OL-1」) 0.03중량부와, 열팽창성 미소구(마쯔모또 유시 세야꾸 가부시끼가이샤 제조, 상품명 「마쯔모토 마이크로스페어 F-65」; 150℃ 발포 팽창 타입) 30중량부와, 톨루엔을 혼합해서 수지 용액을 제조하고, 이것을 점착제층 형성용 조성물 I라고 하였다.

또한, 이 점착제층 형성용 조성물 I에 의해, 점착제층을 형성하면, 상기 점착제층 중의 구성 단위 A의 함유 비율은, 베이스 중합체 100중량부에 대하여 27중량부가 된다.

[제조예 2 내지 12] 점착제층 형성용 조성물 II 내지 XII의 제조

아크릴계 중합체를 구성하는 단량체의 종류 및 중량비, 가교제의 종류 및 배합량 및 점착 부여 수지의 종류 및 배합량을 표 1에 나타내는 바와 같이 한 것 이외는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 점착제층 형성용 조성물 II 내지 XII를 얻었다. 또한, 제조예 9에 있어서는, 이온성 액체(이온 도전성 부여제, 니혼 카리트사제, 상품명 「PEL20A」) 10중량부를 배합하고, 점착제층 형성용 조성물 IX를 제조하였다. 또한, 제조예 10에 있어서는, 이온성 액체(니혼 카리트사제, 상품명 「CIL-312」, 1-부틸-3-메틸피리디늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드) 3중량부를 배합하고, 점착제층 형성용 조성물 X를 제조하였다.

표 1 중에 기재된 가교제, 점착 부여 수지의 상세는 이하와 같다.

<가교제>

테트래드 C:미쯔비시 가스 가가꾸사제, 상품명 「테트래드 C」, 에폭시계 가교제

<점착 부여 수지>

마이티에스 G125:야스하라 케미컬사제, 상품명 「마이티에스 G125」, 테르펜페놀계 점착 부여 수지

타마놀 901: 아라까와 가가꾸 고교사제, 상품명 「타마놀 901」, 테르펜페놀계 점착 부여 수지

타마놀 200N: 아라까와 가가꾸 고교사제, 상품명 「타마놀 200N」, 알킬페놀계 점착 부여 수지

슈퍼에스테르 A125: 아라까와 가가꾸 고교사제, 상품명 「슈퍼에스테르 A125」, 로진계 점착 부여 수지

[제조예 13] 탄성층 형성용 조성물 I의 제조

아크릴계 중합체(아크릴산 2에틸헥실:아크릴산 에틸:메타크릴산 메틸:아크릴산 히드록시에틸(중량비)=30:70:5:5) 100중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사제, 상품명 「코로네이트 L」) 3중량부와, 톨루엔을 혼합해서 수지 용액을 제조하고, 이것을 탄성층 형성용 조성물 I로 하였다.

[제조예 14 내지 20] 탄성층 형성용 조성물 II 내지 VIII의 제조

아크릴계 점착제를 구성하는 단량체의 종류 및 중량비 및 가교제의 배합량을 표 2에 나타내는 바와 같이 한 것 이외는, 제조예 12와 마찬가지로 하여, 탄성층 형성용 조성물 II 내지 VIII를 얻었다.

[실시예 1]

대전 방지재로서 폴리티오펜(폴리에틸렌디옥시티오펜폴리스티렌술포네이트)을 1.2중량％로 함유하는 수 분산체(Heraeus사제, 상품명 「Clevios P」)와, 폴리에스테르계 수지 용액(도요보사제, 상품명 「바이로날 MD1200」, 고형분 농도:1.2중량％)을, 고형분 중량비(수 분산체: 수지 용액)가, 6:4가 되도록 혼합하고, 또한 이소프로필알코올/순수 혼합 용매(이소프로필알코올: 순수=6:4(중량비))를 사용하여, 고형분 농도가 1중량%가 되도록 희석하고, 대전 방지층 형성용 조성물 I를 제조하였다.

얻어진 대전 방지층 형성용 조성물 I를, PET 기재(도레이사제, 상품명 「루미러 S10」, 두께:100㎛)에 도포하고, 건조하여, 기재 상에 두께 50㎚의 대전 방지층을 형성하였다.

계속해서, 제조예 13에서 얻어진 탄성층 형성용 조성물 I를, 상기 PET 기재의 대전 방지층과는 반대측의 면에, 도포하고, 건조하여, 상기 면에 두께 15㎛의 탄성층을 형성하였다.

별도로, 제조예 1에서 얻어진 점착제층 형성용 조성물 I를, PET 세퍼레이터(두께:38㎛)의 Si 처리면 상에 도포하고, 건조하여, 두께 35㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 상기 전구체를, 상기 탄성층의 PET 기재와는 반대측의 면에 전사하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다.

얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 2]

탄성층 형성용 조성물 I 대신에, 탄성층 형성용 조성물 II를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 II를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 3]

대전 방지재로서 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)의 알코올 분산액(가껜산교사제, 상품명 「에노코트 BP105」)과 프로판올을 혼합하고, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)를 1중량％ 포함하는 대전 방지층 형성용 조성물 II를 제조하였다.

대전 방지층 형성용 조성물 I 대신에 대전 방지층 형성용 조성물 II를 사용하고, 탄성층 형성용 조성물 I 대신에, 탄성층 형성용 조성물 III를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 III를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 4]

탄성층 형성용 조성물 III 대신에, 탄성층 형성용 조성물 IV를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 III 대신에 점착제층 형성용 조성물 IV를 사용한 것 이외는, 실시예 3과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 5]

탄성층 형성용 조성물 I 대신에, 탄성층 형성용 조성물 V를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 V를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 6]

탄성층 형성용 조성물 I 대신에, 탄성층 형성용 조성물 VI를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 VI를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 7]

점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 VII를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 8]

기재로서, 대전 방지재를 포함하는 PET 기재(도레이사제, 상품명 「X53 루미러#100」, 두께:100㎛, 표면 저항률:1×10¹⁰Ω/□)를 준비하였다.

이 대전 방지재를 포함하는 PET 기재에, 제조예 13에서 얻어진 탄성층 형성용 조성물 I를 도포하고, 건조하여, 상기 면에 두께 15㎛의 탄성층을 형성하였다.

별도로, 제조예 1에서 얻어진 점착제층 형성용 조성물 I를, PET 세퍼레이터(두께:38㎛)의 Si 처리면 상에 도포하고, 건조하여, 두께 35㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 상기 전구체를, 상기 탄성층의 PET 기재와는 반대측의 면에 전사하여, 열 박리형 점착 시트(기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다.

[실시예 9]

점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 VIII를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 10]

실시예 1과 마찬가지로 하여, 대전 방지층 형성용 조성물 I를 제조하였다.

이 대전 방지층 형성용 조성물 I를, PET 기재(도레이사제, 상품명 「루미러 S10」, 두께:100㎛)에 도포하고, 건조하여, 기재 상에 두께 50㎚의 대전 방지층을 형성하였다.

계속해서, 제조예 13에서 얻어진 탄성층 형성용 조성물 I를, 상기 대전 방지층 상에 도포하고, 건조하여, 두께 15㎛의 탄성층을 형성하였다.

별도로, 제조예 1에서 얻어진 점착제층 형성용 조성물 I를, PET 필름(두께:38㎛) 상에 도포하고, 건조하여, 두께 35㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 상기 전구체를, 상기 탄성층 상에, 전사하여, 열 박리형 점착 시트(기재(100㎛)/대전 방지층(50㎚)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다.

[실시예 11]

대전 방지층 및 기재의 적층체로서, 증착에 의해 대전 방지층이 형성된 PET 필름(도레이사제, 상품명 「하프 증착 FB-15」, 두께:50㎛, 전체 광선 투과율:15%)을 준비하였다.

계속해서, 제조예 13에서 얻어진 탄성층 형성용 조성물 I를, 상기 적층체의 기재측(즉, PET 필름에 있어서 증착이 행하여지지 않고 있는 면)에, 도포하고, 건조하여, 상기 면에 두께 15㎛의 탄성층을 형성하였다.

별도로, 제조예 1에서 얻어진 점착제층 형성용 조성물 I를, PET 세퍼레이터(두께:38㎛)의 Si 처리면 상에 도포하고, 건조하여, 두께 35㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 상기 전구체를, 상기 탄성층의 상기 기재와는 반대측의 면에 전사하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층/기재/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다.

[실시예 12]

제조예 13에서 얻어진 탄성층 형성용 조성물 I를, PET 기재(도레이사제, 상품명 「루미러 S10」, 두께:100㎛)에, 도포하고, 건조하여, 상기 면에 두께 15㎛의 탄성층을 형성하였다.

별도로, 제조예 9에서 얻어진 점착제층 형성용 조성물 IX를, PET 세퍼레이터(두께:38㎛)의 Si 처리면 상에 도포하고, 건조하여, 두께 35㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 상기 전구체를, 상기 탄성층의 PET 기재와는 반대측의 면에 전사하여, 열 박리형 점착 시트(기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 또한, 본 실시예는, 점착제층 중에 대전 방지재로서의 이온성 액체를 포함하는 경우의 실험예이다.

[실시예 13]

탄성층을 형성하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, (대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[실시예 14]

일본 특허 공개 평 4-348161호 공보의 실시예 12에 기재된 방법에 의해 필름을 제작하고, 이 필름(두께:50㎚)을 대전 방지층으로서, PET 기재(도레이사제, 상품명 「루미러 S10」, 두께:100㎛) 상에 적층하였다. 또한, 상기 필름은, 대전 방지재로서 폴리아닐린을 포함하고, 표면 저항률은 2.5×10⁵Ω/□이다.

[실시예 15]

별도로, 제조예 10에서 얻어진 점착제층 형성용 조성물 X를, PET 세퍼레이터(두께:38㎛)의 Si 처리면 상에 도포하고, 건조하여, 두께 35㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 상기 전구체를, 상기 탄성층의 PET 기재와는 반대측의 면에 전사하여, 열 박리형 점착 시트(기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 또한, 본 실시예는, 점착제층 중에 대전 방지재로서의 이온성 액체를 포함하는 경우의 실험예이다.

[비교예 1]

탄성층 형성용 조성물 I 대신에, 탄성층 형성용 조성물 VII를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 XI를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[비교예 2]

탄성층 형성용 조성물 I 대신에, 탄성층 형성용 조성물 VIII를 사용하고, 점착제층 형성용 조성물 I 대신에 점착제층 형성용 조성물 XII를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(대전 방지층(50㎚)/기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

[비교예 3]

대전 방지층을 형성하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 열 박리형 점착 시트(기재(100㎛)/탄성층(15㎛)/점착제층(35㎛))를 얻었다. 얻어진 열 박리형 점착 시트를 상기 평가(1) 내지 (6)에 제공하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

표 3으로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 열 박리형 점착 시트를, 전자 부품 재료의 절단 공정에 있어서의 임시 고정용 시트로서 사용하면, 칩 비산을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 열 박리형 점착 시트는, 박리 대전량이 적다. 또한, 비교예 3과 같이 박리 대전량이 많은 점착 시트는, 접착한 전자 부품 재료를 손상시킬 우려가 있다.

본 발명의 제조 방법 및 점착 시트는, 반도체 칩 등의 칩 형상 전자 부품의 제조에 적절하게 사용될 수 있다.

10 점착제층
20 기재
30 대전 방지층
40 탄성층
100, 200, 300 점착 시트

Claims

점착제층을 구비하는 열 박리형 점착 시트이며,
상기 열 박리형 점착 시트가 대전 방지재를 포함하고,
상기 점착제층이 점착제 및 열팽창성 미소구를 포함하고,
상기 점착제를 구성하는 베이스 중합체가, 분지 구조를 갖는 측쇄를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성 단위 A를 포함하고, 상기 구성 단위 A의 함유 비율이 상기 베이스 중합체 중 20중량％ 이상인 열 박리형 점착 시트.
제1항에 있어서,
상기 점착제층이 상기 대전 방지재를 포함하는 열 박리형 점착 시트.
제1항 또는 제2항에 있어서,
기재를 더 포함하고,
상기 기재가 상기 대전 방지재를 포함하는 열 박리형 점착 시트.
제3항에 있어서,
상기 기재의 상기 점착제층과는 반대측에 설치되어 있는 대전 방지층을 더 구비하고,
상기 대전 방지층이 상기 대전 방지재를 포함하는 열 박리형 점착 시트.
제3항에 있어서,
상기 기재와 상기 점착제층 사이에 설치되어 있는 대전 방지층을 더 구비하고,
상기 대전 방지층이 상기 대전 방지재를 포함하는 열 박리형 점착 시트.
제1항에 있어서,
상기 구성 단위 A의 분지 구조를 갖는 측쇄의 탄소수가 5 이상인 열 박리형 점착 시트.
제1항에 있어서,
상기 점착제층이 점착 부여 수지를 더 포함하고,
상기 점착 부여 수지의 함유 비율이 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 1중량부 내지 80중량부인 열 박리형 점착 시트.
제1항에 있어서,
PET 필름에 대한 점착력이 2N/20㎜ 이상인 열 박리형 점착 시트.
제1항에 기재된 열 박리형 점착 시트 상에 전자 부품 재료를 접착한 후,
상기 전자 부품 재료를 절단 가공하는 것을 포함하는 전자 부품의 제조 방법.
제9항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 전자 부품.