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KR20160006689A - 열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물 - Google Patents

열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물 Download PDF

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KR20160006689A
KR20160006689A KR1020157031720A KR20157031720A KR20160006689A KR 20160006689 A KR20160006689 A KR 20160006689A KR 1020157031720 A KR1020157031720 A KR 1020157031720A KR 20157031720 A KR20157031720 A KR 20157031720A KR 20160006689 A KR20160006689 A KR 20160006689A
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KR
South Korea
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group
component
mass
parts
silicone composition
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KR1020157031720A
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English (en)
Inventor
노부아키 마츠모토
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은 고온하에서 방치해도 IC 패키지에 스트레스를 주지 않는 경화물을 부여하는 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
25℃에서 점도 10~1,000㎩·s를 갖는 실리콘 조성물로,
(A) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖고, 25℃에서의 동점도 10~100,000 ㎟/s를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부,
(B) 분자 사슬 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는, 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 1에서 n, m은 10≤n+m≤100이고, 또한 0.01≤n/(n+m)≤0.3을 만족하는 양의 정수임),
(C)분자사슬 양 말단에 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는, 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산,
(D) 분자 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자 2개와, R4로 표시되는 기를 2개 이상 갖는, 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산(화학식 3에서 R4는 탄소 원자 또는 탄소 원자와 산소 원자를 사이에 두고 규소 원자에 결합되어 있는, 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에테르기, 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기를 갖는 기임)
(E) 열전도성 충전재 400~3,000 질량부
(F) 백금족 금속계 촉매 촉매량, 및
(G) 반응제어제 0.01~1 질량부
를 함유하고,
상기 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분의 배합량이
[(B)성분, (C)성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(A)성분 유래의 알케닐기의 갯수]가 0.6~1.5의 범위에 있는 값이고,
[(C) 성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(B)성분유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값이며, 또한
[(C)성분 유래의 Si-H기의 갯수]/[(D)성분유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값인 양으로, 실리콘 조성물, 및 상기 조성물을 경화하여 얻어진 경화물을 구비하는 반도체 장치를 제공한다.

Description

열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물{THERMALLY CONDUCTIVE SILICONE COMPOSITION AND CURED PRODUCT OF SAME}
본 발명은 휨이 큰 IC 패키지에 추수(追隨)할 수 있는 접착력을 갖고, 또한 고온하에서 방치해도 그 부드러움이 손실되지 않는, 열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물에 관한 것이다.
현재, 자동차 업계나 카 일렉트로닉스 업계 등의 여러가지 분야에서 전장화(電裝化)가 진행되고 있고, 반도체 장치가 분야에 관계없이 도입되기 시작하고 있다. 현재 주류가 되어 있는 반도체 장치의 구조는, IC 패키지 및 IC 패키지 표면의 열을 배출하기 위한 방열체(放熱體)로 구성되어 있다. 그리고, IC 패키지(발열체)와 방열체의 사이에 열전도성 실리콘 조성물을 유입하여 가열 경화시킴으로써, IC 패키지 표면이나 방열체의 표면에 존재하는 미세 요철을 메우면서, 발열체와 방열체를 접속하고 있다(특허문헌 1). 열전도성 실리콘 조성물은 부드럽게 경화하므로, IC 패키지에 스트레스를 잘 주지 않고, 또한 펌핑·아웃 현상이 생기기 어려워지는 특징이 있어 매우 유용하다.
최근, 반도체 장치의 발열량이 증가하고 있는데, 기존의 열전도성 실리콘 조성물에서는 열전도율이 부족하다는 문제가 있다. 이에 대응하기 위해, 고비점 용제를 함유시키고 높은 열전도율을 달성한 열전도성 실리콘 조성물이, 특허문헌 2에 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 고열전도율을 갖고 또한 부드러움을 갖는 경화물로 하기 위해, 열전도성 실리콘 조성물에 실리콘 오일을 첨가하는 방법이 기재되어 있다.
일본 특허 제3580366호 일본 특허 제4656340호 일본 특허 제5182515호
또한, 카 일렉트로닉스 업계를 중심으로, 열전도성 실리콘 조성물의 고신뢰성, 고내열성이 중요시되어 오고 있다. 예를 들어, IC 패키지가 탑재된 기판의 휨이 커지면, 열전도성 실리콘 조성물의 경화물과 방열체와의 계면, 또는 열전도성 실리콘 조성물의 경화물과 IC 패키지와의 계면에서 박리가 발생하는 경우가 있다. 상기 특허문헌에 기재된 열전도성 실리콘 조성물의 경화물은 모두 접착성을 갖고 있지 않으므로, 기판에 밀착할 수는 있어도 접착은 할 수 없고, 기판의 휨이 커지면 경화물이 추수(追隨)할 수 없다는(휨을 따라갈 수 없다는) 문제가 있다.
본 발명자들은 상기 문제를 해결하기 위해 조성물에 접착조제를 첨가하는 것을 시도했다. 그러나, 접착조제를 첨가한 열전도성 실리콘 조성물을 고온에서 방치하면, 열전도성 실리콘 조성물의 부드러움이 손실되고, 그 결과 IC 패키지에 스트레스를 주어, 최악의 경우 고장을 일으킨다는 문제가 발생했다.
그래서, 본 발명자들은 박리가 일어나지 않도록 조성물에 접착조제 등을 첨가하였지만, 상기 문제를 해결할 수는 없었다. 그 때문에, 고온에서 방치해도 초기의 부드러움을 유지할 수 있고, 또한 기판의 휨이 커져도 기판과의 계면에서 박리되지 않고 추수할 수 있는(휨을 따라갈 수 있다는) 경화물을 부여하는 열전도성 실리콘 조성물의 개발이 요망되고 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여, 고온하에서 방치해도 IC 패키지에 스트레스를 주지 않는 경화물을 부여하는 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 액상의 열전도성 실리콘그리스 조성물을 발열체와 방열체의 사이에 유입하여 경화시키면, 얻어진 경화물은 접착성을 가지므로 기판이 크게 휘어도 그에 추수할 수 있고, 또한 고온에서 방치해도 초기의 유연성을 손실하지 않으므로, IC 패키지에 스트레스를 주지 않는다고 생각했다. 본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 열전도성 실리콘 조성물에 하기 화학식 3으로 표시되는 구조를 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산을 첨가함으로써, 고온하에서 방치해도 초기의 유연성을 손상시키지 않고 기판에 접착할 수 있어 신뢰성을 유지할 수 있는 경화물을 부여할 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
본 발명은 즉,
25℃에서 점도 10~1,000 Pa·s를 갖는 실리콘 조성물로,
(A) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖고, 25℃에서의 동점도(動粘度) 10~100,000 ㎟/s를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부,
(B) 하기 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00001
(상기 화학식 1에서, n, m은 10≤n+m≤100이고, 또한 0.01≤n/(n+m)≤0.3을 만족하는 양의 정수이며, R1은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기임),
(C) 하기 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00002
(화학식 2에서, p는 5~1000의 범위에 있는 양의 정수이고, R2은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다),
(D)하기 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00003
(화학식 3에서, k는 2~10의 양의 정수임. R은 서로 독립적으로, 수소 원자 또는 R4이고, 단, R로 표시되는 기 중 2개는 수소 원자임. 상기 R4는 탄소 원자 또는 탄소 원자와 산소 원자를 사이에 두고 규소 원자에 결합되어 있는, 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에테르기, 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기를 갖는 기임. R3는 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기임)
(E) 열전도성 충전재 400~3,000 질량부
(F) 백금족 금속계 촉매 촉매량, 및
(G) 반응제어제 0.01~1 질량부
를 함유하고,
상기 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분의 배합량이
[(B)성분, (C)성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계 갯수]/[(A)성분 유래의 알케닐기의 갯수]가 0.6~1.5의 범위에 있는 값이고,
[(C) 성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계 갯수]/[(B)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값이며, 또한
[(C)성분 유래의 Si-H기의 갯수]/[(D)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값인 양으로, 실리콘 조성물, 및 상기 조성물을 경화하여 얻어진 경화물을 구비하는 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 기존의 열전도성 실리콘 조성물에 비하여, 기판에 대한 양호한 접착성을 갖기 때문에 휨이 큰 IC 패키지에서도 박리되지 않고 경화물을 추수(追隨)할 수 있고(휨에 따라갈 수 있게 하고), 또한 고온하에서 보존해도 유연성을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
(A) 오르가노폴리실록산
(A)성분은 규소원자에 결합된 알케닐기를 1분자 중에 적어도 2개 갖는 오르가노폴리실록산이다. 상기 오르가노폴리실록산은 25℃에서의 동점도 10~100,000㎟/s, 바람직하게는 100~50,000㎟/s를 갖는 것이 좋다. 동점도가 상기 하한값보다 낮으면, 조성물의 보존안정성이 나빠진다. 또한, 동점도가 상기 상한값보다 커지면, 얻어지는 조성물의 신전성(伸展性)이 나빠지므로 바람직하지 않다. 본 발명에서의 상기 오르가노폴리실록산은, 규소 원자에 결합된 알케닐기를 1 분자 중에 적어도 2개 갖고, 또한 상기 점도를 갖는 것이면 좋으며, 공지의 오르가노폴리실록산을 사용하면 좋다. 상기 오르가노폴리실록산은 직쇄상이어도 분지쇄상이어도 좋고, 또한 다른 점도를 갖는 2종 이상의 혼합물이어도 좋다. 본 발명에서 오르가노폴리실록산의 동점도는 오스트발트 점도계에 의해 측정한 25℃에서의 값이다.
알케닐기는 탄소수 2~10, 바람직하게는 2~8인 것이 좋고, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 및 1-헥세닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 합성의 용이함, 비용의 측면에서 비닐기가 바람직하다. 알케닐기는 오르가노폴리실록산의 분자사슬의 말단, 도중의 어느 것에 존재해도 좋지만, 유연성의 면에서는 양 말단에만 존재하는 것이 바람직하다.
알케닐기 이외의 규소 원자에 결합할 수 있는 유기기는, 탄소수 1~20, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기인 것이 좋다. 상기 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 도데실기 등의 알킬기; 페닐기 등의 아릴기; 2-페닐에틸기, 2-페닐프로필기 등의 아랄킬기; 이들 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 염소, 불소, 브롬 등의 할로겐 원자로 치환한 플루오로메틸기, 브로모에틸기, 클로로메틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 1가 탄화수소기도 들 수 있다. 그 중에서도, 합성의 용이함, 비용의 측면에서 90% 이상이 메틸기인 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는, 양 말단이 디메틸비닐실릴기로 봉쇄된 디메틸폴리실록산이다.
(B) 오르가노하이드로젠폴리실록산
(B)성분은 하기 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산이다.
(화학식 1)
Figure pct00004
(상기 화학식 1에서, n 및 m은 10≤n+m≤100이고, 바람직하게는 20≤n+m≤80을 만족하며, 또한 n/(n+m)이 0.01~0.3의 범위의 값, 바람직하게는 0.05~0.2의 범위의 값이 되는 양의 정수이다. n/(n+m)의 값이 상기 하한값보다 작으면, 가교에 의해 조성물을 그물 형상화할 수 없다. 또한, n/(n+m)의 값이 상기 상한값보다 크면, 초기 경화 후에 미반응 Si-H기의 잔존량이 많아지고, 수분 등에 의해 과잉의 가교반응이 시간경과에 따라 진행되어, 경화물의 유연성이 손실되므로 바람직하지 않다.
상기 화학식 1에서, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1~6의 알킬기이고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 및 헥실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 합성의 용이함, 비용의 측면에서 90% 이상이 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산으로서는, 예를 들어 하기 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00005
Figure pct00006
(C) 오르가노하이드로젠폴리실록산
(C)성분은 하기 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산이다.
(화학식 2)
Figure pct00007
상기 화학식 2에서, p는 5~1000의 양의 정수, 바람직하게는 10~100의 양의 정수이다. p의 값이 상기 하한값보다 작으면, 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산이 휘발성분이 되기 쉬우므로, 전자부품에 사용하는 것은 바람직하지 않다. 또한, p의 값이 상기 상한값보다 크면, 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산의 점도가 높아져 취급이 어려워지므로 바람직하지 않다.
상기 화학식 2 중, R2는 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다. 알킬기로서는 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 및 헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도, 합성의 용이함, 비용면에서 90% 이상이 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산으로서는, 예를 들어 하기 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00008
Figure pct00009
(D) 오르가노하이드로젠폴리실록산
(D)성분은 하기 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산이다.
(화학식 3)
Figure pct00010
(화학식 3에서, k는 2~10의 양의 정수이고, 바람직하게는 2~6의 양의 정수이며, 더욱 바람직하게는 2~4의 양의 정수이고, 특히 바람직하게는 2이다. R은 서로 독립적으로, 수소 원자 또는 R4이고, 단, R로 표시되는 기 중 2개는 수소 원자이다. 상기 R4는 탄소 원자 또는 탄소 원자와 산소 원자를 사이에 두고 규소 원자에 결합되어 있는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에테르기, 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기를 갖는 기이다. 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산이 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1개밖에 갖지 않으면, 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산은 (A)성분 중의 알케닐기와 반응하여 가교 구조를 형성할 수 없게 된다. 또한, 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산이 규소 원자에 결합된 수소 원자를 3개 이상 가지면, 얻어지는 경화물이 단단해져 신뢰성을 확보할 수 없으므로 바람직하지 않다.
상기 화학식 3에서, R3는 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다. 상기 R3로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 및 헥실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 합성의 용이함, 비용의 측면에서 90% 이상이 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 R4로서는, 예를 들어, 3-글리시독시프로필기, 3-글리시독시프로필메틸기, 3-글리시독시에틸기, 3,4-에폭시시클로헥실에틸 등의 에폭시기 함유 유기기; 메타크릴옥시프로필기, 메타크릴옥시프로필메틸기, 메타크릴옥시에틸기, 아크릴옥시프로필기, 아크릴옥시프로필메틸기, 아크릴옥시에틸기 등의 (메타)아크릴로일기 함유 유기기; 메톡시실릴프로필기, 메톡시실릴프로필메틸기, 메톡시실릴에틸기, 트리에톡시실릴프로필기, 트리에톡시실릴프로필메틸기, 트리에톡시실릴에틸기 등의 트리알콕시실릴기 함유 유기기; 및 옥시알킬기, 알킬옥시알킬기, 퍼플루오로옥시알킬기, 퍼플루오로알킬옥시알킬 등의 에테르 함유 유기기를 들 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산 중에서도, 특히 하기 화학식 4로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure pct00011
(화학식 4에서, R3 및 R4는 상기와 같음)
상기 화학식 4로 표시되는 오르가노하이드로젠실록산으로서는, 예를 들어 하기의 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
상기 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분의 배합량은, (A)성분 유래의 알케닐기의 갯수에 대한, (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 갯수의 비, 즉 [(B)성분, (C)성분, 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계 갯수]/[(A)성분 유래의 알케닐기의 갯수]가 0.6~1.5의 범위에 있는 값, 바람직하게는 0.7~1.4의 범위에 있는 값이 되는 양이다. Si-H기의 수가 상기 하한값보다 작으면, 경화물이 충분한 그물 형상 구조를 취하지 않고, 경화 후에 필요한 경도를 얻을 수 없으므로 바람직하지 않다. 또한, Si-H기의 수가 상기 상한값보다 크면, 미반응의 Si-H기가 경화물 중에 남고, 수분 등에 의해 과잉의 가교반응을 일으키므로, 시간경과에 따라 경화물이 단단해지고 유연성이 손실되므로 바람직하지 않다.
또한, (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분은, [(C)성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(B)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값, 바람직하게는 1.2~5의 범위에 있는 값이고, 또한 [(C)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(D)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10, 바람직하게는 1.2~5의 범위에 있는 값이 되는 양으로 배합된다. (B)성분에 대한 (C)성분 및 (D)성분의 배합비율이 상기 하한값보다 작으면 경화 후에 적절한 유연성이 얻어지지 않고, 상기 상한값보다 크면 경화가 불충분해지므로 바람직하지 않다. 또한, (D)성분에 대한 (C)성분의 배합비율이 상기 하한값보다 작으면, (D)성분은 (C)성분보다 가수분해되기 쉬운 기를 측쇄에 가지므로, 얻어지는 경화물의 내열성이 떨어질 우려가 있어 바람직하지 않다. 또한, (D)성분에 대한 (C)성분의 배합비율이 상기 상한값보다 크면, 본 발명의 효과, 즉 고온조건하에서 견딜 수 있는 유연성 및 접착성을 경화물에 부여하는 효과를 충분히 얻을 수 없다.
(E) 열전도성 충전재
(E)성분은 본 발명의 조성물에 열전도성을 부여하기 위해 배합하는 충전재이다. 상기 열전도성 충전재는 종래 공지의 열전도성 충전재를 사용할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 분말, 동 분말, 은 분말, 니켈 분말, 금 분말, 알루미나 분말, 산화아연 분말, 산화마그네슘 분말, 질화알루미늄 분말, 질화붕소 분말, 질화규소 분말, 다이아몬드 분말, 카본 분말, 인듐, 및 갈륨 등을 들 수 있다. 상기 열전도성 충전재는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 또한, 본 발명에서 열전도성 충전재는 열전도율 10W/m℃ 이상을 갖는 것이 바람직하다. 열전도율이 10W/m℃보다 작으면, 실리콘 조성물의 열전도율 그 자체가 작아지므로 바람직하지 않다.
열전도성 충전재의 입자직경은 0.1~100㎛, 바람직하게는 0.5~90㎛인 것이 좋다. 평균 입자직경이 상기 하한값보다 작으면, 조성물은 방열 그리스 형상이 되지 않고 신전성이 부족한 것이 된다. 또한, 평균 입자직경이 상기 상한값보다 크면, 방열 그리스의 균일성이 부족해지므로 바람직하지 않다. 상기 평균 입자직경은 레이저광 회절법에 의한 입도 분포 측정에서의 체적평균값 D50(즉, 누적체적이 50%가 될 때의 입자직경 또는 메디안 직경)으로 하여 측정할 수 있다. 또한, 충전재의 형상은, 부정형이어도 구형상이어도 어떠한 형상이어도 상관없다.
열전도성 충전재의 양은, 상기 (A)성분 100 질량부에 대해서 400~3000 질량부의 범위, 바람직하게는 450~2500 질량부의 범위가 좋다. 열전도성 충전재의 양이 상기 하한값보다 적으면, 경화물에 원하는 열전도율을 부여할 수 없다. 또한, 열전도성 충전재의 양이 상기 상한값 초과에서는, 조성물이 방열 그리스 형상이 되지 않고, 신전성이 부족한 것이 될 우려가 있다.
(F) 백금족 금속계 촉매
(F)성분은 백금족 금속계 촉매이다. 촉매는 (A)성분 중의 알케닐기와 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분 중의 Si-H기와의 사이의 부가반응을 촉진할 수 있는 것이면 좋고, 종래 공지의 촉매를 사용하면 좋다. 그 중에서도, 백금 및 백금화합물로부터 선택되는 촉매가 바람직하다. 상기 촉매로서는, 예를 들어 백금(백금흑을 포함), 로듐, 팔라듐 등의 백금족 금속 단체, H2PtCl4·nH2O, H2PtCl6·nH2O, NaHPtCl6·nH2O, KHPtCl6·nH2O, Na2PtCl6·nH2O, K2PtCl4·nH2O, PtCl4·nH2O, PtCl2, Na2HPtCl4·nH2O(단, 식 중의 n은 0~6의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 6이다) 등의 염화백금, 염화백금산 및 염화백금산염, 알콜 변성 염화 백금산, 염화백금산과 올레핀과의 착물, 백금흑, 팔라듐 등의 백금족 금속을 알루미나, 실리카, 카본 등의 담체에 담지시킨 것, 로듐-올레핀 착물, 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐(윌킨슨 촉매), 염화백금, 염화백금산 또는 염화백금산염과 비닐기 함유 실록산과의 착물 등을 들 수 있다. 이들 백금족 금속계 촉매는, 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
(F)성분의 배합량은 촉매로서의 유효량이고, 상기 (A)성분과, (B)성분, (C)성분 및 (D)성분의 반응을 진행할 수 있는 양이면 좋고, 원하는 경화속도에 따라서 적절하게 조정하면 좋다. 특히, (A)성분의 중량에 대해서, 백금족 금속원자로 치환한 질량 기준으로 0.1~500ppm, 바람직하게는 1~400ppm의 범위가 되는 양인 것이 좋다. 촉매의 양이 상기 하한값보다 작으면 촉매로서의 효과가 없고, 또한 상기 상한값을 초과해도 특히 경화 속도의 향상은 기대할 수 없기 때문이다.
(G) 반응제어제
(G)성분은 반응용 제어제이다. 상기 반응제어제는 실온에서의 히드로실릴화 반응의 진행을 억제하고, 저장 수명(shelf life) 및 가용 수명(pot life)을 연장시키기 위해 배합한다. 반응제어제로서는, 상기 (F)백금족 금속계 촉매의 촉매활성을 억제할 수 있는 것이면 좋고, 공지의 반응제어제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 1-에틸-1-시클로헥산올, 3-부틴-1-올 등의 아세틸렌 화합물, 각종 질소화합물, 유기 인화합물, 옥심 화합물, 및 유기 클로로 화합물 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 금속에 대한 부식성이 없는 아세틸렌알콜이 바람직하다.
(G)성분의 배합량은 (A)성분 100 질량부에 대해서 0.01~1 질량부, 바람직하게는 0.05~0.9 질량부이다. 반응제어제의 배합량이 상기 하한값보다 작으면, 충분한 저장 수명 및 가용 수명이 얻어지지 않을 우려가 있다. 또한, 반응제어제의 배합량이 상기 상한값보다 크면, 조성물의 경화성이 저하되므로 바람직하지 않다. 반응제어제는 실리콘 수지로의 분산성을 좋게 하기 위해, 톨루엔, 자일렌 및 이소프로필알콜 등의 유기용제로 희석하여 사용할 수도 있다.
(H) 오르가노실란
본 발명의 조성물은 또한 하기 화학식 5로 표시되는 오르가노실란을 배합할 수 있다. 이에 의해, 충전재와 실리콘 성분와의 젖음성을 향상시킬 수 있다.
Figure pct00015
상기 화학식 5에서, R5는 서로 독립적으로, 탄소수 6~15의 1가 탄화수소기이다. 상기 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어 헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기 등의 알킬기를 들 수 있다. R5의 탄소수가 상기 하한값보다 작으면 충전재와의 젖음성이 충분하지 않고, 상기 상한값보다 크면 오르가노실란이 상온에서 고화되므로 취급이 불편하며, 얻어진 조성물의 저온 특성이 저하된다.
상기 화학식 5에서, a는 1~3의 정수이고, b는 0~2의 정수이며, a+b는 1~3의 정수이다. 특히, a는 1인 것이 바람직하고, b는 0 또는 1인 것이 바람직하다.
상기 화학식 5에서, R6는 서로 독립적으로 탄소수 1~8의 포화 또는 불포화의 1가 탄화수소기이다. 상기 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 옥틸기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기; 2-페닐에틸기, 2-메틸-2-페닐에틸기 등의 아랄킬기; 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2-(노나플루오로부틸)에틸기, 2-(헵타데카플루오로옥틸)에틸기, p-클로로페닐기 등의 할로겐화 탄화수소기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하다.
상기 화학식 5에서, R7은 서로 독립적으로 탄소수 1~6의 1가 탄화수소기이다. 상기 1가 탄화수소기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 알킬기를 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상의 혼합물이어도 좋다. 특히, 메틸기, 에틸기가 바람직하다.
상기 화학식 5로 표시되는 오르가노실란으로서는, 예를 들어 하기에 나타내는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00016
Figure pct00017
상기 오르가노실란의 배합량은, (A)성분 100 질량부에 대해서 0.01~30 질량부, 바람직하게는 10~25 질량부이다. 오르가노실란의 배합량이 상기 하한값보다 적으면, 조성물에 젖음성을 충분히 부여할 수 없을 우려가 있다. 또한, 배합량이 상기 상한값보다 많아도, 효과가 증대되는 것은 아니므로 비경제적이다.
(I) 오르가노폴리실록산
본 발명의 조성물은 또한 하기 화학식 6으로 표시되는 오르가노실란을 배합할 수 있다. 이에 의해, 충전재와 실리콘 성분의 젖음성을 향상시킬 수 있다.
Figure pct00018
상기 화학식 6에서, R8은 서로 독립적으로, 비치환 또는 치환의, 탄소수 1~18, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기이다. 상기 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어 직쇄상 알킬기, 분지쇄상 알킬기, 환상 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화 알킬 등을 들 수 있다. 직쇄상 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 옥틸기 등을 들 수 있다. 분지쇄상 알킬기로서는, 예를 들어 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 2-에틸헥실기 등을 들 수 있다. 환상 알킬기로서는, 예를 들어 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 알케닐기로서는, 예를 들어 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들어 페닐기, 톨릴기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는, 예를 들어 2-페닐에틸기, 2-메틸-2-페닐에틸기 등을 들 수 있다. 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들어 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2-(노나플루오로부틸)에틸기, 2-(헵타데카플루오로옥틸)에틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, R8은 바람직하게는 메틸기, 페닐기이다.
상기 화학식 6에서, R9는 서로 독립적으로 탄소수 1~5의, 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기, 또는 아실기이다. 알킬기로서는, 예를 들어 직쇄상 알킬기, 분지쇄상 알킬기, 환상 알킬기를 들 수 있고, 상기에서 R8를 위해 예시한 것을 들 수 있다. 알콕시알킬기로서는, 예를 들어 메톡시에틸기, 메톡시프로필기를 들 수 있다. 아실기로서는, 예를 들어 아세틸기, 옥타노일기를 들 수 있다. 그 중에서도, R9는 알킬기인 것이 바람직하고, 특히 메틸기, 에틸기인 것이 바람직하다.
상기 화학식 6에서, q는 5~100의 정수이고, 바람직하게는 10~80의 정수이다. c는 1~3의 정수이고, 바람직하게는 3이다.
상기 화학식 6으로 표시되는 오르가노폴리실록산으로서는, 예를 들어 하기 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00019
상기 오르가노폴리실록산의 배합량은, (A)성분 100 질량부에 대해서 바람직하게는 0.01~200 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.01~150 질량부이다. 상기 오르가노폴리실록산의 양이 상기 하한값보다 적으면, 젖음성을 충분히 부여할 수 없을 우려가 있다. 또한, 배합량을 상기 상한값보다 많게 해도, 젖음성을 부여하는 효과가 증대되지 않고, 비경제적이다.
(J)실리카 미분말
본 발명의 조성물은 또한 (J)실리카 미분말을 배합할 수 있다. 실리카 미분말을 배합함으로써, 형상 유지성을 조성물에 부여할 수 있다. 실리카 미분말은 실리콘 그리스 조성물에 첨가되는 종래 공지의 실리카 미분말을 사용하면 좋고, 그 중에서도 표면 처리되어 있는 연무질 실리카가 바람직하게 사용된다. 표면 처리함으로써 (A)~(D) 성분에 대한 분산성이 향상되므로, 조성물 중에 균일하게 분산되는 것이 가능해진다. 또한, 표면 처리된 연무질 실리카끼리의 상호 작용, 또는 표면 처리된 연무질 실리카와 (A)~(D)성분과의 상호 작용에 의해, 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물에 형상 유지성을 부여할 수 있다.
표면 처리제로서는, 클로로실란, 실라잔, 실록산 등이 유효하다. 표면처리제의 구체예로서는, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란, 헥사메틸디실라잔, 옥타메틸시클로테트라실록산, α,ω-트리메틸실릴디메틸폴리실록산 등을 들 수 있다.
실리카 미분말은 비표면적(BET법) 50㎡/g 이상을 갖는 것이 바람직하고, 특히 100㎡/g 이상을 갖는 것이 바람직하다. 비표면적이 50㎡/g 미만에서는, 조성물의 점도가 너무 높아져 작업성이 악화되는 경우가 있다. 또한, 실리카 미분말의 비표면적(BET법)은 500㎡/g 이하, 특히 300㎡/g 이하인 것이, 형상 유지성이 높아지므로 바람직하다. 실리카 미분말의 배합량은 (A)성분 100 질량부에 대해서 0.1~100 질량부의 범위이고, 바람직하게는 1~80 질량부의 범위이고, 보다 바람직하게는 1~60 질량부의 범위이다. 배합량이 상기 하한값보다 적으면, 경화물의 형상 유지성을 가질 수 없게 될 우려가 있다. 또한, 배합량이 상기 상한값보다 많으면, 조성물의 경화물이 그리스 형상이 되지 않고, 신전성이 부족한 것이 되므로 바람직하지 않다.
본 발명의 조성물은 상기 (A)~(J) 성분 이외에, 실리콘 그리스의 첨가제로서 공지의 첨가제를, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 첨가해도 좋다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 힌디드(hinded) 페놀계 산화방지제, 탄산칼슘 등의 보강성, 비보강성 충전재, 틱소트로피 향상제로서의 폴리에테르 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라서 안료, 염료 등의 착색제를 첨가해도 좋다.
본 발명의 실리콘 조성물은 (A)성분~(G)성분, 및 필요에 따라서, (H)성분, (I)성분, (J)성분 및 그 밖의 첨가제를 혼합하고, 1액 부가 타입으로서 장기 저온 보존할 수 있다.
본 발명의 실리콘 조성물의 제조방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 종래 공지의 방법에 따르면 좋다. 예를 들어, 게이트 믹서(이노우에세이사쿠쇼(주))제, 상품명: 플라네터리 믹서)에 (A)성분 및 (E)성분을 취하고, 필요에 따라서 (H)성분이나 (I)성분을 가하고, 70℃에서 1시간 가열 혼합한다. 상기 혼합물을 냉각후에, (G)성분을 가하고 실온에서 15분간 혼합한다. 그 후 또한 (F)성분을 가하고, 균일해지도록 15분간 실온에서 혼합한다. 그 후, (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분을 가하고, 실온에서 15분간 혼합함으로써 얻어진다.
본 발명의 실리콘 조성물은 25℃에서의 점도 10~1,000㎩·s, 바람직하게는 50~300㎩·s을 갖는 것이 좋다. 본 발명의 실리콘 조성물은 시판되고 있는 실린지에 채워 IC 패키지 표면상이나 방열체에 토출하여 도포된다. 그 때문에, 점도가 상기 하한값보다 낮으면, 도포시에 액체의 흘러내림을 일으키므로 바람직하지 않다. 또한, 점도가 상기 상한값보다 높으면, 도포효율이 나빠지므로 바람직하지 않다. 또한, 본 발명에서 조성물의 점도는 말콤 점도계(타입 PC-1T)를 사용하여 25℃에서 측정한 값이다.
본 발명의 실리콘 조성물은 IC 패키지에 부여되는 스트레스를 고려하면, 상기 조성물을 경화하여 얻어진 경화물은, 고분시케이키(주)사제 AskerC(저경도용)로 측정한 경도 60 이하를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 실리콘 조성물의 경화조건은 특별히 제한되는 것은 아니고, 종래 공지의 실리콘겔과 동일한 조건을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 조성물은 디스펜스된 후, IC 패키지로부터의 발열에 의해 경화할 수도 있다. 또한, 디스펜스후, 적극적으로 가열 경화시켜도 좋다. 가열경화조건은 바람직하게는 80~200℃, 더욱 바람직하게는 90~180℃의 범위에 있는 온도에서, 0.1~3 시간, 더욱 바람직하게는 0.5~2 시간이다.
본 발명의 실리콘 조성물은 경화후 IC 패키지에 양호하게 접착할 수 있고, 또한 경시적으로 안정된 유연성을 유지할 수 있으며, 또한 기재로부터 박리되거나 하는 일은 없다. 또한, 본 발명의 실리콘 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물은, 기존의 실리콘 그리스 조성물의 경화물에 비하여, 휨이 훨씬 큰 IC 패키지에서도 접착성을 추수시킬 수 있고(휨에 따라갈 수 있게 하고), 또한 고온하에서 보존해도 유연성을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분을 이하에 나타낸다.
(A)성분
■ A-1: 양말단이 디메틸비닐실릴기로 봉쇄되고, 25℃에서의 동점도가 600㎟/s인 디메틸폴리실록산
■ A-2: 양말단이 디메틸비닐실릴기로 봉쇄되고, 25℃에서의 동점도가 30000㎟/s인 디메틸폴리실록산
(B) 성분:
■ B-1: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00020
■ B-2: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00021
비교예용으로서, 하기의 오르가노하이드로젠폴리실록산을 사용했다.
■ B-3: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00022
■ B-4: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00023
(C)성분
■ C-1: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00024
■ C-2: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
Figure pct00025
(D)성분
■ D-1: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠실록산
Figure pct00026
비교예용으로서, 하기의 오르가노하이드로젠실록산을 사용했다.
■ D-2: 하기 식으로 표시되는 오르가노하이드로젠실록산
Figure pct00027
(E) 성분: 열전도성 충전재
하기 (1)~(6)에 나타내는 열전도성 충전재를 하기 표 1에 기재하는 조성이 되도록 혼합하고, 5ℓ 게이트 믹서(이노우에 세이사쿠쇼(주)제, 상품명: 5리터 플라네터리 믹서)를 사용하여, 실온에서 15분간 혼합하여 E-1 ~ E-4를 얻었다. E-1 ~ E-4의 각 평균입자직경을 표 1에 기재한다.
(1) 평균입자직경 15㎛의 알루미늄 분말
(2) 평균입자직경 70㎛의 알루미나 분말
(3) 평균입자직경 40㎛의 알루미나 분말
(4) 평균입자직경 10㎛의 알루미나 분말
(5) 평균입자직경 1.0㎛의 알루미나 분말
(6) 평균입자직경 1.0㎛의 산화아연 분말
Figure pct00028
(F)성분: 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체의 디메틸폴리실록산 용액(상기 A-1과 동일한 디메틸폴리실록산에 용해된 것, 백금원자로서 1% 함유)
(G)성분: 1-에티닐-1-시클로헥산올의 50% 톨루엔 용액
(H)성분: 하기 식으로 표시되는 오르가노실란
Figure pct00029
(I)성분: 하기 식으로 표시되는 오르가노폴리실록산
Figure pct00030
(J)성분: BET 비표면적이 120㎡/g이고, 디메틸디클로로실란에 의해 소수화 표면 처리된 연무질 실리카
실리콘 조성물의 조제
5리터 게이트 믹서(이노우에세이사쿠쇼(주)제, 상품명: 5리터 플라네터리믹서)에 (A)성분을 넣고, (E)열전도성 충전재, 필요에 따라서 (H)오르가노실란, 및 (I)오르가노폴리실록산을 하기 표 2 또는 표 3에 나타내는 배합량으로 가하고, 70℃에서 1시간 가열 혼합했다. 다음에, (G) 반응제어제를 표 2 또는 표 3에 나타내는 배합량으로 가하고, 실온에서 15분간 혼합했다. 그 후, 또한 (F)촉매를 표 2 또는 표 3에 나타내는 배합량으로 가하고, 균일해지도록 실온에서 15분간 혼합했다. 마지막으로, (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분을, 표 2 및 표 3에 나타내는 배합량으로 가하고, 균일해지도록 실온에서 15분간 혼합했다.
상기에 의해 얻어진 각 조성물에 대해서, 하기에 나타내는 방법으로 각 물성을 측정했다. 결과를 표 2 및 표 3에 나타낸다.
열전도율
실리콘 조성물의 25℃에서의 열전도율을, 교토덴시고교 가부시키가이샤제 핫디스크법 열물성 측정장치 TPA-501을 사용하여 측정했다.
점도
말콤 점도계(타입 PC-1T)를 사용하여, 25℃에서의 절대점도를 측정했다.
전단 인장 접착강도
JIS K 6249에 따라 전단 인장 접착강도를 측정했다. 구체적으로는, 알루미늄으로 이루어진 폭 25㎜의 장방 형상의 작은 조각의 편말단 2매의 사이에, 두께 2㎜가 되도록 실리콘 조성물 층을 끼우고 붙여서(접착면적: 25㎜×10㎜=2.5㎠), 150℃×1시간의 경화조건에서 경화시켜 시험편을 제작했다. 이 시험편의 양단을, 인장 시험기에 의해 속도 50㎜/분으로 인장하고, 전단 강도를 측정했다.
유연성
고분시케이키(주)사제 AskerC(저경도용)을 사용하여 경화물의 경도를 측정하고, 시간경과에 따른 유연성을 평가했다. 구체적으로는 10㎜ 두께의 틀에 실리콘 조성물을 흘려 넣고, 150℃에서 1시간 가열하여, 두께 10㎜의 시트형상의 고무 성형물을 형성한 후 25℃로 되돌리고, 경화물의 초기 경도를 측정했다. 그 후, 온도 150℃의 조건하에 1000시간 방치한 후 25℃로 되돌리고, 경화물의 경도를 측정했다.
Figure pct00031
*150℃/1000시간 후
Figure pct00032
*150℃/1000시간 후
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 기존의 열전도성 실리콘 조성물에 비하여, 기판에 대한 양호한 접착성을 가지므로, 휨이 큰 IC 패키지에서도 경화물이 박리되지 않고 추수할 수 있으며(휨에 따라갈 수 있으며), 또한 고온하에서 보존해도 유연성을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 25℃에서 점도 10~1,000 ㎩·s를 갖는 실리콘 조성물로,
    (A) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖고, 25℃에서의 동점도 10~ 100,000 ㎟/s를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부,
    (B) 하기 화학식 1로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
    (화학식 1)
    Figure pct00033

    (상기 화학식 1에서, n, m은 10≤n+m≤100이고, 또한 0.01≤n/(n+m)≤0.3을 만족하는 양의 정수이며, R1은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기임),
    (C) 하기 화학식 2로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
    (화학식 2)
    Figure pct00034

    (화학식 2에서, p는 5~1000의 범위에 있는 양의 정수이고, R2은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다),
    (D)하기 화학식 3으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산
    (화학식 3)
    Figure pct00035

    (화학식 3에서, k는 2~10의 양의 정수이다. R은 서로 독립적으로, 수소 원자 또는 R4이고, 단, R로 표시되는 기 중 2개는 수소 원자이다. 상기 R4는 탄소 원자 또는 탄소 원자와 산소 원자를 사이에 두고 규소 원자에 결합되어 있는, 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에테르기, 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기를 갖는 기이다. R3는 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 알킬기이다)
    (E) 열전도성 충전재 400~3,000 질량부
    (F) 백금족 금속계 촉매 촉매량, 및
    (G) 반응제어제 0.01~1 질량부
    를 함유하고,
    상기 (B)성분, (C)성분, 및 (D)성분의 배합량이
    [(B)성분, (C)성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(A)성분 유래의 알케닐기의 갯수]가 0.6~1.5의 범위에 있는 값이고,
    [(C) 성분 및 (D)성분 유래의 Si-H기의 합계갯수]/[(B)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값이고, 또한
    [(C)성분 유래의 Si-H기의 갯수]/[(D)성분 유래의 Si-H기의 갯수]가 1~10의 범위에 있는 값인 양인, 실리콘 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (D)성분이 하기 화학식 4로 표시되는 오르가노하이드로젠실록산인, 실리콘 조성물:
    Figure pct00036

    (화학식 4에서, R3 및 R4는 상기와 같음).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    반응제어제가 아세틸렌 화합물, 질소화합물, 유기 인 화합물, 옥심 화합물, 및 유기 클로로 화합물로부터 선택되는, 실리콘 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (H) 하기 화학식 5로 표시되는 오르가노실란을, (A)성분 100 질량부에 대해서 0.01~30 질량부가 되는 양으로 추가로 포함하는, 실리콘 조성물:
    (화학식 5)
    Figure pct00037

    (상기 화학식 5에서, R5는 서로 독립적으로, 탄소수 6~15의 1가 탄화수소기이고, R6은 서로 독립적으로, 탄소수 1~8의, 포화 또는 불포화의 1가 탄화수소기이며, R7은 서로 독립적으로, 탄소수 1~6의 1가 탄화수소기이고, a는 1~3의 정수이고, b는 0~2의 정수이며, 단 a+b는 1~3이다).
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (I) 하기 화학식 6으로 표시되는 오르가노폴리실록산을, (A)성분 100 질량부에 대해서 0.01~200 질량부가 되는 양으로 추가로 포함하는, 실리콘 조성물:
    (화학식 6)
    Figure pct00038

    (상기 화학식 6에서, R8은 서로 독립적으로, 비치환 또는 치환의, 탄소수 1~18의 1가 탄화수소기이고, R9은 서로 독립적으로, 탄소수 1~5의 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기, 또는 아실기이고, q는 5~100의 정수이며, c는 1~3의 정수이다).
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (J) 실리카 미분말을, (A)성분 100 질량부에 대해서 0.1~200 질량부가 되는 양으로 추가로 포함하는, 실리콘 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 실리콘 조성물을 경화하여 얻어진 경화물을 구비한 반도체 장치.
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