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KR20150025319A - 에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 제조방법, 상기 에폭시 수지 조성물을 이용한 접착시트, 회로기판 및 상기 회로기판의 제조방법 - Google Patents

에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 제조방법, 상기 에폭시 수지 조성물을 이용한 접착시트, 회로기판 및 상기 회로기판의 제조방법 Download PDF

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KR20150025319A
KR20150025319A KR20130102805A KR20130102805A KR20150025319A KR 20150025319 A KR20150025319 A KR 20150025319A KR 20130102805 A KR20130102805 A KR 20130102805A KR 20130102805 A KR20130102805 A KR 20130102805A KR 20150025319 A KR20150025319 A KR 20150025319A
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KR
South Korea
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epoxy resin
weight
modified
parts
resin composition
Prior art date
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Ceased
Application number
KR20130102805A
Other languages
English (en)
Inventor
정광모
박경수
Original Assignee
(주)켐텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
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Application filed by (주)켐텍 filed Critical (주)켐텍
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Abstract

본 발명은 내열성, 박리강도 및 방열성이 우수하며, 특히 응력완화성이 우수하여 열충격에도 우수한 특성을 갖는 에폭시 수지 조성물을 개시(introduce)한다. 상기 에폭시 수지 조성물은, 5~10중량부의 다관능 에폭시수지 화합물, 1~6중량부의 고무변성 에폭시수지, 5~15중량부의 PPG 변성 다관능 산무수물 경화제 및 69~89중량부의 무기충전제를 포함한다.

Description

에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 제조방법, 상기 에폭시 수지 조성물을 이용한 접착시트, 회로기판 및 상기 회로기판의 제조방법 {A composition of epoxy resin, method for manufacturing the composition, adhesion sheet, circuit board and method for manufacturing the circuit board}
본 발명은 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 특히, 내열성, 박리강도 및 방열성이 뛰어나고 응결환화성이 우수하여 열 충격에도 우수한 특성을 가지는 에폭시 수지 조성물과 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조하는 회로기판에 관한 것이다.
현재 새로운 LED(Light Emitting Diode, 발광다이오드) 원재료와 진보된 생산기술로 백색 및 가시광선 영역에 포함되는 모든 색깔의 고휘도 LED가 생산되고 있다. 고휘도, 고효율 및 다양한 색깔의 LED는 전세계적으로 대형 전광판, 비상구용 등 교통신호등은 물론 승용차 및 트럭등의 자동차의 각종 표시에 응용되고 있다.
LED 조명의 경우, 발광을 제외한 대부분의 에너지가 열로 방출되며, 열로 인한 LED의 온도상승 시 색상 및 휘도의 변화, 출력의 감소, 열응력에 의한 접합부 박리, 형광체 발광 효율 감소 및 수명 단축 등의 문제가 발생되기 때문에, LED 조명의 효율과 신뢰성 향상을 위해, LED 특히 전력을 많이 소모하는 파워 LED로부터 발생되는 열을 조절하는 기술이 필수적으로 요구된다.
파워 LED를 실제로 사용하는 제품의 LED 수명을 향상시키기 위하여 메탐 베이스 기판을 비롯한 고 방열성 기판이 파워 LED용 기판으로서 주목을 받고 있다. 한편 전자기기의 경박 단소화와 함께 전자기기를 엔진 룸 내부에 설치하거나, 전자제어파워스티어링(Electric Power Steering)을 위한 기판에도 사용하는 경우가 있으며, 이러한 용도에 대해서는 응력완호성이 뛰어난 금속 베이스 회로 기판의 사용이 요구된다.
특허 10-2012-0103851에는 입자의 크기가 서로 다른 구상 알루미나 분말을 고충전함으로 고방열성의 금속 베이스 회로기판의 제조가 가능한 조성물에 대해 기재하고 있지만, 상기 발명의 경우 응력완화성이 떨어지기 때문에, 가열 및 냉각이 반복되는 경우 알루미늄판과 전자부품의 열팽창율의 차이로 인해 부품을 고정하고 있는 부근에서 크랙이 발생하는 등의 전기적 신뢰성이 저하되는 문제를 극복하여야 하는 단점이 있다.
특허 10-2011-0096494에는 상온에서 액상인 방향족계 에폭시 수지로 응력 완화성을 보완한 조성물에 대해 기재하고 있지만, -40℃ ~ 120℃ 에서의 열충격에 대해서 충분하게 대응하지 못한다는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 내열성, 박리강도 및 방열성이 우수하며, 특히 응력완화성이 우수하여 열충격에도 우수한 특성을 갖는 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 에폭시 수지 조성물을 제조하는 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 상기 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조한 접착시트를 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 내열성, 박리강도 및 방열성이 우수하며, 특히 응력완화성이 우수하여 열충격에도 우수한 특성을 갖는 에폭시 수지 조성물을 이용하여 생성한 회로기판을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과젠는, 회로기판을 제조하는 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 5~10중량부의 다관능 에폭시수지 화합물, 1~6중량부의 고무변성 에폭시수지, 5~15중량부의 PPG 변성 다관능 산무수물 경화제 및 69~89중량부의 무기충전제를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 제조방법은, 유기용제에 무기충전제 성분을 첨가하여 충분히 분산하는 분산단계 및 분산된 무기충전제에 상기 다관능 에폭시 수지 혼합물, 상기 고무변성 에폭시 수지 및 상기 PPG 변성 산무수물 경화제를 첨가하여 상기 에폭시 수지를 제조하는 수지 첨가단계를 포함한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 접착시트는, 에폭시 수지 조성물을 지지 베이스 필름 상에 도포하여 제조한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 회로기판은 상기 접착시트를 포함한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 회로기판 제조방법은, 베이스 기판 상에 상기 접착시트를 배치하는 접착시트 배치단계, 상기 접착시트 상에 금속박막을 형성시키는 금속박막 형성단계 및 상기 베이스 기판, 상기 접착시트 및 상기 금속박막 순서로 적층한 후 가압상태에서 가열하여 상기 회로기판을 형성하는 기판 형성단계를 포함한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 내열성, 박리강도 및 방열성이 우수하며, 특히 응력완화성이 우수하여 열충격에도 우수한 특성을 갖는 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조한 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조되는 접착시트 및 회로기판은 에폭시 수지 조성물의 장점을 그대로 가지고 있게 된다.
도 1은 3가지의 실시예 및 3가지의 비교예 용으로 제조한 에폭시 수지 조성물의 조성 비율을 나타낸다.
도 2는 도 1에 따른 조성 비율로 제조된 6종류의 에폭시 수지 조성물에 대한 측정 결과를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 제조방법을 나타낸다.
도 4는 본 발명에 따른 회로기판을 제조하는 회로기판 제조방법을 나타낸다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시 예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
본 발명에서 사용할 것을 제안하는 화합물은 크게, 다관능 에폭시 수지 혼합물, 고무변성 에폭시 수지, PPG 변성 산무수물 경화제 및 무기충전제인데, 이에 대하여 이하에서 자세하게 설명한다.
1. 다관능 에폭시 수지 혼합물
다관능 에폭시 수지는 전기 절연성, 내열성 그리고 화학적 안정성이 우수한 열경화수지로 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리글리시딜 이소시아네이트 및 비환식 에폭시 수지 중 적어도 두개의 화합물이다. 중량 평균 분자량이 300 ~ 3000인 것을 사용하는 것이 바람직하기는 하지만, 본 발명의 권리를 상기 분자량으로 한정한다는 것은 아니다.
다관능 에폭시 수지는, 예를 들면, 국도화학(주)에서 제공하는 YDCN-631, YH-300, YH-325, KDT-4400, 제펜 에폭시 레진(주)에서 제공하는 YX-4000, 일본화학(주)에서 제공하는 NC-3000, Huntsman(주)에서 제공하는 araldite MY-720 그리고 CVC(주)에서 제공하는 epalloy 9000 등이 있다.
2. 고무변성 에폭시 수지
고무변성 에폭시 수지는 내유성, 내마모성 및 내충격성에 뛰어난 성질이 있다. 폴리부타디엔 고무, NBR 변성 에폭시 수지 및 CTBN 변성 에폭시 수지 중 하나를 선택하여 사용할 수 있으며, 중량 평균 분자량이 500~20,000인 것을 사용하는 것이 바람직하다.고무변성 에폭시 수지는 다관능 에폭시 수지의 20~60 중량부를 사용하는데, 20 중량부 미만이면 응력 완화성이 떨어지며, 60 중량부 이상이면 내열성이나 기계적 강도가 저하되어 바람직하지 않다.
고무변성 에폭시 수지로 선택되는 폴리 부타디엔 고무의 예로는 이데미스 석유화학(주)에서 제공하는 R-45 EPI, R-45 HT, 나가세 화성 공업(주)에서 제공하는 R-45 EPT, 다이쉘화학(주)에서 제공하는 PB3600, PB 4700가 있다. NBR 변성 에폭시 수지로는 국도화학(주)에서 제공하는 KR-208, KR-415, KR-909가 있으며, CTBN 변성 에폭시 수지의 예로는 국도화학(주)에서 제공하는 KR-101, KR-207, KR-818 등이 있다.
3. PPG 변성 산무수물 경화제
경화제는 PPG변성 산무수물 경화제이다. 일반적으로 산무수물 경화제를 사용함으로써 내열성, 전기절연성 및 기계적 강도 등을 향상시키는 효과를 얻을 수 있으며, 특히 폴리프로필렌 글리콜(Polypropylene glycol, PPG)과 다관능성 산무수물을 중합하여 얻어지는 변성 산무수물을 사용할 경우, 응력 완화성이 뛰어나 급격한 가열 및 냉각을 받는 열충격 테스트 시 크랙 발생이나 분리현상(delamination) 등이 발생하지 않는다.
폴리프로필렌 글리콜(Polypropylene glycol)과 다관능성 산무수물의 비율은 중량비로 1 : 1~4로 하는 것이 바람직하다. 폴리프로필렌 글리콜(Polypropylene glycol)의 비율이 너무 높으면 유리전이온도(Glass Transition Temperature)가 낮아져서 내열성이 떨어진다.
다관능성 산무수물의 구체적인 예를 나열하면 아래와 같다.
THPA(Tetrahydrophthalic Anhydride),
HHPA(Hexahydrophthalic Anhydride),
MTHPA(Methyl-tetrahydrophthalic Anhydride),
MHHPA(Methyl-hexahydrophthalic Anhydride),
METH(Methyl-endomethyltetrahydrophthalic Anhydride) PMDA(pyromellitic dianhydride),
BTDA(Benzophenon tetracarboxylic dianhydride),
TMEG(Ethylene glycol bis-trimellitic dianhydride),
TMTA(Glycerol tris-trimellitic dianhydride),
MCTC(5-(2,5-dioxotetrahydropryle)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride),
TDA((2,5-dioxotetranhydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride)
YH-308 등이 있다. 본 발명에 따른 다관능성 산무수물은 상기의 물질 중 하나를 그대로 사용하거나, 적어도 2개를 혼합한 것을 사용할 수 있다. 상기 경화제의 양은 에폭시수지의 종류 및 사용양에 따라 달라지며, 에폭시 수지에 대하여 당량대비로 첨가한다.
4. 무기충전제
무기충전제는 전기 절연성이 양호하고, 광도, 내마모성 및 내열 충격성이 우수하며, 고열전도성을 갖는 물질로서, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연 등의 산화물계 필러, 질화 알루미늄, 질화 규소, 질화 붕소 등의 질화물계 필러, 베리리어, 알루미나, 실리카 등을 사용할 수 있다.
시트나 필름상의 고열전도성 복합재료는 두께 방향으로 열을 전달하는 경우가 많은데 질화붕소의 경우에는 이러한 배향이 어려우며, 질화알루미늄은 가수분해 되어 암모늄 이온이 발생되는데, 이러한 불순물로 인해 반도체 등에 사용되기에는 부적합하며, 베리리어는 알루미나보다 열전도율이 10배 이상 뛰어나지만 유독성이 있다. 따라서 바람직하게는 알루미나나 산화알루미늄이 사용되는데, 입자 형상이 구상으로 고충전이 가능하며 염가로 용이하게 입수가 가능하며 화학적 안정성이 좋다.
고열전도성의 절연층을 얻기 위해서는 필러의 충전율을 향상시키는게 중요하며, 필러의 고충전은 크기가 다른 입자를 사용한다거나 서로 다른 입자의 크기의 비를 크게 함으로 가능하다. 또한 이러한 입도 분포 외에 입자 표면의 수지에의 분산을 개선하기 위해 실란 커플링제 등으로 표면 처리하는게 중요하다.
본 발명의 산업상 이용가능성을 검증하는 과정에서 구상 알루미나 분말의 평균 입자 지름은 0.1㎛ ~ 50㎛ 인 것을 사용하는 것이 바람직하다는 결론을 얻었다. 특히, 미분과 조분의 배합 비율은 입자의 평균 지름이 0.1㎛~2㎛인 것이 5~15중량부, 5㎛~10㎛인 것이 55~65중량부이며, 35㎛~45㎛인 것이 20~30중량부가 되도록 하는 것이 바람직하다는 결론을 얻었다.
비표면적이 큰 0.1㎛~2㎛ 크기의 입자들을 30중량부 이상 충진하면 점도가 높아져 작업성이 저하되고, 35㎛~45㎛ 크기의 입자들을 50중량부 이상 충진하면 침강이 되어 균일한 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 없다.
본 발명에 있어서 에폭시 수지 조성물은 유기용제에 무기충전제 성분을 첨가하여 충분히 분산한 후 다관능 에폭시 수지 혼합물, 고무변성 에폭시 수지 및 PPG 변성 산무수물 경화제를 첨가하여 제조하였다.
상기 에폭시 수지 조성물의 제조과정에서 사용한 유기용제는
아세톤, 메텔 에틸 케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류;
메탄올, 에탄올과 같은 알코올류;
글리콜 에테르류, 에스테르류, 초산에틸, 초산부틸, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소;
디메틸 폼 아미드;
디메틸 아세트아미드; 및
N-메틸 피롤리돈 중
하나를 사용하거나 이들 중에서 선택된 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 만능혼합교반기, 볼밀, 바스켓 밀, 아지테이터 등을 이용해 균일혼합 하는 것이 바람직하다.
진공 탈포가 되는 장치를 이용하여 에폭시 수지 조성물 중의 기포를 제거한 후 콤머 코터를 이용하여 절연시트를 얻을 수 있으며, 이는 이후에 설명하는 금속 베이스 회로 기판에 사용된다.
본 발명에서 제안하는 금속 베이스 회로 기판에 이용되는 금속판으로서는, 알루미늄, 알루미늄 합금, 동, 구리합금, 철, 스텐레스 등이 사용 가능하지만, 이중 비교적 가격이 싸고 경량이며 작업성이나 이동성이 용이한 알루미늄 및 알루미늄 합금을 사용하여도 문제가 없으며, 도체 회로의 절연 접착층에 접하는 측의 표면은 에칭이나 도금 등에 의해 미리 표면 처리를 하는 것이 바람직하다. 금속판의 두께는 제한은 없으나 일반적으로는 0.5㎜~2.0㎜의 두께를 사용한다.
본 발명에서 제안하는 금속 베이스 회로 기판은,
1. 알루미늄 금속 판상에 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제작한 절연시트를 적층한 후
2. 동, 알루미늄 혹은 동-알루미늄 복합박 등의 회로가 되는 35㎛ 두께의 동박을 적층 프레스법을 이용하여 접합하는 방식으로 구현할 수 있다.
도 1은 3가지의 실시예 및 3가지의 비교예 용으로 제조한 에폭시 수지 조성물의 조성 비율을 나타낸다.
도 1에 표시된 테이블과 같은 조성으로 3가지 실시예 및 3가지 비교에에 사용되는 에폭시 수지 조성물을 제작하여 이를 비교함으로써 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물의 특성을 검증하였다.
도 1에 도시된 재료들에 대한 사항은 아래와 같다.
YDCN-631 : 국도화학(주), 크레졸 노볼락 에폭시 수지
KDT-4400 : 국도화학(주), 4관능 에폭시 수지
NC-3000 : 일본화학(주), 비페닐 에폭시 수지
MY-720 : 헌츠만(주), 4관능 에폭시 수지
epalloy 9000 : CVC(주), 4관능 에폭시 수지
R-45 EPT : 나가세 화성 공업(주), 폴리 부타디엔 고무
KR-207 : 국도화학(주), CTBN 변성 에폭시 수지
KR-909 : 국도화학(주) NBR 변성 에폭시 수지
BTDA : 다이셀화학(주), 벤조페논 테트라카르복실산 무수물
TMEG : 신일본이화(주), 에틸렌글리콜 비스 트리멜리트산 무수물
PMDA : 미스비시 가스화학(주), 피로멜리트산 무수물
MCTC : 대일본 잉크 화학공업(주), 말레익메틸사이클로헥센 테트라카르복실산 무수물
도 1의 테이블에 기재된 3가지 실시예 및 비교예의 경우, 유기용제에 알루미나를 분산한 후 에폭시 수지와 경화제를 첨가하여 바스켓 밀에서 균일하게 혼합하여 에폭시 수지 조성물을 제조했다. 두께 38㎛의 폴레에틸렌 테레프탈레이트 필름 상에 건조 후의 두께가 50㎛~150㎛가 되도록 에폭시 수지 조성물을 콤마 코터에서 도포하여 80℃~120℃에서 10분 건조 하여 절연시트를 얻었다.
두께 1.5㎜의 알루미늄판 상에, 상술한 절연시트를 적층한 후 두께 35㎛의 동박을 절연 접착제 위에 올려놓은 후 진공 핫프레스로 160℃~190℃의 압착온도, 35kgf/㎠의 압착 압력하에서 절연 접착제를 가열, 경화시켜 금속 베이스 기판을 얻었다.
상기의 방법으로 얻어진 절연시트에 대해서는 열전도율과 저장탄성율을 측정하였으며, 전기 조작으로 얻을 수 있던 금속 베이스 기판 혹은 금속 베이스 회로 기판에 대해서, 내전압과 박리강도, 땜납 플로트(solder float), 열충격 시험(heat cycle test) 등을 측정했다.
저장탄성율(MPa)의 측정은 동적점탄성 측정기(레오메티릭스사, RSA2)를 이용해 주파수 11Hz, 온도상승속도 10℃/분의 조건으로 -50℃ ~ 150℃의 온도 범위에서 측정하였다.
열전도율(연전도도; w/mk)은 두께 1㎜x12.7㎜의 원형의 시험편을 이용해 레이져 플래시법 열전도율 측정 장치(네취 (주) LFA-447)에 의해 측정하였다.
내전압(kV)의 측정은, KSM 3015에 준하여 측정하였으며, 절연유 중에 침지해, 실온으로 동박과 알루미늄판간에 교류 전압을 인가하였다. 초기 전압은 0.5kV이며, 각 전압으로 60초간 유지 후, 0.5kV씩 단계적으로 승압하는 방법으로 파괴되는 전압을 측정했다.
박리강도(필강도)는 JIS-6481에 준하여 Instron을 사용하여 측정하였으며, 1㎝의 폭으로 90°즉 수직 방향으로 50㎜/분의 속도로 박리 했을 때의 강도를 측정하였다.
땜납 플로트(solder float)는 100㎜ x 100㎜의 금속 베이스 회로용 기판을 288℃의 납조에 올려 놓은 후 분리현상(delamination)이 발생하는 시간을 측정하였다.
열충격시험(heat cycle test, 히트 사이클)은 패드간에 팁 사이즈 2.0㎜ x 1.25㎜의 팁 저항을 납땜한 후, -55℃ 상태로 30분 그리고 125℃ 상태로 30분(-55℃ x 30분 + 125℃ x 30분)을 1사이클로하여, 총 1,000회의 히트 사이클 시험을 실시 한 후, 현미경으로 크랙의 유무, 분리 현상(delamination) 발생 등을 관찰했다.
도 2는 도 1에 따른 조성 비율로 제조된 6종류의 에폭시 수지 조성물에 대한 측정 결과를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 구상 알루미나의 입도를 조절하지 않은 에폭시 수지 조성물인 비교예 1은 내전압(5.5) 및 응력완화성(양호)이 양호한 반면 열전도도(3.4)가 불충분해졌으며, 고무 변성 에폭시 수지가 다관능 에폭시 수지에 비해 20중량부에 미치지 못한 에폭시 수지 조성물인 비교예 2는 응력완화성(불량)이 부족하여 열충격 시험에서 크랙이나 박리가 발생하였고, 고무 변성 에폭시 수지가 다관능 에폭시 수지에 비해 60중량부를 넘어선 에폭시 수지인 비교예 3은 내열성이 떨어져 땜납 플로트 시 분리현상(<4)이 발생하였다.
그러나, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조된 3가지의 실시예의 경우, 열전도도가 5w/mk 이상(5.4, 5.3, 5.8)을 나타내었으며, 내열성 및 절연특성에 문제가 없고, 특히 응력완화성이 우수하였다.
도 3은 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 제조방법을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 에폭시 수지 조성물 제조방법(300)은, 유기용제에 무기충전제 성분을 첨가하여 충분히 분산하는 분산단계(310)와 분산된 무기충전제에 상기 다관능 에폭시 수지 혼합물, 상기 고무변성 에폭시 수지 및 PPG 변성 산무수물 경화제를 첨가하여 상기 에폭시 수지를 제조하는 수지 첨가단계(320)를 포함한다.
도 4는 본 발명에 따른 회로기판을 제조하는 회로기판 제조방법을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 회로기판 제조방법(400)은, 베이스 기판 상에 접착시트를 배치하는 접착시트 배치단계(410), 접착시트 상에 금속박막을 형성시키는 금속박막 형성단계(420) 및 베이스 기판, 접착시트 및 금속박막 순서로 적층한 후 가압상태에서 가열하여 회로기판을 형성하는 기판 형성단계(430)를 포함한다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다.
310: 분산단계 320: 첨가단계
410: 접착시트 배치단계 420: 금속박막 형성단계
430: 기판형성단계

Claims (14)

  1. 5~10중량부의 다관능 에폭시수지 화합물;
    1~6중량부의 고무변성 에폭시수지;
    5~15중량부의 PPG 변성 다관능 산무수물 경화제; 및
    69~89중량부의 무기충전제;를
    포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다관능 에폭시 수지 화합물은,
    비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리글리시딜 이소시아네이트 및 비환식 에폭시 수지 중 적어도 두개의 화합물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제3항에 있어서,
    상기 다관능 에폭시 수지 화합물의 중량 평균 분자량은 300~3000인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고무변성 에폭시 수지는,
    폴리부타디엔 고무, NBR 변성 에폭시 수지 및 CTBN 변성 에폭시 수지 중 하나인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고무변성 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 500~20,000인 것을 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 PPG 변성 다관능 산무수물 경화제는,
    폴리프로필렌 글리콜(Polypropylene glycol)과 다관능성 산무수물을 중량비 1 : 1~4로 중합하여 제조한 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다관능성 산무수물은,
    THPA(Tetrahydrophthalic Anhydride),
    HHPA(Hexahydrophthalic Anhydride),
    MTHPA(Methyl-tetrahydrophthalic Anhydride),
    MHHPA(Methyl-hexahydrophthalic Anhydride),
    METH(Methyl-endomethyltetrahydrophthalic Anhydride) PMDA(pyromellitic dianhydride),
    BTDA(Benzophenon tetracarboxylic dianhydride),
    TMEG(Ethylene glycol bis-trimellitic dianhydride),
    TMTA(Glycerol tris-trimellitic dianhydride),
    MCTC(5-(2,5-dioxotetrahydropryle)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride),
    TDA((2,5-dioxotetranhydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride)
    YH-308 중 하나를 그대로 사용하거나 이들 중 적어도 2개를 혼합한 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 무기충전제는,
    질화물계 필러, 산화물계 필러, 베리리어, 알루미나 및 실리카 중 하나인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 무기충전제로 알루미나가 사용될 때,
    상기 알루미나는 직경이 0.1㎛ ~ 50㎛인 구상인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구상 알루미나는,
    상기 구상 알루미나 분말의 평균 입자 지름이 0.1㎛~2㎛인 것이 5~15중량부;
    5㎛~10㎛인 것이 55~65중량부; 및
    35㎛~45㎛인 것이 20~30중량부인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  11. 제1항에 기재된 에폭시 수지 조성물을 제조하는 방법에 있어서,
    유기용제에 무기충전제 성분을 첨가하여 충분히 분산하는 분산단계; 및
    분산된 무기충전제에 상기 다관능 에폭시 수지 혼합물, 상기 고무변성 에폭시 수지 및 상기 PPG 변성 산무수물 경화제를 첨가하여 상기 에폭시 수지를 제조하는 수지 첨가단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물을 제조방법.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 기재된 에폭시 수지 조성물을 지지 베이스 필름 상에 도포하여 제조한 것을 특징으로 하는 접착 시트.
  13. 제12항에 기재한 접착시트를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판.
  14. 제13항에 기재된 회로기판을 제조하는 방법에 있어서,
    베이스 기판 상에 상기 접착시트를 배치하는 접착시트 배치단계;
    상기 접착시트 상에 금속박막을 형성시키는 금속박막 형성단계; 및
    상기 베이스 기판, 상기 접착시트 및 상기 금속박막 순서로 적층한 후 가압상태에서 가열하여 상기 회로기판을 형성하는 기판 형성단계;를
    포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판 제조방법.
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