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KR20140123410A - 자외선 발광 소자 - Google Patents

자외선 발광 소자 Download PDF

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KR20140123410A
KR20140123410A KR20140026871A KR20140026871A KR20140123410A KR 20140123410 A KR20140123410 A KR 20140123410A KR 20140026871 A KR20140026871 A KR 20140026871A KR 20140026871 A KR20140026871 A KR 20140026871A KR 20140123410 A KR20140123410 A KR 20140123410A
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서울바이오시스 주식회사
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Abstract

자외선 발광 소자가 개시된다. 이 발광 소자는, GaN층을 포함하는 n형 콘택층; AlGaN층 또는 AlInGaN층을 포함하는 p형 콘택층; 및 n형 콘택층과 p형 콘택층 사이에 위치하는 다중양자우물 구조의 활성영역을 포함한다. 나아가, 다중양자우물 구조의 활성영역은 2nm 미만의 두께를 갖는 GaN 또는 InGaN 우물층을 포함하며, 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출한다.

Description

자외선 발광 소자{UV LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 무기물 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 특히 360nm 이하의 자외선을 방출하는 자외선 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화갈륨계 반도체는 풀컬러 디스플레이, 교통 신호등, 일반조명 및 광통신 기기의 광원으로 자외선, 청/녹색 발광 다이오드(light emitting diode) 또는 레이저 다이오드(laser diode)에 널리 이용되고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN) 화합물 반도체는 좁은 밴드 갭에 기인하여 많은 주목을 받고 있다.
이러한 질화갈륨 계열의 화합물 반도체를 이용한 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 백라이트 광원, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
GaN는 약 3.42eV의 밴드갭 에너지를 갖는데, 이 에너지는 약 365nm의 파장의 광 에너지에 대응한다. 따라서, GaN 또는 InGaN을 우물층으로 사용한 발광 소자는 대체로 365nm 이상의 자외선 또는 청색광을 방출하는데 사용되고 있다. 한편, 365nm 이하의 자외선을 방출하는 발광 다이오드를 제공하기 위해서는 우물층의 밴드갭을 증가시킬 필요가 있고, 따라서, GaN 또는 InGaN에 Al을 첨가한 우물층이 사용된다(대한민국 공개특허공보 제10-2012-0129449참조).
더욱이, 장벽층이나 콘택층은 우물층에 비해 더 넓은 밴드갭을 갖도록 AlGaN이나 AlInGaN 우물층에 비해 더 많은 함량의 Al을 포함한다. 그런데, Al의 함량이 증가할수록 AlGaN 또는 AlInGaN층은 높은 온도 및 낮은 압력에서 성장되기 때문에 성장 조건이 까다로우며 따라서 양호한 결정 품질의 에피층을 형성하기 어렵다. 나아가, Al 함량이 증가할수록 에피층 내에 스트레스에 의한 크랙이나 실전위와 같은 결정 결함이 발생하기 쉬워 양호한 결정 품질을 갖는 에피층을 형성하기 어렵다.
대한민국 공개특허공보 제10-2012-0129449
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 340nm 내지 360nm 범위의 자외선을 방출할 수 있는 자외선 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 우물층의 결정 품질이 개선된 자외선 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는, GaN층을 포함하는 n형 콘택층;
AlGaN층 또는 AlInGaN층을 포함하는 p형 콘택층; 및 상기 n형 콘택층과 상기 p형 콘택층 사이에 위치하는 다중양자우물 구조의 활성영역을 포함한다. 나아가, 상기 다중양자우물 구조의 활성영역은 2nm 미만의 두께를 갖는 GaN 또는 InGaN 우물층을 포함하며, 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출한다.
GaN 또는 InGaN 우물층의 두께를 2nm 미만으로 함으로써, 밴드갭을 양자화하여 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출할 수 있다. 나아가, 상기 n형 콘택층이 GaN층을 포함함으로써, 양호한 결정 품질을 갖는 우물층을 형성할 수 있으며, Al을 함유하지 않는 GaN 또는 InGaN 우물층을 이용함으로써 더욱 양호한 결정 품질을 갖는 우물층을 형성할 수 있다.
한편, 상기 GaN 또는 InGaN 우물층은 1nm 이상 2nm 미만의 두께를 가질 수 있다. 상기 GaN 또는 InGaN 우물층 두께의 하한은 우물층으로서의 기능을 수행하는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에피층 성장 공정의 안정성을 위해 1nm 이상으로 하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 다중양자우물 구조의 활성영역은 장벽층들을 더 포함한다. 여기서, 상기 장벽층들은 Al을 함유할 수 있으며, AlInGaN으로 형성될 수 있다. 장벽층이 In을 포함함으로써 우물층과 장벽층 사이의 격자 불일치가 완화될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 다중양자우물 구조의 활성영역의 우물층들과 장벽층들은 서로 다른 성장 온도에서 성장될 수 있다. 나아가, 상기 우물층들과 장벽층들은, In, Ga 및 N 소스 가스를 챔버 내로 연속적으로 유입하고, Al 소스 가스를 단속적으로 챔버 내로 유입하여 성장될 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 다중양자우물 구조의 활성영역의 우물층들과 장벽층들은 서로 동일한 성장 온도에서 성장될 수 있다.
한편, 상기 발광 소자는 상기 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선과 함께 360nm 내지 400nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 더 방출할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 p형 콘택층은 하부 AlGaN 고농도 도핑층, 상부 AlGaN 고농도 도핑층 및 상기 하부 AlGaN 고농도 도핑층과 상부 AlGaN 고농도 도핑층 사이에 위치하는 AlGaN 저농도 도핑층을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 AlGaN 저농도 도핑층이 상기 하부 및 상부 AlGaN 고농도 도핑층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 상기 저농도 도핑층을 채택함으로써 홀의 이동도를 증가시켜 홀 주입효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 발광 소자는, 상기 n형 콘택층과 상기 활성영역 사이에 위치하는 초격자층; 및 상기 초격자층과 상기 활성영역 사이에 위치하는 전자주입층을 더 포함할 수 있다. 나아가, 상기 전자 주입층은 상기 초격자층에 비해 더 높은 n형 불순물 도핑 농도를 가질 수 있다.
또한, 상기 초격자층은 InGaN/InGaN을 반복 적층한 구조를 가질 수 있으며, 상기 전자 주입층은 GaN 또는 InGaN으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 발광 소자는 상기 n형 콘택층과 상기 초격자층 사이에 위치하는 언도프트 GaN층을 더 포함할 수 있다.
특정 실시예에 있어서, 상기 n형 콘택층과 상기 활성 영역 사이의 에피층들은 AlGaN층을 포함하지 않는 질화물계 반도체층들로 이루어질 수 있다.
종래 360nm 미만의 자외선을 방출하는 발광 소자는 Al을 함유하는 우물층을 사용하며 또한 n형 콘택층을 AlGaN으로 형성하고 있다. 기판을 제외한 대부분의 발광 소자의 두께를 차지하는 콘택층을 AlGaN으로 형성함에 따라, 에피층 특히 우물층의 결정품질이 나빠 광 출력이나 발광 효율을 개선하는 것이 곤란하다. 이에 반해, 본원발명은 우물층을 GaN 또는 InGaN으로 형성하고 n형 콘택층을 GaN으로 형성함으로써 양호한 결정 품질의 우물층을 형성할 수 있다. 나아가 우물층의 두께를 2nm 미만으로 얇게 함으로써 GaN 또는 InGaN 우물층에 의해 340 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출하는 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 다중양자우물구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 다중양자우물 구조의 TEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광 소자의 광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 한편, 본 명세서에 있어서 백분율로 표시된 금속 원소(Al 또는 In)의 함량은 질화갈륨계 층의 금속 성분의 조성의 합에 대해 각 금속 성분의 조성을 백분율로 표시한 것이다. 즉, AlxInyGazN으로 표시되는 질화갈륨계층의 Al의 함량은 100×x/(x+y+z)로 계산하여 %로 표현된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2는 상기 발광 소자의 다중양자우물구조를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자는 n형 콘택층(27), 활성영역(39) 및 p형 콘택층(43)을 포함한다. 나아가, 상기 발광 소자는 기판(21), 핵층(23), 버퍼층(25), 언도프트 GaN층(29), 저농도 GaN층(31), 고농도 GaN층(33), 초격자층(35), 전자 주입층(37), 전자 블록층(41) 또는 델타 도핑층(45)을 포함할 수 있다.
상기 기판(21)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시키기 위한 기판으로, 사파이어 기판, SiC 기판, 스피넬 기판, GaN 기판 등 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다.
상기 핵층(23)은 기판(21) 상에 버퍼층(25)을 성장시키기 위해 400~600℃의 저온에서 (Al, Ga)N로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 GaN 또는 AlN로 형성된다. 상기 핵층은 약 25nm의 두께로 형성될 수 있다. 버퍼층(25)은 기판(21)과 n형 콘택층(27) 사이에서 전위와 같은 결함발생을 완화하기 위한 층으로, 상대적으로 고온에서 성장된다. 상기 버퍼층(25)은 예컨대, 언도프트 GaN으로 약 1.5㎛의 두께로 형성될 수 있다.
상기 n형 콘택층(27)은 n형 불순물, 예컨대 Si이 도핑된 질화갈륨계 반도체층으로 형성되며, 예컨대 약 3㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 n형 콘택층(27)은 GaN층을 포함하며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 n형 콘택층(27)은 도시한 바와 같이, 하부 GaN층(27a), 중간층(27b) 및 상부 GaN층(27c)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 중간층(27b)은 AlInN로 형성되거나, 또는 AlInN와 GaN를 교대로 예컨대 약 10주기 적층한 다층 구조(초격자 구조 포함)로 형성될 수 있다. 상기 하부 GaN층(27a) 및 상부 GaN층(27c)은 서로 유사한 두께로 형성될 수 있으며 예컨대 각각 약 1.5㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 중간층(27b)은 상기 하부 및 상부 GaN층들(27a, 27c)에 비해 상대적으로 작은 두께를 갖도록 형성되며, 약 80nm의 두께로 형성될 수 있다. 단일의 GaN층을 연속해서 약 3㎛의 두께로 상대적으로 두껍게 성장하는 것에 비해 중간층(27b)을 n형 콘택층(27) 중간에 삽입함으로써 n형 콘택층(27) 상에 형성되는 에피층, 특히 활성영역(39)의 결정품질을 개선할 수 있다. 한편, 상기 n형 콘택층(27)에 도핑되는 Si 도핑농도는 2×1018/㎤ ~2×1019/㎤ 범위 내일 수 있으며, 더 바람직하게는 1×1019/㎤ ~2×1019/㎤ 범위 내일 수 있다. 특히, 상기 하부 GaN층(27a)과 상부 GaN층(27c)에 Si 불순물이 고농도로 도핑되며, 상기 중간층(27b)에는 상기 상부 GaN층(27c)과 동일한 정도 또는 낮은 정도로 도핑될 수 있으며, 의도적으로 불순물이 도핑되지 않을 수도 있다. 상기 하부 GaN층(27a)과 상부 GaN층(27c)에 불순물이 고농도로 도핑되므로, n형 콘택층(27)의 저항성분을 낮출 수 있다. 상기 n형 콘택층(27)에 콘택하는 전극은 상부 GaN층(27c)에 접촉할 수도 있다.
상기 언도프트 GaN층(29)은 의도적으로 불순물이 도핑되지 않은 GaN으로 형성되며, 상기 상부 GaN층(27c)에 비해 상대적으로 얇은, 예컨대 80nm~300nm의 두께로 형성될 수 있다. n형 콘택층(27)에 n형 불순물을 도핑함에 따라 상기 n형 콘택층(27)에 잔류 응력이 생성되고, 결정품질이 저하된다. 따라서, 상기 n형 콘택층(27) 상에 다른 에피층을 성장할 경우, 양호한 결정품질을 갖는 에피층을 성장하기 어렵다. 그러나 상기 언도프트 GaN층(29)은 불순물을 도핑하지 않기 때문에, n형 콘택층(27)의 결정품질 저하를 회복시키는 회복층으로서 작용한다. 따라서, 상기 언도프트 GaN층(29)은 상기 n형 콘택층(27) 상에 직접 형성되어 n형 콘택층(27)에 접하는 것이 좋다. 이에 더하여, 상기 언도프트 GaN층(29)은 n형 콘택층(27)에 비해 상대적으로 비저항이 높기 때문에, n형 콘택층(27)에서 활성층(39)으로 유입되는 전자가 언도프트 GaN층(29)을 통과하기 전에 n형 콘택층(27) 내에서 고르게 분산될 수 있다.
상기 저농도 GaN층(31)은 상기 언도프트 GaN층(29) 상에 위치하며 상기 n형 콘택층(27)보다 더 낮은 농도로 도핑된 n형 불순물 도핑 농도를 갖는다. 상기 저농도 GaN층(31)은 예컨대 5×1017/㎤ ~5×1018/㎤ 범위 내의 Si 도핑 농도를 가질 수 있으며, 상기 언도프트 GaN층(29)에 비해 상대적으로 얇은 두께로, 예컨대 50~150nm의 두께로 형성될 수 있다. 한편, 상기 고농도 GaN층(33)은 상기 저농도 GaN층(31) 상에 위치하며, 상기 저농도 GaN층(31)에 비해 더 높은 n형 불순물 도핑 농도를 갖는다. 상기 고농도 GaN층(33)은 상기 n형 콘택층(27)과 거의 유사한 정도의 Si 도핑 농도를 가질 수 있다. 상기 고농도 GaN층(33)은 상기 저농도 GaN층(31)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 예컨대 약 30nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 n형 콘택층(27), 언도프트 GaN층(29), 저농도 GaN층(31) 및 고농도 GaN층(33)은 챔버 내로 금속 소스 가스를 공급하여 연속적으로 성장될 수 있다. 금속 소스 가스의 원료로는 Al, Ga, In의 유기물, 예컨대 TMA, TMG 및/또는 TMI 등이 사용된다. 한편, Si의 소스 가스로는 SiH4가 사용될 수 있다. 이들 층들은 제1 온도, 예컨대 1050℃~1150℃에서 성장될 수 있다.
상기 초격자층(35)은 상기 고농도 GaN층(33) 상에 위치한다. 초격자층(35)은 조성이 서로 다른 질화갈륨계 층들, 예컨대 제1 InGaN층과 제2 InGaN층을, 예컨대 각각 20Å의 두께로 약 30주기 교대로 적층하여 형성될 수 있다. 상기 초격자층(35)은 의도적으로 불순물을 도핑하지 않고 언도프트층으로 형성될 수 있다. 초격자층(35)이 언도프트 층으로 형성되기 때문에 발광 소자의 누설전류를 감소시킬 수 있다.
전자 주입층(37)은 상기 초격자층(35)에 비해 상대적으로 높은 n형 불순물 도핑 농도를 갖는다. 나아가, 상기 전자 주입층(37)은 n형 콘택층(27)과 거의 동일한 정도의 n형 불순물 도핑 농도를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 n형 불순물 도핑 농도는 1×1019/㎤ ~5×1019/㎤ 범위 내일 수 있으며, 더 바람직하게는 1×1019/㎤ ~3×1019/㎤ 범위 내일 수 있다. 상기 전자 주입층(37)이 고농도로 도핑됨에 따라 활성 영역(39) 내로 전자의 주입이 원활하게 된다. 상기 전자 주입층(37)은 상기 고농도 도핑층(33)과 유사하거나 그보다 상대적으로 작은 두께를 갖도록, 예컨대 약 20nm의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전자 주입층(37)은 약 300torr의 압력에서 약 820~850℃의 온도에서 성장될 수 있다.
상기 전자 주입층(37) 상에 활성영역(39)이 위치한다. 도 2는 활성영역(39)을 확대 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 활성영역(39)은 서로 교대로 적층된 장벽층들(39b)과 우물층들(39w)을 포함하는 다중양자우물 구조를 갖는다. 상기 우물층들(39w)은 340nm 내지 360nm 범위의 자외선을 방출한다. 상기 우물층들(39w)은 InGaN 또는 GaN으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 우물층(39w)에 함유되는 In의 함량은 매우 작으며, 예를 들어 약 2% 미만일 수 있다. 상기 우물층들(39w)은 약 1nm 이상 2nm 미만의 두께로 형성될 수 있다. 우물층들(39w)이 2nm 미만의 두께를 갖기 때문에, 양자화된 밴드갭의 폭이 증가하며, 따라서, GaN이나 InGaN으로 340 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출할 수 있다. 상기 우물층들(39w)은 일반 청색 발광 다이오드의 우물층들의 성장온도보다 상대적으로 높은 온도, 예컨대 약 300 torr에서 800~820℃에서 성장될 수 있으며, 이에 따라 우물층의 결정 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 장벽층들(39b)은 우물층에 비해 밴드갭이 넓은 질화갈륨계 반도체층, 예컨대, GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlInGaN로 형성될 수 있다. 특히, 상기 장벽층들(39b)은 AlInGaN로 형성될 수 있는데, In을 포함함으로써 우물층(39w)과 장벽층(39b) 사이의 격자 불일치를 완화할 수 있다. 나아가, 장벽층들(39b) 내의 Al 함유량을 증가시킴으로써, 우물층과 장벽층의 에너지 밴드갭 차이를 증가시킬 수 있으며, 이에 따라, 방출되는 광의 파장을 더 짧게 할 수 있다.
또한, 상기 장벽층들(39b)은 우물층의 성장 온도(예컨대, 약 800~820℃)보다 약간 높은 성장 온도, 예컨대 약 300torr에서 약 820~850℃에서 성장될 수 있다. 예를 들어, 우물층(39w)을 성장시킨 후, 온도를 증가시켜 장벽층(39b)을 성장시킬 수 있다. 이때, 우물층(39w)을 성장시킨 후, 챔버 내로 유입되는 In 및 Ga의 소스 가스의 유입을 중단하고, 성장 온도를 증가시킨 후, 다시 In, Ga 및 Al의 소스 가스를 유입하여 장벽층을 성장시킬 수 있다. 이와 달리, 우물층들(39w)과 장벽층들(39b)은, In, Ga 및 N 소스 가스를 챔버 내로 연속적으로 유입하고, Al 소스 가스를 단속적으로 챔버 내로 유입하여 성장될 수 있다. 이때, Al 소스 가스는 성장 온도를 장벽층 성장 온도로 완전히 올린 다음에 유입이 시작될 수도 있고, 온도를 올리는 동안 유입이 시작될 수도 있다. 소스 가스를 연속적으로 유입함으로써 온도를 올리는 동안 우물층의 결정 품질이 나빠지는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 장벽층들(39b)은 우물층들(39w) 동일한 성장 온도에서 성장될 수도 있다. 이 경우, 상기 장벽층들(39b) 및 우물층들(39w)은 예를 들어, 800~850℃ 범위 내의 동일 온도에서 성장될 수 있다. 우물층(39w)과 장벽층(39b)이 동일 온도에서 성장되므로, 온도 증가에 따라 발생될 수 있는 In 및 Al의 증발을 방지할 수 있으며, 따라서, 우물층과 장벽층의 계면 특성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 장벽층들(39b1, 39b, 39bn) 중 전자 주입층(37) 혹은 n형 콘택층(27)에 가장 가까운 제1 장벽층(39b1)은 다른 장벽층들에 비해 Al 함량이 더 높을 수 있다. 예컨대, 제1 장벽층(39b1)의 Al 함량은 다른 장벽층들(39b)에 비해 10% 내지 20% 더 높을 수 있다. 예를 들어, 다른 장벽층들(39b, 39bn)에 약 20%의 Al이 함유될 경우, 상기 제1 장벽층(39b1)에 약 30 내지 40%의 Al이 함유될 수 있다. 이들 장벽층들(39b1, 39b, 39bn)에 함유되는 In 함량은 약 1% 이하일 수 있다. 특히, 상기 우물층들(39w)이 InGaN으로 형성되어 340~360nm의 자외선을 방출할 경우, 상기 제1 장벽층(39b1) 이외의 다른 장벽층들(39b, 39bn)은 15 내지 25%의 Al과 1% 이하의 In을 함유하는 AlInGaN으로 형성될 수 있으며, 상기 제1 장벽층(39b1)은 30 내지 40%의 Al과 1% 이하의 In을 함유하는 AlInGaN으로 형성될 수 있다.
일반적으로 발광 소자에서 장벽층들은 서로 동일한 조성을 갖도록 형성된다. 그러나 본 실시예에 있어서, 제1 장벽층(39b1)은 다른 장벽층들(39b)에 비해 10 내지 20% 높은 Al 함량을 갖는다. 본 발명에 있어서, 전자 주입층(37)이나 n형 콘택층(27) 등은 GaN으로 형성된다. 자외선을 방출하는 우물층(39w)과 GaN은 밴드갭 차이가 상대적으로 크지 않다. 따라서, 상기 제1 장벽층(39b1)이 다른 장벽층들(39b)에 비해 상대적으로 높은 밴드갭을 갖도록 형성됨으로써 상기 제1 장벽층(39b1)이 활성 영역(39) 내에 캐리어를 가두는 기능을 수행할 수 있다. 특히, AlInGaN 장벽층을 사용하는 경우, 홀의 이동 속도가 크게 줄어들어 전자의 오버플로우 확률이 증가될 수 있다. 이 경우, 전자 블록층(41)의 두께를 증가시켜 전자의 오버플로우를 방지하는 것을 고려할 수 있으나, 활성 영역으로의 홀의 주입을 원활하게 하기 위해 전자 블록층(41)의 두께 증가는 제한적이다. 따라서, 상기 제1 장벽층(39b1)을 다른 장벽층들보다 (약 0.5eV 이상) 더 넓은 밴드갭을 갖도록 형성함으로써 전자의 이동 속도를 감소시켜 전자의 오버플로우를 효과적으로 방지할 수 있다. 다만, 제1 장벽층(39b1)에 함유되는 Al 함량이 약 20% 이상으로 과도하게 증가할 경우, 제1 장벽층(39b1)과 전자 주입층(37) 사이 및 제1 장벽층(39b1)과 우물층(39w) 사이의 격자 불일치가 커져 활성영역(39)의 결정품질을 떨어뜨릴 수 있다.
한편, 제1 장벽층의 두께는 전자 블록층(41) 혹은 p형 콘택층(43)에 가장 가까운 마지막 장벽층을 제외한 나머지 장벽층들(예컨대, 약 45Å)과 거의 동등한 두께 또는 더 두꺼운 두께를 갖는 것이 바람직하다. 상기 제1 장벽층은 예컨대 40 내지 60Å의 두께를 가질 수 있으며, 특히 약 45Å의 두께를 가질 수 있다.
상기 활성영역(39)은 전자 주입층(37)에 접할 수 있다. 상기 활성 영역(39)의 장벽층 및 양자우물층은 활성 영역의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 활성 영역(39) 상에 p형 콘택층(43)이 위치하고, 상기 활성 영역(39)과 p형 콘택층(43) 사이에 전자 블록층(41)이 위치할 수 있다. 상기 전자 블록층(41)은 AlGaN 또는 AlInGaN으로 형성될 수 있으며, 특히 활성영역(39)과의 격자 불일치를 완화하기 위해 AlInGaN으로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 전자 블록층(41)은 예컨대 약 36%의 Al과 3%의 In을 함유할 수 있다. 상기 전자 블록층(41)은 p형 불순물, 예컨대 Mg으로 5×1019~5×1020/㎤의 도핑 농도로 도핑될 수 있다.
상기 p형 콘택층(43)은 AlGaN층을 포함할 수 있으며, 예컨대 하부 AlGaN 고농도 도핑층(43a), AlGaN 저농도 도핑층(43b) 및 상부 AlGaN 고농도 도핑층(43c)을 포함할 수 있다. 상기 하부 및 상부 고농도 도핑층(43a, 43c)은 p형 불순물, 예컨대 Mg으로 5×1019~2×1020/㎤ 의 도핑 농도로 도핑될 수 있다. 상기 저농도 도핑층(43b)은 상기 하부 및 상부 고농도 도핑층(43a, 43c)에 비해 상대적으로 낮은 도핑 농도를 가지며, 상기 하부 고농도 도핑층(43a)과 상부 고농도 도핑층(43c) 사이에 위치한다. 상기 저농도 도핑층(43b)은 성장하는 동안 Mg의 소스 가스(예컨대 Cp2Mg)의 공급을 차단하고 성장될 수 있다. 나아가, 상기 저농도 도핑층(43b)을 성장하는 동안 H2 가스를 제외하고 N2 가스를 캐리어 가스로서 이용하여 불순물 함유량을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 저농도 도핑층(43b)은 상기 하부 및 상부 고농도 도핑층들(43a, 43c)에 비해 상대적으로 두껍게 형성된다. 예컨대, 상기 저농도 도핑층(43b)은 약 60nm의 두께로 형성되고, 상기 하부 및 상부 고농도 도핑층들(43a, 43c)은 각각 10nm의 두께로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 p형 콘택층(43)의 결정품질을 향상시키고 또한 불순물 농도를 감소시킴으로써 p형 콘택층(43)에 의한 자외선의 손실을 방지 또는 완화할 수 있다.
한편, 상기 p형 콘택층(43) 상에 오믹 콘택 저항을 낮추기 위한 델타 도핑층(45)이 위치할 수 있다. 상기 델타 도핑층(45)은 n형 또는 p형으로 고농도로 도핑되어 그 위에 형성되는 전극과 p형 콘택층(43) 사이의 오믹 저항을 낮춘다. 델타 도핑층(45)은 약 2 내지 5Å의 두께로 형성될 수 있다.
한편, 기판(21) 상에 성장된 에피층들을 패터닝하여 수평형 구조의 발광 소자 또는 플립칩 구조의 발광소자가 제조될 수 있으며, 또는 상기 기판(21)을 제거하여 수직 구조의 발광 소자가 제조될 수도 있다.
(실험예 1)
다른 조건은 모두 동일하게 하고 우물층의 두께만을 변경하여 시료를 제작하였다. 우물층은 모두 InGaN으로 형성하였으며, 각 우물층 내에 함유되는 In의 함유량은 대략 1% 미만으로 소량이었다. 비교예 1의 시료는 우물층들을 각각 약 8분 성장시켰으며, 실시예 1은 우물층들을 각각 4분, 실시예 2는 우물층들을 각각 3분 성장시켰다. 비교예 1의 시료의 우물층은 두께가 대략 3.5nm이었다.
비교예 1, 실시예 1 및 실시예 2의 발광 소자들에서 방출되는 광의 피크 파장은 50mA에서 각각 362.2 nm, 350.6nm, 및 346.5nm 이었다. 즉, InGaN 우물층의 두께를 감소시킴으로써 360nm 미만의 피크 파장을 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.
(실험예 2)
다른 조건은 모두 동일하게 하고 장벽층 내에 함유되는 Al의 함유량을 달리하여 시료를 제작하였다. 즉, 기준 시료(실시예 2-1)의 장벽층 성장시의 Al 소스 가스의 유량에 대해 30%(실시예 2-2), 60%(실시예 2-3) 및 90%(실시예 2-4) 증가시켜 시료들을 제작하였다. 상기 기준 시료(실시예 2-1)의 경우, 대부분의 장벽층에 함유되는 Al 함유량은 약 20%이었다.
상기 실시예 2-1, 2-2, 2-3 및 2-4의 각 시료들에서 방출되는 광의 피크 파장은 50mA에서 345.5, 342.9, 342.4, 341.3nm 이었다.
즉, 우물층의 두께를 일정하게 하더라도 장벽층에 함유되는 Al이 함유량을 증가시킴으로써 발광 소자의 피크 파장을 단파장화할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 기준 시료(실시예 2-1)의 양자우물 구조를 보여주는 단면 TEM 사진으로, 우물층은 대략 1.6nm의 두께이고, 장벽층은 대략 4.7nm의 두께인 것을 확인할 수 있다.
한편, 도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 기준 시료(실시예 2-1)의 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 4를 참조하면, 360nm 미만의 상대적으로 단파장의 피크 파장을 갖는 자외선과 함께 360nm 이상의 상대적으로 장파장의 피크 파장을 갖는 자외선이 관찰된다.
상기 단파장의 자외선은 우물층에서 방출된 광인 것으로 판단되며, 장파장의 자외선은 우물층에서 방출된 광에 의해 우물층보다 좁은 밴드갭을 갖는 GaN층 또는 InGaN층에서 광 여기에 의해 방출된 것으로 판단된다.
즉, 본 발명의 실시예들은 GaN 또는 InGaN의 우물층을 채택하지만, 우물층의 밴드갭은 GaN의 벌크 밴드갭보다 상대적으로 넓은 밴드갭을 갖는다. 따라서, 우물층에서 방출된 광의 에너지는 n형 콘택층(27)이나 다른 GaN 에피층의 밴드갭 에너지보다 높다. 따라서, 우물층에서 방출된 광이 이들 GaN 에피층으로 진행하여 광 여기를 발생시킬 수 있으며, 그 결과 GaN 에피층에서 GaN의 밴드갭에 대응하는 광이 방출될 수 있다.

Claims (15)

  1. GaN층을 포함하는 n형 콘택층;
    AlGaN층 또는 AlInGaN층을 포함하는 p형 콘택층; 및
    상기 n형 콘택층과 상기 p형 콘택층 사이에 위치하는 다중양자우물 구조의 활성영역을 포함하고,
    상기 다중양자우물 구조의 활성영역은 2nm 미만의 두께를 갖는 GaN 또는 InGaN 우물층을 포함하며, 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출하는 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 GaN 또는 InGaN 우물층은 1nm 이상 2nm 미만의 두께를 갖는 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 다중양자우물 구조의 활성영역의 우물층은 Al을 함유하지 않는 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 다중양자우물 구조의 활성영역은 장벽층들을 더 포함하되,
    상기 장벽층들은 AlInGaN으로 형성된 발광 소자.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 다중양자우물 구조의 활성영역의 우물층들과 장벽층들은 서로 다른 성장 온도에서 성장된 발광 소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 우물층들과 장벽층들은, In, Ga 및 N 소스 가스를 챔버 내로 연속적으로 유입하고, Al 소스 가스를 단속적으로 챔버 내로 유입하여 성장된 발광 소자.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 다중양자우물 구조의 활성영역의 우물층들과 장벽층들은 서로 동일한 성장 온도에서 성장된 발광 소자.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 GaN 또는 InGaN 우물층에 의해 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선이 방출되는 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선과 함께 360nm 내지 400nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 더 방출하는 발광 소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 p형 콘택층은 하부 AlGaN 고농도 도핑층, 상부 AlGaN 고농도 도핑층 및 상기 하부 AlGaN 고농도 도핑층과 상부 AlGaN 고농도 도핑층 사이에 위치하는 AlGaN 저농도 도핑층을 포함하는 발광 소자.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 AlGaN 저농도 도핑층이 상기 하부 및 상부 AlGaN 고농도 도핑층의 두께보다 더 두꺼운 발광 소자.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 n형 콘택층과 상기 활성영역 사이에 위치하는 초격자층; 및
    상기 초격자층과 상기 활성영역 사이에 위치하는 전자주입층을 더 포함하되,
    상기 전자 주입층은 상기 초격자층에 비해 더 높은 n형 불순물 도핑 농도를 갖는 발광 소자.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 초격자층은 InGaN/InGaN을 반복 적층한 구조를 갖고,
    상기 전자 주입층은 GaN 또는 InGaN으로 형성된 발광 소자.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 n형 콘택층과 상기 초격자층 사이에 위치하는 언도프트 GaN층을 더 포함하는 발광 소자.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 n형 콘택층과 상기 활성 영역 사이의 에피층들은 AlGaN층을 포함하지 않는 질화물계 반도체층들로 이루어진 발광 소자.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI568016B (zh) * 2014-12-23 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件
KR20180020693A (ko) * 2016-08-19 2018-02-28 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 및 조명시스템
KR20180074993A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
CN109524517A (zh) * 2018-11-13 2019-03-26 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
DE102013107969B4 (de) * 2013-07-25 2020-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
KR102264671B1 (ko) * 2014-09-30 2021-06-15 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광소자
CN205944139U (zh) * 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
CN105762248B (zh) * 2016-05-16 2018-05-08 安徽三安光电有限公司 一种发光二极管及其制备方法
CN106910801B (zh) * 2017-02-17 2019-08-23 华灿光电（浙江）有限公司 GaN基发光二极管外延片及其制造方法
US11152543B2 (en) 2017-11-22 2021-10-19 Soko Kagaku Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting element
CN109360879A (zh) * 2018-11-27 2019-02-19 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
KR102540198B1 (ko) * 2020-05-22 2023-06-02 충칭 콘카 포토일렉트릭 테크놀로지 리서치 인스티튜트 컴퍼니 리미티드 초격자층, led 에피택셜 구조, 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN113451458B (zh) * 2020-05-22 2022-04-01 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种超晶格层、led外延结构、显示装置及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101002271B1 (ko) * 2002-07-16 2010-12-20 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 질화갈륨계 화합물 반도체장치
KR20120035950A (ko) * 2002-05-30 2012-04-16 크리 인코포레이티드 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ｉｉｉ족 질화물 ｌｅｄ
KR101184862B1 (ko) * 2004-08-03 2012-09-20 리가가쿠 겐큐쇼 질화물 반도체 발광 소자 및 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
KR20120129449A (ko) 2011-05-20 2012-11-28 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광 소자

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI271877B (en) * 2002-06-04 2007-01-21 Nitride Semiconductors Co Ltd Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method
KR100513923B1 (ko) * 2004-08-13 2005-09-08 재단법인서울대학교산학협력재단 질화물 반도체층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자
US20060267043A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Emerson David T Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices
US20070051962A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 Mu-Jen Lai Gallium nitride semiconductor light emitting device
TW200950162A (en) 2008-04-04 2009-12-01 Univ California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
CN101685844A (zh) * 2008-09-27 2010-03-31 中国科学院物理研究所 GaN基单芯片白光发光二极管外延材料
JP5196160B2 (ja) * 2008-10-17 2013-05-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR20110062128A (ko) * 2009-12-02 2011-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101648948B1 (ko) * 2010-06-04 2016-08-17 서울바이오시스 주식회사 신뢰성 있는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
EP2523228B1 (en) * 2010-01-05 2017-04-26 Seoul Viosys Co., Ltd Light emitting diode
KR20110080318A (ko) * 2010-01-05 2011-07-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
WO2011104969A1 (ja) * 2010-02-24 2011-09-01 独立行政法人理化学研究所 窒化物半導体多重量子障壁を有する発光素子及びその製造方法
CN105161402B (zh) * 2010-04-30 2020-08-18 波士顿大学理事会 具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管
KR101174573B1 (ko) * 2010-08-17 2012-08-16 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 유기물?무기물 반도체 이종접합 발광소자 및 이의 제조 방법
JP5319628B2 (ja) * 2010-08-26 2013-10-16 シャープ株式会社 窒化物半導体素子および半導体光学装置
JP5833325B2 (ja) * 2011-03-23 2015-12-16 スタンレー電気株式会社 深紫外光源
US10319881B2 (en) * 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
KR20130005495A (ko) * 2011-07-06 2013-01-16 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR101880445B1 (ko) * 2011-07-14 2018-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
EP2562814B1 (en) * 2011-08-22 2020-08-19 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
KR20130021300A (ko) * 2011-08-22 2013-03-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
US8723189B1 (en) * 2012-01-06 2014-05-13 Trustees Of Boston University Ultraviolet light emitting diode structures and methods of manufacturing the same
US9312447B2 (en) * 2012-03-29 2016-04-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Near UV light emitting device
JP2012244163A (ja) * 2012-04-16 2012-12-10 Toshiba Corp 半導体発光素子及びウェーハ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120035950A (ko) * 2002-05-30 2012-04-16 크리 인코포레이티드 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ｉｉｉ족 질화물 ｌｅｄ
KR101002271B1 (ko) * 2002-07-16 2010-12-20 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 질화갈륨계 화합물 반도체장치
KR101184862B1 (ko) * 2004-08-03 2012-09-20 리가가쿠 겐큐쇼 질화물 반도체 발광 소자 및 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
KR20120129449A (ko) 2011-05-20 2012-11-28 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광 소자

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI568016B (zh) * 2014-12-23 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件
KR20180020693A (ko) * 2016-08-19 2018-02-28 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 및 조명시스템
KR20180074993A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
CN109524517A (zh) * 2018-11-13 2019-03-26 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法

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