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CN105103309A - 紫外发光器件 - Google Patents

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CN105103309A
CN105103309A CN201480020854.4A CN201480020854A CN105103309A CN 105103309 A CN105103309 A CN 105103309A CN 201480020854 A CN201480020854 A CN 201480020854A CN 105103309 A CN105103309 A CN 105103309A
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Abstract

公开了一种紫外发光器件。该发光器件包括：n型接触层，其包括GaN层；p型接触层，其包括AlGaN或AlInGaN层；以及多量子阱结构的有源区，其位于n型接触层与p型接触层之间。另外，多量子阱结构的有源区包括厚度小于2nm的GaN层或InGaN层，以发射峰值波长为340nm至360nm的紫外线。

Description

紫外发光器件
技术领域
本发明涉及一种无机半导体发光器件，并且更具体地涉及一种发射波长不超过360nm的紫外光的紫外发光器件。
背景技术
一般而言，氮化镓类半导体已经广泛用于紫外、蓝色/绿色发光二极管(lightemittingdiode)或激光二极管(laserdiode)，作为全彩显示器、交通灯、普通照明和光通信器件的光源。具体地，由于氮化铟镓(InGaN)化合物半导体的带隙较窄，因此其已经受到越来越多地重视。
使用氮化镓类化合物半导体的发光器件已经用于各种应用中，例如大规模全彩平板显示器件、背光源、交通信号、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统、光通信等。
GaN的带隙能量为约3.42eV，其对应于波长为约365nm的光能。因此，使用GaN或InGaN作为阱层的发光器件通常已经用于发射波长不小于365nm的紫外光或蓝光。同时，为了提供发射波长不大于365nm的紫外光的发光二极管，需要增加阱层的带隙，并且因此，使用具有添加至GaN或InGaN的铝的阱层(参见韩国专利公开第10-2012-0129449号)。
此外，阻挡层或接触层包括比AlGaN或AlInGaN阱层更高的Al含量，以便具有比阱层更宽的带隙。然而，随着Al含量的增加，AlGaN或AlInGaN层应当在更高温度和更低压力下生长。即，其生长条件变得严格，并且由此难以形成具有良好晶体质量的外延层。此外，随着Al含量的增加，晶体缺陷，例如由应力引起的裂纹或穿透位错易于出现在外延层中，因此，难以形成具有良好晶体质量的外延层。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种能够发射波长在340nm至360nm范围内的紫外光的紫外发光器件。
本发明的另一个目的是提供一种其中阱层的晶体质量得到改善的紫外发光器件。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供了一种发光器件，其包括：包括GaN层的n型接触层；包括AlGaN层或AlInGaN层的p型接触层；以及设置在n型接触层和p型接触层之间的具有多量子阱结构的有源区。此外，具有多量子阱结构的有源区包括由GaN或InGaN形成的厚度小于2nm的阱层，并且发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。
由GaN或InGaN形成的阱层形成为厚度小于2nm，从而使带隙量子化，进而能够发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。此外，n型接触层包括GaN层，使得可以形成具有良好晶体质量的阱层，并且，使用由不含有Al的GaN或InGaN形成的阱层，使得可以形成具有更好的晶体质量的阱层。
同时，由GaN或InGaN形成的阱层的厚度可以不小于1nm但小于2nm。只要由GaN或InGaN形成的阱层执行作为阱层的功能，那么就没有对由GaN或InGaN形成的阱层的厚度的下限特别加以限制，但是为了外延层生长过程的稳定性，所述厚度可以优选地不小于1nm。
同时，具有多量子阱结构的有源区还包括阻挡层。在此，阻挡层可以包含Al并且可以由AlInGaN形成。阻挡层包括In，使得阱层与阻挡层之间的晶格失配可以得到减轻。
根据一些示例性实施方案，具有多量子阱结构的有源区的阱层和阻挡层可以在不同的生长温度下生长。此外，阱层和阻挡层可以通过将In、Ga和N的源气体连续地引入至腔室中且将Al的源气体间歇地引入至腔室中而生长。
根据其它示例性实施方案，具有多量子阱结构的有源区的阱层和阻挡层可以在彼此相同的生长温度下生长。
同时，发光器件可进一步一起发射峰值波长在360nm至400nm范围内的紫外光以及峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。
根据一些示例性实施方案，p型接触层可以包括下AlGaN高浓度掺杂层、上AlGaN高浓度掺杂层、以及设置在下AlGaN高浓度掺杂层与上AlGaN高浓度掺杂层之间的AlGaN低浓度掺杂层。此外，AlGaN低浓度掺杂层的厚度可以比下AlGaN高浓度掺杂层和上AlGaN高浓度掺杂层的厚度更大。通过采用低浓度掺杂层，增加了空穴的迁移率，从而能够提高空穴注入效率。
发光器件可以进一步包括：设置在n型接触层和有源区之间的超晶格层；以及设置在超晶格层和有源区之间的电子注入层。此外，电子注入层可具有高于超晶格层的n型掺杂浓度的n型杂质掺杂浓度。
另外，超晶格层可以具有其中InGaN/InGaN重复层叠的结构，并且电子注入层可由GaN或InGaN形成。
同时，发光器件可以进一步包括设置在n型接触层与超晶格层之间的未掺杂GaN层。
根据特定的示例性实施方案，在n型接触层与有源区之间的外延层可以由不包含AlGaN层的氮化物类半导体层形成。
有益效果
根据相关技术，发射波长小于360nm的紫外光的发光器件使用含有Al的阱层并且还具有由AlGaN形成的n型接触层。由于除了衬底之外，占据发光器件的大部分厚度的接触层是由AlGaN形成，因此，外延层，特别是阱层的晶体质量较差，并且由此难以提高光功率或发光效率。相反地，根据本发明，阱层由GaN或者InGaN形成且n型接触层由GaN形成，从而能够形成具有良好晶体质量的阱层。此外，阱层形成为具有小于2nm的薄的厚度，使得可以提供通过由GaN或者InGaN形成的阱层发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光的发光器件。
附图说明
图1是示出了根据本发明的示例性实施方案的发光器件的横截面图；
图2是示出了根据本发明的示例性实施方案的发光器件的多量子阱结构的横截面图；
图3是根据本发明的示例性实施方案制造的多量子阱结构的TEM照片；以及
图4是示出了根据本发明的示例性实施方案制造的发光器件的光谱的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的示例性实施方案。下面将要描述的本发明的示例性实施方案是作为示例提供，使得可以将本发明的思想充分地传递给本领域的技术人员。因此，本发明并不限于下面将要描述的示例性实施方案，还可以以许多不同的形式进行修改。另外，为方便起见，在附图中可以夸大组件的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相似的附图标记表示相似的元件。同时，在本说明书中，由百分数表示的金属元素(Al或In)的含量表示各金属组分的组成占氮化镓类层的金属组分的组成的总和的百分数。即，由AlxInyGazN表示的氮化镓类层的Al的含量通过100×x/(x+y+z)来计算且由％表示。
图1是示出了根据本发明的示例性实施方案的发光器件的横截面图，以及图2是示出了发光器件的多量子阱结构的放大横截面图。
参照图1，发光器件包括n型接触层(27)、有源区(39)和p型接触层(43)。此外，发光器件可以包括衬底(21)、核层(23)、缓冲层(25)、未掺杂GaN层(29)、低浓度GaN层(31)、高浓度GaN层(33)、超晶格层(35)、电子注入层(37)、电子阻隔层(41)或δ掺杂层(45)。
衬底(21)为用于生长氮化镓类半导体层的衬底，衬底不特别限于蓝宝石衬底、SiC衬底、尖晶石衬底、GaN衬底等，但也可以是例如图案化的蓝宝石衬底(PSS)。
核层(23)可以由(Al，Ga)N在400℃至600℃的低温下形成，以在衬底(21)上生长缓冲层(25)，并且核层优选地可以由GaN或AlN形成。核层可以形成为具有约25nm的厚度。缓冲层(25)为用于减少在衬底(21)和n型接触层(27)之间的诸如位错的缺陷发生的层，缓冲层在相对较高的温度下生长。缓冲层(25)可以由例如未掺杂GaN形成，以具有约1.5μm的厚度。
n型接触层(27)由掺杂有诸如Si的n型杂质的氮化镓类半导体层形成，并且可以形成为具有例如约3μm的厚度。n型接触层(27)可以包括GaN层，并且可以由单层或多层形成。例如，n型接触层(27)可以包括下GaN层(27a)、中间层(27b)和上GaN层(27c)，如图所示。在此，中间层(27b)可以由AlInN形成，或者可以由其中AlInN和GaN依次层叠例如约10个周期的多层结构(包括超晶格结构)形成。下GaN层(27a)和上GaN层(27c)可以形成为具有彼此相似的厚度，并且可以形成为具有分别为例如约1.5μm的厚度。中间层(27b)可以形成为具有相对下和上GaN层(27a，27c)较小的厚度，并且可以形成为具有约80nm的厚度。与单个GaN层连续地生长至约3μm至相对较厚的厚度的情况相比，通过将中间层(27b)插入至n型接触层(27)的中间部分中，形成在n型接触层(27)上的外延层，特别是有源区(39)的晶体质量可以得到改善。同时，掺杂至n型接触层(27)的Si掺杂浓度可以在2×1018/cm3至2×1019/cm3的范围内，并且更优选地可以在1×1019/cm3至2×1019/cm3的范围内。特别地，可以在高浓度下将Si杂质掺杂至下GaN层(27a)和上GaN层(27c)，并且可以以与上GaN层(27c)相同的水平或比上GaN层(27c)低的水平将Si杂质掺杂至中间层(27b)，并且，杂质也可以非故意地掺杂。由于在高浓度下将杂质掺杂至下GaN层(27a)和上GaN层(27c)，因此，可以减少n型接触层(27)的电阻成分。与n型接触层(27)接触的电极也可以与上GaN层(27c)接触。
未掺杂GaN层(29)可由其中杂质并非故意掺杂的GaN形成，而且可以形成为具有相对于GaN上层(27c)的厚度的更薄的厚度，例如，80nm至300nm。由于n型杂质掺杂到n型接触层(27)，残余应力出现在n型接触层(27)中并且晶体质量下降。因此，在另一个外延层生长在n型接触层(27)上的情况下，难以生长出具有良好晶体质量的外延层。然而，由于杂质并未掺杂到未掺杂GaN层(29)，因此，未掺杂GaN层(29)充当修复n型接触层(27)的晶体质量下降的修复层。因此，优选地，直接在n型接触层(27)上形成未掺杂GaN层(29)，以与n型接触层(27)接触。另外，由于未掺杂GaN层(29)具有相对于n型接触层(27)的比电阻的较高的比电阻，因而，在穿过未掺杂GaN层(29)之前，从n型接触层(27)引入到有源层(39)中的电子可以均匀地分散在n型接触层(27)内。
低浓度GaN层(31)设置在未掺杂GaN层(29)上且具有在低于n型接触层(27)的浓度下进行掺杂的n型杂质掺杂浓度。低浓度GaN层(31)可以具有例如在5×1017/cm3至5×1018/cm3的范围内的Si掺杂浓度，并且可以形成为具有相对于未掺杂GaN层(29)的厚度的更薄的厚度，例如，50nm至150nm的厚度。同时，高浓度GaN层(33)设置在低浓度GaN层(31)上且具有高于低浓度GaN层(31)的n型杂质掺杂浓度。高浓度GaN层(33)可以具有大体上与n型接触层(27)类似水平的Si掺杂浓度。高浓度GaN层(33)可以具有相对于低浓度GaN层(31)的厚度的更薄的厚度，并且可形成为具有例如约30nm的厚度。
n型接触层(27)、未掺杂GaN层(29)、低浓度GaN层(31)以及高浓度GaN层(33)可以通过供应金属源气体至腔室内而连续生长。如Al、Ga和In的有机材料，例如TMA、TMG和/或TMI用作金属源气体的原材料。同时，SiH4可用作Si的源气体。这些层可以在第一温度，例如1050℃至1150℃下生长。
超晶格层(35)设置在高浓度GaN层(33)上。可通过分别交替地层叠具有不同组成的氮化镓类层，例如第一InGaN层和第二InGaN层约30个周期至例如的厚度来形成超晶格层(35)。超晶格层(35)可以由未故意掺杂杂质的未掺杂层形成。由于超晶格层(35)由未掺杂层形成，因此，可减少发光器件的泄漏电流。
电子注入层(37)具有相对于超晶格层(35)的n型杂质掺杂浓度的较高的n型杂质掺杂浓度。此外，电子注入层(37)可以具有大体上与n型接触层(27)相同水平的n型杂质掺杂浓度。例如，n型杂质掺杂浓度可以在1×1019/cm3至5×1019/cm3的范围内并且可以更优选地在1×1019/cm3至3×1019/cm3的范围内。由于电子注入层(37)是在高浓度下进行掺杂，因此，电子顺利地注入到有源区(39)中。电子注入层(37)可以形成为具有类似于高浓度掺杂层(33)或相对高浓度掺杂层(33)更薄的厚度，例如，约20nm的厚度。另外，电子注入层(37)可以在约820℃至850℃的温度下和约300托的压力下生长。
有源区(39)设置在电子注入层(37)上。图2是示出了有源区(39)的放大横截面图。
参照图2，有源区(39)具有包括彼此交替层叠的阻挡层(39b)和阱层(39w)的多量子阱结构。阱层(39w)发射波长在340nm至360nm范围内的紫外光。阱层(39w)可由InGaN或GaN形成。在此，包含在阱层(39w)中的In的含量可以是非常少的，并且可以是例如少于约2％。阱层(39w)可以形成为具有不小于约1nm，但小于2nm的厚度。由于阱层(39w)具有小于2nm的厚度，因此增加了经过量子化的带隙的宽度，并且可因此通过GaN或InGaN发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。阱层(39w)可以在相对高于常规蓝色发光二极管的阱层的例如800℃至820℃的温度的生长温度和约300托下生长，并且由此可以改善阱层的晶体质量。
阻挡层(39b)可以由带隙宽于阱层的带隙的氮化镓类半导体层形成，例如，GaN、InGaN、AlGaN或AlInGaN。特别地，阻挡层(39b)可以由AlInGaN形成，其中阻挡层(39b)包括In，从而能够减轻阱层(39w)和阻挡层(39b)之间的晶格失配。进一步地，通过增加阻挡层(39b)中Al的含量，可以增加阱层和阻挡层之间的能量带隙差，并且因此发射光的波长可以变得更短。
另外，阻挡层(39b)可以在略高于阱层的生长温度(例如，约800℃至820℃)的生长温度(例如，在约820℃至850℃下)和约300托下生长。例如，在阱层(39w)生长后，阻挡层(39b)可通过提高温度而生长。在此，阻挡层可通过如下进行生长：在阱层(39w)生长之后，停止引入至腔室中的In和Ga的源气体的引入，以及在增加生长温度之后，再次引入In、Ga和Al的源气体。与此不同的是，阱层(39w)和阻挡层(39b)可通过连续引入In、Ga和N的源气体到腔室中且间歇地引入Al的源气体到腔室中而生长。在此，Al的源气体的引入可在生长温度增加到阻挡层的生长温度后开始，也可以在增加温度的过程中开始。连续地引入源气体，从而能够防止阱层的晶体质量在增加温度的过程中下降。
根据一些示例性实施方案，阻挡层(39b)可以在与阱层(39w)相同的生长温度下生长。在这种情况下，阻挡层(39b)和阱层(39w)可在例如800℃至850℃的范围内的相同温度下生长。由于阱层(39w)和阻挡层(39b)在相同的温度下生长，因此，可以避免由于温度增加而可能出现的In和Al的蒸发，从而能够改善阱层和阻挡层之间的界面特性。
同时，在阻挡层(39b1、39b、39bn)中，最靠近电子注入层(37)或n型接触层(27)的第一阻挡层(39b1)可以具有高于其他阻挡层的Al的含量。例如，第一阻挡层(39b1)的Al的含量可以比其他阻挡层(39b)的Al的含量高出10％至20％。例如，在其他阻挡层(39b、39bn)的Al的含量为约20％的情况下，第一阻挡层(39b1)的Al的含量可以为约30％至40％。阻挡层(39b1、39b、39bn)中的In的含量可以不大于约1％。特别地，在阱层(39w)由InGaN形成来发射波长为340nm至360nm的紫外光的情况下，除第一阻挡层(39b1)之外的其他阻挡层(39b、39bn)可由含有15％至25％的Al和不超过1％的In的AlInGaN形成，并且，第一阻挡层(39b1)可由含有30％至40％的Al和不超过1％的In的AlInGaN形成。
在发光器件中，阻挡层通常形成为具有彼此相同的组成。然而，根据本发明的示例性实施方案，第一阻挡层(39b1)中Al的含量比其它阻挡层(39b)高出10％至20％。根据本发明，电子注入层(37)或n型接触层(27)由GaN形成。阱层(39w)与发射紫外光的GaN之间的带隙差异相对不大。因此，第一阻挡层(39b1)形成为具有与其它阻挡层(39b)的带隙相比相对较高的带隙，使得第一阻挡层(39b1)可以执行将载流子限定在有源区(39)内的功能。具体地，在使用由AlInGaN形成的阻挡层的情况下，由于空穴的移动速度显著降低，因此可能会增加电子的溢出概率。在这种情况下，可以考虑通过增加电子阻隔层(41)的厚度来防止电子溢出的解决方案，但是，电子阻隔层(41)的厚度限制性地增加，以便顺畅地将空穴注入到有源区中。因此，通过使第一阻挡层(39b1)形成为具有比其它阻挡层的带隙更宽的带隙(例如，不小于约0.5eV)，电子的移动速度得以降低，从而能够有效地防止电子的溢出。然而，在第一阻挡层(39b1)中包含的Al的含量过度地增加来不小于约20％的情况下，第一阻挡层(39b1)与电子注入层(37)之间以及第一阻挡层(39b1)与阱层(39w)之间的晶格失配增加，从而可能降低有源区(39)的晶体质量。
同时，第一阻挡层优选地具有与除了最后的阻挡层之外的剩余阻挡层的厚度相比基本上相同的厚度(例如，约)或更厚的厚度，所述最后的阻挡层最靠近电子阻隔层(41)或p型接触层(43)。第一阻挡层可以具有例如至的厚度，并且可以特别地具有约的厚度。
有源区(39)可以与电子注入层(37)接触。有源区(39)的阻挡层和量子阱层可以由没有掺杂杂质的未掺杂层形成，以提高有源区的晶体质量，但也可以在一部分或全部有源区中掺杂杂质，以降低正向电压。
再次参照图1，p型接触层(43)可以设置在有源区(39)上，并且电子阻隔层(41)可以设置在有源区(39)与p型接触层(43)之间。电子阻隔层(41)可以由AlGaN或AlInGaN形成，并且特别地可以优选地由AlInGaN形成，以降低与有源区(39)的晶格失配。在此，电子阻隔层(41)例如可以包含约36％的Al和3％的In。电子阻隔层(41)可以在5×1019/cm3至5×1020/cm3的掺杂浓度下掺杂例如Mg的p型杂质。
p型接触层(43)可以包括AlGaN层，并且可以包括例如下AlGaN高浓度掺杂层(43a)、AlGaN低浓度掺杂层(43b)以及上AlGaN高浓度掺杂层(43c)。下和上高浓度掺杂层(43a，43c)可以在5×1019/cm3至2×1020/cm3的掺杂浓度下掺杂有p型杂质，例如Mg。低浓度掺杂层(43b)具有相对下和上高浓度掺杂层(43a，43c)较低的掺杂浓度，并且设置在下高浓度掺杂层(43a)与上高浓度掺杂层(43c)之间。低浓度掺杂层(43b)可以通过在生长的同时阻断Mg的源气体(例如Cp2Mg)的供应来生长。此外，可以在生长低浓度掺杂层(43b)的过程中通过使用除了H2气体之外的N2气体作为载气体来减少杂质的含量。另外，低浓度掺杂层(43b)形成为比下和上高浓度掺杂层(43a，43c)相对更厚。例如，低浓度掺杂层(43b)可以形成为具有约60nm的厚度，并且下和上高浓度掺杂层(43a，43c)可以形成为分别具有10nm的厚度。因此，可以改善p型接触层(43)的晶体质量，并且也可以通过降低杂质浓度来防止或减轻通过p型接触层(43)的紫外光的损失。
与此同时，可以在p型接触层(43)上设置用于减小欧姆接触电阻的δ掺杂层(45)。δ掺杂层(45)以高浓度掺杂为n型或p型，以减小形成在δ掺杂层(45)上的电极与p型接触层(43)之间的欧姆电阻。δ掺杂层(45)可以形成为具有约至的厚度。
与此同时，可以通过对生长在衬底(21)上的外延层进行图案化来制造具有水平结构的发光器件或具有倒装芯片结构的发光器件，或者还可以通过去除衬底(21)来制造具有垂直结构的发光器件。
(试验例1)
已经在其他条件处于相同条件下的状态下通过仅改变阱层的厚度来制造样品。所有的阱层由InGaN形成，并且每个阱层中所含的In的含量为小于约1％的少量。比较例1的样品通过分别生长阱层约8分钟来制造，实施例1的样品通过分别生长阱层4分钟来制造，以及实施例2的样品通过分别生长阱层3分钟来制造。比较例1的样品的阱层具有约3.5nm的厚度。
在50mA下，从比较例1、实施例1和实施例2的发光器件发射出的光的峰值波长分别为362.2nm、350.6nm和346.5nm。也就是说，可以通过减小由InGaN形成的阱层的厚度来提供峰值波长小于360nm的发光器件。
(试验例2)
已经在其他条件处于相同条件下的状态下通过改变阻挡层中所含的Al的含量来制造样品。也就是说，已经通过与在生长参考样品(实施例2-1)的阻挡层时的Al的源气体的流量相比，将Al的源气体的流量增加了30％(实施例2-2)、60％(实施例2-3)和90％(实施例2-4)来制造样品。对于参考样品(实施例2-1)，多数阻挡层中所含的Al的含量为约20％。
在50mA下，从实施例2-1、实施例2-2、实施例2-3和实施例2-4的各自的样品发射出的光的峰值波长分别为345.5nm、342.9nm、342.4nm和341.3nm。
即使阱层的厚度是均匀的，也可以通过增加阻挡层中所含的Al的含量来减小发光器件的峰值波长。
图3是示出了根据本发明的示例性实施方案制造的参考样品(实施例2-1)的量子阱结构的横截面TEM照片，并且可以看到阱层具有约1.6nm的厚度以及阻挡层具有约4.7nm的厚度。
同时，图4是示出了根据本发明的示例性实施方案制造的参考样品(实施例2-1)的发光谱的图。
参照图4，观察到了具有不小于360nm的相对较长波长的峰值波长的紫外光以及具有小于360nm的相对较短波长的峰值波长的紫外光。
具有短波长的紫外光确定为从阱层发射的光，并且通过从阱层发射的光确定具有长波长的紫外光为通过从GaN层或InGaN层激励的光发射，所述GaN层或InGaN层的带隙比阱层的带隙窄。
换言之，根据本发明的示例性实施方案，采用由GaN或InGaN形成的阱层，但所述阱层的带隙相对宽于GaN的主体带隙。因此，从阱层发射的光的能量高于n型接触层(27)或其它GaN外延层的带隙能量。因此，从阱层发射的光行进到GaN外延层，使得可以发生光激励，并且因此，对应于GaN的带隙的光可以从GaN外延层发射。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
n型接触层，包括GaN层；
p型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层；以及
具有多量子阱结构的有源区，其布置在所述n型接触层和所述p型接触层之间，
其中具有所述多量子阱结构的所述有源区包括由GaN或InGaN形成的阱层，所述阱层具有小于2nm的厚度并且发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中由GaN或InGaN形成的所述阱层具有不小于1nm但小于2nm的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区的所述阱层不包含Al。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区还包括阻挡层，并且所述阻挡层由AlInGaN形成。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区的所述阱层和所述阻挡层在不同的生长温度下生长。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述阱层和所述阻挡层通过将In、Ga和N的源气体连续引入至腔室中且将Al的源气体间歇地引入至所述腔室中而生长。
7.根据权利要求4所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区的所述阱层和所述阻挡层在彼此相同的生长温度下生长。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光通过由GaN或InGaN形成的所述阱层发射。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中进一步一起发射峰值波长在360nm至400nm范围内的紫外光以及峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述p型接触层包括下AlGaN高浓度掺杂层、上AlGaN高浓度掺杂层及布置在所述下AlGaN高浓度掺杂层与所述上AlGaN高浓度掺杂层之间的AlGaN低浓度掺杂层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中相较于所述下AlGaN高浓度掺杂层和所述上AlGaN高浓度掺杂层的厚度，所述AlGaN低浓度掺杂层的厚度更厚。
12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
超晶格层，布置在所述n型接触层与所述有源区之间；以及
电子注入层，布置在所述超晶格层与所述有源区之间，
其中所述电子注入层的n型杂质掺杂浓度高于所述超晶格层的n型杂质掺杂浓度。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述超晶格层具有InGaN/InGaN重复层叠的结构，并且
所述电子注入层是由GaN或InGaN形成。
14.根据权利要求13所述的发光器件，还包括布置在所述n型接触层与所述超晶格层之间的未掺杂GaN层。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述n型接触层与所述有源区之间的外延层是由不包含所述AlGaN层的氮化物类半导体层形成。
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