KR20080075906A - 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080075906A KR20080075906A KR1020087016430A KR20087016430A KR20080075906A KR 20080075906 A KR20080075906 A KR 20080075906A KR 1020087016430 A KR1020087016430 A KR 1020087016430A KR 20087016430 A KR20087016430 A KR 20087016430A KR 20080075906 A KR20080075906 A KR 20080075906A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- circumferential wall
- space
- suction port
- holding device
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 335
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 251
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 30
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010627 cedar oil Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- NJTGANWAUPEOAX-UHFFFAOYSA-N molport-023-220-454 Chemical compound OCC(O)CO.OCC(O)CO NJTGANWAUPEOAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/11—Vacuum
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (32)
- 노광 광이 조사되는 기판을 보지하는 기판 보지 장치로서,기부와,상기 기부 상에 형성되고, 상기 기판의 이면을 지지하는 지지부와,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 대향하는 제 1 상면을 갖고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판과 상기 기부 사이의 제 1 공간을 둘러싸는 제 1 주벽과,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 갭을 거쳐 대향하는 제 2 상면을 갖고, 상기 제 1 주벽을 둘러싸는 제 2 주벽과,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 대향하는 제 3 상면을 갖고, 상기 지지부 및 상기 제 2 주벽을 둘러싸는 제 3 주벽과,상기 제 1 주벽과 상기 제 2 주벽 사이의 제 2 공간에 기체를 공급할 수 있는 유통구와,상기 제 2 주벽과 상기 제 3 주벽 사이의 제 3 공간의 유체를 흡입하는 제 1 흡입구를 포함하는기판 보지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 흡입구의 흡입 동작에 의해, 상기 제 2 공간으로부터 상기 갭을 거쳐 상기 제 3 공간으로 향하는 기체의 흐름을 생성하는기판 보지 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 기체의 흐름에 의해, 상기 제 1 공간 및 상기 제 2 공간에 액체가 침입하는 것을 억제하는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 공간은 상기 유통구를 거쳐 대기(大氣) 개방되어 있는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유통구는 상기 제 1 주벽과 상기 제 2 주벽 사이의 상기 기부 상에서 상기 제 1 주벽의 둘레 방향을 따라 소정 간격으로 복수 형성되어 있는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 주벽과 상기 제 2 주벽 사이의 상기 기부 상에 형성되고, 상기 제 1 주벽을 둘러싸도록 형성된 제 1 홈을 더 구비하고,상기 유통구는 상기 제 1 홈 내에 형성되어 있는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 흡입구는 상기 제 2 주벽과 상기 제 3 주벽 사이의 상기 기부 상에 형성되고, 상기 제 2 주벽을 따라 소정 간격으로 복수 형성되어 있는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 주벽과 상기 제 3 주벽 사이의 상기 기부 상에 형성되고, 상기 제 2 주벽을 둘러싸도록 형성된 제 2 홈을 더 구비하고,상기 제 1 흡입구는 상기 제 2 홈 내에 형성되어 있는기판 보지 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 지지부는, 상기 기부 상에서, 상기 제 2 주벽과 상기 제 2 홈과의 사이, 및 상기 제 2 홈과 상기 제 3 주벽과의 사이에 배치된 복수의 핀 형상 돌기부를 포함하는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 3 주벽은 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 상기 제 3 상면이 접촉하도록 형성되는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 주벽의 내측 및 상기 제 2 주벽과 상기 제 3 주벽 사이의 상기 기부 상에 마련되고, 상기 제 1 공간 및 상기 제 3 공간을 부압으로 하기 위해 상기 제 1 공간 및 상기 제 2 공간의 각각으로부터 유체를 흡입하는 제 2 흡입구를 더 구비한기판 보지 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 공간 및 상기 제 3 공간을 부압으로 함으로써, 상기 기판의 이면을 상기 지지 부재로 흡착 보지하는기판 보지 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 제 2 주벽과 제 3 주벽 사이에서, 상기 제 2 흡입구는 상기 제 2 주벽에 대하여 상기 제 1 흡입구보다 이격하여 형성되는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 대향하는 제 4 상면을 갖고, 상기 제 3 주벽을 둘러싸는 제 4 주벽과,상기 제 3 주벽과 상기 제 4 주벽 사이의 유체를 흡입하는 제 3 흡입구를 더 구비한기판 보지 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 3 흡입구는 상기 제 3 주벽과 상기 제 4 주벽 사이의 상기 기부 상에 형성되고, 상기 제 3 주벽의 둘레 방향을 따라 소정 간격으로 복수 형성되어 있는기판 보지 장치.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 제 3 주벽과 상기 제 4 주벽 사이의 상기 기부 상에 형성되고, 상기 제 3 주벽을 둘러싸도록 형성된 제 3 홈을 더 구비하고,상기 제 3 흡입구는 상기 제 3 홈 내에 형성되어 있는기판 보지 장치.
- 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 3 주벽과 상기 제 4 주벽 사이의 제 4 공간과, 상기 제 3 주벽에 대하여 상기 제 4 주벽 외측의 외부 공간과의 사이에서 기체를 유통시킬 수 있는 유로를 더 구비하는기판 보지 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 유로는 상기 제 4 주벽의 일부에 마련된 슬릿을 포함하는기판 보지 장치.
- 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,상기 유로는 상기 제 4 주벽의 상기 제 4 상면에 의해 형성되는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 부재에 지지된 상기 기판의 이면과 상기 제 1 주벽의 제 1 상면과의 사이에는 갭이 형성되는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1, 제 2, 및 제 3 주벽은 각각 상기 기판의 외형과 실질적으로 상사(相似)의 환형인기판 보지 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 제 1 공간의 중심과 상기 기판의 중심이 거의 일치하도록 상기 기판을 보지하는기판 보지 장치.
- 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 보지 장치를 구비하고,상기 기판 보지 장치에 보지된 기판을 액체를 거쳐 노광하는노광 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 기판 보지 장치에 대하여 상기 기판을 반송 가능한 반송 장치를 구비하고,상기 제 1 공간은 상기 기판의 이면 중 상기 반송 장치와 접촉하는 영역을 따라 설정되어 있는노광 장치.
- 제 23 항 또는 제 24 항에 기재된 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 것과,상기 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는디바이스 제조 방법.
- 액침 노광을 행하는 노광 방법에 있어서,기판 보지 장치에 기판을 보지하는 것과,상기 기판 보지 장치에 보지된 상기 기판을 노광하는 것을 포함하고,상기 기판 보지 장치는,기부와,상기 기부 상에 형성되고, 상기 기판의 이면을 지지하는 지지부와,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 대향하는 제 1 상면을 갖고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판과 상기 기부 사이의 제 1 공간을 둘러싸는 제 1 주벽과,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 갭을 거쳐 대향하는 제 2 상면을 갖고, 상기 제 1 주벽을 둘러싸는 제 2 주벽과,상기 기부 상에 형성되고, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 이면과 대향하는 제 3 상면을 갖고, 상기 지지부 및 상기 제 2 주벽을 둘러싸는 제 3 주벽과,상기 제 1 주벽과 상기 제 2 주벽 사이의 제 2 공간에 기체를 공급할 수 있 는 유통구와,상기 제 2 주벽과 상기 제 3 주벽 사이의 제 3 공간의 유체를 흡입하는 제 1 흡입구를 구비하는노광 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 기판 표면의 일부에 액체의 액침 영역을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 기판은 상기 액체를 거쳐 노광되는노광 방법.
- 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,상기 기판의 노광 중에, 상기 제 1 흡입구를 거쳐 상기 제 3 공간 내의 유체를 흡입하는 것을 더 포함하는노광 방법.
- 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 보지 장치는 상기 기부 상에 형성되고, 상기 기판을 흡착 보지하기 위해 상기 제 1 공간 내의 기체를 흡입하는 제 2 흡입구를 더 구비하며,상기 제 2 흡입구를 이용한 흡입 동작을 개시한 후에, 상기 제 1 흡입구를 이용한 흡입 동작이 개시되는노광 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 기판의 노광 종료 후, 상기 제 2 흡입구를 이용한 흡입 동작을 정지하는 것과,상기 제 2 흡입구를 이용한 흡입 동작을 종료한 후에, 상기 제 1 흡입구를 이용한 흡입 동작을 정지하는 것을 포함하는노광 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 기판 보지 장치는 상기 기부 상에 마련되고, 상기 제 3 주벽의 외측에 마련된 제 3 흡입구를 더 구비하고,상기 기판의 노광 종료 후, 상기 제 2 흡입구를 이용한 흡입 동작을 정지하기 전에, 상기 제 3 흡입구를 이용하여, 상기 제 3 주벽 외측의 유체를 흡입하는 것을 더 포함하는노광 방법.
- 제 26 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항의 노광 방법을 이용하여 기판을 노광하는 것과,상기 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는디바이스 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005354463 | 2005-12-08 | ||
JPJP-P-2005-00354463 | 2005-12-08 | ||
PCT/JP2006/324552 WO2007066758A1 (ja) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137021783A Division KR101539517B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080075906A true KR20080075906A (ko) | 2008-08-19 |
KR101340138B1 KR101340138B1 (ko) | 2013-12-10 |
Family
ID=38122903
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137021783A Expired - Fee Related KR101539517B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020087016430A KR101340138B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 |
KR1020157002535A Expired - Fee Related KR101704310B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137021783A Expired - Fee Related KR101539517B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157002535A Expired - Fee Related KR101704310B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8089615B2 (ko) |
EP (3) | EP1962329B1 (ko) |
JP (1) | JP4968076B2 (ko) |
KR (3) | KR101539517B1 (ko) |
HK (2) | HK1123627A1 (ko) |
TW (2) | TWI538014B (ko) |
WO (1) | WO2007066758A1 (ko) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3226073A3 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
TWI573175B (zh) | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI511182B (zh) | 2004-02-06 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
KR20170089028A (ko) | 2005-05-12 | 2017-08-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681125B (zh) | 2007-10-16 | 2013-08-21 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009145048A1 (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US8336188B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-12-25 | Formfactor, Inc. | Thin wafer chuck |
JP2010129929A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Canon Inc | 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
WO2011065386A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 日本精工株式会社 | 露光ユニット及び基板の露光方法 |
WO2011120174A1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Topcon 3D Inspection Laboratories, Inc. | Wafer flattening apparatus and method |
NL2009189A (en) | 2011-08-17 | 2013-02-19 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2015043890A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN107077078B (zh) | 2014-10-23 | 2019-04-09 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的支撑台、加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法 |
JP6400120B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
JP6496255B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-04-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置 |
WO2017137129A1 (en) | 2016-02-08 | 2017-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method for unloading a substrate and method for loading a substrate |
JP6650345B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-02-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置及びその製造方法 |
WO2018137816A1 (en) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | Asml Netherlands B.V. | A lithography apparatus and a method of manufacturing a device |
JP6946134B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-10-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持部材および基板保持方法 |
NL2021663A (en) | 2017-10-12 | 2019-04-17 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder for use in a lithographic apparatus |
EP3707747A4 (en) * | 2017-11-10 | 2021-07-28 | Applied Materials, Inc. | DOUBLE-SIDED PATTERN CHUCK |
JP7303635B2 (ja) * | 2019-01-07 | 2023-07-05 | 株式会社ディスコ | ワークの保持方法及びワークの処理方法 |
CN113075865B (zh) * | 2020-01-06 | 2022-11-08 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 一种用于处理半导体衬底的装置和方法 |
KR102405676B1 (ko) | 2022-02-24 | 2022-06-08 | 주식회사 필라이즈 | 인공지능 기반의 맞춤형 건강기능식품 추천 정보를 제공하는 방법, 장치 및 시스템 |
KR102405675B1 (ko) | 2022-02-24 | 2022-06-08 | 주식회사 필라이즈 | 인공지능 기반의 맞춤형 건강기능식품 상태 및 복용 정보를 제공하는 방법, 장치 및 시스템 |
KR102405677B1 (ko) | 2022-02-24 | 2022-06-08 | 주식회사 필라이즈 | 인공지능을 이용한 이미지 인식 기반 맞춤형 건강기능식품 정보를 제공하는 방법, 장치 및 시스템 |
KR102405673B1 (ko) | 2022-02-24 | 2022-06-08 | 주식회사 필라이즈 | 인공지능 기반의 개인화된 건강기능식품 정보를 제공하는 방법, 장치 및 시스템 |
KR102405674B1 (ko) | 2022-02-24 | 2022-06-08 | 주식회사 필라이즈 | 인공지능을 이용한 코호트 분석 기반 건강기능식품 정보 제공 방법, 장치 및 시스템 |
KR102545551B1 (ko) | 2022-11-16 | 2023-06-21 | 주식회사 바디버디 | 인공지능 기반 맞춤형 건강기능식품 큐레이션 서비스 제공 방법, 장치 및 시스템 |
WO2024260656A1 (en) * | 2023-06-19 | 2024-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6721034B1 (en) | 1994-06-16 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same |
US5850280A (en) | 1994-06-16 | 1998-12-15 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same |
JP3484684B2 (ja) | 1994-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び走査型露光装置 |
JP3312164B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2002-08-05 | 日本電信電話株式会社 | 真空吸着装置 |
IL130137A (en) | 1996-11-28 | 2003-07-06 | Nikon Corp | Exposure apparatus and an exposure method |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands B.V., Veldhoven | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
DE69829614T2 (de) | 1997-03-10 | 2006-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
KR20010045963A (ko) | 1999-11-09 | 2001-06-05 | 박종섭 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
JP4529433B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP2004310933A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Sony Corp | ディスクドライブ装置 |
JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
EP3401946A1 (en) | 2003-06-13 | 2018-11-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP5106858B2 (ja) | 2003-12-15 | 2012-12-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
KR101851511B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005310933A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN102290364B (zh) | 2004-06-09 | 2016-01-13 | 尼康股份有限公司 | 基板保持装置、具备其之曝光装置、元件制造方法 |
KR101330922B1 (ko) | 2004-06-21 | 2013-11-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1801850B1 (en) * | 2004-09-17 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US20080165330A1 (en) * | 2005-01-18 | 2008-07-10 | Nikon Corporation | Liquid Removing Apparatus, Exposure Apparatus and Device Fabricating Method |
US20090135382A1 (en) * | 2005-04-28 | 2009-05-28 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US7420194B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
WO2008029884A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Dispositif et procédé de nettoyage, et procédé de fabrication du dispositif |
-
2006
- 2006-12-08 EP EP06834307.8A patent/EP1962329B1/en not_active Not-in-force
- 2006-12-08 KR KR1020137021783A patent/KR101539517B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-08 KR KR1020087016430A patent/KR101340138B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-08 TW TW102119096A patent/TWI538014B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-08 KR KR1020157002535A patent/KR101704310B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-08 EP EP17195426.6A patent/EP3327759A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-08 JP JP2007549191A patent/JP4968076B2/ja active Active
- 2006-12-08 WO PCT/JP2006/324552 patent/WO2007066758A1/ja active Application Filing
- 2006-12-08 TW TW095146184A patent/TWI406321B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-08 EP EP14166620.6A patent/EP2768016B1/en not_active Not-in-force
-
2008
- 2008-06-05 US US12/155,514 patent/US8089615B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-07 HK HK09100117.9A patent/HK1123627A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-01-02 HK HK15100027.0A patent/HK1199771A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101539517B1 (ko) | 2015-07-24 |
US20080239275A1 (en) | 2008-10-02 |
WO2007066758A1 (ja) | 2007-06-14 |
JPWO2007066758A1 (ja) | 2009-05-21 |
TW201342427A (zh) | 2013-10-16 |
HK1123627A1 (en) | 2009-06-19 |
KR101704310B1 (ko) | 2017-02-07 |
HK1199771A1 (en) | 2015-07-17 |
KR20150023915A (ko) | 2015-03-05 |
TWI538014B (zh) | 2016-06-11 |
KR101340138B1 (ko) | 2013-12-10 |
KR20130105920A (ko) | 2013-09-26 |
US8089615B2 (en) | 2012-01-03 |
TWI406321B (zh) | 2013-08-21 |
EP1962329A4 (en) | 2011-06-08 |
EP3327759A1 (en) | 2018-05-30 |
EP2768016A1 (en) | 2014-08-20 |
JP4968076B2 (ja) | 2012-07-04 |
EP1962329A1 (en) | 2008-08-27 |
EP2768016B1 (en) | 2017-10-25 |
EP1962329B1 (en) | 2014-08-06 |
TW200737298A (en) | 2007-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101340138B1 (ko) | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 | |
JP6048598B2 (ja) | 液浸部材、液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 | |
TWI569105B (zh) | A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method | |
JP5029611B2 (ja) | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
KR101771334B1 (ko) | 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JPWO2007083592A1 (ja) | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
KR20140056284A (ko) | 노광 장치 및 액체 유지 방법 | |
JP6155581B2 (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
JP6418281B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2020030434A (ja) | ステージ装置、露光装置、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20080707 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20111207 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130617 Patent event code: PE09021S01D |
|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20130819 |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20131018 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20131204 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20131204 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161122 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20171120 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181119 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181119 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20200915 |