KR102670599B1 - 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제 및 그것을 포함하는 전해 경질 금 도금액 - Google Patents
전해 경질 금 도금액용 치환 방지제 및 그것을 포함하는 전해 경질 금 도금액 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명에 의해, 메르캅토기를 갖는 이미다졸 화합물, 메르캅토기를 갖는 트리아졸 화합물, 및 술폰산기와 메르캅토기를 갖는 지방족 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제가 제공되고, 또한 이 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제와, 금염과, 가용성 코발트염 및/또는 가용성 니켈염과, 유기산 전도염과, 킬레이트화제를 함유하는 전해 경질 금 도금액이 제공된다.
Description
본 발명은, 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제 및 그것을 포함하는 전해 경질 금 도금액에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 구리 소재 커넥터 상에 전해 도금에 의해 니켈 도금 피막을 형성한 후, 그 니켈 도금 피막 상에 보호막으로서 금 도금을 실시하는 프로세스에 있어서, 금 도금을 선택적으로 실시할 수 있는 전해 경질 금 도금액에 관한 것이다.
최근, 스마트 폰, 타블렛 등 휴대 단말의 진보에 의해, 경량화, 소형화, 고성능화가 진행되고 있다. 이들 전자 기기의 전기적인 접합 부재로서 커넥터가 사용되고 있고, 커넥터의 표면에는 금 도금 피막이 형성되어 있다. 금은 물리적 (유연함), 화학적 (매우 안정), 전기적 (저항이 적음) 특성에서 매우 우수하여, 커넥터뿐만이 아니라 프린트 기판 등 다른 전자 부품에도 널리 이용되고 있다.
커넥터의 도금 처리는, 구리 소재 상에 니켈 도금을 실시하고, 이 니켈 피막 상에 경질 금 도금이 실시된다. 이러한 경질 금 도금은 비교적 넓은 부분에 실시되고 있는 것이 현 상황이다. 그러나, 최근 금 가격이 상승하고 있어, 제조 비용을 삭감하기 위해, 금 도금 공정에 있어서의 금 절약화의 요구가 강해져 있다. 즉, 필요한 부분에만 얇은 금 도금 피막을 형성하는 기술의 확립이 요구되고 있다. 이러한 금 절약화를 달성하기 위해, 도금 장치나 금 도금액에 대해 여러 가지 대책이 강구되고 있다.
도금 장치에 대해서는, 미소한 노즐로부터 금 도금이 필요한 부분에만 금 도금액을 고속으로 분사하는 방법이나, 금 도금이 필요한 부분에만 금 도금액이 접촉하도록 형성한 도금 지그를 사용하는 방법이 채용되고 있다.
또, 금 도금액에 대해서는, 도금 대상물에 부착된 금 도금액이 다음 공정의 수세조로 반출되는 손실을 낮추기 위해, 금 도금액 중의 금 농도를 낮추는 대책이 채용되고 있다. 그러나, 금 도금액 중의 금 농도를 낮추는 경우, 욕 전압의 상승에서 기인하여 도금욕 중의 금 착물의 안정성이 저하된다. 그 결과, 금 파티클이 발생하여 도금조의 내벽에 금이 석출되는 문제가 발생한다.
특허문헌 1 ∼ 3 에는, 금 절약화에 관한 금 도금액이 개시되어 있다. 특허문헌 1 ∼ 2 에는, 도금 대상물에 금 도금액을 분사했을 때, 금 도금이 불필요한 부분에도 소량의 금 도금액이 접촉하여 도금 피막이 형성되는 이른바 누출 도금을 억제하기 위해, 저전류 밀도에 있어서의 금 석출이 억제된 금 도금액이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 3 에는, 유기 첨가제를 배합함으로써, 막두께가 작은 금 도금 피막이라도, 핀홀의 형성을 억제하여 균일한 금 도금 피막을 형성할 수 있는 금 도금액이 개시되어 있다.
상기 발명에 의해, 금 도금액에 전류를 흘려 금 도금을 실시하고 있는 동안에 있어서의 금 절약화의 기술은 대폭 진보하였다. 그러나, 금 도금 공정 전후에 있어서는, 금 도금액에 전류를 흘리지 않은 상태라도, 치환 반응에 의해 니켈 하지 (下地) 상에 금 석출이 발생하는 경우가 있어, 최근 심각한 문제로 되어 있다. 금 도금의 고속화에 수반하여, 금 도금액은 펌프를 사용하여 도금 대상물에 고속으로 분사되고 있다. 이때, 금 도금액이 주위로 누출되거나 비산되거나 하여, 도금 지그 주변의 니켈 부분에 미스트상으로 부착된다. 이 부착된 금 도금액에 의해, 니켈 하지의 금 도금이 불필요한 부분에 금 도금 피막이 형성된다. 즉, 귀금속인 금은, 하지인 니켈에 비해 이온화 경향이 높다. 그 때문에, 니켈은 금 도금액 중에 니켈 이온으로서 용출되고, 금 도금액 중의 금은 니켈 하지에 금 피막으로서 석출된다. 이 치환 반응에 의한 금 석출에 대해서는, 품질 및 비용의 관점에서 개선이 요구되고 있다.
이 문제의 대책의 하나로서, 금 도금 종료 후, 금 박리제를 사용하여 도금 대상물의 전체면에 대하여 금 박리 처리를 실시하는 방법이 있다. 도금 대상 지점에 형성된 금 도금 피막과 도금 불필요 지점에 형성된 금 도금 피막에서는, 막두께가 상이하다. 그 때문에, 도금 대상물의 전체면을 대상으로 하여 경미하게 금 박리 처리를 실시함으로써, 도금 불필요 지점의 금 도금 피막을 모두 박리하면서도, 도금 대상 지점에는 소정의 막두께로 금 도금 피막을 잔존시킬 수 있다.
그러나, 최근의 금 막두께의 박막화에 의해, 도금 대상 지점 및 도금 불필요 지점에 형성되는 금 도금 피막의 막두께 차이는 작아지고 있다. 그 때문에, 금 박리제를 사용하는 금 박리 처리로는, 충분한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.
특허문헌 4 에는, 메르캅토 화합물로 이루어지는 금의 치환·전해 부식 방지제가 개시되어 있다. 이 메르캅토 화합물은, 초기 상태에서는 치환 방지 효과가 얻어지기는 하지만, 러닝에 수반하여 생성되는 분해 생성물이 치환 방지 효과를 저감시켜 버린다.
본 발명의 목적은, 도금조 내에 있어서의 금 석출을 억제함과 함께, 도금 대상 지점 이외의 니켈 하지와의 치환 반응을 최소한으로 억제할 수 있는 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제 및 이것을 배합하여 이루어지는 도금 선택성이 우수한 전해 경질 금 도금액을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 금 도금액에 소정의 유기 치환 방지제를 배합하면, 금 도금액에 전류를 흘리지 않은 상태에 있어서 니켈 하지 상에 보호막을 형성할 수 있고, 또한 이 보호막은 금 도금액에 전류를 흘림으로써 용이하게 제거할 수 있는 것을 알아내었다. 그리고, 니켈 하지 상에 형성되는 보호막의 존재에 의해, 전류를 흘리지 않은 상태에서 금 도금액이 접촉해도 니켈 하지와의 치환 반응이 일어나지 않아, 선택적인 도금이 가능해지는 것을 알아내었다. 또, 니켈 하지와의 치환 반응이 일어나지 않기 때문에, 금 파티클의 발생에서 기인하는 도금조 내벽으로의 금의 석출도 억제할 수 있는 것을 알아내었다. 본 발명은 이들 지견에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 상기 과제를 해결하는 본 발명은 이하에 기재하는 것이다.
〔1〕 메르캅토기를 갖는 이미다졸 화합물, 메르캅토기를 갖는 트리아졸 화합물, 및 술폰산기와 메르캅토기를 갖는 지방족 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제.
〔2〕 금염과,
가용성 코발트염 및/또는 가용성 니켈염과,
유기산 전도염과,
킬레이트화제와,
〔1〕 에 기재된 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제,
를 함유하는 것을 특징으로 하는 전해 경질 금 도금액.
〔3〕 상기 금염이 시안화금염인 〔2〕 에 기재된 전해 경질 금 도금액.
〔4〕 상기 킬레이트화제가, 카르복실산, 옥시카르복실산 및 그들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 〔2〕 에 기재된 전해 경질 금 도금액.
〔5〕 pH (25 ℃) 가 3 ∼ 7 의 범위에 있는,〔2〕에 기재된 전해 경질 금 도금액.
본 발명의 전해 경질 금 도금액은, 도금조 내로의 금 석출을 억제함과 함께, 도금 대상 지점 이외의 니켈 하지 상에 있어서의 금 치환 반응을 억제할 수 있기 때문에, 선택적인 도금을 필요로 하는 커넥터 등의 금 도금 처리에 최적이다.
이하, 본 발명의 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제 및 이것을 배합한 전해 경질 금 도금액에 대해 상세하게 설명한다.
본 발명의 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제는, 메르캅토기를 갖는 이미다졸 화합물, 메르캅토기를 갖는 트리아졸 화합물, 및 술폰산기와 메르캅토기를 갖는 지방족 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 화합물을 포함하여 이루어진다.
메르캅토기를 갖는 이미다졸 화합물로는, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-1-메틸이미다졸, 5-아미노-2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-메틸벤조이미다졸, 5-클로로-2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-벤조이미다졸카르복실산, 5-에톡시-2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-메톡시벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-벤조이미다졸술폰산, 2-메르캅토-5-니트로벤조이미다졸, 및 이들의 염이 예시된다.
메르캅토기를 갖는 트리아졸 화합물로는, 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 및 이들의 염이 예시된다.
술폰산기와 메르캅토기를 갖는 지방족 화합물로는, 3-메르캅토-1-프로판술폰산, 2-하이드록시-3-메르캅토-1-프로판술폰산, 및 이들의 염이 예시된다.
전해 경질 금 도금액에 대한 이들 치환 방지제의 첨가량은, 통상적으로 0.01 ∼ 5 g/ℓ 이고, 0.05 ∼ 2 g/ℓ 인 것이 바람직하다. 치환 방지제의 첨가량이 0.01 g/ℓ 미만인 경우, 충분한 치환 방지 효과가 얻어지지 않아, 도금 대상 지점 이외의 니켈 하지 상에 금이 많이 치환 석출된다. 치환 방지제의 첨가량이 5 g/ℓ 를 초과하는 경우, 그에 상응하는 효과는 얻어지지 않아 경제적이지 않다.
본 발명의 전해 경질 금 도금액은, 금염과, 가용성 코발트염 및/또는 가용성 니켈염과, 유기산 전도염과, 킬레이트화제와, 상기 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제를 배합하여 이루어진다.
본 발명의 전해 금 경질 도금액은, 유기 치환 방지제로서 메르캅토기를 갖는 이미다졸 화합물, 메르캅토기를 갖는 트리아졸 화합물, 및 술폰산기와 메르캅토기를 갖는 지방족 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 화합물을 함유한다. 이 유기 치환 방지제는, 전해 도금 처리 전후 (즉, 금 도금액에 전류를 흘리지 않은 상태) 에 있어서 니켈 하지 상에 얇은 보호막을 형성하여, 금 치환 반응을 억제한다. 또, 이 보호막은 전해 도금 처리시 (즉, 금 도금액에 전류를 흘리고 있는 상태) 에 용이하게 제거된다. 그 때문에, 금 도금 외관, 석출 속도 등에 대한 악영향이 없어, 정상적인 금 도금 피막이 얻어진다. 이 작용에 의해, 유기 치환 방지제가 배합된 본 발명의 전해 금 경질 도금액은, 도금 대상 지점 이외의 니켈 하지와의 금 치환 반응을 억제할 수 있다.
금염으로는, 시안화금 화합물이 사용된다. 예를 들어, 시안화금칼륨, 시안화금나트륨, 시안화금암모늄을 들 수 있다. 본 발명의 전해 경질 금 도금액의 금 이온 농도는 0.1 ∼ 20 g/ℓ 이고, 2 ∼ 15 g/ℓ 인 것이 바람직하다. 0.1 g/ℓ 미만인 경우, 음극 전류 효율이 낮아 소정의 금 막두께가 얻어지지 않는다. 20 g/ℓ 를 초과하는 경우, 음극 전류 효율은 금 이온 농도에 비례하여 증대되지 않는다. 또, 도금액의 반출에 의한 금 메탈의 손실이 커져 경제적이지 않다.
본 발명의 전해 경질 금 도금액에는, 가용성 코발트염 및/또는 가용성 니켈염이 배합된다. 코발트염으로는, 황산코발트, 질산코발트, 염화코발트, 염기성 탄산코발트가 예시된다. 니켈염으로는, 일반의 황산니켈, 술팜산니켈, 아황산니켈, 염화니켈이 예시된다. 이들은 단독으로 배합되어도 되고, 2 종 이상이 배합되어도 된다. 본 발명의 전해 경질 금 도금액의 코발트염 및 니켈염의 농도는 0.01 ∼ 10 g/ℓ 이고, 0.1 ∼ 1.0 g/ℓ 가 바람직하다. 0.01 g/ℓ 미만인 경우, 피막 경도가 향상되지 않아 경질 금의 피막 특성이 얻어지지 않는다. 10 g/ℓ 를 초과하는 경우, 그에 상응하는 효과가 얻어지지 않기 때문에 경제적이지 않다. 또한, 본 발명의 전해 경질 금 도금액에 배합되는 가용성 코발트염 및 가용성 니켈염의 「가용성」이란, 상기 농도로 금 도금액에 배합할 수 있는 정도의 것을 말한다.
본 발명의 전해 경질 금 도금액에는, 유기산 전도염이 배합된다. 유기산 전도염으로는, 예를 들어, 시트르산칼륨, 인산칼륨, 질산칼륨, 숙신산칼륨을 들 수 있다. 이들은 단독으로 배합되어도 되고, 2 종 이상이 배합되어도 된다. 본 발명의 전해 경질 금 도금액의 유기산 전도염의 농도는 10 ∼ 200 g/ℓ 이고, 50 ∼ 100 g/ℓ 가 바람직하다. 10 g/ℓ 미만이면, 도금 피막의 외관이 악화되어, 정상적인 금 피막이 얻어지지 않는다. 200 g/ℓ 를 초과하여 배합해도, 그에 상응하는 효과가 얻어지지 않기 때문에 경제적이지 않다.
킬레이트화제로는, 카르복실산 및 그 염 또는 옥시카르복실산 및 그 염이 사용된다. 예를 들어, 포름산, 글리콜산, 락트산, 옥시벤조산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 말산, 타르타르산, 프탈산, 디글리콜산, 시트르산, 및 이들의 염을 들 수 있다. 본 발명의 전해 경질 금 도금액의 킬레이트화제의 농도는 1 ∼ 50 g/ℓ 이고, 5 ∼ 20 g/ℓ 인 것이 바람직하다. 1 g/ℓ 미만인 경우, 무기 불순물이 금 피막에 도입되어, 금 피막 외관 및 금 피막 특성의 악화가 발생한다. 50 g/ℓ 를 초과하는 경우, 그에 상응하는 효과는 얻어지지 않아 경제적이지 않다.
본 발명의 전해 경질 금 도금액은, pH (25 ℃) 가 3.0 ∼ 7.0 에서 사용 가능하지만, pH 4.0 ∼ 5.0 에서 사용하는 것이 바람직하다. pH 가 3.0 보다 낮은 경우, 음극 전류 효율이 저하되어 소정의 금 막두께가 얻어지지 않게 된다. pH 가 7.0 보다 높은 경우, 금 피막 외관이 적색화되어 정상적인 금 피막이 얻어지지 않게 된다. 또한, pH 의 조정제로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화암모늄 및 희석 황산수 등이 사용된다.
본 발명의 전해 경질 금 도금액은, 액온 20 ∼ 90 ℃ 에서 사용 가능하지만, 40 ∼ 70 ℃ 에서 사용하는 것이 바람직하다. 도금액의 액온이 20 ℃ 보다 낮으면, 음극 전류 효율이 낮아 소정의 금 막두께가 얻어지지 않는다. 90 ℃ 보다 높으면 그에 상응하는 효과가 얻어지지 않아 경제적이지 않다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 의해 전혀 한정되지 않는다. 시험에 사용하는 장치 구성 및 평가 방법은 이하와 같다.
치환 방지 효과의 평가는, 구리판에 술팜산니켈 피막을 막두께 2 ㎛ 로 처리한 기판을 시료로 하였다.
10 ㎜ × 10 ㎜ 의 개구부를 갖는 아크릴제 마스크판에 동일 개구부를 갖는 실리콘 시트를 첩부 (貼付) 하고, 그 위에 시료를 올렸다. 실리콘 시트를 붙인 누름 블록으로, 시료를 위로부터 가압하여 시료를 고정시켰다. 금 도금액은, 펌프에 의해 순환되고 직경 5 ㎜ 의 백금제 노즐을 통해서, 도금액을 아래로부터 10 분간 시료에 분사하였다. 또한, 니켈 하지 상에 금 치환 반응에 의해 형성되는 금 피막의 막두께를 평가하기 위해, 도금액에 전류는 흘리지 않았다. 시료 표면 상에 10 ㎜ × 10 ㎜ 마스크 개구부의 형태로 금 치환막이 형성되므로, 그 금 막두께를 대각선 상에 5 지점, SII 사 제조 형광 X 선 막두께 측정기 SEA5120 을 사용하여 측정하였다.
도금조 내의 금 석출 억제 효과의 평가는, 금 스퍼터를 실시한 실리콘 웨이퍼를 3 ㎝ × 1 ㎝ 로 커트하여 시료로 하였다.
용량 20 ㎖ 의 마개가 부착된 유리 용기에 도금액을 충전하고, 시료를 침지하고 마개를 닫아 건조기 내에 70 ℃ 에서 36 시간 방치하였다. 조 내의 금 석출은, 금 파티클 상으로의 무전해 석출이 되므로, 금 스퍼터를 실시한 시료를 침지 전후로 금 막두께를 측정함으로써, 금 석출 억제 효과를 평가할 수 있다. 금 막두께는, 치환 방지 효과 평가와 동일하게 SII 사 제조 형광 X 선 막두께 측정기 SEA5120 을 사용하여, 시료 중앙을 5 지점 측정하였다.
(비교예 1)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.100 ㎛ 였다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.270 ㎛ 였다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(비교예 2)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
2-아미노벤즈이미다졸 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.950 ㎛ 였다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.230 ㎛ 였다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(비교예 3)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
1,2,3-벤조트리아졸 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.965 ㎛ 였다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.251 ㎛ 였다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(실시예 1)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
2-메르캅토벤조이미다졸 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.001 ㎛ 로 금 치환 반응을 대폭 억제할 수 있었다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.049 ㎛ 이고, 석출을 억제할 수 있었다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(실시예 2)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
2-메르캅토-1-메틸이미다졸 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.001 ㎛ 로 금 치환 반응을 대폭 억제할 수 있었다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.051 ㎛ 이고, 석출을 억제할 수 있었다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(실시예 3)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
3-메르캅토-1,2,4-트리아졸 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.001 ㎛ 로 금 치환 반응을 대폭 억제할 수 있었다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.051 ㎛ 이고, 석출을 억제할 수 있었다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(실시예 4)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
2-메르캅토-1-프로판술폰산 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.001 ㎛ 로 금 치환 반응을 대폭 억제할 수 있었다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.059 ㎛ 이고, 석출을 억제할 수 있었다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
(실시예 5)
시안화금칼륨 : 5 g/ℓ (Au 로서)
시트르산칼륨 : 120 g/ℓ
포름산칼륨 : 20 g/ℓ
황산코발트 : 0.96 g/ℓ
2-하이드록시-3-메르캅토-1-프로판술폰산 : 0.1 g/ℓ
상기 도금액을 pH 4.2 로 조정하여, 액온 55 ℃ 에서 10 분간 시료에 분사하였다. 치환 석출된 금 피막은, 막두께가 0.001 ㎛ 로 금 치환 반응을 대폭 억제할 수 있었다.
동일하게 상기 도금액으로, 시료를 70 ℃ 에서 36 시간 침지하였다. 무전해 석출된 금 피막은 0.060 ㎛ 이고, 석출을 억제할 수 있었다.
또, 전류 밀도 10 ∼ 60 A/d㎡ 에 있어서, 정상적인 금 도금 피막이 얻어졌다.
Claims (5)
- 삭제
- 시안화금염을 금 이온 농도로 0.1 ∼ 20 g/ℓ,
가용성 코발트염 및/또는 가용성 니켈염을 0.01 ∼ 10 g/ℓ,
유기산 전도염을 10 ∼ 200 g/ℓ,
킬레이트화제를 1 ∼ 50 g/ℓ,
2-메르캅토-1-메틸이미다졸, 5-아미노-2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-메틸벤조이미다졸, 5-클로로-2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-벤조이미다졸카르복실산, 5-에톡시-2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-메톡시벤조이미다졸, 2-메르캅토-5-벤조이미다졸술폰산, 2-메르캅토-5-니트로벤조이미다졸, 및 이들의 염, 메르캅토기를 갖는 트리아졸 화합물, 및 술폰산기와 메르캅토기를 갖는 지방족 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 화합물을 함유하는 전해 경질 금 도금액용 치환 방지제를 0.01 ∼ 5 g/ℓ 함유하는 것을 특징으로 하는 전해 경질 금 도금액. - 삭제
- 제 2 항에 있어서,
상기 킬레이트화제가, 카르복실산, 옥시카르복실산 및 그들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 전해 경질 금 도금액. - 제 2 항에 있어서,
pH (25 ℃) 가 3 ∼ 7 의 범위에 있는, 전해 경질 금 도금액.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003268586A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Ne Chemcat Corp | 電解金めっき液及び金めっき方法 |
| WO2009150915A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
| KR101008273B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2011-01-14 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 비시안계 전해 금도금액 |
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| JP2003226993A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金メッキ液及び金メッキ処理方法 |
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| KR101008273B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2011-01-14 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 비시안계 전해 금도금액 |
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