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KR102640296B1 - AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법 및 AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판 - Google Patents

AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법 및 AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판 Download PDF

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KR102640296B1
KR102640296B1 KR1020207030232A KR20207030232A KR102640296B1 KR 102640296 B1 KR102640296 B1 KR 102640296B1 KR 1020207030232 A KR1020207030232 A KR 1020207030232A KR 20207030232 A KR20207030232 A KR 20207030232A KR 102640296 B1 KR102640296 B1 KR 102640296B1
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브루노 기셀른
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소이텍
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Abstract

AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법 및 AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판.
SiC-6H 재질의 단결정 시드 층을 실리콘 재질의 캐리어 기판으로의 전사에 이어서 AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장이 뒤따르는 것을 포함하는 AlN 재질의 상기 단결정 층을 생산하는 방법.

Description

AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법 및 AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판
본 발명은 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법 및 AlN 재질의 이러한 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판에 관한 것이다.
특정 재료들은 현재 대구경 웨이퍼 형태의 단결정 기판으로 사용할 수 없다. 더구나, 특정 재료들은, 특히 결함들의 밀도 또는 필요한 전기적 또는 광학적 성질들과 관련하여, 대구경에서 사용할 수 있지만, 품질 측면에서 특정의 특성들이나 사양들과 함께는 사용할 수 없다.
본 발명은 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법 및 이러한 AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 제공함으로써 종래 기술의 이러한 한계들을 극복하는 것을 목표로 한다. 이러한 방식으로 현재 이용 가능한 AlN 재질의 단결정 기판들의 크기 문제를 해결할 수 있다.
본 발명은 SiC-6H 재질의 단결정 시드 층을 실리콘 재질의 캐리어 기판으로 전사하는 것에 이어서 AlN 재질의 단결정 층을 에피택셜 성장시키는 것이 뒤따르는 것을 포함하는 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
유리한 실시 예들에서, 상기 단결정 시드 층은 10 ㎛ 미만, 바람직하게는 2 ㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 0.2 ㎛ 미만의 두께를 가질 수 있다.
유리한 실시 예들에서, SiC-6H 재질의 단결정 시드 층을 실리콘 재질의 캐리어 기판으로 전사하는 것은 SiC-6H 재질의 단결정 기판을 캐리어 기판에 결합하는 단계에 이어서 SiC-6H 재질의 상기 단결정 기판을 씨닝하는 단계를 포함할 수 있다.
유리한 실시 예들에서, 상기 씨닝하는 단계는 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판으로 전사되도록 의도된 SiC-6H 재질의 상기 단결정 기판의 부분을 한정하는 약화된 구역을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
유리한 실시 예들에서, 상기 약화된 구역을 형성하는 것은 원자 및/또는 이온 종들을 주입함으로써 얻어질 수 있다.
유리한 실시 예들에서, 상기 씨닝하는 단계는 SiC-6H 재질의 상기 단결정 기판의 상기 부분을 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판으로 전사하도록 상기 약화된 구역에서 분리하는 것을 포함하며, 특히 상기 분리하는 것은 열적 및/또는 기계적 스트레스의 적용을 포함할 수 있다.
유리한 실시 예들에서, 상기 결합하는 단계는 분자 접착 단계일 수 있다.
유리한 실시 예들에서, SiC-6H 재질의 상기 단결정 시드 층은 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판으로 각각 전달된 복수의 타일들의 형태로 있을 수 있다.
유리한 실시 예들에서, 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판은 레이저 디본딩(debonding) 기술 및/또는 화학적 공격 및/또는 기계적 스트레스에 의해 분리되도록 구성된 분리 가능한 인터페이스를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 실리콘 재질의 캐리어 기판 상에 SiC-6H 재질의 단결정 시드 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, AlN 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판에 관한 것이다.
유리한 실시 예들에서, SiC-6H 재질의 상기 단결정 시드 층은 복수의 타일들의 형태로 있을 수 있다.
유리한 실시 예들에서, 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판은 레이저 디본딩 기술 및/또는 화학적 공격 및/또는 기계적 스트레스에 의해 분리되도록 구성된 분리 가능한 인터페이스를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 SrTiO3 재질의 단결정 시드 층을 실리콘 재질의 캐리어 기판으로 전사하는 것에 이어서 AlxInyGazAslPmNn 재질의 단결정 층을 에피택셜 성장시키는 것이 뒤따르는 것을 포함하는, AlN 재질의 격자 파라미터에 가까운 격자 파라미터를 갖는 AlxInyGazAslPmNn 재질의 단결정 층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 YSZ 또는 CeO2 또는 MgO 또는 Al2O3 재질의 단결정 시드 층을 실리콘 재질의 캐리어 기판으로 전사하는 것에 이어서 AlxInyGazAslPmNn 재질의 단결정 층을 에피택셜 성장시키는 것이 뒤따르는 것을 포함하는 AlN 재질의 격자 파라미터에 가까운 격자 파라미터를 갖는 AlxInyGazAslPmNn 재질의 단결정 층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 실리콘 재질의 캐리어 기판 상에 SrTiO3 또는 YSZ 또는 CeO2 또는 MgO 또는 Al2O3 재질의 단결정 시드 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, AlN 재질의 격자 파라미터에 가까운 격자 파라미터를 갖는 AlxInyGazAslPmNn 재질의 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판에 관한 것이다.
본 발명의 다른 특성들 및 장점들은 첨부된 도면들을 참조하여 이어지는 상세한 설명을 읽음으로써 더 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 공정 및 본 발명의 상기 실시 예에 따른 AlN 재질의 이러한 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 도시한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 공정 및 본 발명의 상기 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 이러한 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 도시한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 공정 및 본 발명의 상기 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 이러한 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 도시한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 공정 및 본 발명의 상기 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 이러한 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 도시한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 단결정 층을 제조하는 공정 및 본 발명의 상기 다른 실시 예에 따른 AlN 재질의 이러한 단결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 도시한다.
도면들의 가독성을 향상시키기 위해, 다양한 층들은 반드시 축척으로 도시되는 것은 아니다.
도 1은 SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(200)이 전사되는 실리콘 재질의 캐리어 기판(100)을 도시한다. 실리콘 재질의 캐리어 기판(100)은 또한 사파이어 재질의 캐리어 기판(100)으로 대체될 수 있다. 실리콘의 사용은 300 mm 타입의 대규모 장비에 대한 AlN 재질 막들의 적용 분야를 넓히는 장점을 가질 뿐만아니라, 실리콘 이외의 이색적인 재료, 특히 AlN의 생산 라인에 대한 수용의 측면에서 요구사항이 높은 마이크로 전자 산업과도 호환될 수 있다. SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(200)을 실리콘 재질의 캐리어 기판(100)에 결합하는 단계(1')는 바람직하게는 분자 접착 단계에 의해 수행된다. 이 분자 접착 단계는 바람직하게는 주변 온도에서 결합 단계를 포함하고, 일반적으로 최대 900 ℃ 또는 심지어 1100 ℃의 고온에서 몇 분에서 몇 시간 동안 수행되는 결합 인터페이스를 강화하기 위한 어닐링이 뒤따른다. 사파이어 재질의 캐리어 기판과 관련하여, 단결정 시드 층을 캐리어 기판에 결합하는 단계(1')는 또한 바람직하게는 상기 언급된 것과 동일한 크기의 전형적인 조건들을 사용하는 분자 접착 단계에 의해 수행된다.
도 1은 SiC-6H 재질의 단결정 기판(20)을 실리콘 재질의 캐리어 기판(100)에 결합하는 단계(1')를 개략적으로 도시한다. 이는 실리콘 재질의 캐리어 기판(100)에 결합된 후 SiC-6H 재질의 단결정 기판(20)을 씨닝하는(thinning) 단계(2')가 뒤따른다. 도 1은, 예를 들어 화학적 및/또는 기계적 식각(연마, 연삭, 밀링 등)에 의해 구현될 수 있는 씨닝하는 단계(2')를 개략적으로 도시한다. 따라서, SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(200)이 얻어지며, 이는 도 1에 개략적으로 도시된, AlN 재질의 단결정 층(10)의 에피택셜 성장을 위해 상기 기판 상에 AlN 재질의 단결정 층(300)을 에피택셜 성장시키는 단계(3')를 위한 단결정 시드로서 작용할 수 있다. 당업자는 본 발명의 AlN 재질의 단결정 층(10)의 에피택셜 성장을 위해 기판 상에 AlN 재질의 단결정 층(300)을 에피택셜 성장시키는 단계(3')를 최적화하기 위해, 벌크 단결정 기판상의 동종 에피택시 또는 이종 에피택시에서 일반적으로 사용되는 AlN 재질의 단결정 층을 에피택셜 성장시키는 데 사용되는 파라미터들을 조정할 수 있을 것이다. 따라서 AlN 재질의 에피택시는, 당업자에게 공지된 MOCVD 또는 MBE 또는 HVPE에 의해 거행된다. 부수적으로, 본 발명은 AlN 재질의 에피택시에 한정되지 않고, AlN 재질의 격자 파라미터에 가까운 격자 파라미터를 갖는 AlxInyGazAslPmNn 유형의 특정 복합물로 확장된다.
캐리어 기판(100)의 열팽창 계수는 AlN 재질의 단결정 층(300)을 에피택셜 성장시키는 단계(3') 동안 AlN 재질의 단결정 층(10)의 에피택셜 성장을 위한 기판의 열적 거동을 지배한다는 점에 유의해야 한다. 이는 AlN 재질의 단결정 층(10)의 에피택셜 성장을 위한 기판의 총 두께에 비해 SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(200)의, 바람직하게는 1 ㎛ 미만의 낮은 두께에 기인하며, 이것은 수십 내지 수백 ㎛ 정도이다. 부수적으로, SiC-6H 재료는 AlN 재료의 단결정 층(300)을 위해 선택된 격자 파라미터에 가능한 한 가까운 격자 파라미터를, 바람직하게는 AlN 재료의 단결정 층(300)에서 가능한 한 적은 결함들을 야기하는 에피택셜 성장을 허용하기 위해 완화된 상태에서의 격자 파라미터를 갖는 단결정 시드 층을 제공하도록 선택된다. 부수적으로, 캐리어 기판(100)의 재료는 유리하게는 에피택시에 의해 얻어진 단결정 층(300)에서의 결함들을 감소시키는 것과 동일한 이유로 AlN 재료의 열팽창 계수에 특히 가까운 열팽창 계수를 갖는다. 바람직하게는, 따라서 사파이어 재질의 캐리어 기판(100)이 본 발명에 사용될 것이다.
도 2는, SiC-6H 재질의 단결정 기판(20')이 실리콘 재질의 캐리어 기판(100')으로 전사되도록 의도된 SiC-6H 재질의 단결정 기판(20')의 부분(200')을 한정하는 약화된 구역을 형성하기 위해 원자 및/또는 이온 종들을 주입하는 단계(0")를 겪는다는 점에서, 그리고 씨닝하는 단계(2")는 SiC-6H 재질의 단결정 기판(20')의 상기 부분(200')을 실리콘 재질의 캐리어 기판(100')으로 전사할 수 있도록 상기 약화된 구역에서 분리하는 단계를 포함한다는, 특히 이러한 분리하는 단계는 열적 및/또는 기계적 스트레스의 적용을 포함하는, 점에서, 도 1과 관련하여 설명된 실시 예와 다른 AlN 재질의 단결정 층을 생성하는 공정의 일 실시 예를 개략적으로 도시한다. 따라서, 본 실시 예의 장점은 SiC-6H 재질의 출발 단결정 기판(20')의 나머지 부분(201)을 회수할 수 있다는 것이며, 따라서 이는 동일한 공정을 다시 수행하기 위해 다시 사용될 수 있고, 따라서 비용을 감소시킬 수 있다. 따라서, 도 2에 도시된 AlN 재질의 단결정 층(10')의 에피택셜 성장을 위한 기판은 도 1과 함께 기술된 공정에서 이미 설명된 바와 같이 AlN 재질의 단결정 층(300')을 성장시키는 단계(3")에 사용된다. 일반적으로, 주입 단계(0")는 수소 이온들을 사용하여 거행된다. 당업자에게 잘 알려진 하나의 유리한 대안은 수소 이온들의 전부 또는 일부를 헬륨 이온들로 대체하는 것에 있다. 수소 주입 도즈(dose)는 전형적으로 6 x 1016 cm-2 에서 1 x 1017 cm-2 사이이다. 주입 에너지는 전형적으로 50 내지 170 keV 사이이다. 따라서 상기 분리하는 단계는 전형적으로 550 에서 750 ℃ 사이의 온도에서 거행된다. 200 nm 내지 1.5 ㎛ 정도의 단결정 시드 층의 두께가 따라서 얻어진다. 분리 동작 직후, 결합 인터페이스를 강화하거나 또는 좋은 수준의 거칠기를 복원하거나, 또는 주입 단계에서 생성될 수 있었던 결함들을 수정하거나 또는 그 외에 에피택시의 재개를 위해 상기 시드 층의 표면을 준비하기 위한, 목적과 함께 추가 기술 단계들이 유리하게 부가된다. 이러한 단계들은, 예를 들어 연마, (습식 또는 건식) 화학적 식각, 어닐링, 화학적 세정이다. 이들은 단독으로 또는 당업자가 조정할 수 있는 조합으로 사용될 수 있다.
도 3은 AlN 재질의 단결정 층(10, 10')의 에피택셜 성장을 위한 기판이 분리되도록 구성된 분리 가능한 인터페이스(40')를 포함한다는 점에서도 1 및 도 2와 관련하여 설명된 실시 예들과 다르다. 실리콘 재질의 캐리어 기판(100)의 경우, 이것은 결합 단계 동안 단결정 시드 층과 결합된, 예를 들어 실리콘 재질의 거친 표면일 수 있다. 그렇지 않으면, 거친 인터페이스가 실리콘 재질의 캐리어 기판(100) 내에 존재할 수 있으며, 후자는 예를 들어 두 개의 실리콘 웨이퍼들을 결합함으로써 얻어진다. 또 다른 실시 예는 단결정 시드 층과 결합될 면에서, 기계적 및/또는 열적 스트레스를 적용하는 동안, 예를 들어 당업자에게 공지된 웨이퍼의 가장자리에서 블레이드를 삽입하거나 또는 어닐링을 적용함으로써 분할되기 쉬운 다공성 실리콘 층을 도입하는 것일 수 있다. 분명히, 상기 인터페이스는 본 발명의 공정(예를 들어, 분리, 에피택셜 성장, 등) 동안 경험되는 다른 기계적 및/또는 열적 스트레스들을 견딜 수 있도록 선택된다. 사파이어 재질의 캐리어 기판의 경우, 이것은 단결정 시드 층과 결합될 사파이어의 표면상에 생성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물의 스택(ONO 형 구조라고 함)일 수 있다. 이러한 스택은 사파이어 캐리어 기판을 통과하는 레이저를 적용할 때("레이저 리프트-오프" 유형의 분리 또는 디본딩) 실리콘 질화물 층에서 분리되기 쉽다. 당업자는 이러한 분리 가능한 인터페이스를 생성하기 위한 다른 공정들을 인식할 수 있을 것이다. 따라서 이러한 다양한 분리에 대한 구성들은 에피택셜 층을 성장 파라미터들과 호환할 수 없는 최종 캐리어로 전사하거나 또는 독립형 AlN 재질의 두꺼운 막을 준비하는 것의 어느 하나를 가능하게 한다.
도 4는 SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(2000')이 실리콘 재질의 캐리어 기판(100")에 각각 전사된 복수의 타일들(2001', 2002', 2003')의 형태로 있다라는 점에서 도 1, 도 2 및 도 3과 관련하여 설명된 실시 예들과 다른 AlN 재질의 단결정 층을 생성하기 위한 공정의 일 실시 예를 개략적으로 도시한다. 상기 다양한 타일들은 임의의 형상(정사각형, 육각형, 스트립 등)을 취할 수 있으며, 몇 mm2 내지 수 cm2 까지 다양한 크기를 가질 수 있다. 칩들 사이의 간격은 추구하는 것이 최대 커버리지 밀도(이 경우 0.2 mm 미만의 간격이 바람직하게 선택됨)인지 또는 반대로 기판 내에서 상기 타일들의 최대 스프레드(spread)(이 경우 상기 간격은 수 밀리미터 및 심지어 센티미터일 수 있음)인지에 따라 크게 달라질 수 있다. 각 타일에 대해, 당업자는 원하는 전사를 적용할 수 있으며, 이들은 특정 공정에 제한되지 않는다. 따라서, 도 1에 개략적으로 도시된 공정과 관련하여 기술된 기술적인 교시들을 적용하거나 도 2에 개략적으로 예시된 공정과 관련하여 기술된 기술적인 교시들을 적용하거나, 심지어 상기 둘의 조합을 적용하는 것을 고려할 수 있다. 따라서, AlN 재질의 단결정 층(10")의 에피택셜 성장을 위한 기판의 각 타일 상에 AlN 재질의 단결정 층(3001, 3002, 3003)의 에피택셜 성장(3''')을 위해 후자를 씨닝(2''')함으로써 단결정 시드 층들(2001', 2002', 2003')을 생성하기 위해, 캐리어 기판(100")보다 작은 크기의 SiC-6H 재질의 단결정 기판들(2001, 2002, 2003)을 결합(1''')할 수 있다.
따라서,도 1 내지 4와 관련하여 설명된 다양한 실시 예들은 AlN 재질의 단결정 층으로 만들어진 구성 요소들과 실리콘 재질의 캐리어 기판으로 만들어진 구성 요소들의 공동 통합(co-integration)의 가능성을 열어 준다. 후자는 단순히 실리콘 기판일 수 있지만, 얇은 실리콘 층으로부터 실리콘 기판을 분리하는 실리콘 산화물 층을 포함하는 SOI 형 기판일 수도 있다. 도 1 내지 4와 관련하여 설명된 실시 예들의 경우, 캐리어 기판에 대한 접근은 당업자에게 공지된 리소그래피 및 식각에 의해 간단하게 달성될 수 있다. 도 4와 관련하여 설명된 실시 예의 경우, 타일들의 위치들과 그들의 간격을 선택하는 것도 가능하다.
도 5는 캐리어 기판(100") 및 이어서 AlN 재질의 단결정 층(10")의 에피택셜 성장을 위한 기판이, 예를 들어 레이저 디본딩(레이저 리프트-오프) 기술 및/또는 화학적 공격 및/또는 기계적 스트레스에 의해 분리될 수 있도록 구성된 분리 가능한 인터페이스(40)를 포함한다는 점에서 도 4와 관련하여 설명된 실시 예와 다른 일 실시 예를 개략적으로 도시한다. 이것은 캐리어 기판(100")의 일부가 도 3과 관련하여 이미 언급된 바와 같이 제거될 수 있게 한다. 하나의 예는 얇은 실리콘 층으로부터 실리콘 기판을 분리하는 실리콘 산화물 층을 포함하는 SOI 유형의 캐리어 기판(100)의 사용일 수 있다. 이 산화물 층은 이 산화물 층을, 예를 들어 불화수소(HF) 산 배스(bath)에 침지함에 의해, 선택적으로 식각함으로써, 분리 가능한 인터페이스(40)로 사용될 수 있다. 화학적 식각에 의해 매립 층을 분리하는 이 옵션은 복수의 작은 기판들의 처리와 결합할 경우 특히 유리하다. 특히, 언더-식각의 범위는 일반적으로 산업적으로 합리적인 처리 조건들 및 시간들을 유지하려는 경우 몇 센티미터 또는 심지어 몇 밀리미터로 제한된다. 복수의 작은 기판들을 처리하는 것은 직경이 최대 300 mm일 수 있는 기판들의 극단 가장자리들에서가 아니라 각 타일 사이의 매립층에 대한 가능한 접근을 통해 여러 화학적 식각 전면(front)들의 시작을 허용한다. SOI 유형 캐리어 기판의 경우, 여러 식각 전면의 시작을 허용하기 위해 타일들 사이의 얇은 실리콘 층을 부분적으로 제거할 수 있다.
실리콘의 얇은 층은 미리 결정된 두께(5 nm에서 600 nm 사이, 또는 심지어 의도된 적용 분야에 따라 더 두꺼울 수 있음)를 갖기 때문에 마이크로 전자 부품을 형성하는 데 사용할 수 있으므로, 단일 기판에서 AlN 재질들에 기반한 부품들의 공동-통합을 허용한다.
따라서, 에피택시에 의해 단결정 층(3001, 3002, 3003)을 형성 한 후, 이 구조를 최종 기판에 결합하고 분리 가능한 인터페이스(40)에서 캐리어 기판(100")의 일부를 분리하는 것을 또한 생각할 수도 있다. 따라서 최종 기판은 예를 들어 이전에 수행된 성장의 파라미터들과 호환되지 않는 추가 기능들을 제공할 수 있다(예를 들어, 가요성 플라스틱 유형의 최종 기판 또는 금속 라인들을 포함하는 최종 기판). 추가적으로 그리고 일반적으로, 분리 가능한 인터페이스는 반드시 캐리어 기판 내부에 위치할 필요는 없으며, 도 3과 관련하여 이미 설명된 바와 같이 상기 캐리어 기판에 결합된 SrTiO3 재질의 시드 층과의 인터페이스에 위치할 수도 있다(예를 들어, 실리콘 산화물의 두 층들 사이의 실리콘 질화물 층의 스택은, 특히 사파이어 유형의 캐리어 기판에 적합한, 레이저 디본딩을 허용한다).

Claims (12)

  1. SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(200, 200', 2000')을 실리콘 재질의 캐리어 기판(100, 100', 100")으로 전사하는 것에 이어서 AlN 재질의 단결정 층(300, 300', 3001, 3002, 3003)을 에피택셜 성장시키는 것이 뒤따르며,
    상기 실리콘 재질의 캐리어 기판(100, 100', 100")은 실리콘 층 및 매립된 실리콘 산화물 층을 포함하는 SOI(Silicon On Insulator) 유형 기판이며,
    SiC-6H 재질의 상기 단결정 시드 층(200, 200', 2000')은 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")으로 각각 전사된 복수의 타일들(2001', 2002', 2003')의 형태로 있으며,
    AlN 재질의 상기 단결정 층(300, 300', 3001, 3002, 3003)을 에피택셜 성장시킨 후에, 상기 복수의 타일들(2001', 2002', 2003') 사이의 상기 SOI 유형 기판의 상기 실리콘 층을 부분적으로 제거하는 것을 포함하는 AlN 재질의 상기 단결정 층(300, 300', 3001, 3002, 3003)을 제조하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 단결정 시드 층(200, 200', 2000')은 10 ㎛ 미만의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    SiC-6H 재질의 상기 단결정 시드 층(200, 200', 2000')을 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")으로 전사하는 것은, SiC-6H 재질의 단결정 기판(20, 20', 2001, 2002, 2003)을 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")에 결합시키는 단계(1', 1'', 1''')에 이어서 SiC-6H 재질의 상기 단결정 기판(20, 20', 2001, 2002, 2003)을 씨닝(thinning)하는 단계(2', 2'', 2''')가 뒤따르는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 씨닝하는 단계(2'')는, 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")으로 전사되도록 의도된 SiC-6H 재질의 상기 단결정 기판(20')의 부분(200')을 한정하는 약화된 구역을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 약화된 구역을 형성하는 것은 원자 및 이온 종들 중의 하나 이상을 주입(0'')함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 청구항 4 및 5 중의 하나에 있어서,
    상기 씨닝하는 단계(2'')는, 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")으로 SiC-6H 재질의 상기 단결정 기판(20')의 상기 부분(200')을 전사하도록 상기 약화된 구역에서 분리하는 것을 포함하며, 상기 분리하는 것은 열적 및 기계적 스트레스 중의 하나 이상의 적용을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 결합하는 단계(1', 1'', 1''')는 분자 접착(molecular adhesion) 단계를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 타일들(2001', 2002', 2003') 사이의 상기 SOI 유형 기판의 상기 실리콘 층을 부분적으로 제거한 후에, 화학적 식각에 의해 상기 매립된 실리콘 산화물 층을 선택적으로 식각함으로써 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")을 분리하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 타일들(2001', 2002', 2003') 사이의 상기 SOI 유형 기판의 상기 실리콘 층을 부분적으로 제거하는 것은 에피택셜 성장된 AlN 재질의 상기 단결정 층(300, 300', 3001, 3002, 3003)을 최종 기판에 결합한 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 실리콘 재질의 캐리어 기판(100, 100', 100") 상에 SiC-6H 재질의 단결정 시드 층(200, 200', 2000')을 포함하며, 상기 실리콘 재질의 캐리어 기판(100, 100', 100")은 실리콘 층 및 매립된 실리콘 산화물 층을 포함하는 SOI 유형 기판이며, SiC-6H 재질의 상기 단결정 시드 층(200, 200', 2000')은 실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")으로 각각 전사된 복수의 타일들(2001', 2002', 2003')의 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 AlN 재질의 단결정 층(300, 300', 3001, 3002, 3003)의 에피택셜 성장을 위한 기판.
  11. 삭제
  12. 청구항 10에 있어서,
    실리콘 재질의 상기 캐리어 기판(100, 100', 100")의 상기 매립된 실리콘 산화물 층은 화학적 공격에 의해 분리되도록 구성된 분리 가능한 인터페이스(40, 40')를 포함하는 것을 특징으로 하는 AlN 재질의 단결정 층(300, 300', 3001, 3002, 3003)의 에피택셜 성장을 위한 기판.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230203704A1 (en) * 2020-04-14 2023-06-29 Kwansei Gakuin Educational Foundation Method for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate, and method for preventing crack occurrence in growth layer
CN115443353A (zh) * 2020-04-14 2022-12-06 学校法人关西学院 氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底和抑制在氮化铝层中产生裂纹的方法
FR3149424A1 (fr) * 2023-06-05 2024-12-06 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’un dispositif à base de carbure de silicium (SiC) cristallin

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096330A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ｉｉｉ−ｖ族発光デバイス
WO2017046548A1 (fr) * 2015-09-18 2017-03-23 Soitec Procede de transfert de paves monocristallins

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1132223C (zh) * 1995-10-06 2003-12-24 佳能株式会社 半导体衬底及其制造方法
CA2220600C (en) 1996-11-15 2002-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
CA2225131C (en) * 1996-12-18 2002-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor article
FR2767604B1 (fr) 1997-08-19 2000-12-01 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement pour le collage moleculaire et le decollage de deux structures
JP2001209981A (ja) 1999-02-09 2001-08-03 Ricoh Co Ltd 光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスク
FR2817394B1 (fr) 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
US7407869B2 (en) * 2000-11-27 2008-08-05 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semiconductor material
FR2835096B1 (fr) * 2002-01-22 2005-02-18 Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin
FR2817395B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
US8507361B2 (en) * 2000-11-27 2013-08-13 Soitec Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material
FR2835097B1 (fr) 2002-01-23 2005-10-14 Procede optimise de report d'une couche mince de carbure de silicium sur un substrat d'accueil
DE60336543D1 (de) * 2003-05-27 2011-05-12 Soitec Silicon On Insulator Verfahren zur Herstellung einer heteroepitaktischen Mikrostruktur
FR2857982B1 (fr) * 2003-07-24 2007-05-18 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
US7476594B2 (en) * 2005-03-30 2009-01-13 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon nitride regions in silicon carbide and resulting structures
US8635214B2 (en) * 2006-07-26 2014-01-21 International Business Machines Corporation Improving results from search providers using a browsing-time relevancy factor
US9564320B2 (en) * 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
FR2963848B1 (fr) 2010-08-11 2012-08-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de collage par adhesion moleculaire a basse pression
TWI673177B (zh) * 2014-12-22 2019-10-01 日商信越化學工業股份有限公司 複合基板、奈米碳膜之製作方法及奈米碳膜
US10283463B2 (en) * 2017-04-11 2019-05-07 International Business Machines Corporation Terahertz detector comprised of P-N junction diode

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096330A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ｉｉｉ−ｖ族発光デバイス
WO2017046548A1 (fr) * 2015-09-18 2017-03-23 Soitec Procede de transfert de paves monocristallins

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Kukushkin, Sergei Arsen'evich, Andrei Viktorovich Osipov, and Aleksei Viktorovich Red’kov. "Separation of III-N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types." Semiconductors 51 (2017): 396-401. 1부.*

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