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KR102491880B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR102491880B1
KR102491880B1 KR1020160075090A KR20160075090A KR102491880B1 KR 102491880 B1 KR102491880 B1 KR 102491880B1 KR 1020160075090 A KR1020160075090 A KR 1020160075090A KR 20160075090 A KR20160075090 A KR 20160075090A KR 102491880 B1 KR102491880 B1 KR 102491880B1
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Abstract

본 발명의 일 실시예는 제1 및 제2화소전극과, 제1 및 제2화소전극 상에 배치되며 제1 및 제2화소전극 각각을 노출하는 개구가 정의된 화소정의막과, 개구를 통해 노출된 제1 및 제2화소전극 상에 각각 배치되며 발광층을 포함하는 제1 및 제2중간층과, 제1 및 제2중간층 상에 배치되며 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 및 제2대향전극과, 제1 및 제2대향전극 상에 각각 배치되며 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 및 제2보호층, 및 제1 및 상기 제2보호층 상에 배치되며, 제1 및 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{Organic light emitting display and manufacturing method thereof}
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 넓은 시야각, 빠른 응답속도 및 적은 소비 전력 등의 장점으로 인하여 차세대 표시 장치로서 주목받고 있다.
한편, 풀 컬러(full color)를 구현하는 유기 발광 표시 장치의 경우, 각 화소영역 마다 서로 다른 색의 빛이 방출되며, 각 화소의 유기 발광층은 증착 마스크를 이용하여 형성된다. 유기 발광 표시 장치가 점차 고해상도화 됨에 따라 증착 공정시 사용되는 마스크의 오픈슬릿(open slit)의 폭이 점점 좁아지고 있으며 그 산포 또한 점점 더 감소될 것이 요구되고 있다. 또한, 고해상도 유기 발광 표시 장치를 제작하기 위해서는 쉐도우 현상(shadow effect)을 줄이거나 없애는 것이 필요하다. 그에 따라, 기판과 마스크를 밀착시킨 상태에서 증착 공정을 진행하는 방법이 사용될 수 있다.
그러나, 기판과 마스크를 밀착시킨 상태에서 증착 공정을 진행하는 경우, 마스크 찍힘 현상이 발생하는 문제가 있다. 이를 방지하기 위해서 화소정의막 상에 스페이서를 배치하는 방안이 있으나, 이를 위해서는 공정이 더 추가되는 문제가 있으며, 스페이서에 의해 유기 발광 표시 장치의 두께가 증가되는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 유기발광소자를 보호하면서 발광층 및 전극을 용이하게 형성할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 개시한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 및 제2화소전극; 상기 제1 및 제2화소전극 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2화소전극 각각을 노출하는 개구가 정의된 화소정의막; 상기 개구를 통해 노출된 상기 제1 및 제2화소전극 상에 각각 배치되며, 발광층을 포함하는 제1 및 제2중간층; 상기 제1 및 제2중간층 상에 배치되며, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 및 제2대향전극; 상기 제1 및 제2대향전극 상에 각각 배치되며, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 및 제2보호층; 및 상기 제1 및 상기 제2보호층 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결층;을 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층의 폭은 상기 제1대향전극의 폭 보다 크고, 상기 제2보호층의 폭은 상기 제2대향전극의 폭 보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층의 단부 및 상기 제2보호층의 단부는 각각 상기 제1 및 제2대향전극을 지나(beyond) 상기 화소정의막과 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 재료를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 투명 도전성 산화물(amorphous transparent conductive oxide: amorphous TCO), 및 투명한 비정질 산화 반도체(transparent amorphous oxide semiconductor: TAOS) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 절연성 무기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2보호층은, 산화물, 산질화물, 질화물을 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결층은, 상기 제1 및 제2보호층에 정의된 콘택홀을 통해 상기 제1 및 제2대향전극과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2대향전극은, 금속막을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2대향전극은, Ag, Mg, Al, Yb, Ca, Li, Au, LiF 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결층 상에 배치되며, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 보호막을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2중간층 중 적어도 어느 하나는, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결층은 상기 제1 및 제2보호층을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 기판 상에 제1 및 제2화소전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2화소전극 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2화소전극 각각을 노출하는 개구가 정의된 화소정의막을 형성하는 단계; 상기 화소정의막 상에 배치되며, 상기 제1화소전극을 노출하는 제1개구영역이 정의된 제1감광패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1화소전극 및 상기 제1감광패턴층 상에, 발광층을 포함하는 제1중간층, 제1대향전극, 및 제1보호층을 순차적으로 형성하는 단계; 및 상기 제1화소전극 상에 상기 제1중간층, 상기 제1대향전극, 및 상기 제1보호층을 남긴 채 상기 제1감광패턴층을 제거하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1중간층은, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층은, 상기 제1대향전극의 폭 보다 큰 폭을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층의 단부는 상기 제1대향전극을 지나 상기 화소정의막과 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극은, 금속막을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극은, Ag, Mg, Al, Yb, Ca, Li, Au, LiF 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층은, 비정질의 재료를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층은, 비정질의 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층은, 비정질의 투명 도전성 산화물(amorphous transparent conductive oxide: amorphous TCO), 및 투명한 비정질 산화 반도체(transparent amorphous oxide semiconductor: TAOS) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층은, 비정질의 절연성 무기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층은,, 산화물, 산질화물, 질화물을 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1감광패턴층을 형성하는 단계는, 상기 제1감광패턴층과 상기 화소정의막 사이에 개재되며, 상기 제1개구영역과 대응하는 개구영역을 포함하는 제1보조층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보조층의 상기 개구영역은 상기 제1개구영역 보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층 및 상기 화소정의막 상에 배치되며, 상기 제2화소전극을 노출하는 제2개구영역이 정의된 제2감광패턴층을 형성하는 단계; 상기 제2화소전극 및 상기 제2감광패턴층 상에, 발광층을 포함하는 제2중간층, 제2대향전극, 및 제2보호층을 순차적으로 형성하는 단계; 및 상기 제2화소전극 상에 상기 제2중간층, 상기 제2대향전극, 및 상기 제2보호층을 남긴 채 상기 제2감광패턴층을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1보호층 및 상기 제2보호층을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 제1보호층 및 상기 제2보호층 상에 연결층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결층은, 상기 제1 및 제2보호층을 커버하도록 상기 기판에 일체로 형성될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들은, 비정질의 보호층을 이용하여 유기발광소자의 손상을 방지하면서 리프트 오프 공정을 통해 유기발광소자를 용이하게 형성할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어느 한 화소의 등가회로도이다.
도 3은 도 1의 디스플레이영역의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 IV- IV선에 따른 단면에 대응한다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 단면도로서 도 4의 IV 부분에 대응한다.
도 6a 내지 도 6k는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(100)을 구비한다. 기판(100)은 디스플레이영역(DA)과 이 디스플레이영역(DA) 외측의 주변영역(PA)을 갖는다.
기판(100)의 디스플레이영역(DA)에는 유기발광소자(organic light-emitting device, OLED)를 구비한 화소(P)들이 배치될 수 있다. 기판(100)의 주변영역(PA)은 이미지가 구현되지 않는 영역으로, 디스플레이영역(DA)에 인가할 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들이 위치할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어느 한 화소의 등가회로도이고, 도 2b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어느 한 화소의 등가회로도이다.
도 2a를 참조하면, 각 화소(P)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함한다.
화소회로(PC)는 구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막 트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막 트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 구동전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막 트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광소자(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 2a에서는 화소(P)가 2개의 박막 트랜지스터 및 1개의 스토리지 박막 트랜지스터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 2b를 참조하면, 화소회로(PC)는 구동 및 스위칭 박막 트랜지스터(T1, T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인전극은 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 유기발광소자(OLED)에 구동 전류를 공급한다.
스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 제1 스캔선(SL)과 연결되고, 소스전극은 데이터선(DL)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스전극과 연결되어 있으면서 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL)을 통해 전달받은 제1 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온 되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스전극으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막 트랜지스터(T3)의 게이트전극은 제1 스캔선(SLn)에 연결될 수 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인전극과 연결되어 있으면서 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결될 수 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극, 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스전극 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 함께 연결될 수 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)는 제1 스캔선(SL)을 통해 전달받은 제1 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온(turn on)되어 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 드레인전극을 서로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결(diode-connection)시킨다.
제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 게이트전극은 제2 스캔선(SLn-1)과 연결될 수 있다. 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인전극은 초기화 전압선(VL)과 연결될 수 있다. 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인전극 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 함께 연결될 수 있다. 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 제2 스캔선(SLn-1)을 통해 전달받은 제2 스캔 신호(Sn-1)에 따라 턴 온 되어 초기화 전압(VINT)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 전달하여 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행할 수 있다.
제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 발광 제어선(EL)과 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 소스전극은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 드레인전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스전극 및 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결되어 있다.
제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 게이트전극은 발광 제어선(15)과 연결될 수 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 소스전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인전극 및 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스전극과 연결될 수 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 드레인전극은 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 동시에 턴 온 되어 구동전압(ELVDD)이 유기발광소자(OLED)에 전달되며, 유기발광소자(OLED)에 구동 전류가 흐르게 된다.
제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)의 게이트전극은 제3 스캔선(SLn+1)에 연결될 수 있다. 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)의 소스전극은 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결될 수 있다. 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)의 드레인전극은 초기화 전압선(VL)과 연결될 수 있다. 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)는 제3 스캔선(SLn+1)을 통해 전달받은 제3 스캔 신호(Sn+1)에 따라 턴 온 되어 유기발광소자(OLED)의 화소전극을 초기화시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 다른 하나의 전극은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트전극, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인전극 및, 제1 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스전극에 함께 연결될 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 대향전극은 공통전원전압(ELVSS)과 연결된다. 유기발광소자(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류를 전달받아 발광한다.
화소회로(PC)는 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터의 개수 및 회로 디자인에 한정되지 않으며, 그 개수 및 회로 디자인은 다양하게 변경 가능하다.
도 3은 도 1의 디스플레이영역의 일부를 발췌하여 나타낸 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 IV- IV선에 따른 단면에 해당하고, 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 단면도로서 도 4의 IV 부분에 대응한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 디스플레이영역(DA)에는 서로 다른 색상의 화소(P1, P2, P3)들을 포함한다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 색상이 서로 다른 화소들을 제1화소(P1), 제2화소(P2), 및 제3화소(P3)라 한다.
일 실시예로, 제1화소(P1)는 적색의 빛을, 제2화소(P2)는 녹색의 빛을, 제3화소(P3)는 청색의 빛을 방출할 수 있다. 본 실시예에서는 디스플레이영역(DA)에 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3)의 3개의 화소가 배치된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 전술한 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3) 및 백색의 빛을 방출하는 제4화소(미도시)를 더 포함할 수 있다.
제1 내지 제3화소(P1, P2, P3) 각각은, 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 전기적으로 연결된 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)를 포함한다.
화소회로(PC)는 도 5a에 도시된 바와 같이, 구동 소스영역(S1)과 구동 드레인영역(D1)을 포함하는 구동 반도체층(A1), 및 구동 게이트전극(G1)을 포함하는 구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 소스영역(S2)과 스위칭 드레인영역(D2)을 포함하는 스위칭 반도체층(A2), 및 스위칭 게이트전극(G2)을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 및 제1 및 제2스토리지 축전판(CE1, CE2)을 포함하는 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 기판(100)과 구동 및 스위칭 반도체층(A1, A2) 사이에는 버퍼층(101)이 개재되고, 구동 및 스위칭 반도체층(A1, A2)과 구동 및 스위칭 게이트전극(G1, G2) 사이에는 게이트 절연층(103)이 개재되며, 제1 및 제2스토리지 축전판(CE1, CE2) 사이에는 유전체층(105)이 개재되며, 제1화소전극(211) 아래에는 절연층(109)이 배치된다. 버퍼층(101)과 게이트 절연층(103)은 질화규소(SiNx) 및/또는 산화규소(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 유전체층(105)은 전술한 산화규소, 질화규소, 및 또는 산화알루미늄(Al2O3) 등과 같은 무기물을 포함하는 다층 또는 다층일 수 있으며, 절연층(109)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함하는 유기물을 포함할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
화소회로(PC)는 도 5a에 도시된 바와 같이 제1스토리지 축전판(CE1)과 구동 게이트전극(G1)이 동일한 층으로, 스토리지 커패시터(Cst)가 구동 박막 트랜지스터(T1)와 중첩되도록 배치되거나, 도 5b에 도시된 바와 같이 비중첩되게 배치될 수 있다. 도 5a 및 도 5b에서는 제1화소(P1)의 화소회로(PC)에 대하여 도시되었으나, 다른 화소의 화소회로(PC)도 동일한 구조를 가짐은 물론이다.
다시 도 4를 참조하면, 각 화소회로(PC)는, 절연층인 절연층(109)에 정의된 콘택홀을 통해 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)의 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)과 연결된다.
제1유기발광소자(201)는 제1화소전극(211), 제1중간층(221), 및 제1대향전극(231)을 포함한다. 제1화소전극(211), 제1중간층(221), 및 제1대향전극(231) 각각은, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는다.
제1중간층(221)은 적색의 발광층(221b)을 포함할 수 있으며, 발광층(221b)의 위 또는/및 아래에 배치된 제1 및 제2기능층(221a, 221c)을 더 포함할 수 있다. 제1기능층(221a)은 정공주입층(HIL) 및/또는 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있으며, 제2기능층(221c)은 전자수송층(ETL) 및/또는 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 제1중간층(221)은 선택적으로 제1 및/또는 제2기능층(221a, 221c)을 포함할 수 있다.
제2유기발광소자(202)는 제2화소전극(212), 제2중간층(222), 및 제2대향전극(232)을 포함한다. 제2화소전극(212), 제2중간층(222), 및 제2대향전극(232) 각각은, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는다.
제2중간층(222)은 녹색의 발광층(222b)을 포함할 수 있으며, 발광층(222b)의 위 또는/및 아래에 배치된 제1 및 제2기능층(222a, 222c)을 더 포함할 수 있다. 제1기능층(222a)은 정공주입층(HIL) 및/또는 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있으며, 제2기능층(222c)은 전자수송층(ETL) 및/또는 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 제2중간층(222)은 선택적으로 제1 및/또는 제2기능층(222a, 222c)을 포함할 수 있다.
제3유기발광소자(203)는 제3화소전극(213), 제3중간층(223), 및 제3대향전극(233)을 포함한다. 제3화소전극(213), 제3중간층(223), 및 제3대향전극(233) 각각은, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는다.
제3중간층(223)은 청색의 발광층(223b)을 포함할 수 있으며, 발광층(223b)의 위 또는/및 아래에 배치된 제1 및 제2기능층(223a, 223c)을 더 포함할 수 있다. 제1기능층(223a)은 정공주입층(HIL) 및/또는 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있으며, 제2기능층(223c)은 전자수송층(ETL) 및/또는 전자주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 제3중간층(223)은 선택적으로 제1 및/또는 제2기능층(223a, 223c)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은 반사전극이거나, 투광성 전극일 수 있다.
반사전극인 경우, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막을 포함할 수 있다. 또는, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은 전술한 반사막, 및 전술한 반사막의 위 또는/및 아래의 투명 도전성 산화물(TCO. Transparent conductive oxide)막을 포함할 수 있다.
투광성 전극인 경우, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은 투명 도전성 산화물(TCO. Transparent conductive oxide)층일 수 있다. 또는, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은 은(Ag) 또는 은(Ag) 합금을 포함하는 금속 박막이거나, 전술한 금속 박막 상에 형성된 투명 도전성 산화물층의 다층일 수 있다. 일 실시예로, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은 순차적으로 70Å/850 Å /50 Å 의 두께를 갖는 ITO/Ag/ITO의 3층일 수 있다.
제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 투광성 전극 또는 반사전극일 수 있다. 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 Ag, Mg, Al, Yb, Ca, Li, 및 Au 중 적어도 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 금속박막 또는 금속후막일 수 있다.
예컨대, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 Ag, Mg, Al, Yb, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Au 중 적어도 어느 하나를 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다. 일 실시예로, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 Ag 및 Mg를 포함하는 금속 박막을 포함할 수 있으며, Ag가 Mg 보다 더 많이 함유될 수 있다.
전술한 물질을 포함하는 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 두께를 얇게 하여 광투광성 전극으로 형성하거나, 두께를 두껍게 하여 반사전극으로 형성할 수 있다. 예를 들어, Ag 및 Mg를 포함하는 금속을 약 10Å 내지 15 Å의 두께로 형성하여 광투광성을 갖는 전극으로 사용하거나, 두께를 약 50nm 이상의 두께로 형성하여 반사 전극으로 사용할 수 있다.
제1 내지 제3중간층(221, 222, 223) 및 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)은 리프트 오프 공정을 통해 제조될 수 있다. 예컨대, 리프트 오프 공정은 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3)마다 개별적으로 진행되며, 리프트 오프 공정에는 포토레지스트가 사용될 수 있다. 포토레지스트에 포함된 물질, 예컨대 PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether) 또는 포토레지스트에 사용되는 현상액에 포함된 TMAH(TetraMethylAmmonium Hydroxide)와 같은 물질이 유기발광소자에 침투하는 경우, 유기발광소자를 손상시키거나 열화시키는 문제가 있다. 이를 방지하기 위해, 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203) 상에는, 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203) 각각을 커버하는 비정질의 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)을 포함한다.
예컨대, 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은 비정질의 도전성 재료를 포함할 수 있다. 비정질의 도전성 재료는 비정질의 산화물을 포함할 수 있다. 비정질의 산화물은, 비정질의 투명 도전성 산화물(amorphous transparent conductive oxide: amorphous TCO), 및 투명한 비정질 산화 반도체(transparent amorphous oxide semiconductor: TAOS) 등과 같은 비정질의 도전성 금속 산화물을 포함할 수 있다.
비정질의 투명 도전성 산화물(amorphous TCO)은, 예컨대 비정질의 ITO(amorphous Indium-tin-oxide), 비정질의 ITON(amorphous indium-tin oxide nitride), 비정질의 IZO (amorphous Indium-zinc-oxide), 비정질의 IZON(amorphous indium-zinc oxide nitride), 비정질의 IZTO(amorphous indium-zinc tin nitride), 비정질의 AZO(amorphous aluminum zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 투명한 비정질 산화 반도체(TAOS)는, 인듐(In), 갈륨(Ga) 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 투명한 비정질 산화 반도체(TAOS)는 IGZO(indium gallium zinc oxide), ITZO(Indium-Tin-Zinc Oxide) 등을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은, 전술한 비정질의 재료를 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 일 실시예로 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)의 최소두께는 약 10Å 일 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)는 전술한 보호 및 도전성 등을 고려하여 약 100 Å 내지 300 Å의 두께를 가질 수 있다.
제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은 아일랜드 타입 패턴을 가지도록 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3) 각각에 대응하며, 서로 이격된다. 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243) 각각은, 아래에 배치된 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 폭보다 큰 폭을 가지도록 수평 방향으로 연장된다. 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243) 각각의 단부는, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 단부를 지나(beyond) 화소정의막(180)과 직접 접촉할 수 있다.
연결층(250)은 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)을 덮도록 일체로 형성되며, 각각 아일랜드 타입 패턴을 갖는 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)을 전기적으로 연결한다. 전술한 바와 같이 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)이 도전성 물질로 형성된 경우, 연결층(250)은 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)과 접촉함으로써 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)을 전기적으로 연결할 수 있다.
연결층(250)은 도전성 물질로 형성된다. 일 실시예로, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)이 반사전극이고 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)이 투광성 전극인 경우(전면 발광형), 연결층(250)은 투명 도전성 산화물로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)이 투광성 전극이고 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)이 반사전극인 경우(배면 발광형), 연결층(250)은 투명 도전성 산화물 및/또는 금속과 같이 도전성을 갖는 재료이면 그 종류를 특별히 제한할 것은 아니다.
보호막(260)은 연결층(250) 상에 배치될 수 있다. 보호막(260)은 적어도 하나의 유기층(261) 및 적어도 하나의 무기층(263)을 포함할 수 있다. 유기층(261)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 등과 같은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 무기층(263)은 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3) 질화티타늄(TiN), 산화티타늄(TiO2), 산질화규소(SiON), 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
도 4에서는, 유기층(261)이 아래에, 무기층(263)이 위에 배치된 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시에로, 유기층(261)과 무기층(263)의 위치는 변경 가능하며, 적층 순서, 층의 개수 등도 다양하게 변경 가능하다.
이하, 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 대하여 설명한다.
도 6a 내지 도 6k는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)을 형성하고, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213) 각각을 노출하는 개구(OP)를 구비한 화소정의막(180)을 형성한다.
기판(100)은, 글라스재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재와 같은 다양한 재료를 포함할 수 있다. 기판(100)이 플라스틱재로 형성된 경우에는 글라스재로 형성된 경우 보다 가요성을 향상시킬 수 있다. 기판(100)상에는 불순물이 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 SiOx 및/또는 SiNx 등으로 형성된 버퍼층(미도시)이 구비될 수 있다.
기판(100) 상에 화소회로(PC)를 형성한 후, 화소회로(PC)를 덮는 절연층(109)을 패터닝하여 콘택홀을 형성한다. 다음으로, 도전성 물질층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)을 형성한다.
도전성 물질층은 Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막, 또는 전술한 반사막의 위 또는 아래의 투명 도전성 산화물(TCO)막을 포함할 수 있다. 또는, 도전성 물질층은 은(Ag) 또는 은(Ag) 합금을 포함하는 박막이거나, 박막 상에 형성된 투명 도전성 산화물막을 포함할 수 있다. 도전성 물질층에 따라, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)은, 반사전극이거나, 투광성 전극일 수 있으며, 구체적 구성은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다.
이 후, 유기절연막(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 화소정의막(180)을 형성한다. 화소정의막(180)은 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213) 각각을 노출하는 개구(OP)를 포함한다. 본 실시예에서는 화소정의막(180)이 유기 절연재로 형성되는 경우를 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 따른 실시에로, 화소정의막(180)은 유기 절연재와 무기 절연재로 형성되거나, 또는 무기 절연재로 형성될 수 있으며, 전술한 재료들의 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 6b를 참조하면, 화소정의막(180) 상에 제1감광패턴층(320)을 포함하는 제1마스킹 패턴(300)을 형성한다. 제1마스킹 패턴(300)은 제1감광패턴층(320)과 화소정의막(180) 사이에 개재된 제1보조층(310)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제1마스킹 패턴(300)은 하기의 공정으로 형성될 수 있다.
화소정의막(180)이 형성된 기판(100) 상에 비감광성 유기물층(미도시)을 형성하고, 그 위에 포토레지스트층(미도시)을 형성한다. 비감광성 유기물층은 일예로 불소계물질을 포함할 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 포토레지스트층은 포지티브 감광물질을 포함할 수 있다.
이 후, 포토레지스트층 중 제1화소(P1)와 대응하는 일부 영역을 노광하고 현상하여, 제1개구영역(OR1)을 갖는 제1감광패턴층(320)을 형성한다. 다음으로, 제1개구영역(OR1)을 통해 노출된 비감광성 유기물층을 에칭하여, 제1보조개구영역(AOR1)을 형성한다. 에칭을 통해 제1보조층(310)의 제1보조개구영역(AOR1)은 제1개구영역(OR1) 보다 크게 형성된다.
도 6c를 참조하면, 제1마스킹 패턴(300)이 형성된 기판(100) 상에 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)을 순차적으로 형성한다. 제1중간층(221)은 예컨대 적색의 발광층(221b)을 포함하며, 발광층(221b)의 위 또는/및 아래의 제1 및 제2기능층(221a, 222c)을 포함할 수 있다.
제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)은 열 증착(thermal evaporation)법에 의해 형성될 수 있다. 제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)을 형성하기 위한 증착 물질들은, 기판(100)에 수직인 방향 및 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있다. 따라서, 제1중간층(221)의 단부 및 제1대향전극(231)의 단부는 제1보조층(310)과 접촉하지 않은 채 제1감광패턴층(320)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 증착물질이 비스듬한 방향으로 증착되면서 제1중간층(221) 및 제1대향전극(231)의 단부들은 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)을 가질 수 있다. 제1중간층(221), 및 제1대향전극(231)은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같은 물질을 포함하므로, 중복 설명은 생략한다.
제1보호층(241)은 비정질의 재료를 포함한다. 예컨대, 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은 비정질의 도전성 산화물과 같은 비정질 산화물을 포함할 수 있다. 비정질의 도전성 산화물은 비정질의 TCO(amorphous TCO), 투명 비정질 산화물 반도체(TAOS) 등을 포함할 수 있으며, 이들에 대한 구체적 실시예는 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다.
제1보호층(241)은 예컨대, 스퍼터링(sputtering)법에 의해 형성될 수 있다. 제1보호층(241)을 형성하기 위한 물질들은 기판(100)에 수직인 방향 및 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있다. 따라서, 제1보호층(241)의 단부는 제1보조층(310)과 접촉하지 않은 채 제1감광패턴층(320)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 도 6d에 도시된 바와 같이, 제1보호층(241)은 제1대향전극(231)을 모두 커버하도록 제1대향전극(231)의 폭(We1) 보다 큰 폭(Wp1)을 가지며, 제1보호층(241)의 단부는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)을 가진 채 화소정의막(180)과 직접 접촉할 수 있다.
도 6d를 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 제1마스킹 패턴(300)을 제거한다. 일 실시예로, 제1보조층(310)이 불소계 물질인 경우, 불소계 용매를 이용하여 제1보조층(310)을 제거할 수 있다. 제1보조층(310)이 제거되면서, 제1보조층(310) 상의 제1감광패턴층(320), 제1감광패턴층(320) 상에 적층된 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)이 함께 제거된다. 그리고, 제1화소(P1)에는 아일랜드 타입 패턴의 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)이 남는다.
비정질의 제1보호층(241)은 리프트 오프시 제1유기발광소자(201)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제1마스킹 패턴(300)의 리프트 오프시 제1보조층(310)을 제거하는 용매에 포함된 물질이 제1대향전극(231) 및 그 아래의 제1중간층(221)으로 침투하거나, 제1대향전극(231) 및 제1중간층(221)을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
도 6e를 참조하면, 제1보호층(241) 및 화소정의막(180) 상에 제2감광패턴층(420)을 포함하는 제2마스킹 패턴(400)을 형성한다. 제2마스킹 패턴(400)은 제2감광패턴층(420)과 화소정의막(180) 사이에 개재된 제2보조층(410)을 더 포함할 수 있다.
제2마스킹 패턴(400)은 전술한 제1마스킹 패턴(300)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
예컨대, 제1유기발광소자(201) 및 제1보호층(241)이 형성된 기판(100) 상에 비감광성 유기물층(미도시)을 형성하고, 그 위에 포토레지스트층(미도시)을 형성한다. 본 발명의 비제한적 실시예로서, 비감광성 유기물층은 일예로 불소계물질을 포함할 수 있다. 포토레지스트층은 포지티브 감광물질을 포함할 수 있다.
이 후, 포토레지스트층 중 제2화소(P2)와 대응하는 일부 영역을 노광하고 현상하여, 제2개구영역(OR2)을 갖는 제2감광패턴층(420)을 형성한다. 다음으로, 제2개구영역(OR2)을 통해 노출된 비감광성 유기물층을 에칭하여, 제2개구영역(OR2)보다 큰 제2보조개구영역(AOR2)을 갖는 제2보조층(410)을 형성한다.
도 6f를 참조하면, 제2마스킹 패턴(400)이 형성된 기판(100) 상에 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)을 순차적으로 형성한다. 제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)은 열 증착법에 의해 형성될 수 있고, 제2보호층(242)은 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다. 제2중간층(222) 및 제2대향전극(232)의 물질, 및 제2보호층(242)의 물질은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같으므로 중복 설명은 생략한다.
제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)의 증착 물질들은 기판(100)에 수직인 방향 및 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있으며, 따라서, 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)의 단부는 제2보조층(410)과 접촉하지 않은 채 제2감광패턴층(420)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 도 6g에 도시된 바와 같이, 제2보호층(242)은 제2대향전극(232)을 모두 커버하도록 제2대향전극(232)의 폭(We2) 보다 큰 폭(Wp2)을 가지며, 제2보호층(242)의 단부는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)을 가진 채 화소정의막(180)과 직접 접촉할 수 있다.
도 6g를 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 제2마스킹 패턴(400)을 제거한다. 일 실시예로, 제2보조층(410)이 불소계 물질인 경우, 불소계 용매를 이용하여 제2보조층(410)을 제거할 수 있다. 제2보조층(410)이 제거되면서, 제2보조층(410) 상의 제2감광패턴층(420), 제2감광패턴층(420) 상에 적층된 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)이 함께 제거된다. 그리고, 제2화소(P2)에는 아일랜드 타입 패턴의 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)이 남는다.
비정질의 제1보호층(241)은, 도 6e 내지 도 6g를 참조하여 설명한 공정 중 제1유기발광소자(201)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제1보호층(241)은, 제1유기발광소자(201) 상의 제2마스킹 패턴(400)에 포함된 PGMEA 또는, 제2마스킹 패턴(400)의 현상시 사용되는 TMAH와 같은 물질들이 제1유기발광소자(201)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비정질의 제1 및 제2보호층(241, 242)은 리프트 오프시 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2보호층(241, 242)은 제2보조층(410)을 제거하는 용매에 포함된 물질이 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)로 침투하거나, 해당 물질에 의해 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 6h를 참조하면, 제1 및 제2보호층(241, 242) 및 화소정의막(180) 상에 제3감광패턴층(520)을 포함하는 제3마스킹 패턴(500)을 형성한다. 제3마스킹 패턴(500)은 제3감광패턴층(520)과 화소정의막(180) 사이에 개재된 제3보조층(510)을 더 포함할 수 있다.
제3마스킹 패턴(500)은 전술한 제1 및 제2마스킹 패턴(300, 400)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
예컨대, 기판(100) 상에 비감광성 유기물층(미도시)을 형성하고, 그 위에 포토레지스트층(미도시)을 형성한 후 노광 및 현상을 통해 제3개구영역(OR3)을 갖는 제3감광패턴층(520)을 형성한다. 그리고, 제3개구영역(OR3)을 통해 노출된 비감광성 유기물층을 에칭하여, 제3개구영역(OR3)보다 큰 제3보조개구영역(AOR3)을 갖는 제3보조층(510)을 형성한다. 본 발명의 비제한적 실시예로서, 비감광성 유기물층은 일예로 불소계물질을 포함할 수 있다. 포토레지스트층은 포지티브 감광물질을 포함할 수 있다.
도 6i를 참조하면, 제3마스킹 패턴(500)이 형성된 기판(100) 상에 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)을 순차적으로 형성한다. 제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)은 열 증착법에 의해 형성하고, 제3보호층(243)은 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다. 제3중간층(223) 및 제3대향전극(233)의 물질, 및 제3보호층(243)의 물질은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같으므로 중복 설명은 생략한다.
제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)의 증착 물질들은 기판(100)에 수직인 방향 및 비스듬한 방향을 따라 기판(100)을 향해 이동할 수 있으며, 따라서, 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)의 단부는 제3보조층(510)과 접촉하지 않은 채 제3감광패턴층(520)의 아래 공간으로 연장될 수 있다. 도 6j에 도시된 바와 같이, 제3보호층(243)은 제3대향전극(233)을 모두 커버하도록 제3대향전극(233)의 폭(We3) 보다 큰 폭(Wp3)을 가지며, 제3보호층(243)의 단부는 순방향 테이퍼 형상(forward taper shape)을 가진 채 화소정의막(180)과 직접 접촉할 수 있다.
도 6j를 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 제3마스킹 패턴(500)을 제거한다. 일 실시예로, 제3보조층(510)이 불소계 물질인 경우, 불소계 용매를 이용하여 제3보조층(510)을 제거한다. 제3보조층(510)이 제거되면서, 제3보조층(510) 상의 제3감광패턴층(520), 제3감광패턴층(520) 상에 적층된 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)이 함께 제거된다. 그리고, 제3화소(P3)에는 아일랜드 타입 패턴의 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)이 남는다.
비정질의 제1 및 제2보호층(241, 242)은, 도 6h 내지 도 6j를 참조하여 설명한 공정 중 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2보호층(241, 242)은 제1 및 제2유기발광소자(201, 202) 상의 제3마스킹 패턴(500)에 포함된 PGMEA 또는, 제3마스킹 패턴(500)의 현상시 사용되는 TMAH와 같은 물질들이 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 비정질의 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은 리프트 오프시 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은 제3보조층(510)을 제거하는 용매에 포함된 물질이 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)로 침투하거나, 해당 물질에 의해 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 6k를 참조하면, 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)이 형성된 기판(100) 상에 연결층(250)을 형성한다. 연결층(250)은 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3)를 모두 커버하도록 기판(100)의 전면(全面)에 일체로 형성된다. 연결층(250)은 도전성 재료를 포함한다. 연결층(250)에 사용되는 물질은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다.
다음으로, 연결층(250) 상에 보호막(260)을 형성할 수 있다. 보호막(260)은 적어도 하나의 유기층(261) 및 적어도 하나의 무기층(263)을 포함할 수 있다.
유기층(261)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 유기층(261)은 액상(또는 기상)의 모노머를 증착한 후, 열이나 자외선과 같은 빛을 이용하여 모노머로 이루어진 증착물을 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 무기층(263)은 산질화규소(SiON), 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 등을 포함할 수 있다. 무기층(263)은 플라즈마 기상증착법(PECVD)에 의해 형성될 수 있다.
본 실시예에서는, 유기층(261)이 아래에, 무기층(263)이 위에 배치된 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시에로, 유기층(261)과 무기층(263)의 위치는 변경 가능하며, 적층 순서, 층의 개수 등도 다양하게 변경 가능하다.
도 6a 내지 도 6k를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 제1 내지 제3마스킹 패턴 각각이 제1 내지 제3보조층(310, 410, 510)을 포함하는 경우를 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다. 전술한 실시예에서는 제1 내지 제3마스킹 패턴(300, 400, 500)이 감광패턴층(320, 420, 430)과 보조층(310, 410, 510)을 포함하는 것과 달리, 본 실시예에서는 마스킹 패턴이 감광패턴층(3201, 4201, 5201)으로만 형성된 점에서 차이가 있다. 이하에서는, 앞서 도 6a 내지 도 6k를 참조한 제조 방법과 중복되는 설명은 간단히 설명하거나 생략하고, 차이점을 위주로 설명한다.
도 7a를 참조하면, 앞서 도 6a를 참조하여 설명한 바와 같이 기판(100) 상에 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213)을 형성하고, 제1 내지 제3화소전극(211, 212, 213) 각각을 노출하는 개구(OP)를 구비한 화소정의막(180)을 형성한다.
이 후, 화소정의막(180) 상에 제1감광패턴층(3201)을 형성한다. 제1감광패턴층(3201)은 제1화소전극(211)을 노출하는 제1개구영역(OR1)을 포함한다. 제1감광패턴층(3201)은 네가티브 감광물질을 포함할 수 있다.
제1감광패턴층(3201)은 하기의 공정으로 형성될 수 있다.
화소정의막(180)이 형성된 기판(100) 상에 네가티브 감광물질을 포함하는 포토레지스트층(미도시)을 형성한 후, 일부 영역을 노광하고 현상하여 제1개구영역(OR1)을 갖는 제1감광패턴층(3201)을 형성한다. 포토레지스트층의 노광시 빛의 진행 방향을 조절하여, 제1감광패턴층(3201)이 역테이퍼 형상을 갖도록 한다.
도 7b를 참조하면, 마스킹 패턴인 제1감광패턴층(3201)이 형성된 기판(100) 상에 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)을 순차적으로 형성한다. 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)은 앞서 도 4, 및 도 6c를 참조하여 설명한 바와 같다.
제1감광패턴층(3201)이 역테이퍼 형상을 가지므로, 제1화소전극(211) 상에 형성된 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)과, 제1감광패턴층(3201) 상에 형성된 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)은 서로 이격되어 형성된다.
도 7c를 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 마스킹 패턴인 제1감광패턴층(3201)을 제거한다. 제1감광패턴층(3201)이 제거되면서, 제1감광패턴층(3201) 상에 형성된 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)도 함께 제거된다. 그리고, 제1화소(P1)와 대응되는 영역에는 아일랜드 타입 패턴의 제1중간층(221), 제1대향전극(231) 및 제1보호층(241)이 남는다.
비정질의 제1보호층(241)은 리프트 오프시 제1유기발광소자(201)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제1감광패턴층(3201)을 제거하는 용매에 포함된 물질이 제1유기발광소자(201)로 침투하거나, 제1유기발광소자(201)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 제1보호층(241) 및 화소정의막(180) 상에 제2감광패턴층(4201)을 형성한다. 제2감광패턴층(4201)은 제2화소전극(212)을 노출하는 제2개구영역(OR2)을 포함한다. 제2감광패턴층(4201)은 네가티브 감광물질을 포함할 수 있다. 제2감광패턴층(4201)은 전술한 제1감광패턴층(3201)과 동일한 방법으로 형성될 수 있으며, 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.
비정질의 제1보호층(241)은 제2감광패턴층(4201)에 포함된 물질이 제1유기발광소자(201)로 침투하거나, 제1유기발광소자(201)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
도 7d를 참조하면, 마스킹 패턴인 제2감광패턴층(4201)이 형성된 기판(100) 상에 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)을 순차적으로 형성한다. 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)의 물질, 형성 방법, 제1보호층(241)의 폭 등은 앞서 도 4, 및 도 6f를 참조하여 설명한 바와 같다.
제2감광패턴층(4201)이 역테이퍼 형상을 가지므로, 제2화소전극(212) 상에 형성된 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)과, 제2감광패턴층(4201) 상에 형성된 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)은 서로 이격되어 형성된다.
도 7e를 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 마스킹 패턴인 제2감광패턴층(4201)을 제거한다. 제2감광패턴층(4201)이 제거되면서, 제2감광패턴층(4201) 상에 형성된 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)도 함께 제거된다. 그리고, 제2화소(P2)와 대응되는 영역에는 아일랜드 타입 패턴의 제2중간층(222), 제2대향전극(232) 및 제2보호층(242)이 남는다.
비정질의 제1 및 제2보호층(241, 242)은 리프트 오프시 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제2감광패턴층(4201)을 제거하는 용매에 포함된 물질이 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)로 침투하거나, 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 제1 및 제2보호층(241, 242) 및 화소정의막(180) 상에 제3감광패턴층(5201)을 형성한다. 제3감광패턴층(5201)은 제3화소전극(213)을 노출하는 제3개구영역(OR3)을 포함한다. 제3감광패턴층(5201)은 네가티브 감광물질을 포함할 수 있다. 제3감광패턴층(5201)은 전술한 제1 및 제2감광패턴층(3201, 4201)과 동일한 방법으로 형성될 수 있으며, 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.
비정질의 제1 및 제2보호층(241, 242)은 제3감광패턴층(5201)에 포함된 물질이 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)로 침투하거나, 제1 및 제2유기발광소자(201, 202)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
도 7f를 참조하면, 마스킹 패턴인 제3감광패턴층(5201)이 형성된 기판(100) 상에 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)을 순차적으로 형성한다. 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)의 물질, 형성 방법, 제1보호층(241)의 폭 등은 앞서 도 4, 및 도 6i를 참조하여 설명한 바와 같다.
제3감광패턴층(5201)이 역테이퍼 형상을 가지므로, 제3화소전극(213) 상에 형성된 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)과, 제3감광패턴층(5201) 상에 형성된 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)은 서로 이격되어 형성된다.
도 7g를 참조하면, 리프트 오프 공정을 통해 마스킹 패턴인 제3감광패턴층(5201)을 제거한다. 제3감광패턴층(5201)이 제거되면서, 제3감광패턴층(5201) 상에 형성된 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)도 함께 제거된다. 그리고, 제3화소(P3)와 대응되는 영역에는 아일랜드 타입 패턴의 제3중간층(223), 제3대향전극(233) 및 제3보호층(243)이 남는다.
비정질의 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)은 리프트 오프시 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)를 보호할 수 있다. 예컨대, 제3감광패턴층(5201)을 제거하는 용매에 포함된 물질이 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)로 침투하거나, 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
이 후, 보호막(260)을 형성한다. 보호막(260)은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 적어도 하나의 유기층(261) 및 적어도 하나의 무기층(263)을 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 8의 유기 발광 표시 장치는, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)이 앞서 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치의 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)과 차이가 있을 뿐, 제1내지 제3화소전극(211, 212, 213), 제1 내지 제3중간층(221, 222, 223), 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233), 연결층(250) 및 보호막(260)의 구성이 도 4를 참조하여 설명한 내용과 동일하다. 이하에서는, 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)을 중심으로 설명한다.
도 8을 참조하면, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430) 각각은, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)을 커버하도록 배치되며, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 폭 보다 큰 폭을 가질 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430) 각각의 단부는, 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 단부를 지나 화소정의막(180)과 직접 접촉할 수 있다.
제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)은 비정질의 재료를 포함한다. 예컨대, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)은 비정질의 절연성 무기재를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)은 산화규소(SiOx), 산화알루미늄(AlOx), 하프늄산화물(HfO2), 아연산화물(ZnO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2) 등과 같은 산화물, 산질화규소(SiON) 산질화물, 또는 질화규소(SiNx)와 같은 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)은, 전술한 비정질의 재료를 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 일 실시예로 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)의 최소두께는 약 10Å 일 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430) 각각은, 전술한 PGMEA, TMAH 등과 같은 물질 및 수분(H2O), 산소(O2) 등의 물질 등을 고려하여 약 100Å 내지 300 Å의 두께를 가질 수 있다.
제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)은, 연결층(250)과 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)들 사이의 전기적 연결을 위해 콘택홀(2410H, 2420H, 2430H)을 구비할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 9a를 참조하면, 기판(100)의 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3) 각각에 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203) 및 이들을 커버하는 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)을 형성한다.
제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203) 및 이들을 커버하는 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)을 형성하는 공정은, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)와 같은 공정을 통해 형성하는 점을 제외하고 다른 공정은 앞서 도 6a 내지 도 6j를 참조하여 설명한 방법, 또는 도 7a 내지 도 7f를 참조하여 설명한 방법과 실질적으로 동일하다.
도 9b를 참조하면, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)의 일부 영역을 에칭하여 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)의 일부를 노출하는 콘택홀(2410H, 2420H, 2430H)을 형성한다.
도 9c를 참조하면, 제1 내지 제3화소(P1, P2, P3)를 모두 커버하도록 연결층(250)을 형성하고, 연결층(250) 상에 적어도 하나의 유기층(261) 및 적어도 하나의 무기층(263)을 포함하는 보호막(260)을 형성한다.
비정질의 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)은, 리프트 오프 공정을 통해 제조되는 유기 발광 표시 장치의 제조 공정 중 마스킹 패턴에 포함된 물질이나 마스킹 패턴을 제거할 때 사용되는 물질 등이 제1 내지 제3유기발광소자(201, 202, 203)로 침투하거나 제1 내지 제유기발광소자(201, 202, 203)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
도 8 내지 도 9c를 참조하여 설명한 바에 따르면, 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)이 절연성을 갖는 경우 제1 내지 제3보호층(2410, 2420, 2430)에 정의된 콘택홀을 통해 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)과 연결층(250)이 연결된 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로, 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)이 도전성을 갖는 경우에도, 전기저 저항을 고려하여 제1 내지 제3대향전극(231, 232, 233)과 연결층(250)의 직접 접촉을 위한 콘택홀이 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243)에 형성될 수 있다.
한편, 전술한 비정질의 제1 내지 제3보호층(241, 242, 243, 2410, 2420, 2430)은 투습율(WVTR)이 약10-1g/cm2/day 보다 작도록 두께를 적절히 조절하여, 보호막(260)과 함께 제1 내지 제유기발광소자(201, 202, 203)을 수분 내지 산소로부터 보호하는 봉지막으로서의 기능을 수행할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치는, INVAR와 같은 재료로 형성된 증착용 마스크를 기판에 밀착시킨 상태에서 형성하지 않으므로, 증착용 마스크에 의한 찍힘 현상을 방지할 수 있다. 또한, 화소정의막 상에 증착용 마스크를 지지하기 위한 별도의 스페이서를 두거나 화소정의막의 높이를 약 2.5~3.5μm와 같이 높게 형성하지 않아도 된다. 즉, 화소정의막을 약 100nm 이하로 형성할 수 있으므로, 공정 및 재료비 절감의 측면에서 우수하다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 리프트 오프 공정을 통해 화소별로 패터닝하므로, 화소별 중간층의 거리를 서로 다르게 형성할 수 있다. 이 때, 중간층의 거리는 광학적 공전거리를 고려하여 설계될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판
180: 화소정의막
211: 제1화소전극
212: 제2화소전극
213: 제3화소전극
221: 제1중간층
222: 제2중간층
223: 제3중간층
231: 제1대향전극
232: 제2대향전극
233: 제3대향전극
241, 2410: 제1보호층
242, 2420: 제2보호층
243, 2430: 제3보호층
250: 연결층
260: 보호층

Claims (30)

  1. 제1 및 제2화소전극;
    상기 제1 및 제2화소전극 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2화소전극 각각을 노출하는 개구가 정의된 화소정의막;
    상기 개구를 통해 노출된 상기 제1 및 제2화소전극 상에 각각 배치되며, 발광층을 포함하는 제1 및 제2중간층;
    상기 제1 및 제2중간층 상에 배치되며, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 및 제2대향전극;
    상기 제1 및 제2대향전극 상에 각각 배치되며, 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 및 제2보호층; 및
    상기 제1 및 상기 제2보호층 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2대향전극을 전기적으로 연결하는 연결층;을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1보호층의 폭은 상기 제1대향전극의 폭 보다 크고, 상기 제2보호층의 폭은 상기 제2대향전극의 폭 보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1보호층의 단부 및 상기 제2보호층의 단부는 각각 상기 제1 및 제2대향전극을 지나 상기 화소정의막과 접촉하는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 재료를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 도전성 산화물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2보호층은,
    비정질의 투명 도전성 산화물(amorphous transparent conductive oxide: amorphous TCO), 및 투명한 비정질 산화 반도체(transparent amorphous oxide semiconductor: TAOS) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2보호층은, 비정질의 절연성 무기물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2보호층은, 산화물, 산질화물, 질화물을 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 연결층은, 상기 제1 및 제2보호층에 정의된 콘택홀을 통해 상기 제1 및 제2대향전극과 각각 전기적으로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2대향전극은, 금속막을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2대향전극은, Ag, Mg, Al, Yb, Ca, Li, Au, LiF 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 연결층 상에 배치되며, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 보호막을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2중간층 중 적어도 어느 하나는, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 연결층은 상기 제1 및 제2보호층을 커버하도록 일체로 형성된, 유기 발광 표시 장치.
  15. 기판 상에 제1 및 제2화소전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2화소전극 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2화소전극 각각을 노출하는 개구가 정의된 화소정의막을 형성하는 단계;
    상기 화소정의막 상에 배치되며, 상기 제1화소전극을 노출하는 제1개구영역이 정의된 제1감광패턴층을 형성하는 단계;
    상기 제1화소전극 및 상기 제1감광패턴층 상에, 발광층을 포함하는 제1중간층, 제1대향전극, 및 제1보호층을 순차적으로 형성하는 단계; 및
    상기 제1화소전극 상에 상기 제1중간층, 상기 제1대향전극, 및 상기 제1보호층을 남긴 채 상기 제1감광패턴층을 제거하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1중간층은, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1보호층은, 상기 제1대향전극의 폭 보다 큰 폭을 갖는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1보호층의 단부는 상기 제1대향전극을 지나 상기 화소정의막과 접촉하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제1대향전극은, 금속막을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 제1대향전극은, Ag, Mg, Al, Yb, Ca, Li, Au, LiF 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 제1보호층은, 비정질의 재료를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1보호층은, 비정질의 도전성 산화물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1보호층은,
    비정질의 투명 도전성 산화물(amorphous transparent conductive oxide: amorphous TCO), 및 투명한 비정질 산화 반도체(transparent amorphous oxide semiconductor: TAOS) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1보호층은, 비정질의 절연성 무기물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제1보호층은,, 산화물, 산질화물, 질화물을 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제15항에 있어서,
    상기 제1감광패턴층을 형성하는 단계는,
    상기 제1감광패턴층과 상기 화소정의막 사이에 개재되며, 상기 제1개구영역과 대응하는 개구영역을 포함하는 제1보조층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제1보조층의 상기 개구영역은 상기 제1개구영역 보다 큰, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제15항에 있어서,
    상기 제1보호층 및 상기 화소정의막 상에 배치되며, 상기 제2화소전극을 노출하는 제2개구영역이 정의된 제2감광패턴층을 형성하는 단계;
    상기 제2화소전극 및 상기 제2감광패턴층 상에, 발광층을 포함하는 제2중간층, 제2대향전극, 및 제2보호층을 순차적으로 형성하는 단계; 및
    상기 제2화소전극 상에 상기 제2중간층, 상기 제2대향전극, 및 상기 제2보호층을 남긴 채 상기 제2감광패턴층을 제거하는 단계;를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제1보호층 및 상기 제2보호층을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계; 및
    상기 제1보호층 및 상기 제2보호층 상에 연결층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 연결층은, 상기 제1 및 제2보호층을 커버하도록 상기 기판에 일체로 형성된, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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