JP2018181578A

JP2018181578A - 表示装置

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Publication number: JP2018181578A
Application number: JP2017078809A
Authority: JP
Inventors: 哲仙神谷; Tetsusen Kamiya; 康太真喜志; Kota Makishi
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2017-04-12
Filing date: 2017-04-12
Publication date: 2018-11-15
Also published as: US12150324B2; US20180301651A1; US20220093888A1; US11205760B2

Abstract

【課題】封止層にクラックが生じても、その成長を一定の段階で止めることができ、水分が侵入しにくい表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に配置され、発光素子をそれぞれ含む複数の画素と、基板上に配置された第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層の基板とは反対側の面に配置された封止層と、を有し、発光素子は、第１有機絶縁層と封止層との間に配置され、第１有機絶縁層は、複数の画素を囲み、第１有機絶縁層を貫通する第１開口部を有し、封止層は、基板側から、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む層構造を含み、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層は、端部が前記第１開口部より外側に配置され、第２有機絶縁層は、端部が第１開口部と重なる領域に配置され、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層は、第１開口部を囲み、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層を貫通する周状の第２開口部を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関する。本明細書によって開示される発明の一実施形態は表示装置の封止構造に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。

有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。

有機ＥＬ表示装置の発光層は、水分が侵入すると容易に劣化し、ダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生してしまうという課題がある。このような課題を解決するため、多くの有機ＥＬ表示装置には、水分の侵入を防止するための封止層が設けられている。

しかしながら、製造工程において、マザーガラス上に設けられた複数の有機ＥＬ表示装置を分断する際に、封止層の無機膜にマイクロクラックが生じるといった課題がある。封止層の無機膜にマイクロクラックが生じると、それが水分侵入経路となり、発光層に水分が侵入し易くなる。

このような課題に対し、例えば特許文献１には、切断位置に、第１無機層と第２無機層との間に有機層が有り切断時の応力を吸収して無機層にクラックが発生することを防止する製造方法が開示されている。

特開２０１５−０４１４８１号公報

しかしながら、上記の従来技術においても、無機層に一度マイクロクラックが発生すると、それが成長してしまう。特に、フレキシブルな表示装置においては、変形を繰り返すことでそれが一層成長し易い。その結果、発光層にまで到達する水分の侵入経路が生じてしまうことが有り得る。

本発明の一実施形態は、封止層にクラックが生じても、その成長を一定の段階で止めることができ、水分が侵入しにくい表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板上に配置され、少なくとも第１電極、発光層、第２電極が積層された発光素子をそれぞれ含み、一方向及び一方向と交差する方向に配列する複数の画素と、複数の画素で構成された表示領域と、基板上に配置された第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層の基板とは反対側の面に配置された封止層と、を有し、発光素子は、第１有機絶縁層と封止層との間に配置され、第１有機絶縁層は、第１電極、発光層及び第２電極の少なくとも一つと一部が接し、第１有機絶縁層は、複数の画素を囲み、第１有機絶縁層を貫通する第１開口部を有し、封止層は、基板側から、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む層構造を含み、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層は、第１開口部を覆い、端部が第１開口部より外側に配置され、第２有機絶縁層は、端部が第１開口部と重なる領域に配置され、第２無機絶縁層は、第２有機絶縁層の上面部及び端部、並びに第２有機絶縁層の外側領域において第１無機絶縁層の上面に沿って当接して設けられ、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層は、第１開口部を囲み、表示領域の外側であって第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層を貫通する周状の第２開口部を有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を説明する斜視図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する平面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。なお、本発明の一実施形態に係る表示装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。以下に例示される実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する平面図である。図３は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する平面図であり、図２に示すＡの領域を拡大した平面図である。図４は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図であり、図３に示すＢ−Ｂ´の断面を示している。

図１で示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６が配列される表示領域１０２ａと、表示領域１０２ａを覆う第２基板１０４と、シール材１１０とを備えている。なお、第２基板１０４を第１基板１０２に固定する際に、必ずしもシール材１１０を用いなくても他の方法を用いてもよく、その際シール材１１０を設ける必要はない。

第１基板１０２は、複数の画素１０６の支持体としての役割を果たす。複数の画素１０６の各々の構成については後述する。端子領域１０２ｂは、第１基板１０２の一表面の端部、且つ第２基板１０４の外側に設けられ、複数の接続端子１０８が配列されている。図示はしていないが、複数の接続端子１０８には、映像信号を出力する機器や電源等と表示装置１００とを接続する配線基板が接続される。また、第１基板１０２には複数の画素１０６に映像信号を出力するドライバＩＣ１１２が実装されている。

第１基板１０２としては、板状の基板や可撓性を有する基板を用いることができる。板状の基板としては、ガラス基板、アクリル樹脂基板、アルミナ基板等を用いることができる。可撓性を有する基板としては、樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。具体的には、基板として、ポリイミドをシート状に成形したフィルム基板が用いられる。第２基板１０４は、第１基板１０２と同様にガラス基板、アクリル樹脂基板を用いることができる。また、第２基板１０４は、板状の部材に限定されず、可撓性を有するフィルム状の基材又は樹脂材料の塗膜で代替されてもよい。第１基板１０２及び第２基板１０４を共に可撓性を有する部材で構成することで、可撓性を有する表示装置１００を実現することができる。

図３で示すように、複数の画素１０６は、第１基板１０２上の表示領域１０２ａに、一方向及び一方向と交差する方向に配列されている。複数の画素１０６の各々は、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ、発光素子及び保持容量を有する画素回路から構成される。図４は、図３に示すＢ−Ｂ’線に対応する断面構造を示すが、画素１０６を構成する要素の内、発光素子１２８が示されている。

図４に示すように、発光素子１２８は、第１基板１０２側から、少なくとも第１電極１３０、発光層１３２及び第２電極１３４が、この順で積層された層構造を有している。発光素子１２８は、第１電極１３０と第２電極１３４との間に順方向バイアスを印加することにより発光する。発光素子１２８は、発光層１３２に有機ＥＬ材料が用いられているため、有機ＥＬ発光素子又は有機ＥＬ素子とも呼ばれることがある。なお、発光層１３２は複数の画素１０６に共通して単色発光するように配置してもよく、また複数の画素１０６が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応して配置されていてもよい。

第１電極１３０は、複数の画素１０６の各々に設けられている。第１電極１３０の材料としては、発光層１３２で発生した光を第２電極１３４側に反射させるために、反射率の高い金属層を含むことが好ましい。反射率の高い金属層としては、例えば銀（Ａｇ）や銀を含有する合金、アルミニウムやアルミニウムを含有する合金などを用いることができる。

第１電極１３０は、更に、前述の反射率の高い金属層に加え、透明導電層が積層されてもよい。透明導電層としては、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることが好ましい。また、それらの任意の組み合わせを用いてもよい。

本実施形態においては、第２電極１３４は、複数の画素１０６に亘って配置されている。第２電極１３４の材料としては、発光層１３２で発生した光を透過させるために透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等が好ましい。又は、第２電極１３４として、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いても良い。尚、第２電極１３４は各第１電極１３０毎に個別に形成されてもよい。

第１電極１３０及び第２電極１３４はそれぞれ、画素電極及び共通電極とも呼ばれる。また、本実施形態においては、第１電極１３０及び第２電極１３４はそれぞれ、アノード及びカソードとして機能する例を示す。しかし、これに限らず、第１電極１３０及び第２電極１３４はそれぞれ、カソード及びアノードとして機能してもよい。

発光層１３２は、第１電極１３０及び第２電極１３４に挟持されている。発光層１３２の材料としては、電流が供給されると発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。有機ＥＬ材料としては、低分子系又は高分子系の有機材料を用いることができる。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１３２は発光性の有機材料に加え、発光性の有機材料を挟持するように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。

図４に示すように、第１有機絶縁層１１４は、第１基板１０２上に配置されている。第１有機絶縁層１１４は、本実施形態においては、平坦化絶縁層１１６及びバンク層１１８を含む層をいう。第１有機絶縁層１１４は、第１電極１３０、発光層１３２及び第２電極１３４の少なくとも一つと一部が接する。平坦化絶縁層１１６は、第１電極１３０と第１基板１０２との間に配置されている。平坦化絶縁層１１６は、その下の層に配置されるトランジスタや配線等（図示せず）に起因する凹凸を平坦化するために設けられている。平坦化絶縁層１１６の材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはそれらの組み合わせ等を用いることができる。

バンク層１１８は、複数の画素１０６の各々を区画する。具体的には、バンク層１１８は平坦化絶縁層１１６と接し、第１電極１３０の発光層１３２が設けられる側の面の上端部と接する。バンク層１１８は、隣接する２つの第１電極１３０間に設けられ、隣接する２つの画素１０６を区画している。バンク層１１８の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。バンク層１１８を形成する有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。

絶縁材料で形成されたバンク層１１８が配置されることによって、第１電極１３０の端部において、第２電極１３４と第１電極１３０とが短絡することを防止することができる。更に、隣接する画素１０６間を確実に絶縁することができる。

図２及び図３に示すように、第１有機絶縁層１１４には、複数の画素１０６を囲み、第１有機絶縁層１１４を貫通する第１開口部１１４ａが設けられている。平坦化絶縁層１１６及びバンク層１１８は、周状の第１開口部１１４ａを境に、その内側及び外側に分離される。これによって、表示装置１００において、第１開口部１１４ａは、第１有機絶縁層１１４を、複数の画素１０６が配列する画素領域１０２ａ及びその外側の周辺領域とを分割する環状溝を形成する。有機絶縁層は、大気に露出しているとその部分が水分の侵入経路となり得るため、このような第１開口部１１４ａを有することによって、第１開口部１１４ａの外部から内部への水分の侵入経路を遮断することができる。これによって、第１開口部１１４ａの内側に配列された画素１０６の劣化を防ぐことができ、表示装置１００の信頼性が向上する。

本実施形態に係る表示装置１００は、第１開口部１１４ａの外側に配置され、複数の画素１０６を駆動する駆動回路を更に備えてもよい。

図４に示すように、封止層１２０は、第１有機絶縁層１１４よりも上の層に配置されている。封止層１２０は、第１開口部１１４ａの側壁及び底部を被覆する。更に、封止層１２０は、その端部が第１開口部１１４ａの外側に配置される。更に、封止層１２０は、第１有機絶縁層１１４の端部を被覆する。本実施形態においては、封止層１２０は、第１基板１０２側から、第１無機絶縁層１２２ａ、第２有機絶縁層１２４及び第２無機絶縁層１２２ｂの順で含む領域を有している。

第１無機絶縁層１２２ａは、その上層に配置され、水分が透過しやすい第２有機絶縁層１２４が発光素子１２８に接しないようにするために設けられている。よって、第１無機絶縁層１２２ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。第１無機絶縁層１２２ａの具体的な材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_x）、窒化珪素（ＳｉＮ_x）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_xＮ_y）、窒化酸化珪素（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ_x）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯ_xＮ_y）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_xＯ_y）等の層を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの層を積層した構造を使用してもよい。第１無機絶縁層１２２ａの成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。

第２有機絶縁層１２４は、第１無機絶縁層１２２ａ上に設けられている。また、第２有機絶縁層１２４は、その端部が第１開口部１１４ａと重なる領域に配置されている。つまり、第２有機絶縁層１２４は、平面視において、発光層１３２よりも広く、発光層１３２を完全に覆うように設けられている。

第２有機絶縁層１２４は、封止層１２０の下層に配置された複数の発光素子１２８やバンク層１１８等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。このような凹凸が十分に平坦化されず、第２有機絶縁層１２４上に第２無機絶縁層１２２ｂが設けられてしまうと、第２無機絶縁層１２２ｂが第２有機絶縁層１２４の凹凸を十分に被覆できず、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の欠陥が生じ、それに起因する水分の侵入経路が生じる場合がある。

第２有機絶縁層１２４は、膜厚が１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第２有機絶縁層１２４の膜厚がこの範囲よりも小さいと、前述のような凹凸を十分に平坦化することができない場合がある。そのような場合、上層に設けられる第２無機絶縁層１２２ｂの被覆性が十分ではなくなり、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の水分の侵入経路が発生する場合がある。一方、第２有機絶縁層１２４の膜厚がこの範囲よりも大きいと、封止層１２０の透光性が低下し、視認される輝度の低下を招く。

第２有機絶縁層１２４の材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。第２有機絶縁層１２４の成膜方法としては、塗布法又は蒸着法等を用いることができる。

第２無機絶縁層１２２ｂは、第２有機絶縁層１２４上に設けられている。第２無機絶縁層１２２ｂは、第２有機絶縁層１２４の上面部及び端部、並びに第２有機絶縁層１２４の外側領域において第１無機絶縁層１２２ａの上面に沿って設けられている。つまり、第２有機絶縁層１２４は、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂによって密封されている。封止層１２０は、このような構成を有することによって、第２有機絶縁層１２４を介した、表示装置１００の外部から内部への水分の侵入経路を遮断することができる。

第２無機絶縁層１２２ｂの材料としては、第１無機絶縁層１２２ａと同様に、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましい。第２無機絶縁層１２２ｂの成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。

有機絶縁層は水分の侵入経路となりやすいため、第２有機絶縁層１２４に水分が侵入すると、第１無機絶縁層１２２ａに到達し、更に発光層１３２に侵入してしまうことが懸念される。本実施形態においては、第２有機絶縁層１２４によって高い平坦性を確保しているため、第２無機絶縁層１２２ｂは被覆性に優れ、そのため水分の侵入経路が発生しにくい。

封止層１２０は、更に、第１開口部１１４ａを囲む周状の第２開口部１２０ａを有する。第２開口部１２０ａは、第２有機絶縁層１２４の端部よりも外側に設けられる。つまり、第２開口部１２０ａは、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂが積層された領域に設けられ、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂを貫通する。別言すれば、封止層１２０は、第２開口部１２０ａによって、その内側と外側が分離されている。本実施形態においては、第２開口部１２０ａは、平面視において、第１有機絶縁層１１４上に設けられる。

このような構成を有することによって、第２開口部１２０ａの外側において第１無機絶縁層１２２ａ又は第２無機絶縁層１２２ｂにクラックが生じて成長しても、第２開口部１２０ａによってその成長を止めることができる。これにより、第２開口部１２０ａの外側において第１無機絶縁層１２２ａ又は第２無機絶縁層１２２ｂにクラックが生じて成長しても、第２開口部１２０ａの内側には当該クラックの影響が及ばないようにすることができる。

ここで、詳細は後述するが、第２開口部１２０ａの外側において第１無機絶縁層１２２ａ又は第２無機絶縁層１２２ｂにクラックが生じる原因の一つは、製造工程において、多面取り基板を複数の基板に分断する工程である。このとき、封止層１２０を構成する第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂは、マザーガラスとも呼ばれる多面取り基板の全面に成膜されている。そこで、多面取り基板を分断する前に、本実施形態のような第２開口部１２０ａを設けておくことによって、分断時に生じたクラックが、第２開口部１２０ａの内側まで成長を防止することができる。これによって、表示装置１００の製造歩留まりを向上させることができる。

尚、第２開口部１２０ａから第１有機絶縁層１１４に水分が侵入したとしても、第１開口部１１４ａの外側には、有機材料を含む画素１０６は設けられず、例えば駆動回路等が設けられる。駆動回路に設けられるトランジスタ及び容量等の素子は、有機材料に比べれば水分に対して高い耐性を有する。そのため、第２開口部１２０ａから侵入した水分は比較的深刻ではない。また、このとき、第１有機絶縁層１１４は第１開口部１１４ａによって、その内側と外側とが分離されているため、有機絶縁層を介した第１開口部１１４ａの内側への水分の侵入経路は存在しない。よって、第２開口部１２０ａを設けても、それを介して表示領域１０２ａに水分が侵入し、発光層１３２を劣化させることは無い。

第２開口部１２０ａは、第１開口部１１４ａの外側に設けられれば、その幅には特に制限は無い。しかし、製造工程を考慮すると、第２開口部１２０ａの幅が２０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。詳細は後述するが、第２開口部１２０ａは一例としてレーザ加工によって形成することができる。このとき、レーザ光源から出射されるレーザビームの直径を光学系を利用することにより上記の範囲とすることができる。

尚、本実施形態においては、第２開口部１２０ａは、第１開口部１１４ａを平面視で一重で囲むように設ける態様を示したが、これに限られるものではない。第２開口部１２０ａは、複数設けられ、第１開口部１１４ａを平面視で二重で又はそれ以上で囲むように設けてもよい。

第２基板１０４は、第１基板１０２の表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は、シール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第２基板１０４は、上述した第１基板１０２として用いることができる基板のいずれかを用いることができる。

シール材１１０は、第２基板１０４の周辺部を囲み、第１基板１０２と第２基板１０４とを固定する。第１基板１０２に配列された複数の画素１０６は、第２基板１０４とシール材１１０とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により、複数の画素１０６の各々が有する発光素子１２８の劣化を抑制している。なお、第２基板１０４を第１基板１０２に固定する際に、必ずしもシール材１１０を用いなくても他の方法を用いてもよく、その際シール材１１０を設ける必要はない。例えば、第１基板１０２と第２基板１０４との間に充填材を設けて複数の画素１０６を封止するようにしてもよい。また、第２基板１０４を省略して、封止樹脂層によって複数の画素１０６が封止されていてもよい。

本実施形態に係る表示装置１００の構成によれば、表示装置１００の周縁部において封止層１２０にクラックが生じて成長しても、第２開口部１２０ａによってその成長を止めることができる。つまり、表示領域１０２ａの周縁部において封止層１２０にクラックが生じても、それに起因する水分の侵入経路は第２開口部１２０ａの内側には形成されない。よって、水分の侵入に対する耐性が向上した表示装置１００を提供することができる。

図面を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。図５は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する平面図である。図６Ａ乃至図６Ｅは、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。図５は、マザーガラスとも呼ばれる多面取り基板１０１に複数の表示パネルが作り込まれる態様を示す表示パネルには、表示領域１０２ａ、端子領域１０２ｂ、ドライバＩＣ１１２が実装される領域を含む。

なお、図５及び図６Ａはそれぞれ、バンク層１１８の形成までを行った状態の平面図及び断面図である。ここで、図６Ａは、図５におけるＣ−Ｃ´に沿った断面を示している。つまり、ここまでの工程において、多面取り基板１０１上に、表示装置１００毎に回路素子を形成し、平坦化絶縁層１１６を形成し、第１電極１３０を形成し、バンク層１１８を形成している。ここで、平坦化絶縁層１１６及びバンク層１１８をそれぞれパターニングすることによって、第１開口部１１４ａを形成している。第１開口部１１４ａは、複数の表示装置１００の各々に分断される領域の各々において、複数の画素１０６を囲むように設けられる。

次いで、発光素子１２８を形成する（図６Ｂ）。図６Ａに示す段階においては、第１電極１３０のみが形成されている。この状態に対し、複数の画素１０６を覆うように発光層１３２を形成し、その上に複数の画素１０６を覆うように第２電極１３４を形成する。尚、発光層１３２及び第２電極１３４は、本実施形態のようなレイアウトに限られず、それぞれ画素１０６毎に形成してもよい。

次いで、封止層１２０を形成する（図６Ｃ）。本実施形態においては、封止層１２０は、下層から、第１無機絶縁層１２２ａ、第２有機絶縁層１２４、第２無機絶縁層１２２ｂの順に形成される。

第１無機絶縁層１２２ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。第１無機絶縁層１２２ａの具体的な材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_x）、窒化珪素（ＳｉＮ_x）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_xＮ_y）、窒化酸化珪素（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ_x）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯ_xＮ_y）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_xＯ_y）等の層を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの層を積層した構造を使用してもよい。第１無機絶縁層１２２ａは、多面取り基板１０１の全面に形成する。第１無機絶縁層１２２ａの成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。

第２有機絶縁層１２４の材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。第２有機絶縁層１２４は、複数の表示装置１００に分断される領域の各々において、その端部が第１開口部１１４ａ内に位置するように形成する。第２有機絶縁層１２４の成膜方法としては、塗布法又は蒸着法等を用いることができる。第２有機絶縁層１２４の成膜後、フォトリソグラフィ工程によりパターニングを行う。ここで、複数の表示装置１００に分断される領域の各々において、第２有機絶縁層１２４の端部が第１開口部１１４ａ内に位置するように形成する。

第２無機絶縁層１２２ｂの材料としては、第１無機絶縁層１２２ａと同様の材料を用いることができる。第２無機絶縁層１２２ｂも、第１無機絶縁層１２２ａと同様に、多面取り基板１０１の全面に形成する。第２無機絶縁層１２２ｂの成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。

次いで、封止層１２０に第２開口部１２０ａを形成する（図６Ｄ）。第２開口部１２０ａは、複数の表示装置１００に分断される領域の各々において、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂを貫通し、第１開口部１１４ａを囲むように形成する。第２開口部１２０ａは、レーザ照射により形成することができる。使用するレーザ光源は、ＹＡＧレーザーやエキシマレーザなどその種類は問わない。また、レーザの光束径についても、第２開口部１２０ａの径の設計に合わせて適宜用いられて良い。

次いで、多面取り基板１０１を、図５に示す分断線１０１ａに沿って複数の表示装置１００に分断する（図６Ｅ）。多面取り基板１０１の分断は、ブレードダイシング、レーザアブレーション等を用いることができる。このとき、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂに第２開口部１２０ａが設けられていることにより、多面取り基板１０１を分断線１０１ａに沿って分断しても、クラックが表示領域１０２ａに侵攻するのを防止することができる。別言すれば、多面取り基板１０１上の表示パネルは、分断線１０１ａより内側に、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂを貫通する第２開口部１２０ａが設けられていることにより、分断線１０１ａから発生するクラックが、表示領域１０２ａに配列される複数の画素１０６に影響しないようにすることができる。

次いで、分断された基板と、第２基板１０４とを、シール材１１０とによって表示領域１０２ａが大気に晒されないように封止することによって、図４に示した本実施形態に係る表示装置１００を得る。

以上、本発明の好ましい一態様を説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

表示装置・・・１００、多面取り基板・・・１０１、分断線・・・１０１ａ、第１基板・・・１０２、表示領域・・・１０２ａ、端子領域・・・１０２ｂ、第２基板・・・１０４、画素・・・１０６、接続端子・・・１０８、シール材・・・１１０、ドライバＩＣ・・・１１２、第１有機絶縁層・・・１１４、第１開口部・・・１１４ａ、平坦化絶縁層・・・１１６、バンク層・・・１１８、封止層・・・１２０、第２開口部・・・１２０ａ、第１無機絶縁層・・・１２２ａ、第２無機絶縁層・・・１２２ｂ、第２有機絶縁層・・・１２４、発光素子・・・１２８、第１電極・・・１３０、発光層・・・１３２、第２電極・・・１３４、レーザ光源・・・１３８

Claims

基板上に配置され、少なくとも第１電極、発光層、第２電極が積層された発光素子をそれぞれ含み、一方向及び前記一方向と交差する方向に配列する複数の画素と、
前記複数の画素で構成された表示領域と、
前記基板上に配置された第１有機絶縁層と、
前記第１有機絶縁層の前記基板とは反対側の面に配置された封止層と、を有し、
前記発光素子は、前記第１有機絶縁層と前記封止層との間に配置され、
前記第１有機絶縁層は、前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極の少なくとも一つと一部が接し、
前記第１有機絶縁層は、前記複数の画素を囲み、前記第１有機絶縁層を貫通する第１開口部を有し、
前記封止層は、前記基板側から、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む層構造を含み、
前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記第１開口部を覆い、端部が前記第１開口部より外側に配置され、
前記第２有機絶縁層は、端部が前記第１開口部と重なる領域に配置され、
前記第２無機絶縁層は、前記第２有機絶縁層の上面部及び端部、並びに前記第２有機絶縁層の外側領域において前記第１無機絶縁層の上面に沿って当接して設けられ、
前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記第１開口部を囲み、前記表示領域の外側であって前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層を貫通する周状の第２開口部を有することを特徴とする表示装置。
前記第１有機絶縁層は、前記第１電極と前記基板との間の平坦化絶縁層と、前記平坦化絶縁層と、前記第１電極の前記発光層が設けられる側の面の上端部と接するバンク層と、を含む請求項１に記載の表示装置。
前記第２開口部は、幅が２０μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第２開口部は、平面視において、前記第１有機絶縁層上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第２開口部は、平面視において、前記表示領域の外側を周状に取り囲むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記封止層は、前記第１開口部の側壁を被覆することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記封止層は、前記第１有機絶縁層の端部を被覆することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第１開口部の外側に配置され、前記複数の画素を駆動する駆動回路を更に備えた請求項１に記載の表示装置。